JPS63102134A - 加熱装置 - Google Patents
加熱装置Info
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- JPS63102134A JPS63102134A JP24781686A JP24781686A JPS63102134A JP S63102134 A JPS63102134 A JP S63102134A JP 24781686 A JP24781686 A JP 24781686A JP 24781686 A JP24781686 A JP 24781686A JP S63102134 A JPS63102134 A JP S63102134A
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Landscapes
- Relay Circuits (AREA)
- Control Of High-Frequency Heating Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、加熱装置の加熱源への給電を制御するDCI
Jレーの駆動回路及びその駆動方法に係わるもので、特
にDCリレー接点の保護ならびに高寿命化に関するもの
である。
Jレーの駆動回路及びその駆動方法に係わるもので、特
にDCリレー接点の保護ならびに高寿命化に関するもの
である。
従来の技術
従来の加熱装置の加熱源を制御する素子としては、信頼
性・コスト等のその優位性から、DCリレーがもっとも
良く使用されている。この場合、D CIJシレー励磁
コイルへの励磁電流のドライブ及びスイッチング手段と
しては、トランジスタが用いられる。一般に、リレー等
のコイルはL(インダクタンス)成分を有しており、そ
の為に前記ドライブ用トランジスタのOFF 時には、
そのコレクタ端子に通常のコイル印加電圧の10数倍の
逆起電力が発生し、この逆起電力が前記ドライブ用トラ
ンジスタの耐圧をオーバーした場合にはトランジスタ素
子の破壊にいたる。従って、このトランジスタ○FF
時に発生する逆起電力を吸収し、トランジスタ等の半導
体素子を保護するために、従来のトランジスタの駆動回
路には第6図のAに示す様に、励磁コイルの両端にダイ
オードを接続し、このダイオードを介して励磁コイルに
発生した逆起電力のエネルギーを瞬時に吸収する方法が
採用されている。
性・コスト等のその優位性から、DCリレーがもっとも
良く使用されている。この場合、D CIJシレー励磁
コイルへの励磁電流のドライブ及びスイッチング手段と
しては、トランジスタが用いられる。一般に、リレー等
のコイルはL(インダクタンス)成分を有しており、そ
の為に前記ドライブ用トランジスタのOFF 時には、
そのコレクタ端子に通常のコイル印加電圧の10数倍の
逆起電力が発生し、この逆起電力が前記ドライブ用トラ
ンジスタの耐圧をオーバーした場合にはトランジスタ素
子の破壊にいたる。従って、このトランジスタ○FF
時に発生する逆起電力を吸収し、トランジスタ等の半導
体素子を保護するために、従来のトランジスタの駆動回
路には第6図のAに示す様に、励磁コイルの両端にダイ
オードを接続し、このダイオードを介して励磁コイルに
発生した逆起電力のエネルギーを瞬時に吸収する方法が
採用されている。
発明が解決しようとする問題点
こうする事で、逆起電力によるドライブ用トランジスタ
への悪影響は完全に増り除くことができるのだが、この
ダイオードを挿入する事により、リレー接点の開放動作
時間が長くなると言う問題がある。接点電流(すなわち
、負荷)が小さい場合はほとんど問題にはならないが、
負荷が大きくなると、この接点の開放時の動作時間が長
い事が、接点の寿命にマイナス要因となってくるのであ
る。
への悪影響は完全に増り除くことができるのだが、この
ダイオードを挿入する事により、リレー接点の開放動作
時間が長くなると言う問題がある。接点電流(すなわち
、負荷)が小さい場合はほとんど問題にはならないが、
負荷が大きくなると、この接点の開放時の動作時間が長
い事が、接点の寿命にマイナス要因となってくるのであ
る。
たとえば、負荷電流が20Aの場合、本来ならば接点の
開閉寿命が3万回以上なくてはならないものが、6千回
前後の極めて早い時点に接点の微溶着さらには溶着など
の不良現象が発生する。従って、負荷が大きい場合には
ドライブ用のトランジスタとして高耐圧タイプを使う必
要があり、コストが高くついていた。
開閉寿命が3万回以上なくてはならないものが、6千回
前後の極めて早い時点に接点の微溶着さらには溶着など
の不良現象が発生する。従って、負荷が大きい場合には
ドライブ用のトランジスタとして高耐圧タイプを使う必
要があり、コストが高くついていた。
このように、従来のリレードライブ回路では、ドライブ
用トランジスタ等の半導体素子の耐圧の限界から、リレ
ー接点の寿命(開閉回数)を犠牲して用いたり、あるい
は、高価な高耐圧トランジスタを用いる等の方法を採用
していた。
用トランジスタ等の半導体素子の耐圧の限界から、リレ
ー接点の寿命(開閉回数)を犠牲して用いたり、あるい
は、高価な高耐圧トランジスタを用いる等の方法を採用
していた。
これに対して、本願は大容量負荷を断続する場合には通
常タイプの低耐圧トランジスタを用いる事が出来、且つ
接点寿命の飛躍的な向上をはかる事を目的とするもので
ある。
常タイプの低耐圧トランジスタを用いる事が出来、且つ
接点寿命の飛躍的な向上をはかる事を目的とするもので
ある。
問題点を解決するための手段
上記の問題点を解決するため、本願のリレードライブ回
路は、DCリレーのコイルと並列に、ダイオードとツェ
ナーダイオードとの直列回路を接続したもので、ダイオ
ードとツェナーダイオードの接続は、互いの同極どうし
くアノードならアノード、カソードならカソード)を接
続し、且つ、逆起電力による電流がダイオードの順電流
となる方向にDCリレーのコイルと接続されている。
路は、DCリレーのコイルと並列に、ダイオードとツェ
ナーダイオードとの直列回路を接続したもので、ダイオ
ードとツェナーダイオードの接続は、互いの同極どうし
くアノードならアノード、カソードならカソード)を接
続し、且つ、逆起電力による電流がダイオードの順電流
となる方向にDCリレーのコイルと接続されている。
作 用
上記構成により本発明のものは以下のように動作する。
ドライブ用トランジスタがOFF した瞬間、そのコ
イル成分により継続して電流を流そうとする起電力がコ
イルの一端に発生する。通常、この電圧は正規の電圧の
士数倍であるが、前記コイルと並列に設けたツェナーダ
イオードのツェナー電圧以上に前記起電力がなった時、
このツェナーダイオードの働きにより、ダイオードとツ
ェナーダイオードの回路に電流が流れ、コイルに発生し
た逆起電力を吸収する。従って、前記ドライブ用トラン
ジスタのコレクタ端子には、DC1sV+(ツェナー電
圧)以上の電圧は発生しない。従って、ツェナー電圧を
ドライブ用トランジスタの耐圧を越えない値に設定する
事で、コイルの一端に発生する逆起電力の大きさをコン
トロールすることができる。一方、コイルの一端に発生
する逆起電力の電圧値が大きい程、よシ短い時間で逆起
電力のコイルエネルギーを消費することができ、その結
果、リレー接点が放れる時間も速くなり、リレー接点の
長寿命化を実現することができる。
イル成分により継続して電流を流そうとする起電力がコ
イルの一端に発生する。通常、この電圧は正規の電圧の
士数倍であるが、前記コイルと並列に設けたツェナーダ
イオードのツェナー電圧以上に前記起電力がなった時、
このツェナーダイオードの働きにより、ダイオードとツ
ェナーダイオードの回路に電流が流れ、コイルに発生し
た逆起電力を吸収する。従って、前記ドライブ用トラン
ジスタのコレクタ端子には、DC1sV+(ツェナー電
圧)以上の電圧は発生しない。従って、ツェナー電圧を
ドライブ用トランジスタの耐圧を越えない値に設定する
事で、コイルの一端に発生する逆起電力の大きさをコン
トロールすることができる。一方、コイルの一端に発生
する逆起電力の電圧値が大きい程、よシ短い時間で逆起
電力のコイルエネルギーを消費することができ、その結
果、リレー接点が放れる時間も速くなり、リレー接点の
長寿命化を実現することができる。
以上は、リレーが入り切シする負荷か純抵抗分の場合で
あるが、もし、負荷がコイル等の誘導性負荷の場合は、
負荷のコイル自身の残留磁束により、突入時の突入電流
の値が異常に大きくなり、このDCリレー接点の溶着な
どを引き起こすことがある。従って、負荷が誘導性の場
合は、DCリレー接点の開放位相を制御する必要がある
。
あるが、もし、負荷がコイル等の誘導性負荷の場合は、
負荷のコイル自身の残留磁束により、突入時の突入電流
の値が異常に大きくなり、このDCリレー接点の溶着な
どを引き起こすことがある。従って、負荷が誘導性の場
合は、DCリレー接点の開放位相を制御する必要がある
。
この開放位相を制御するために特定のツェナー電圧を有
するツェナーダイオードを前記DCリレードライブ回路
に設ける事で、任意の開放位相(時間)とすることがで
き、その結果、リレー接点の保護ができるのである。ま
た、異なるツェナー電圧のツェナーダイオードを複数個
設置し、それぞれをサイクリックに導通させる事で、そ
れぞれのツェナー電圧で決まる開放位相でサイクリック
に負荷を開放することができ、リレー接点の寿命を確保
する上でより信頼性がアップするのである。
するツェナーダイオードを前記DCリレードライブ回路
に設ける事で、任意の開放位相(時間)とすることがで
き、その結果、リレー接点の保護ができるのである。ま
た、異なるツェナー電圧のツェナーダイオードを複数個
設置し、それぞれをサイクリックに導通させる事で、そ
れぞれのツェナー電圧で決まる開放位相でサイクリック
に負荷を開放することができ、リレー接点の寿命を確保
する上でより信頼性がアップするのである。
実施例
以下、図面をもとに本願の一実施例について説明する。
第1図は本願の一実施例としての加熱装置の配線模式図
である。
である。
電源プラグ1により電灯線から電力を受けとり、加熱室
2内に設置された抵抗負荷3でその電力を消費する。こ
の抵抗負荷3への電力の供給を断続するのが、DCリレ
ー4である。このDCリレー4は接点6と励磁コイル6
で構成されている。励磁コイルに励磁電流が流れると磁
界が発生し、その磁力により吸引されるアクチュエータ
ーが動き、接点6が閉じる。逆に、励磁電流が流れなく
なるとアクチュエーターは元の位置へ復帰しその結果、
接点6が開くのである。7はドアーSWでドアー8の動
きに連動して働き、ドアー8が開いていればドアーSW
7は開、ドアー8が閉っていればドアーSW7は閉じて
いる。
2内に設置された抵抗負荷3でその電力を消費する。こ
の抵抗負荷3への電力の供給を断続するのが、DCリレ
ー4である。このDCリレー4は接点6と励磁コイル6
で構成されている。励磁コイルに励磁電流が流れると磁
界が発生し、その磁力により吸引されるアクチュエータ
ーが動き、接点6が閉じる。逆に、励磁電流が流れなく
なるとアクチュエーターは元の位置へ復帰しその結果、
接点6が開くのである。7はドアーSWでドアー8の動
きに連動して働き、ドアー8が開いていればドアーSW
7は開、ドアー8が閉っていればドアーSW7は閉じて
いる。
一方、低圧トランス9を介して制御部1oがあり、この
制御部1oにより加熱調理が制御される。
制御部1oにより加熱調理が制御される。
制御部10の出力により、DCリレードライブ回路11
も制御される。
も制御される。
このDCリレードライブ回路11は、ドライブ用トラン
ジスタ12と、DCリレー4の励磁コイル6と、ダイオ
ード13およびこれと直列接続したツェナーダイオード
14とで構成されている。
ジスタ12と、DCリレー4の励磁コイル6と、ダイオ
ード13およびこれと直列接続したツェナーダイオード
14とで構成されている。
このDCリレードライブ回路11の動作を説明する。
今、制御部1oからの駆動信号が「ノ・イ(ハ)」にな
ると、ドライブトランジスタ12がスイッチングし、そ
の結果、励磁コイル6にDC18Vが印加され、励磁電
流が流れ、磁力が発生し、接点5が閉じる。次に、制御
部1oからの駆動信号が「ロー (L) Jになると、
ドライブトランジスタ12がオフし、今迄流れていた励
磁電流が途絶する。すると、この励磁電流の電流変化(
di/dt)に比例して、ドライブトランジスタ12の
コレクタ端子側に逆起電力が発生する。この逆起電力の
電圧値がツェナーダイオード14のツェナー電圧を越え
ると、ダイオード13を介して、前記励磁コイル6との
間に電流が流れ、その結果、逆起電力を吸収することが
できる。
ると、ドライブトランジスタ12がスイッチングし、そ
の結果、励磁コイル6にDC18Vが印加され、励磁電
流が流れ、磁力が発生し、接点5が閉じる。次に、制御
部1oからの駆動信号が「ロー (L) Jになると、
ドライブトランジスタ12がオフし、今迄流れていた励
磁電流が途絶する。すると、この励磁電流の電流変化(
di/dt)に比例して、ドライブトランジスタ12の
コレクタ端子側に逆起電力が発生する。この逆起電力の
電圧値がツェナーダイオード14のツェナー電圧を越え
ると、ダイオード13を介して、前記励磁コイル6との
間に電流が流れ、その結果、逆起電力を吸収することが
できる。
ところで、第6図に示すように、DCリレードライブ回
路11の構成によシ、リレー接点開放動作遅れ時間に1
2く23〈11の差が生じる。即ち、ダイオードのみが
並列に接続されている時がもっとも動作遅れがあり、ダ
イオード13もなにも接続されていない時がもっとも速
い。この両者の動作時間fi1.j!2の間にあって、
ツェナーダイオード14のツェナー電圧に対応する動作
時間となるのが23である。第2図に、ツェナーダイオ
ード14のツェナー電圧に対応する接点開放遅れ時間の
関係について、あるDCリレーの実測例をもとに示した
。
路11の構成によシ、リレー接点開放動作遅れ時間に1
2く23〈11の差が生じる。即ち、ダイオードのみが
並列に接続されている時がもっとも動作遅れがあり、ダ
イオード13もなにも接続されていない時がもっとも速
い。この両者の動作時間fi1.j!2の間にあって、
ツェナーダイオード14のツェナー電圧に対応する動作
時間となるのが23である。第2図に、ツェナーダイオ
ード14のツェナー電圧に対応する接点開放遅れ時間の
関係について、あるDCリレーの実測例をもとに示した
。
この図かられかる様に、ツェナー電圧が6vの時は約1
5m5eC,1oVの時は約10ゴそして20Vの時が
約5m5eCの関係になっている。従って、ツェナー電
圧を選ぶことで、一義的に接点開放遅れ時間を決定する
ことができるのである。
5m5eC,1oVの時は約10ゴそして20Vの時が
約5m5eCの関係になっている。従って、ツェナー電
圧を選ぶことで、一義的に接点開放遅れ時間を決定する
ことができるのである。
次に、第3図でリレー接点寿命と接点開放スピードとの
関係を説明する。リレー接点片6aと6bとが接触して
いる状態から離れる時、両方の接点片6aと6bには電
流が流れておシ、この電流の流れる中で接点片5aと6
bとが離れて行く。従って、両接点片間の電界が放電開
始電圧以上になると両接点片間で火花放電が発生する。
関係を説明する。リレー接点片6aと6bとが接触して
いる状態から離れる時、両方の接点片6aと6bには電
流が流れておシ、この電流の流れる中で接点片5aと6
bとが離れて行く。従って、両接点片間の電界が放電開
始電圧以上になると両接点片間で火花放電が発生する。
また、火花放電が生じなくとも、上記電流が両接点片の
一部分に集中すると、ジュール熱により接点の溶融がお
こり、その溶けた接点材がつらら状に両接点片間につな
がり、そして冷却されることにょシ元の状態に復帰せず
、両接点片間でつながったままで固着するいわゆる溶着
という不良が発生したりする。この様な不良現象は、両
接点片のかい離スピードを遅くする程、発生しやすくな
る。即ち、かい離スピードが速ければ接点の一部で融け
ると言う事は少なく、両接点の平面間でアーク放電が発
生し、接点が均等に摩耗していくと考えられる。
一部分に集中すると、ジュール熱により接点の溶融がお
こり、その溶けた接点材がつらら状に両接点片間につな
がり、そして冷却されることにょシ元の状態に復帰せず
、両接点片間でつながったままで固着するいわゆる溶着
という不良が発生したりする。この様な不良現象は、両
接点片のかい離スピードを遅くする程、発生しやすくな
る。即ち、かい離スピードが速ければ接点の一部で融け
ると言う事は少なく、両接点の平面間でアーク放電が発
生し、接点が均等に摩耗していくと考えられる。
従って、リレーの接点寿命を確保するためには、接点開
放スピード(ΔI!、/Δt)が速ければ速い程良いの
である。
放スピード(ΔI!、/Δt)が速ければ速い程良いの
である。
従って、リレーコイルの両端に発生する逆起電力の電圧
値をツェナーダイオードのツェナー電圧で規定される値
にする事で、リレー接点の寿命を高めることができる。
値をツェナーダイオードのツェナー電圧で規定される値
にする事で、リレー接点の寿命を高めることができる。
次に第4図をもとに、負荷が容量性の場合への応用例に
ついて説明する。ツェナー電圧の違うツェナーダイオー
ドが設けられている。即ち、第1のツェナーダイオード
15のツェナー電圧はsV。
ついて説明する。ツェナー電圧の違うツェナーダイオー
ドが設けられている。即ち、第1のツェナーダイオード
15のツェナー電圧はsV。
第2のツェナーダイオード16のツェナー電圧は10■
、そして第3のツェナーダイオード17のツェナー電圧
は16vに選定している。また、第1のツェナーダイオ
ード15と第2のツェナーダイオード16と、ダイオー
ド13との間には、スイッチ素子18及び19が設けら
れ、制御部1゜によりスイッチングされ、R2ポート及
びR3ポートから”ロー山)”の信号が出ればスイッチ
素子18及び19が導通状態になり、ダイオード13か
らツェナーダイオード16あるいは16へ電流が流れる
事になる。
、そして第3のツェナーダイオード17のツェナー電圧
は16vに選定している。また、第1のツェナーダイオ
ード15と第2のツェナーダイオード16と、ダイオー
ド13との間には、スイッチ素子18及び19が設けら
れ、制御部1゜によりスイッチングされ、R2ポート及
びR3ポートから”ロー山)”の信号が出ればスイッチ
素子18及び19が導通状態になり、ダイオード13か
らツェナーダイオード16あるいは16へ電流が流れる
事になる。
では、制御部10の各出力ポートの制御タイミングにつ
いて第6図で説明する。図中1のステージでは、リレー
をOFF させるために、R1ポート力”ハイ”レベル
カラ”ロー”レベルになる約16m5ec前に、R2及
びR3ポートが”ハイ”レベルになっており、コイルに
発生した逆起電力は第3のツェナーダイオード17を介
して吸収される。次にリレーをOFF させる時には、
ステージ2に示す如く、R2ポートが”ロー”、R3ポ
ートが”ハイ”レベルとなり、従って、第1のツェナー
ダイオードを介して逆起電力が吸収される。
いて第6図で説明する。図中1のステージでは、リレー
をOFF させるために、R1ポート力”ハイ”レベル
カラ”ロー”レベルになる約16m5ec前に、R2及
びR3ポートが”ハイ”レベルになっており、コイルに
発生した逆起電力は第3のツェナーダイオード17を介
して吸収される。次にリレーをOFF させる時には、
ステージ2に示す如く、R2ポートが”ロー”、R3ポ
ートが”ハイ”レベルとなり、従って、第1のツェナー
ダイオードを介して逆起電力が吸収される。
そして、次にリレーをOFF させる時にはステージ3
に示す如く、R2ポートは”ノ・イ”、R3ポートが6
0−”レベルとなりスイッチ素子18がOFF L、
スイッチ素子19がONすることで、逆起電力は第2の
ツェナーダイオード16を介して吸収される。ここで、
各ツェナーダイオードのツェナー電圧は前述の如く、s
V 、 1 ov 、15Vに設定されているため、第
2図に示したツェナー電圧と接点開放遅れ時間の関係か
ら、それぞれの遅れ時間は15m5ec 、 10m5
eC、6,5m5eCとなり、その結果接点がOFF
する時の電圧波形の位相も、この遅れ時間の差に相当す
る分だけ変化する事になり、OFF 位相を3点で制御
する事はなり、ON時の突入電流を抑制する上で非常に
有効な制御方法となる。
に示す如く、R2ポートは”ノ・イ”、R3ポートが6
0−”レベルとなりスイッチ素子18がOFF L、
スイッチ素子19がONすることで、逆起電力は第2の
ツェナーダイオード16を介して吸収される。ここで、
各ツェナーダイオードのツェナー電圧は前述の如く、s
V 、 1 ov 、15Vに設定されているため、第
2図に示したツェナー電圧と接点開放遅れ時間の関係か
ら、それぞれの遅れ時間は15m5ec 、 10m5
eC、6,5m5eCとなり、その結果接点がOFF
する時の電圧波形の位相も、この遅れ時間の差に相当す
る分だけ変化する事になり、OFF 位相を3点で制御
する事はなり、ON時の突入電流を抑制する上で非常に
有効な制御方法となる。
発明の効果
以上、説明した様に、本願のDCリレードライブ回路構
成によれば次のような効果を得ることができる。
成によれば次のような効果を得ることができる。
(1) ツェナーダイオードを付加すると言う非常に
簡単な対策で、ドライブ用トランジスタの耐圧を上げる
事なく、リレー接点の開閉寿命回数を飛躍的に向上する
事ができ、安価で高品質の加熱装置を提供することが出
来るものである。
簡単な対策で、ドライブ用トランジスタの耐圧を上げる
事なく、リレー接点の開閉寿命回数を飛躍的に向上する
事ができ、安価で高品質の加熱装置を提供することが出
来るものである。
@)ツェナー電圧の値を選ぶ事により、リレー接点のO
FF 動作時間を任意にコントロールする事が出来、電
源位相に対するOFF 位相を制御する事で、誘導性負
荷に於けるON時の突入電流の抑制に対する有効な制御
方法を実現することが出来、リレー接点の寿命アンプ、
品質向上をもたらすものである。
FF 動作時間を任意にコントロールする事が出来、電
源位相に対するOFF 位相を制御する事で、誘導性負
荷に於けるON時の突入電流の抑制に対する有効な制御
方法を実現することが出来、リレー接点の寿命アンプ、
品質向上をもたらすものである。
第1図は本願の一実施例としての加熱装置の構成図、第
2図は同装置におけるツェナー電圧対リレー接点動作遅
れ時間の関係を示すグラフ、第3図は同装置の接点開放
スピードの接点寿命に及ぼす影響の説明図、第4図は別
の実施例としての加熱装置のリレードライブ回路図、第
6図は第4図に示した回路における各ポートの制御シー
ケンスを示す波形図、第6図はリレードライブ回路構成
と接点開放動作遅れの関係を示す説明図である。 2・・・・・・加熱室、3・・・・・・負荷、4・・・
・・・D Cリレー、5・・・・・・リレー接点、e・
・・・・・リレー励磁コイル、10・・・・・・制御部
、11・・・・・・リレードライブ回路、12・・・・
・・ドライブ用トランジスタ、13・・・・ダイオード
、14・・・・・・ツェナーダイオード。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第2
図 第 3 図 第4図 第5図
2図は同装置におけるツェナー電圧対リレー接点動作遅
れ時間の関係を示すグラフ、第3図は同装置の接点開放
スピードの接点寿命に及ぼす影響の説明図、第4図は別
の実施例としての加熱装置のリレードライブ回路図、第
6図は第4図に示した回路における各ポートの制御シー
ケンスを示す波形図、第6図はリレードライブ回路構成
と接点開放動作遅れの関係を示す説明図である。 2・・・・・・加熱室、3・・・・・・負荷、4・・・
・・・D Cリレー、5・・・・・・リレー接点、e・
・・・・・リレー励磁コイル、10・・・・・・制御部
、11・・・・・・リレードライブ回路、12・・・・
・・ドライブ用トランジスタ、13・・・・ダイオード
、14・・・・・・ツェナーダイオード。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第2
図 第 3 図 第4図 第5図
Claims (2)
- (1)食品を加熱する加熱室と、この加熱室への加熱エ
ネルギーを供給する加熱源と、前記加熱源への給電を断
続するDCリレーと、このDCリレーの励磁コイルへの
通電を制御する制御部と、励磁電流をドライブする駆動
部とを備え、この駆動部は前記励磁コイルと直列接続し
た駆動用トランジスタと、前記コイル両端に並列に挿入
したダイオードとツェナーダイオードとの直列回路より
構成される事を特徴とする加熱装置。 - (2)ダイオードと直列に接続すべきツェナーダイオー
ドを複数個備え、且つ、それらツェナーダイオードのツ
ェナー電圧を異なる値に設定するとともに、前記ツェナ
ーダイオードの前記ダイオードへの接続を特定のツェナ
ーダイオードに切換える切換接続手段を備え、前記駆動
トランジスタのオフ毎に前記ツェナーダイオードへの接
続を順次サイクリックに切換える構成とした事を特徴と
する請求の範囲第1項に記載の加熱装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24781686A JPS63102134A (ja) | 1986-10-17 | 1986-10-17 | 加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24781686A JPS63102134A (ja) | 1986-10-17 | 1986-10-17 | 加熱装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63102134A true JPS63102134A (ja) | 1988-05-07 |
Family
ID=17169088
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24781686A Pending JPS63102134A (ja) | 1986-10-17 | 1986-10-17 | 加熱装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63102134A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009295416A (ja) * | 2008-06-05 | 2009-12-17 | Panasonic Corp | マグネトロン駆動用電源 |
JP2010057283A (ja) * | 2008-08-28 | 2010-03-11 | Honda Motor Co Ltd | リレー制御装置 |
JP2013110211A (ja) * | 2011-11-18 | 2013-06-06 | Konica Minolta Business Technologies Inc | 電磁機器駆動装置および電磁機器の駆動方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5154256A (ja) * | 1974-11-06 | 1976-05-13 | Mitsubishi Electric Corp | Rireekairo |
JPS603630B2 (ja) * | 1981-01-13 | 1985-01-29 | セイコーエプソン株式会社 | アナログ式電子時計 |
-
1986
- 1986-10-17 JP JP24781686A patent/JPS63102134A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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