JP2001132866A - 電磁切換弁の駆動回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 電磁ソレノイドの大型化や消費電力の増加を
招かずに、電磁切換弁の切換速度の高速化を図る。 【解決手段】 電源の両端子１，２間に、電磁ソレノイ
ド３と第１のスイッチング素子４とを直列に接続し、そ
の電磁ソレノイド３に、還流ダイオード７と第２のスイ
ッチング素子９との直列回路と、バリスタ５とをそれぞ
れ並列に接続する。そして、コントロール回路１０によ
り、励磁指令がＯＮの間だけ第２のスイッチング素子９
をＯＮにし、励磁指令がＯＮになってからスプールによ
る切換完了までは第１のスイッチング素子４をＯＮにし
続け、その後、励磁指令がＯＦＦになるまでは第１のス
イッチング素子４を所定の周期でＯＮ／ＯＦＦして、電
磁ソレノイド３に流れる電流をＰＷＭ制御する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は油圧回路等の液圧
回路に用いられる電磁切換弁を駆動する駆動回路に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】液圧装置には、弁ボディ内に摺動可能に
挿入され、スプリングによって中立状態に付勢されるス
プールを、電磁ソレノイドの励磁により、プッシュピン
を介して押圧して移動させ、液圧回路の流路を切り換え
る電磁切換弁が多く使用されている。

【０００３】このような電磁切換弁は、図１１に示すよ
うなＪＩＳ記号で表わされ、（ａ）は電磁ソレノイドＳ
ＯＬが弁ボディの片側にある２位置切り換えの電磁切換
弁、（ｂ）は電磁ソレノイドＳＯＬが弁ボディの両側に
ある３位置切り換えの電磁切換弁である。

【０００４】この種の電磁切換弁の従来の駆動回路に
は、図７及び図９に示すようなものがある。これらは、
電磁ソレノイドが弁ボディの片側にある電磁切換弁を駆
動する例であるが、電磁ソレノイドが弁ボディの両側に
ある電磁切換弁を駆動する場合は、コントロール回路以
外の回路をもう一組設ければよい。

【０００５】図７に示す駆動回路は基本的なものであ
り、電圧Ｖccの電源端子１と０Ｖ端子２の間に、電磁切
換弁の電磁ソレノイド３とｎチャネルＭＯＳ ＦＥＴ に
よるスイッチング素子４とを直列に接続し、電磁ソレノ
イド３に並列にサージアブソーバであるバリスタ５を接
続している。そして、スイッチング素子４のゲートにコ
ントロール回路６が出力するスイッチ制御信号ＳＷ１を
印加する。

【０００６】コントロール回路６は、外部から与えられ
る図８の（ａ）に示すような励磁指令に応じて、同図の
（ｂ）に示すように、励磁指令がＯＮの間中ＯＮになる
スイッチ制御信号ＳＷ１を出力し、スイッチング素子４
をＯＮにし続ける。したがって、電磁ソレノイド３に
は、同図の（ｃ）に示すようなソレノイド電流ｉｓが流
れ、スプールの切換完了後も電源電圧Ｖccによる定格の
ソレノイド電流ｉｓが流れ続ける。

【０００７】そして、励磁指令がＯＦＦになると、スイ
ッチ制御信号ＳＷ１もＯＦＦになり、電磁ソレノイド３
への電圧印加を断ち、電磁ソレノイド３に逆起電圧が発
生するがそれはバリスタ５に吸収され、ソレノイド電流
ｉｓは図８の（ｃ）に示すように急速に０になる。

【０００８】ところで、電磁切換弁の切換時間短縮のた
めには、電磁ソレノイドの駆動力の増加、あるいはスプ
ール等の可動物の質量低減が必要である。しかし、スプ
ール等の可動物の質量は、その機械的性質の要求から低
減が困難であるので、電磁ソレノイドの駆動力の増加が
一般に採られる方法である。電磁ソレノイドの駆動力を
増加させると、ソレノイドの大型化や消費電力の増加を
招くことになる。

【０００９】ことに、図７に示したような駆動回路で
は、上述のようにスプールの切換完了後も電源電圧Ｖcc
による定格のソレノイド電流ｉｓが流れ続けるが、切換
完了状態では、スプールをスプリングの付勢力に抗して
切換状態に保つために必要な電力より大きな電力が電磁
ソレノイドに印加され続けることになり、その印加電力
の殆どがジュール熱となって放熱されてしまい、無駄な
電力を消費していた。

【００１０】そこで、図７におけるバリスタ５に代え
て、図９に示すように還流ダイオード７を電磁ソレノイ
ド３に並列に接続し、コントロール回路６によって、図
１０に示すように制御することが行われている。すなわ
ち、励磁指令がＯＮになると、スイッチ制御信号ＳＷ１
をＯＮにしてスイッチング素子４をＯＮにし、電磁ソレ
ノイド３に所定時間だけ定格電流を流してスプールを切
り換え、切換完了後はスプールが切換状態を保つために
充分なソレノイド吸引力となるように、スイッチ制御信
号ＳＷ１をパルス幅変調（ＰＷＭ）し、スイッチング素
子４を高速でＯＮ／ＯＦＦさせ、電磁ソレノイド３に流
す電流ｉｓをＰＷＭ制御して、消費電力を低減する。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の電磁切換弁の駆動回路にあっては、ＰＷＭ制
御時には、スイッチング素子４がＯＦＦの期間は電磁ソ
レノイド３に流れ続けようとする電流を還流ダイオード
７を経由して還流させている。

【００１２】そのため、電磁ソレノイドの励磁をＯＦＦ
にするときには、還流ダイオード７を通して還流するソ
レノイド電流がゼロになるまでに、そのソレノイド電流
による磁気エネルギーをコイル抵抗でジュール熱として
消費しきるだけの時間がかかり、図１０の（ｃ）に示す
ように、励磁指令がＯＦＦになってからソレノイド電流
ｉｓがゼロになるまでに時間遅れτが生じ、電磁ソレノ
イドをＯＦＦにした時の切換速度が遅くなるという問題
がある。

【００１３】この発明は、従来の電磁切換弁の駆動回路
におけるこのような問題を解決するためになされたもの
であり、電磁ソレノイドの大型化や消費電力の増加を招
かずに、電磁切換弁の切換速度の高速化を図ることを目
的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】この発明は上記の目的を
達成するため、弁ボディ内に摺動可能に挿入されたスプ
ールを、電磁ソレノイドの励磁による駆動力によって移
動させて流路を切り換える電磁切換弁の駆動回路を、次
のように構成したものである。電源の両端子間に、電磁
ソレノイドと第１のスイッチング素子とを直列に接続
し、その電磁ソレノイドに、還流ダイオードと第２のス
イッチング素子との直列回路と、サージアブソーバとを
それぞれ並列に接続する。

【００１５】そして、励磁指令がＯＮの間だけ上記第２
のスイッチング素子をＯＮにし、励磁指令がＯＮになっ
てからスプールによる切り換えが完了するまでは上記第
１のスイッチング素子をＯＮにし続け、その後励磁指令
がＯＦＦになるまでは第１のスイッチング素子を所定の
周期でＯＮ／ＯＦＦして電磁ソレノイドに流れる電流を
パルス幅変調制御するコントロール回路を設ける。

【００１６】また、弁ボディ内に摺動可能に挿入された
スプールを、その両側に設けた第１の電磁ソレノイドと
第２の電磁ソレノイドのいずれか一方の励磁による駆動
力によって移動させて流路を切り換える電磁切換弁の駆
動回路を、次のように構成する。

【００１７】電源の両端子間に、上記第１の電磁ソレノ
イドと第３のスイッチング素子との直列回路、上記第２
の電磁ソレノイドと第４のスイッチング素子との直列回
路、還流ダイオードと第２のスイッチング素子との直列
回路、及びサージアブソーバをそれぞれ並列に接続した
回路と、第１のスイッチング素子とを直列に接続する。
さらに、上記第１の電磁ソレノイドと第３のスイッチン
グ素子との接続点、及び上記第２の電磁ソレノイドと第
４のスイッチング素子との接続点と、上記電源の上記第
１のスイッチング素子側の端子との間にそれぞれ保護ダ
イオードを接続する。

【００１８】そして、励磁指令がＯＮの間だけ上記第３
のスイッチング素子又は第４のスイッチング素子のいず
れか一方と、上記第２のスイッチング素子をＯＮにし、
励磁指令がＯＮになってからスプールによる切り換えが
完了するまでは上記第１のスイッチング素子をＯＮにし
続け、切換完了後励磁指令がＯＦＦになるまでは第１の
スイッチング素子を所定の周期でＯＮ／ＯＦＦして、上
記第１又は第２の電磁ソレノイドに流れる電流をパルス
幅変調制御するコントロール回路を設ける。

【００１９】この発明による電磁切換弁の駆動回路は、
スプールの移動による切換完了までは電磁ソレノイドに
定格電流を流してスプールを駆動し、切換完了後はスプ
ールが切換状態を保つために充分なソレノイド吸引力と
なるように、ＰＷＭ制御により電磁ソレノイドに流れる
電流を低減する。そのＰＷＭ制御により電磁ソレノイド
への電圧印加がＯＦＦになる期間は、電磁ソレノイドの
コイルに蓄えられた磁気エネルギーによる電流を還流ダ
イオードを経由して再びコイルへ流す。

【００２０】そして、電磁ソレノイドの励磁を解除した
時には、還流ダイオードを経由する還流回路を断って電
磁ソレノイドに逆起電力を生じさせ、そのコイルに蓄え
られた磁気エネルギーをバリスタ等のサージアブソーバ
で吸収することによりソレノイド電流を素早く低減さ
せ、応答遅れが生じないようにする。このようにして、
消費電力の低減と高速切換（高応答）を両立させること
ができる。

【００２１】なお、電磁ソレノイドにコイル抵抗が通常
の１／２から１／４程度のソレノイドを用いることによ
り、コイル・インダクタンスに起因する起電力の応答が
速くなり、切換時間をより短縮することができる。

【００２２】

【実施形態】以下、この発明の実施の形態を図面に基づ
いて具体的に説明する。図１は、この発明による電磁切
換弁の駆動回路の第１の実施例を示す回路図である。こ
れは、図７及び図９に示した従来例と同様に、弁ボディ
の片側に電磁ソレノイドを設けた電磁切換弁の駆動回路
であり、図７及び図９と対応する部分には同一の符号を
付している。

【００２３】まずその構成を説明すると、電圧Ｖccの電
源端子１と０Ｖ端子２の間に、電磁切換弁の電磁ソレノ
イド３とｎチャネルＭＯＳ ＦＥＴ （電界効果トランジ
スタ）によるスイッチング素子（以下「第１のスイッチ
ング素子」という）４とを直列に接続する。さらに、そ
の電磁ソレノイド３に、還流ダイオード７とｐチャネル
ＭＯＳ ＦＥＴ による第２のスイッチング素子９との直
列回路と、サージアブソーバであるバリスタ５とをそれ
ぞれ並列に接続する。

【００２４】そして、制御指令に応じて第１，第２のス
イッチ制御信号ＳＷ１，ＳＷ２を出力するコントロール
回路１０を設け、その第１のスイッチ制御信号ＳＷ１を
第１のスイッチング素子４のゲートに印加し、第２のス
イッチ制御信号ＳＷ２を第２のスイッチング素子９のゲ
ートに印加する。

【００２５】次に、図２の波形図を参照してこの実施形
態の作用を説明する。コントロール回路１０は、図２の
（ａ）に示す励磁指令がＯＮ（ハイレベル）になると、
そのＯＮの間中同図の（ｃ）に示すように第２のスイッ
チ制御信号ＳＷ２をＯＮ（ハイレベル）にして、第２の
スイッチング素子９をＯＮにする。

【００２６】また、第１のスイッチ制御信号ＳＷ１は、
同図の（ｂ）に示すように、励磁指令がＯＮになってか
らスプールによる切り換えが完了するまでの所定時間は
ＯＮ（ハイレベル）になり、第１のスイッチング素子４
をＯＮにして電磁ソレノイドに定格電流を流す。その
後、励磁指令がＯＦＦになるまでは高速でＯＮ／ＯＦＦ
を繰り返し、第１のスイッチング素子４を所定の周期で
ＯＮ／ＯＦＦし、電磁ソレノイド３に流れる電流ｉｓを
パルス幅変調（ＰＷＭ）制御する。

【００２７】なお、第１のスイッチング素子４がＯＦＦ
の期間は、電磁ソレノイド３にそのコイル・インダクタ
ンスによって流れ続けようとする電流が、第２のスイッ
チング素子９および還流ダイオード７を経由して還流す
るため、電磁ソレノイド３は励磁状態を維持する。

【００２８】また、コントロール回路１０による第１の
スイッチ制御信号ＳＷ１の切り換えは、スプールによる
切り換えが完了するまでの時間を予め実験によって求
め、それより幾分長い時間を設定しておき、第１のスイ
ッチ制御信号ＳＷ１をＯＮ信号の立上りからその予め設
定した所定時間経過後に高速のＯＮ／ＯＦＦ信号に切り
換えるようにすることができる。

【００２９】あるいは、電磁切換弁に切換完了を検知す
るセンサを設けておき、その検知信号をコントロール回
路１０に入力させ、それによってコントロール回路１０
が、第１のスイッチ制御信号ＳＷ１をＯＮ信号から高速
でのＯＮ／ＯＦＦ信号に切り換えるようにすればなおよ
い。

【００３０】このように、電磁ソレノイド３を起動して
から設定時間経過後または切換完了が確認された後は、
電磁ソレノイド３に流す電流をＰＷＭ制御することによ
り、見かけ上、Ｖcc×Ｔon／(Ｔon＋Ｔoff)となる電圧
を電磁ソレノイド３に印加することになり、電磁ソレノ
イド３による消費電力の低減を図ることができる。（但
し、Ｖcc：電源電圧、Ｔon：第１のスイッチング素子４
のＯＮ時間、Ｔoff：第１のスイッチング素子４のＯＦ
Ｆ時間）

【００３１】そして、励磁指令が解除される（ＯＦＦに
なる）と、第１のスイッチ制御信号ＳＷ１がＯＦＦ（ロ
ーレベル）になり、第１のスイッチング素子４をＯＦＦ
にして、電磁ソレノイド３への電圧印加を断つ。また、
第２のスイッチ制御信号ＳＷ２も同時にＯＦＦになり、
第２のスイッチング素子９がＯＦＦになるため、還流ダ
イオード７を経由しての電流の還流も停止し、電磁ソレ
ノイドの両端に逆起電圧が生じて急速に電流の流れを止
める。その逆起電圧は、サージアブソーバであるバリス
タ５によって吸収され、第１，第２のスイッチング素子
４，９が過電圧から保護される。

【００３２】したがって、電磁ソレノイド３に流れるソ
レノイド電流ｉｓの波形は、図２の（ｄ）に示すように
なる。このように、この実施形態によれば、電磁ソレノ
イドの起動後、電磁切換弁の切換完了までの短時間は定
格電流を流してスプールを高速で駆動し、切換完了後は
スプールが切換状態を保つために充分なソレノイド吸引
力となるように、電磁ソレノイドに流れる電流をＰＷＭ
制御することにより、ソレノイド電流を低減して電力消
費量を節減することができる。

【００３３】その、ＰＷＭ制御による電流低減時には、
電磁ソレノイド３への電圧印加がＯＦＦになったとき、
ソレノイド電流を還流ダイオード７を経由して再び電磁
ソレノイド３へ還流させて、その励磁状態を維持する。
そして、電磁ソレノイド３をＯＦＦにした時には、還流
ダイオード７による還流回路も断ち、電磁ソレノイド３
に逆起電圧を生じさせ、ソレノイド電流を素早く低減さ
せ、高速応答を実現することができる。

【００３４】さらに、電磁ソレノイドにコイル抵抗の低
いソレノイドを使用することによりコイル・インダクタ
ンスによる電流応答の遅れを減少し、励磁時の電流応答
が速く切換時間の短い電磁弁とすることが可能になる。
しかし、電磁ソレノイドに電源電圧を印加し続けると、
ジュール熱によりコイル温度が上昇して焼損の恐れがあ
るが、ＰＷＭ制御をすることにより、ソレノイド電流の
電流値を低減させ、焼損を防ぎつつ高応答を可能にする
ことができる。コイル抵抗Ｒの小さなソレノイドは、Ｗ
=Ｖcc²／Ｒにより消費電力が増すが、切換完了後にはＰ
ＷＭ制御によって印加電圧の実効値を低減するので、発
熱を抑制することができる。

【００３５】図３は、この発明による電磁切換弁の駆動
回路の第２の実施形態を示す回路図である。この実施形
態は、第１のスイッチング素子１４をｐチヤネルＭＯＳ
ＦＥＴ にして、電圧Ｖｃｃの電源端子１と電磁ソレノ
イド３との間に接続した点と、第２のスイッチング素子
１９をｎチヤネルＭＯＳ ＦＥＴ にした点が、図１に示
した第１の実施形態と相違するだけである。

【００３６】コントロール回路１０の機能も前述の第１
の実施形態と同様であり、励磁指令に対する第１，第２
のスイッチ制御信号ＳＷ１，ＳＷ２の波形、及びソレノ
イド電流ｉｓの波形も、図２の（ａ）乃至（ｄ）に示し
たのと同じであるから、その動作ならびに作用・効果等
の説明は省略する。

【００３７】図４は、この発明による電磁切換弁の駆動
回路の第３の実施形態を示す回路図である。この実施形
態は、弁ボディ内に摺動可能に挿入されたスプールを、
その両側に設けた第１の電磁ソレノイド３ａと第２の電
磁ソレノイド３ｂのいずれか一方の励磁による駆動力に
よって移動させて流路を切り換える電磁切換弁の駆動回
路に、この発明を実施したものである。

【００３８】すなわち、電圧Ｖccの電源端子１と０Ｖ端
子２との間に、第１の電磁ソレノイド３ａと第３のスイ
ッチング素子１５ａとの直列回路、第２の電磁ソレノイ
ド３ｂと第４のスイッチング素子１５ｂとの直列回路、
還流ダイオード７と第２のスイッチング素子９との直列
回路、及びサージアブソーバであるバリスタ５をそれぞ
れ並列に接続した回路と、第１のスイッチング素子４と
を直列に接続する。第１のスイッチング素子４はｎチャ
ネルＭＯＳ ＦＥＴ 、第２から第４の各スイッチング素
子９，１５ａ，１５ｂはｐチャネルＭＯＳ ＦＥＴ であ
る。

【００３９】さらに、第１の電磁ソレノイド３ａと第３
のスイッチング素子１５ａとの接続点、及び第２の電磁
ソレノイド３ｂと第４のスイッチング素子１５ｂとの接
続点と、電源の第１のスイッチング素子側の端子である
０Ｖ端子２との間に、それぞれ保護ダイオード１６ａ，
１６ｂを接続している。

【００４０】コントロール回路２０は、図５の（ａ）及
び（ｂ）に示すように、励磁指令ａがＯＮ（ハイレベ
ル）になると、そのＯＮの間だけ第３のスイッチ制御信
号ＳＷａをＯＮ（ハイレベル）にして、第３のスイッチ
ング素子１５ａをＯＮにする。また、励磁指令ｂがＯＮ
（ハイレベル）になると、そのＯＮの間だけ第４のスイ
ッチ制御信号ＳＷｂをＯＮ（ハイレベル）にして、第４
のスイッチング素子１５ｂをＯＮにする。

【００４１】また、図５の（ｄ）に示すように、励磁指
令ａ又ｂがＯＮの間は、第２のスイッチ制御信号ＳＷ２
もＯＮ（ハイレベル）にして、第２のスイッチング素子
９をＯＮにする。

【００４２】さらに、同図（ｃ）に示すように、励磁指
令ａ又はｂがＯＮになってからスプールによる切り換え
が完了するまでの所定時間あるいは切換完了を確認する
まで、第１のスイッチ制御信号ＳＷ１をＯＮ（ハイレベ
ル）にして、第１のスイッチング素子４をＯＮにし、第
１の電磁ソレノイド３ａまたは第２の電磁ソレノイド３
ｂに定格電流を流す。切換完了後、励磁指令ａ又はｂが
ＯＦＦになるまでは、第１のスイッチ制御信号ＳＷ１を
高速でＯＮ／ＯＦＦさせ、第１のスイッチング素子４を
所定の周期でＯＮ／ＯＦＦさせて、第１の電磁ソレノイ
ド３ａ又は第２の電磁ソレノイド３ｂに流れるソレノイ
ド電流をＰＷＭ制御する。

【００４３】その間の第１のスイッチング素子４がＯＦ
Ｆの期間は、第１の電磁ソレノイド３ａ又は第２の電磁
ソレノイド３ｂにそのコイル・インダクタンスによって
流れ続けようとするソレノイド電流を、第２のスイッチ
ング素子９及び還流ダイオード７を経由して還流させ、
第１の電磁ソレノイド３ａ又は第２の電磁ソレノイド３
ｂの励磁状態を維持する。

【００４４】そして、励磁指令ａ又はｂがＯＦＦ（ロー
レベル）になると、全てのスイッチ制御信号がＯＦＦ
（ローレベル）になり、第１乃至第４のスイッチング素
子４，９，１５ａ，１５ｂが全てＯＦＦになるので、第
１の電磁ソレノイド３ａ又は第２の電磁ソレノイド３ｂ
への電圧印加が断たれ、還流ダイオード７を経由する還
流回路も断たれるので、第１の電磁ソレノイド３ａ又は
第２の電磁ソレノイド３ｂに逆起電圧が発生し、図５の
(ｅ)に示すようにソレノイド電流が急速に減少する。ま
た、その逆起電圧は、保護ダイオード１６ａ又は１６ｂ
及び電源を通してサージアブソーバであるバリスタ５に
吸収され、各スイッチング素子が過電圧から保護され
る。

【００４５】図６は、この発明による電磁切換弁の駆動
回路の第４の実施形態を示す回路図である。この実施形
態も、弁ボディの両側に電磁ソレノイドを設けた電磁切
換弁の駆動回路にこの発明を適用したものであり、図３
及び図４と対応する部分には同一の符号を付してある。

【００４６】この図６に示す電磁切換弁の駆動回路にお
いては、第１のスイッチング素子１４をｐチャネルのＭ
ＯＳ ＦＥＴ にし、第３，第４のスイッチング素子２５
ａ，２５ｂをｎチャネルのＭＯＳ ＦＥＴ にして、いず
れも電源端子１，２に対する接続関係を図４に示した駆
動回路と逆にすると共に、第２のスイッチング素子１９
をｎチャネルのＭＯＳ ＦＥＴ にした点が、図４に示し
た駆動回路と相違するだけである。

【００４７】コントロール回路２０の機能も前述の第３
の実施形態と同様であり、励磁指令ａ又はｂに対する第
１乃至第４のスイッチ制御信号ＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ
ａ，ＳＷｂの波形、およびソレノイド電流の波形も、図
５の(ａ)乃至(ｅ)に示したのと同じであるから、その動
作ならびに作用・効果等の説明は省略する。

【００４８】

【発明の効果】以上説明してきたように、この発明によ
る電磁切換弁の駆動回路を用いれば、電磁ソレノイドに
よる消費電力を低減でき、しかも切換時の高速応答が可
能になる。ソレノイドの励磁指令が解除されたときには
還流ダイオードの電流通過を止め、サージアブソーバの
設定電圧まで逆起電圧を発生させて、ソレノイドの消磁
を早めることにより、消費電力の低減と高速消磁とを実
現できる。さらに、負荷となる電磁ソレノイドに、コイ
ル抵抗の低いもの（通常のコイル抵抗の１／２から１／
４程度）を使用することにより、コイル・インダクタン
スに起因する起電力の応答が速くなり、切換完了までに
要する時間が一層短縮され、且つ消費電力の少ない電磁
弁を実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明による電磁切換弁の駆動回路の第１の
実施形態を示す回路図である。

【図２】同じくそのコントロール回路の入出力信号とソ
レノイド電流の波形図である。

【図３】この発明による電磁切換弁の駆動回路の第２の
実施形態を示す回路図である。

【図４】この発明による電磁切換弁の駆動回路の第３の
実施形態を示す回路図である。

【図５】同じくそのコントロール回路の入出力信号とソ
レノイド電流の波形図である。

【図６】この発明による電磁切換弁の駆動回路の第４の
実施形態を示す回路図である。

【図７】従来の電磁切換弁の駆動回路の基本例を示す回
路図である。

【図８】同じくそのコントロール回路の入出力信号とソ
レノイド電流の波形図である。

【図９】従来の電磁切換弁の駆動回路の改善例を示す回
路図である。

【図１０】同じくそのコントロール回路の入出力信号と
ソレノイド電流の波形図である。

【図１１】電磁切換弁のＪＩＳ記号を示す図である。

【符号の説明】

１：電源端子 ２：０Ｖ端子 ３，３ａ，３ｂ：電磁ソレノイド ４，１４：第１のスイッチング素子 ５：バリスタ（サージアブソーバ） ７：還流ダイオード ９，１９：第２のスイッチング素子 １０，２０：コントロール回路 １６ａ，１６ｂ：保護ダイオード １５ａ，２５ａ：第３のスイッチング素子 １５ｂ，２５ｂ：第４のスイッチング素子

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宇野 一哉 東京都大田区南蒲田２丁目16番46号 株式 会社トキメック内 Ｆターム(参考） 3H106 EE22 EE34 EE48 FA05 KK03

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 弁ボディ内に摺動可能に挿入されたスプ
   ールを、電磁ソレノイドの励磁による駆動力によって移
   動させて流路を切り換える電磁切換弁の駆動回路であっ
   て、 電源の両端子間に、前記電磁ソレノイドと第１のスイッ
   チング素子とを直列に接続し、その電磁ソレノイドに、
   還流ダイオードと第２のスイッチング素子との直列回路
   と、サージアブソーバとをそれぞれ並列に接続し、 励磁指令がＯＮの間だけ前記第２のスイッチング素子を
   ＯＮにし、前記励磁指令がＯＮになってから前記スプー
   ルによる切り換えが完了するまでは前記第１のスイッチ
   ング素子をＯＮにし続け、その後前記励磁指令がＯＦＦ
   になるまでは該第１のスイッチング素子を所定の周期で
   ＯＮ／ＯＦＦして前記電磁ソレノイドに流れる電流をパ
   ルス幅変調制御するコントロール回路を設けたことを特
   徴とする電磁切換弁の駆動回路。
2. 【請求項２】 弁ボディ内に摺動可能に挿入されたスプ
   ールを、その両側に設けた第１の電磁ソレノイドと第２
   の電磁ソレノイドのいずれか一方の励磁による駆動力に
   よって移動させて流路を切り換える電磁切換弁の駆動回
   路であって、 電源の両端子間に、前記第１の電磁ソレノイドと第３の
   スイッチング素子との直列回路、前記第２の電磁ソレノ
   イドと第４のスイッチング素子との直列回路、還流ダイ
   オードと第２のスイッチング素子との直列回路、及びサ
   ージアブソーバをそれぞれ並列に接続した回路と、第１
   のスイッチング素子とを直列に接続し、 前記第１の電磁ソレノイドと第３のスイッチング素子と
   の接続点、及び前記第２の電磁ソレノイドと第４のスイ
   ッチング素子との接続点と、前記電源の前記第１のスイ
   ッチング素子側の端子との間にそれぞれ保護ダイオード
   を接続し、 励磁指令がＯＮの間だけ前記第３のスイッチング素子又
   は第４のスイッチング素子のいずれか一方と、前記第２
   のスイッチング素子をＯＮにし、前記励磁指令がＯＮに
   なってから前記スプールによる切り換えが完了するまで
   は前記第１のスイッチング素子をＯＮにし続け、切換完
   了後前記励磁指令がＯＦＦになるまでは該第１のスイッ
   チング素子を所定の周期でＯＮ／ＯＦＦして、前記第１
   又は第２の電磁ソレノイドに流れる電流をパルス幅変調
   制御するコントロール回路を設けたことを特徴とする電
   磁切換弁の駆動回路。