JP2001150391A - 半導体マイクロアクチュエータ - Google Patents
半導体マイクロアクチュエータInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】低電力で駆動できる半導体マイクロアクチュエ
ータを提供する。 【解決手段】半導体マイクロアクチュエータは、所定の
位置に貫通孔１０を有する第１の基板１と、貫通孔１０
に対応する位置に配置される弁体１１と、熱膨張係数の
異なる２種の材料からなる薄膜部６及び金属薄膜７を接
合して形成され、電気的作用による発熱を駆動源として
変位する可撓部３と、弁体１１が可撓部３を介して枠部
５に連結され、第１の基板１に接合される第２の基板２
とで構成される。可撓部３を構成する薄膜部６及び金属
薄膜７には、弁体１１と枠部５とを連結する方向と略直
交する方向において薄膜部６及び金属薄膜７を２つの領
域に分割する隙間８が形成される。
ータを提供する。 【解決手段】半導体マイクロアクチュエータは、所定の
位置に貫通孔１０を有する第１の基板１と、貫通孔１０
に対応する位置に配置される弁体１１と、熱膨張係数の
異なる２種の材料からなる薄膜部６及び金属薄膜７を接
合して形成され、電気的作用による発熱を駆動源として
変位する可撓部３と、弁体１１が可撓部３を介して枠部
５に連結され、第１の基板１に接合される第２の基板２
とで構成される。可撓部３を構成する薄膜部６及び金属
薄膜７には、弁体１１と枠部５とを連結する方向と略直
交する方向において薄膜部６及び金属薄膜７を２つの領
域に分割する隙間８が形成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体マイクロア
クチュエータに関するものである。
クチュエータに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来の半導体マイクロアクチュエ
ータの一部破断せる斜視図である。この半導体マイクロ
アクチュエータは、例えばガラスからなる第１の基板１
と、例えばシリコンからなる第２の基板２とを接合した
構成となっている（例えば、特開平７−４５３８号公報
参照）。
ータの一部破断せる斜視図である。この半導体マイクロ
アクチュエータは、例えばガラスからなる第１の基板１
と、例えばシリコンからなる第２の基板２とを接合した
構成となっている（例えば、特開平７−４５３８号公報
参照）。
【０００３】第１の基板１の中央部には貫通孔１０が設
けられ、ここから流体が流入する。この貫通孔１０と相
対して第２の基板２の中央部には可動エレメントたる弁
体１１が設けられており、貫通孔１０上面のシート部
（弁座）１２と弁体１１との間に、わずかな隙間１３が
形成される。弁体１１は上面が四角形状に開口し、下方
に向かうにつれて幅が狭くなる四角錐台形状に形成され
ている。そして、弁体１１の開口部の４辺は、それぞ
れ、熱によりバイメタル的に変形可能な可撓部３を介し
て第２の基板２の枠部５に連結され、可撓部３は弁体１
１を挟んで十字に配置されている。また、枠部５と弁体
１１との間の隙間の内、可撓部３以外の部位は空隙とな
っており、この空隙により貫通孔１０から流入した流体
を外部に流出させる流出口１５が構成される。
けられ、ここから流体が流入する。この貫通孔１０と相
対して第２の基板２の中央部には可動エレメントたる弁
体１１が設けられており、貫通孔１０上面のシート部
（弁座）１２と弁体１１との間に、わずかな隙間１３が
形成される。弁体１１は上面が四角形状に開口し、下方
に向かうにつれて幅が狭くなる四角錐台形状に形成され
ている。そして、弁体１１の開口部の４辺は、それぞ
れ、熱によりバイメタル的に変形可能な可撓部３を介し
て第２の基板２の枠部５に連結され、可撓部３は弁体１
１を挟んで十字に配置されている。また、枠部５と弁体
１１との間の隙間の内、可撓部３以外の部位は空隙とな
っており、この空隙により貫通孔１０から流入した流体
を外部に流出させる流出口１５が構成される。
【０００４】可撓部３は第２の基板２の一部を、半導体
加工プロセスを用いて薄膜状にした薄膜部６の上面に、
アルミニウムやニッケルなどの金属薄膜７を例えばスパ
ッタリングなどにより形成しており、薄膜部６と金属薄
膜７の熱膨張率の差を利用して、可撓部３が変位するよ
うになっている。すなわち、薄膜部６及び金属薄膜７か
らバイメタル部３ａが構成される。
加工プロセスを用いて薄膜状にした薄膜部６の上面に、
アルミニウムやニッケルなどの金属薄膜７を例えばスパ
ッタリングなどにより形成しており、薄膜部６と金属薄
膜７の熱膨張率の差を利用して、可撓部３が変位するよ
うになっている。すなわち、薄膜部６及び金属薄膜７か
らバイメタル部３ａが構成される。
【０００５】可撓部３には例えば電気抵抗配線等を利用
したヒーター（図示せず）が配設され、このヒーターに
電流を流すことによって、ジュール熱を発生させ、バイ
メタル部３ａの温度を上昇させることで可撓部３を上に
凸な形状に湾曲させる。尚、可撓部３の前後、つまり中
央の弁体１１側及び第２の基板２の枠部５側の両方に
は、熱絶縁領域４を設けてあり、熱絶縁領域４によりバ
イメタル部３ａの熱の拡散が少なくなり、低電力で動作
させることができる。
したヒーター（図示せず）が配設され、このヒーターに
電流を流すことによって、ジュール熱を発生させ、バイ
メタル部３ａの温度を上昇させることで可撓部３を上に
凸な形状に湾曲させる。尚、可撓部３の前後、つまり中
央の弁体１１側及び第２の基板２の枠部５側の両方に
は、熱絶縁領域４を設けてあり、熱絶縁領域４によりバ
イメタル部３ａの熱の拡散が少なくなり、低電力で動作
させることができる。
【０００６】ここで、ヒーターに通電すると、バイメタ
ル部３ａの温度が上昇して、可撓部３が上に凸な形状に
湾曲するので、弁体１１がシート部１２に当接し、弁体
１１とシート部１２との間の隙間１３がなくなって、流
体の流入が遮断される。その後、ヒーターへの通電を停
止すると、バイメタル部３ａの温度が低下し、可撓部３
は湾曲している状態から平らな形状に変形するので、流
入口１４から貫通孔１０を介して流体が吸い込まれ、流
出口１５から外部に送出される。而して、ヒーターへの
通電をオン／オフすることにより、弁体１１が上下に往
復運動し、流入口１４から貫通孔１０を介して吸い込ま
れた流体が流出口１５から外部に送出される。
ル部３ａの温度が上昇して、可撓部３が上に凸な形状に
湾曲するので、弁体１１がシート部１２に当接し、弁体
１１とシート部１２との間の隙間１３がなくなって、流
体の流入が遮断される。その後、ヒーターへの通電を停
止すると、バイメタル部３ａの温度が低下し、可撓部３
は湾曲している状態から平らな形状に変形するので、流
入口１４から貫通孔１０を介して流体が吸い込まれ、流
出口１５から外部に送出される。而して、ヒーターへの
通電をオン／オフすることにより、弁体１１が上下に往
復運動し、流入口１４から貫通孔１０を介して吸い込ま
れた流体が流出口１５から外部に送出される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記構成の半導体マイ
クロアクチュエータでは、バイメタル部３ａを構成する
薄膜部６と金属薄膜７との熱膨張率の差を利用し、バイ
メタル部３ａを加熱することによって可撓部３を湾曲さ
せているのであるが、バイメタル部３ａを加熱すると、
可撓部３は枠部５と弁体１１との間を連結する方向Ａに
おいて湾曲すると同時に、上記方向Ａと略直交する方向
Ｂにおいても湾曲する。ここで、可撓部３が方向Ｂにお
いて湾曲すると、方向Ａにおいて可撓部３の剛性が高く
なるため、可撓部３が変形しにくくなり、可撓部３を駆
動するために大きな電力を必要とするという問題があっ
た。
クロアクチュエータでは、バイメタル部３ａを構成する
薄膜部６と金属薄膜７との熱膨張率の差を利用し、バイ
メタル部３ａを加熱することによって可撓部３を湾曲さ
せているのであるが、バイメタル部３ａを加熱すると、
可撓部３は枠部５と弁体１１との間を連結する方向Ａに
おいて湾曲すると同時に、上記方向Ａと略直交する方向
Ｂにおいても湾曲する。ここで、可撓部３が方向Ｂにお
いて湾曲すると、方向Ａにおいて可撓部３の剛性が高く
なるため、可撓部３が変形しにくくなり、可撓部３を駆
動するために大きな電力を必要とするという問題があっ
た。
【０００８】本発明は上記問題点に鑑みて為されたもの
であり、その目的とするところは、低電力で駆動するこ
とのできる半導体マイクロアクチュエータを提供するこ
とにある。
であり、その目的とするところは、低電力で駆動するこ
とのできる半導体マイクロアクチュエータを提供するこ
とにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１の発明では、所定の位置に貫通孔を有する
第１の基板と、前記貫通孔を遮蔽する位置と前記貫通孔
を開放させる位置との間で移動自在に設けられた可動エ
レメントと、熱膨張係数の異なる２種の材料からなる薄
膜を接合して形成され、電気的作用による発熱を駆動源
として変位する可撓部と、可撓部を介して可動エレメン
トが連結された第２の基板とを備え、可撓部を構成する
２つの薄膜の内、少なくとも何れか一方の薄膜には、可
動エレメントと第２の基板とを連結する方向と交差する
方向において該薄膜を複数の領域に分割する隙間を形成
したことを特徴とし、可撓部は熱膨張係数の異なる２種
の材料からなる薄膜を接合して形成され、可動エレメン
トと第２の基板とを連結する方向と交差する方向におい
て、可撓部を構成する２つの薄膜の内、少なくとも何れ
か一方を複数の領域に分割し、隣接する領域の間に隙間
を設けているので、可撓部を加熱した際に、可動エレメ
ントと第２の基板とを連結する方向と交差する方向にお
いて可撓部が湾曲したとしても、可動エレメントと第２
の基板とを連結する方向における可撓部の剛性を小さく
でき、したがって可撓部を動作させるのに必要な電力が
小さくなり、低電力で駆動できる半導体マイクロアクチ
ュエータを実現できる。
に、請求項１の発明では、所定の位置に貫通孔を有する
第１の基板と、前記貫通孔を遮蔽する位置と前記貫通孔
を開放させる位置との間で移動自在に設けられた可動エ
レメントと、熱膨張係数の異なる２種の材料からなる薄
膜を接合して形成され、電気的作用による発熱を駆動源
として変位する可撓部と、可撓部を介して可動エレメン
トが連結された第２の基板とを備え、可撓部を構成する
２つの薄膜の内、少なくとも何れか一方の薄膜には、可
動エレメントと第２の基板とを連結する方向と交差する
方向において該薄膜を複数の領域に分割する隙間を形成
したことを特徴とし、可撓部は熱膨張係数の異なる２種
の材料からなる薄膜を接合して形成され、可動エレメン
トと第２の基板とを連結する方向と交差する方向におい
て、可撓部を構成する２つの薄膜の内、少なくとも何れ
か一方を複数の領域に分割し、隣接する領域の間に隙間
を設けているので、可撓部を加熱した際に、可動エレメ
ントと第２の基板とを連結する方向と交差する方向にお
いて可撓部が湾曲したとしても、可動エレメントと第２
の基板とを連結する方向における可撓部の剛性を小さく
でき、したがって可撓部を動作させるのに必要な電力が
小さくなり、低電力で駆動できる半導体マイクロアクチ
ュエータを実現できる。
【００１０】請求項２の発明では、請求項１の発明にお
いて、可動エレメントと第２の基板とを連結する方向と
交差する方向において、可撓部を構成する２つの薄膜を
両方共に複数の領域に分割する隙間を形成したことを特
徴とし、２つの薄膜を両方共に複数の領域に分割してい
るので、可撓部を加熱した際に、可動エレメントと第２
の基板とを連結する方向と交差する方向において可撓部
が湾曲したとしても、可動エレメントと第２の基板とを
連結する方向における可撓部の剛性をさらに小さくで
き、したがって可撓部を動作させるのに必要な電力が小
さくなり、低電力で駆動できる半導体マイクロアクチュ
エータを実現できる。
いて、可動エレメントと第２の基板とを連結する方向と
交差する方向において、可撓部を構成する２つの薄膜を
両方共に複数の領域に分割する隙間を形成したことを特
徴とし、２つの薄膜を両方共に複数の領域に分割してい
るので、可撓部を加熱した際に、可動エレメントと第２
の基板とを連結する方向と交差する方向において可撓部
が湾曲したとしても、可動エレメントと第２の基板とを
連結する方向における可撓部の剛性をさらに小さくで
き、したがって可撓部を動作させるのに必要な電力が小
さくなり、低電力で駆動できる半導体マイクロアクチュ
エータを実現できる。
【００１１】請求項３の発明では、請求項１の発明にお
いて、可動エレメントと第２の基板とを連結する方向と
交差する方向において、可撓部を構成する２つの薄膜の
内、一方の薄膜のみを複数の領域に分割する隙間を形成
したことを特徴とし、２つの薄膜が両方共に複数の領域
に分割されている場合、可撓部の変形量のばらつきが大
きくなる虞があるが、一方の薄膜のみが複数の領域に分
割され、他方の薄膜は一体に形成されており、可撓部が
完全に分離されていないため、可撓部の変形量のばらつ
きを小さくできる。
いて、可動エレメントと第２の基板とを連結する方向と
交差する方向において、可撓部を構成する２つの薄膜の
内、一方の薄膜のみを複数の領域に分割する隙間を形成
したことを特徴とし、２つの薄膜が両方共に複数の領域
に分割されている場合、可撓部の変形量のばらつきが大
きくなる虞があるが、一方の薄膜のみが複数の領域に分
割され、他方の薄膜は一体に形成されており、可撓部が
完全に分離されていないため、可撓部の変形量のばらつ
きを小さくできる。
【００１２】
【発明の実施の形態】図１（ａ）に本実施形態の半導体
マイクロアクチュエータの一部破断せる斜視図を示す。
本実施形態では、図３に示す従来の半導体マイクロアク
チュエータにおいて、可撓部３を構成する薄膜部６と金
属薄膜７とを、枠部５と弁体１１との間を連結する方向
と略直交する方向において複数（本実施形態では例えば
２つ）の領域６ａ，６ｂ，７ａ，７ｂに分割する隙間８
を設けている。尚、可撓部３以外の構成は、図３に示す
従来の半導体マイクロアクチュエータと同様であるの
で、同一の構成要素には同一の符号を付して、その説明
を省略する。
マイクロアクチュエータの一部破断せる斜視図を示す。
本実施形態では、図３に示す従来の半導体マイクロアク
チュエータにおいて、可撓部３を構成する薄膜部６と金
属薄膜７とを、枠部５と弁体１１との間を連結する方向
と略直交する方向において複数（本実施形態では例えば
２つ）の領域６ａ，６ｂ，７ａ，７ｂに分割する隙間８
を設けている。尚、可撓部３以外の構成は、図３に示す
従来の半導体マイクロアクチュエータと同様であるの
で、同一の構成要素には同一の符号を付して、その説明
を省略する。
【００１３】ここで、バイメタル部３ａを加熱すると、
薄膜部６と金属薄膜７との熱膨張率の差によって、バイ
メタル部３ａが、枠部５と弁体１１との間を連結する方
向Ａにおいて湾曲すると同時に、上記方向Ａと略直交す
る方向Ｂにおいても湾曲するが、上述のように薄膜部６
と金属薄膜７とは、枠部５と弁体１１との間を連結する
方向と略直交する方向において２つの領域６ａ，６
ｂ，，７ａ，７ｂに分割され、各領域の間に隙間８が設
けられているので、バイメタル部３ａが方向Ｂにおいて
湾曲したとしても方向Ａにおけるバイメタル部３ａの剛
性が小さくなる。したがって、可撓部３を駆動するため
に必要な電力を小さくでき、低消費電力の半導体マイク
ロアクチュエータを実現することができる。
薄膜部６と金属薄膜７との熱膨張率の差によって、バイ
メタル部３ａが、枠部５と弁体１１との間を連結する方
向Ａにおいて湾曲すると同時に、上記方向Ａと略直交す
る方向Ｂにおいても湾曲するが、上述のように薄膜部６
と金属薄膜７とは、枠部５と弁体１１との間を連結する
方向と略直交する方向において２つの領域６ａ，６
ｂ，，７ａ，７ｂに分割され、各領域の間に隙間８が設
けられているので、バイメタル部３ａが方向Ｂにおいて
湾曲したとしても方向Ａにおけるバイメタル部３ａの剛
性が小さくなる。したがって、可撓部３を駆動するため
に必要な電力を小さくでき、低消費電力の半導体マイク
ロアクチュエータを実現することができる。
【００１４】また、枠部５と弁体１１との間を連結する
方向と略直交する方向において、薄膜部６及び金属薄膜
７の両方を複数の領域に分割した場合、薄膜部６又は金
属薄膜７の一方のみを複数の領域に分割した場合に比べ
て、枠部５と弁体１１との間を連結する方向と略直交す
る方向において可撓部３が湾曲した際に、枠部５と弁体
１１との間を連結する方向における可撓部３の剛性がさ
らに小さくなるから、可撓部３を動作させるのに必要な
電力をさらに小さくできる。
方向と略直交する方向において、薄膜部６及び金属薄膜
７の両方を複数の領域に分割した場合、薄膜部６又は金
属薄膜７の一方のみを複数の領域に分割した場合に比べ
て、枠部５と弁体１１との間を連結する方向と略直交す
る方向において可撓部３が湾曲した際に、枠部５と弁体
１１との間を連結する方向における可撓部３の剛性がさ
らに小さくなるから、可撓部３を動作させるのに必要な
電力をさらに小さくできる。
【００１５】尚、本実施形態では、薄膜部６及び金属薄
膜７の両方に、枠部５と弁体１１との間を連結する方向
と略直交する方向において、薄膜部６及び金属薄膜７を
複数の領域に分割する隙間８を形成しているが、薄膜部
６及び金属薄膜７の内の何れか一方に、枠部５と弁体１
１との間を連結する方向と略直交する方向において、薄
膜部６又は金属薄膜７を複数の領域に分割する隙間を形
成しても良く、例えば図２に示すように金属薄膜７のみ
に金属薄膜７を２つの領域７ａ，７ｂに分割する隙間を
形成しても良い。ここで、薄膜部６及び金属薄膜７の内
の何れか一方のみに、薄膜部６又は金属薄膜７を複数の
領域に分割する隙間を形成した場合、隙間の形成されて
いない薄膜部６又は金属薄膜７は一体に形成され、可撓
部３が完全に分離されていないため、可撓部３の変形量
のばらつきを小さくできる。
膜７の両方に、枠部５と弁体１１との間を連結する方向
と略直交する方向において、薄膜部６及び金属薄膜７を
複数の領域に分割する隙間８を形成しているが、薄膜部
６及び金属薄膜７の内の何れか一方に、枠部５と弁体１
１との間を連結する方向と略直交する方向において、薄
膜部６又は金属薄膜７を複数の領域に分割する隙間を形
成しても良く、例えば図２に示すように金属薄膜７のみ
に金属薄膜７を２つの領域７ａ，７ｂに分割する隙間を
形成しても良い。ここで、薄膜部６及び金属薄膜７の内
の何れか一方のみに、薄膜部６又は金属薄膜７を複数の
領域に分割する隙間を形成した場合、隙間の形成されて
いない薄膜部６又は金属薄膜７は一体に形成され、可撓
部３が完全に分離されていないため、可撓部３の変形量
のばらつきを小さくできる。
【００１６】
【発明の効果】上述のように、請求項１の発明は、所定
の位置に貫通孔を有する第１の基板と、前記貫通孔を遮
蔽する位置と前記貫通孔を開放させる位置との間で移動
自在に設けられた可動エレメントと、熱膨張係数の異な
る２種の材料からなる薄膜を接合して形成され、電気的
作用による発熱を駆動源として変位する可撓部と、可撓
部を介して可動エレメントが連結された第２の基板とを
備え、可撓部を構成する２つの薄膜の内、少なくとも何
れか一方の薄膜には、可動エレメントと第２の基板とを
連結する方向と交差する方向において該薄膜を複数の領
域に分割する隙間を形成したことを特徴とし、可撓部は
熱膨張係数の異なる２種の材料からなる薄膜を接合して
形成され、可動エレメントと第２の基板とを連結する方
向と交差する方向において、可撓部を構成する２つの薄
膜の内、少なくとも何れか一方を複数の領域に分割し、
隣接する領域の間に隙間を設けているので、可撓部を加
熱した際に、可動エレメントと第２の基板とを連結する
方向と交差する方向において可撓部が湾曲したとして
も、可動エレメントと第２の基板とを連結する方向にお
ける可撓部の剛性を小さくでき、したがって可撓部を動
作させるのに必要な電力が小さくなり、低電力で駆動で
きる半導体マイクロアクチュエータを実現できるという
効果がある。
の位置に貫通孔を有する第１の基板と、前記貫通孔を遮
蔽する位置と前記貫通孔を開放させる位置との間で移動
自在に設けられた可動エレメントと、熱膨張係数の異な
る２種の材料からなる薄膜を接合して形成され、電気的
作用による発熱を駆動源として変位する可撓部と、可撓
部を介して可動エレメントが連結された第２の基板とを
備え、可撓部を構成する２つの薄膜の内、少なくとも何
れか一方の薄膜には、可動エレメントと第２の基板とを
連結する方向と交差する方向において該薄膜を複数の領
域に分割する隙間を形成したことを特徴とし、可撓部は
熱膨張係数の異なる２種の材料からなる薄膜を接合して
形成され、可動エレメントと第２の基板とを連結する方
向と交差する方向において、可撓部を構成する２つの薄
膜の内、少なくとも何れか一方を複数の領域に分割し、
隣接する領域の間に隙間を設けているので、可撓部を加
熱した際に、可動エレメントと第２の基板とを連結する
方向と交差する方向において可撓部が湾曲したとして
も、可動エレメントと第２の基板とを連結する方向にお
ける可撓部の剛性を小さくでき、したがって可撓部を動
作させるのに必要な電力が小さくなり、低電力で駆動で
きる半導体マイクロアクチュエータを実現できるという
効果がある。
【００１７】請求項２の発明は、請求項１の発明におい
て、可動エレメントと第２の基板とを連結する方向と交
差する方向において、可撓部を構成する２つの薄膜を両
方共に複数の領域に分割する隙間を形成したことを特徴
とし、２つの薄膜を両方共に複数の領域に分割している
ので、可撓部を加熱した際に、可動エレメントと第２の
基板とを連結する方向と交差する方向において可撓部が
湾曲したとしても、可動エレメントと第２の基板とを連
結する方向における可撓部の剛性をさらに小さくでき、
したがって可撓部を動作させるのに必要な電力が小さく
なり、低電力で駆動できる半導体マイクロアクチュエー
タを実現できるという効果がある。
て、可動エレメントと第２の基板とを連結する方向と交
差する方向において、可撓部を構成する２つの薄膜を両
方共に複数の領域に分割する隙間を形成したことを特徴
とし、２つの薄膜を両方共に複数の領域に分割している
ので、可撓部を加熱した際に、可動エレメントと第２の
基板とを連結する方向と交差する方向において可撓部が
湾曲したとしても、可動エレメントと第２の基板とを連
結する方向における可撓部の剛性をさらに小さくでき、
したがって可撓部を動作させるのに必要な電力が小さく
なり、低電力で駆動できる半導体マイクロアクチュエー
タを実現できるという効果がある。
【００１８】請求項３の発明は、請求項１の発明におい
て、可動エレメントと第２の基板とを連結する方向と交
差する方向において、可撓部を構成する２つの薄膜の
内、一方の薄膜のみを複数の領域に分割する隙間を形成
したことを特徴とし、２つの薄膜が両方共に複数の領域
に分割されている場合、可撓部の変形量のばらつきが大
きくなる虞があるが、一方の薄膜のみが複数の領域に分
割され、他方の薄膜は一体に形成されており、可撓部が
完全に分離されていないため、可撓部の変形量のばらつ
きを小さくできるという効果がある。
て、可動エレメントと第２の基板とを連結する方向と交
差する方向において、可撓部を構成する２つの薄膜の
内、一方の薄膜のみを複数の領域に分割する隙間を形成
したことを特徴とし、２つの薄膜が両方共に複数の領域
に分割されている場合、可撓部の変形量のばらつきが大
きくなる虞があるが、一方の薄膜のみが複数の領域に分
割され、他方の薄膜は一体に形成されており、可撓部が
完全に分離されていないため、可撓部の変形量のばらつ
きを小さくできるという効果がある。
【図１】本実施形態の半導体マイクロアクチュエータを
示し、（ａ）は一部破断せる斜視図であり、（ｂ）は要
部拡大図である。
示し、（ａ）は一部破断せる斜視図であり、（ｂ）は要
部拡大図である。
【図２】同上の別の半導体マイクロアクチュエータの要
部拡大図である。
部拡大図である。
【図３】従来の半導体マイクロアクチュエータの一部破
断せる斜視図である。
断せる斜視図である。
１ 第１の基板 ２ 第２の基板 ３ 可撓部 ５ 枠部 ６ 薄膜部 ７ 金属薄膜 ８ 隙間 １０ 貫通孔 １１ 弁体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０２Ｎ 2/00 Ｈ０２Ｎ 2/00 Ｂ (72)発明者 豊田 憲治 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 藤井 圭子 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 友成 恵昭 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 河田 裕志 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 吉田 仁 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 鎌倉 將有 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 吉田 和司 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 Ｆターム(参考） 3H057 AA05 BB41 BB49 CC06 DD12 FC02 FD19 HH11 3H062 AA02 AA12 BB33 EE11 FF21 HH10 3H077 AA01 AA11 BB10 CC02 CC09 DD00 EE02 FF07 FF09
Claims (3)
- 【請求項１】所定の位置に貫通孔を有する第１の基板
と、前記貫通孔を遮蔽する位置と前記貫通孔を開放させ
る位置との間で移動自在に設けられた可動エレメント
と、熱膨張係数の異なる２種の材料からなる薄膜を接合
して形成され、電気的作用による発熱を駆動源として変
位する可撓部と、可撓部を介して可動エレメントが連結
された第２の基板とを備え、可撓部を構成する２つの薄
膜の内、少なくとも何れか一方の薄膜には、可動エレメ
ントと第２の基板とを連結する方向と交差する方向にお
いて該薄膜を複数の領域に分割する隙間を形成したこと
を特徴とする半導体マイクロアクチュエータ。 - 【請求項２】可動エレメントと第２の基板とを連結する
方向と交差する方向において、可撓部を構成する２つの
薄膜を両方共に複数の領域に分割する隙間を形成したこ
とを特徴とする請求項１記載の半導体マイクロアクチュ
エータ。 - 【請求項３】可動エレメントと第２の基板とを連結する
方向と交差する方向において、可撓部を構成する２つの
薄膜の内、一方の薄膜のみを複数の領域に分割する隙間
を形成したことを特徴とする請求項１記載の半導体マイ
クロアクチュエータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33355499A JP2001150391A (ja) | 1999-11-25 | 1999-11-25 | 半導体マイクロアクチュエータ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33355499A JP2001150391A (ja) | 1999-11-25 | 1999-11-25 | 半導体マイクロアクチュエータ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001150391A true JP2001150391A (ja) | 2001-06-05 |
Family
ID=18267348
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33355499A Withdrawn JP2001150391A (ja) | 1999-11-25 | 1999-11-25 | 半導体マイクロアクチュエータ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001150391A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003016204A1 (fr) * | 2001-08-21 | 2003-02-27 | Advantest Corporation | Actionneur et commutateur |
| JP2003260696A (ja) * | 2002-01-17 | 2003-09-16 | Eastman Kodak Co | サーマルアクチュエータ |
| JP2006510854A (ja) * | 2002-11-19 | 2006-03-30 | ビオメリュー | マイクロシステムに使用するための、二つの効果を有する火薬式（ｐｙｒｏｔｅｃｈｎｉｃ）マイクロアクチュエーター、及び、これを使用したマイクロシステム |
-
1999
- 1999-11-25 JP JP33355499A patent/JP2001150391A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003016204A1 (fr) * | 2001-08-21 | 2003-02-27 | Advantest Corporation | Actionneur et commutateur |
| JP2003260696A (ja) * | 2002-01-17 | 2003-09-16 | Eastman Kodak Co | サーマルアクチュエータ |
| JP4531336B2 (ja) * | 2002-01-17 | 2010-08-25 | イーストマン コダック カンパニー | 液滴放出器 |
| JP2006510854A (ja) * | 2002-11-19 | 2006-03-30 | ビオメリュー | マイクロシステムに使用するための、二つの効果を有する火薬式（ｐｙｒｏｔｅｃｈｎｉｃ）マイクロアクチュエーター、及び、これを使用したマイクロシステム |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20070206 |