JP2001164246A - 低塩素安定剤の製造方法 - Google Patents

低塩素安定剤の製造方法

Info

Publication number
JP2001164246A
JP2001164246A JP2000335999A JP2000335999A JP2001164246A JP 2001164246 A JP2001164246 A JP 2001164246A JP 2000335999 A JP2000335999 A JP 2000335999A JP 2000335999 A JP2000335999 A JP 2000335999A JP 2001164246 A JP2001164246 A JP 2001164246A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
weight
solvent
mol
mixture
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2000335999A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4831860B2 (ja
JP2001164246A5 (ja
Inventor
Vien Van Toan
バン トアン,ビーン
Ronald Salathe
サラテ,ロナルド
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BASF Schweiz AG
Ciba SC Holding AG
Original Assignee
Ciba Spezialitaetenchemie Holding AG
Ciba SC Holding AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ciba Spezialitaetenchemie Holding AG, Ciba SC Holding AG filed Critical Ciba Spezialitaetenchemie Holding AG
Publication of JP2001164246A publication Critical patent/JP2001164246A/ja
Publication of JP2001164246A5 publication Critical patent/JP2001164246A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4831860B2 publication Critical patent/JP4831860B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07FACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F9/00Compounds containing elements of Groups 5 or 15 of the Periodic Table
    • C07F9/02Phosphorus compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00Use of organic ingredients
    • C08K5/49Phosphorus-containing compounds
    • C08K5/51Phosphorus bound to oxygen

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Steroid Compounds (AREA)
  • Fireproofing Substances (AREA)
  • Anti-Oxidant Or Stabilizer Compositions (AREA)
  • Paper (AREA)
  • Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 低塩素含有安定剤の製造方法を提供する。 【解決手段】 a)テトラキス(2,4−ジ第三ブチル
フェニル)ビフェニレンジホスホナイト及びその異性体
50−80重量%、b)ビス(2,4−ジ第三ブチルフ
ェニル)ビフェニレンモノホスホナイト及びその異性体
5−25重量%、並びにc)トリス(2,4−ジ第三ブ
チルフェニル)ホスホナイト5−25重量%からなり、
成分a)ないしc)の全量が100重量%より多くない
低塩素含有安定剤混合物の、フリーデル−クラフト反応
によりビフェニルを三塩化リン及び三塩化アルミニウム
と反応させ、形成された二層を分離しつつ、第三アミン
又は芳香族アミン及び溶媒の存在下で該生成物を2,4
−ジ第三ブチルフェノールと反応させることによる製造
方法に関する。該方法は、水、塩基及び乾燥剤による溶
媒層処理、安定剤混合物含有溶液からの沈殿物分離及び
溶媒蒸発を含む。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、酸化、熱または光
により誘発された分解に対して有機材料を安定化するた
めに適する、低量の塩素を含む安定剤混合物製造のため
の新しい製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】米国特許第4075163号には、酸
化、熱または光により誘発された分解に対して有機材料
を安定化するために適する、テトラキス(2,4−ジ第
三ブチルフェニル)ビフェニレンジホスホナイトの合成
が記載されている(第7欄、表1、化合物12)。この
化合物は、例えばクラリアント社(Clariant)(スイス
国)からサンドスタブ(Sandostab) P-EPQ (RTM)として
市販品で入手可能である。欧州特許第0633287号
公報では、実施例1に上記市販品で入手可能なサンドス
タブ(Sandostab) P-EPQ (RTM)がa)テトラキス(2,
4−ジ第三ブチルフェニル)ビフェニレンジホスホナイ
ト65重量%、b)ビス(2,4−ジ第三ブチルフェニ
ル)ビフェニレンモノホスホナイト15重量%、c)ト
リス(2,4−ジ第三ブチルフェニル)ホスホナイト1
3重量部、d)2,4−ジ第三ブチルフェノール1.5
重量部、e)塩素1重量%まで(10000mg/kg
まで)、f)揮発性物質0.5重量%まで、およびg)
酸化テトラキス(2,4−ジ第三ブチルフェニル)ビフ
ェニレンジホスホナイト4ないし5重量%からなるいく
つかの成分の混合物であることが記載されている。
【0003】ホスフィットおよびホスホナイトは加水分
解に対して非常に不安定である(米国特許第40751
63号の実施例29を参照せよ)。従って、サンドスタ
ブ(Sandostab) P-EPQ (RTM)の合成時、反応混合物が水
と接触しないようにしなければならない。サンドスタブ
(Sandostab) P-EPQ (RTM)の実際的な大規模製造におい
ては、残渣の三塩化アルミニウム/ピリジン/塩酸錯体
の中和は気体アンモニアにより行われる(本明細書比較
例2を参照せよ)。しかしながら、例えば塩化アンモニ
ウムのような形成塩の幾分かが最終製品に残留する。こ
れらの塩不純物は、最終安定剤混合物がわずかに濁りを
有するものとなる原因となり得る。このような濁りを有
する安定剤をポリオレフィンに使用することによりポリ
オレフィン中に曇りが誘発されるので、これはいくつか
の用途に対しては明らかに望ましくない。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従って本発明の目的
は、低量の塩素を含み、そして濁りを有さない製品を形
成し、合成ポリマー中にいかなる曇りを誘発しないサン
ドスタブ(Sandostab) P-EPQ (RTM)の合成に関して、改
良された製造方法を見出すことである。
【0005】
【課題を解決するための手段】従って本発明は、a)次
式I
【化8】 で表されるジホスホナイト50ないし80重量% b)次式II
【化9】 で表されるモノホスホナイト5ないし25重量%、およ
び c)次式III
【化10】 で表されるホスフィット5ないし25重量%(式I、I
IおよびIII中、Rは次式IV
【化11】 で表される基を表す。)からなり、そして式I、IIお
よびIIIで表される化合物の全量が100重量%より
多くない、低量の塩素を含む安定剤混合物を、フリーデ
ル−クラフツ反応条件下で次式V
【化12】 で表されるビフェニルを三塩化リンおよび三塩化アルミ
ニウムと反応させることにより、そして形成された二つ
の層を分離しつつ、第三アミンまたは芳香族アミンおよ
び溶媒の存在下で生成物混合物を次式VI
【化13】 で表される2,4−ジ第三ブチルフェノールと反応させ
ることにより製造する方法であって、溶媒層を水、塩基
および乾燥剤で処理すること、安定剤混合物を含む溶液
から沈殿物を分離し、そして溶媒を蒸発させることを含
む製造方法に関する。
【0006】
【発明の実施の形態】好ましくは、第三アミンは次式V
II
【化14】 (式中、R1、R2およびR3は同一であるか、または異
なっており、炭素原子数1ないし24のアルキル基、酸
素原子1個もしくはそれより多くにより中断された炭素
原子数4ないし24のアルキル基、フェニル基、炭素原
子数7ないし9のフェニルアルキル基、炭素原子数7な
いし9のアルキルフェニル基を表すか;あるいはR1
2およびR3の2つはそれらが結合している窒素原子と
一緒になって、任意により更なる酸素原子、窒素原子ま
たはイオウ原子を含み、そして任意により炭素原子数1
ないし4のアルキル基1個もしくはそれより多くにより
置換された5−、6−または7員環複素環式残基を形成
し、そしてR1、R2およびR 3の残りの1つは炭素原子
数1ないし24のアルキル基または酸素原子1個もしく
はそれより多くにより中断された炭素原子数4ないし2
4のアルキル基を表す。)で表される化合物である。
【0007】24個までの炭素原子を有するアルキル基
は、分枝鎖状もしくは非分枝鎖状の基であり、例えばメ
チル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−
ブチル基、第二ブチル基、イソブチル基、第三ブチル
基、2−エチルブチル基、n−ペンチル基、イソペンチ
ル基、1−メチルペンチル基、1,3−ジメチルブチル
基、n−ヘキシル基、1−メチルヘキシル基、n−ヘプ
チル基、イソヘプチル基、1,1,3,3−テトラメチ
ルブチル基、1−メチルヘプチル基、3−メチルヘプチ
ル基、n−オクチル基、2−エチルヘキシル基、1,
1,3−トリメチルヘキシル基、1,1,3,3−テト
ラメチルペンチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル
基、1−メチルウンデシル基、ドデシル基、1,1,
3,3,5,5−ヘキサメチルヘキシル基、トリデシル
基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル
基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、エイコシル基ま
たはドコシル基である。R1、R2およびR3の好ましい
定義の一つは、例えば炭素原子数2ないし18のアルキ
ル基である。R1、R2およびR3の特に好ましい定義は
炭素原子数2ないし8のアルキル基、例えばエチル基で
ある。
【0008】酸素原子1個もしくはそれより多くにより
中断された炭素原子数4ないし24のアルキル基は、例
えば2−エトキシプロピル基、1−メトキシプロピル
基、1−メトキシブチル基、n−ブトキシエチル基、1
−メトキシオクチル基、1−メトキシデシル基、1−メ
トキシドデシル基、1−メトキシヘキサデシル基、1−
メトキシエイコシル基、1−メトキシテトラエイコシル
基および2−メトキシエトキシメチル基を含む。炭素原
子数7ないし9のフェニルアルキル基は、例えばベンジ
ル基、α−メチルベンジル基、α,α−ジメチルベンジ
ル基または2−フェニルエチル基である。好ましくはベ
ンジル基である。R1、R2およびR3の2個により形成
された複素環式基は、好ましくは6員環であり、例えば
ピペリジノ環、モルホリノ環、チオモルホリノ環および
4−炭素原子数1ないし4のアルキル−ピペラジノ環で
ある。
【0009】好ましい芳香族アミンはピリジンであり、
任意により炭素原子数1ないし4のアルキル基1個もし
くはそれより多くにより置換されている。任意により炭
素原子数1ないし4のアルキル基1個もしくはそれより
多くにより置換されているピリジンは、例えば2,3−
ルチジン、2,4−ルチジン、2,5−ルチジンまたは
3,4−ルチジンである。好ましい溶媒はベンゼンであ
り、任意により塩素原子または炭素原子数1ないし4の
アルキル基1個もしくはそれより多くにより置換されて
いるものである。任意により塩素原子または炭素原子数
1ないし4のアルキル基1個もしくはそれより多くによ
り置換されているベンゼンは、例えばクロロベンゼン、
トルエンまたはキシレンである。好ましくはクロロベン
ゼンである。
【0010】好ましい塩基は、アルカリ金属またはアル
カリ土類金属の水酸化物、酸化物、リン酸水素塩、リン
酸二水素塩、炭酸塩、炭酸水素塩または四ホウ酸塩であ
る。アルカリ金属またはアルカリ土類金属の水酸化物、
酸化物、リン酸水素塩、リン酸二水素塩、炭酸塩、炭酸
水素塩または四ホウ酸塩は、例えば水酸化ナトリウム、
水酸化カリウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウ
ム、水酸化バリウム、酸化カルシウム、リン酸水素ナト
リウム、リン酸二水素ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭
酸カルシウム、炭酸水素ナトリウムまたは四ホウ酸ナト
リウム十水和物である。有利には、上記塩基は溶媒層重
量を基準として0.1ないし10重量%、特に0.1な
いし5重量%、例えば0.1ないし2重量%の量で使用
される。
【0011】好ましい乾燥剤は、アルカリ金属の硫酸
塩、アルカリ土類金属の硫酸塩もしくは酸化物、モレキ
ュラーシーブまたは酸化アルミニウムである。アルカリ
金属の硫酸塩、アルカリ土類金属の硫酸塩もしくは酸化
物、モレキュラーシーブまたは酸化アルミニウムは、例
えば酸化マグネシウム、酸化カルシウム、硫酸ナトリウ
ム、硫酸マグネシウム、硫酸バリウム、モレキュラーシ
ーブ3Å、モレキュラーシーブ4Å、粉末状酸化アルミ
ニウム、塩基性酸化アルミニウム、焼成酸化アルミニウ
ム、溶融酸化アルミニウム、顆粒状酸化アルミニウムま
たは燒結酸化アルミニウムである。有利には、上記乾燥
剤は溶媒層重量を基準として0.1ないし10重量%、
特に0.1ないし5重量%、例えば0.1ないし2重量
%の量で使用される。例えば硫酸ナトリウムのようない
くつかの乾燥剤は、カチオン性沈殿物としても作用し得
る。
【0012】安定剤混合物を含む溶液から沈殿物を分離
する前に、溶媒層を付加的にろ過助剤で処理することを
含む、低量の塩素を含む安定剤混合物の製造方法は興味
深い。好ましいろ過助剤は、例えば酸性白土[メルクイ
ンデックス(Merck Index)第10版,4162(1983)]また
は滴虫土[メルクインデックス(Merck Index)第10
版,4857(1983)]であり、フロリジン;ケイ酸アルミニ
ウムマグネシウム、多孔質珪藻土(キーゼルグール)、
セライト、例えばヒフロ スーパー セル(Hyflo Super C
el)[(RTM),アルドリッチ(Aldrich) 39, 254-5]のよ
うな珪藻土を含む非プラスチック性の種々のカオリンを
含む。有利には、上記ろ過助剤は溶媒層重量を基準とし
て0.1ないし10重量%、特に0.1ないし5重量
%、例えば0.1ないし2重量%の量で使用される。
【0013】水を、塩基に存在する結晶水の形態で添加
することを含む、低量の塩素を含む安定剤混合物の製造
方法は特に興味深い。好ましい、結晶水を含む塩基は、
例えば四ホウ酸ナトリウム十水和物(Na24710
2O)、Na2HPO412H2OまたはNa2CO310
2Oである。
【0014】温度範囲0ないし25℃、例えば5ないし
20℃で溶媒層を水、塩基および乾燥剤で処理すること
を含む、低量の塩素を含む安定剤混合物の製造方法が好
ましい。溶媒層を水、塩基および乾燥剤で処理して、p
H範囲を7.0ないし13、特に7.5ないし12、例
えば8ないし12とすることを含む、低量の塩素を含む
安定剤混合物の製造方法も好ましい。
【0015】溶媒層を、溶媒層の重量を基準として0.
1ないし10重量%、特に0.1ないし5重量%、例え
ば0.1ないし2重量%の量の水で処理することを含
む、低量の塩素を含む安定剤混合物の製造方法は特に興
味深い。最終製品混合物における塩素の量が5000m
g/kgより低い、特に1500mg/kgより低い、
例えば500mg/kgより低い安定剤混合物の製造方
法も特に興味深い。
【0016】フリーデル−クラフツ反応条件下での、次
式Vで表されるビフェニルの三塩化リンおよび三塩化ア
ルミニウムとの反応において、三塩化リンは、好ましく
は試薬および溶媒として使用される。従って、1モルの
ビフェニルの反応に対して、3ないし10モル、特に3
ないし8モル、例えば3ないし5モルの三塩化リンが使
用される。好ましくは、反応は、4ないし10時間、特
に4ないし8時間、例えば5ないし7時間還流下に保た
れる。好ましくは、過剰量の三塩化リンが留去される。
続く、第三アミンまたは芳香族アミンおよび溶媒の存在
下での上記粗製製品混合物と2,4−ジ第三ブチルフェ
ノールとの反応において、温度範囲は、有利には10な
いし100℃、特に10ないし80℃、例えば20ない
し80℃である。反応混合物の濃度は、有利には10な
いし80重量%、特に10ないし60重量%である。第
三アミンまたは芳香族アミンは、2,4−ジ第三ブチル
フェノールのモル量を基準として、10ないし100
%、特に20ないし80%、例えば30ないし70%の
過剰量で有利に使用される。
【0017】上記改良されたサンドスタブ(Sandostab)
P-EPQ (RTM)は、以下の節においてLCT(低塩素透明
性)安定剤混合物と命名される。このLCT安定剤混合
物は、酸化、熱または光により誘発された分解に対して
有機材料を安定化するために適当である。
【0018】以下の実施例は、本発明をさらに説明する
ものである。部または百分率は重量に関する。実施例1:安定剤混合物の粗製クロロベンゼン溶液(3
5%w/w)の製造 メカニカルスターラーおよび還流冷却器を取り付けた
1.5リットルジャケット付ガラス反応器中、ビフェニ
ル90g(0.584モル)、無水塩化アルミニウム2
04g(1.53モル)および三塩化リン305g
(2.218モル)の混合物を窒素雰囲気下で、内部温
度75℃で6時間撹拌しながら還流した。その間、塩酸
ガスが発生するので、これを水によりスクラバー塔に捕
捉した。該反応混合物を冷却し、過剰量の三塩化リン
を、内部温度63ないし65℃、および400ないし1
80mbarの減圧下で留去した。粗製溶融物を35℃
まで冷却し、クロロベンゼン220gで希釈した。
【0019】上記粗製溶液を、メカニカルスターラーお
よび外部水冷を伴う還流冷却器を取り付けた2.5リッ
トルジャケット付ガラス反応器中の2,4−ジ第三ブチ
ルフェノール482g(2.334モル)、ピリジン3
62g(4.576モル)およびクロロベンゼン600
gからなる撹拌溶液に添加した。反応は発熱性であり、
内部温度は80℃以下に保たれた。添加の終了時、該混
合物は3時間、内部温度63ないし65℃に保たれた。
静置して、反応混合物を二層に分離した。下層の複合層
を分離し、上層の有機層をクロロベンゼン430gで希
釈し、安定剤混合物を含む粗製クロロベンゼン溶液(3
5%w/w)1650gを導く。該粗製溶液の酸塩基滴
定により、溶液1kgに対してKOH0.125モルの
平均消費量が得られる。この溶液はLCT安定剤混合物
の製造に関する以下の例に使用される。
【0020】実施例2:比較例 実施例1で得られた安定剤混合物の粗製クロロベンゼン
溶液(35%w/w)1000gを撹拌下、1時間、−
10℃まで冷却した。沈降残渣AlCl3−ピリジン錯
体から、上記混合物をろ過する。0ないし5℃で、気体
アンモニア(4.0g)を該ろ液中に吹込み、その温度
で1時間保持した。水により撹拌されたアリコートは、
8ないし9のpH値を示した。100ないし110℃/
350ないし310mbarで、そして最終的には17
0℃/<10mbarで、真空回転式蒸発機を使用し
て、溶媒を蒸発させた。残渣として、淡黄色の、濁りの
あるガラス状固体(Tg=65℃)の安定剤混合物35
0gが得られる。残留塩素含有量は5000mg/kg
より多い。
【0021】実施例3:低量の塩素を含むLCT安定剤
混合物の製造 実施例1で得られた安定剤混合物の粗製クロロベンゼン
溶液(35%w/w)1000gを撹拌下、5ないし1
0℃まで冷却した。この混合物に、四ホウ酸ナトリウム
十水和物(Na24710H2O)5.0g(0.01
モル)、水2.5g(0.14モル)および硫酸ナトリ
ウム5.0g(0.04モル)を添加し、そして、その
間溶液の透明度を上げながら、1時間撹拌した。その
後、粉末水酸化カルシウム8.0g(0.11モル)、
酸化カルシウム5.0g(0.09モル)およびキーゼ
ルグール クラルセル DIF B(Kieselgur Clarcel DI
F B)(RTM)5.0gを添加し、3時間25℃で撹拌し
た。ろ過後、100ないし110℃/350ないし31
0mbarで、そして最終的には170℃/<10mb
arで、真空回転式蒸発機を使用して、ろ液を蒸発させ
た。残渣として、透明の、明黄色固体(Tg=65℃)
のLCT安定剤混合物350gが得られる。残留塩素含
有量は1000mg/kgである。
【0022】実施例4:低量の塩素を含むLCT安定剤
混合物の製造 実施例1で得られた安定剤混合物の粗製クロロベンゼン
溶液(35%w/w)1000gを撹拌下、20℃まで
冷却した。この混合物に、硫酸ナトリウム5.0g
(0.04モル)を添加し、続いて四ホウ酸ナトリウム
十水和物(Na24710H2O)11.1g(0.0
29モル)、水11.0g(0.61モル)および水酸
化ナトリウム3.0g(0.075モル)からなる中和
剤溶液を添加した。上記混合物を、その間溶液の透明度
を上げながら、1時間撹拌した。その後、粉末水酸化カ
ルシウム2.0g(0.027モル)、酸化カルシウム
5.0g(0.09モル)およびキーゼルグール クラ
ルセル DIF B(Kieselgur Clarcel DIF B)(RTM)5.
0gを添加し、3時間25℃で撹拌した。ろ過後、10
0ないし110℃/350ないし310mbarで、そ
して最終的には170℃/<10mbarで、真空回転
式蒸発機を使用して、ろ液を蒸発させた。残渣として、
透明の、明黄色固体(Tg=65℃)のLCT安定剤混
合物350gが得られる。残留塩素含有量は400mg
/kgである。
【0023】実施例5:低量の塩素を含むLCT安定剤
混合物の製造 実施例1で得られた安定剤混合物の粗製クロロベンゼン
溶液(35%w/w)1000gを撹拌下、20℃まで
冷却した。この混合物に、硫酸ナトリウム5.0g
(0.04モル)を添加し、続いて四ホウ酸ナトリウム
十水和物(Na24710H2O)10.0g(0.0
26モル)を添加した。上記混合物を、その間溶液の透
明度を上げながら、1時間撹拌した。その後、四ホウ酸
ナトリウム十水和物(Na24710H2O)6.6g
(0.017モル)、水酸化ナトリウム1.8g(0.
045モル)および水6.6g(0.37モル)からな
る中和剤溶液を添加した。上記混合物を室温で30分間
撹拌した。その後、水酸化カルシウム2.0g(0.0
27モル)、酸化カルシウム6.0g(0.107モ
ル)およびキーゼルグール クラルセル DIF B(Kies
elgur Clarcel DIF B)(RTM)5.0gを添加し、3時間
25℃で撹拌した。ろ過後、100ないし110℃/3
50ないし310mbarで、そして最終的には170
℃/<10mbarで、真空回転式蒸発機を使用して、
ろ液を蒸発させた。残渣として、透明の、明黄色固体
(Tg=65℃)のLCT安定剤混合物350gが得ら
れる。残留塩素含有量は300mg/kgである。
【0024】実施例6:低量の塩素を含むLCT安定剤
混合物の製造 実施例1で得られた安定剤混合物の粗製クロロベンゼン
溶液(35%w/w)1000gを撹拌下、20℃まで
冷却した。この混合物に、硫酸ナトリウム5.0g
(0.04モル)を添加し、続いて四ホウ酸ナトリウム
十水和物(Na24710H2O)17.0g(0.0
44モル)を添加した。上記混合物を、その間溶液の透
明度を上げながら、1時間撹拌した。その後、水酸化カ
ルシウム5.0g(0.068モル)、酸化カルシウム
5.0g(0.089モル)を添加し、そして1時間撹
拌した。次いで、キーゼルグール クラルセル DIF
B(Kieselgur Clarcel DIF B)(RTM)5.0gを添加し、
3時間25℃で撹拌した。ろ過後、100ないし110
℃/350ないし310mbarで、そして最終的には
170℃/<10mbarで、真空回転式蒸発機を使用
して、ろ液を蒸発させた。残渣として、透明の、明黄色
固体(Tg=65℃)のLCT安定剤混合物350gが
得られる。残留塩素含有量は200mg/kgである。
【0025】実施例7:低量の塩素を含むLCT安定剤
混合物の製造 実施例1で得られた安定剤混合物の粗製クロロベンゼン
溶液(35%w/w)1000gを撹拌下、20℃まで
冷却した。この混合物に、炭酸ナトリウム5.0g
(0.047モル)を添加し、続いて四ホウ酸ナトリウ
ム十水和物(Na24710H2O)10.0g(0.
026モル)を添加した。上記混合物を、その間溶液の
透明度を上げながら、1時間撹拌した。その後、四ホウ
酸ナトリウム十水和物(Na24710H2O)9.9
g(0.026モル)、水酸化ナトリウム1.8g
(0.045モル)および水9.9g(0.55モル)
からなる中和剤溶液を添加した。上記混合物を室温で3
0分間撹拌した。その後、水酸化カルシウム2.0g
(0.027モル)、酸化カルシウム5.0g(0.0
89モル)およびキーゼルグール クラルセル DIF
B(Kieselgur Clarcel DIF B)(RTM)5.0gを添加し、
3時間25℃で撹拌した。ろ過後、100ないし110
℃/350ないし310mbarで、そして最終的には
170℃/<10mbarで、真空回転式蒸発機を使用
して、ろ液を蒸発させた。残渣として、透明の、明黄色
固体(Tg=65℃)のLCT安定剤混合物350gが
得られる。残留塩素含有量は400mg/kgである。
【0026】実施例8:低量の塩素を含むLCT安定剤
混合物の製造 実施例1で得られた安定剤混合物の粗製クロロベンゼン
溶液(35%w/w)1000gを撹拌下、20℃まで
冷却した。この混合物に、硫酸ナトリウム5.0g
(0.035モル)を添加し、続いて四ホウ酸ナトリウ
ム十水和物(Na24710H2O)5.0g(0.0
13モル)および水2.5g(0.139モル)を添加
した。上記混合物を、その間溶液の透明度を上げなが
ら、1時間撹拌した。その後、クロロベンゼン94g中
酸化カルシウム8.7g(0.155モル)および炭酸
ナトリウム十水和物2.7g(0.009モル)からな
る懸濁溶液を添加した。最後に、キーゼルグール クラ
ルセル DIF B(Kieselgur Clarcel DIF B)(RTM)5.
0gを添加し、2時間25℃で撹拌した。ろ過後、10
0ないし110℃/350ないし310mbarで、そ
して最終的には170℃/<10mbarで、真空回転
式蒸発機を使用して、ろ液を蒸発させた。残渣として、
透明の、明黄色固体(Tg=65℃)のLCT安定剤混
合物350gが得られる。残留塩素含有量は1200m
g/kgである。
【0027】実施例9:低量の塩素を含むLCT安定剤
混合物の製造 実施例1で得られた安定剤混合物の粗製クロロベンゼン
溶液(35%w/w)1000gを撹拌下、20℃まで
冷却した。この混合物に、四ホウ酸ナトリウム十水和物
(Na24710H2O)5.0g(0.013モ
ル)、粉末炭酸カルシウム10.0g(0.10モ
ル)、硫酸ナトリウム5.0g(0.035モル)を添
加し、続いて水2.5g(0.139モル)を添加し
た。上記混合物を、その間溶液の透明度を上げながら、
1時間撹拌した。その後、酸化カルシウム5.0g
(0.089モル)を添加し、そして該混合物を1時
間、室温で撹拌した。最後に、キーゼルグール クラル
セル DIF B(Kieselgur Clarcel DIF B)(RTM)5.0
gを添加し、2時間25℃で撹拌した。ろ過後、100
ないし110℃/350ないし310mbarで、そし
て最終的には170℃/<10mbarで、真空回転式
蒸発機を使用して、ろ液を蒸発させた。残渣として、透
明の、明黄色固体(Tg=65℃)のLCT安定剤混合
物350gが得られる。残留塩素含有量は2100mg
/kgである。
【0028】実施例10:低量の塩素を含むLCT安定
剤混合物の製造 実施例1で得られた安定剤混合物の粗製クロロベンゼン
溶液(35%w/w)1000gを撹拌下、15℃まで
冷却した。この混合物に、四ホウ酸ナトリウム十水和物
(Na24710H2O)10.0g(0.026モ
ル)および水4.0g(0.222モル)を添加した。
上記混合物を、その間溶液の透明度を上げながら、2時
間撹拌した。その後、粉末無水炭酸ナトリウム10.1
g(0.095モル)を添加し、1時間撹拌した。次い
で、酸化カルシウム5.0g(0.089モル)を添加
し、そして該混合物を1時間撹拌した。最後に、キーゼ
ルグール クラルセル DIF B(Kieselgur Clarcel DI
F B)(RTM)5.0gを添加し、2時間25℃で撹拌し
た。ろ過後、100ないし110℃/350ないし31
0mbarで、そして最終的には170℃/<10mb
arで、真空回転式蒸発機を使用して、ろ液を蒸発させ
た。残渣として、透明の、明黄色固体(Tg=65℃)
のLCT安定剤混合物350gが得られる。残留塩素含
有量は250mg/kgである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 サラテ,ロナルド スイス国,4312 マグデン,マイエンゲス リ 1

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 a)次式I 【化1】 で表されるジホスホナイト50ないし80重量% b)次式II 【化2】 で表されるモノホスホナイト5ないし25重量%、およ
    び c)次式III 【化3】 で表されるホスフィット5ないし25重量%(式I、I
    IおよびIII中、Rは次式IV 【化4】 で表される基を表す。)からなり、そして式I、IIお
    よびIIIで表される化合物の全量が100重量%より
    多くない、低量の塩素を含む安定剤混合物を、フリーデ
    ル−クラフツ反応条件下で次式V 【化5】 で表されるビフェニルを三塩化リンおよび三塩化アルミ
    ニウムと反応させることにより、そして形成された二つ
    の層を分離しつつ、第三アミンまたは芳香族アミンおよ
    び溶媒の存在下で生成物混合物を次式VI 【化6】 で表される2,4−ジ第三ブチルフェノールと反応させ
    ることにより製造する方法であって、溶媒層を水、塩基
    および乾燥剤で処理すること、安定剤混合物を含む溶液
    から沈殿物を分離し、そして溶媒を蒸発させることを含
    む製造方法。
  2. 【請求項2】 第三アミンが次式VII 【化7】 (式中、R1、R2およびR3は同一であるか、または異
    なっており、炭素原子数1ないし24のアルキル基、酸
    素原子1個もしくはそれより多くにより中断された炭素
    原子数4ないし24のアルキル基、フェニル基、炭素原
    子数7ないし9のフェニルアルキル基、炭素原子数7な
    いし9のアルキルフェニル基を表すか;あるいはR1
    2およびR3の2つはそれらが結合している窒素原子と
    一緒になって、任意により更なる酸素原子、窒素原子ま
    たはイオウ原子を含み、そして任意により炭素原子数1
    ないし4のアルキル基1個もしくはそれより多くにより
    置換された5−、6−または7員環複素環式残基を形成
    し、そしてR1、R2およびR 3の残りの1つは炭素原子
    数1ないし24のアルキル基または酸素原子1個もしく
    はそれより多くにより中断された炭素原子数4ないし2
    4のアルキル基を表す。)で表される化合物である請求
    項1記載の方法。
  3. 【請求項3】 芳香族アミンが、任意により炭素原子数
    1ないし4のアルキル基1個もしくはそれより多くによ
    り置換されたピリジンである請求項1記載の方法。
  4. 【請求項4】 溶媒が、任意により塩素原子または炭素
    原子数1ないし4のアルキル基1個もしくはそれより多
    くにより置換されたベンゼンである請求項1記載の方
    法。
  5. 【請求項5】 塩基が、アルカリ金属またはアルカリ土
    類金属の水酸化物、酸化物、リン酸水素塩、リン酸二水
    素塩、炭酸塩、炭酸水素塩または四ホウ酸塩である請求
    項1記載の方法。
  6. 【請求項6】 乾燥剤が、アルカリ金属の硫酸塩、アル
    カリ土類金属の硫酸塩もしくは酸化物、モレキュラシー
    ブまたは酸化アルミニウムである請求項1記載の方法。
  7. 【請求項7】 安定剤混合物を含む溶液から沈殿物を分
    離する前に、溶媒層を付加的にろ過助剤で処理すること
    を含む請求項1記載の方法。
  8. 【請求項8】 ろ過助剤が酸性白土または滴虫土である
    請求項7記載の方法。
  9. 【請求項9】 温度範囲0ないし25℃で溶媒層を水、
    塩基および乾燥剤で処理することを含む請求項1記載の
    方法。
  10. 【請求項10】 溶媒層を、溶媒層の重量を基準として
    0.1ないし10重量%の量の水で処理することを含む
    請求項1記載の方法。
JP2000335999A 1999-11-02 2000-11-02 低塩素化合物安定剤の製造方法 Expired - Fee Related JP4831860B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP99810997 1999-11-02
EP99810997.9 1999-11-02

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2001164246A true JP2001164246A (ja) 2001-06-19
JP2001164246A5 JP2001164246A5 (ja) 2007-12-20
JP4831860B2 JP4831860B2 (ja) 2011-12-07

Family

ID=8243120

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000335999A Expired - Fee Related JP4831860B2 (ja) 1999-11-02 2000-11-02 低塩素化合物安定剤の製造方法

Country Status (11)

Country Link
US (1) US6472550B1 (ja)
JP (1) JP4831860B2 (ja)
KR (1) KR100646728B1 (ja)
CN (1) CN1144808C (ja)
AT (1) ATE233774T1 (ja)
BR (1) BR0005215B1 (ja)
DE (1) DE60001533T2 (ja)
ES (1) ES2191603T3 (ja)
MX (1) MXPA00010561A (ja)
RU (1) RU2251549C2 (ja)
TW (1) TW500727B (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102014201756A1 (de) 2014-01-31 2015-08-06 Evonik Degussa Gmbh Reinigung chlorverschmutzter Organophosphorverbindungen
DE102014202500A1 (de) 2014-02-12 2015-08-13 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Reduzierung des Chlorgehalts von Organobisphosphiten
RU2686829C1 (ru) * 2018-01-09 2019-04-30 Общество с ограниченной ответственностью "УТИЛИЗАЦИЯ ПЛАСТМАСС" Способ утилизации органических полимерных материалов и их произвольных смесей

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5035096B1 (ja) * 1970-10-22 1975-11-13
JPH02221290A (ja) * 1988-12-21 1990-09-04 Hoechst Ag 2,4‐ジ‐tert‐ブチルフエノールの有機燐誘導体並びにビフエニルの4,4,‐ジハロマグネシウム化合物の有機燐誘導体の製造方法および該有機燐誘導体をプラスチックス、特にポリオレフイン成形材料の安定化に使用する方法
JPH02270892A (ja) * 1989-01-24 1990-11-05 Sandoz Ag ホスホナイト化合物
JPH05178870A (ja) * 1991-05-27 1993-07-20 Yoshitomi Pharmaceut Ind Ltd 4,4’ −ビフェニレンジホスホナイト化合物およびその用途
JPH09221490A (ja) * 1995-09-14 1997-08-26 Great Lakes Chem It Sarl 新規な結晶形を有するテトラキス−(2,4−ジ−t−ブチルフェニル)−4,4’−ビフェニレンジホスホナイト

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4075163A (en) 1970-10-22 1978-02-21 Sandoz Ltd. Benzene phosphonous acid compounds, their production and use as stabilizers for organic materials
GB2263280B (en) 1992-01-17 1996-07-31 Sandoz Ltd Use of a phosphonite and optionally a phosphite for clarifying propylene polymers
FR2705679B1 (fr) * 1993-05-24 1998-07-10 Sandoz Sa Nouvelles compositions stabilisantes des matières polymères, à base de phosphonites ou phosphites et d'un stabilisant contre l'hydrolyse.

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5035096B1 (ja) * 1970-10-22 1975-11-13
JPH02221290A (ja) * 1988-12-21 1990-09-04 Hoechst Ag 2,4‐ジ‐tert‐ブチルフエノールの有機燐誘導体並びにビフエニルの4,4,‐ジハロマグネシウム化合物の有機燐誘導体の製造方法および該有機燐誘導体をプラスチックス、特にポリオレフイン成形材料の安定化に使用する方法
JPH02270892A (ja) * 1989-01-24 1990-11-05 Sandoz Ag ホスホナイト化合物
JPH05178870A (ja) * 1991-05-27 1993-07-20 Yoshitomi Pharmaceut Ind Ltd 4,4’ −ビフェニレンジホスホナイト化合物およびその用途
JPH09221490A (ja) * 1995-09-14 1997-08-26 Great Lakes Chem It Sarl 新規な結晶形を有するテトラキス−(2,4−ジ−t−ブチルフェニル)−4,4’−ビフェニレンジホスホナイト

Also Published As

Publication number Publication date
DE60001533D1 (de) 2003-04-10
TW500727B (en) 2002-09-01
KR20010051388A (ko) 2001-06-25
DE60001533T2 (de) 2003-10-02
RU2251549C2 (ru) 2005-05-10
ES2191603T3 (es) 2003-09-16
CN1302807A (zh) 2001-07-11
CN1144808C (zh) 2004-04-07
BR0005215A (pt) 2001-06-19
US6472550B1 (en) 2002-10-29
BR0005215B1 (pt) 2009-08-11
MXPA00010561A (es) 2002-08-20
JP4831860B2 (ja) 2011-12-07
ATE233774T1 (de) 2003-03-15
KR100646728B1 (ko) 2006-11-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3984448A (en) Production of dialkylthiophosphates
US4290976A (en) Process for the preparation of phenol-free phosphites
EP0053021B1 (en) Process for 5-aroylation of 1,2-dihydro-3h-pyrrolo(1,2-a)pyrrole-1-carboxylic esters and nitriles
US7553910B2 (en) Preparation of derivatized dithiols
US5208362A (en) Process for stabilizing organophosphorus compounds
Schönberg et al. 188. Organic sulphur compounds. Part XXXII. The action of triphenylphosphine on organic disulphides
JP4831860B2 (ja) 低塩素化合物安定剤の製造方法
JP2001164246A5 (ja)
US3855286A (en) N-carboxymethyl-n-(2-hydroxybenzyl) aspartic acid and derivatives thereof
US3082239A (en) Thiophosphoric acid esters and process for their production
EP1097936B1 (en) Process for the preparation of low chloride stabilisers
US2847458A (en) Preparation of arylphosphonic acids
JPH07116126B2 (ja) 2,3‐ジアミノアクリロニトリル誘導体
US2686783A (en) Quinolyl dialkyl phosphates and salts thereof and process for the manufacture of same
US4348332A (en) Phosphonoformaldehyde, a process for its preparation and its use as an intermediate product for the preparation of medicaments
US2768202A (en) Glycinamide derivatives
JPS6033399B2 (ja) リゾホスフアチジルコリン類縁体の新規な製造法
US619549A (en) Werke
US4656266A (en) Process for preparing N-polythiodimorpholines
JPS59101437A (ja) フルオレン−9−カルボン酸の製法
Baldeschwieler et al. A new petroleum by-product: Octane-Sultone
US3039844A (en) O-tolidine salt of trimetaphosphimic acid corrosion inhibitor
JP2005023022A (ja) 高純度1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン類の製造方法
JP2004043338A (ja) ジカルボン酸ジアルキルエステルの結晶の製造方法
CS232121B1 (cs) Sposob izolácie 3-metyl-4-nitrofenoIátu sodného

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20060630

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20060630

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20071102

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20071102

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20090918

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20090918

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110119

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20110419

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20110422

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110519

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110907

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110920

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140930

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees