JP2001151570A

JP2001151570A - 耐還元性誘電体組成物及びそれを用いた積層セラミックコンデンサ及びその製造方法

Info

Publication number: JP2001151570A
Application number: JP33123999A
Authority: JP
Inventors: Nobuaki Nagai; 伸明永井; Yuichi Murano; 雄一村野; Kumao Kanayama; 熊夫金山; Masuhiro Yamamoto; 益裕山本; Kazuyuki Okano; 和之岡野
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1999-11-22
Filing date: 1999-11-22
Publication date: 2001-06-05
Anticipated expiration: 2019-11-22
Also published as: JP3791264B2

Abstract

(57)【要約】【課題】スイッチング電源回路、ＤＣ−ＤＣコンバー
タ回路、照明用インバータ回路等に中高圧用として広く
使用される積層セラミックコンデンサにおいて、焼結助
剤成分を偏析させることなく主成分中に均一に分散させ
た卑金属内部電極積層セラミックコンデンサ用耐還元性
誘電体組成物を提供し、電気特性及び耐久信頼性に優
れ、中高圧用としての用途に適した特性を有する積層セ
ラミックコンデンサ及びその製造方法を提供することを
目的としている。【解決手段】焼結助剤成分を含むコロイド状懸濁液を
主成分のＢａＴｉＯ₃粉末及び微量の添加剤と共に混合
して原料粉末を作製することにより、コロイド状懸濁液
の均一分散が達成され、主成分であるＢａＴｉＯ₃粒子
の周囲に焼結助剤成分がより均一に分布する為、焼成時
に局部的な異常反応がなく非常に緻密な組織を形成する
ことが可能な耐還元性誘電体組成物が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、内部電極が卑金属
から成り、ＪＩＳ規格Ｂ特性或いはＥＩＡ規格Ｘ７Ｒ特
性を満足し、スイッチング電源回路、ＤＣ−ＤＣコンバ
ータ回路、照明用インバータ回路等に中高圧用として広
く使用される積層セラミックコンデンサ及びその製造方
法に関するものである。

【０００２】さらに本発明は、内部電極が卑金属から成
る積層セラミックコンデンサを製造する為の耐還元性誘
電体組成物に関するものである。

【０００３】

【従来の技術】近年、ノート型パソコン等に代表される
様に電子機器の軽薄短小化に伴いそれに使用される重要
な受動部品の１つであるセラミックコンデンサも従来の
円板型から積層型への移行が急速に進み、スイッチング
電源回路やＤＣ−ＤＣコンバータ回路の小型化及び樹脂
モールド化に寄与している。また、信用調査機関のデー
タによると西暦２００５年にはセラミックコンデンサの
積層化率は９０％を超える事が確実であり、低定格電圧
品のみならず中高圧品、更には安全規格品の領域にまで
積層化が波及するのは時間の問題である。

【０００４】例えば、スイッチング電源回路の１次側ス
ナバ用としては定格電圧が６３０ＶＤＣでＪＩＳ規格Ｂ
特性或いはＥＩＡ規格Ｘ７Ｒ特性を満足する中高圧用積
層セラミックコンデンサが多数使用されており、一大市
場を形成しつつある。

【０００５】積層セラミックコンデンサは、セラミック
誘電体層と内部電極層が交互に複数積層され、その積層
構造の上下に全体の寸法調整と内部気密封止の為の誘電
体層が設けられている。内部電極層の電気的接続は、そ
れらの終端部分が露出した両端面に端子電極を設けるこ
とによって行い、これら端子電極表面には半田付け実装
を容易に且つ支障なく行える様に、Ｎｉ鍍金の上にＳｎ
鍍金又はＳｎ−Ｐｂ系の半田鍍金が層状に施された構造
となっている。

【０００６】従来より、この様な積層セラミックコンデ
ンサに使用される誘電体組成物は、主成分であるＢａＴ
ｉＯ₃に数種類の添加物を加えたものが主流であり、例
えば特公平３−２３５０４号公報にはＢａＴｉＯ₃にＮ
ｂ₂Ｏ₅とＣｏＯを加えた組成物が開示されており、これ
によるとＮｂ₂Ｏ₅とＣｏＯが静電容量の温度変化率を平
坦化する成分として作用し、ＥＩＡ規格Ｘ７Ｒ特性を満
足することが記載されている。同じく特公平３−６１２
８７号公報にはＢａＴｉＯ₃にＮｂ₂Ｏ₅、ＣｏＯ、Ｃｅ
Ｏ₂及びＺｎＯを加えた組成物が開示されており、Ｎｂ₂
Ｏ₅とＣｏＯが静電容量の温度変化率を平坦化し、Ｃｅ
Ｏ₂は焼成温度を低下し、ＺｎＯは電気特性を改善する
ことが記載されている。

【０００７】しかしながら上記誘電体組成物は、内部電
極としてＰｄ系貴金属の使用を前提としたものであり、
特に高積層数高静電容量の品種において原材料コストの
面で問題があった。これを解決する方法として、Ｐｄ系
の貴金属に代わりコストの安いＮｉあるいはＮｉを主成
分とする合金を使用することが公知であり、積層セラミ
ックコンデンサに占める卑金属内部電極品の割合は急増
している。

【０００８】Ｎｉは卑金属であるので、従来の貴金属の
積層セラミックコンデンサの様に酸素雰囲気中で焼成す
る事は不可能で、低酸素分圧雰囲気中においてＮｉが酸
化されないように焼成しなければならない。セラミック
コンデンサ用として公知であるＢａＴｉＯ₃に代表され
るペロブスカイト酸化物は、１０００゜Ｃ以上の高温に
おいてＮｉの酸化還元平衡酸素分圧以下の雰囲気に晒さ
れると還元され、絶縁抵抗値が低下したり、電界を印加
した状態での信頼性試験、いわゆる負荷寿命での不良率
が増大し、コンデンサ用誘電体としての機能を果たさな
くなる。

【０００９】この課題に対し、これらペロブスカイト酸
化物が、ＡサイトとＢサイトに存在するイオンの化学量
論比を変化させたり、あるいは結晶格子中にドナーとな
って固溶しうる、例えば遷移金属イオン等を添加したり
することによって、前述のような熱処理を行っても還元
されにくくなる性質を利用して、ペロブスカイト酸化物
と微量の添加物から構成される多くの耐還元性誘電体組
成物が考案され、開示されている。以前の耐還元性誘電
体組成物は、静電容量の温度変化率が大きいＪＩＳ規格
Ｆ特性が主流であったが、近年積極的な材料開発が行わ
れ、温度変化率が小さいＪＩＳ規格Ｂ特性或いはＥＩＡ
規格Ｘ７Ｒ特性が薄層大容量積層セラミックコンデンサ
に適用されている。例えば特開平８−１２４７８４号公
報には主成分としてＢａＴｉＯ₃を副成分としてＭｇ
Ｏ、Ｙ₂Ｏ₃、ＢａＯ及びＣａＯから選ばれる少なくとも
１種とＳｉＯ₂とを含有するＮｉ及びＮｉ系合金等の卑
金属が使用可能な耐還元性誘電体組成物が開示されてい
る。また、特開平９−１７１９３８号公報にはＢａＴｉ
Ｏ₃系の主成分に対して、副成分としてＭｇＯ、及び焼
結助剤成分としてＬｉ₂Ｏ−Ｂ₂Ｏ₃−（Ｓｉ，Ｔｉ）Ｏ₂
系の酸化物を含有した耐還元性誘電体組成物が開示され
ている。これにより、静電容量の温度変化率が小さく、
しかも安価なＮｉ系の内部電極を使用した大容量の積層
セラミックコンデンサが主として１６〜５０ＶＤＣの低
定格電圧品を中心に商品化されている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
耐還元性誘電体組成物の多くは主成分であるペロブスカ
イト酸化物に対する微量添加物の均一な分散性や反応性
を考慮して設計されたものであるとは言い難く、工程上
制御しえない要因によって製品の特性、品質が変動し、
歩留まりの低下や信頼性不良を引き起こしている。例え
ば、従来のプロセスである仮焼混合法により作製した耐
還元性誘電体組成物は微量添加物の中でも特にＬｉ₂Ｏ
−Ｂ₂Ｏ₃−（Ｓｉ，Ｔｉ）Ｏ₂系やＢａＯ−ＳｉＯ₂系等
の焼結助剤成分を均一に分散させることが難しく、焼結
助剤成分が不均一に分散した組成物であった。その結
果、焼成時の反応過程で局部的な異常反応を起こし、結
晶粒子径のばらつきが大きくなりしかもポアーが多い不
均質な微細構造となり、静電容量や誘電体損失のばらつ
きが生じ、絶縁破壊電圧が低く、また超加速寿命試験
（ＨＡＬＴ）における故障時間の分布が広く、平均故障
時間が短いという問題点を有していた。

【００１１】そこで本発明は以上の様な課題を解決し、
焼結助剤成分を偏析させることなく主成分中に均一に分
散させた耐還元性誘電体組成物を提供し、該耐還元性誘
電体組成物を用いて初期特性及び耐久信頼性等のばらつ
きが小さく、中高圧用として優れた特性を有する卑金属
内部電極積層セラミックコンデンサ及びその製造方法を
提供することを目的としている。

【００１２】

【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明の耐還元性誘電体組成物は、Ｃａ及びＢａの酢
酸塩水溶液とＳｉの金属アルコキシドエタノール溶液を
攪拌混合しながらアンモニア水を滴下してＣａ、Ｂａ及
びＳｉ成分を含むコロイド状懸濁液を作製する工程と、
該コロイド状懸濁液を主成分のＢａＴｉＯ₃粉末及び微
量の添加剤と共に混合して原料粉末を作製する工程とを
順次行うことにより製造したものである。これにより、
Ｃａ、Ｂａ及びＳｉを含有するコロイド状懸濁液の均一
分散が達成され、主成分であるＢａＴｉＯ₃粒子の周囲
がこれらの成分により均一にコーティングされる為、焼
成時に局部的な異常反応がなく焼結助剤成分が均一に分
散された非常に緻密な組織を形成することが可能な耐還
元性誘電体組成物が得られる。

【００１３】また、本発明の積層セラミックコンデンサ
は上記した耐還元性誘電体組成物より成るセラミック誘
電体層と、Ｎｉ或いはＮｉを主成分とする合金より成る
内部電極層が交互に複数積層され、内部電極層の終端部
分が露出した両端面に端子電極が設けられた積層セラミ
ックコンデンサにおいて、前記セラミック誘電体層を構
成しているセラミックの結晶粒子は球状で且つ大きさが
均一で、粒子径が０．３〜０．８μｍの範囲内にあるも
のである。これにより結晶粒子自体に印加される電界が
均等に分散されると同時に上記した焼結助剤成分が粒界
層を形成し該粒界層に電界が集中し焼結粒子自体に印加
される電界が抑制される為、ＤＣバイアス電圧に対して
静電容量の減少率が小さく絶縁破壊電圧が高い積層セラ
ミックコンデンサが得られる。

【００１４】また、本発明の積層セラミックコンデンサ
は、耐還元性誘電体組成物より成るセラミック誘電体層
と、Ｎｉ或いはＮｉを主成分とする合金より成る内部電
極層が交互に複数積層され、内部電極層の終端部分が露
出した両端面に端子電極が設けられた積層セラミックコ
ンデンサにおいて、前記内部電極層の膜厚が２〜５μｍ
の範囲内にあるものである。これにより、セラミック誘
電体層と内部電極層との間に良好な密着性が確保される
為、耐久信頼性に優れた積層セラミックコンデンサが得
られる。

【００１５】また、本発明の積層セラミックコンデンサ
の製造方法は、耐還元性誘電体組成物の原料粉末を樹
脂、可塑剤及び溶剤から成るビヒクル中に分散してスラ
リーとし、該スラリーを基体上に塗布して１０〜６０μ
ｍの厚みのセラミック生シートを形成する積層セラミッ
クコンデンサの製造方法において、前記樹脂と可塑剤の
合計比率が原料粉末に対して９〜１８重量％の範囲内に
あることを特徴とするものである。これにより、セラミ
ック誘電体層と内部電極層及びセラミック誘電体層同士
の良好な密着性及び積層性が実現できる為、積層不良に
よる層間剥離や亀裂が発生し難くなり、特に耐久信頼性
に優れた積層セラミックコンデンサが得られる。

【００１６】

【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、焼結助剤として作用する成分を含むコロイド状懸濁
液を作製する工程と、該コロイド状懸濁液を主成分の粉
末及び微量の添加剤と共に混合して原料粉末を作製する
工程とを順次行うことにより製造した耐還元性誘電体組
成物であり、主成分の粉末に対してコロイド状懸濁液を
均一に分散させ、コロイド状懸濁液に含まれる成分が主
成分粒子の周囲に均一にコーティングされた耐還元性誘
電体組成物を実現できるという作用を有する。

【００１７】本発明の請求項２に記載の発明は、Ｃａ及
びＢａの酢酸塩水溶液とＳｉの金属アルコキシドエタノ
ール溶液を攪拌混合しながらアンモニア水を滴下してＣ
ａ、Ｂａ及びＳｉ成分を含むコロイド状懸濁液を作製す
る工程と、該コロイド状懸濁液を主成分のＢａＴｉＯ₃
粉末及び微量の添加剤と共に混合して原料粉末を作製す
る工程とを順次行うことにより製造した耐還元性誘電体
組成物であり、Ｃａ、Ｂａ及びＳｉを含有するコロイド
状懸濁液の均一分散が達成され、主成分であるＢａＴｉ
Ｏ₃粒子の周囲がこれらの成分により均一にコーティン
グされる為、焼成時に局部的な異常反応がなく焼結助剤
成分が均一に分散された非常に緻密な組織を形成するこ
とが可能な耐還元性誘電体組成物を実現できるという作
用を有する。

【００１８】本発明の請求項３に記載の発明は、請求項
２に記載の発明においてコロイド状懸濁液は主成分のＢ
ａＴｉＯ₃粉末１００モルに対してＣａ及びＢａ成分の
内少なくとも１種以上を各々０．５〜１．５モル、Ｓｉ
成分を１．０〜３．０モル含み、Ｃａ、Ｂａ及びＳｉよ
り成る非常に薄い非晶質粒界層をＢａＴｉＯ₃粒子の周
囲に形成するという作用を有している。

【００１９】本発明の請求項４に記載の発明は、請求項
２に記載の発明において添加剤は主成分のＢａＴｉＯ₃
粉末１００モルに対して各々０．０３〜１．０モルのＤ
ｙ₂Ｏ ₃、ＭｇＯ及びＭｎ₃Ｏ₄の内から選ばれた少なくと
も１種類以上を含有しており、焼成温度においてＮｉの
酸化還元平衡酸素分圧以下の雰囲気中で優れた耐還元性
を実現するという作用を有している。また、電気的初期
特性及び静電容量の温度変化率を目標値に制御するとい
う作用を有する。

【００２０】本発明の請求項５に記載の発明は、耐還元
性誘電体組成物より成るセラミック誘電体層と、Ｎｉ或
いはＮｉを主成分とする合金より成る内部電極層が交互
に複数積層され、内部電極層の終端部分が露出した両端
面に端子電極が設けられた積層セラミックコンデンサに
おいて、前記セラミック誘電体層を構成しているセラミ
ックの結晶粒子は球状で且つ大きさが均一で、粒子径が
０．３〜０．８μｍの範囲内にあることを特徴とするも
のであり、結晶粒子自体に印加される電界が均等に分散
されると同時に上記した焼結助剤成分が粒界層を形成し
該粒界層に電界が集中し焼結粒子自体に印加される電界
が抑制される為、ＤＣバイアス電圧に対して静電容量の
減少率が小さく絶縁破壊電圧が高い積層セラミックコン
デンサが得られるという作用を有する。

【００２１】本発明の請求項６に記載の発明は、耐還元
性誘電体組成物より成るセラミック誘電体層と、Ｎｉ或
いはＮｉを主成分とする合金より成る内部電極層が交互
に複数積層され、内部電極層の終端部分が露出した両端
面に端子電極が設けられた積層セラミックコンデンサに
おいて、前記内部電極層の膜厚が２〜５μｍの範囲内に
あることを特徴とするものであり、これによりセラミッ
ク誘電体層と内部電極層との間に良好な密着性が確保さ
れる為、耐久信頼性に優れた積層セラミックコンデンサ
が得られるという作用を有する。

【００２２】本発明の請求項７に記載の発明は、耐還元
性誘電体組成物より成るセラミック誘電体層と、Ｎｉ或
いはＮｉを主成分とする合金より成る内部電極層が交互
に複数積層され、内部電極層の終端部分が露出した両端
面に端子電極が設けられた積層セラミックコンデンサに
おいて、前記端子電極はＮｉ或いはＮｉを主成分とする
合金の上にＡｇが付与され、その上にＮｉ鍍金及びＳｎ
若しくは半田鍍金が形成された４層構造であることを特
徴とするものであり、内部電極層と端子電極との接続を
確実にすると共に両端面を完璧に被覆することにより湿
気の進入による特性的劣化を防止するという作用を有す
る。

【００２３】本発明の請求項８に記載の発明は、耐還元
性誘電体組成物より成るセラミック誘電体層と、Ｎｉ或
いはＮｉを主成分とする合金より成る内部電極層が交互
に複数積層され、内部電極層の終端部分が露出した両端
面に端子電極が設けられた積層セラミックコンデンサに
おいて、セラミック誘電体層の膜厚に対して４．０ＶＤ
Ｃ／μｍのＤＣバイアス電圧を印加した時の静電容量減
少率が３５％以下であることを特徴とするものであり、
例えばセラミック誘電体層の膜厚が５０μｍで６３０Ｖ
ＤＣの定格電圧を有するＪＩＳ規格Ｂ特性を３２１６サ
イズ（Ｌ：３．２ｍｍ，Ｗ：１．６ｍｍ）で素体設計し
て１００００ＰＦの静電容量を有する積層セラミックコ
ンデンサを試作して、スイッチング電源回路の１次スナ
バ用に供した場合、２００ＶＤＣバイアス印加時の静電
容量が７０００ＰＦ程度であり、静電容量の減少率が従
来の同品種に比べ約１０％小さく、電源関係の市場にお
いて優位性を確保できるという作用を有する。

【００２４】本発明の請求項９に記載の発明は、耐還元
性誘電体組成物の原料粉末を樹脂、可塑剤及び溶剤から
成るビヒクル中に分散してスラリーとし、該スラリーを
基体上に塗布して１０〜６０μｍの厚みのセラミック生
シートを形成する積層セラミックコンデンサの製造方法
において、前記樹脂と可塑剤の合計比率が原料粉末に対
して９〜１８重量％の範囲内にあることを特徴とするも
のであり、セラミック誘電体層と内部電極層及びセラミ
ック誘電体層同士の良好な密着性及び積層性が実現でき
る為、積層不良による層間剥離や亀裂が発生し難くな
り、特に耐久信頼性に優れた積層セラミックコンデンサ
が実現できるという作用を有する。

【００２５】本発明の請求項１０に記載の発明は、基体
上に耐還元性誘電体組成物の原料粉末より成るスラリー
を塗布して形成したセラミック生シートと、基体上にＮ
ｉ或いはＮｉを主成分とする合金より成るペーストを印
刷して形成した内部電極シートを交互に複数積層するこ
とによりラミネート体を得る積層セラミックコンデンサ
の製造方法において、前記ペーストが液相法により合成
されたＮｉ或いはＮｉを主成分とする合金を含むことを
特徴とするものであり、液相法により合成されたＮｉ及
びＮｉを含む合金は粉末の粒度分布がブロードで形が不
定形である為、それによるペーストは焼成時に急激な収
縮を起こさず緩やかに収縮する為セラミック誘電体層と
の間に良好な密着性を確保できるという作用を有する。
また、従来より主として低圧用大容量積層セラミックコ
ンデンサに多く使用されている気相法により製造された
Ｎｉによるペーストに比べ、より安価であるため製造コ
ストの引下げに寄与する。

【００２６】本発明の請求項１１に記載の発明は、請求
項１０記載の発明においてＮｉ或いはＮｉを主成分とす
る合金より成るペーストは、セラミック誘電体層を構成
する耐還元性誘電体組成物と同じ材質のセラミック粉末
を１０〜２０重量％含むことを特徴とするものであり、
セラミック誘電体層と内部電極層及び端子電極とセラミ
ック誘電体層との適合性を向上させ耐久信頼性に優れた
積層セラミックコンデンサが得られるという作用を有す
る。

【００２７】本発明の請求項１２に記載の発明は、耐還
元性誘電体組成物から成るセラミック生シートとＮｉ或
いはＮｉを主成分とする合金から成る内部電極シートよ
り形成されたラミネート体を切断してグリーンチップと
し、該グリーンチップを熱処理した後、水及びメディア
と共にバレル中に投入して回転しながら面取りする積層
セラミックコンデンサの製造方法において、前記熱処理
によるグリーンチップの重量減少率が４〜８％の範囲内
であることを特徴とするものであり、面取り時のグリー
ンチップの機械的損傷を防止し過度の面取りを抑制し、
また面取り後の乾燥時にグリーンチップ同士の付着を防
止するという作用を有する。

【００２８】そして、本発明の請求項１３に記載の発明
は、耐還元性誘電体組成物から成るセラミック生シート
とＮｉ或いはＮｉを主成分とする合金から成る内部電極
シートより形成されたラミネート体を切断してグリーン
チップとし、該グリーンチップを熱処理した後、メディ
アと共にジルコニア質ポットに投入して回転しながら面
取りする積層セラミックコンデンサの製造方法におい
て、前記熱処理によるグリーンチップの重量減少率が１
〜４％の範囲内であることを特徴とするものであり、面
取り時のグリーンチップの塑性的異常変形を防止し、適
正な面取りができるという作用を有する。

【００２９】本発明の実施において使用するチタン酸バ
リウム粉末は、平均粒子径と粒子径分布の幅が小さいも
のが好ましい。また、反応性についてはそれが小さい方
がＢ特性あるいはＸ７Ｒ特性の発現が容易であるので、
結晶化度の高い粉末を使用するのが好ましい。このよう
なチタン酸バリウム粉末を製造する工程において混入す
る不純物としては、バリウム以外のアルカリ土類金属や
鉄、珪素及びアルミニウム等があるが、これら不純物は
数千ｐｐｍのオーダで含有されていても特に支障はな
い。

【００３０】チタン酸バリウム粉末を混合するコロイド
状懸濁液の出発材料であるＣａ及びＢａの酢酸塩及びＳ
ｉのアルコキシドは一般的市販品が使え、これらに含有
される不純物は似通った化学的性質を有する金属である
ため、前述のチタン酸バリウムと同様に数千ｐｐｍのオ
ーダで含有されていても特に支障はない。また、アルコ
キシドを溶解させるエタノールも一般的な市販品が使用
できる。

【００３１】これら酢酸塩やアルコキシドは水−エタノ
ール溶液中で水和したイオンとして存在し、後のアンモ
ニア水の滴下によって微細な水酸化物をコロイド状懸濁
液の形で生成し、これをチタン酸バリウムと混合した
際、均一な状態で分散されるのが望ましい為、アンモニ
ア水の濃度は１モル／リットル以下、工程の設備的、時
間的余裕がある場合にはより低濃度にするのが望まし
い。アンモニア水の濃度が１モル／リットルを超えて濃
厚になると、前述の水酸化物が偏って生成し組成的に不
均一な状態でチタン酸バリウム粉末と混合される為、最
終的に組成不均一な耐還元性誘電体組成物となり、本発
明の意図するところとは全く異なった結果となる。

【００３２】チタン酸バリウム粉末に対して添加される
各添加物の量は、製造する積層セラミックコンデンサの
誘電率と誘電体損失、静電容量の温度変化率、絶縁抵
抗、絶縁破壊電圧、高温負荷寿命及び焼成温度における
耐還元性の観点から限定される。チタン酸バリウム１０
０モルに対しＤｙ₂Ｏ₃が１．０モルを超えると焼成によ
る緻密化が不完全になる為誘電率が低下し、また０．０
３モル未満になると静電容量の温度変化率が大きくな
り、高温負荷寿命が短くなる。チタン酸バリウム１００
モルに対しＭｇＯが１．０モルを超えると誘電率の低下
と誘電体損失の増大を招き、また０．０３モル未満にな
ると焼成温度における耐還元性が損なわれ、電気特性及
び寿命の全般にわたって劣化する。チタン酸バリウム１
００モルに対しＭｎ₃Ｏ₄が１．０モルを超えると誘電体
損失が増加し、また０．０３モル未満になると絶縁抵抗
及び絶縁破壊電圧が低下し、高温負荷寿命が短くなる。

【００３３】さらに、Ｃａ及びＢａに関しては、チタン
酸バリウム１００モルに対しＣａ及びＢａ成分の内少な
くとも１種が１．５モルを超えると誘電率が低下すると
共に高温負荷寿命が劣化し、また０．５モル未満になる
と焼結助剤としての効果が得られず、焼成による緻密化
が不完全となり最適焼成温度が高くなる。Ｓｉ成分に関
しても同様に、３．０モルを超えると誘電率が低下する
と共に高温負荷寿命が劣化し、また１．０モル未満にな
るとと焼結助剤としての効果が得られず、焼成による緻
密化が不完全となる。

【００３４】

【実施例】次に、本発明の具体例を説明する。

【００３５】（実施例１）実験の概略は、（表１）に示
した組成表に従って、主成分であるＢａＴｉＯ₃粉末
（堺化学製ＢＴ−０３）と添加剤であるＤｙ₂Ｏ₃、Ｍｇ
Ｏ及びＭｎ₃Ｏ₄の配合物と、Ｃａ，Ｂａ及びＳｉより成
る焼結助剤成分のコロイド状懸濁液をボールミルで混合
して各々の出発原料粉末を作製する。

【００３６】

【表１】

【００３７】使用する原材料のメーカとグレードは（表
２）にまとめて記載した。

【００３８】

【表２】

【００３９】次に、作製した粉末を使用して、形状が３
２１６サイズで定格電圧が６３０ＶＤＣを保証し１００
００ＰＦの静電容量値が取得可能な積層セラミックコン
デンサを試作して総合評価する。

【００４０】以下に積層セラミックコンデンサの詳細な
試作手順と評価方法について説明する。

【００４１】主成分であるＢａＴｉＯ₃粉末及び添加剤
であるＤｙ₂Ｏ₃、ＭｇＯ及びＭｎ₃Ｏ ₄の各粉末を（表
１）の組成表に基ずいて電子天秤で所定量を秤量し、５
ｍｍφのＺｒＯ₂質ボールが３５０ｇ入った内容積が６
００ＣＣのポリエチレン製ポットミル中に投入する。次
にＢａ、Ｃａの酢酸塩及びＴＥＯＳ（テトラエトキシシ
ラン）の所定量を電子天秤で秤量した後、酢酸塩は１０
０ＣＣの純水に、またＴＥＯＳは１５０ＣＣのエタノー
ルに別々に溶解させる。そして、該水溶液をエタノール
溶液中に投入して攪拌を続けながら１規定のアンモニア
水を所定量滴下して、焼結助剤成分より成るコロイド状
懸濁液を得た。次に、該コロイド状懸濁液を上記ボール
ミル中に投入し１００ｒｐｍの回転速度で２０時間混合
した。混合物は１５０メッシュのシルクスクリーンで濾
過して、テフロンシートを敷いたステンレスバット中に
投入し、ドラフト中で加温しながらエタノール分を揮発
させ、アルミ泊で蓋をして１５０゜Ｃの温度で乾燥し
た。乾燥した塊状物はアルミナ乳鉢中で解砕した後、３
２メッシュのナイロン篩を通過してアルミナ製坩堝に入
れて４００゜Ｃ／２時間（昇降温速度：２００゜Ｃ／
Ｈ）の条件で熱処理してスラリー用粉末とした。

【００４２】次に、内容積が６００ＣＣのポリエチレン
製ポットミル中にスラリー用粉末１００ｇと、溶剤とし
て作用する酢酸ブチル、２−ｎ−ブトキシエタノール及
びエタノールさらに可塑剤として作用するブチルベンジ
ルフタレートをそれぞれ所定量投入し、１０ｍｍφＺｒ
Ｏ₂ボール４４０ｇを用いて１００ｒｐｍの回転速度で
６時間混合することにより湿潤した。６時間湿潤後、ス
ラリーをスポイドで平滑なガラス板上に滴下して、成膜
し、光学顕微鏡で分散状態を観察して凝集がないことを
確認した。そして、湿潤が完了した上記ボールミルに、
ポリビニルブチラール樹脂より成るビヒクルを５０ｇ投
入し１００ｒｐｍの回転速度で１２時間混合してシート
成形用スラリーとした。ここで、ポリビニルブチラール
樹脂と可塑剤としてのブチルベンジルフタレートの合計
比率は粉末に対して９〜１８重量％の範囲内であれば後
の積層工程で良好な転写性が得られる。

【００４３】次に、該スラリーを１５０メッシュのシル
クスクリーンで濾過した後、７５μｍの基体上に成膜し
て２０〜２５μｍの厚みを有するセラミック生シートを
得た。そして、該セラミック生シートと、Ｎｉペースト
(住友金属鉱山製ＮＬＰ−４３１９５)より作製した内部
電極シートを用いて転写工法により所定の層数に積層し
た後、切断してグリーンチップを得た。ここで、セラミ
ック生シートの厚みは１０〜６０μｍの範囲内であれば
工程管理上差し支えない。また、使用するＮｉペースト
中のＮｉは気相法若しくは液相法により合成されたも
の、或いは両方法により合成されたものの混合物を使用
できる。

【００４４】次に、湿式法で得られたグリーンチップの
面取りを実施した。まず、可塑剤であるブチルベンジル
フタレートを揮発させる為にグリーンチップを１６０〜
２００゜Ｃの温度で、重量減少率が４〜８％の範囲内に
なる様に熱処理した。そして、このグリーンチップを４
００ＣＣの純水と専用のメディアと共に面取り専用のポ
ットに投入し、２０５ｒｐｍで４〜７分間回転した後、
該グリーンチップを１２０゜Ｃで乾燥した。なお、純水
中での面取りでグリーンチップに不具合が生じる場合
は、例えばグリーンチップの重量減少率が１〜４％の範
囲内になる様に熱処理した後、専用のメディアと共にＺ
ｒＯ₂質ポット中に投入して所定の回転速度で回転する
いわゆる乾式法を採用する。

【００４５】面取りしたグリーンチップの両端面にＮｉ
ペースト(住友金属鉱山製ＮＬＰ−４３１９５より作製
したもの）を塗布し１２０゜Ｃで１０分間乾燥して脱脂
した。脱脂は、該グリーンチップをＡＳ−２１００ジル
コニア粉末を敷いた焼成専用のジルコニアコートさや中
に投入して、Ｎ₂ガス中で４００゜Ｃで４時間保持して
実施した。そして、回転式雰囲気炉により還元雰囲気焼
成を実施した。グリーンガス、ＣＯ₂及びＮ₂により調整
したＮｉの平衡酸素分圧よりも２桁低い酸素分圧雰囲気
中で１２５０゜Ｃの温度で２時間保持した。なお、グリ
ーンチップの両端面に塗布するＮｉペーストは該チップ
との良好な密着性を確保する為、チップを形成している
セラミックと同材質のセラミック粉末を１０〜２０重量
％含有させても差し支えない。

【００４６】そして、焼成したチップの両端面にＡｇを
塗布して大気中６００゜Ｃの温度で焼き付けた後、Ｎｉ
鍍金及びＳｎ鍍金を施して積層セラミックコンデンサを
完成させた。

【００４７】次に、試作した積層セラミックコンデンサ
の電気特性を評価した。静電容量（Ｃａｐ）と誘電体損
失（ｔａｎδ）はＹＨＰ製ＬＣＲメータ４２８４Ａを使
用して１Ｖ／１ＫＨｚの信号電圧下で測定した。絶縁抵
抗値（ＩＲ）はアドバンテスト社製絶縁抵抗計Ｒ８３４
０Ａを使用して５００ＶＤＣを１分間印加して測定し
た。絶縁破壊電圧（ＢＤＶ）は菊水電子製耐圧計を使用
して空気中で直流破壊電圧を測定した。静電容量の温度
変化率（Ｃａｐ−ＴＣ）は恒温槽にＹＨＰ製ＬＣＲメー
タ４２８４Ａを接続して−５５〜＋１２５゜Ｃの範囲内
で測定した。静電容量と誘電体損失は各々２０個測定に
供し、絶縁抵抗値と絶縁破壊電圧は各々１０個、温度変
化率は２個測定し、平均値を算出してそれらの結果を
（表３）に示した。

【００４８】

【表３】

【００４９】ここで、（表３）の試料Ｎｏは（表１）の
試料Ｎｏに対応している。また、これらの表中の試料Ｎ
ｏに※印を記したものは、電気特性や焼結性などの設定
項目の少なくとも１つについて良好な評価が得られなか
った試料である。

【００５０】（表１）及び（表３）より明らかな様に、
チタン酸バリウム１００モルに対しＤｙ₂Ｏ₃が１．０モ
ルを超えると、１２５０゜Ｃの焼成で若干焼結性が劣化
するため、静電容量が低下し、また０．０３モル未満に
なると静電容量の温度変化率が大きくなる傾向にあっ
た。チタン酸バリウム１００モルに対しＭｇＯが１．０
モルを超えると静電容量の低下と誘電体損失の増大を招
き、また０．０３モル未満になると焼成時の耐還元性が
損なわれる為、誘電体損失が増大し、絶縁破壊電圧及び
絶縁抵抗が劣化した。チタン酸バリウム１００モルに対
しＭｎ₃Ｏ₄が１．０モルを超えると静電容量の低下と誘
電体損失の増加を招き、また０．０３モル未満になると
絶縁抵抗及び絶縁破壊電圧が急激に劣化した。さらに、
焼結助剤成分に関しては、チタン酸バリウム１００モル
に対しＣａ及びＢａ成分の内少なくとも１種が１．５モ
ルを超えると静電容量が低下し、また０．５モル未満に
なると焼結助剤としての効果が得られず焼結性が損なわ
れる為、絶縁抵抗及び絶縁破壊電圧が劣化した。また、
Ｓｉ成分に関してはチタン酸バリウム１００モルに対し
て１．０モル未満及び３．０モルを超えた場合について
Ｃａ及びＢａ成分と同様の傾向であった。

【００５１】これに対し、主成分のＢａＴｉＯ₃粉末１
００モルに対して、Ｄｙ₂Ｏ₃、ＭｇＯ及びＭｎ₃Ｏ₄の内
から選ばれた少なくとも１種以上を各々０．０３〜１．
０モル含み、且つ主成分のＢａＴｉＯ₃粉末１００モル
に対してＣａ及びＢａ成分の内少なくとも１種以上を各
々０．５〜１．５モル、Ｓｉ成分を１．０〜３．０モル
含む組成物により作製した積層セラミックコンデンサは
良好な焼結性と電気特性とを有し、またＥＩＡ規格Ｘ７
Ｒ特性及びＪＩＳ規格Ｂ特性を満足し、形状が３２１６
サイズで定格電圧が６３０ＶＤＣを保証し、１００００
ＰＦの静電容量値を有する中高圧用積層セラミックコン
デンサとして使用可能なものであった。

【００５２】以上のように、本発明の耐還元性誘電体組
成物によれば、良好な焼結性と電気特性を有し、内部電
極としてＮｉを用いた中高圧用積層セラミックコンデン
サを実現することができる。

【００５３】（実施例２）主成分であるＢａＴｉＯ₃粉
末及び添加剤であるＤｙ₂Ｏ₃、ＭｇＯ及びＭｎ₃Ｏ ₄の各
粉末を（（表１）のＲｕｎＮｏ．１７組成に基ずいて電
子天秤で所定量を秤量し、５ｍｍφのＺｒＯ₂質ボール
が２１００ｇ入った内容積が２８００ＣＣのボールミル
中に投入する。次にＢａ、Ｃａの酢酸塩及びＴＥＯＳ
（テトラエトキシシラン）の所定量を電子天秤で秤量し
た後、酢酸塩は６００ＣＣの純水に、またＴＥＯＳは９
００ＣＣのエタノールに別々に溶解させる。そして、該
水溶液をエタノール溶液中に投入して攪拌を続けながら
１規定のアンモニア水を２４０ＣＣ滴下して、焼結助剤
成分より成るコロイド状懸濁液を得た。次に、該コロイ
ド状懸濁液を上記ボールミル中に投入し５０ｒｐｍの回
転速度で２０時間混合した。混合物は１５０メッシュの
シルクスクリーンで濾過して、テフロンシートを敷いた
ステンレスバット中に投入し、ドラフト中で加温しなが
らエタノール分を揮発させ、アルミ泊で蓋をして１５０
゜Ｃの温度で乾燥した。乾燥した塊状物はアルミナ乳鉢
中で解砕した後、３２メッシュのナイロン篩を通過して
アルミナ製坩堝に入れて４００゜Ｃ／２時間（昇降温速
度：２００゜Ｃ／Ｈ）の条件で熱処理してスラリー用粉
末を約７００ｇ作製した。

【００５４】次に、内容積が９００ＣＣのポリエチレン
製ポット中に作製した粉末を３００ｇ、酢酸ブチルを１
０５ｇ、２−ｎ−ブトキシエタノールを５０ｇ及びエタ
ノールを３ｇさらにブチルベンジルフタレートを１．５
ｇ投入し、１０ｍｍφＺｒＯ ₂ボール１３２０ｇを用い
て１００ｒｐｍの回転速度で１５時間混合することによ
り湿潤した。そして、湿潤が完了した上記ボールミル中
に、ポリビニルブチラール樹脂より成るビヒクルを１４
６ｇ投入し１００ｒｐｍの回転速度で６時間混合してシ
ート成形用スラリーとした。ここで、ポリビニルブチラ
ール樹脂とブチルベンジルフタレートの合計比率は粉末
に対して１４重量％である。

【００５５】次に、該スラリーを１５０メッシュのシル
クスクリーンで濾過した後、７５μｍの基体上に成膜し
て２４〜２８μｍの厚みを有するセラミック生シートを
得た。そして、設計に基ずいて該セラミック生シート
と、Ｎｉペースト(住友金属鉱山製ＮＬＰ−４３１９５)
より作製した内部電極シートを用いて転写工法により積
層した。すなわち、有効層は１２層で、１層を３枚のセ
ラミック生シートで構成し、また寸法調整及び内部気密
封止の為に有効層を挟む上下の誘電体層は製品寸法の規
格値を考慮して各々１４枚のセラミック生シートで構成
した。そして、積層体を専用の切断機で切断して、長
さ：４．０ｍｍ、幅：２．０３ｍｍ、厚み：１．５０ｍ
ｍのグリーンチップを得た。

【００５６】得られたグリーンチップは、乾燥機を用い
て２００゜Ｃの温度で熱処理して硬化させた。この時の
グリーンチップの重量減少率は５．８％であった。そし
て、このグリーンチップを４００ＣＣの純水と専用のメ
ディアと共に専用のポットに投入し、２０５ｒｐｍで５
分間回転して面取りした後、該グリーンチップを１２０
゜Ｃで乾燥した。

【００５７】次に、面取りしたグリーンチップの内部電
極層の終端部分が露出している両端面にＮｉ系のペース
ト(住友金属鉱山製ＮＬＰ−４３１９５より作製したも
の）を塗布し１２０゜Ｃで１０分間乾燥して、脱脂し
た。脱脂は、該グリーンチップをＡＳ−２１００ジルコ
ニア粉末を敷いた焼成専用のジルコニアコートさや中に
投入して、Ｎ₂ガス中で４００゜Ｃで４時間保持して実
施した。そして、（株）モトヤマ製回転式雰囲気炉を用
いてグリーンガス、ＣＯ₂及びＮ₂により調整した雰囲気
中で１２５０゜Ｃの温度で２時間保持しと焼成した。

【００５８】そして、焼成チップの両端面に（株）ナミ
ックス製Ａｇペーストを塗布して大気中６００゜Ｃの温
度で焼き付けた後、Ｎｉ鍍金及びＳｎ鍍金を施して積層
セラミックコンデンサを完成させた。

【００５９】図１は、作製した本発明の積層セラミック
コンデンサの断面斜視図である。ここに、１１は約５１
μｍの膜厚を有する誘電体層であり、１２は約３μｍの
膜厚を有する内部電極層であり、また端子電極としては
１３が内部電極層１２に接続しているＮｉ系電極であ
り、１４がＡｇ電極である。さらに、Ａｇ電極１４の上
に鍍金層１５として半田耐熱性及び半田付け性を考慮し
てＮｉ鍍金及びＳｎ鍍金が施されている。

【００６０】それによると、誘電体層と内部電極層及び
誘電体層同士の界面に積層不良による層間剥離や亀裂が
なく、優れた内部構造を有していた。また、誘電体層１
１を希硝酸でエッチングした後、走査型電子顕微鏡で微
構造を観察した。誘電体層を形成しているセラミックの
結晶粒子径は約０．５μｍで、ほぼ球状をなし、しかも
大きさは均一で、全体的に非常に緻密で均質な組織を有
していた。

【００６１】次に、作製した積層セラミックコンデンサ
の寸法と電気特性を測定したところ、設計通り寸法は３
２１６サイズの規格値を満足し、また静電容量、誘電体
損失、絶縁抵抗、絶縁破壊電圧及び静電容量の温度変化
率も設計品種である６３０ＶＤＣ定格の１００００ＰＦ
品（ＥＩＡ規格Ｘ７Ｒ特性及びＪＩＳ規格Ｂ特性）の規
格値を満足していた。そして、作製した本発明の積層セ
ラミックコンデンサと、従来の耐還元性誘電体組成物を
用いて従来の製造方法により作製した積層セラミックコ
ンデンサのＤＣバイアス電圧に対する静電容量の変化率
を測定した。すなわち、ＹＨＰ製ＬＣＲメータ４２８４
Ａに接続した安定化直流電源の電圧を徐々に増加して、
１Ｖ／１ＫＨｚの信号電圧下における積層セラミックコ
ンデンサの静電容量を実測し、結果を図２に示した。そ
れによると、Ｂの従来の積層セラミックコンデンサはセ
ラミック誘電体層の１μｍの膜厚に対して４．０ＶＤＣ
のＤＣバイアス電圧を印加した時の静電容量の減少率が
４０％を超えたのに対して、Ａの本発明の積層セラミッ
クコンデンサは静電容量の減少率が３０％程度であり、
スイッチング電源回路やＤＣ−ＤＣコンバータ回路等の
用途に対して回路設計上非常に有利であることが判明し
た。

【００６２】さらに、本発明の積層セラミックコンデン
サの耐久信頼性を評価する為に温度で高温負荷寿命試験
を実施した。８５゜Ｃの恒温槽中にセットした５０個の
コンデンサに１２６０ＶＤＣの直流電圧を印加して、所
定の印加時間における静電容量と絶縁抵抗を測定し、各
々の平均値を算出した。結果を図３に示したが、それに
よると１０００時間印加後、静電容量の大きな低下は無
く、また絶縁抵抗も安定しており、本発明の積層セラミ
ックコンデンサは優れた耐久信頼性を有していた。

【００６３】以上の様に本発明の積層セラミックコンデ
ンサの製造方法によれば、セラミックの結晶粒子が球状
で且つ大きさが均一で粒子径が０．５μｍ程度の非常に
緻密な微細構造を有する誘電体層が得られるため、電気
特性及びＤＣバイアス特性と耐久信頼性に優れた中高圧
用積層セラミックコンデンサを実現することができる。

【００６４】

【発明の効果】以上の様に本発明によれば、Ｃａ、Ｂａ
及びＳｉ成分を含むコロイド状懸濁液を主成分のＢａＴ
ｉＯ₃粉末及び微量の添加剤と共に混合することにより
作製した耐還元性誘電体組成物であるため、セラミック
の結晶粒子径が微細で、非常に緻密で均一な組織を有す
る誘電体層が実現できるため、電気的特性及び耐久信頼
性に優れた積層セラミックコンデンサが得られる。

【００６５】また、本発明による積層セラミックコンデ
ンサは絶縁破壊電圧が高く、ＤＣバイアス電圧に対して
静電容量の減少率が小さいため中高圧用としてスイッチ
ング電源回路等に適用した場合、優れたノイズ吸収性能
を発揮するという有利な効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の積層セラミックコンデンサの断面斜視
図

【図２】ＤＣバイアス電圧に対する静電容量の変化率を
示すグラフ

【図３】本発明の積層セラミックコンデンサの高温負荷
寿命特性を示すグラフ

【符号の説明】

１１誘電体層１２内部電極層１３Ｎｉ系電極１４Ａｇ電極１５鍍金層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者金山熊夫大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者山本益裕大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者岡野和之大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内Ｆターム(参考） 4G031 AA03 AA04 AA06 AA07 AA11 AA19 AA30 AA39 BA09 CA03 CA04 CA08 GA01 GA05 GA15 5E001 AB03 AC03 AC04 AC09 AD03 AE00 AE02 AE03 AE04 AF00 AF06 AH01 AH07 AH08 AH09 AJ01 AJ02 AJ03 5G303 AA01 AB02 AB06 AB07 AB11 AB14 AB20 BA12 CA01 CB03 CB06 CB17 CB18 CB30 CB35 CB41 DA06

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】焼結助剤として作用する成分を含むコロイ
ド状懸濁液を作製する工程と、該コロイド状懸濁液を主
成分の粉末及び微量の添加剤と共に混合して原料粉末を
作製する工程とを順次行うことにより製造した耐還元性
誘電体組成物。
【請求項２】Ｃａ及びＢａの酢酸塩水溶液とＳｉの金属
アルコキシドエタノール溶液を攪拌混合しながらアンモ
ニア水を滴下してＣａ、Ｂａ及びＳｉ成分を含むコロイ
ド状懸濁液を作製する工程と、該コロイド状懸濁液を主
成分のＢａＴｉＯ₃粉末及び微量の添加剤と共に混合し
て原料粉末を作製する工程とを順次行うことにより製造
した耐還元性誘電体組成物。
【請求項３】前記、コロイド状懸濁液は主成分のＢａＴ
ｉＯ₃粉末１００モルに対してＣａ及びＢａ成分の内少
なくとも１種以上を各々０．５〜１．５モル、Ｓｉ成分
を１．０〜３．０モル含むことを特徴とする請求項２記
載の耐還元性誘電体組成物。
【請求項４】前記、添加剤は主成分のＢａＴｉＯ₃粉末
１００モルに対して各々０．０３〜１．０モルのＤｙ₂
Ｏ₃、ＭｇＯ及びＭｎ₃Ｏ₄の内から選ばれた少なくとも
１種類以上を含むことを特徴とする請求項２記載の耐還
元性誘電体組成物。
【請求項５】耐還元性誘電体組成物より成るセラミック
誘電体層と、Ｎｉ或いはＮｉを主成分とする合金より成
る内部電極層が交互に複数積層され、内部電極層の終端
部分が露出した両端面に端子電極が設けられた積層セラ
ミックコンデンサにおいて、前記セラミック誘電体層を
構成しているセラミックの結晶粒子は球状で且つ大きさ
が均一で、粒子径が０．３〜０．８μｍの範囲内にある
ことを特徴とする積層セラミックコンデンサ。
【請求項６】耐還元性誘電体組成物より成るセラミック
誘電体層と、Ｎｉ或いはＮｉを主成分とする合金より成
る内部電極層が交互に複数積層され、内部電極層の終端
部分が露出した両端面に端子電極が設けられた積層セラ
ミックコンデンサにおいて、前記内部電極層の膜厚が２
〜５μｍの範囲内にあることを特徴とする積層セラミッ
クコンデンサ。
【請求項７】耐還元性誘電体組成物より成るセラミック
誘電体層と、Ｎｉ或いはＮｉを主成分とする合金より成
る内部電極層が交互に複数積層され、内部電極層の終端
部分が露出した両端面に端子電極が設けられた積層セラ
ミックコンデンサにおいて、前記端子電極はＮｉ或いは
Ｎｉを主成分とする合金の上にＡｇが付与され、その上
にＮｉ鍍金及びＳｎ若しくは半田鍍金が形成された４層
構造であることを特徴とする積層セラミックコンデン
サ。
【請求項８】耐還元性誘電体組成物より成るセラミック
誘電体層と、Ｎｉ或いはＮｉを主成分とする合金より成
る内部電極層が交互に複数積層され、内部電極層の終端
部分が露出した両端面に端子電極が設けられた積層セラ
ミックコンデンサにおいて、セラミック誘電体層の膜厚
に対して４．０ＶＤＣ／μｍのＤＣバイアス電圧を印加
した時の静電容量減少率が３５％以下であることを特徴
とする積層セラミックコンデンサ。
【請求項９】耐還元性誘電体組成物の原料粉末を樹脂、
可塑剤及び溶剤から成るビヒクル中に分散してスラリー
とし、該スラリーを基体上に塗布して１０〜６０μｍの
厚みのセラミック生シートを形成する積層セラミックコ
ンデンサの製造方法において、前記樹脂と可塑剤の合計
比率が原料粉末に対して９〜１８重量％の範囲内にある
ことを特徴とする積層セラミックコンデンサの製造方
法。
【請求項１０】基体上に耐還元性誘電体組成物の原料粉
末より成るスラリーを塗布して形成したセラミック生シ
ートと、基体上にＮｉ或いはＮｉを主成分とする合金よ
り成るペーストを印刷して形成した内部電極シートを交
互に複数積層することによりラミネート体を得る積層セ
ラミックコンデンサの製造方法において、前記ペースト
が液相法により合成されたＮｉ或いはＮｉを主成分とす
る合金を含むことを特徴とする積層セラミックコンデン
サの製造方法。
【請求項１１】前記、Ｎｉ或いはＮｉを主成分とする合
金より成るペーストは、セラミック誘電体層を構成する
耐還元性誘電体組成物と同じ材質のセラミック粉末を１
０〜２０重量％含むことを特徴とする請求項１０に記載
の積層セラミックコンデンサの製造方法。
【請求項１２】耐還元性誘電体組成物から成るセラミッ
ク生シートとＮｉ或いはＮｉを主成分とする合金から成
る内部電極シートより形成されたラミネート体を切断し
てグリーンチップとし、該グリーンチップを熱処理した
後、水及びメディアと共にバレル中に投入して回転しな
がら面取りする積層セラミックコンデンサの製造方法に
おいて、前記熱処理によるグリーンチップの重量減少率
が４〜８％の範囲内であることを特徴とする積層セラミ
ックコンデンサの製造方法。
【請求項１３】耐還元性誘電体組成物から成るセラミッ
ク生シートとＮｉ或いはＮｉを主成分とする合金から成
る内部電極シートより形成されたラミネート体を切断し
てグリーンチップとし、該グリーンチップを熱処理した
後、メディアと共にジルコニア質ポットに投入して回転
しながら面取りする積層セラミックコンデンサの製造方
法において、前記熱処理によるグリーンチップの重量減
少率が１〜４％の範囲内であることを特徴とする積層セ
ラミックコンデンサの製造方法。