JP2001160612A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体基板及び貼り合わせＳＯＩ基板の双方の
上面に互いに整合した素子及び配線体を持つ３次元ＳＯ
Ｉ構造の半導体装置を形成すること。 【構成】ゲート長が長いＮ及びＰチャネルのＬＤＤ構造
のＭＩＳＦＥＴ、高融点金属配線18及び貫通孔20が形成
された第１のシリコン基板１上に酸化膜19を介して薄膜
化された第２のシリコン基板(21、22) が貼り合わせられ
ており、第１のシリコン基板１に形成した貫通孔を貼り
合わせられた第２のシリコン基板(21、22) にもセルフア
ラインで貫通させ、この貫通孔20（位置合わせ用のパタ
ーン）に位置合わせして、第２のシリコン基板（ＳＯＩ
基体）(21、22) にゲート長が短いＮ及びＰチャネルのＬ
ＤＤ構造のＭＩＳＦＥＴが形成されており、これらのＭ
ＩＳＦＥＴ及び高融点金属配線18が電極コンタクト用の
開孔を介して、低融点金属配線37に接続されている構造
に形成されているので、高集積、高速且つ低電力な半導
体集積回路の形成が可能となる。
上面に互いに整合した素子及び配線体を持つ３次元ＳＯ
Ｉ構造の半導体装置を形成すること。 【構成】ゲート長が長いＮ及びＰチャネルのＬＤＤ構造
のＭＩＳＦＥＴ、高融点金属配線18及び貫通孔20が形成
された第１のシリコン基板１上に酸化膜19を介して薄膜
化された第２のシリコン基板(21、22) が貼り合わせられ
ており、第１のシリコン基板１に形成した貫通孔を貼り
合わせられた第２のシリコン基板(21、22) にもセルフア
ラインで貫通させ、この貫通孔20（位置合わせ用のパタ
ーン）に位置合わせして、第２のシリコン基板（ＳＯＩ
基体）(21、22) にゲート長が短いＮ及びＰチャネルのＬ
ＤＤ構造のＭＩＳＦＥＴが形成されており、これらのＭ
ＩＳＦＥＴ及び高融点金属配線18が電極コンタクト用の
開孔を介して、低融点金属配線37に接続されている構造
に形成されているので、高集積、高速且つ低電力な半導
体集積回路の形成が可能となる。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＳＯＩ構造の半導体集積
回路に係り、特に高集積、高速及び低電力を改善させた
３次元のＳＯＩ構造の半導体集積回路に関する。従来、
ＳＯＩ構造の半導体集積回路に関しては、半導体基板上
に絶縁膜を介して多結晶シリコン層を成長させ、この多
結晶シリコン層をレーザーアニールにより単結晶化させ
る試みがなされていたが、結晶の面方位が均一で、結晶
粒界の影響を受けない単結晶を得ることが技術的に極め
て困難で実用化に至っていない。そこで、近年、均一な
単結晶を持つ半導体基板を酸化膜を介して別の半導体基
板に貼り合わせる、いわゆる貼り合わせＳＯＩウエハー
を使用した半導体集積回路が実用化され始めつつある。
この貼り合わせＳＯＩウエハーを使用した半導体集積回
路は、結晶メーカーが製造した貼り合わせＳＯＩウエハ
ーを使用して、薄膜のＳＯＩ基体の上面から貼り合わせ
た酸化膜に達するトレンチを設け、このトレンチに絶縁
膜を埋め込むことにより島状に絶縁分離したＳＯＩ基体
の上面のみにＭＩＳ電界効果トランジスタからなる半導
体集積回路を形成したものであり、ＭＩＳ電界効果トラ
ンジスタの接合容量、ゲート空乏層容量及び閾値電圧等
を低減することにより高速化及び低電力化を計ったもの
にすぎなかった。この種の半導体集積回路は高速化及び
低電力化に関しては十分な効果を発揮しているが、高集
積化に対しては何らの改善も見られず、ＳＯＩ構造の思
想の最大の利点である３次元の半導体集積回路の形成に
は何のメリットも得られていないし、また、貼り合わせ
ＳＯＩウエハーのコスト高を考慮すると特定の半導体集
積回路に使用されるにすぎなかった。そこで、高速化及
び低電力化という性能を維持し、さらにコスト高を相殺
できる高集積化が計られる汎用性のある３次元のＳＯＩ
構造の半導体集積回路を形成できる手段が要望されてい
る。
回路に係り、特に高集積、高速及び低電力を改善させた
３次元のＳＯＩ構造の半導体集積回路に関する。従来、
ＳＯＩ構造の半導体集積回路に関しては、半導体基板上
に絶縁膜を介して多結晶シリコン層を成長させ、この多
結晶シリコン層をレーザーアニールにより単結晶化させ
る試みがなされていたが、結晶の面方位が均一で、結晶
粒界の影響を受けない単結晶を得ることが技術的に極め
て困難で実用化に至っていない。そこで、近年、均一な
単結晶を持つ半導体基板を酸化膜を介して別の半導体基
板に貼り合わせる、いわゆる貼り合わせＳＯＩウエハー
を使用した半導体集積回路が実用化され始めつつある。
この貼り合わせＳＯＩウエハーを使用した半導体集積回
路は、結晶メーカーが製造した貼り合わせＳＯＩウエハ
ーを使用して、薄膜のＳＯＩ基体の上面から貼り合わせ
た酸化膜に達するトレンチを設け、このトレンチに絶縁
膜を埋め込むことにより島状に絶縁分離したＳＯＩ基体
の上面のみにＭＩＳ電界効果トランジスタからなる半導
体集積回路を形成したものであり、ＭＩＳ電界効果トラ
ンジスタの接合容量、ゲート空乏層容量及び閾値電圧等
を低減することにより高速化及び低電力化を計ったもの
にすぎなかった。この種の半導体集積回路は高速化及び
低電力化に関しては十分な効果を発揮しているが、高集
積化に対しては何らの改善も見られず、ＳＯＩ構造の思
想の最大の利点である３次元の半導体集積回路の形成に
は何のメリットも得られていないし、また、貼り合わせ
ＳＯＩウエハーのコスト高を考慮すると特定の半導体集
積回路に使用されるにすぎなかった。そこで、高速化及
び低電力化という性能を維持し、さらにコスト高を相殺
できる高集積化が計られる汎用性のある３次元のＳＯＩ
構造の半導体集積回路を形成できる手段が要望されてい
る。
【０００２】
【従来の技術】図12は従来の第１の半導体装置の模式側
断面図で、貼り合わせＳＯＩウエハーを使用して形成し
たＳＯＩ構造のＣＭＯＳ型半導体集積回路の一部を示し
ており、51はｐ- 型の第１のシリコン(Si)基板、52は貼
り合わせ用酸化膜、53はｐ- 型の第２のシリコン基板
（ＳＯＩ基体）、54はｎ型化された第２のシリコン基板
（ＳＯＩ基体）、55は素子分離領域形成用トレンチ及び
埋め込み酸化膜、56はｎ+型ソースドレイン領域、57は
ｎ型ソースドレイン領域、58はｐ+ 型ソースドレイン領
域、59はｐ型ソースドレイン領域、60はゲート酸化膜、
61はゲート電極、62は下地酸化膜、63はサイドウオー
ル、64は不純物ブロック用酸化膜、65はＢＰＳＧ膜、66
はバリアメタル（Ti／TiN ）、67はＷプラグ、68はバリ
アメタル（Ti／TiN ）、69はAlCu配線を示している。同
図においては、ｐ- 型の第１のシリコン(Si)基板51上に
酸化膜52を介して貼り合わせられ、素子分離領域形成用
トレンチ及び埋め込み酸化膜55により島状に絶縁分離さ
れたｐ- 型の第２のシリコン基板（ＳＯＩ基体）53及び
ｎ型化された第２のシリコン基板（ＳＯＩ基体）54が形
成され、ｐ- 型の第２のシリコン基板（ＳＯＩ基体）53
にはＮチャネルのＬＤＤ構造のＭＩＳ電界効果トランジ
スタが、ｎ型化された第２のシリコン基板（ＳＯＩ基
体）54にはＰチャネルのＬＤＤ構造のＭＩＳ電界効果ト
ランジスタが形成されている。したがって、周囲を絶縁
膜で囲まれたソースドレイン領域を形成できることによ
る接合容量の低減、ＳＯＩ基体を完全空乏化できること
による空乏層容量の低減及びサブスレッショルド特性を
改善できることによる閾値電圧の低減等により通常のバ
ルクウエハーに形成するＭＩＳ電界効果トランジスタか
らなる半導体集積回路に比較し、高速化及び低電力化が
可能となる。しかし、第１のシリコン(Si)基板には何ら
素子が形成されておらず、高集積化に関しては通常のバ
ルクウエハーに形成するＭＩＳ電界効果トランジスタか
らなる半導体集積回路と同じであり、何らの改善もなさ
れていない。これは第１のシリコン(Si)基板にＭＩＳ電
界効果トランジスタからなる半導体集積回路を形成した
場合、これに位置合わせして、上層のＳＯＩ基体にＭＩ
Ｓ電界効果トランジスタからなる半導体集積回路を形成
できなかったために３次元的に形成した１つの半導体集
積回路を形成できなかったためである。
断面図で、貼り合わせＳＯＩウエハーを使用して形成し
たＳＯＩ構造のＣＭＯＳ型半導体集積回路の一部を示し
ており、51はｐ- 型の第１のシリコン(Si)基板、52は貼
り合わせ用酸化膜、53はｐ- 型の第２のシリコン基板
（ＳＯＩ基体）、54はｎ型化された第２のシリコン基板
（ＳＯＩ基体）、55は素子分離領域形成用トレンチ及び
埋め込み酸化膜、56はｎ+型ソースドレイン領域、57は
ｎ型ソースドレイン領域、58はｐ+ 型ソースドレイン領
域、59はｐ型ソースドレイン領域、60はゲート酸化膜、
61はゲート電極、62は下地酸化膜、63はサイドウオー
ル、64は不純物ブロック用酸化膜、65はＢＰＳＧ膜、66
はバリアメタル（Ti／TiN ）、67はＷプラグ、68はバリ
アメタル（Ti／TiN ）、69はAlCu配線を示している。同
図においては、ｐ- 型の第１のシリコン(Si)基板51上に
酸化膜52を介して貼り合わせられ、素子分離領域形成用
トレンチ及び埋め込み酸化膜55により島状に絶縁分離さ
れたｐ- 型の第２のシリコン基板（ＳＯＩ基体）53及び
ｎ型化された第２のシリコン基板（ＳＯＩ基体）54が形
成され、ｐ- 型の第２のシリコン基板（ＳＯＩ基体）53
にはＮチャネルのＬＤＤ構造のＭＩＳ電界効果トランジ
スタが、ｎ型化された第２のシリコン基板（ＳＯＩ基
体）54にはＰチャネルのＬＤＤ構造のＭＩＳ電界効果ト
ランジスタが形成されている。したがって、周囲を絶縁
膜で囲まれたソースドレイン領域を形成できることによ
る接合容量の低減、ＳＯＩ基体を完全空乏化できること
による空乏層容量の低減及びサブスレッショルド特性を
改善できることによる閾値電圧の低減等により通常のバ
ルクウエハーに形成するＭＩＳ電界効果トランジスタか
らなる半導体集積回路に比較し、高速化及び低電力化が
可能となる。しかし、第１のシリコン(Si)基板には何ら
素子が形成されておらず、高集積化に関しては通常のバ
ルクウエハーに形成するＭＩＳ電界効果トランジスタか
らなる半導体集積回路と同じであり、何らの改善もなさ
れていない。これは第１のシリコン(Si)基板にＭＩＳ電
界効果トランジスタからなる半導体集積回路を形成した
場合、これに位置合わせして、上層のＳＯＩ基体にＭＩ
Ｓ電界効果トランジスタからなる半導体集積回路を形成
できなかったために３次元的に形成した１つの半導体集
積回路を形成できなかったためである。
【０００３】図13は従来の第２の半導体装置の模式側断
面図で、本願発明者によって以前に提案されたもので、
２枚の半導体基板を貼り合わせて形成したＳＯＩ構造の
デジタルアナログ混載のＣＭＯＳ型半導体集積回路の一
部を示しており、51〜54、56、58、60、61、64、69は図
12と同じ物を、70はｎ+ 型不純物領域、71a、71b は素子
分離領域形成用トレンチ及び埋め込み酸化膜、72は側壁
絶縁膜、73は埋め込み導電膜、74は燐珪酸ガラス（ＰＳ
Ｇ）膜を示している。同図においては、上面にｎ+ 型不
純物領域70が設けられたｐ- 型の第１のシリコン(Si)基
板51上に酸化膜52を介してｐ- 型の第２のシリコン(Si)
基板53が貼り合わせられている。ｐ- 型の第２のシリコ
ン(Si)基板53には選択的に素子領域を分離するトレンチ
（71a 、71b ）が設けられ、一部のトレンチ71b はｐ-
型の第１のシリコン(Si)基板51上に設けられたｎ+ 型不
純物領域70をセルフアラインに分離している。すべての
トレンチ（71a 、71b ）には酸化膜が埋め込まれ平坦に
形成されている。ｐ- 型の第２のシリコン(Si)基板53の
分離画定された素子領域にはそれぞれデジタル部及びア
ナログ部のＮチャネルのＭＩＳ電界効果トランジスタが
形成され、また、ｐ- 型の第２のシリコン(Si)基板53に
設けられたｎ型不純物ウエル領域54の分離画定された素
子領域にはそれぞれデジタル部及びアナログ部のＰチャ
ネルのＭＩＳ電界効果トランジスタが形成されている。
Ｎチャネル及びＰチャネルのＭＩＳ電界効果トランジス
タ下には酸化膜52で絶縁されたｎ+型不純物領域70とｐ-
型の第１のシリコン(Si)基板51との間にＰＮ接合から
なる容量を形成している。上記の構成をとることにより
デジタル回路とアナログ回路を絶縁膜により島状に分離
し、デジタル回路で発生するノイズの影響を受けないア
ナログ回路を形成したものである。この従来例において
は、たしかに第１のシリコン(Si)基板にも素子を形成し
ており、ＳＯＩ構造の３次元の半導体集積回路を形成し
ているが、第１のシリコン(Si)基板には全面にパターン
のない不純物領域を形成し、第２のシリコン(Si)基板に
おける素子分離をおこなうトレンチによって不純物領域
を分離し、この不純物領域に第１のシリコン(Si)基板上
面から接続をとったものである。即ち第１のシリコン(S
i)基板には選択的に形成した素子に位置合わせして第２
のシリコン(Si)基板（ＳＯＩ基体）に選択的に素子を形
成できないために、第１のシリコン(Si)基板には位置合
わせが必要なパターンを形成しない構成をとることによ
り、一応ＳＯＩ構造の３次元の半導体集積回路を形成し
ているのにすぎず、第１のシリコン(Si)基板には選択的
に、何の制約も受けずに素子を形成できないという欠点
があった。
面図で、本願発明者によって以前に提案されたもので、
２枚の半導体基板を貼り合わせて形成したＳＯＩ構造の
デジタルアナログ混載のＣＭＯＳ型半導体集積回路の一
部を示しており、51〜54、56、58、60、61、64、69は図
12と同じ物を、70はｎ+ 型不純物領域、71a、71b は素子
分離領域形成用トレンチ及び埋め込み酸化膜、72は側壁
絶縁膜、73は埋め込み導電膜、74は燐珪酸ガラス（ＰＳ
Ｇ）膜を示している。同図においては、上面にｎ+ 型不
純物領域70が設けられたｐ- 型の第１のシリコン(Si)基
板51上に酸化膜52を介してｐ- 型の第２のシリコン(Si)
基板53が貼り合わせられている。ｐ- 型の第２のシリコ
ン(Si)基板53には選択的に素子領域を分離するトレンチ
（71a 、71b ）が設けられ、一部のトレンチ71b はｐ-
型の第１のシリコン(Si)基板51上に設けられたｎ+ 型不
純物領域70をセルフアラインに分離している。すべての
トレンチ（71a 、71b ）には酸化膜が埋め込まれ平坦に
形成されている。ｐ- 型の第２のシリコン(Si)基板53の
分離画定された素子領域にはそれぞれデジタル部及びア
ナログ部のＮチャネルのＭＩＳ電界効果トランジスタが
形成され、また、ｐ- 型の第２のシリコン(Si)基板53に
設けられたｎ型不純物ウエル領域54の分離画定された素
子領域にはそれぞれデジタル部及びアナログ部のＰチャ
ネルのＭＩＳ電界効果トランジスタが形成されている。
Ｎチャネル及びＰチャネルのＭＩＳ電界効果トランジス
タ下には酸化膜52で絶縁されたｎ+型不純物領域70とｐ-
型の第１のシリコン(Si)基板51との間にＰＮ接合から
なる容量を形成している。上記の構成をとることにより
デジタル回路とアナログ回路を絶縁膜により島状に分離
し、デジタル回路で発生するノイズの影響を受けないア
ナログ回路を形成したものである。この従来例において
は、たしかに第１のシリコン(Si)基板にも素子を形成し
ており、ＳＯＩ構造の３次元の半導体集積回路を形成し
ているが、第１のシリコン(Si)基板には全面にパターン
のない不純物領域を形成し、第２のシリコン(Si)基板に
おける素子分離をおこなうトレンチによって不純物領域
を分離し、この不純物領域に第１のシリコン(Si)基板上
面から接続をとったものである。即ち第１のシリコン(S
i)基板には選択的に形成した素子に位置合わせして第２
のシリコン(Si)基板（ＳＯＩ基体）に選択的に素子を形
成できないために、第１のシリコン(Si)基板には位置合
わせが必要なパターンを形成しない構成をとることによ
り、一応ＳＯＩ構造の３次元の半導体集積回路を形成し
ているのにすぎず、第１のシリコン(Si)基板には選択的
に、何の制約も受けずに素子を形成できないという欠点
があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明が解決しようと
する課題は、従来例に示されるように、第１のシリコン
(Si)基板には選択的に、何の制約も受けずに素子を形成
し、この形成された素子に直接位置合わせして、酸化膜
を介して貼り合わせられた第２のシリコン(Si)基板（Ｓ
ＯＩ基体）に選択的に素子を形成した３次元の半導体集
積回路を形成できなかったことである。（薄膜の多結晶
シリコン層を成長させ、レーザーアニールによる再結晶
化を利用するＳＯＩ構造を形成する場合には、積層させ
る多結晶シリコン層が下地の段差を忠実に再現させるた
め、この段差を利用して位置合わせをおこなえば第１の
シリコン(Si)基板に形成した素子及び配線体に整合して
ＳＯＩ基体上に素子及び配線体を形成することは可能で
ある。しかし、第１のシリコン(Si)基板に第２のシリコ
ン(Si)基板を貼り合わせてＳＯＩ構造を形成する場合に
は、第２のシリコン(Si)基板を貼り合わせる前の下地に
段差が存在したとしても貼り合わせる平坦な第２のシリ
コン(Si)基板によって解消され、又、第２のシリコン(S
i)基板は透明ではないため位置合わせができず、第１の
シリコン(Si)基板に形成した素子及び配線体に整合して
ＳＯＩ基体上に素子及び配線体を形成することは不可能
である。）
する課題は、従来例に示されるように、第１のシリコン
(Si)基板には選択的に、何の制約も受けずに素子を形成
し、この形成された素子に直接位置合わせして、酸化膜
を介して貼り合わせられた第２のシリコン(Si)基板（Ｓ
ＯＩ基体）に選択的に素子を形成した３次元の半導体集
積回路を形成できなかったことである。（薄膜の多結晶
シリコン層を成長させ、レーザーアニールによる再結晶
化を利用するＳＯＩ構造を形成する場合には、積層させ
る多結晶シリコン層が下地の段差を忠実に再現させるた
め、この段差を利用して位置合わせをおこなえば第１の
シリコン(Si)基板に形成した素子及び配線体に整合して
ＳＯＩ基体上に素子及び配線体を形成することは可能で
ある。しかし、第１のシリコン(Si)基板に第２のシリコ
ン(Si)基板を貼り合わせてＳＯＩ構造を形成する場合に
は、第２のシリコン(Si)基板を貼り合わせる前の下地に
段差が存在したとしても貼り合わせる平坦な第２のシリ
コン(Si)基板によって解消され、又、第２のシリコン(S
i)基板は透明ではないため位置合わせができず、第１の
シリコン(Si)基板に形成した素子及び配線体に整合して
ＳＯＩ基体上に素子及び配線体を形成することは不可能
である。）
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題は、第１の半導
体基板と、前記第１の半導体基板の上面に設けられた第
１の素子及び第１の配線層と、前記第１の半導体基板の
上面上に第１の絶縁膜を介して貼り合わせられた第２の
半導体基板と、前記第２の半導体基板、前記第１の絶縁
膜及び前記第１の半導体基板を貫通した貫通孔（位置合
わせ用パターン）と、前記第２の半導体基板を島状に分
離する第１のトレンチと、前記第１のトレンチを埋め込
んだ第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜及び前記第１の
絶縁膜を選択的に貫通し、前記第１の配線層に達した第
２のトレンチと、前記第２のトレンチを埋め込み、前記
第２の半導体基板上面に導出した第２の配線層と、前記
第２の半導体基板の上面に設けられた第２の素子及び第
３の配線層とを具備し、且つ前記貫通孔（位置合わせ用
パターン）により、前記第１の素子及び前記第１の配線
層に整合して、前記第１のトレンチ、前記第２のトレン
チ、前記第２の配線層、前記第２の素子及び前記第３の
配線層が設けられている本発明の半導体装置によって解
決される。
体基板と、前記第１の半導体基板の上面に設けられた第
１の素子及び第１の配線層と、前記第１の半導体基板の
上面上に第１の絶縁膜を介して貼り合わせられた第２の
半導体基板と、前記第２の半導体基板、前記第１の絶縁
膜及び前記第１の半導体基板を貫通した貫通孔（位置合
わせ用パターン）と、前記第２の半導体基板を島状に分
離する第１のトレンチと、前記第１のトレンチを埋め込
んだ第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜及び前記第１の
絶縁膜を選択的に貫通し、前記第１の配線層に達した第
２のトレンチと、前記第２のトレンチを埋め込み、前記
第２の半導体基板上面に導出した第２の配線層と、前記
第２の半導体基板の上面に設けられた第２の素子及び第
３の配線層とを具備し、且つ前記貫通孔（位置合わせ用
パターン）により、前記第１の素子及び前記第１の配線
層に整合して、前記第１のトレンチ、前記第２のトレン
チ、前記第２の配線層、前記第２の素子及び前記第３の
配線層が設けられている本発明の半導体装置によって解
決される。
【０００６】
【作 用】即ち、本発明の半導体装置においては、比
較的ゲート長が長いＮチャネル及びＰチャネルのＬＤＤ
構造のＭＩＳ電界効果トランジスタ、高融点金属配線
（Ｗ）及び貫通孔（位置合わせ用のパターン）が形成さ
れた第１のシリコン(Si)基板上に酸化膜を介して薄膜化
された第２のシリコン基板（ＳＯＩ基体）が貼り合わせ
られており、第１のシリコン(Si)基板に形成した貫通孔
を、さらに貼り合わせられた第２のシリコン基板にもセ
ルフアラインで貫通させ、この貫通孔（位置合わせ用の
パターン）に位置合わせして、第２のシリコン基板（Ｓ
ＯＩ基体）にゲート長が短いＮチャネル及びＰチャネル
のＬＤＤ構造のＭＩＳ電界効果トランジスタが形成され
ており、これらの素子及び高融点金属配線（Ｗ）が電極
コンタクト用の開孔を介して、低融点金属配線（AlCu）
に接続されている構造に形成されている。したがって、
ＳＯＩ基体に形成されるＭＩＳ電界効果トランジスタは
ソースドレイン領域が周囲を絶縁膜で囲まれているため
接合容量の低減が可能であり、また薄膜のＳＯＩ基体上
にゲート構造を形成しているので、ＳＯＩ基体が完全空
乏化されていれば、第１のシリコン(Si)基板に形成する
ゲート構造に比較し、ゲート酸化膜下の反転層と基板と
の間の空乏層容量を無くすことが可能であり、さらにゲ
ート電極に加えた電圧がゲート電極と反転層の間だけに
印加できることになり、サブスレッショルド特性を改善
できるので閾値電圧を低減できる。こうしてＳＯＩ基体
に形成されるＭＩＳ電界効果トランジスタは第１のシリ
コン(Si)基板に形成されるＭＩＳ電界効果トランジスタ
に比較し、高速化及び低電力化が可能となる。また、Ｓ
ＯＩ基体ばかりでなく、第１のシリコン(Si)基板にもや
や低速ではあるがＭＩＳ電界効果トランジスタを形成で
きるため高集積化が可能となる。 即ち、極めて高集
積、高速且つ低電力な半導体集積回路の形成を可能とす
る半導体装置を得ることができる。
較的ゲート長が長いＮチャネル及びＰチャネルのＬＤＤ
構造のＭＩＳ電界効果トランジスタ、高融点金属配線
（Ｗ）及び貫通孔（位置合わせ用のパターン）が形成さ
れた第１のシリコン(Si)基板上に酸化膜を介して薄膜化
された第２のシリコン基板（ＳＯＩ基体）が貼り合わせ
られており、第１のシリコン(Si)基板に形成した貫通孔
を、さらに貼り合わせられた第２のシリコン基板にもセ
ルフアラインで貫通させ、この貫通孔（位置合わせ用の
パターン）に位置合わせして、第２のシリコン基板（Ｓ
ＯＩ基体）にゲート長が短いＮチャネル及びＰチャネル
のＬＤＤ構造のＭＩＳ電界効果トランジスタが形成され
ており、これらの素子及び高融点金属配線（Ｗ）が電極
コンタクト用の開孔を介して、低融点金属配線（AlCu）
に接続されている構造に形成されている。したがって、
ＳＯＩ基体に形成されるＭＩＳ電界効果トランジスタは
ソースドレイン領域が周囲を絶縁膜で囲まれているため
接合容量の低減が可能であり、また薄膜のＳＯＩ基体上
にゲート構造を形成しているので、ＳＯＩ基体が完全空
乏化されていれば、第１のシリコン(Si)基板に形成する
ゲート構造に比較し、ゲート酸化膜下の反転層と基板と
の間の空乏層容量を無くすことが可能であり、さらにゲ
ート電極に加えた電圧がゲート電極と反転層の間だけに
印加できることになり、サブスレッショルド特性を改善
できるので閾値電圧を低減できる。こうしてＳＯＩ基体
に形成されるＭＩＳ電界効果トランジスタは第１のシリ
コン(Si)基板に形成されるＭＩＳ電界効果トランジスタ
に比較し、高速化及び低電力化が可能となる。また、Ｓ
ＯＩ基体ばかりでなく、第１のシリコン(Si)基板にもや
や低速ではあるがＭＩＳ電界効果トランジスタを形成で
きるため高集積化が可能となる。 即ち、極めて高集
積、高速且つ低電力な半導体集積回路の形成を可能とす
る半導体装置を得ることができる。
【０００７】
【実施例】以下本発明を、図示実施例により具体的に説
明する。図１は本発明の半導体装置における第１の実施
例の模式側断面図、図２は本発明の半導体装置における
第２の実施例の模式側断面図、図３は本発明の半導体装
置における第３の実施例の模式側断面図、図４〜図11は
本発明の半導体装置における製造方法の一実施例の工程
断面図である。全図を通じ同一対象物は同一符号で示
す。図１はｐ型シリコン(Si)基板を用いた際の本発明の
半導体装置における第１の実施例の模式側断面図で、Ｓ
ＯＩ構造の３次元のＣ−ＭＯＳ型半導体集積回路の一部
を示しており、１は1015cm-3程度のｐ- 型の第１のシリ
コン(Si)基板、２は1016cm-3程度のｐ型不純物ウエル領
域、３は1016cm-3程度のｎ型不純物ウエル領域、４は深
さ３μm程度のｐ型及びｎ型不純物ウエル領域分離用の
トレンチ及び埋め込み酸化膜、５は深さ１μm程度の素
子分離領域形成用トレンチ及び埋め込み酸化膜、６は10
20cm-3程度の第１のｎ+ 型ソースドレイン領域及びｎ+
型不純物ウエルコンタクト領域、７は1017cm-3程度の第
１のｎ型ソースドレイン領域、８は1020cm-3程度の第１
のｐ+ 型ソースドレイン領域及びｐ+ 型不純物ウエルコ
ンタクト領域、９は1017cm-3程度の第１のｐ型ソースド
レイン領域、10は８nm程度の第１のゲート酸化膜、11は
ゲート長0.5 μm程度の第１のゲート電極（polySi／
Ｗ）、12は15nm程度の下地酸化膜、13は0.15μm程度の
サイドウオール、14は30nm程度の不純物ブロック用酸化
膜、15は１μm程度の硼素入り燐珪酸ガラス（BPSG)
膜、16は0.1μm 程度のバリアメタル（Ti／TiN ）、17
はＷプラグ、18は0.5μm 程度の高融点金属配線
（Ｗ）、19は１μm程度の層間絶縁膜兼貼り合わせ用酸
化膜、20は位置合わせ用の貫通孔、21は濃度1015cm-3程
度、厚さ0.1μm 程度のｐ- 型の第２のシリコン基板
（ＳＯＩ基体）、22は濃度1015cm-3程度、厚さ0.1μm
程度のｎ型化された第２のシリコン基板（ＳＯＩ基
体）、23は素子分離領域形成用トレンチ及び埋め込み酸
化膜、24は1020cm-3程度の第２のｎ+ 型ソースドレイン
領域、25は1017cm-3程度の第２のｎ型ソースドレイン領
域、26は1020cm -3程度の第２のｐ+ 型ソースドレイン領
域、27は1017cm-3程度の第２のｐ型ソースドレイン領
域、28は５nm程度の第２のゲート酸化膜、29はゲート長
0.2 μm程度の第２のゲート電極（polySi／Ｗ）、30は1
5nm程度の下地酸化膜、31は0.1μm程度のサイドウオー
ル、32は20nm程度の不純物ブロック用酸化膜、33は１μ
m程度の硼素入り燐珪酸ガラス（BPSG) 膜、34は0.1μm
程度のバリアメタル（Ti／TiN ）、35はＷプラグ、36は
0.1μm 程度のバリアメタル（Ti／TiN ）、37は0.8μm
程度の低融点金属配線（AlCu）を示してる。同図におい
ては、ｐ- 型の第１のシリコン(Si)基板１に選択的に設
けられ、酸化膜を埋め込んだ素子分離領域形成用トレン
チ及び不純物ウエル領域分離用のトレンチ（４、５）に
より絶縁分離されたｐ型不純物ウエル領域２及びｎ型不
純物ウエル領域３が形成され、ｐ型不純物ウエル領域２
にはゲート長0.5 μm程度のＮチャネルのＬＤＤ構造の
ＭＩＳ電界効果トランジスタが、ｎ型不純物ウエル領域
３にはゲート長0.5 μm程度のＰチャネルのＬＤＤ構造
のＭＩＳ電界効果トランジスタが形成され、第１のｎ+
型ソースドレイン領域及びｎ+ 型不純物ウエルコンタク
ト領域６及び第１のｐ+ 型ソースドレイン領域及びｐ+
型不純物ウエルコンタクト領域８にはそれぞれバリアメ
タル（Ti／TiN ）16及びＷプラグ17を介して高融点金属
配線（Ｗ）18に接続されている。高融点金属配線（Ｗ）
18上に平坦に設けられた酸化膜19を介して薄膜化された
ｐ- 型の第２のシリコン基板が貼り合わせられており、
ｐ- 型の第２のシリコン基板は素子分離用のトレンチ及
び埋め込み酸化膜23により島状に絶縁分離されたｐ- 型
の第２のシリコン基板（ＳＯＩ基体）21及びｎ型化され
た第２のシリコン基板（ＳＯＩ基体）22が形成され、ｐ
- 型の第２のシリコン基板（ＳＯＩ基体）21にはゲート
長0.2 μm程度のＮチャネルのＬＤＤ構造のＭＩＳ電界
効果トランジスタが、ｎ型化された第２のシリコン基板
（ＳＯＩ基体）22にはゲート長0.2 μm程度のＰチャネ
ルのＬＤＤ構造のＭＩＳ電界効果トランジスタが形成さ
れており、第２のｎ+ 型ソースドレイン領域24及び第２
のｐ+ 型ソースドレイン領域26にはそれぞれバリアメタ
ル（Ti／TiN ）34、Ｗプラグ35及びバリアメタル（Ti／
TiN ）36を介して低融点金属配線（AlCu）37に接続され
ている。また、高融点金属配線（Ｗ）18もバリアメタル
（Ti／TiN ）34、Ｗプラグ35及びバリアメタル（Ti／Ti
N ）36を介して低融点金属配線（AlCu）37に接続されて
いる。ここでｐ- 型の第１のシリコン(Si)基板１から第
２のシリコン(Si)基板を貫通して設けられた貫通孔20
（位置合わせ用パターン）によりｐ- 型の第１のシリコ
ン(Si)基板１に形成されたＭＩＳ電界効果トランジスタ
及び高融点金属配線（Ｗ）18に整合して第２のシリコン
(Si)基板（ｐ - 型の第２のシリコン基板［ＳＯＩ基体］
21及びｎ型化された第２のシリコン基板［ＳＯＩ基体］
22）にＭＩＳ電界効果トランジスタ及び低融点金属配線
（AlCu）37が形成されている。したがって、ＳＯＩ基体
に形成されるＭＩＳ電界効果トランジスタはｎ+ 型ソー
スドレイン領域及びｐ+ 型ソースドレイン領域が周囲を
絶縁膜で囲まれているため接合容量の低減が可能であ
り、また薄膜のＳＯＩ基体上にゲート構造を形成してい
るので、ＳＯＩ基体が完全空乏化型であれば、第１のシ
リコン(Si)基板に形成するゲート構造に比較し、ゲート
酸化膜下の反転層と基板との間の空乏層容量を無くすこ
とが可能であり、さらにゲート電極に加えた電圧がゲー
ト電極と反転層の間だけに印加できることになり、サブ
スレッショルド特性を改善できるので閾値電圧を低減で
きる。こうしてＳＯＩ基体に形成されるＭＩＳ電界効果
トランジスタは第１のシリコン(Si)基板に形成するＭＩ
Ｓ電界効果トランジスタに比較し、高速化及び低電力化
が可能となる。また、ＳＯＩ基体ばかりでなく、第１の
シリコン(Si)基板にもやや低速ではあるがＭＩＳ電界効
果トランジスタを形成できるため高集積化が可能とな
る。この結果、比較的低速な回路と高速な回路を合わせ
持つ高集積、高速、低電力な３次元構造のＣーＭＯＳ型
半導体集積回路を得ることができる。
明する。図１は本発明の半導体装置における第１の実施
例の模式側断面図、図２は本発明の半導体装置における
第２の実施例の模式側断面図、図３は本発明の半導体装
置における第３の実施例の模式側断面図、図４〜図11は
本発明の半導体装置における製造方法の一実施例の工程
断面図である。全図を通じ同一対象物は同一符号で示
す。図１はｐ型シリコン(Si)基板を用いた際の本発明の
半導体装置における第１の実施例の模式側断面図で、Ｓ
ＯＩ構造の３次元のＣ−ＭＯＳ型半導体集積回路の一部
を示しており、１は1015cm-3程度のｐ- 型の第１のシリ
コン(Si)基板、２は1016cm-3程度のｐ型不純物ウエル領
域、３は1016cm-3程度のｎ型不純物ウエル領域、４は深
さ３μm程度のｐ型及びｎ型不純物ウエル領域分離用の
トレンチ及び埋め込み酸化膜、５は深さ１μm程度の素
子分離領域形成用トレンチ及び埋め込み酸化膜、６は10
20cm-3程度の第１のｎ+ 型ソースドレイン領域及びｎ+
型不純物ウエルコンタクト領域、７は1017cm-3程度の第
１のｎ型ソースドレイン領域、８は1020cm-3程度の第１
のｐ+ 型ソースドレイン領域及びｐ+ 型不純物ウエルコ
ンタクト領域、９は1017cm-3程度の第１のｐ型ソースド
レイン領域、10は８nm程度の第１のゲート酸化膜、11は
ゲート長0.5 μm程度の第１のゲート電極（polySi／
Ｗ）、12は15nm程度の下地酸化膜、13は0.15μm程度の
サイドウオール、14は30nm程度の不純物ブロック用酸化
膜、15は１μm程度の硼素入り燐珪酸ガラス（BPSG)
膜、16は0.1μm 程度のバリアメタル（Ti／TiN ）、17
はＷプラグ、18は0.5μm 程度の高融点金属配線
（Ｗ）、19は１μm程度の層間絶縁膜兼貼り合わせ用酸
化膜、20は位置合わせ用の貫通孔、21は濃度1015cm-3程
度、厚さ0.1μm 程度のｐ- 型の第２のシリコン基板
（ＳＯＩ基体）、22は濃度1015cm-3程度、厚さ0.1μm
程度のｎ型化された第２のシリコン基板（ＳＯＩ基
体）、23は素子分離領域形成用トレンチ及び埋め込み酸
化膜、24は1020cm-3程度の第２のｎ+ 型ソースドレイン
領域、25は1017cm-3程度の第２のｎ型ソースドレイン領
域、26は1020cm -3程度の第２のｐ+ 型ソースドレイン領
域、27は1017cm-3程度の第２のｐ型ソースドレイン領
域、28は５nm程度の第２のゲート酸化膜、29はゲート長
0.2 μm程度の第２のゲート電極（polySi／Ｗ）、30は1
5nm程度の下地酸化膜、31は0.1μm程度のサイドウオー
ル、32は20nm程度の不純物ブロック用酸化膜、33は１μ
m程度の硼素入り燐珪酸ガラス（BPSG) 膜、34は0.1μm
程度のバリアメタル（Ti／TiN ）、35はＷプラグ、36は
0.1μm 程度のバリアメタル（Ti／TiN ）、37は0.8μm
程度の低融点金属配線（AlCu）を示してる。同図におい
ては、ｐ- 型の第１のシリコン(Si)基板１に選択的に設
けられ、酸化膜を埋め込んだ素子分離領域形成用トレン
チ及び不純物ウエル領域分離用のトレンチ（４、５）に
より絶縁分離されたｐ型不純物ウエル領域２及びｎ型不
純物ウエル領域３が形成され、ｐ型不純物ウエル領域２
にはゲート長0.5 μm程度のＮチャネルのＬＤＤ構造の
ＭＩＳ電界効果トランジスタが、ｎ型不純物ウエル領域
３にはゲート長0.5 μm程度のＰチャネルのＬＤＤ構造
のＭＩＳ電界効果トランジスタが形成され、第１のｎ+
型ソースドレイン領域及びｎ+ 型不純物ウエルコンタク
ト領域６及び第１のｐ+ 型ソースドレイン領域及びｐ+
型不純物ウエルコンタクト領域８にはそれぞれバリアメ
タル（Ti／TiN ）16及びＷプラグ17を介して高融点金属
配線（Ｗ）18に接続されている。高融点金属配線（Ｗ）
18上に平坦に設けられた酸化膜19を介して薄膜化された
ｐ- 型の第２のシリコン基板が貼り合わせられており、
ｐ- 型の第２のシリコン基板は素子分離用のトレンチ及
び埋め込み酸化膜23により島状に絶縁分離されたｐ- 型
の第２のシリコン基板（ＳＯＩ基体）21及びｎ型化され
た第２のシリコン基板（ＳＯＩ基体）22が形成され、ｐ
- 型の第２のシリコン基板（ＳＯＩ基体）21にはゲート
長0.2 μm程度のＮチャネルのＬＤＤ構造のＭＩＳ電界
効果トランジスタが、ｎ型化された第２のシリコン基板
（ＳＯＩ基体）22にはゲート長0.2 μm程度のＰチャネ
ルのＬＤＤ構造のＭＩＳ電界効果トランジスタが形成さ
れており、第２のｎ+ 型ソースドレイン領域24及び第２
のｐ+ 型ソースドレイン領域26にはそれぞれバリアメタ
ル（Ti／TiN ）34、Ｗプラグ35及びバリアメタル（Ti／
TiN ）36を介して低融点金属配線（AlCu）37に接続され
ている。また、高融点金属配線（Ｗ）18もバリアメタル
（Ti／TiN ）34、Ｗプラグ35及びバリアメタル（Ti／Ti
N ）36を介して低融点金属配線（AlCu）37に接続されて
いる。ここでｐ- 型の第１のシリコン(Si)基板１から第
２のシリコン(Si)基板を貫通して設けられた貫通孔20
（位置合わせ用パターン）によりｐ- 型の第１のシリコ
ン(Si)基板１に形成されたＭＩＳ電界効果トランジスタ
及び高融点金属配線（Ｗ）18に整合して第２のシリコン
(Si)基板（ｐ - 型の第２のシリコン基板［ＳＯＩ基体］
21及びｎ型化された第２のシリコン基板［ＳＯＩ基体］
22）にＭＩＳ電界効果トランジスタ及び低融点金属配線
（AlCu）37が形成されている。したがって、ＳＯＩ基体
に形成されるＭＩＳ電界効果トランジスタはｎ+ 型ソー
スドレイン領域及びｐ+ 型ソースドレイン領域が周囲を
絶縁膜で囲まれているため接合容量の低減が可能であ
り、また薄膜のＳＯＩ基体上にゲート構造を形成してい
るので、ＳＯＩ基体が完全空乏化型であれば、第１のシ
リコン(Si)基板に形成するゲート構造に比較し、ゲート
酸化膜下の反転層と基板との間の空乏層容量を無くすこ
とが可能であり、さらにゲート電極に加えた電圧がゲー
ト電極と反転層の間だけに印加できることになり、サブ
スレッショルド特性を改善できるので閾値電圧を低減で
きる。こうしてＳＯＩ基体に形成されるＭＩＳ電界効果
トランジスタは第１のシリコン(Si)基板に形成するＭＩ
Ｓ電界効果トランジスタに比較し、高速化及び低電力化
が可能となる。また、ＳＯＩ基体ばかりでなく、第１の
シリコン(Si)基板にもやや低速ではあるがＭＩＳ電界効
果トランジスタを形成できるため高集積化が可能とな
る。この結果、比較的低速な回路と高速な回路を合わせ
持つ高集積、高速、低電力な３次元構造のＣーＭＯＳ型
半導体集積回路を得ることができる。
【０００８】図２は本発明の半導体装置における第２の
実施例の模式側断面図で、ＳＯＩ構造の３次元のＤＲＡ
Ｍ（ダイナミックランダムアクセスメモリー）のメモリ
ーセルの一部を示しており、19〜21、23〜25、28〜37は
図１と同じ物を、38はキャパシタ絶縁膜（SiON）、39は
電荷蓄積電極（TiN ）、40はバリアメタル（Ti／Ti
N）、41はＷプラグ、42はｐ型の第１のシリコン(Si)基
板（セルプレート電極）を示している。同図において
は、ｐ- 型の第１のシリコン(Si)基板42に選択的にトレ
ンチが設けられ、このトレンチを側面及び底面に形成さ
れたキャパシタ絶縁膜（SiON）38を介して埋め込んだ導
電膜（TiN ）を電荷蓄積電極39とし、ｐ- 型の第１のシ
リコン(Si)基板42をセルプレート電極とするキャパシタ
が形成されたｐ- 型の第１のシリコン(Si)基板42上に酸
化膜19を介して薄膜化されたｐ- 型の第２のシリコン基
板が貼り合わせられており、ｐ- 型の第２のシリコン基
板は素子分離用のトレンチ及び埋め込み酸化膜23により
島状に絶縁分離されたｐ- 型の第２のシリコン基板（Ｓ
ＯＩ基体）21が形成され、ｐ- 型の第２のシリコン基板
（ＳＯＩ基体）21にはゲート長0.2 μm程度の２つのＮ
チャネルのＬＤＤ構造のＭＩＳ電界効果トランジスタか
らなるトランスフアーゲートが形成され、共通のｎ+ 型
ソースドレイン領域24をビット線とし、それぞれ単独の
ｎ+ 型ソースドレイン領域24をノードとし、ｎ+ 型ソー
スドレイン領域24の一部及び直下の酸化膜19を貫通して
設けた開孔を埋め込んだ配線体(40、41) により電荷蓄積
電極39に接続している構造を有する１トランジスタ／１
キャパシタからなるＤＲＡＭのメモリーセルが形成され
ている。ここでｐ- 型の第１のシリコン(Si)基板１から
第２のシリコン(Si)基板を貫通して設けられた貫通孔20
（位置合わせ用パターン）により、ｐ- 型の第１のシリ
コン(Si)基板１に形成されたトレンチキャパシタに整合
してｐ型の第２のシリコン(Si)基板（ＳＯＩ基体）21に
ＭＩＳ電界効果トランジスタ及び低融点金属配線（AlC
u）37が形成されている。したがって、実施例１と同様
に微細なＭＩＳ電界効果トランジスタからなる半導体集
積回路を形成できるため、高速及び低電力化が可能であ
る。又、トランスフアーゲートの占有面積の直下部に、
比較的広い面積が必要なキャパシタを形成できるため高
集積化が可能である。さらに、絶縁膜下ではなく、直上
に導電体（ＳＯＩ基体）を有しているため、α線ソフト
エラー及びノイズによる誤作動等の影響が比較的小さい
ＤＲＡＭを形成できることによる高信頼性を可能にする
こともできる。
実施例の模式側断面図で、ＳＯＩ構造の３次元のＤＲＡ
Ｍ（ダイナミックランダムアクセスメモリー）のメモリ
ーセルの一部を示しており、19〜21、23〜25、28〜37は
図１と同じ物を、38はキャパシタ絶縁膜（SiON）、39は
電荷蓄積電極（TiN ）、40はバリアメタル（Ti／Ti
N）、41はＷプラグ、42はｐ型の第１のシリコン(Si)基
板（セルプレート電極）を示している。同図において
は、ｐ- 型の第１のシリコン(Si)基板42に選択的にトレ
ンチが設けられ、このトレンチを側面及び底面に形成さ
れたキャパシタ絶縁膜（SiON）38を介して埋め込んだ導
電膜（TiN ）を電荷蓄積電極39とし、ｐ- 型の第１のシ
リコン(Si)基板42をセルプレート電極とするキャパシタ
が形成されたｐ- 型の第１のシリコン(Si)基板42上に酸
化膜19を介して薄膜化されたｐ- 型の第２のシリコン基
板が貼り合わせられており、ｐ- 型の第２のシリコン基
板は素子分離用のトレンチ及び埋め込み酸化膜23により
島状に絶縁分離されたｐ- 型の第２のシリコン基板（Ｓ
ＯＩ基体）21が形成され、ｐ- 型の第２のシリコン基板
（ＳＯＩ基体）21にはゲート長0.2 μm程度の２つのＮ
チャネルのＬＤＤ構造のＭＩＳ電界効果トランジスタか
らなるトランスフアーゲートが形成され、共通のｎ+ 型
ソースドレイン領域24をビット線とし、それぞれ単独の
ｎ+ 型ソースドレイン領域24をノードとし、ｎ+ 型ソー
スドレイン領域24の一部及び直下の酸化膜19を貫通して
設けた開孔を埋め込んだ配線体(40、41) により電荷蓄積
電極39に接続している構造を有する１トランジスタ／１
キャパシタからなるＤＲＡＭのメモリーセルが形成され
ている。ここでｐ- 型の第１のシリコン(Si)基板１から
第２のシリコン(Si)基板を貫通して設けられた貫通孔20
（位置合わせ用パターン）により、ｐ- 型の第１のシリ
コン(Si)基板１に形成されたトレンチキャパシタに整合
してｐ型の第２のシリコン(Si)基板（ＳＯＩ基体）21に
ＭＩＳ電界効果トランジスタ及び低融点金属配線（AlC
u）37が形成されている。したがって、実施例１と同様
に微細なＭＩＳ電界効果トランジスタからなる半導体集
積回路を形成できるため、高速及び低電力化が可能であ
る。又、トランスフアーゲートの占有面積の直下部に、
比較的広い面積が必要なキャパシタを形成できるため高
集積化が可能である。さらに、絶縁膜下ではなく、直上
に導電体（ＳＯＩ基体）を有しているため、α線ソフト
エラー及びノイズによる誤作動等の影響が比較的小さい
ＤＲＡＭを形成できることによる高信頼性を可能にする
こともできる。
【０００９】図３は本発明の半導体装置における第３の
実施例の模式側断面図で、ＳＯＩ構造の３次元のＢｉ−
ＣＭＯＳからなる半導体集積回路の一部を示しており、
１〜20、23、32〜37は図１と同じ物を、43はバリアメタ
ル（Ti／TiN ）、44はＷプラグ、45はコレクター電極
（Ｗ）、46はバリアメタル（Ti／TiN ）、47はｐ型の第
２のシリコン(Si)基板（コレクター領域）、48はｎ型ベ
ース領域、49はｎ+ 型ベースコンタクト領域、50はｐ+
型エミッター領域を示している。同図においては、ｐ-
型の第１のシリコン(Si)基板１に選択的に設けられ、酸
化膜を埋め込んだ素子分離領域形成用トレンチ及び不純
物ウエル領域分離用のトレンチ（４、５）により絶縁分
離されたｐ型不純物ウエル領域２及びｎ型不純物ウエル
領域３が形成され、ｐ型不純物ウエル領域２にはゲート
長0.5 μm程度のＮチャネルのＬＤＤ構造のＭＩＳ電界
効果トランジスタが、ｎ型不純物ウエル領域３にはゲー
ト長0.5 μm程度のＰチャネルのＬＤＤ構造のＭＩＳ電
界効果トランジスタが形成され、第１のｎ+ 型ソースド
レイン領域及びｎ+ 型不純物ウエルコンタクト領域６及
び第１のｐ+ 型ソースドレイン領域及びｐ+ 型不純物ウ
エルコンタクト領域８にはそれぞれバリアメタル（Ti／
TiN ）16及びＷプラグ17を介して高融点金属配線（Ｗ）
18に接続されている。高融点金属配線（Ｗ）18上に平坦
に設けられた酸化膜19（一部にはコレクター電極45が埋
め込まれている）を介して薄膜化されたｐ型の第２のシ
リコン基板が貼り合わせられており、ｐ型の第２のシリ
コン基板は素子分離用のトレンチ及び埋め込み酸化膜23
により島状に絶縁分離されたｐ型の第２のシリコン基板
（ＳＯＩ基体）が形成され、ｐ型の第２のシリコン基板
（ＳＯＩ基体）にはＰＮＰ型のバイポーラトランジスタ
が形成されている。コレクタ領域47は底面に設けられた
バリアメタル（Ti／TiN ）46、コレクター電極（Ｗ）45
を経由し、バリアメタル（Ti／TiN ）34、Ｗプラグ35及
びバリアメタル（Ti／TiN ）36を介して低融点金属配線
（AlCu）37に接続され、（一部はバリアメタル［Ti／Ti
N ］43、Ｗプラグ44を介して高融点金属配線［Ｗ］18に
接続され）、ベースコンタクト領域49及びエミッター領
域50にはそれぞれバリアメタル（Ti／TiN ）34、Ｗプラ
グ35及びバリアメタル（Ti／TiN ）36を介して低融点金
属配線（AlCu）37に接続されている。また、高融点金属
配線（Ｗ）18もバリアメタル（Ti／TiN ）34、Ｗプラグ
35及びバリアメタル（Ti／TiN ）36を介して低融点金属
配線（AlCu）37に接続されている。ここでｐ- 型の第１
のシリコン(Si)基板１からｐ型の第２のシリコン(Si)基
板を貫通して設けられた貫通孔20（位置合わせ用パター
ン）により、ｐ- 型の第１のシリコン(Si)基板１に形成
されたＭＩＳ電界効果トランジスタ、高融点金属配線
（Ｗ）18及びコレクター電極（Ｗ）45に整合してｐ型の
第２のシリコン(Si)基板（ＳＯＩ基体、一部はコレクタ
ー領域47となる）にバイポーラトランジスタ及び低融点
金属配線（AlCu）37が形成されている。したがって、第
１のシリコン(Si)基板に形成されたＭＩＳ電界効果トラ
ンジスタ上に絶縁膜を介して３次元構造にバイポーラト
ランジスタを形成できることによる高集積化を可能にす
ることができる。また、エピタキシャル層及び低抵抗の
不純物埋め込み層を設けないバイポーラトランジスタを
形成できるため、コレクター領域幅の微細化（エピタキ
シャル層の成長による不純物層のはい上がりによりコレ
クター領域の制御が難しく、特性が安定しなかった）が
可能であり、高速化、高性能化及び高信頼性を可能とす
ることもできる。
実施例の模式側断面図で、ＳＯＩ構造の３次元のＢｉ−
ＣＭＯＳからなる半導体集積回路の一部を示しており、
１〜20、23、32〜37は図１と同じ物を、43はバリアメタ
ル（Ti／TiN ）、44はＷプラグ、45はコレクター電極
（Ｗ）、46はバリアメタル（Ti／TiN ）、47はｐ型の第
２のシリコン(Si)基板（コレクター領域）、48はｎ型ベ
ース領域、49はｎ+ 型ベースコンタクト領域、50はｐ+
型エミッター領域を示している。同図においては、ｐ-
型の第１のシリコン(Si)基板１に選択的に設けられ、酸
化膜を埋め込んだ素子分離領域形成用トレンチ及び不純
物ウエル領域分離用のトレンチ（４、５）により絶縁分
離されたｐ型不純物ウエル領域２及びｎ型不純物ウエル
領域３が形成され、ｐ型不純物ウエル領域２にはゲート
長0.5 μm程度のＮチャネルのＬＤＤ構造のＭＩＳ電界
効果トランジスタが、ｎ型不純物ウエル領域３にはゲー
ト長0.5 μm程度のＰチャネルのＬＤＤ構造のＭＩＳ電
界効果トランジスタが形成され、第１のｎ+ 型ソースド
レイン領域及びｎ+ 型不純物ウエルコンタクト領域６及
び第１のｐ+ 型ソースドレイン領域及びｐ+ 型不純物ウ
エルコンタクト領域８にはそれぞれバリアメタル（Ti／
TiN ）16及びＷプラグ17を介して高融点金属配線（Ｗ）
18に接続されている。高融点金属配線（Ｗ）18上に平坦
に設けられた酸化膜19（一部にはコレクター電極45が埋
め込まれている）を介して薄膜化されたｐ型の第２のシ
リコン基板が貼り合わせられており、ｐ型の第２のシリ
コン基板は素子分離用のトレンチ及び埋め込み酸化膜23
により島状に絶縁分離されたｐ型の第２のシリコン基板
（ＳＯＩ基体）が形成され、ｐ型の第２のシリコン基板
（ＳＯＩ基体）にはＰＮＰ型のバイポーラトランジスタ
が形成されている。コレクタ領域47は底面に設けられた
バリアメタル（Ti／TiN ）46、コレクター電極（Ｗ）45
を経由し、バリアメタル（Ti／TiN ）34、Ｗプラグ35及
びバリアメタル（Ti／TiN ）36を介して低融点金属配線
（AlCu）37に接続され、（一部はバリアメタル［Ti／Ti
N ］43、Ｗプラグ44を介して高融点金属配線［Ｗ］18に
接続され）、ベースコンタクト領域49及びエミッター領
域50にはそれぞれバリアメタル（Ti／TiN ）34、Ｗプラ
グ35及びバリアメタル（Ti／TiN ）36を介して低融点金
属配線（AlCu）37に接続されている。また、高融点金属
配線（Ｗ）18もバリアメタル（Ti／TiN ）34、Ｗプラグ
35及びバリアメタル（Ti／TiN ）36を介して低融点金属
配線（AlCu）37に接続されている。ここでｐ- 型の第１
のシリコン(Si)基板１からｐ型の第２のシリコン(Si)基
板を貫通して設けられた貫通孔20（位置合わせ用パター
ン）により、ｐ- 型の第１のシリコン(Si)基板１に形成
されたＭＩＳ電界効果トランジスタ、高融点金属配線
（Ｗ）18及びコレクター電極（Ｗ）45に整合してｐ型の
第２のシリコン(Si)基板（ＳＯＩ基体、一部はコレクタ
ー領域47となる）にバイポーラトランジスタ及び低融点
金属配線（AlCu）37が形成されている。したがって、第
１のシリコン(Si)基板に形成されたＭＩＳ電界効果トラ
ンジスタ上に絶縁膜を介して３次元構造にバイポーラト
ランジスタを形成できることによる高集積化を可能にす
ることができる。また、エピタキシャル層及び低抵抗の
不純物埋め込み層を設けないバイポーラトランジスタを
形成できるため、コレクター領域幅の微細化（エピタキ
シャル層の成長による不純物層のはい上がりによりコレ
クター領域の制御が難しく、特性が安定しなかった）が
可能であり、高速化、高性能化及び高信頼性を可能とす
ることもできる。
【００１０】次いで本発明に係る半導体装置の製造方法
の一実施例について図４〜図11及び図１を参照して説明
する。ただし、ここでは本発明の半導体装置の形成に関
する製造方法のみを記述し、一般の半導体集積回路に搭
載される各種の素子（他のトランジスタ、抵抗、容量
等）の形成に関する製造方法の記述は省略することにす
る。 図４ ｐ- 型の第１のシリコン基板１に20nm程度の酸化膜（図
示せず）を成長する。次いで通常のフォトリソグラフィ
ー技術を利用し、第１のレジスト（図示せず）をマスク
層として、酸化膜を選択的にエッチングする。次いで露
出したｐ- 型シリコン基板１を１μm程度エッチング
し、素子分離領域形成用トレンチ５及び不純物ウエル領
域分離用のトレンチ４の一部を形成する。次いで第１の
レジスト（図示せず）上に不純物ウエル領域分離用のト
レンチ４上のみ窓開きした第２のレジスト（図示せず）
を形成し、第１のレジスト（図示せず）及び第２のレジ
スト（図示せず）をマスク層として、露出したｐ- 型シ
リコン基板１をさらに２μm程度エッチングし、不純物
ウエル領域分離用のトレンチ４を完成する。次いで第２
のレジスト（図示せず）及び第１のレジスト（図示せ
ず）を除去する。次いで化学気相成長酸化膜を成長し、
異方性ドライエッチングして、素子分離領域形成用トレ
ンチ５及び不純物ウエル領域分離用のトレンチ４に埋め
込む。次いで露出したｐ- 型の第１のシリコン基板１に
15nm程度のイオン注入用の酸化膜（図示せず）を成長す
る。次いで通常のフォトリソグラフィー技術を利用し、
レジスト（図示せず）及びトレンチ埋め込み酸化膜
（４、５）をマスク層として、燐をイオン注入する。次
いでレジスト（図示せず）を除去する。同様に通常のフ
ォトリソグラフィー技術を利用し、レジスト（図示せ
ず）及びトレンチ埋め込み酸化膜（４、５）をマスク層
として、硼素をイオン注入する。次いでレジスト（図示
せず）を除去する。次いで高温でランニングし、ｐ型不
純物ウエル領域２及びｎ型不純物ウエル領域３を形成す
る。次いでイオン注入用の酸化膜（図示せず）をエッチ
ング除去する。次いで露出したｐ- 型の第１のシリコン
基板１に８nm程度のゲート酸化膜10を成長する。次いで
化学気相成長により、100 nm程度の不純物を含む多結晶
シリコン膜及び100 nm程度のタングステン膜を順次成長
する。次いで通常のフォトリソグラフィー技術を利用
し、レジスト（図示せず）をマスク層として、タングス
テン膜及び多結晶シリコン膜を順次異方性ドライエッチ
ングし、ゲート電極11を形成する。次いでレジスト（図
示せず）を除去する。 図５ 次いで通常のフォトリソグラフィー技術を利用し、レジ
スト（図示せず）、ゲート電極11及びトレンチ埋め込み
酸化膜（４、５）をマスク層として、燐をイオン注入し
て、ｎ型ソースドレイン領域７を形成する。次いでレジ
スト（図示せず）を除去する。同様に通常のフォトリソ
グラフィー技術を利用し、レジスト（図示せず）、ゲー
ト電極11及びトレンチ埋め込み酸化膜（４、５）をマス
ク層として、硼素をイオン注入して、ｐ型ソースドレイ
ン領域９を形成する。次いでレジスト（図示せず）を除
去する。次いで不要部のゲート酸化膜８をエッチング除
去する。次いで露出したｐ- 型の第１のシリコン基板１
に15nm程度の下地酸化膜を12を成長する。次いで化学気
相成長酸化膜を成長し、異方性ドライエッチングして、
ゲート電極11の側壁に幅0.15μm程度のサイドウオール1
3を形成する。次いで露出したｐ- 型の第１のシリコン
基板１に15nm程度のイオン注入用の酸化膜（図示せず）
を成長する。次いで通常のフォトリソグラフィー技術を
利用し、レジスト（図示せず）、ゲート電極11、サイド
ウオール13及びトレンチ埋め込み酸化膜（４、５）をマ
スク層として、砒素をイオン注入して、ｎ+ 型ソースド
レイン領域及びｎ+ 型不純物ウエルコンタクト領域６を
形成する。次いでレジスト（図示せず）を除去する。同
様に通常のフォトリソグラフィー技術を利用し、レジス
ト（図示せず）、ゲート電極11、サイドウオール13及び
トレンチ埋め込み酸化膜（４、５）をマスク層として、
硼素をイオン注入して、ｐ+ 型ソースドレイン領域及び
ｐ+ 型不純物ウエルコンタクト領域８を形成する。次い
でレジスト（図示せず）を除去する。次いでイオン注入
用の酸化膜（図示せず）をエッチング除去する。次いで
露出したｐ- 型の第１のシリコン基板１に30nm程度の不
純物ブロック用酸化膜14を成長する。 図６ 次いで化学気相成長により、硼素を含む燐珪酸ガラス
（BPSG）膜を成長する。次いで化学機械研磨（ＣＭＰ）
により平坦化された１μm程度のＢＰＳＧ膜15を形成す
る。次いで熱処理をおこない不純物拡散領域の活性化及
び深さを制御する。次いで通常のフォトリソグラフィー
技術を利用し、レジスト（図示せず）をマスク層とし
て、ＢＰＳＧ膜15を異方性ドライエッチングして電極コ
ンタクト窓を開孔する。次いでスパッタにより、バリア
メタルとなるTi、TiN 16を順次成長する。次いで化学気
相成長のブランケット法により全面にＷを成長し、異方
性ドライエッチングして埋め込みＷプラグ17を形成す
る。 図７ 次いでスパッタにより、高融点金属配線となるＷを0.5
μm 程度成長する。次いで通常のフォトリソグラフィー
技術を利用し、レジスト（図示せず）をマスク層とし
て、Ｗを異方性ドライエッチングしてＷ配線18を形成す
る。次いで化学気相成長により、酸化膜を成長する。次
いで化学機械研磨（ＣＭＰ）により平坦化された１μm
程度の層間絶縁膜兼貼り合わせ用酸化膜19を形成する。
次いで通常のフォトリソグラフィー技術を利用し、レジ
スト（図示せず）をマスク層として、貼り合わせ用酸化
膜19、ＢＰＳＧ膜15、不純物ブロック用酸化膜14及びｐ
-型の第１のシリコン基板１を順次エッチングし、ＳＯ
Ｉ基板の位置合わせパターンとなる貫通孔20を形成す
る。（この貫通孔の形成の際の位置合わせはＷ配線18を
形成する際に形成された位置合わせパターンに位置合わ
せして形成される。上記実施例においては貫通孔の形成
はエッチングによったが、レーザー等により形成しても
差し支えないし、また貫通孔の形成工程はｐ- 型の第１
のシリコン基板１に素子を形成して後おこなったが、ｐ
- 型の第１のシリコン基板１に素子を形成する前であっ
ても良い。） 図８ 次いでｐ- 型の第２のシリコン基板21に20nm程度の酸化
膜（図示せず）を成長する。次いで水素をイオン注入し
て、Ｈ埋め込み層を形成する。次いでｐ- 型の第１のシ
リコン基板１上にＨ埋め込み層を形成した方を下にして
ｐ- 型の第２のシリコン基板21を重ね、１０００°Ｃ程
度のアニールを加えることにより、Ｈ埋め込み層のＨが
発泡して分離した薄層のｐ- 型の第２のシリコン基板21
がｐ- 型の第１のシリコン基板１上に貼り合わせられ
る。 図９ 次いで凹凸状になったｐ- 型の第２のシリコン基板21の
表面を化学機械研磨（ＣＭＰ）により研磨し、0.1μm
程度の膜厚の平坦なｐ- 型の第２のシリコン基板21を形
成する。次いでｐ- 型の第２のシリコン基板21によって
塞がれたｐ- 型の第１のシリコン基板１に形成された貫
通孔を、ｐ- 型の第１のシリコン基板１の裏面からｐ-
型の第２のシリコン基板21を異方性のドライエッチング
することにより貫通し、ｐ- 型の第２のシリコン基板21
の表面に位置合わせ用の貫通孔20を形成する。次いで通
常のフォトリソグラフィー技術を利用し、この貫通孔20
に直接位置合わせして、レジスト（図示せず）を開孔
し、レジスト（図示せず）をマスク層として、ｐ- 型の
第２のシリコン基板21（ＳＯＩ基体）を選択的にエッチ
ングし、素子分離領域形成用トレンチ23を形成する。次
いでレジスト（図示せず）を除去する。次いで化学気相
成長酸化膜を成長し、異方性ドライエッチングして、素
子分離領域形成用トレンチ23に埋め込む。次いで露出し
たｐ- 型の第２のシリコン基板21（ＳＯＩ基体）に15nm
程度のイオン注入用の酸化膜（図示せず）を成長する。
次いで通常のフォトリソグラフィー技術を利用し、レジ
スト（図示せず）及び酸化膜が埋め込まれた素子分離領
域形成用トレンチ23をマスク層として、燐をイオン注入
して、ｐ- 型の第２のシリコン基板21（ＳＯＩ基体）の
一部をｎ型の第２のシリコン基板22（ＳＯＩ基体）に変
換する。次いでイオン注入用の酸化膜をエッチング除去
する。次いで露出したｐ- 型の第２のシリコン基板21
（ＳＯＩ基体）及びｎ型化された第２のシリコン基板22
（ＳＯＩ基体）に５nm程度のゲート酸化膜28を成長す
る。次いで化学気相成長により、100 nm程度の不純物を
含む多結晶シリコン膜及び100 nm程度のタングステン膜
を順次成長する。次いで通常のフォトリソグラフィー技
術を利用し、レジスト（図示せず）をマスク層として、
タングステン膜及び多結晶シリコン膜を順次異方性ドラ
イエッチングし、ゲート電極29を形成する。次いでレジ
スト（図示せず）を除去する。（貫通孔部の側壁にも化
学気相成長酸化膜23、ゲート酸化膜28、多結晶シリコン
膜及びタングステン膜は成長するが実際の貫通孔は幅数
μm〜十数μmもあるため図面では省略して書いてある。
たとえプロセスの中途段階で貫通孔が埋まってしまって
も素子分離領域のトレンチを形成する段階では必ず貫通
孔が形成されているので位置合わせには何ら支障はな
い。） 図10 次いで通常のフォトリソグラフィー技術を利用し、レジ
スト（図示せず）、ゲート電極29及びトレンチ埋め込み
酸化膜23をマスク層として、燐をイオン注入して、ｎ型
ソースドレイン領域25を形成する。次いでレジスト（図
示せず）を除去する。同様に通常のフォトリソグラフィ
ー技術を利用し、レジスト（図示せず）、ゲート電極29
及びトレンチ埋め込み酸化膜23をマスク層として、硼素
をイオン注入して、ｐ型ソースドレイン領域27を形成す
る。次いでレジスト（図示せず）を除去する。次いで不
要部のゲート酸化膜28をエッチング除去する。次いで露
出したｐ- 型の第２のシリコン基板21（ＳＯＩ基体）及
びｎ型化された第２のシリコン基板22（ＳＯＩ基体）に
15nm程度の下地酸化膜を30を成長する。次いで化学気相
成長酸化膜を成長し、異方性ドライエッチングして、ゲ
ート電極29の側壁に幅0.1μm 程度のサイドウオール31
を形成する。次いで露出したｐ- 型の第２のシリコン基
板21（ＳＯＩ基体）及びｎ型化された第２のシリコン基
板22（ＳＯＩ基体）に15nm程度のイオン注入用の酸化膜
（図示せず）を成長する。次いで通常のフォトリソグラ
フィー技術を利用し、レジスト（図示せず）、ゲート電
極29、サイドウオール31及びトレンチ埋め込み酸化膜23
をマスク層として、砒素をイオン注入して、ｎ+ 型ソー
スドレイン領域24を形成する。次いでレジスト（図示せ
ず）を除去する。同様に通常のフォトリソグラフィー技
術を利用し、レジスト（図示せず）、ゲート電極29、サ
イドウオール31及びトレンチ埋め込み酸化膜23をマスク
層として、硼素をイオン注入して、ｐ+ 型ソースドレイ
ン領域26を形成する。次いでレジスト（図示せず）を除
去する。次いでイオン注入用の酸化膜（図示せず）をエ
ッチング除去する。次いで露出したｐ- 型の第２のシリ
コン基板21（ＳＯＩ基体）及びｎ型化された第２のシリ
コン基板22（ＳＯＩ基体）に20nm程度の不純物ブロック
用酸化膜32を成長する。 図11 次いで化学気相成長により、硼素を含む燐珪酸ガラス
（BPSG）膜を成長する。次いで化学機械研磨（ＣＭＰ）
により平坦化された１μm程度のＢＰＳＧ膜33を形成す
る。次いで熱処理をおこない不純物拡散領域の活性化及
び深さを制御する。次いで通常のフォトリソグラフィー
技術を利用し、レジスト（図示せず）をマスク層とし
て、ＢＰＳＧ膜33を異方性ドライエッチングして電極コ
ンタクト窓を開孔する。（段差は異なるが配線体上もＳ
ＯＩ基体上も同時開孔が可能である。）次いでスパッタ
により、バリアメタルとなるTi、TiN 34を順次成長す
る。次いで化学気相成長のブランケット法により全面に
Ｗを成長し、異方性ドライエッチングして埋め込みＷプ
ラグ35を形成する。 図１ 次いでスパッタにより、バリアメタルとなるTi、TiN 36
を順次成長する。次いでスパッタにより、低融点金属配
線となるAl（数％のCuを含む）を0.8μm 程度成長す
る。次いで通常のフォトリソグラフィー技術を利用し、
レジスト（図示せず）をマスク層として、Al（数％のCu
を含む）を異方性ドライエッチングしてAlCu配線37を形
成する。
の一実施例について図４〜図11及び図１を参照して説明
する。ただし、ここでは本発明の半導体装置の形成に関
する製造方法のみを記述し、一般の半導体集積回路に搭
載される各種の素子（他のトランジスタ、抵抗、容量
等）の形成に関する製造方法の記述は省略することにす
る。 図４ ｐ- 型の第１のシリコン基板１に20nm程度の酸化膜（図
示せず）を成長する。次いで通常のフォトリソグラフィ
ー技術を利用し、第１のレジスト（図示せず）をマスク
層として、酸化膜を選択的にエッチングする。次いで露
出したｐ- 型シリコン基板１を１μm程度エッチング
し、素子分離領域形成用トレンチ５及び不純物ウエル領
域分離用のトレンチ４の一部を形成する。次いで第１の
レジスト（図示せず）上に不純物ウエル領域分離用のト
レンチ４上のみ窓開きした第２のレジスト（図示せず）
を形成し、第１のレジスト（図示せず）及び第２のレジ
スト（図示せず）をマスク層として、露出したｐ- 型シ
リコン基板１をさらに２μm程度エッチングし、不純物
ウエル領域分離用のトレンチ４を完成する。次いで第２
のレジスト（図示せず）及び第１のレジスト（図示せ
ず）を除去する。次いで化学気相成長酸化膜を成長し、
異方性ドライエッチングして、素子分離領域形成用トレ
ンチ５及び不純物ウエル領域分離用のトレンチ４に埋め
込む。次いで露出したｐ- 型の第１のシリコン基板１に
15nm程度のイオン注入用の酸化膜（図示せず）を成長す
る。次いで通常のフォトリソグラフィー技術を利用し、
レジスト（図示せず）及びトレンチ埋め込み酸化膜
（４、５）をマスク層として、燐をイオン注入する。次
いでレジスト（図示せず）を除去する。同様に通常のフ
ォトリソグラフィー技術を利用し、レジスト（図示せ
ず）及びトレンチ埋め込み酸化膜（４、５）をマスク層
として、硼素をイオン注入する。次いでレジスト（図示
せず）を除去する。次いで高温でランニングし、ｐ型不
純物ウエル領域２及びｎ型不純物ウエル領域３を形成す
る。次いでイオン注入用の酸化膜（図示せず）をエッチ
ング除去する。次いで露出したｐ- 型の第１のシリコン
基板１に８nm程度のゲート酸化膜10を成長する。次いで
化学気相成長により、100 nm程度の不純物を含む多結晶
シリコン膜及び100 nm程度のタングステン膜を順次成長
する。次いで通常のフォトリソグラフィー技術を利用
し、レジスト（図示せず）をマスク層として、タングス
テン膜及び多結晶シリコン膜を順次異方性ドライエッチ
ングし、ゲート電極11を形成する。次いでレジスト（図
示せず）を除去する。 図５ 次いで通常のフォトリソグラフィー技術を利用し、レジ
スト（図示せず）、ゲート電極11及びトレンチ埋め込み
酸化膜（４、５）をマスク層として、燐をイオン注入し
て、ｎ型ソースドレイン領域７を形成する。次いでレジ
スト（図示せず）を除去する。同様に通常のフォトリソ
グラフィー技術を利用し、レジスト（図示せず）、ゲー
ト電極11及びトレンチ埋め込み酸化膜（４、５）をマス
ク層として、硼素をイオン注入して、ｐ型ソースドレイ
ン領域９を形成する。次いでレジスト（図示せず）を除
去する。次いで不要部のゲート酸化膜８をエッチング除
去する。次いで露出したｐ- 型の第１のシリコン基板１
に15nm程度の下地酸化膜を12を成長する。次いで化学気
相成長酸化膜を成長し、異方性ドライエッチングして、
ゲート電極11の側壁に幅0.15μm程度のサイドウオール1
3を形成する。次いで露出したｐ- 型の第１のシリコン
基板１に15nm程度のイオン注入用の酸化膜（図示せず）
を成長する。次いで通常のフォトリソグラフィー技術を
利用し、レジスト（図示せず）、ゲート電極11、サイド
ウオール13及びトレンチ埋め込み酸化膜（４、５）をマ
スク層として、砒素をイオン注入して、ｎ+ 型ソースド
レイン領域及びｎ+ 型不純物ウエルコンタクト領域６を
形成する。次いでレジスト（図示せず）を除去する。同
様に通常のフォトリソグラフィー技術を利用し、レジス
ト（図示せず）、ゲート電極11、サイドウオール13及び
トレンチ埋め込み酸化膜（４、５）をマスク層として、
硼素をイオン注入して、ｐ+ 型ソースドレイン領域及び
ｐ+ 型不純物ウエルコンタクト領域８を形成する。次い
でレジスト（図示せず）を除去する。次いでイオン注入
用の酸化膜（図示せず）をエッチング除去する。次いで
露出したｐ- 型の第１のシリコン基板１に30nm程度の不
純物ブロック用酸化膜14を成長する。 図６ 次いで化学気相成長により、硼素を含む燐珪酸ガラス
（BPSG）膜を成長する。次いで化学機械研磨（ＣＭＰ）
により平坦化された１μm程度のＢＰＳＧ膜15を形成す
る。次いで熱処理をおこない不純物拡散領域の活性化及
び深さを制御する。次いで通常のフォトリソグラフィー
技術を利用し、レジスト（図示せず）をマスク層とし
て、ＢＰＳＧ膜15を異方性ドライエッチングして電極コ
ンタクト窓を開孔する。次いでスパッタにより、バリア
メタルとなるTi、TiN 16を順次成長する。次いで化学気
相成長のブランケット法により全面にＷを成長し、異方
性ドライエッチングして埋め込みＷプラグ17を形成す
る。 図７ 次いでスパッタにより、高融点金属配線となるＷを0.5
μm 程度成長する。次いで通常のフォトリソグラフィー
技術を利用し、レジスト（図示せず）をマスク層とし
て、Ｗを異方性ドライエッチングしてＷ配線18を形成す
る。次いで化学気相成長により、酸化膜を成長する。次
いで化学機械研磨（ＣＭＰ）により平坦化された１μm
程度の層間絶縁膜兼貼り合わせ用酸化膜19を形成する。
次いで通常のフォトリソグラフィー技術を利用し、レジ
スト（図示せず）をマスク層として、貼り合わせ用酸化
膜19、ＢＰＳＧ膜15、不純物ブロック用酸化膜14及びｐ
-型の第１のシリコン基板１を順次エッチングし、ＳＯ
Ｉ基板の位置合わせパターンとなる貫通孔20を形成す
る。（この貫通孔の形成の際の位置合わせはＷ配線18を
形成する際に形成された位置合わせパターンに位置合わ
せして形成される。上記実施例においては貫通孔の形成
はエッチングによったが、レーザー等により形成しても
差し支えないし、また貫通孔の形成工程はｐ- 型の第１
のシリコン基板１に素子を形成して後おこなったが、ｐ
- 型の第１のシリコン基板１に素子を形成する前であっ
ても良い。） 図８ 次いでｐ- 型の第２のシリコン基板21に20nm程度の酸化
膜（図示せず）を成長する。次いで水素をイオン注入し
て、Ｈ埋め込み層を形成する。次いでｐ- 型の第１のシ
リコン基板１上にＨ埋め込み層を形成した方を下にして
ｐ- 型の第２のシリコン基板21を重ね、１０００°Ｃ程
度のアニールを加えることにより、Ｈ埋め込み層のＨが
発泡して分離した薄層のｐ- 型の第２のシリコン基板21
がｐ- 型の第１のシリコン基板１上に貼り合わせられ
る。 図９ 次いで凹凸状になったｐ- 型の第２のシリコン基板21の
表面を化学機械研磨（ＣＭＰ）により研磨し、0.1μm
程度の膜厚の平坦なｐ- 型の第２のシリコン基板21を形
成する。次いでｐ- 型の第２のシリコン基板21によって
塞がれたｐ- 型の第１のシリコン基板１に形成された貫
通孔を、ｐ- 型の第１のシリコン基板１の裏面からｐ-
型の第２のシリコン基板21を異方性のドライエッチング
することにより貫通し、ｐ- 型の第２のシリコン基板21
の表面に位置合わせ用の貫通孔20を形成する。次いで通
常のフォトリソグラフィー技術を利用し、この貫通孔20
に直接位置合わせして、レジスト（図示せず）を開孔
し、レジスト（図示せず）をマスク層として、ｐ- 型の
第２のシリコン基板21（ＳＯＩ基体）を選択的にエッチ
ングし、素子分離領域形成用トレンチ23を形成する。次
いでレジスト（図示せず）を除去する。次いで化学気相
成長酸化膜を成長し、異方性ドライエッチングして、素
子分離領域形成用トレンチ23に埋め込む。次いで露出し
たｐ- 型の第２のシリコン基板21（ＳＯＩ基体）に15nm
程度のイオン注入用の酸化膜（図示せず）を成長する。
次いで通常のフォトリソグラフィー技術を利用し、レジ
スト（図示せず）及び酸化膜が埋め込まれた素子分離領
域形成用トレンチ23をマスク層として、燐をイオン注入
して、ｐ- 型の第２のシリコン基板21（ＳＯＩ基体）の
一部をｎ型の第２のシリコン基板22（ＳＯＩ基体）に変
換する。次いでイオン注入用の酸化膜をエッチング除去
する。次いで露出したｐ- 型の第２のシリコン基板21
（ＳＯＩ基体）及びｎ型化された第２のシリコン基板22
（ＳＯＩ基体）に５nm程度のゲート酸化膜28を成長す
る。次いで化学気相成長により、100 nm程度の不純物を
含む多結晶シリコン膜及び100 nm程度のタングステン膜
を順次成長する。次いで通常のフォトリソグラフィー技
術を利用し、レジスト（図示せず）をマスク層として、
タングステン膜及び多結晶シリコン膜を順次異方性ドラ
イエッチングし、ゲート電極29を形成する。次いでレジ
スト（図示せず）を除去する。（貫通孔部の側壁にも化
学気相成長酸化膜23、ゲート酸化膜28、多結晶シリコン
膜及びタングステン膜は成長するが実際の貫通孔は幅数
μm〜十数μmもあるため図面では省略して書いてある。
たとえプロセスの中途段階で貫通孔が埋まってしまって
も素子分離領域のトレンチを形成する段階では必ず貫通
孔が形成されているので位置合わせには何ら支障はな
い。） 図10 次いで通常のフォトリソグラフィー技術を利用し、レジ
スト（図示せず）、ゲート電極29及びトレンチ埋め込み
酸化膜23をマスク層として、燐をイオン注入して、ｎ型
ソースドレイン領域25を形成する。次いでレジスト（図
示せず）を除去する。同様に通常のフォトリソグラフィ
ー技術を利用し、レジスト（図示せず）、ゲート電極29
及びトレンチ埋め込み酸化膜23をマスク層として、硼素
をイオン注入して、ｐ型ソースドレイン領域27を形成す
る。次いでレジスト（図示せず）を除去する。次いで不
要部のゲート酸化膜28をエッチング除去する。次いで露
出したｐ- 型の第２のシリコン基板21（ＳＯＩ基体）及
びｎ型化された第２のシリコン基板22（ＳＯＩ基体）に
15nm程度の下地酸化膜を30を成長する。次いで化学気相
成長酸化膜を成長し、異方性ドライエッチングして、ゲ
ート電極29の側壁に幅0.1μm 程度のサイドウオール31
を形成する。次いで露出したｐ- 型の第２のシリコン基
板21（ＳＯＩ基体）及びｎ型化された第２のシリコン基
板22（ＳＯＩ基体）に15nm程度のイオン注入用の酸化膜
（図示せず）を成長する。次いで通常のフォトリソグラ
フィー技術を利用し、レジスト（図示せず）、ゲート電
極29、サイドウオール31及びトレンチ埋め込み酸化膜23
をマスク層として、砒素をイオン注入して、ｎ+ 型ソー
スドレイン領域24を形成する。次いでレジスト（図示せ
ず）を除去する。同様に通常のフォトリソグラフィー技
術を利用し、レジスト（図示せず）、ゲート電極29、サ
イドウオール31及びトレンチ埋め込み酸化膜23をマスク
層として、硼素をイオン注入して、ｐ+ 型ソースドレイ
ン領域26を形成する。次いでレジスト（図示せず）を除
去する。次いでイオン注入用の酸化膜（図示せず）をエ
ッチング除去する。次いで露出したｐ- 型の第２のシリ
コン基板21（ＳＯＩ基体）及びｎ型化された第２のシリ
コン基板22（ＳＯＩ基体）に20nm程度の不純物ブロック
用酸化膜32を成長する。 図11 次いで化学気相成長により、硼素を含む燐珪酸ガラス
（BPSG）膜を成長する。次いで化学機械研磨（ＣＭＰ）
により平坦化された１μm程度のＢＰＳＧ膜33を形成す
る。次いで熱処理をおこない不純物拡散領域の活性化及
び深さを制御する。次いで通常のフォトリソグラフィー
技術を利用し、レジスト（図示せず）をマスク層とし
て、ＢＰＳＧ膜33を異方性ドライエッチングして電極コ
ンタクト窓を開孔する。（段差は異なるが配線体上もＳ
ＯＩ基体上も同時開孔が可能である。）次いでスパッタ
により、バリアメタルとなるTi、TiN 34を順次成長す
る。次いで化学気相成長のブランケット法により全面に
Ｗを成長し、異方性ドライエッチングして埋め込みＷプ
ラグ35を形成する。 図１ 次いでスパッタにより、バリアメタルとなるTi、TiN 36
を順次成長する。次いでスパッタにより、低融点金属配
線となるAl（数％のCuを含む）を0.8μm 程度成長す
る。次いで通常のフォトリソグラフィー技術を利用し、
レジスト（図示せず）をマスク層として、Al（数％のCu
を含む）を異方性ドライエッチングしてAlCu配線37を形
成する。
【００１１】以上実施例に示したように、本発明の半導
体装置によれば、第１の半導体基板上に絶縁膜を介して
貼り合わせられた第２の半導体基板（ＳＯＩ基体）を有
する半導体集積回路において、第１の半導体基板から第
２の半導体基板を貫通する貫通孔を設けこの貫通孔を位
置合わせパターンとして利用することにより、第１の半
導体基板に形成した素子及び配線体に整合して第２の半
導体基板（ＳＯＩ基体）に素子及び配線体を形成し、し
かもそれらを電気的に接続できるため、高速、低電力且
つ高集積な３次元構造の半導体集積回路を得ることが可
能である。なお、本実施例には示していないが、本実施
例の第２の半導体基板（ＳＯＩ基体）上に絶縁膜を介し
て第３の半導体基板（ＳＯＩ基体）を貼り合わせ、第１
及び第２の半導体基板を貫通した貫通孔をさらに第３の
半導体基板（ＳＯＩ基体）をも貫通させた貫通孔を形成
すればこれに位置合わせして、第３の半導体基板（ＳＯ
Ｉ基体）にも下層の素子及び配線体に整合した素子及び
配線体を形成し、それらを電気的に接続することも可能
であり、３階建ての３次元ＳＯＩ型の半導体集積回路を
形成することも可能である。以下この技術を繰り返せば
何階建ての３次元ＳＯＩ型の半導体集積回路を形成する
ことも可能となる。
体装置によれば、第１の半導体基板上に絶縁膜を介して
貼り合わせられた第２の半導体基板（ＳＯＩ基体）を有
する半導体集積回路において、第１の半導体基板から第
２の半導体基板を貫通する貫通孔を設けこの貫通孔を位
置合わせパターンとして利用することにより、第１の半
導体基板に形成した素子及び配線体に整合して第２の半
導体基板（ＳＯＩ基体）に素子及び配線体を形成し、し
かもそれらを電気的に接続できるため、高速、低電力且
つ高集積な３次元構造の半導体集積回路を得ることが可
能である。なお、本実施例には示していないが、本実施
例の第２の半導体基板（ＳＯＩ基体）上に絶縁膜を介し
て第３の半導体基板（ＳＯＩ基体）を貼り合わせ、第１
及び第２の半導体基板を貫通した貫通孔をさらに第３の
半導体基板（ＳＯＩ基体）をも貫通させた貫通孔を形成
すればこれに位置合わせして、第３の半導体基板（ＳＯ
Ｉ基体）にも下層の素子及び配線体に整合した素子及び
配線体を形成し、それらを電気的に接続することも可能
であり、３階建ての３次元ＳＯＩ型の半導体集積回路を
形成することも可能である。以下この技術を繰り返せば
何階建ての３次元ＳＯＩ型の半導体集積回路を形成する
ことも可能となる。
【００１２】
【発明の効果】以上説明のように本発明によれば、第１
の半導体基板上に絶縁膜を介して貼り合わせられた第２
の半導体基板（ＳＯＩ基体）を有する半導体装置におい
て、第１の半導体基板から第２の半導体基板を貫通する
貫通孔を設け、この貫通孔を位置合わせパターンとして
利用することにより、第１の半導体基板に形成した素子
及び配線体に整合して第２の半導体基板（ＳＯＩ基体）
に素子及び配線体を形成し、しかもそれらを電気的に接
続できるため、ＳＯＩ基体に接合容量、ゲート容量等を
削減し、閾値電圧を低減したＭＩＳ電界効果トランジス
タを形成できることによる高速化及び低電力化を、ＳＯ
Ｉ基体及び半導体基板に素子及び配線体を形成できるこ
とによる高集積化を可能とすることができる。即ち、極
めて高集積、高速且つ低電力な３次元構造の半導体集積
回路の形成を可能とする半導体装置を得ることができ
る。
の半導体基板上に絶縁膜を介して貼り合わせられた第２
の半導体基板（ＳＯＩ基体）を有する半導体装置におい
て、第１の半導体基板から第２の半導体基板を貫通する
貫通孔を設け、この貫通孔を位置合わせパターンとして
利用することにより、第１の半導体基板に形成した素子
及び配線体に整合して第２の半導体基板（ＳＯＩ基体）
に素子及び配線体を形成し、しかもそれらを電気的に接
続できるため、ＳＯＩ基体に接合容量、ゲート容量等を
削減し、閾値電圧を低減したＭＩＳ電界効果トランジス
タを形成できることによる高速化及び低電力化を、ＳＯ
Ｉ基体及び半導体基板に素子及び配線体を形成できるこ
とによる高集積化を可能とすることができる。即ち、極
めて高集積、高速且つ低電力な３次元構造の半導体集積
回路の形成を可能とする半導体装置を得ることができ
る。
【図１】 本発明の半導体装置における第１の実施例の
模式側断面図
模式側断面図
【図２】 本発明の半導体装置における第２の実施例の
模式側断面図
模式側断面図
【図３】 本発明の半導体装置における第３の実施例の
模式側断面図
模式側断面図
【図４】 本発明の半導体装置における製造方法の一実
施例の工程断面図
施例の工程断面図
【図５】 本発明の半導体装置における製造方法の一実
施例の工程断面図
施例の工程断面図
【図６】 本発明の半導体装置における製造方法の一実
施例の工程断面図
施例の工程断面図
【図７】 本発明の半導体装置における製造方法の一実
施例の工程断面図
施例の工程断面図
【図８】 本発明の半導体装置における製造方法の一実
施例の工程断面図
施例の工程断面図
【図９】 本発明の半導体装置における製造方法の一実
施例の工程断面図
施例の工程断面図
【図１０】 本発明の半導体装置における製造方法の一
実施例の工程断面図
実施例の工程断面図
【図１１】 本発明の半導体装置における製造方法の一
実施例の工程断面図
実施例の工程断面図
【図１２】 従来の第１の半導体装置の模式側断面図
【図１３】 従来の第２の半導体装置の模式側断面図
１ ｐ- 型の第１のシリコン(Si)基板 ２ ｐ型不純物ウエル領域 ３ ｎ型不純物ウエル領域 ４ ｐ型及びｎ型不純物ウエル領域分離用のトレンチ及
び埋め込み酸化膜 ５ 素子分離領域形成用トレンチ及び埋め込み酸化膜 ６ 第１のｎ+ 型ソースドレイン領域及びｎ+ 型不純物
ウエルコンタクト領域 ７ 第１のｎ型ソースドレイン領域 ８ 第１のｐ+ 型ソースドレイン領域及びｐ+ 型不純物
ウエルコンタクト領域 ９ 第１のｐ型ソースドレイン領域 10 第１のゲート酸化膜 11 第１のゲート電極（polySi／Ｗ） 12 下地酸化膜 13 サイドウオール 14 不純物ブロック用酸化膜 15 硼素入り燐珪酸ガラス（BPSG) 膜 16 バリアメタル（Ti／TiN ） 17 Ｗプラグ 18 高融点金属配線（Ｗ） 19 層間絶縁膜兼貼り合わせ用酸化膜 20 位置合わせ用の貫通孔 21 ｐ- 型の第２のシリコン基板（ＳＯＩ基体） 22 ｎ型化された第２のシリコン基板（ＳＯＩ基体） 23 素子分離領域形成用トレンチ及び埋め込み酸化膜 24 第２のｎ+ 型ソースドレイン領域 25 第２のｎ型ソースドレイン領域 26 第２のｐ+ 型ソースドレイン領域 27 第２のｐ型ソースドレイン領域 28 第２のゲート酸化膜 29 第２のゲート電極（polySi／Ｗ） 30 下地酸化膜 31 サイドウオール 32 不純物ブロック用酸化膜 33 硼素入り燐珪酸ガラス（BPSG) 膜 34 バリアメタル（Ti／TiN ） 35 Ｗプラグ 36 バリアメタル（Ti／TiN ） 37 低融点金属配線（AlCu） 38 キャパシタ絶縁膜（SiON） 39 電荷蓄積電極（TiN ） 40 バリアメタル（Ti／TiN ） 41 Ｗプラグ 42 ｐ型の第１のシリコン(Si)基板（セルプレート電
極） 43 バリアメタル（Ti／TiN ） 44 Ｗプラグ 45 コレクター電極（Ｗ） 46 バリアメタル（Ti／TiN ） 47 ｐ型の第１のシリコン(Si)基板（コレクター領域） 48 ｎ型ベース領域 49 ｎ+ 型ベースコンタクト領域 50 ｐ+ 型エミッター領域
び埋め込み酸化膜 ５ 素子分離領域形成用トレンチ及び埋め込み酸化膜 ６ 第１のｎ+ 型ソースドレイン領域及びｎ+ 型不純物
ウエルコンタクト領域 ７ 第１のｎ型ソースドレイン領域 ８ 第１のｐ+ 型ソースドレイン領域及びｐ+ 型不純物
ウエルコンタクト領域 ９ 第１のｐ型ソースドレイン領域 10 第１のゲート酸化膜 11 第１のゲート電極（polySi／Ｗ） 12 下地酸化膜 13 サイドウオール 14 不純物ブロック用酸化膜 15 硼素入り燐珪酸ガラス（BPSG) 膜 16 バリアメタル（Ti／TiN ） 17 Ｗプラグ 18 高融点金属配線（Ｗ） 19 層間絶縁膜兼貼り合わせ用酸化膜 20 位置合わせ用の貫通孔 21 ｐ- 型の第２のシリコン基板（ＳＯＩ基体） 22 ｎ型化された第２のシリコン基板（ＳＯＩ基体） 23 素子分離領域形成用トレンチ及び埋め込み酸化膜 24 第２のｎ+ 型ソースドレイン領域 25 第２のｎ型ソースドレイン領域 26 第２のｐ+ 型ソースドレイン領域 27 第２のｐ型ソースドレイン領域 28 第２のゲート酸化膜 29 第２のゲート電極（polySi／Ｗ） 30 下地酸化膜 31 サイドウオール 32 不純物ブロック用酸化膜 33 硼素入り燐珪酸ガラス（BPSG) 膜 34 バリアメタル（Ti／TiN ） 35 Ｗプラグ 36 バリアメタル（Ti／TiN ） 37 低融点金属配線（AlCu） 38 キャパシタ絶縁膜（SiON） 39 電荷蓄積電極（TiN ） 40 バリアメタル（Ti／TiN ） 41 Ｗプラグ 42 ｐ型の第１のシリコン(Si)基板（セルプレート電
極） 43 バリアメタル（Ti／TiN ） 44 Ｗプラグ 45 コレクター電極（Ｗ） 46 バリアメタル（Ti／TiN ） 47 ｐ型の第１のシリコン(Si)基板（コレクター領域） 48 ｎ型ベース領域 49 ｎ+ 型ベースコンタクト領域 50 ｐ+ 型エミッター領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 29/786 21/336 Ｆターム(参考） 5F033 HH09 HH19 JJ17 JJ18 JJ19 JJ25 JJ33 KK01 KK19 MM05 MM08 NN06 NN07 NN08 QQ09 QQ16 RR04 RR15 VV10 VV16 XX03 5F048 AA01 AB01 AC03 AC10 BA02 BA09 BB05 BB09 BC06 BC11 BE03 BF02 BF06 BF07 BF12 BF17 BG07 BG14 CB01 DA20 DA25 5F110 AA02 AA09 CC02 DD05 DD12 DD13 DD17 DD21 DD30 EE04 EE09 EE32 GG02 GG28 HL02 HL04 HL06 HL12 HM15 NN62 NN72 NN74 QQ04 QQ17 QQ19
Claims (4)
- 【請求項１】第１の半導体基板と、前記第１の半導体基
板の上面に設けられた第１の素子及び第１の配線層と、
前記第１の半導体基板の上面上に第１の絶縁膜を介して
貼り合わせられた第２の半導体基板と、前記第２の半導
体基板、前記第１の絶縁膜及び前記第１の半導体基板を
貫通した貫通孔（位置合わせ用パターン）と、前記第２
の半導体基板を島状に分離する第１のトレンチと、前記
第１のトレンチを埋め込んだ第２の絶縁膜と、前記第２
の絶縁膜及び前記第１の絶縁膜を選択的に貫通し、前記
第１の配線層に達した第２のトレンチと、前記第２のト
レンチを埋め込み、前記第２の半導体基板上面に導出し
た第２の配線層と、前記第２の半導体基板の上面に設け
られた第２の素子及び第３の配線層とを具備し、且つ前
記貫通孔（位置合わせ用パターン）により、前記第１の
素子及び前記第１の配線層に整合して、前記第１のトレ
ンチ、前記第２のトレンチ、前記第２の配線層、前記第
２の素子及び前記第３の配線層が設けられていることを
特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】前記第２の配線層が前記第３の配線層によ
り形成されていることを特徴とする特許請求の範囲請求
項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】前記第１の素子のチャネル長が前記第２の
素子のチャネル長より長く、且つ前記第１の配線層が高
融点金属あるいは高融点金属シリサイドからなり、前記
第３の配線層が低融点金属あるいは低融点金属シリサイ
ドからなることを特徴とする特許請求の範囲請求項１記
載の半導体装置。 - 【請求項４】第１の半導体基板に選択的に第１の素子及
び第１の配線層を形成する工程と、第１の絶縁膜を形成
する工程と、前記第１の絶縁膜及び前記第１の半導体基
板を貫通し、貫通孔の一部を形成する工程と、前記第１
の半導体基板上に前記第１の絶縁膜を介して第２の半導
体基板を貼り合わせる工程と、前記第２の半導体基板を
薄膜化する工程と、前記第２の半導体基板で塞がれた前
記貫通孔の一部を延長し、前記第２の半導体基板を貫通
し、貫通孔（位置合わせ用パターン）を形成する工程
と、前記貫通孔（位置合わせ用パターン）に位置合わせ
して、前記第２の半導体基板を選択的に島状に分離する
第１のトレンチを形成する工程と、前記第１のトレンチ
を埋め込む第２の絶縁膜を形成する工程と、前記第２の
半導体基板上面に選択的に第２の素子を形成する工程
と、選択的に前記第２の絶縁膜及び前記第１の絶縁膜を
貫通し、前記第１の配線層の一部を露出する第２のトレ
ンチを形成する工程と、前記第２のトレンチを埋め込む
第２の配線層を形成する工程と、選択的に前記第２の素
子及び前記第２の配線層に第３の配線層を形成する工程
とが含まれてなることを特徴とする半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34191099A JP2001160612A (ja) | 1999-12-01 | 1999-12-01 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34191099A JP2001160612A (ja) | 1999-12-01 | 1999-12-01 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001160612A true JP2001160612A (ja) | 2001-06-12 |
Family
ID=18349703
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34191099A Pending JP2001160612A (ja) | 1999-12-01 | 1999-12-01 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001160612A (ja) |
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