JP2001154051A - 光導波路の製造方法 - Google Patents

光導波路の製造方法

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JP2001154051A
JP2001154051A JP33746099A JP33746099A JP2001154051A JP 2001154051 A JP2001154051 A JP 2001154051A JP 33746099 A JP33746099 A JP 33746099A JP 33746099 A JP33746099 A JP 33746099A JP 2001154051 A JP2001154051 A JP 2001154051A
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JP
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substrate
optical waveguide
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film
photosensitive resin
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JP33746099A
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English (en)
Inventor
Kikuo Shishido
紀久雄 宍戸
Sho Fujimaki
升 藤巻
Masahiko Suzuki
正彦 鈴木
Mitsuro Mita
充郎 見田
Shinko Kamikawa
真弘 上川
Kiminori Maeno
仁典 前野
Hiroo Miyamoto
裕生 宮本
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Oki Electric Industry Co Ltd
Oki Printed Circuits Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
Oki Printed Circuits Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 大面積の光導波路の作製を可能にする。 【解決手段】 基板10の上面の所定の位置に厚膜12
を設けて、この基板上に凹凸構造14を形成する。次
に、基板上に形成された凹凸構造の凹部16に中間クラ
ッド層18を形成する。次に、中間クラッド層および厚
膜の上に上部クラッド層20を形成する。次に、基板お
よび厚膜を除去する。次に、厚膜を除去した部分にコア
22を形成する。コアおよび中間クラッド層の上に下部
クラッド層24を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、光インターコネ
クトに用いて好適なフレキシブル光導波路の製造方法に
関する。
【0002】
【従来の技術】ICや抵抗などの電気部品が搭載された
プリント基板では、プリント基板間やモジュール間にお
ける信号の授受がフレキシブルな電気ケーブルにより行
われる。しかし、最近では、電気部品のみならず光部品
も同じプリント基板上に混載されることが多くなってお
り、このようなプリント基板内では電気配線とともに光
ファイバなどの光配線も用いられている。そして、プリ
ント基板間やモジュール間における信号の授受もフレキ
シブルな光ファイバを用いて行われるようになってきて
いる。
【0003】このように、光による信号の授受を行う光
インターコネクトによれば、電気配線のみの場合よりも
時間的な遅延が小さくなり、信号処理の高速化を実現す
ることができる。また、光インターコネクトには、電気
配線で問題となる電気ノイズの影響を受けないなどの利
点がある。したがって、光インターコネクトは今後ます
ます多用されてゆき、これからはその性能や信頼性のみ
ならず低コスト化が重要になる。
【0004】従来、光インターコネクト用の光配線部品
として、高分子材料で構成したフレキシビリティを有す
る光導波路が用いられており、その製造方法が文献「特
開平8−304650」に開示されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記文献に開示された
製造方法につき、図11および図12を参照して説明す
る。図11および図12は、従来の製造工程を示す断面
図である。
【0006】まず、Si基板30上に、スパッタリング
によって数十nm〜数百nmの厚さの銅(Cu)薄膜3
2を形成する(図11(A))。
【0007】次に、Cu薄膜32上に高分子光導波路材
料を堆積して、下部クラッド層34を形成する(図11
(B))。
【0008】次に、下部クラッド層34上に高分子光導
波路材料を堆積して、コア層36を形成する(図11
(C))。このコア層36の屈折率は、下部クラッド層
34の屈折率よりも高くなるように材料を調整してあ
る。
【0009】次に、コア層36上にレジストを塗布した
後、フォトリソグラフィおよび現像を行って、コア層3
6上にレジストパタン38を形成する(図11
(D))。
【0010】次に、酸素(O2 )ガスを用いたリアクテ
ィブイオンエッチング(RIE)を行って、コア層36
のパターニングを行って、レジストパタン38に対応し
たパタンのコア36aを形成する(図11(E))。
【0011】次に、コア36a上のレジストパタン38
を除去する(図12(A))。
【0012】次に、下部クラッド層34が露出している
部分とコア36aの上とに、高分子光導波路材料を堆積
して、上部クラッド層40を形成する(図12
(B))。この上部クラッド層40の屈折率は、下部ク
ラッド層34の屈折率と同じになるようにする。以上の
工程により、上部クラッド層40、コア36aおよび下
部クラッド層34により構成される光導波路部42がC
u薄膜32上に形成される。
【0013】次に、光導波路チップを塩酸(HCl)水
溶液または水酸化カリウム(KOH)水溶液44に浸漬
させて(図12(C))、Cu薄膜32の表面を溶か
し、Si基板30から光導波路部42を剥離する(図1
2(D))。この結果、剥離された光導波路部42がフ
レキシブル光導波路として得られる。
【0014】以上説明したように、上記文献に開示され
た製造方法によれば、Cu薄膜32を形成する工程(図
11(A))とRIE工程(図11(E))とが、真空
チャンバ内で行われる真空プロセスとなっている。この
ように、従来方法では真空装置を必要とする。一般に、
真空装置は高価なものであり、真空プロセスは生産性を
低下させる。したがって、低コスト化が困難である。
【0015】また、通常、真空チャンバの大きさには限
界があり、基板上のCu薄膜の膜厚やRIEの加工精度
の面内分布の点からも、処理できる基板の大きさに限度
がある。このため、従来方法によれば、例えば数10c
m角といった大きさの光導波路を作製することはできな
かった。
【0016】したがって、従来より、真空装置が不要で
あり、しかも、大面積の光導波路の作製が可能である光
導波路の製造方法の出現が望まれていた。
【0017】
【課題を解決するための手段】そこで、この出願に係る
発明の光導波路の製造方法によれば、基板の上面の所定
の位置に厚膜を設けて、この基板上に凹凸構造を形成す
る工程と、基板上に形成された凹凸構造の凹部に中間ク
ラッド層を形成する工程と、中間クラッド層および厚膜
の上に上部クラッド層を形成する工程と、基板および厚
膜を除去する工程と、厚膜を除去した部分にコアを形成
する工程と、コアおよび中間クラッド層の上に下部クラ
ッド層を形成する工程とを含むことを特徴とする。
【0018】図1は、この発明の製造工程を示す断面図
である。図1に示すように、まず、基板10の上面の所
定の位置に厚膜12を設けて、この基板10上に凹凸構
造14を形成する(図1(A))。この凹凸構造14
が、中間クラッド層の鋳型となる。次に、基板10上に
形成された凹凸構造14の凹部16に中間クラッド層1
8を形成する(図1(B))。次に、中間クラッド層1
8および厚膜12の上に上部クラッド層20を形成する
(図1(C))。次に、基板10および厚膜12を除去
する(図1(D))。残存した上部クラッド層20およ
び中間クラッド層18は、コアの鋳型となる。次に、厚
膜12を除去した部分にコア22を形成する(図1
(E))。次に、コア22および中間クラッド層18の
上に下部クラッド層24を形成する(図1(F))。
【0019】このような製造工程に従えば、所望の光導
波路が得られるので、真空装置が不要であり、したがっ
て低コスト化が図れる。また、真空チャンバの大きさな
どに規制されることがなくなるため、大面積の光導波路
を作製することができる。さらに、真空プロセスを行う
必要がないため、簡易に大量の製造が可能となる。さら
に、耐熱性のある鋳型材料を用いることでクラッド材料
やコア材料としては、PMMAなどの低ガラス転移温度
の高分子材料のみならず、ポリイミド系などの高ガラス
転移温度の高分子材料を用いることができる。
【0020】この発明の光導波路の製造方法において、
好ましくは、各クラッド層の材料およびコアの材料とし
てフッ素化ポリイミドを用いるのが良い。
【0021】また、この発明の光導波路の製造方法にお
いて、前述の凹凸構造を形成する工程が、基板の上面を
感光性樹脂膜で被覆する工程と、感光性樹脂膜の所定の
部分をパターニングにより除去する工程と、感光性樹脂
膜を除去した部分に厚膜を形成する工程と、基板から感
光性樹脂膜を剥離する工程とを含むと良い。
【0022】このとき、基板の上面を感光性樹脂膜で被
覆する工程を、基板の上面に感光性樹脂フィルムである
ドライフィルムをラミネートする工程とするのが好適で
ある。
【0023】あるいは、基板の上面を感光性樹脂膜で被
覆する工程は、基板の上面に感光性樹脂インクを塗布す
る工程と、この塗布した感光性樹脂インクを乾燥させる
工程とにより行っても良い。この結果、乾燥した感光性
樹脂インクが上述の感光性樹脂膜に相当するものとな
る。
【0024】なお、上述した基板の上面に感光性樹脂イ
ンクを塗布する工程は、スピンコート法またはスクリー
ン印刷法によって行うのが好適である。
【0025】また、前述した感光性樹脂膜の所定の部分
をパターニングにより除去する工程が、所定のパタンの
開口が形成されたマスクを介して感光性樹脂膜を露光す
る工程と、露光した感光性樹脂膜を現像して、当該感光
性樹脂膜の所定の部分を除去する工程とを含むと良い。
【0026】あるいは、感光性樹脂膜の所定の部分をパ
ターニングにより除去する工程を、レーザアブレーショ
ン法によって行っても良い。
【0027】さらに、前述の厚膜を形成する工程を、C
u厚膜を電気メッキ法により形成する工程とするのが好
適である。
【0028】この発明の光導波路の製造方法において、
好ましくは、前述した上部クラッド層の形成後に、この
上部クラッド層に支持板を貼り合わせておき、前述した
下部クラッド層の形成後に支持板を剥離すると良い。
【0029】このように支持板を上部クラッド層に貼り
合わせておくと、コアおよび下部クラッド層の焼成時の
熱処理工程における光導波路の「そり」などの変形を防
止することができる。
【0030】なお、好ましくは、支持板としてAl板を
用いるのが良い。
【0031】また、前述した上部クラッド層の形成後
に、この上部クラッド層にCu板を貼り合わせ、さらに
このCu板をドライフィルムにより被覆しておき、前述
した基板および厚膜を除去する工程の後に上記ドライフ
ィルムを剥離し、前述した下部クラッド層の形成後に上
記Cu板を剥離するのが好適である。
【0032】このように、支持板としてCu板を用いて
も良い。このとき、基板材料がCuであっても、Cu板
はドライフィルムにより被覆されているため、基板の除
去時にこのCu板は剥離されない。
【0033】また、基板としてCu薄膜を形成したポリ
イミドシートを用いても良い。
【0034】このような基板を用いると、各クラッド層
の材料やコアの材料を例えばフッ素化ポリイミドとする
場合は、基板の熱膨張係数とクラッド材料およびコア材
料の熱膨張係数との差が小さくなるため、熱処理時の変
形が抑制される。
【0035】また、前述の支持板としてCu薄膜が形成
されたポリイミドシートを用いても良い。
【0036】このような支持板を用いると、基板材料が
Cuであっても、Cu薄膜がポリイミドシートにより被
覆されているため、基板の除去時にこの支持板は剥離さ
れない。
【0037】また、この出願に係る他の発明の光導波路
の製造方法によれば、基板の上面の所定の位置に厚膜を
設けて、この基板上に凹凸構造を形成する工程と、基板
上に形成された凹凸構造の凹部にコアを形成する工程
と、コアおよび厚膜の上に上部クラッド層を形成する工
程と、基板および厚膜を除去する工程と、厚膜を除去し
た部分に中間クラッド層を形成する工程と、コアおよび
中間クラッド層の上に下部クラッド層を形成する工程と
を含むことを特徴とする。
【0038】図2は、この発明の製造工程を示す断面図
である。図2に示すように、まず、基板10の上面の所
定の位置に厚膜12aを設けて、この基板10上に凹凸
構造14aを形成する(図2(A))。この凹凸構造1
4aが、コアの鋳型となる。次に、基板10上に形成さ
れた凹凸構造14aの凹部16aにコア22を形成する
(図2(B))。次に、コア22および厚膜12aの上
に上部クラッド層20を形成する(図2(C))。次
に、基板10および厚膜12aを除去する(図2
(D))。残存した上部クラッド層20およびコア22
は、中間クラッド層の鋳型となる。次に、厚膜12aを
除去した部分に中間クラッド層18を形成する(図2
(E))。次に、コア22および中間クラッド層18の
上に下部クラッド層24を形成する(図2(F))。
【0039】このような製造工程に従えば、所望の光導
波路が得られ、しかも真空装置が不要である。したがっ
て、低コスト化が図れるとともに、大面積の光導波路を
作製することができる。
【0040】
【発明の実施の形態】以下、図を参照して、この発明の
実施の形態につき説明する。なお、図は、この発明が理
解できる程度に形状、大きさおよび配置関係を概略的に
示しているに過ぎない。また、以下に記載される数値等
の条件や材料などは単なる一例に過ぎない。よって、こ
の発明は、この実施の形態に何ら限定されることがな
い。
【0041】[第1の実施の形態]第1の実施の形態の
製造工程につき、図3、図4および図5を参照して説明
する。図3、図4および図5は、第1の実施の形態の製
造工程を示す断面図である。各図には、主要部の構成が
示されている。
【0042】まず、Cu基板50の上面に、感光性樹脂
フィルムであるドライフィルム52をラミネートする
(図3(A))。あらかじめ、Cu基板50のドライフ
ィルム52の貼付面には光学研磨を施しておく。このド
ライフィルム52の厚さは、コアの厚さに関係する。こ
の例では、マルチモードの光導波路を作製する目的か
ら、ドライフィルム52の厚さを50μmにしてある。
【0043】続いて、コアのパタンに相当する開口パタ
ンを有した露光マスクを用いて、ドライフィルム52を
露光する。この露光により、ドライフィルム52には、
コアのパタンの潜像が形成される。さらに、炭酸ナトリ
ウム1%水溶液を用いて、露光したドライフィルム52
を現像する。すると、ドライフィルム52の所定の位置
が除去され、除去部分を凹部とするドライフィルム52
aがCu基板50上に得られる(図3(B))。残存し
たドライフィルム52aのパタンは、中間クラッド層の
パタンに一致している。
【0044】次に、ドライフィルム52aの凹部を埋め
るように、Cu厚膜54を電気メッキ法により50μm
より少し厚めに形成する(図3(C))。Cu厚膜54
のパタンは、コアのパタンに一致している。続いて、3
%水酸化ナトリウム水溶液に浸漬して、ドライフィルム
52aを剥離することにより、Cu基板50上の所定の
位置にCu厚膜54が形成された凹凸構造56が得られ
る(図3(D))。この凹凸構造56が中間クラッド層
の鋳型となる。
【0045】次に、作製した凹凸構造56の凹部58
に、クラッド材料であるフッ素化ポリイミドの溶液(日
立化成製のOPI N−3205(製品名))を流し込
み、350℃の温度で1時間の熱処理すなわち焼成を行
う。この焼成により、フッ素化ポリイミド溶液の溶媒が
揮発して、さらにイミド化が生じ、凹部58にフッ素化
ポリイミド膜60が形成される(図4(A))。なお、
イミド化の際に体積収縮が起こるため、溶液の流し込み
と焼成とを3回に分けて繰り返して行い、最終的に50
μm以上の厚さのフッ素化ポリイミド膜60を得るよう
にしている。
【0046】続いて、フッ素化ポリイミド膜60及びC
u厚膜54の表面を研磨して、それらの表面を平坦化す
ると共に、約50μmの厚さに調整する。この研磨後の
フッ素化ポリイミド膜が、中間クラッド層60aとなる
(図4(B))。
【0047】次に、中間クラッド層60aおよびCu厚
膜54の上面に、中間クラッド層60aと同じ高分子光
導波路材料のフッ素化ポリイミド溶液(日立化成製のO
PIN−3205(製品名))を塗布する。そして、塗
布した溶液に対して350℃の温度で1時間の熱処理を
施すことにより、30μmの厚さのフッ素化ポリイミド
膜が上部クラッド層62として得られる(図4
(C))。
【0048】次に、Cu厚膜54およびCu基板50を
エッチングで除去する(図5(A))。残存した上部ク
ラッド層62および中間クラッド層60aは、コアの鋳
型となる。
【0049】次に、上部クラッド層62および中間クラ
ッド層60aのCu厚膜54が設けられていた部分にコ
ア材料を注入する。コア用の高分子材料としては、上部
クラッド層62および中間クラッド層60aよりもフッ
素含有量が小さいフッ素化ポリイミドの溶液(日立化成
製のOPI N−3405(製品名))を用いている。
このようにフッ素含有量を少なくすることにより、コア
の光学的屈折率はクラッド層62および60aの屈折率
に比べて大きくなる。中間クラッド層60aの形成工程
と同様に、コア材料のフッ素化ポリイミド溶液を所定部
に流し込んだ後、350℃の温度で1時間の熱処理を行
う。上述したように、イミド化の際に体積収縮が起こる
ため、溶液の流し込みと焼成とを3回に分けて繰り返し
て行っている。そして、最終的に、50μm以上の厚さ
のフッ素化ポリイミド膜64を形成する(図5
(B))。
【0050】続いて、フッ素化ポリイミド膜64の厚さ
をパフ研磨により50μmの厚さに調整する。このよう
に厚さを調整したフッ素化ポリイミド膜がコア64aと
なる(図5(C))。
【0051】次に、コア64aおよび中間クラッド層6
0aの上に、中間クラッド層60aと同じ高分子光導波
路材料のフッ素化ポリイミド溶液(日立化成製のOPI
N−3205(製品名))を塗布する。そして、塗布
したフッ素化ポリイミド溶液に対して、350℃の温度
で1時間の熱処理を施す。この焼成により、30μmの
厚さのフッ素化ポリイミド膜が下部クラッド層66とし
て形成される(図5(D))。
【0052】以上説明したように、ドライフィルム52
の露光および現像工程とCu厚膜54のメッキ工程とを
行い、中間クラッド層60aの鋳型を形成する。また、
中間クラッド層60aおよび上部クラッド層62の形成
後、Cu厚膜54を除去することによってコア64aの
鋳型を形成する。このような形成方法によれば、PMM
Aなどの低ガラス転移温度の高分子材料のみならず、ポ
リイミド系の高ガラス転移温度(すなわち100℃以上
の焼成温度)の高分子材料を用いて、フレキシブル光導
波路を形成することができる。
【0053】このように、この実施の形態の製造方法に
よれば、従来行われていたCu薄膜の形成やRIEなど
の真空プロセスがなくなる。したがって、真空装置が不
要となるから低コスト化が図れる。また、真空チャンバ
の大きさに制限されることもなくなり、大面積のフレキ
シブル光導波路を簡易かつ大量に作製することができる
ようになる。
【0054】なお、この実施の形態では、ドライフィル
ム52のパターニングを露光および現像によって行った
が、このパターニングをレーザアブレーション法により
行っても良い。レーザアブレーション法によれば、レー
ザ光を照射することにより、ドライフィルム52のパタ
ーニングを行うことができる。したがって、より簡便に
パターニングを行うことができる。
【0055】また、露光および現像によるパターニング
とレーザアブレーション法によるパターニングとを併用
しても良い。例えば、パタン幅の小さいところをレーザ
アブレーション法により行い、それ以外のパタン幅の広
いところは露光および現像によって行うのが好適であ
る。
【0056】さらに、この実施の形態では、感光性樹脂
膜としてドライフィルム52を用いたが、この代わり
に、感光性樹脂インクを塗布して乾燥させたものを用い
ても良い。すなわち、Cu基板50の上にドライフィル
ム52をラミネートする代わりに、Cu基板50の上面
に感光性樹脂インクをスピンコート法またはスクリーン
印刷法によって塗布する。続いて、塗布した感光性樹脂
インクを乾燥させる。このように成膜した感光性樹脂膜
は、ドライフィルムと同様に露光および現像によってパ
ターニングすることができる。また、この感光性樹脂膜
は有機溶媒により除去することができる。しかも、この
感光性樹脂膜は、焼成時に剥離するおそれがない。
【0057】また、Cu基板50の代わりに、基板とし
てCu薄膜が形成されたポリイミドシートを用いても良
い。このようなシートとして、例えばポリイミド銅張積
層板(宇部興産製のユピセルN(製品名))を用いるの
が好ましい。このシートは、数10μmの厚さのポリイ
ミド板上に数10μmの厚さのCu薄膜を形成したもの
である。このようなシートは、Cuのみからなる基板に
比べて、熱膨張係数が光導波路材料のフッ素化ポリイミ
ドに近く、焼成時の温度上昇によるシートの変形が小さ
いという利点がある。
【0058】[第2の実施の形態]次に、第2の実施の
形態の製造工程につき、図6を参照して説明する。図6
は、第2の実施の形態の製造工程を示す断面図である。
【0059】第2の実施の形態では、第1の実施の形態
で説明した上部クラッド層62の形成工程(図4
(C))の後に、続けて、上部クラッド層62の上面に
Al支持板68を貼り合わせる工程を行う(図6
(A))。すなわち、中間クラッド層60aが設けられ
た面とは反対側の上部クラッド層62の面に、Al支持
板68を貼り合わせる。Al支持板68を所定の位置に
精度良く貼り合わせるためには、Al支持板68に位置
合せ用のマークを設けておくと良い。
【0060】その後は、第1の実施の形態で説明したよ
うに、Cu厚膜54およびCu基板50の除去(図6
(B))、コア64aの形成(図6(C))、および下
部クラッド層66の形成(図6(D))を順次に行う。
そして、下部クラッド層66の形成後に、Al支持板6
8を剥離する。
【0061】このように、Al支持板68を貼り合わせ
ておくと、Cu基板50を除去した後であっても、柔ら
かい光導波路材料が固いAl支持板68上に支持された
状態になる。したがって、コア64aおよび下部クラッ
ド層66の形成時に行われる焼成により、光導波路材料
に「そり」などの変形が生じてしまうことを防止でき
る。このように、Al支持板68により光導波路の歪み
が軽減されるとともに、作業上のハンドリングもしやす
くなる。さらに、一連の工程を機械で搬送して自動化す
る場合に対応できるプロセスを提供することができるよ
うになる。また、コア64aの表面の平滑性が向上する
ので、光損失が低減する。
【0062】[第3の実施の形態]次に、第3の実施の
形態の製造工程につき、図7を参照して説明する。図7
は、第3の実施の形態の製造工程を示す断面図である。
【0063】第2の実施の形態では、光導波路材料の焼
成に伴う変形を防止するためにAl支持板を用いたが、
第3の実施の形態では、Al支持板の代わりにCu支持
板を用いる。
【0064】第3の実施の形態では、第1の実施の形態
で説明した上部クラッド層62の形成工程(図4
(C))の後に、続けて、上部クラッド層62の上面に
Cu支持板70を貼り合わせる工程を行う(図7
(A))。すなわち、中間クラッド層60aが設けられ
た面とは反対側の上部クラッド層62の面に、Cu支持
板70を貼り合わせる。さらに、Cu支持板70をドラ
イフィルム72により被覆する(図7(A))。すなわ
ち、Cu支持板70の上面にドライフィルム72をラミ
ネートする。
【0065】続いて、Cu基板50およびCu厚膜54
をエッチングにより除去する(図7(B))。Cu支持
板70はドライフィルム72によりマスキングされてい
るので、エッチング液に浸漬させると、Cu基板50お
よびCu厚膜54のみを選択的に除去することができ
る。エッチング終了後、ドライフィルム72を剥離する
(図7(C))。
【0066】以下、第1の実施の形態で説明したよう
に、コア64aの形成および下部クラッド層66の形成
を順次に行う。この過程で行われる焼成では、Cu支持
板70があるため光導波路材料の変形が軽減される。こ
のCu支持板70は、下部クラッド層66の形成後に剥
離される。
【0067】このように、第2の実施の形態で説明した
Al支持板の代わりに、Cu材料の支持板を用いること
ができる。
【0068】また、Cu支持板70の代わりに、支持板
としてCu薄膜を形成したポリイミドシートを用いても
良い。このようなシートとしては、例えばポリイミド銅
張積層板(宇部興産製のユピセルN(製品名))を用い
ることができる。このシートは、数10μmの厚さのポ
リイミド板上に数10μmの厚さのCu薄膜を形成した
ものである。このシートのCu薄膜の面を上部クラッド
層62に接触させて貼り付けるようにする。そうすれ
ば、Cu厚膜54のエッチング時には、このCu薄膜は
ポリイミドシートにより保護される。したがって、上述
したように新たにドライフィルム72を貼り付ける必要
はなく、簡便である。
【0069】[第4の実施の形態]次に、第4の実施の
形態の製造工程につき、図8、図9および図10を参照
して説明する。図8、図9および図10は、第4の実施
の形態の製造工程を示す断面図である。
【0070】第1の実施の形態では、中間クラッド層の
鋳型を形成してからコアの鋳型を形成したが、第4の実
施の形態では、先にコアの鋳型を作成し、その後、中間
クラッド層の鋳型を作成する。
【0071】まず、Cu基板50の上面に、感光性樹脂
フィルムであるドライフィルム52をラミネートする
(図8(A))。あらかじめ、Cu基板50のドライフ
ィルム52の貼付面には光学研磨を施しておく。このド
ライフィルム52の厚さは、コアの厚さに関係する。こ
の例では、マルチモードの光導波路を作製する目的か
ら、ドライフィルム52の厚さは50μmにする。
【0072】続いて、中間クラッド層のパタンに相当す
る開口パタンを有した露光マスクを用いて、ドライフィ
ルム52を露光する。この露光により、ドライフィルム
52に中間クラッド層のパタンの潜像が形成される。さ
らに、炭酸ナトリウム1%水溶液を用いて、露光したド
ライフィルム52を現像する。この結果、ドライフィル
ム52の所定の位置が除去され、除去部分を凹部とする
ドライフィルム52bがCu基板50上に得られる(図
8(B))。残存したドライフィルム52bのパタン
は、コアのパタンに一致している。
【0073】次に、ドライフィルム52bの凹部を埋め
るように、Cu厚膜54aを電気メッキ法により50μ
mより少し厚めに形成する(図8(C))。Cu厚膜5
4aのパタンは、中間クラッド層のパタンに一致してい
る。続いて、ドライフィルム52bを剥離することによ
り、Cu基板50上の所定の位置にCu厚膜54aが形
成された凹凸構造56aが得られる(図8(D))。こ
の凹凸構造56aがコアの鋳型となる。
【0074】次に、作製した凹凸構造56aの凹部58
aに、コア材料であるフッ素化ポリイミドの溶液(日立
化成製のOPI N−3405(製品名))を流し込
み、350℃の温度で1時間の熱処理を行う。この焼成
により、フッ素化ポリイミド溶液の溶媒が揮発して、さ
らにイミド化が生じ、凹部58aにフッ素化ポリイミド
膜64が形成される(図9(A))。なお、イミド化の
際に体積収縮が起こるため、溶液の流し込みと焼成とを
3回に分けて繰り返して行い、最終的に50μm以上の
厚さのフッ素化ポリイミド膜64を得るようにしてい
る。
【0075】続いて、フッ素化ポリイミド膜64及びC
u厚膜54aの表面を研磨して、それらの表面を平坦化
すると共に、約50μmの厚さに調整する。この研磨後
のフッ素化ポリイミド膜が、コア64aとなる(図9
(B))。
【0076】次に、コア64aおよびCu厚膜54aの
上面に、クラッド材料であるフッ素化ポリイミド溶液
(日立化成製のOPI N−3205(製品名))を塗
布する。そして、塗布した溶液に対して350℃の温度
で1時間の熱処理を施すことにより、30μmの厚さの
フッ素化ポリイミド膜が上部クラッド層62として得ら
れる(図9(C))。なお、クラッド用のフッ素化ポリ
イミド溶液は、コア64aの場合よりもフッ素含有量を
大きくしてある。このようにフッ素含有量を多くするこ
とにより、クラッド層の光学的屈折率はコア64aの屈
折率に比べて小さくなる。
【0077】次に、Cu厚膜54aおよびCu基板50
をエッチングで除去する(図10(A))。残存した上
部クラッド層62およびコア64aは、中間クラッド層
の鋳型となる。
【0078】次に、上部クラッド層62およびコア64
aのCu厚膜54aが設けられていた部分にクラッド材
料を注入する。クラッド材料としては、上部クラッド層
62と同じフッ素化ポリイミド溶液(日立化成製のOP
I N−3205(製品名))を用いる。コア64aの
形成工程と同様に、クラッド材料のフッ素化ポリイミド
溶液を所定部に流し込んだ後、350℃の温度で1時間
の熱処理を施す。上述したように、イミド化の際に体積
収縮が起こるため、溶液の流し込みと焼成とを3回に分
けて繰り返して行っている。最終的に、50μm以上の
厚さのフッ素化ポリイミド膜60が形成される(図10
(B))。
【0079】続いて、フッ素化ポリイミド膜60の厚さ
をパフ研磨により50μmの厚さに調整する。このよう
に厚さを調整したフッ素化ポリイミド膜が中間クラッド
層60aとなる(図10(C))。
【0080】次に、コア64aおよび中間クラッド層6
0aの上に、中間クラッド層60aと同じ高分子光導波
路材料のフッ素化ポリイミド溶液(日立化成製のOPI
N−3205(製品名))を塗布する。そして、塗布
したフッ素化ポリイミド溶液に対して、350℃の温度
で1時間の熱処理を施す。この焼成により、30μmの
厚さのフッ素化ポリイミド膜が下部クラッド層66とし
て形成される(図10(D))。
【0081】以上説明したように、コア64aの鋳型を
形成した後に中間クラッド層60aの鋳型を形成するよ
うにしても、第1の実施の形態と同様のフレキシブル光
導波路を作成することができる。
【0082】
【発明の効果】以上説明したように、この発明の光導波
路の製造方法によれば、従来行われていたCu薄膜の形
成やRIEなどの真空プロセスがなくなる。したがっ
て、真空装置が不要となるから低コスト化が図れる。ま
た、真空チャンバの大きさに制限されることもなくな
り、大面積のフレキシブル光導波路を簡易かつ大量に作
製することができるようになる。
【0083】この発明の方法により作成した高分子のフ
レキシブル光導波路は、光インターコネクションにおい
て、光プリント基板間の信号の授受を行う光導波路とし
て、また、電気配線のみのプリント基板に貼り付けて光
・電気複合のプリント基板として利用することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】発明の製造工程を示す図である。
【図2】発明の製造工程を示す図である。
【図3】第1の実施の形態の製造工程を示す図である。
【図4】図3に続く、第1の実施の形態の製造工程を示
す図である。
【図5】図4に続く、第1の実施の形態の製造工程を示
す図である。
【図6】第2の実施の形態の製造工程を示す図である。
【図7】第3の実施の形態の製造工程を示す図である。
【図8】第4の実施の形態の製造工程を示す図である。
【図9】図8に続く、第4の実施の形態の製造工程を示
す図である。
【図10】図9に続く、第4の実施の形態の製造工程を
示す図である。
【図11】従来の製造工程を示す図である。
【図12】図11に続く、従来の製造工程を示す図であ
る。
【符号の説明】
10:基板 12,12a:厚膜 14,14a,56,56a:凹凸構造 16,16a,58,58a:凹部 18,60a:中間クラッド層 20,40,62:上部クラッド層 22,36a,64a:コア 24,34,66:下部クラッド層 30:Si基板 32:Cu薄膜 36:コア層 38:レジストパタン 42:光導波路部 44:塩酸水溶液または水酸化カリウム水溶液 50:Cu基板 52,52a,52b,72:ドライフィルム 54,54a:Cu厚膜 60,64:フッ素化ポリイミド膜 68:Al支持板 70:Cu支持板
フロントページの続き (72)発明者 藤巻 升 新潟県上越市福田町1番地 沖プリンテッ ドサーキット株式会社内 (72)発明者 鈴木 正彦 新潟県上越市福田町1番地 沖プリンテッ ドサーキット株式会社内 (72)発明者 見田 充郎 東京都港区虎ノ門1丁目7番12号 沖電気 工業株式会社内 (72)発明者 上川 真弘 東京都港区虎ノ門1丁目7番12号 沖電気 工業株式会社内 (72)発明者 前野 仁典 東京都港区虎ノ門1丁目7番12号 沖電気 工業株式会社内 (72)発明者 宮本 裕生 東京都港区虎ノ門1丁目7番12号 沖電気 工業株式会社内 Fターム(参考) 2H047 KA04 PA00 PA02 PA21 PA24 PA26 PA28 QA05 QA07 TA00 TA44

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板の上面の所定の位置に厚膜を設け
    て、該基板上に凹凸構造を形成する工程と、 前記基板上に形成された凹凸構造の凹部に中間クラッド
    層を形成する工程と、 前記中間クラッド層および厚膜の上に上部クラッド層を
    形成する工程と、 前記基板および厚膜を除去する工程と、 前記厚膜を除去した部分にコアを形成する工程と、 前記コアおよび中間クラッド層の上に下部クラッド層を
    形成する工程とを含むことを特徴とする光導波路の製造
    方法。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の光導波路の製造方法に
    おいて、 前記各クラッド層の材料およびコアの材料としてフッ素
    化ポリイミドを用いたことを特徴とする光導波路の製造
    方法。
  3. 【請求項3】 請求項1に記載の光導波路の製造方法に
    おいて、前記凹凸構造を形成する工程が、 基板の上面を感光性樹脂膜で被覆する工程と、 前記感光性樹脂膜の所定の部分をパターニングにより除
    去する工程と、 前記感光性樹脂膜を除去した部分に厚膜を形成する工程
    と、 前記基板から前記感光性樹脂膜を剥離する工程とを含む
    ことを特徴とする光導波路の製造方法。
  4. 【請求項4】 請求項3に記載の光導波路の製造方法に
    おいて、 前記基板の上面を感光性樹脂膜で被覆する工程を、基板
    の上面にドライフィルムをラミネートする工程とするこ
    とを特徴とする光導波路の製造方法。
  5. 【請求項5】 請求項3に記載の光導波路の製造方法に
    おいて、前記基板の上面を感光性樹脂膜で被覆する工程
    が、 基板の上面に感光性樹脂インクを塗布する工程と、 該塗布した感光性樹脂インクを乾燥させる工程とを含む
    ことを特徴とする光導波路の製造方法。
  6. 【請求項6】 請求項5に記載の光導波路の製造方法に
    おいて、 前記基板の上面に感光性樹脂インクを塗布する工程を、
    スピンコート法またはスクリーン印刷法によって行うこ
    とを特徴とする光導波路の製造方法。
  7. 【請求項7】 請求項3に記載の光導波路の製造方法に
    おいて、前記感光性樹脂膜の所定の部分をパターニング
    により除去する工程が、 所定のパタンの開口が形成されたマスクを介して前記感
    光性樹脂膜を露光する工程と、 前記露光した感光性樹脂膜を現像して、当該感光性樹脂
    膜の所定の部分を除去する工程とを含むことを特徴とす
    る光導波路の製造方法。
  8. 【請求項8】 請求項3に記載の光導波路の製造方法に
    おいて、 前記感光性樹脂膜の所定の部分をパターニングにより除
    去する工程を、レーザアブレーション法によって行うこ
    とを特徴とする光導波路の製造方法。
  9. 【請求項9】 請求項3に記載の光導波路の製造方法に
    おいて、 前記厚膜を形成する工程を、Cu厚膜を電気メッキ法に
    より形成する工程とすることを特徴とする光導波路の製
    造方法。
  10. 【請求項10】 請求項1に記載の光導波路の製造方法
    において、 前記基板をCu基板とすることを特徴とする光導波路の
    製造方法。
  11. 【請求項11】 請求項1に記載の光導波路の製造方法
    において、 前記上部クラッド層の形成後に、該上部クラッド層に支
    持板を貼り合わせておき、前記下部クラッド層の形成後
    に前記支持板を剥離することを特徴とする光導波路の製
    造方法。
  12. 【請求項12】 請求項11に記載の光導波路の製造方
    法において、 前記支持板としてAl板を用いることを特徴とする光導
    波路の製造方法。
  13. 【請求項13】 請求項1に記載の光導波路の製造方法
    において、 前記上部クラッド層の形成後に、該上部クラッド層にC
    u板を貼り合わせ、さらに該Cu板をドライフィルムに
    より被覆しておき、前記基板および厚膜を除去する工程
    の後に前記ドライフィルムを剥離し、前記下部クラッド
    層の形成後に前記Cu板を剥離することを特徴とする光
    導波路の製造方法。
  14. 【請求項14】 請求項1に記載の光導波路の製造方法
    において、 前記基板としてCu薄膜を形成したポリイミドシートを
    用いることを特徴とする光導波路の製造方法。
  15. 【請求項15】 請求項11に記載の光導波路の製造方
    法において、 前記支持板としてCu薄膜が形成されたポリイミドシー
    トを用いることを特徴とする光導波路の製造方法。
  16. 【請求項16】 基板の上面の所定の位置に厚膜を設け
    て、該基板上に凹凸構造を形成する工程と、 前記基板上に形成された凹凸構造の凹部にコアを形成す
    る工程と、 前記コアおよび厚膜の上に上部クラッド層を形成する工
    程と、 前記基板および厚膜を除去する工程と、 前記厚膜を除去した部分に中間クラッド層を形成する工
    程と、 前記コアおよび中間クラッド層の上に下部クラッド層を
    形成する工程とを含むことを特徴とする光導波路の製造
    方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6999643B2 (en) 2001-11-26 2006-02-14 Nec Toppan Circuit Solutions, Inc. Method of manufacturing optical waveguide and method of manufacturing opto-electric wiring board
US7013055B2 (en) 2002-07-02 2006-03-14 Omron Corporation Optical waveguide device, manufacturing method thereof, and optical communication apparatus

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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