JP2001156044A - 処理装置及び処理方法 - Google Patents
処理装置及び処理方法Info
- Publication number
- JP2001156044A JP2001156044A JP33620699A JP33620699A JP2001156044A JP 2001156044 A JP2001156044 A JP 2001156044A JP 33620699 A JP33620699 A JP 33620699A JP 33620699 A JP33620699 A JP 33620699A JP 2001156044 A JP2001156044 A JP 2001156044A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ring magnet
- dipole ring
- shield plate
- processing
- magnetic field
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3266—Magnetic control means
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ダイポールリングマグネット（ＤＲＭ）を備
えた処理装置において、当該処理装置の近傍及び所定距
離離れた位置に対する漏れ磁場を十分低下させることの
できる処理装置や処理方法を提供する。 【解決手段】 プラズマ発生装置を備えた処理チャンバ
３の外周をダイポールリングマグネット（ＤＲＭ）４０
が回転する処理装置１において、前記ダイポールリング
マグネット４０の外周を覆う略円柱形のシールド板６０
を、前記ダイポールリングマグネット４０と同軸上で前
記ダイポールリングマグネット４０とは反対方向に回転
させることにより前記ダイポールリングマグネット４０
の外側に発生する漏洩磁場を打ち消す方向の磁場を形成
せしめ、それにより前記ダイポールリングマグネット４
０の外側に発生する漏洩磁場を相殺せしめる。
えた処理装置において、当該処理装置の近傍及び所定距
離離れた位置に対する漏れ磁場を十分低下させることの
できる処理装置や処理方法を提供する。 【解決手段】 プラズマ発生装置を備えた処理チャンバ
３の外周をダイポールリングマグネット（ＤＲＭ）４０
が回転する処理装置１において、前記ダイポールリング
マグネット４０の外周を覆う略円柱形のシールド板６０
を、前記ダイポールリングマグネット４０と同軸上で前
記ダイポールリングマグネット４０とは反対方向に回転
させることにより前記ダイポールリングマグネット４０
の外側に発生する漏洩磁場を打ち消す方向の磁場を形成
せしめ、それにより前記ダイポールリングマグネット４
０の外側に発生する漏洩磁場を相殺せしめる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、被処理基板に対し
て処理を施す処理装置や処理方法に係り、更に詳細に
は、強力な磁場の存在下に被処理基板に対して処理を施
す処理装置及び処理方法に関する。
て処理を施す処理装置や処理方法に係り、更に詳細に
は、強力な磁場の存在下に被処理基板に対して処理を施
す処理装置及び処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より半導体の製造工程において、ス
パッタリング処理やＣＶＤ処理などの処理を被処理基板
としてのシリコンウエハ（以下、単に「ウエハ」とい
う。）に施す処理装置が用いられている。これらの処理
装置では、処理チャンバ内を反応性の処理ガスで満たさ
れ、この処理ガスをプラズマ化してできるプラズマ雰囲
気下で処理チャンバ内のウエハ表面に所定の処理が行わ
れる。特に最近では半導体装置の集積度を向上させる要
望が強く、またウエハも大口径化が進んでいるため、微
細な処理を短時間で正確に施すことのできる処理装置が
望まれている。
パッタリング処理やＣＶＤ処理などの処理を被処理基板
としてのシリコンウエハ（以下、単に「ウエハ」とい
う。）に施す処理装置が用いられている。これらの処理
装置では、処理チャンバ内を反応性の処理ガスで満たさ
れ、この処理ガスをプラズマ化してできるプラズマ雰囲
気下で処理チャンバ内のウエハ表面に所定の処理が行わ
れる。特に最近では半導体装置の集積度を向上させる要
望が強く、またウエハも大口径化が進んでいるため、微
細な処理を短時間で正確に施すことのできる処理装置が
望まれている。
【０００３】そのため、特開平６−５３１７７号公報が
開示しているように、例えばエッチング装置では、複数
の異方性セグメント磁石を処理チャンバの外周に環状に
配置したダイポールリングマグネット（以下、「ダイポ
ールリングマグネット」を単に「ＤＲＭ」と略すことが
ある。）を備え、均一性の高い磁場を形成することで、
より均一なプラズマ雰囲気で処理を行うことのできるプ
ラズマ生成装置が提案されている。
開示しているように、例えばエッチング装置では、複数
の異方性セグメント磁石を処理チャンバの外周に環状に
配置したダイポールリングマグネット（以下、「ダイポ
ールリングマグネット」を単に「ＤＲＭ」と略すことが
ある。）を備え、均一性の高い磁場を形成することで、
より均一なプラズマ雰囲気で処理を行うことのできるプ
ラズマ生成装置が提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
なＤＲＭを備えたプラズマ生成装置を用いる場合にはＤ
ＲＭから発生する磁力線がプラズマ生成装置の周辺の機
器に影響を及ぼすため、磁力線の漏れ、即ち漏れ磁場を
少なくする必要がある。特に生産性を向上させるために
複数の処理ユニットを狭い空間に密集させた、いわゆる
マルチチャンバタイプの半導体製造装置では、処理ユニ
ット相互間の干渉を防ぐことが不可欠である。
なＤＲＭを備えたプラズマ生成装置を用いる場合にはＤ
ＲＭから発生する磁力線がプラズマ生成装置の周辺の機
器に影響を及ぼすため、磁力線の漏れ、即ち漏れ磁場を
少なくする必要がある。特に生産性を向上させるために
複数の処理ユニットを狭い空間に密集させた、いわゆる
マルチチャンバタイプの半導体製造装置では、処理ユニ
ット相互間の干渉を防ぐことが不可欠である。
【０００５】そのため、ＤＲＭの外側に磁気を遮蔽する
ためのシールド板を設けたり、漏れ磁場を相殺させるた
めのカウンター磁石などを配設する提案がなされている
が、漏れ磁場を十分低減させる迄には至っていないとい
う問題がある。
ためのシールド板を設けたり、漏れ磁場を相殺させるた
めのカウンター磁石などを配設する提案がなされている
が、漏れ磁場を十分低減させる迄には至っていないとい
う問題がある。
【０００６】本発明は上記従来の問題を解決するために
なされた発明である。即ち、本発明は、ＤＲＭを備えた
処理装置において、当該処理装置の周辺に対する漏れ磁
場を十分低下させることのできる処理装置や処理方法を
提供することを目的とする。
なされた発明である。即ち、本発明は、ＤＲＭを備えた
処理装置において、当該処理装置の周辺に対する漏れ磁
場を十分低下させることのできる処理装置や処理方法を
提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、被処理基板に
処理を行う処理チャンバと、前記処理チャンバ内にプラ
ズマを発生させる手段と、前記処理チャンバの外周に沿
って複数の磁石を円周上に配設してなり、一の方向に回
転するダイポールリングマグネットと、前記ダイポール
リングマグネットの外周を覆うシールド板と、前記シー
ルド板を前記ダイポールリングマグネットと同軸上で前
記ダイポールリングマグネットとは反対方向に回転させ
る手段と、を具備する。
処理を行う処理チャンバと、前記処理チャンバ内にプラ
ズマを発生させる手段と、前記処理チャンバの外周に沿
って複数の磁石を円周上に配設してなり、一の方向に回
転するダイポールリングマグネットと、前記ダイポール
リングマグネットの外周を覆うシールド板と、前記シー
ルド板を前記ダイポールリングマグネットと同軸上で前
記ダイポールリングマグネットとは反対方向に回転させ
る手段と、を具備する。
【０００８】上記処理装置において、前記回転させる手
段は、前記ダイポールリングマグネットの外周面に配設
された外歯歯車と、前記シールド板の内周面に内歯歯車
と、前記外歯歯車および内歯歯車と係合する小歯車と、
前記小歯車を駆動するモータと、からなるものが挙げら
れる。
段は、前記ダイポールリングマグネットの外周面に配設
された外歯歯車と、前記シールド板の内周面に内歯歯車
と、前記外歯歯車および内歯歯車と係合する小歯車と、
前記小歯車を駆動するモータと、からなるものが挙げら
れる。
【０００９】このように、モータで駆動されるピニオン
ギアのような前記小歯車を、前記外歯歯車と前記内歯歯
車との間に挟持した状態で係合する構成とすることによ
り、簡単な構造で前記ダイポールリングマグネットと前
記シールド板とを互いに逆向きに回転させることができ
る。
ギアのような前記小歯車を、前記外歯歯車と前記内歯歯
車との間に挟持した状態で係合する構成とすることによ
り、簡単な構造で前記ダイポールリングマグネットと前
記シールド板とを互いに逆向きに回転させることができ
る。
【００１０】また、本発明の他の処理装置は、被処理基
板に処理を行う処理チャンバと、前記処理チャンバ内に
プラズマを発生させる手段と、前記処理チャンバの外周
に沿って複数の磁石を円周上に配設してなり、前記円周
上を回転可能に支持されたダイポールリングマグネット
と、前記ダイポールリングマグネットを回転させる第１
のモータと、前記ダイポールリングマグネットの外周を
覆い、前記ダイポールリングマグネットと同軸上で回転
可能に支持されたシールド板と、前記シールド板を前記
ダイポールリングマグネットとは反対方向に回転させる
第２のモータと、前記第２のモータの回転数を制御する
手段と、を具備する。
板に処理を行う処理チャンバと、前記処理チャンバ内に
プラズマを発生させる手段と、前記処理チャンバの外周
に沿って複数の磁石を円周上に配設してなり、前記円周
上を回転可能に支持されたダイポールリングマグネット
と、前記ダイポールリングマグネットを回転させる第１
のモータと、前記ダイポールリングマグネットの外周を
覆い、前記ダイポールリングマグネットと同軸上で回転
可能に支持されたシールド板と、前記シールド板を前記
ダイポールリングマグネットとは反対方向に回転させる
第２のモータと、前記第２のモータの回転数を制御する
手段と、を具備する。
【００１１】このように前記ダイポールリングマグネッ
トと前記シールド板とを別々のモータで駆動することに
より、前記シールド板の回転数を前記ダイポールリング
マグネットとは別個に調節できるので、漏洩磁場を最も
有効に防止できる回転数に制御することができる。
トと前記シールド板とを別々のモータで駆動することに
より、前記シールド板の回転数を前記ダイポールリング
マグネットとは別個に調節できるので、漏洩磁場を最も
有効に防止できる回転数に制御することができる。
【００１２】また、前記シールド板の外部の所定位置の
磁場を検出するセンサを配設し、このセンサで検出した
磁場に基づいて前記シールド板を回転するモータ（第２
のモータ）の回転数を制御することもでき、それによ
り、漏洩磁場を最も効率よく防止できる。
磁場を検出するセンサを配設し、このセンサで検出した
磁場に基づいて前記シールド板を回転するモータ（第２
のモータ）の回転数を制御することもでき、それによ
り、漏洩磁場を最も効率よく防止できる。
【００１３】また、上記処理装置において、前記シール
ド板が、側面に複数の微細な貫通孔を備えていても良
い。
ド板が、側面に複数の微細な貫通孔を備えていても良
い。
【００１４】このように前記シールド板の側面に複数の
微細な貫通孔を穿孔することにより、シールド板面内を
円電流が流れやすくなるため、電磁誘導が起き易くな
り、磁場の漏れを効率よく防止することができる。
微細な貫通孔を穿孔することにより、シールド板面内を
円電流が流れやすくなるため、電磁誘導が起き易くな
り、磁場の漏れを効率よく防止することができる。
【００１５】本発明の処理方法は、被処理基板に処理を
施す処理チャンバの外周に、複数の磁石を円周上に配設
したダイポールリングマグネットを回転させながら前記
被処理基板にプラズマ処理を施す処理方法において、前
記ダイポールリングマグネットの外周を覆うシールド板
を前記ダイポールリングマグネットと同軸かつ反対方向
に回転させることにより磁場の漏洩を防止することを特
徴とする。
施す処理チャンバの外周に、複数の磁石を円周上に配設
したダイポールリングマグネットを回転させながら前記
被処理基板にプラズマ処理を施す処理方法において、前
記ダイポールリングマグネットの外周を覆うシールド板
を前記ダイポールリングマグネットと同軸かつ反対方向
に回転させることにより磁場の漏洩を防止することを特
徴とする。
【００１６】また、本発明の他の処理方法は、被処理基
板に処理を施す処理チャンバの外周に、複数の磁石を円
周上に配設したダイポールリングマグネットを回転させ
ると同時に、前記ダイポールリングマグネットの外周を
覆うシールド板を前記ダイポールリングマグネットとは
反対方向に回転させながら、前記被処理基板にプラズマ
処理を施す処理方法において、前記シールド板外の所定
位置で検出した磁場に基づいて、前記シールド板の回転
数を制御することにより磁場の漏洩を防止することを特
徴とする。
板に処理を施す処理チャンバの外周に、複数の磁石を円
周上に配設したダイポールリングマグネットを回転させ
ると同時に、前記ダイポールリングマグネットの外周を
覆うシールド板を前記ダイポールリングマグネットとは
反対方向に回転させながら、前記被処理基板にプラズマ
処理を施す処理方法において、前記シールド板外の所定
位置で検出した磁場に基づいて、前記シールド板の回転
数を制御することにより磁場の漏洩を防止することを特
徴とする。
【００１７】本発明では、ＤＲＭの外側にＤＲＭを覆う
円柱形のシールド板を配設し、回転するＤＲＭと同軸か
つ反対方向に回転するので、ＤＲＭから外側に向かう磁
力線に対して、大きさがほぼ同等で向きが反対の磁力線
を形成するような円電流がシールド板の各部に形成され
る。そのため、シールド板面から出る磁力線と前記ＤＲ
Ｍから出る磁力線とが相殺し、その結果、ＤＲＭから出
る漏れ磁場が消失する。
円柱形のシールド板を配設し、回転するＤＲＭと同軸か
つ反対方向に回転するので、ＤＲＭから外側に向かう磁
力線に対して、大きさがほぼ同等で向きが反対の磁力線
を形成するような円電流がシールド板の各部に形成され
る。そのため、シールド板面から出る磁力線と前記ＤＲ
Ｍから出る磁力線とが相殺し、その結果、ＤＲＭから出
る漏れ磁場が消失する。
【００１８】
【発明の実施の形態】（第１の実施の形態）以下、本発
明の第１の実施形態に係る処理装置について説明する。
図１は本実施形態に係る処理装置としてのエッチング装
置１の垂直断面を模式的に示した図である。このエッチ
ング装置１では、ウエハＷにエッチング処理を施す処理
チャンバ３が略中央に配設されており、この処理チャン
バ３の外側にＤＲＭ（ダイポールリングマグネット）４
０が配設され、更にＤＲＭ４０の外側にシールド板６０
が配設されている。
明の第１の実施形態に係る処理装置について説明する。
図１は本実施形態に係る処理装置としてのエッチング装
置１の垂直断面を模式的に示した図である。このエッチ
ング装置１では、ウエハＷにエッチング処理を施す処理
チャンバ３が略中央に配設されており、この処理チャン
バ３の外側にＤＲＭ（ダイポールリングマグネット）４
０が配設され、更にＤＲＭ４０の外側にシールド板６０
が配設されている。
【００１９】処理チャンバ３は酸化アルマイト処理され
たアルミニウムなどからなる円筒形に形成され、処理チ
ャンバ３内部の処理室２は気密かつ密閉可能な構造を備
えている。また処理チャンバ３自体は接地線４に接続す
るなどの方法により接地されている。
たアルミニウムなどからなる円筒形に形成され、処理チ
ャンバ３内部の処理室２は気密かつ密閉可能な構造を備
えている。また処理チャンバ３自体は接地線４に接続す
るなどの方法により接地されている。
【００２０】処理チャンバ３の底部にはセラミックなど
でできた絶縁支持板５が設けられており、この絶縁支持
板５の上部には、被処理基板として例えば直径１２イン
チのウエハＷを載置するための略円柱形のサセプタ６が
収容されている。このサセプタ６は、例えば酸化アルマ
イト処理されたアルミニウムからなり、プラズマを発生
させる手段としての下部電極を構成する。
でできた絶縁支持板５が設けられており、この絶縁支持
板５の上部には、被処理基板として例えば直径１２イン
チのウエハＷを載置するための略円柱形のサセプタ６が
収容されている。このサセプタ６は、例えば酸化アルマ
イト処理されたアルミニウムからなり、プラズマを発生
させる手段としての下部電極を構成する。
【００２１】サセプタ６は昇降可能な支持体７により支
持されており、処理チャンバ３の外に配設された昇降モ
ータ８などの駆動力により、図中上下方向に昇降可能で
ある。この図１はエッチングを行うときの位置を示して
おり、昇降モータ８によりサセプタ６は処理チャンバ３
側部下方に配設されている搬入出用のゲートバルブ９ま
で下降可能である。一方、支持体７の周囲には、気密性
を確保するためのベローズ１０が取り付けられている。
持されており、処理チャンバ３の外に配設された昇降モ
ータ８などの駆動力により、図中上下方向に昇降可能で
ある。この図１はエッチングを行うときの位置を示して
おり、昇降モータ８によりサセプタ６は処理チャンバ３
側部下方に配設されている搬入出用のゲートバルブ９ま
で下降可能である。一方、支持体７の周囲には、気密性
を確保するためのベローズ１０が取り付けられている。
【００２２】サセプタ６上には、ウエハＷを吸着保持す
るための静電チャック（図示省略）が配設されており、
ウエハＷはこの静電チャック上の所定の位置に載置され
る。
るための静電チャック（図示省略）が配設されており、
ウエハＷはこの静電チャック上の所定の位置に載置され
る。
【００２３】サセプタ６の上面外周縁には、導電性を備
えた環状のフォーカスリング１１が配設されている。こ
のフォーカスリング１１は、ウエハＷ周辺のプラズマ密
度の均一性を向上させる。
えた環状のフォーカスリング１１が配設されている。こ
のフォーカスリング１１は、ウエハＷ周辺のプラズマ密
度の均一性を向上させる。
【００２４】処理チャンバ３の底部には、例えばターボ
分子ポンプのような真空装置１２へと通じる排気管１３
が取りつけられており、この真空装置１２により、処理
チャンバ３内は所定の減圧状態、例えば１３３３ｍＰａ
（１０ｍＴｏｒｒ）にまで真空引きすることが出来る。
分子ポンプのような真空装置１２へと通じる排気管１３
が取りつけられており、この真空装置１２により、処理
チャンバ３内は所定の減圧状態、例えば１３３３ｍＰａ
（１０ｍＴｏｒｒ）にまで真空引きすることが出来る。
【００２５】上記のような処理チャンバ３内の排気や、
真空装置１２などによる処理チャンバ３内の減圧状態は
処理チャンバ３内に取り付けられた圧力センサ（図示省
略）の検出信号に基づいて自動的に制御される。
真空装置１２などによる処理チャンバ３内の減圧状態は
処理チャンバ３内に取り付けられた圧力センサ（図示省
略）の検出信号に基づいて自動的に制御される。
【００２６】処理チャンバ３内側の上部には、例えばア
ルミナ製の絶縁材２１を介して、プラズマを発生させる
手段としての上部電極２２が設けられている。この上部
電極２２は例えば酸化アルマイト処理されたアルミニウ
ムのような導電性材料でできており、少なくとも前記ウ
エハＷに対向する面２２ａは、例えば単結晶シリコンの
ような、高周波に対して導電性を有する材料で形成して
も良い。またこの上部電極２２は、その内部に中空部２
２ｂを有する中空構造であり、さらに上部電極２２の上
部中央にはガス導入口２３が設けられている。このガス
導入口２３は前記中空部２２ｂと通じている。そしてウ
エハＷの被処理面全体に均一に処理ガスを供給するた
め、多数の吐出口２２ｃが穿孔されている。
ルミナ製の絶縁材２１を介して、プラズマを発生させる
手段としての上部電極２２が設けられている。この上部
電極２２は例えば酸化アルマイト処理されたアルミニウ
ムのような導電性材料でできており、少なくとも前記ウ
エハＷに対向する面２２ａは、例えば単結晶シリコンの
ような、高周波に対して導電性を有する材料で形成して
も良い。またこの上部電極２２は、その内部に中空部２
２ｂを有する中空構造であり、さらに上部電極２２の上
部中央にはガス導入口２３が設けられている。このガス
導入口２３は前記中空部２２ｂと通じている。そしてウ
エハＷの被処理面全体に均一に処理ガスを供給するた
め、多数の吐出口２２ｃが穿孔されている。
【００２７】前記ガス導入口２３には、ガス導入管２４
が接続されており、このガス導入管２４には、バルブ２
５、流量調節のためのマスフローコントローラ（ＭＦ
Ｃ）２６を介して処理ガス供給源２７が接続されてい
る。本実施の形態では、処理ガス供給源２７から所定の
処理ガス、例えばＣＦ4ガスやＣ4Ｆ８ガスなどのＣＦ系
のエッチングガス等が供給されるようになっている。こ
のエッチングガスは、マスフローコントローラ２６で流
量が調節されて、前記上部電極２２の吐出口２２ｃか
ら、ウエハＷに対して均一に吐出されるようになってい
る。
が接続されており、このガス導入管２４には、バルブ２
５、流量調節のためのマスフローコントローラ（ＭＦ
Ｃ）２６を介して処理ガス供給源２７が接続されてい
る。本実施の形態では、処理ガス供給源２７から所定の
処理ガス、例えばＣＦ4ガスやＣ4Ｆ８ガスなどのＣＦ系
のエッチングガス等が供給されるようになっている。こ
のエッチングガスは、マスフローコントローラ２６で流
量が調節されて、前記上部電極２２の吐出口２２ｃか
ら、ウエハＷに対して均一に吐出されるようになってい
る。
【００２８】次に、このエッチング装置１の高周波電力
の供給系について説明する。
の供給系について説明する。
【００２９】下部電極となるサセプタ６に対しては、周
波数が１〜３ＭＨｚ程度、例えば２ＭＨｚの高周波電力
を出力する第１の高周波電源３１からの電力が、ブロッ
キングコンデンサなどを有する整合器３３を介して供給
される。一方、上部電極２２に対しては整合器３３を介
して、周波数が前記第１の高周波電源３１よりも高い１
ＭＨｚ以上の周波数、例えば２７．１２ＭＨｚの高周波
電力を出力する第２の高周波電源３４からの電力が供給
されるようになっている。
波数が１〜３ＭＨｚ程度、例えば２ＭＨｚの高周波電力
を出力する第１の高周波電源３１からの電力が、ブロッ
キングコンデンサなどを有する整合器３３を介して供給
される。一方、上部電極２２に対しては整合器３３を介
して、周波数が前記第１の高周波電源３１よりも高い１
ＭＨｚ以上の周波数、例えば２７．１２ＭＨｚの高周波
電力を出力する第２の高周波電源３４からの電力が供給
されるようになっている。
【００３０】前記処理チャンバ３の外周には、ダイポー
ルリングマグネット（ＤＲＭ）４０が配設されている。
図２は本実施形態に係るＤＲＭ４０の概略構成を示した
斜視図である。
ルリングマグネット（ＤＲＭ）４０が配設されている。
図２は本実施形態に係るＤＲＭ４０の概略構成を示した
斜視図である。
【００３１】このＤＲＭ４０は、図２に示したように、
円環状の回転ステージ４２の上に、円環状に配列された
３６個の円柱形のセグメント磁石Ｍ１〜Ｍ３６を有して
いる。これら各セグメント磁石Ｍ１〜Ｍ３６は同形同大
であり、回転ステージ４２に配置されるときは、後述す
るようにその着磁方向が異なった方向に向くように配置
されている。そして前記回転ステージ４２自体は、後述
するようにモータ４３や歯車４４，４５，６１などの歯
車列からなる伝達機構により処理チャンバ３の外周を同
軸上即ち同心円状に回転するようになっている。
円環状の回転ステージ４２の上に、円環状に配列された
３６個の円柱形のセグメント磁石Ｍ１〜Ｍ３６を有して
いる。これら各セグメント磁石Ｍ１〜Ｍ３６は同形同大
であり、回転ステージ４２に配置されるときは、後述す
るようにその着磁方向が異なった方向に向くように配置
されている。そして前記回転ステージ４２自体は、後述
するようにモータ４３や歯車４４，４５，６１などの歯
車列からなる伝達機構により処理チャンバ３の外周を同
軸上即ち同心円状に回転するようになっている。
【００３２】図３は本実施形態に係るセグメント磁石の
一つの概略構成を示した斜視図である。ＤＲＭ４０にお
いて、各セグメント磁石Ｍ１〜Ｍ３６は同形同大であ
る。例えばセグメント磁石Ｍ１について説明すると、こ
のセグメント磁石Ｍ１は全体として円柱形であり、磁化
させて磁石とするための同形同大の磁性材料５１，５２
の間に、例えば同形のアルミニウム材などからなる非磁
性体５３を挟持した構造を備えている。このように構成
された素材を磁化して、例えば図３の矢印に示したよう
な方向で磁性材料５１，５２を着磁させることによりセ
グメント磁石Ｍ１は構成されている。図中の矢印の先端
がＮ極を示しており、磁性材料５１，５２の着磁方向は
全く同一である。
一つの概略構成を示した斜視図である。ＤＲＭ４０にお
いて、各セグメント磁石Ｍ１〜Ｍ３６は同形同大であ
る。例えばセグメント磁石Ｍ１について説明すると、こ
のセグメント磁石Ｍ１は全体として円柱形であり、磁化
させて磁石とするための同形同大の磁性材料５１，５２
の間に、例えば同形のアルミニウム材などからなる非磁
性体５３を挟持した構造を備えている。このように構成
された素材を磁化して、例えば図３の矢印に示したよう
な方向で磁性材料５１，５２を着磁させることによりセ
グメント磁石Ｍ１は構成されている。図中の矢印の先端
がＮ極を示しており、磁性材料５１，５２の着磁方向は
全く同一である。
【００３３】図４は本実施形態に係るＤＲＭ４０の概略
構成を示した平面図である。
構成を示した平面図である。
【００３４】他のセグメント磁石Ｍ２〜Ｍ３６は、この
セグメント磁石Ｍ１と全く同一の構成である。そしてこ
の３６個の同一の着磁方向を持ったセグメント磁石を、
回転ステージ４２上に配置するときに、図４に示したよ
うに、回転ステージ４２上を１８０度ずれて半周する
と、セグメント磁石の着磁方向が元の方向に戻って一周
するように、各セグメント磁石Ｍ１〜Ｍ３６の着磁方向
が異なるように設定されている。
セグメント磁石Ｍ１と全く同一の構成である。そしてこ
の３６個の同一の着磁方向を持ったセグメント磁石を、
回転ステージ４２上に配置するときに、図４に示したよ
うに、回転ステージ４２上を１８０度ずれて半周する
と、セグメント磁石の着磁方向が元の方向に戻って一周
するように、各セグメント磁石Ｍ１〜Ｍ３６の着磁方向
が異なるように設定されている。
【００３５】例えば、図４に沿って説明すると、セグメ
ント磁石Ｍ１とセグメント磁石Ｍ１９とは同一の着磁方
向であり、本実施形態においては、セグメント磁石Ｍ１
〜Ｍ３６は、等角ずつ着磁方向がずれるように配設され
ている。なお、側面からみた場合、各セグメント磁石Ｍ
１〜Ｍ３６の着磁方向のＺ成分（垂直成分）は０であ
り、サセプタ６上のウエハＷと平行である。以上のよう
なセグメント磁石Ｍ１〜Ｍ３６の配置により処理チャン
バ３の磁場ベクトルは図４の太矢印に示した方向に向い
ている。
ント磁石Ｍ１とセグメント磁石Ｍ１９とは同一の着磁方
向であり、本実施形態においては、セグメント磁石Ｍ１
〜Ｍ３６は、等角ずつ着磁方向がずれるように配設され
ている。なお、側面からみた場合、各セグメント磁石Ｍ
１〜Ｍ３６の着磁方向のＺ成分（垂直成分）は０であ
り、サセプタ６上のウエハＷと平行である。以上のよう
なセグメント磁石Ｍ１〜Ｍ３６の配置により処理チャン
バ３の磁場ベクトルは図４の太矢印に示した方向に向い
ている。
【００３６】また、図１及び図５に示したように、回転
ステージ４２の外周面には平歯車の歯に相当する外歯歯
車面４５が形成されている。この外歯歯車面４５は前記
モータ４３の回転軸に取り付けられた小歯車としてのピ
ニオンギア４４と噛み合う形状を備えており、前記モー
タ４３の回転駆動力がこれらピニオンギア４４、外歯歯
車面４５を介してＤＲＭ４０に回転駆動力が伝達され
る。
ステージ４２の外周面には平歯車の歯に相当する外歯歯
車面４５が形成されている。この外歯歯車面４５は前記
モータ４３の回転軸に取り付けられた小歯車としてのピ
ニオンギア４４と噛み合う形状を備えており、前記モー
タ４３の回転駆動力がこれらピニオンギア４４、外歯歯
車面４５を介してＤＲＭ４０に回転駆動力が伝達され
る。
【００３７】次に、本実施形態の特徴である、シールド
板６０について説明する。図５は本実施形態に係る処理
チャンバ３、ＤＲＭ４０、及びシールド板６０相互間の
位置関係と取り付け状態を示した斜視図である。
板６０について説明する。図５は本実施形態に係る処理
チャンバ３、ＤＲＭ４０、及びシールド板６０相互間の
位置関係と取り付け状態を示した斜視図である。
【００３８】本実施形態に係るシールド板６０は図１及
び図５に示したように、円柱形の外観を備えており、前
記処理チャンバ３とその外側に配設されたＤＲＭ４０と
を更に外側から包含する直径と深さとを備えている。こ
のシールド板６０は、銅や鉄などの導電性材料の板材を
プレス加工などにより円柱形に加工したものであり、底
面部中央には配管２３を通すための貫通孔が穿孔され、
前記ＤＲＭと同軸上で回転可能に保持されている。ま
た、図１及び図５に示したように、シールド板６０の内
周面縁部に沿って内歯歯車面６１が形成されている。こ
の内歯歯車面６１は前記モータ４３の回転軸に取り付け
られたピニオンギア４４と噛み合う形状を備えており、
図１及び図５に示すように、シールド板６０と前記ＤＲ
Ｍ４０とはそれぞれ内歯歯車面６１、外歯歯車面４５を
介して前記ピニオンギア４４と係合している。そのた
め、図５中、矢印で示したように、モータ４３が回転す
ると、前記ＤＲＭ４０とシールド板６０とは互いに反対
方向に回転するようになっている。
び図５に示したように、円柱形の外観を備えており、前
記処理チャンバ３とその外側に配設されたＤＲＭ４０と
を更に外側から包含する直径と深さとを備えている。こ
のシールド板６０は、銅や鉄などの導電性材料の板材を
プレス加工などにより円柱形に加工したものであり、底
面部中央には配管２３を通すための貫通孔が穿孔され、
前記ＤＲＭと同軸上で回転可能に保持されている。ま
た、図１及び図５に示したように、シールド板６０の内
周面縁部に沿って内歯歯車面６１が形成されている。こ
の内歯歯車面６１は前記モータ４３の回転軸に取り付け
られたピニオンギア４４と噛み合う形状を備えており、
図１及び図５に示すように、シールド板６０と前記ＤＲ
Ｍ４０とはそれぞれ内歯歯車面６１、外歯歯車面４５を
介して前記ピニオンギア４４と係合している。そのた
め、図５中、矢印で示したように、モータ４３が回転す
ると、前記ＤＲＭ４０とシールド板６０とは互いに反対
方向に回転するようになっている。
【００３９】図６は本実施形態に係るエッチング装置の
磁場状態を示した垂直断面図である。
磁場状態を示した垂直断面図である。
【００４０】本実施形態に係るエッチング装置１の主要
部は以上のように構成されており、前述したようなＤＲ
Ｍ４０の配置により、ウエハＷを側面からＹ軸方向に向
ってみると、図６に示したように、ＤＲＭ４０が静止し
た状態においては、ウエハＷを含む平面に対してほぼ平
行な磁場が形成される。
部は以上のように構成されており、前述したようなＤＲ
Ｍ４０の配置により、ウエハＷを側面からＹ軸方向に向
ってみると、図６に示したように、ＤＲＭ４０が静止し
た状態においては、ウエハＷを含む平面に対してほぼ平
行な磁場が形成される。
【００４１】図７は本実施形態に係る処理チャンバ内の
Ｙ軸方向の磁場状態を図示したグラフである。
Ｙ軸方向の磁場状態を図示したグラフである。
【００４２】また同様にＤＲＭ４０が静止した状態にお
いては、図７に示したようにＹ軸上のＹ（＋）からＹ
（−）の方向に向って、ウエハＷの一端から他端にかけ
て磁場強度が次第に弱くなった傾斜磁場が形成されてい
る。この場合の磁場強度は、例えばウエハＷ上で最も強
い箇所である、ウエハＷのＹ（＋）方向の一端で例えば
約６００Ｇ（ガウス）、ウエハＷの中心（Ｃ）で約１２
０Ｇ（ガウス）程度となるように設定されている。
いては、図７に示したようにＹ軸上のＹ（＋）からＹ
（−）の方向に向って、ウエハＷの一端から他端にかけ
て磁場強度が次第に弱くなった傾斜磁場が形成されてい
る。この場合の磁場強度は、例えばウエハＷ上で最も強
い箇所である、ウエハＷのＹ（＋）方向の一端で例えば
約６００Ｇ（ガウス）、ウエハＷの中心（Ｃ）で約１２
０Ｇ（ガウス）程度となるように設定されている。
【００４３】次に、本実施形態に係るエッチング装置１
を用いて、例えばシリコンのウエハＷの酸化膜（ＳｉＯ
2）をエッチングする場合のプロセス、作用等について
説明する。
を用いて、例えばシリコンのウエハＷの酸化膜（ＳｉＯ
2）をエッチングする場合のプロセス、作用等について
説明する。
【００４４】エッチング装置１の側面には、ゲートバル
ブ９を介して、搬送アームなどのウエハ搬送手段等が収
容されているロードロック室（図示省略）が併設されて
おり、被処理基板であるウエハＷの処理チャンバ３内へ
の搬入出時には昇降モータ８の作動により、サセプタ６
が所定の受け渡し位置まで下降する。
ブ９を介して、搬送アームなどのウエハ搬送手段等が収
容されているロードロック室（図示省略）が併設されて
おり、被処理基板であるウエハＷの処理チャンバ３内へ
の搬入出時には昇降モータ８の作動により、サセプタ６
が所定の受け渡し位置まで下降する。
【００４５】次いで前記ロードロック室からウエハＷが
処理チャンバ３内に搬入され、静電チャック等の保持手
段によりサセプタ６上の所定位置に前記ウエハＷが載置
固定される。しかる後に昇降モータ８の作動によりサセ
プタ６が所定のエッチング処理位置（図１に示した位
置）まで上昇する。同時に処理チャンバ３内が真空引き
装置１２により真空引きされ、所定の減圧度になった
後、処理ガス供給源２７から所定の処理ガス、例えばＣ
Ｆ4が所定の流量で供給され、処理チャンバ３内の圧力
が所定の減圧度、例えば２６６６ｍＰａ（２０ｍｔｏｒ
ｒ）に設定、維持される。
処理チャンバ３内に搬入され、静電チャック等の保持手
段によりサセプタ６上の所定位置に前記ウエハＷが載置
固定される。しかる後に昇降モータ８の作動によりサセ
プタ６が所定のエッチング処理位置（図１に示した位
置）まで上昇する。同時に処理チャンバ３内が真空引き
装置１２により真空引きされ、所定の減圧度になった
後、処理ガス供給源２７から所定の処理ガス、例えばＣ
Ｆ4が所定の流量で供給され、処理チャンバ３内の圧力
が所定の減圧度、例えば２６６６ｍＰａ（２０ｍｔｏｒ
ｒ）に設定、維持される。
【００４６】次に上部電極２２に第２の高周波電源３４
から周波数が２７．１２ＭＨｚ、パワーが２ｋＷの高周
波電力が供給されると、処理チャンバ３内のエッチング
ガス、即ちＣＦ4ガスのガス分子が解離してプラズマ化
される。また同時にサセプタ６に対して第１の高周波電
源３１から周波数が２ＭＨｚ、パワーが１ｋＷの高周波
電力が供給される。
から周波数が２７．１２ＭＨｚ、パワーが２ｋＷの高周
波電力が供給されると、処理チャンバ３内のエッチング
ガス、即ちＣＦ4ガスのガス分子が解離してプラズマ化
される。また同時にサセプタ６に対して第１の高周波電
源３１から周波数が２ＭＨｚ、パワーが１ｋＷの高周波
電力が供給される。
【００４７】更にモータ４３の作動により回転ステージ
４２が回転し、それによりＤＲＭ４０が処理チャンバ３
の外周を回転すると、ウエハＷ上にこのウエハＷと平行
かつ均一な磁場、即ち前記した高周波電源によって形成
された電界と直交する方向に平行磁場が形成される。な
お、このモータ４３の回転によりシールド板６０もＤＲ
Ｍ４０と同軸上を反対方向に回転する。
４２が回転し、それによりＤＲＭ４０が処理チャンバ３
の外周を回転すると、ウエハＷ上にこのウエハＷと平行
かつ均一な磁場、即ち前記した高周波電源によって形成
された電界と直交する方向に平行磁場が形成される。な
お、このモータ４３の回転によりシールド板６０もＤＲ
Ｍ４０と同軸上を反対方向に回転する。
【００４８】ＤＲＭ４０の回転によってプラズマ中の電
子がドリフト運動を起こし、その結果、中性分子との衝
突によって更に解離が起こり、処理チャンバ３内のプラ
ズマ運動の密度はきわめて高いものになる。また、例え
ば、ドリフト運動を起こさない、バルク中の電子であっ
ても、前記磁場によってその拡散が抑えられる。従っ
て、かかる点からもプラズマ密度は高くなっている。
子がドリフト運動を起こし、その結果、中性分子との衝
突によって更に解離が起こり、処理チャンバ３内のプラ
ズマ運動の密度はきわめて高いものになる。また、例え
ば、ドリフト運動を起こさない、バルク中の電子であっ
ても、前記磁場によってその拡散が抑えられる。従っ
て、かかる点からもプラズマ密度は高くなっている。
【００４９】しかもウエハＷの一端から他端に移動する
に従って磁場強度が弱くなっているので、ドリフト運動
を起こした電子に対する前記拡散抑制効果は弱められ、
結果として端部での電子の集中は回避され、ウエハＷ上
に電子溜まりが生じることは無く、ウエハＷ上のプラズ
マ密度の均一性は良好となる。
に従って磁場強度が弱くなっているので、ドリフト運動
を起こした電子に対する前記拡散抑制効果は弱められ、
結果として端部での電子の集中は回避され、ウエハＷ上
に電子溜まりが生じることは無く、ウエハＷ上のプラズ
マ密度の均一性は良好となる。
【００５０】このようなプラズマ雰囲気の下で、それに
より生じた高密度のエッチャントイオンが、第１の高周
波電源３１からサセプタ６側に供給された相対的に低い
周波数の高周波（２ＭＨｚ）によってその入射エネルギ
ーが前記プラズマの生成過程とは独立に制御されつつ、
ウエハＷ表面のシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）をエッチン
グしていく。従って、ウエハＷにダメージを与えること
なく所定のエッチング処理を行うことが出来る。また、
高速のエッチングレートと面内均一性の高いエッチング
処理がウエハＷに対してなされる。
より生じた高密度のエッチャントイオンが、第１の高周
波電源３１からサセプタ６側に供給された相対的に低い
周波数の高周波（２ＭＨｚ）によってその入射エネルギ
ーが前記プラズマの生成過程とは独立に制御されつつ、
ウエハＷ表面のシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）をエッチン
グしていく。従って、ウエハＷにダメージを与えること
なく所定のエッチング処理を行うことが出来る。また、
高速のエッチングレートと面内均一性の高いエッチング
処理がウエハＷに対してなされる。
【００５１】このとき前記ＤＲＭ４０によって発生した
磁場は、処理チャンバ３外周の全方向にわたって漏洩し
ようとするが、ＤＲＭ４０の側面外周には、シールド板
６０が配設されており、しかもこのＤＲＭ４０と同軸上
かつ反対方向に向って回転している。そのため、このシ
ールド板６０からＤＲＭ４０に向って漏洩しようとする
磁場と逆向きの磁場が形成され、両方の磁場が相殺する
ので実際にシールド板６０から外周に向って漏洩する磁
場はほとんど形成されない。以下にその効果について説
明する。
磁場は、処理チャンバ３外周の全方向にわたって漏洩し
ようとするが、ＤＲＭ４０の側面外周には、シールド板
６０が配設されており、しかもこのＤＲＭ４０と同軸上
かつ反対方向に向って回転している。そのため、このシ
ールド板６０からＤＲＭ４０に向って漏洩しようとする
磁場と逆向きの磁場が形成され、両方の磁場が相殺する
ので実際にシールド板６０から外周に向って漏洩する磁
場はほとんど形成されない。以下にその効果について説
明する。
【００５２】（比較実験）本実施形態に係る装置の効果
を確認するために、条件を変えて各種の測定を行った。
を確認するために、条件を変えて各種の測定を行った。
【００５３】測定はＤＲＭ４０の回転時の中心から水平
方向に直線距離で１０ｍ離れたＡ点に磁場測定装置の検
知部をセットし、このＡ地点での磁場強度を測定した。
方向に直線距離で１０ｍ離れたＡ点に磁場測定装置の検
知部をセットし、このＡ地点での磁場強度を測定した。
【００５４】磁場強度の測定は、シールド板６０を取り
付けない状態でＤＲＭ４０を回転した場合（test
１）、シールド板６０を静止状態で固定した場合（test
２）、及びシールド板６０をＤＲＭ４０と反対方向に
回転した場合（test ３）の三つの異なる条件下で行っ
た。
付けない状態でＤＲＭ４０を回転した場合（test
１）、シールド板６０を静止状態で固定した場合（test
２）、及びシールド板６０をＤＲＭ４０と反対方向に
回転した場合（test ３）の三つの異なる条件下で行っ
た。
【００５５】図８はＡ点での磁場測定結果を図示したグ
ラフである。
ラフである。
【００５６】図８のグラフの縦軸はＡ点での磁場強度の
絶対値（単位：ｍＧ）を示し、同横軸はＤＲＭ４０の磁
気ベクトルと基準線（ＤＲＭ４０の回転中心とＡ点とを
結ぶ直線）とがなす変位角θを示す。
絶対値（単位：ｍＧ）を示し、同横軸はＤＲＭ４０の磁
気ベクトルと基準線（ＤＲＭ４０の回転中心とＡ点とを
結ぶ直線）とがなす変位角θを示す。
【００５７】図８のグラフに示すように、test １〜３
のいずれの場合もθ＝０°及びθ＝１８０°のときに極
大値となり、θ＝９０°及びθ＝２７０°のときに極小
値となる。即ち、ＤＲＭ４０の磁気ベクトルが基準線と
平行になるときにＡ点での磁場が最大となり、磁気ベク
トルと基準線とが直交するときに最小となる。
のいずれの場合もθ＝０°及びθ＝１８０°のときに極
大値となり、θ＝９０°及びθ＝２７０°のときに極小
値となる。即ち、ＤＲＭ４０の磁気ベクトルが基準線と
平行になるときにＡ点での磁場が最大となり、磁気ベク
トルと基準線とが直交するときに最小となる。
【００５８】図９は、図８の結果からtest１〜３の各条
件下での相違点を分かり易くするためにそれぞれのタイ
ムステップ毎の磁場強度の差分をグラフ化したものであ
る。
件下での相違点を分かり易くするためにそれぞれのタイ
ムステップ毎の磁場強度の差分をグラフ化したものであ
る。
【００５９】図９において、実線で描いたグラフは同じ
角変位におけるtest １の磁場強度とtest ２の磁場強度
との差分を図示したものであり、点線で描いたグラフは
同じ角変位におけるtest １の磁場強度とtest ３の磁場
強度との差分を図示したものである。なお、差分を明確
にするために図９のグラフでは縦軸の磁場強度の目盛が
図８のものより細かくなっている。
角変位におけるtest １の磁場強度とtest ２の磁場強度
との差分を図示したものであり、点線で描いたグラフは
同じ角変位におけるtest １の磁場強度とtest ３の磁場
強度との差分を図示したものである。なお、差分を明確
にするために図９のグラフでは縦軸の磁場強度の目盛が
図８のものより細かくなっている。
【００６０】図９のグラフが示すように、どの変位角θ
においても、test １とtest ３との差分（t1−t3）の方
がtest １とtest ２との差分（t1−t2）よりも大きい。
即ち、シールド板６０を静止状態で固定した場合に比べ
てシールド板６０をＤＲＭ４０と同軸上で反対方向に回
転させた方がＡ点に及ぼす漏洩磁場の影響が小さいこと
を示している。詳細な計算を行ったところ、シールド板
６０を静止状態で固定した場合に漏洩磁場は２±１％低
減することができ、更にシールド板６０をＤＲＭ４０と
同軸上でＤＲＭ４０と反対方向に回転させた場合には漏
洩磁場を４±２％の水準で低減できることが確認され
た。
においても、test １とtest ３との差分（t1−t3）の方
がtest １とtest ２との差分（t1−t2）よりも大きい。
即ち、シールド板６０を静止状態で固定した場合に比べ
てシールド板６０をＤＲＭ４０と同軸上で反対方向に回
転させた方がＡ点に及ぼす漏洩磁場の影響が小さいこと
を示している。詳細な計算を行ったところ、シールド板
６０を静止状態で固定した場合に漏洩磁場は２±１％低
減することができ、更にシールド板６０をＤＲＭ４０と
同軸上でＤＲＭ４０と反対方向に回転させた場合には漏
洩磁場を４±２％の水準で低減できることが確認され
た。
【００６１】かかる効果が得られた理由は次のように考
えられる。ＤＲＭ４０のように、回転する磁石の回りに
金属などの板状の導電性材料でできたシールド板を置く
と、磁石から出る磁力線がシールド板内を通過する際
に、電磁誘導現象が起きて、磁石から出る磁力線とは逆
向きの磁力線がシールド板から発生する。
えられる。ＤＲＭ４０のように、回転する磁石の回りに
金属などの板状の導電性材料でできたシールド板を置く
と、磁石から出る磁力線がシールド板内を通過する際
に、電磁誘導現象が起きて、磁石から出る磁力線とは逆
向きの磁力線がシールド板から発生する。
【００６２】この逆向きの磁力線は図４のセグメント磁
石Ｍ１〜Ｍ３６の一つ一つについて発生する。その大き
さはセグメント磁石Ｍ１〜Ｍ３６の一つ一つがＤＲＭ４
０の半径方向との間でなす角度と関係し、Ｍ１，Ｍ３
６，Ｍ１８，Ｍ１９辺りで最大となり、Ｍ９，Ｍ１０，
Ｍ２７，Ｍ２８辺りで最小となる。あとのセグメント磁
石については磁力線のうちの半径方向に平行な成分に比
例し、Ｍ９，Ｍ１０，Ｍ２７，Ｍ２８に近いほど小さ
く、Ｍ１，Ｍ３６，Ｍ１８，Ｍ１９に近づくにつれて徐
々に大きくなる。これをシールド板６０全体でみると、
図４の太矢印とは反対向きの磁場ベクトルが形成されて
いると考えることが出来る。
石Ｍ１〜Ｍ３６の一つ一つについて発生する。その大き
さはセグメント磁石Ｍ１〜Ｍ３６の一つ一つがＤＲＭ４
０の半径方向との間でなす角度と関係し、Ｍ１，Ｍ３
６，Ｍ１８，Ｍ１９辺りで最大となり、Ｍ９，Ｍ１０，
Ｍ２７，Ｍ２８辺りで最小となる。あとのセグメント磁
石については磁力線のうちの半径方向に平行な成分に比
例し、Ｍ９，Ｍ１０，Ｍ２７，Ｍ２８に近いほど小さ
く、Ｍ１，Ｍ３６，Ｍ１８，Ｍ１９に近づくにつれて徐
々に大きくなる。これをシールド板６０全体でみると、
図４の太矢印とは反対向きの磁場ベクトルが形成されて
いると考えることが出来る。
【００６３】ここで、シールド板６０の各部で電磁誘導
により発生する磁力線の数は電磁誘導に関するファラデ
ーの法則により、磁束の時間当たりの変化率に比例する
ため、シールド板６０とＤＲＭ４０とを互いに反対方向
に回転させると、両者間の相対速度が増大してシールド
板６０の各部で電磁誘導により発生する磁力線の数が増
大する。これをシールド板６０全体でみると前記したＤ
ＲＭ４０の磁場ベクトルと逆向きの磁場ベクトルが増大
し、これらＤＲＭ４０の磁場ベクトルとシールド板６０
の磁場ベクトルとが相殺する結果、漏洩磁場が弱められ
ると考えられる。
により発生する磁力線の数は電磁誘導に関するファラデ
ーの法則により、磁束の時間当たりの変化率に比例する
ため、シールド板６０とＤＲＭ４０とを互いに反対方向
に回転させると、両者間の相対速度が増大してシールド
板６０の各部で電磁誘導により発生する磁力線の数が増
大する。これをシールド板６０全体でみると前記したＤ
ＲＭ４０の磁場ベクトルと逆向きの磁場ベクトルが増大
し、これらＤＲＭ４０の磁場ベクトルとシールド板６０
の磁場ベクトルとが相殺する結果、漏洩磁場が弱められ
ると考えられる。
【００６４】従って、シールド板６０の回転数を適当な
値に設定することにより、処理チャンバ３から磁場が漏
洩するのを防止することが出来る。
値に設定することにより、処理チャンバ３から磁場が漏
洩するのを防止することが出来る。
【００６５】その結果、エッチング装置１と同一の装置
を相互に近接して設置しても、相互に磁場が干渉するこ
とがなく、所期の目的である、短時間で精密なエッチン
グ処理を行うことが出来る。また、エッチング装置１か
ら離れた位置に対する磁場の漏れをも防止できるので、
周辺機器に対する磁気的な影響も防止することが出来
る。
を相互に近接して設置しても、相互に磁場が干渉するこ
とがなく、所期の目的である、短時間で精密なエッチン
グ処理を行うことが出来る。また、エッチング装置１か
ら離れた位置に対する磁場の漏れをも防止できるので、
周辺機器に対する磁気的な影響も防止することが出来
る。
【００６６】更に、ＤＲＭ４０を構成した異方性セグメ
ント磁石であるセグメント磁石Ｍ１〜Ｍ３６は全て同一
の円柱形であり、１種類のセグメントを多数製造してそ
の配置を適宜変えることにより所期のＤＲＭ４０を構成
することが出来る。従って、配置状態を変えるだけで容
易に所望の着磁方向の異方性セグメント磁石を得ること
が出来、また製造コストも低廉に抑えることが出来る。
ント磁石であるセグメント磁石Ｍ１〜Ｍ３６は全て同一
の円柱形であり、１種類のセグメントを多数製造してそ
の配置を適宜変えることにより所期のＤＲＭ４０を構成
することが出来る。従って、配置状態を変えるだけで容
易に所望の着磁方向の異方性セグメント磁石を得ること
が出来、また製造コストも低廉に抑えることが出来る。
【００６７】なお、本発明は上記及び後述する実施の形
態に限定されない。例えば、上記実施形態ではＤＲＭ４
０は３６個のセグメント磁石Ｍ１〜Ｍ３６によって構成
されているが、もちろんセグメント磁石の数は必要に応
じて任意に選択することが出来る。
態に限定されない。例えば、上記実施形態ではＤＲＭ４
０は３６個のセグメント磁石Ｍ１〜Ｍ３６によって構成
されているが、もちろんセグメント磁石の数は必要に応
じて任意に選択することが出来る。
【００６８】また、上記実施の形態では、エッチング装
置を例にして説明したが、これに限らず、本発明は他の
プラズマ処理装置、例えば、アッシング装置、スパッタ
リング装置、ＣＶＤ装置に適用することも可能である。
更に、非処理基板もウエハのみならず、ＬＣＤ用基板で
あっても良い。
置を例にして説明したが、これに限らず、本発明は他の
プラズマ処理装置、例えば、アッシング装置、スパッタ
リング装置、ＣＶＤ装置に適用することも可能である。
更に、非処理基板もウエハのみならず、ＬＣＤ用基板で
あっても良い。
【００６９】（第２の実施形態）以下、本発明の第２の
実施形態について説明する。なお、以下の実施形態のう
ち、先行する実施形態と重複する部分については説明を
省略する。
実施形態について説明する。なお、以下の実施形態のう
ち、先行する実施形態と重複する部分については説明を
省略する。
【００７０】図１０は本実施形態に係るシールド板６０
の斜視図である。図１０に示したように、本実施形態に
係るシールド板６０では、側壁面に無数の微細な貫通孔
６２，６２，…が穿孔されている。
の斜視図である。図１０に示したように、本実施形態に
係るシールド板６０では、側壁面に無数の微細な貫通孔
６２，６２，…が穿孔されている。
【００７１】このように微細な貫通孔６２，６２…を多
数穿孔することにより、シールド板６０の側壁面では電
磁誘導による円電流が流れやすくなり、ＤＲＭ４０の磁
気ベクトルと対向する磁気ベクトルを形成しやすくな
る。その結果、ＤＲＭ４０の漏洩磁場をより効果的に相
殺できるという特有の効果が得られる。
数穿孔することにより、シールド板６０の側壁面では電
磁誘導による円電流が流れやすくなり、ＤＲＭ４０の磁
気ベクトルと対向する磁気ベクトルを形成しやすくな
る。その結果、ＤＲＭ４０の漏洩磁場をより効果的に相
殺できるという特有の効果が得られる。
【００７２】（第３の実施形態）本実施形態に係る装置
では、上記第１の実施形態と異なり、ＤＲＭとシールド
板のそれぞれについて独立した駆動モータを配設して互
いに別個独立に回転数を制御できる構成にした。
では、上記第１の実施形態と異なり、ＤＲＭとシールド
板のそれぞれについて独立した駆動モータを配設して互
いに別個独立に回転数を制御できる構成にした。
【００７３】本実施形態の装置では、ＤＲＭの回転数と
は別個独立してシールド板の回転数を調節できる。その
ため、ＤＲＭの回転により生じる漏洩磁場に対応して最
も適切な回転数でシールド板を回転させることにより漏
洩磁場を高精度に防止することが出来る、という効果が
得られる。
は別個独立してシールド板の回転数を調節できる。その
ため、ＤＲＭの回転により生じる漏洩磁場に対応して最
も適切な回転数でシールド板を回転させることにより漏
洩磁場を高精度に防止することが出来る、という効果が
得られる。
【００７４】（第４の実施形態）図１１は本実施形態に
係る処理装置の構成を模式的に示したブロック図であ
る。
係る処理装置の構成を模式的に示したブロック図であ
る。
【００７５】図１１に示したように、本実施形態に係る
装置では、ＤＲＭ４０及びシールド板６０のそれぞれに
独立のモータｍ１，ｍ２を配設して別個独立に回転駆動
できるようにしたことに加え、ＤＲＭ４０からの漏洩磁
場の影響が懸念される位置、例えばマルチチャンバタイ
プの処理システム内で他のプラズマ処理ユニットを配設
する位置など、処理装置の近傍の位置などに磁場検出用
のセンサを一つ以上配設してある。そして、このセンサ
で検出した磁場の強度に基づいて、前記処理装置のシー
ルド板６０を回転させるモータｍ２、ひいてはシールド
板６０の回転数を制御することにより、漏洩磁場の発生
を可及的に防止する構成となっている。
装置では、ＤＲＭ４０及びシールド板６０のそれぞれに
独立のモータｍ１，ｍ２を配設して別個独立に回転駆動
できるようにしたことに加え、ＤＲＭ４０からの漏洩磁
場の影響が懸念される位置、例えばマルチチャンバタイ
プの処理システム内で他のプラズマ処理ユニットを配設
する位置など、処理装置の近傍の位置などに磁場検出用
のセンサを一つ以上配設してある。そして、このセンサ
で検出した磁場の強度に基づいて、前記処理装置のシー
ルド板６０を回転させるモータｍ２、ひいてはシールド
板６０の回転数を制御することにより、漏洩磁場の発生
を可及的に防止する構成となっている。
【００７６】本実施形態に係る処理装置では、実際に検
出した漏洩磁場の強度に基づいて、シールド板６０の回
転数を制御するので、正確に漏洩磁場を相殺することが
でき、漏洩磁場による周辺機器への悪影響を効果的に防
止することが出来る。
出した漏洩磁場の強度に基づいて、シールド板６０の回
転数を制御するので、正確に漏洩磁場を相殺することが
でき、漏洩磁場による周辺機器への悪影響を効果的に防
止することが出来る。
【００７７】
【発明の効果】本発明によれば、ＤＲＭを備えたプラズ
マ処理装置において、当該装置に近接した場所、及びそ
れより離れた場所のいずれにおいても、装置からの漏れ
磁場が発生するのが防止される。そのため、周辺機器に
対する磁気的影響を防止することができる。また、適当
に距離をおいて他のプラズマ処理装置を設置しても、各
装置において所期の磁場の均一性が阻害されることはな
い。従って、マルチチャンバタイプのシステムを構築す
る際の設計の自由度を大きくとることが出来る。
マ処理装置において、当該装置に近接した場所、及びそ
れより離れた場所のいずれにおいても、装置からの漏れ
磁場が発生するのが防止される。そのため、周辺機器に
対する磁気的影響を防止することができる。また、適当
に距離をおいて他のプラズマ処理装置を設置しても、各
装置において所期の磁場の均一性が阻害されることはな
い。従って、マルチチャンバタイプのシステムを構築す
る際の設計の自由度を大きくとることが出来る。
【００７８】更にＤＲＭの外側にシールド板を配設して
このシールド板をＤＲＭと同軸上で反対方向に回転させ
るだけで、上記のような漏洩磁場を防止する効果が得ら
れるので、装置全体の構造に及ぼす影響を最小限に抑え
ることが出来る。
このシールド板をＤＲＭと同軸上で反対方向に回転させ
るだけで、上記のような漏洩磁場を防止する効果が得ら
れるので、装置全体の構造に及ぼす影響を最小限に抑え
ることが出来る。
【図１】第１の実施形態に係るエッチング装置１の垂直
断面図である。
断面図である。
【図２】第１の実施形態に係るダイポールリングマグネ
ット（ＤＲＭ）の斜視図である。
ット（ＤＲＭ）の斜視図である。
【図３】第１の実施形態に係るセグメント磁石の一つの
斜視図である。
斜視図である。
【図４】第１の実施形態に係るダイポールリングマグネ
ット（ＤＲＭ）の平面図である。
ット（ＤＲＭ）の平面図である。
【図５】第１の実施形態に係る処理チャンバ、ダイポー
ルリングマグネット（ＤＲＭ）、及びシールド板相互間
の位置関係を示した斜視図である。
ルリングマグネット（ＤＲＭ）、及びシールド板相互間
の位置関係を示した斜視図である。
【図６】第１の実施形態に係るエッチング装置の垂直断
面図である。
面図である。
【図７】第１の実施形態に係る処理チャンバ内の磁場状
態を図示したグラフである。
態を図示したグラフである。
【図８】第１の実施形態に係るエッチング装置運転時の
Ａ点での磁場測定結果を図示したグラフである。
Ａ点での磁場測定結果を図示したグラフである。
【図９】test１〜３の各条件下でのタイムステップ毎の
磁場強度の差分をグラフ化したものである。
磁場強度の差分をグラフ化したものである。
【図１０】本発明の第２の実施形態に係るシールド板の
斜視図である。
斜視図である。
【図１１】本発明の第４の実施形態に係る処理装置の構
成を示したブロック図である。
成を示したブロック図である。
Ｗ…ウエハ、 ３…処理チャンバ、 ２２…上部電極 ５…下部電極 ４０…ダイポールリングマグネット（ＤＲＭ）、 ６０…シールド板、 ４３…モータ、 ４４…ピニオンギア、 ４５…外歯歯車、 ６１…内歯歯車、 ６２…貫通孔、 ｍ１…第１のモータ、 ｍ２…第２のモータ、 ＣＰＵ…制御装置、 Ｓ１…センサ、 Ｓ２…センサ。
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G075 AA22 AA25 AA61 BC02 BC04 CA12 CA42 CA47 CA65 DA01 EA01 EB01 EB41 ED01 ED08 4K029 DC20 DC42 DC45 EA00 4K030 FA01 KA12 KA34 KA39 KA41 5F004 AA16 BA08 BB08 BB13 BB22 BB29 5F045 AA08 AA19 BB01 BB20 EH16 HA24
Claims (7)
- 【請求項１】 被処理基板に処理を行う処理チャンバ
と、 前記処理チャンバ内にプラズマを発生させる手段と、 前記処理チャンバの外周に沿って複数の磁石を円周上に
配設してなり、一の方向に回転するダイポールリングマ
グネットと、 前記ダイポールリングマグネットの外周を覆うシールド
板と、 前記シールド板を前記ダイポールリングマグネットと同
軸上で前記ダイポールリングマグネットとは反対方向に
回転させる手段と、 を具備することを特徴とする処理装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の処理装置であって、前記
回転させる手段が、 前記ダイポールリングマグネットの外周面に配設された
外歯歯車と、 前記シールド板の内周面に配設された内歯歯車と、 前記外歯歯車および内歯歯車と係合する小歯車と、 前記小歯車を駆動するモータと、からなることを特徴と
する処理装置。 - 【請求項３】 請求項１又は２に記載の処理装置であっ
て、前記シールド板が、側面に複数の微細な貫通孔を備
えていることを特徴とする処理装置。 - 【請求項４】 被処理基板に処理を行う処理チャンバ
と、 前記処理チャンバ内にプラズマを発生させる手段と、 前記処理チャンバの外周に沿って複数の磁石を円周上に
配設してなり、前記円周上を回転可能に支持されたダイ
ポールリングマグネットと、 前記ダイポールリングマグネットを回転させる第１のモ
ータと、 前記ダイポールリングマグネットの外周を覆い、前記ダ
イポールリングマグネットと同軸上で回転可能に支持さ
れたシールド板と、 前記シールド板を前記ダイポールリングマグネットとは
反対方向に回転させる第２のモータと、 前記第２のモータの回転数を制御する手段と、 を具備することを特徴とする処理装置。 - 【請求項５】 被処理基板に処理を行う処理チャンバ
と、 前記処理チャンバ内にプラズマを発生させる手段と、 前記処理チャンバの外周に沿って複数の磁石を円周上に
配設してなり、前記円周上を回転可能に支持されたダイ
ポールリングマグネットと、 前記ダイポールリングマグネットを回転させる第１のモ
ータと、 前記ダイポールリングマグネットの外周を覆い、前記ダ
イポールリングマグネットと同軸上で回転可能に支持さ
れたシールド板と、 前記シールド板を前記ダイポールリングマグネットとは
反対方向に回転させる第２のモータと、 前記シールド板外の所定位置の磁場を検出する少なくと
も１のセンサと、 前記検出された漏洩磁場に基づいて、前記第２のモータ
の回転数を制御する手段と、 を具備することを特徴とする処理装置。 - 【請求項６】 被処理基板に処理を施す処理チャンバの
外周に、複数の磁石を円周上に配設したダイポールリン
グマグネットを回転させながら前記被処理基板にプラズ
マ処理を施す処理方法において、 前記ダイポールリングマグネットの外周を覆うシールド
板を前記ダイポールリングマグネットと同軸かつ反対方
向に回転させることにより磁場の漏洩を防止することを
特徴とする処理方法。 - 【請求項７】 被処理基板に処理を施す処理チャンバの
外周に、複数の磁石を円周上に配設したダイポールリン
グマグネットを回転させると同時に、前記ダイポールリ
ングマグネットの外周を覆うシールド板を前記ダイポー
ルリングマグネットとは反対方向に回転させながら、前
記被処理基板にプラズマ処理を施す処理方法において、 前記シールド板外の所定位置で検出した磁場に基づい
て、前記シールド板の回転数を制御することにより磁場
の漏洩を防止することを特徴とする処理方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33620699A JP2001156044A (ja) | 1999-11-26 | 1999-11-26 | 処理装置及び処理方法 |
| US09/717,279 US6436230B1 (en) | 1999-11-26 | 2000-11-22 | Process device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33620699A JP2001156044A (ja) | 1999-11-26 | 1999-11-26 | 処理装置及び処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001156044A true JP2001156044A (ja) | 2001-06-08 |
Family
ID=18296741
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33620699A Withdrawn JP2001156044A (ja) | 1999-11-26 | 1999-11-26 | 処理装置及び処理方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6436230B1 (ja) |
| JP (1) | JP2001156044A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022086709A1 (en) * | 2020-10-21 | 2022-04-28 | Applied Materials, Inc. | Magnet holding structures for plasma processing applications |
Families Citing this family (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8048806B2 (en) | 2000-03-17 | 2011-11-01 | Applied Materials, Inc. | Methods to avoid unstable plasma states during a process transition |
| US8617351B2 (en) | 2002-07-09 | 2013-12-31 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with minimal D.C. coils for cusp, solenoid and mirror fields for plasma uniformity and device damage reduction |
| US7374636B2 (en) * | 2001-07-06 | 2008-05-20 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for providing uniform plasma in a magnetic field enhanced plasma reactor |
| JP4009087B2 (ja) * | 2001-07-06 | 2007-11-14 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 半導体製造装置における磁気発生装置、半導体製造装置および磁場強度制御方法 |
| TWI283899B (en) | 2002-07-09 | 2007-07-11 | Applied Materials Inc | Capacitively coupled plasma reactor with magnetic plasma control |
| AU2003257652A1 (en) * | 2002-08-21 | 2004-03-11 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Magnetron plasma-use magnetic field generation device |
| US7458335B1 (en) | 2002-10-10 | 2008-12-02 | Applied Materials, Inc. | Uniform magnetically enhanced reactive ion etching using nested electromagnetic coils |
| US7422654B2 (en) * | 2003-02-14 | 2008-09-09 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for shaping a magnetic field in a magnetic field-enhanced plasma reactor |
| US6864773B2 (en) * | 2003-04-04 | 2005-03-08 | Applied Materials, Inc. | Variable field magnet apparatus |
| JP4145248B2 (ja) * | 2004-01-22 | 2008-09-03 | 信越化学工業株式会社 | 永久磁石式磁界発生装置 |
| US7713380B2 (en) * | 2004-01-27 | 2010-05-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and apparatus for backside polymer reduction in dry-etch process |
| JP2006024775A (ja) * | 2004-07-08 | 2006-01-26 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置、該装置の制御方法及び該方法を実行するプログラム |
| JP4412661B2 (ja) * | 2004-10-15 | 2010-02-10 | 信越化学工業株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| US20060151116A1 (en) * | 2005-01-12 | 2006-07-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Focus rings, apparatus in chamber, contact hole and method of forming contact hole |
| US20100250400A1 (en) * | 2006-11-10 | 2010-09-30 | Media Patents, S.L. | Apparatus and methods for the sale of software products |
| US20080114695A1 (en) * | 2006-11-10 | 2008-05-15 | Semantic Components S.L. | Process for implementing a method for the on-line sale of software product use licenses through a data network, and software component which allows carrying out said process |
| WO2008122308A1 (en) * | 2007-04-04 | 2008-10-16 | Media Patents S.L. | Process for the on-line distribution, through a data network, of digital files protected by intellectual property rights and computer readable medium containing a program for carrying out said process |
| EP2215595B1 (en) * | 2007-11-23 | 2012-02-22 | Media Patents S.L. | A process for the on-line distribution of audiovisual contents with advertisements, advertisement management system, digital rights management system and audiovisual content player provided with said systems |
| US20110060688A1 (en) * | 2007-11-23 | 2011-03-10 | Media Patents, S.L. | Apparatus and methods for the distribution of digital files |
| US7984097B2 (en) * | 2008-03-18 | 2011-07-19 | Media Patents, S.L. | Methods for transmitting multimedia files and advertisements |
| ES2326949B1 (es) * | 2008-03-18 | 2010-07-14 | Clarity Systems, S.L. | Procedimiento utilizado por un servidor de streaming para realizar una transmision de un fichero multimedia en una red de datos. |
| JP2009277889A (ja) * | 2008-05-15 | 2009-11-26 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置の制御方法 |
| KR20100099054A (ko) * | 2009-03-02 | 2010-09-10 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 영구 자석식 자계 발생 장치 |
| US9154532B2 (en) | 2009-04-27 | 2015-10-06 | Zaron Remote Llc | Methods and apparatus for transmitting multimedia files in a data network |
| CN102719799A (zh) * | 2012-06-08 | 2012-10-10 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 旋转磁控溅射靶及相应的磁控溅射装置 |
| CN112889128B (zh) | 2018-11-05 | 2024-04-12 | 应用材料公司 | 磁性壳体系统 |
| WO2021034698A1 (en) * | 2019-08-16 | 2021-02-25 | Applied Materials, Inc. | Tuneable uniformity control utilizing rotational magnetic housing |
| US11959174B2 (en) | 2020-02-28 | 2024-04-16 | Applied Materials, Inc. | Shunt door for magnets in plasma process chamber |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3311064B2 (ja) | 1992-03-26 | 2002-08-05 | 株式会社東芝 | プラズマ生成装置、表面処理装置および表面処理方法 |
| US5660744A (en) * | 1992-03-26 | 1997-08-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Plasma generating apparatus and surface processing apparatus |
| US5444207A (en) * | 1992-03-26 | 1995-08-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Plasma generating device and surface processing device and method for processing wafers in a uniform magnetic field |
| JPH0637055A (ja) | 1992-07-16 | 1994-02-10 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| US6014943A (en) * | 1996-09-12 | 2000-01-18 | Tokyo Electron Limited | Plasma process device |
| JP3375302B2 (ja) * | 1998-07-29 | 2003-02-10 | 東京エレクトロン株式会社 | マグネトロンプラズマ処理装置および処理方法 |
-
1999
- 1999-11-26 JP JP33620699A patent/JP2001156044A/ja not_active Withdrawn
-
2000
- 2000-11-22 US US09/717,279 patent/US6436230B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022086709A1 (en) * | 2020-10-21 | 2022-04-28 | Applied Materials, Inc. | Magnet holding structures for plasma processing applications |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6436230B1 (en) | 2002-08-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2001156044A (ja) | 処理装置及び処理方法 | |
| KR100383787B1 (ko) | 플라즈마처리장치 | |
| KR100499763B1 (ko) | 플라즈마 에칭장치 | |
| KR100403074B1 (ko) | 마그네트론 플라즈마 처리 장치 | |
| JP5192549B2 (ja) | スパッタリング装置及びスパッタリング方法 | |
| JP5487302B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP4812991B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| US20040168771A1 (en) | Plasma reactor coil magnet | |
| US20050211383A1 (en) | Magnetron plasma-use magnetic field generation device | |
| JP3892996B2 (ja) | マグネトロンプラズマ処理装置 | |
| JP3311064B2 (ja) | プラズマ生成装置、表面処理装置および表面処理方法 | |
| US5554249A (en) | Magnetron plasma processing system | |
| JP3281545B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP3170319B2 (ja) | マグネトロンプラズマ処理装置 | |
| JP3725968B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH04324631A (ja) | 表面処理装置 | |
| JPH09186141A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP4031691B2 (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
| JP4437347B2 (ja) | 前処理エッチング装置及び薄膜作成装置 | |
| JP4373061B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
| KR101989227B1 (ko) | 절연막을 형성하는 방법 | |
| JP4135173B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
| JPS61124133A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP3479580B2 (ja) | プラズマ発生装置 | |
| JPH0575166B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20070206 |