JP2001131194A - ヒノキチオールアセトグルコシドの製造方法 - Google Patents
ヒノキチオールアセトグルコシドの製造方法Info
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
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- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 ヒノキチオールのアセトグルコシドの新規な
製造方法を提供する。 【解決手段】 下記（Ａ）〜（Ｃ）の工程を行ない： （Ａ）ペンタ−Ｏ−アセチル−β−Ｄ−グルコースにＨ
Ｆを反応させることによりテトラ−Ｏ−アセチル−β−
Ｄ−グルコピラノシルフルオライド（ＴＡＧＦ）を生成
させ、反応混合物に有機溶媒を加えて生成物ＴＡＧＦを
有機溶媒の側に移行させる。（Ｂ）ＴＡＧＦとヒノキチ
オールとを三フッ化ホウ素の存在下に有機溶媒中で反応
させてＨ−ＧＡａおよびＨ−ＧＡｂを生成させる。
（Ｃ）ペンタ−Ｏ−アセチル−β−Ｄ−グルコースとヒ
ノキチオールとを三フッ化ホウ素の存在下に有機溶媒中
で直接反応させてＨ−ＧＡａおよびＨ−ＧＡｂを生成さ
せる。Ｈ−ＧＡａまたはＨ−ＧＡｂを脱アセチル処理し
て、ヒノキチオールグルコシドを得る。
製造方法を提供する。 【解決手段】 下記（Ａ）〜（Ｃ）の工程を行ない： （Ａ）ペンタ−Ｏ−アセチル−β−Ｄ−グルコースにＨ
Ｆを反応させることによりテトラ−Ｏ−アセチル−β−
Ｄ−グルコピラノシルフルオライド（ＴＡＧＦ）を生成
させ、反応混合物に有機溶媒を加えて生成物ＴＡＧＦを
有機溶媒の側に移行させる。（Ｂ）ＴＡＧＦとヒノキチ
オールとを三フッ化ホウ素の存在下に有機溶媒中で反応
させてＨ−ＧＡａおよびＨ−ＧＡｂを生成させる。
（Ｃ）ペンタ−Ｏ−アセチル−β−Ｄ−グルコースとヒ
ノキチオールとを三フッ化ホウ素の存在下に有機溶媒中
で直接反応させてＨ−ＧＡａおよびＨ−ＧＡｂを生成さ
せる。Ｈ−ＧＡａまたはＨ−ＧＡｂを脱アセチル処理し
て、ヒノキチオールグルコシドを得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ヒノキチオールア
セトグルコシドを合成により製造する新規な方法に関す
る。本発明はまた、この化合物からヒノキチオールグル
コシドを製造する方法にも関する。
セトグルコシドを合成により製造する新規な方法に関す
る。本発明はまた、この化合物からヒノキチオールグル
コシドを製造する方法にも関する。
【０００２】本発明に関する化合物の略称は、それぞれ
下記の意味を有する。 ＰＡＧ： ペンタ−Ｏ−アセチル−β−Ｄ−グルコース ＴＡＧＦ： テトラ−Ｏ−アセチル−β−Ｄ−グルコピラノシルフルオライド Ｈ−ＧＡａ：４−イソプロピルトロポロン−２−Ｏ−β−Ｄ−グルコシドテトラ −Ｏ−アセテート Ｈ−ＧＡｂ：６−イソプロピルトロポロン−２−Ｏ−β−Ｄ−グルコシドテトラ −Ｏ−アセテート Ｈ−Ｇａ： ４−イソプロピルトロポロン−２−Ｏ−β−Ｄ−グルコシド Ｈ−Ｇｂ： ６−イソプロピルトロポロン−２−Ｏ−β−Ｄ−グルコシド Ｈ−Ｇ： ヒノキチオールグルコシド（Ｈ−ＧａおよびＨ−Ｇｂ）
下記の意味を有する。 ＰＡＧ： ペンタ−Ｏ−アセチル−β−Ｄ−グルコース ＴＡＧＦ： テトラ−Ｏ−アセチル−β−Ｄ−グルコピラノシルフルオライド Ｈ−ＧＡａ：４−イソプロピルトロポロン−２−Ｏ−β−Ｄ−グルコシドテトラ −Ｏ−アセテート Ｈ−ＧＡｂ：６−イソプロピルトロポロン−２−Ｏ−β−Ｄ−グルコシドテトラ −Ｏ−アセテート Ｈ−Ｇａ： ４−イソプロピルトロポロン−２−Ｏ−β−Ｄ−グルコシド Ｈ−Ｇｂ： ６−イソプロピルトロポロン−２−Ｏ−β−Ｄ−グルコシド Ｈ−Ｇ： ヒノキチオールグルコシド（Ｈ−ＧａおよびＨ−Ｇｂ）
【０００３】
【従来の技術】ヒノキチオールすなわち４−イソプロピ
ルトロポロン−１−オン−２−オールは、台湾ヒノキ、
青森ヒバ等の樹木の精油成分であって、抗菌、防かび、
防腐、発毛促進などの多くの効果が認められ、医薬、農
薬、頭髪用品や食品保存剤など広い用途が開発されつつ
ある。
ルトロポロン−１−オン−２−オールは、台湾ヒノキ、
青森ヒバ等の樹木の精油成分であって、抗菌、防かび、
防腐、発毛促進などの多くの効果が認められ、医薬、農
薬、頭髪用品や食品保存剤など広い用途が開発されつつ
ある。
【０００４】しかし、ヒノキチオールは水に難溶性であ
って、ヒノキチオール製剤は剤形が限られるため、利用
範囲もまた限定される。この問題を打開する一つの手段
として、ヒノキチオールを配糖体とすることが試みられ
ている。たとえば特開平７−１７９９３号は、ヒノキチ
オールにＤ−グルコースを結合させて、抗菌剤に使用す
ることを提案している。発明者は、ユーカリ属の植物の
組織片から誘導した培養細胞を利用することによって、
ヒノキチオール配糖体を有利に製造する方法を発明し、
すでに特開平７−８２２８８号に開示した。
って、ヒノキチオール製剤は剤形が限られるため、利用
範囲もまた限定される。この問題を打開する一つの手段
として、ヒノキチオールを配糖体とすることが試みられ
ている。たとえば特開平７−１７９９３号は、ヒノキチ
オールにＤ−グルコースを結合させて、抗菌剤に使用す
ることを提案している。発明者は、ユーカリ属の植物の
組織片から誘導した培養細胞を利用することによって、
ヒノキチオール配糖体を有利に製造する方法を発明し、
すでに特開平７−８２２８８号に開示した。
【０００５】その後、発明者は、化学合成によるヒノキ
チオール配糖体の製造方法の開発を企てて種々研究の結
果、ペンタ−Ｏ−アセチル−β−Ｄ−グルコース（以下
「ＰＡＧ」と略称する）をブロム化してテトラ−Ｏ−ア
セチル−β−Ｄ−グルコピラノシルブロマイドとし、こ
れを銀塩触媒の存在下にヒノキチオールと反応させるこ
とにより、新規化合物である、４−または６−イソプロ
ピルトロポロン−２−Ｏ−β−Ｄ−グルコシドテトラ−
Ｏ−アセテート（前者を「Ｈ−ＧＡａ」、後者を「Ｈ−
ＧＡｂ」と略称する）が得られることを知って、この合
成法を開示した（特願平１１−１９９４４５）。Ｈ−Ｇ
ＡａおよびＨ−ＧＡｂは、それぞれ下記の構造を有す
る。
チオール配糖体の製造方法の開発を企てて種々研究の結
果、ペンタ−Ｏ−アセチル−β−Ｄ−グルコース（以下
「ＰＡＧ」と略称する）をブロム化してテトラ−Ｏ−ア
セチル−β−Ｄ−グルコピラノシルブロマイドとし、こ
れを銀塩触媒の存在下にヒノキチオールと反応させるこ
とにより、新規化合物である、４−または６−イソプロ
ピルトロポロン−２−Ｏ−β−Ｄ−グルコシドテトラ−
Ｏ−アセテート（前者を「Ｈ−ＧＡａ」、後者を「Ｈ−
ＧＡｂ」と略称する）が得られることを知って、この合
成法を開示した（特願平１１−１９９４４５）。Ｈ−Ｇ
ＡａおよびＨ−ＧＡｂは、それぞれ下記の構造を有す
る。
【０００６】
【化１】
【０００７】発明者は、Ｈ−ＧＡａおよびＨ−ＧＡｂが
ともに、高い抗酸化作用を有することも見出し、さら
に、Ｈ−ＧＡａおよびＨ−ＧＡｂの脱アセチル化によ
り、Ｈ−ＧａおよびＨ−Ｇｂを取得できることを確認し
て、これも提案した（同上）。
ともに、高い抗酸化作用を有することも見出し、さら
に、Ｈ−ＧＡａおよびＨ−ＧＡｂの脱アセチル化によ
り、Ｈ−ＧａおよびＨ−Ｇｂを取得できることを確認し
て、これも提案した（同上）。
【０００８】発明者はその後も研究を続け、今回、上記
したＰＡＧのブロマイドに代えてフルオライドであるＴ
ＡＧＦ（テトラ−Ｏ−アセチル−β−Ｄ−グルコピラノ
シルフルオライド）を形成し、これを三フッ化ホウ素の
存在下にヒノキチオールと反応させることにより、上記
したＨ−ＧＡａまたはＨ−ＧＡｂが得られることを知っ
た。さらに発明者は、ＴＡＧＦを生成させて分離すると
いう工程を経ることなく、ＰＡＧとヒノキチオールとを
三フッ化ホウ素の存在下に直接反応させても、Ｈ−ＧＡ
ａおよびＨ−ＧＡｂが得られることを見出した。
したＰＡＧのブロマイドに代えてフルオライドであるＴ
ＡＧＦ（テトラ−Ｏ−アセチル−β−Ｄ−グルコピラノ
シルフルオライド）を形成し、これを三フッ化ホウ素の
存在下にヒノキチオールと反応させることにより、上記
したＨ−ＧＡａまたはＨ−ＧＡｂが得られることを知っ
た。さらに発明者は、ＴＡＧＦを生成させて分離すると
いう工程を経ることなく、ＰＡＧとヒノキチオールとを
三フッ化ホウ素の存在下に直接反応させても、Ｈ−ＧＡ
ａおよびＨ−ＧＡｂが得られることを見出した。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、発明
者が得た上記の新しい知見を活用し、Ｈ−ＧＡａおよび
Ｈ−ＧＡｂを製造する新規で、工業的に有利な方法を提
供するとともに、Ｈ−ＧａおよびＨ−Ｇｂの製造方法を
も提供することにある。
者が得た上記の新しい知見を活用し、Ｈ−ＧＡａおよび
Ｈ−ＧＡｂを製造する新規で、工業的に有利な方法を提
供するとともに、Ｈ−ＧａおよびＨ−Ｇｂの製造方法を
も提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明のＨ−ＧＡａまた
はＨ−ＧＡｂを製造する第一の方法は、下記の諸工程か
らなる： （Ａ）ペンタ−Ｏ−アセチル−β−Ｄ−グルコースにＨ
Ｆを反応させることによりＴＡＧＦを生成させ、反応混
合物に有機溶媒を加えて生成物ＴＡＧＦを有機溶媒の側
に移行させるフッ化工程、および （Ｂ）ＴＡＧＦとヒノキチオールとを三フッ化ホウ素の
存在下に有機溶媒中で反応させてＨ−ＧＡａおよびＨ−
ＧＡｂを生成させ、触媒を分離し、有機溶媒を除去して
Ｈ−ＧＡａおよびＨ−ＧＡｂを取得するアセチル体化工
程。
はＨ−ＧＡｂを製造する第一の方法は、下記の諸工程か
らなる： （Ａ）ペンタ−Ｏ−アセチル−β−Ｄ−グルコースにＨ
Ｆを反応させることによりＴＡＧＦを生成させ、反応混
合物に有機溶媒を加えて生成物ＴＡＧＦを有機溶媒の側
に移行させるフッ化工程、および （Ｂ）ＴＡＧＦとヒノキチオールとを三フッ化ホウ素の
存在下に有機溶媒中で反応させてＨ−ＧＡａおよびＨ−
ＧＡｂを生成させ、触媒を分離し、有機溶媒を除去して
Ｈ−ＧＡａおよびＨ−ＧＡｂを取得するアセチル体化工
程。
【００１１】本発明のＨ−ＧＡａまたはＨ−ＧＡｂを製
造する第二の方法は、下記の工程からなる： （Ｃ）ペンタ−Ｏ−アセチル−β−Ｄ−グルコースとヒ
ノキチオールとを三フッ化ホウ素の存在下に有機溶媒中
で直接反応させてＨ−ＧＡａおよびＨ−ＧＡｂを生成さ
せ、触媒を分離し、有機溶媒を除去してＨ−ＧＡａおよ
びＨ−ＧＡｂを取得するアセチル体合成工程。
造する第二の方法は、下記の工程からなる： （Ｃ）ペンタ−Ｏ−アセチル−β−Ｄ−グルコースとヒ
ノキチオールとを三フッ化ホウ素の存在下に有機溶媒中
で直接反応させてＨ−ＧＡａおよびＨ−ＧＡｂを生成さ
せ、触媒を分離し、有機溶媒を除去してＨ−ＧＡａおよ
びＨ−ＧＡｂを取得するアセチル体合成工程。
【００１２】
【発明の実施の形態】工程Ｂまたは工程Ｃにおいて、三
フッ化ホウ素は、酢酸またはジエチルエーテルとともに
使用することが好ましい。三フッ化ホウ素と酢酸、およ
び三フッ化ホウ素とジエチルエーテルとは、それぞれ錯
体を形成していて、これらの錯体が上記反応の触媒作用
をすると考えられる。
フッ化ホウ素は、酢酸またはジエチルエーテルとともに
使用することが好ましい。三フッ化ホウ素と酢酸、およ
び三フッ化ホウ素とジエチルエーテルとは、それぞれ錯
体を形成していて、これらの錯体が上記反応の触媒作用
をすると考えられる。
【００１３】このようにして得たＨ−ＧＡａまたはＨ−
ＧＡｂから、Ｈ−ＧａまたはＨ−Ｇｂを製造する本発明
の方法は、前記の工程Ａおよび工程Ｂに続けて、または
前記の工程Ｃに続けて、下記の工程Ｄを実施することか
らなる： （Ｄ）Ｈ−ＧＡａまたはＨ−ＧＡｂに、低級アルコール
溶媒中でアルカリ性物質を加えてアセチル基を脱離さ
せ、カチオン交換樹脂で中和したのち、溶媒を除去して
Ｈ−ＧａまたはＨ−Ｇｂを取得する脱アセチル工程。
ＧＡｂから、Ｈ−ＧａまたはＨ−Ｇｂを製造する本発明
の方法は、前記の工程Ａおよび工程Ｂに続けて、または
前記の工程Ｃに続けて、下記の工程Ｄを実施することか
らなる： （Ｄ）Ｈ−ＧＡａまたはＨ−ＧＡｂに、低級アルコール
溶媒中でアルカリ性物質を加えてアセチル基を脱離さ
せ、カチオン交換樹脂で中和したのち、溶媒を除去して
Ｈ−ＧａまたはＨ−Ｇｂを取得する脱アセチル工程。
【００１４】
【実施例１】（Ａ）フッ化工程 容量３００mlのナス型フラスコに、ＰＡＧ２０ｇおよび
ＨＦ−ピリジン（約２５％のＨＦを含む）１００ｇを入
れ、フラスコ内を窒素ガスで置換して、容器を氷で冷却
して温度が０℃を超えないように保って６時間攪拌し、
反応させた。反応混合物に対し、エーテルと飽和フッ化
カリウム水溶液とを用いた分配抽出を行なった。有機層
を、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和フッ化カリウ
ム水溶液、さらに飽和食塩水をこの順で用いて洗浄した
のち、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。濾過して乾燥剤
を除き、減圧下に溶媒を除去して、ＴＡＧＦ１５．４ｇ
を得た（ＰＡＧ基準の収率８６％）。 （Ｂ）アセチル体化工程 三ツ口フラスコに、上記の工程Ａで得たＴＡＧＦ１１．
７ｇ（３０mmol）、ヒノキチオール４．９ｇ（３０mmo
l）および１，１，３，３−テトラメチルグアニジン少
量を入れ、フラスコ内部を窒素ガスで置換した。これ
に、三フッ化ホウ素−ジエチルエーテル６０mlと乾燥し
たアセトニトリル３０mlとを加え、３時間攪拌した。反
応混合物を酢酸エチルで抽出し、減圧下に酢酸エチルを
除去して濃縮した。ｎ−ヘキサンを沈殿が生じるまで加
え、水浴で加温して沈殿を溶解させ、しばらく静置し
た。白色の結晶１０．４ｇを得た。収率は７０％であっ
た。
ＨＦ−ピリジン（約２５％のＨＦを含む）１００ｇを入
れ、フラスコ内を窒素ガスで置換して、容器を氷で冷却
して温度が０℃を超えないように保って６時間攪拌し、
反応させた。反応混合物に対し、エーテルと飽和フッ化
カリウム水溶液とを用いた分配抽出を行なった。有機層
を、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和フッ化カリウ
ム水溶液、さらに飽和食塩水をこの順で用いて洗浄した
のち、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。濾過して乾燥剤
を除き、減圧下に溶媒を除去して、ＴＡＧＦ１５．４ｇ
を得た（ＰＡＧ基準の収率８６％）。 （Ｂ）アセチル体化工程 三ツ口フラスコに、上記の工程Ａで得たＴＡＧＦ１１．
７ｇ（３０mmol）、ヒノキチオール４．９ｇ（３０mmo
l）および１，１，３，３−テトラメチルグアニジン少
量を入れ、フラスコ内部を窒素ガスで置換した。これ
に、三フッ化ホウ素−ジエチルエーテル６０mlと乾燥し
たアセトニトリル３０mlとを加え、３時間攪拌した。反
応混合物を酢酸エチルで抽出し、減圧下に酢酸エチルを
除去して濃縮した。ｎ−ヘキサンを沈殿が生じるまで加
え、水浴で加温して沈殿を溶解させ、しばらく静置し
た。白色の結晶１０．４ｇを得た。収率は７０％であっ
た。
【００１５】この結晶を、つぎの条件のＨＰＬＣ分析に
かけ、 カラム：ＳＵＰＥＬＣＯＳＩＬ ＬＣ−Ｆ ４．６×２
５０mm 溶離剤：ＣＨ3ＣＮ／Ｈ2Ｏ（４５／５５） 流速：１．０ml／min. 検出：ＵＶ２４５nm ２本のピークを得たことから、Ｈ−ＧＡａおよびＨ−Ｇ
Ａｂが生成したことが確認された。まず、大きいピーク
を示した化合物から再結晶を繰り返して、Ｈ−ＧＡｂの
白色針状結晶を得た。 融点：１５１−１５２℃ ＭＳ（Ｅｌポジティブ） ｍ／Ｚ ４９４［Ｍ+］ つぎに、小さいピークを示した化合物を取得するため、
Ｈ−ＧＡｂを分離した母液を、シリカゲルクロマトグラ
フィーを用いた反復精製にかけ、Ｈ−ＧＡａの白色粉末
を得た。 ＭＳ（Ｅｌポジティブ） ｍ／Ｚ ４９４［Ｍ+］ Ｈ−ＧＡａとＨ−ＧＡｂのＮＭＲスペクトルのデータ
を、下に対比して示す。
かけ、 カラム：ＳＵＰＥＬＣＯＳＩＬ ＬＣ−Ｆ ４．６×２
５０mm 溶離剤：ＣＨ3ＣＮ／Ｈ2Ｏ（４５／５５） 流速：１．０ml／min. 検出：ＵＶ２４５nm ２本のピークを得たことから、Ｈ−ＧＡａおよびＨ−Ｇ
Ａｂが生成したことが確認された。まず、大きいピーク
を示した化合物から再結晶を繰り返して、Ｈ−ＧＡｂの
白色針状結晶を得た。 融点：１５１−１５２℃ ＭＳ（Ｅｌポジティブ） ｍ／Ｚ ４９４［Ｍ+］ つぎに、小さいピークを示した化合物を取得するため、
Ｈ−ＧＡｂを分離した母液を、シリカゲルクロマトグラ
フィーを用いた反復精製にかけ、Ｈ−ＧＡａの白色粉末
を得た。 ＭＳ（Ｅｌポジティブ） ｍ／Ｚ ４９４［Ｍ+］ Ｈ−ＧＡａとＨ−ＧＡｂのＮＭＲスペクトルのデータ
を、下に対比して示す。
【００１６】 1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ） δppm Ｊ（Ｈｚ） 生成物 Ｈ−ＧＡａ Ｈ−ＧＡｂ １ ２ ３ 7.20 (1H, d, J=1.5) 7.10 (1H, br, s) ４ ５ 6.85 (1H, ddd, J=8.5,1.5,1.0) ┌6.88 (2H, m) ６ 7.15 (1H, dd, J=12.4,8.5) └
【００１７】 ７ 7.05 (1H, dd, J=12.0,1.0) 7.07 (1H, dd, J=5.5,5.0) ８ 2.79 (1H, m, J=7.0) 2.75 (1H, m) ９ 1.22 (3H, d, J=7.0) 1.21 (3H, d, J=7.0) １０ 1.22 (3H, d, J=7.0) 1.21 (3H, d, J=7.0) Glc １’ 5.42 (1H, d, J=7.6) 5.43 (1H, d, J=7.5) ２’ 5.25 (1H, dd, J=9.2,7.6) 5.24 (1H, dd, J=9.0,7.5) ３’ 5.31 (1H, dd, J=9.5,9.2) 5.28 (1H, dd, J=9.0,9.0) ４’ 5.12 (1H, dd, J=10.0,9.5) 5.13 (1H, dd, J=10.0,9.0) ５’ 3.74 (1H, ddd, J=10.0,5.0,2.5) 3.75 (1H, ddd, J=10.0,5.0,2.5) ６'a 4.11 (1H, dd, J=12.5,2.5) 4.10 (1H, dd, J=12.5,2.5) ６'b 4.20 (1H, dd, J=12.5,5.0) 4.24 (1H, dd, J=12.5,5.0) Ａｃ 2.10 (3H, s) 2.08 (3H, s) 2.03 (3H, s) 2.04 (3H, s) 2.02 (3H, s) 2.02 (3H, s) 2.02 (3H, s) 2.02 (3H, s) 13 Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ ppm 生成物 Ｈ−ＧＡａ Ｈ−ＧＡｂ 生成物 Ｈ−ＧＡａ Ｈ−ＧＡｂ １ 180.3 160.8 Glc １' 98.1 98.0 ２ 160.5 180.4 ２' 71.2 71.3 ３ 127.6 136.8 ３' 72.5 72.5 ４ 153.6 157.1 ４' 68.4 68.3 ５ 128.2 133.4 ５' 72.1 72.1 ６ 136.6 130.9 ６' 61.9 61.7 ７ 137.9 124.0 Ａｃ 170.4 170.5 ８ 38.3 38.3 170.0 170.1 ９ 23.0 22.8 169.8 169.7 １０ 23.0 22.9 169.4 169.4 20.8 20.7 20.6 20.6 20.6 20.6 20.6 20.6
【００１８】
【実施例２】（Ｃ）アセチル体の直接合成 ＰＡＧ５４．６ｇ（０．１４mol）とヒノキチオール２
３ｇ（０．１４mol）とを、乾燥したトルエン２５０ml
中に入れ、この混合溶液に三フッ化ホウ素−酢酸６．５
ｇ（０．０３５mol）を加えて、常温で８時間撹拌し
た。反応混合物を水と酢酸エチルとを用いて分配抽出
し、有機層を、水酸化ナトリウム水溶液および飽和食塩
水で洗浄した。減圧下に溶媒を除去し、残留物を酢酸エ
チルに溶解した。この溶液にｎ−ヘキサンを沈殿が生じ
るまで加え、水浴で加温して沈殿を溶解させ、しばらく
静置した。白色の結晶４２ｇを得た。収率は６１％であ
った。
３ｇ（０．１４mol）とを、乾燥したトルエン２５０ml
中に入れ、この混合溶液に三フッ化ホウ素−酢酸６．５
ｇ（０．０３５mol）を加えて、常温で８時間撹拌し
た。反応混合物を水と酢酸エチルとを用いて分配抽出
し、有機層を、水酸化ナトリウム水溶液および飽和食塩
水で洗浄した。減圧下に溶媒を除去し、残留物を酢酸エ
チルに溶解した。この溶液にｎ−ヘキサンを沈殿が生じ
るまで加え、水浴で加温して沈殿を溶解させ、しばらく
静置した。白色の結晶４２ｇを得た。収率は６１％であ
った。
【００１９】
【実施例３】（Ｃ）アセチル体の直接合成 ＰＡＧ３．９ｇ（１０mmol）とヒノキチオール１．６４
ｇ（１０mmol）とをベンゼン３０ml中に入れ、この混合
溶液に三フッ化ホウ素−ジエチルエーテル０．７ｇ（５
mmol）を加えて、常温で４８時間撹拌した。反応混合物
を水と酢酸エチルとを用いて分配抽出し、有機層を、水
酸化ナトリウム水溶液および飽和食塩水で洗浄した。減
圧下に溶媒を除去し、残留物を酢酸エチルに溶解した。
この溶液にｎ−ヘキサンを沈殿が生じるまで加え、水浴
で加温して沈殿を溶解させ、しばらく静置した。白色の
結晶３．８ｇを得た。収率は７７％であった。
ｇ（１０mmol）とをベンゼン３０ml中に入れ、この混合
溶液に三フッ化ホウ素−ジエチルエーテル０．７ｇ（５
mmol）を加えて、常温で４８時間撹拌した。反応混合物
を水と酢酸エチルとを用いて分配抽出し、有機層を、水
酸化ナトリウム水溶液および飽和食塩水で洗浄した。減
圧下に溶媒を除去し、残留物を酢酸エチルに溶解した。
この溶液にｎ−ヘキサンを沈殿が生じるまで加え、水浴
で加温して沈殿を溶解させ、しばらく静置した。白色の
結晶３．８ｇを得た。収率は７７％であった。
【００２０】
【実施例４】（Ｄ）脱アセチル工程 実施例１で製造したＨ−ＧＡ（Ｈ−ＧＡａおよびＨ−Ｇ
Ａｂの混合物）１０．０ｇを、常法に従ってナトリウム
メトキシドを用いて脱アセチル化したのち、イオン交換
樹脂「アンバーライトＩＲＣ−５０」を適量加えて中和
し、樹脂を濾過分離した。得られた濾液から、減圧下に
溶媒を除去することにより、Ｈ−Ｇ（Ｈ−ＧａおよびＨ
−Ｇｂの混合物）の白色粉末を得た。収量６．１ｇ、収
率９１％であった。実施例２または３で製造したＨ−Ｇ
Ａを対象とした場合も、同様な結果が得られた。
Ａｂの混合物）１０．０ｇを、常法に従ってナトリウム
メトキシドを用いて脱アセチル化したのち、イオン交換
樹脂「アンバーライトＩＲＣ−５０」を適量加えて中和
し、樹脂を濾過分離した。得られた濾液から、減圧下に
溶媒を除去することにより、Ｈ−Ｇ（Ｈ−ＧａおよびＨ
−Ｇｂの混合物）の白色粉末を得た。収量６．１ｇ、収
率９１％であった。実施例２または３で製造したＨ−Ｇ
Ａを対象とした場合も、同様な結果が得られた。
【００２１】
【発明の効果】本発明のＨ−ＧＡａおよびＨ−ＧＡｂの
製造方法は、ＰＡＧのフルオライドであるＴＡＧＦを形
成し（工程Ａ）、これを三フッ化ホウ素の存在下にヒノ
キチオールと反応させる（工程Ｂ）という、従来試みら
れなかった新規な合成ルートを採用したことにより、簡
単な工程で、高い収率をもって、目的とするＨ−ＧＡａ
およびＨ−ＧＡｂを製造することができる。
製造方法は、ＰＡＧのフルオライドであるＴＡＧＦを形
成し（工程Ａ）、これを三フッ化ホウ素の存在下にヒノ
キチオールと反応させる（工程Ｂ）という、従来試みら
れなかった新規な合成ルートを採用したことにより、簡
単な工程で、高い収率をもって、目的とするＨ−ＧＡａ
およびＨ−ＧＡｂを製造することができる。
【００２２】ＰＡＧのＴＡＧＦを分離取得することな
く、三フッ化ホウ素の存在下にＰＡＧをヒノキチオール
と反応させて、直接アセチル体を得る（工程Ｃ）方法
は、いっそう容易に目的物を製造することができる。
く、三フッ化ホウ素の存在下にＰＡＧをヒノキチオール
と反応させて、直接アセチル体を得る（工程Ｃ）方法
は、いっそう容易に目的物を製造することができる。
【００２３】得られたＨ−ＧＡａおよびＨ−ＧＡｂは、
高い抗酸化作用を有し、医薬品、食品、香粧品の分野で
有用な物質である。
高い抗酸化作用を有し、医薬品、食品、香粧品の分野で
有用な物質である。
【００２４】このＨ−ＧＡａおよびＨ−ＧＡｂは、簡単
な方法（工程Ｄ）で、Ｈ−ＧａおよびＨ−Ｇｂすなわち
ヒノキチオールのＤ−グルコース配糖体に転換すること
ができる。これらヒノキチオールＤ−グルコース配糖体
は、すでに有用性が確認されている物質である。
な方法（工程Ｄ）で、Ｈ−ＧａおよびＨ−Ｇｂすなわち
ヒノキチオールのＤ−グルコース配糖体に転換すること
ができる。これらヒノキチオールＤ−グルコース配糖体
は、すでに有用性が確認されている物質である。
Claims (4)
- 【請求項１】 ４−イソプロピルトロポロン−２−Ｏ−
β−Ｄ−グルコシドテトラ−Ｏ−アセテート（略称「Ｈ
−ＧＡａ」）または６−イソプロピルトロポロン−２−
Ｏ−β−Ｄ−グルコシドテトラ−Ｏ−アセテート（略称
「Ｈ−ＧＡｂ」）を製造する方法であって、下記の諸工
程からなる製造方法： （Ａ）ペンタ−Ｏ−アセチル−β−Ｄ−グルコースにＨ
Ｆを反応させることによりテトラ−Ｏ−アセチル−β−
Ｄ−グルコピラノシルフルオライド（略称「ＴＡＧ
Ｆ」）を生成させ、反応混合物に有機溶媒を加えて生成
物ＴＡＧＦを有機溶媒の側に移行させるフッ化工程、お
よび （Ｂ）ＴＡＧＦとヒノキチオールとを三フッ化ホウ素の
存在下に有機溶媒中で反応させてＨ−ＧＡａおよびＨ−
ＧＡｂを生成させ、触媒を分離し、有機溶媒を除去して
Ｈ−ＧＡａおよびＨ−ＧＡｂを取得するアセチル体化工
程。 - 【請求項２】 ４−イソプロピルトロポロン−２−Ｏ−
β−Ｄ−グルコシドテトラ−Ｏ−アセテート（略称「Ｈ
−ＧＡａ」）または６−イソプロピルトロポロン−２−
Ｏ−β−Ｄ−グルコシドテトラ−Ｏ−アセテート（略称
「Ｈ−ＧＡｂ」）を製造する方法であって、下記の工程
からなる製造方法： （Ｃ）ペンタ−Ｏ−アセチル−β−Ｄ−グルコースとヒ
ノキチオールとを三フッ化ホウ素の存在下に有機溶媒中
で直接反応させてＨ−ＧＡａおよびＨ−ＧＡｂを生成さ
せ、触媒を分離し、有機溶媒を除去してＨ−ＧＡａおよ
びＨ−ＧＡｂを取得するアセチル体合成工程。 - 【請求項３】 三フッ化ホウ素を、酢酸またはジエチル
エーテルトともに使用する請求項１または２の製造方
法。 - 【請求項４】 ４−イソプロピルトロポロン−２−Ｏ−
β−Ｄ−グルコシド（略称「Ｈ−Ｇａ」）または６−イ
ソプロピルトロポロン−２−Ｏ−β−Ｄ−グルコシド
（略称「Ｈ−Ｇｂ」）を製造する方法であって、請求項
１に記載の工程Ａおよび工程Ｂに続けて、または請求項
２に記載の工程Ｃに続けて、下記の工程Ｄを実施するこ
とからなる方法： （Ｄ）Ｈ−ＧＡａまたはＨ−ＧＡｂに、低級アルコール
溶媒中でアルカリ性物質を加えてアセチル基を脱離さ
せ、カチオン交換樹脂で中和したのち、溶媒を除去して
Ｈ−ＧａまたはＨ−Ｇｂを取得する脱アセチル工程。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000002831A JP2001131194A (ja) | 1999-08-23 | 2000-01-11 | ヒノキチオールアセトグルコシドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23562299 | 1999-08-23 | ||
| JP11-235622 | 1999-08-23 | ||
| JP2000002831A JP2001131194A (ja) | 1999-08-23 | 2000-01-11 | ヒノキチオールアセトグルコシドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001131194A true JP2001131194A (ja) | 2001-05-15 |
Family
ID=26532238
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000002831A Pending JP2001131194A (ja) | 1999-08-23 | 2000-01-11 | ヒノキチオールアセトグルコシドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001131194A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003113196A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-18 | Osaka Organic Chem Ind Ltd | ヒノキチオール配糖体の製造方法 |
-
2000
- 2000-01-11 JP JP2000002831A patent/JP2001131194A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003113196A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-18 | Osaka Organic Chem Ind Ltd | ヒノキチオール配糖体の製造方法 |
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