JP2001127439A - 配線基板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 複合同軸スルーホール導体を小型化すること
のできる配線基板及びその製造方法を提供すること。 【解決手段】 配線基板１は、中心基板２の主面間を貫
通し、中心軸９を有する外側スルーホール導体８と、こ
れより内側に位置し、これと略同軸の中心導体１６とを
有する複合同軸スルーホール導体５を備える。さらに、
配線基板１は、中心基板２上の第１樹脂絶縁層３及び第
２樹脂絶縁層４に形成され、中心軸９上で中心導体１６
とそれぞれ接続する第１ビア導体２６及び第２ビア導体
２７を備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、スルーホール導体
を備える配線基板及びその製造方法に関し、特に、外側
スルーホール導体と、この外側スルーホール導体と略同
軸で、これよりも内側に位置する中心導体とを有する複
合同軸スルーホール導体を備える配線基板及びその製造
方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、外側スルーホール導体とこれ
と略同軸の中心スルーホール導体とからなる複合同軸ス
ルーホール導体を備える配線基板が知られている。この
複合同軸スルーホール導体は、入力側のスルーホール導
体と出力側のスルーホール導体との間のアイソレーショ
ンを向上させたり、スルーホール導体の特性インピーダ
ンスを層間の配線層と整合させるなど、電気特性を向上
させるために研究開発されたものである。

【０００３】具体的には、図８（ａ）に部分拡大断面図
を示す配線基板１０１が挙げられる。この配線基板１０
１は、中心絶縁層１０２の上面１０２Ａに上側樹脂絶縁
層１０３が積層され、下面１０２Ｂに下側樹脂絶縁層１
０４が積層されたものである。中心絶縁層１０２には、
上面１０２Ａと下面１０２Ｂとの間を貫通し中心軸１０
９を有する外側貫通孔１０７が形成され、その内周面に
は、略筒状の外側スルーホール導体１０８が形成されて
いる。この外側スルーホール導体１０８は、中心絶縁層
１０２の上面１０２Ａ及び下面１０２Ｂにそれぞれ形成
された上側配線層１１１及び下側配線層１１２と導通し
ている。

【０００４】外側スルーホール導体１０８と中心絶縁層
１０２の上面１０２Ａ及び下面１０２Ｂとの間（外側ス
ルーホール導体１０８内）には、樹脂絶縁体１１４が形
成されている。この樹脂絶縁体１１４には、上面１０２
Ａ及び下面１０２Ｂの間を貫通し外側貫通孔１０７と略
同軸の内側貫通孔１１７が形成され、その内周面には、
略筒状の中心スルーホール導体１１８が形成されてい
る。この中心スルーホール導体１１８は、ビア導体接続
用に、上面１０２Ａ及び下面１０２Ｂに略舌状に形成さ
れた上側ビア受けパッド１２１及び下側ビア受けパッド
１２２とそれぞれ導通している。一方、上側樹脂絶縁層
１０３には、上側ビア受けパッド１２１と接続する上側
ビア導体１２４が形成され、中心スルーホール導体１１
８と導通している。同様に、下側樹脂絶縁層１０４に
は、下側ビア受けパッド１２２と接続する下側ビア導体
１２５が形成され、中心スルーホール導体１１８と導通
している。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな外側スルーホール導体１０８と中心スルーホール導
体１１８とからなる複合同軸スルーホール導体１０５
は、図８（ｂ）に図８（ａ）のＰＰ’部分拡大断面図を
示すように、中心スルーホール導体１１８から略舌状に
延びた上側ビア受けパッド１２１及び下側ビア受けパッ
ド１２２が形成されているために、外側スルーホール導
体１０８の径ＲＴが大きくなっている。つまり、外側ス
ルーホール導体１０８を上側ビア受けパッド１２１及び
下側ビア受けパッド１２２から絶縁するために、これら
のビア受けパッドが径方向に突出した分だけ、外側スル
ーホール導体１０８の径ＲＴが大きくなっている。この
ように外側スルーホール導体１０８の径ＲＴが大きい
と、複合同軸スルーホール導体１０５全体の寸法が大き
くなり、このため、配線基板１０１の小型化の要求に十
分に対応することができなかった。

【０００６】本発明はかかる現状に鑑みてなされたもの
であって、複合同軸スルーホール導体を小型化すること
のできる配線基板及びその製造方法を提供することを目
的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段、作用及び効果】その解決
手段は、第１主面及び第２主面を有し、少なくとも１以
上の絶縁層を有する中心基板と、上記第１主面に形成さ
れた第１樹脂絶縁層と、上記第２主面に形成された第２
樹脂絶縁層と、上記中心基板の第１主面と第２主面との
間を貫通し、中心軸を有する外側貫通孔と、上記外側貫
通孔の内周面に略筒状に形成された外側スルーホール導
体と、上記外側スルーホール導体と上記第１主面及び第
２主面に囲まれた位置に形成された樹脂絶縁体と、上記
樹脂絶縁体の上記第１主面と第２主面との間を貫通し、
上記外側貫通孔と略同軸の内側貫通孔と、上記内側貫通
孔内に形成された中心導体と、を備える配線基板であっ
て、上記第１樹脂絶縁層に形成され、上記中心軸上で上
記中心導体に接続する第１ビア導体と、上記第２樹脂絶
縁層に形成され、上記中心軸上で上記中心導体に接続す
る第２ビア導体と、を備えることを特徴とする配線基板
である。

【０００８】本発明では、配線基板は、外側スルーホー
ル導体及びこれと略同軸の中心導体を備える、即ち、外
側スルーホール導体及び中心導体を有する複合同軸スル
ーホール導体を備える。このうち中心導体には、第１ビ
ア導体及び第２ビア導体が、その中心軸上でそれぞれ接
続されている。このように、第１ビア導体及び第２ビア
導体が、中心導体の中心軸上に接続されていれば、従来
のように、中心スルーホール導体から径方向に舌状に突
出したビア受けパッドを設け、これにビア導体を接続さ
せる必要がない。従って、舌状のビア受けパッドをなく
すことにより、その分だけ、中心導体と外側スルーホー
ル導体との間隔を小さくすることができる。つまり、外
側スルーホール導体の径、即ち、複合同軸スルーホール
導体の径を小さく、小型化することができる。

【０００９】ここで、中心基板としては、少なくとも１
以上の絶縁層を有するものであれば良く、樹脂製の絶縁
層の他、セラミック製等の絶縁層を有するものが挙げら
れる。また、例えば金属製のコア基板の両面に絶縁層が
積層されたものや、さらには、その絶縁層の表面や内部
に配線層等が形成されたものであっても良い。樹脂絶縁
体としては、外側スルーホール導体と中心導体とを絶縁
することができるものであれば良く、中心基板の材質や
その熱膨張率等を考慮して適宜選択することができる。
さらに、複合同軸スルーホール導体と層間の配線層等と
の特性インピーダンスの整合などを考慮して、誘電率を
適切な値とするために、樹脂に他の物質（セラミック粉
末、金属粉末等）を含有させたものであっても良い。

【００１０】さらに、上記の配線基板であって、前記中
心導体は、前記内側貫通孔の内周面に略筒状に形成され
た中心スルーホール導体と、上記中心スルーホール導体
内に充填された導電性または非導電性の樹脂体と、上記
中心スルーホール導体の第１主面側に形成された第１蓋
導体層と、上記中心スルーホール導体の第２主面側に形
成された第２蓋導体層と、を備えることを特徴とする配
線基板とすると良い。

【００１１】本発明によれば、中心導体は、内部に樹脂
が充填された略筒状の中心スルーホール導体と、この中
心スルーホール導体の第１主面側及び第２主面側に形成
された第１蓋導体層及び第２蓋導体層とを有する。従っ
て、略円柱形状をなす中心導体の第１主面側及び第２主
面側の各端面（第１蓋導体層の外表面及び第２蓋導体層
の外表面）は、全面に導電性を有する。一方、中心導体
の中心軸上に形成された第１ビア導体及び第２ビア導体
は、これらの各底面が中心導体の各端面に接続されるこ
とにより、中心導体と導通している。このように全面に
導電性を有する端面と底面とが接続していることによ
り、中心導体と第１ビア導体及び第２ビア導体とは、そ
の接続面積が十分に大きくなっている。このため、本発
明の配線基板は、中心導体とビア導体との間で、断線な
どの接触不良を生じにくく、接続抵抗も低く、接続信頼
性が高い。

【００１２】あるいは、前記の配線基板であって、前記
中心導体は、前記内側貫通孔内に導電性樹脂が充填され
てなることを特徴とする配線基板とすると良い。

【００１３】本発明によれば、中心導体は、内側貫通孔
内に充填された略円柱形状をなす導電性樹脂からなるの
で、このような中心導体も、第１主面側及び第２主面側
の各端面は、全面に導電性を有する。一方、中心導体の
中心軸上に形成された第１ビア導体及び第２ビア導体
は、上記の配線基板と同様、これらの各底面が中心導体
の各端面に接続されることにより、中心導体と導通して
いる。このため、中心導体と第１ビア導体及び第２ビア
導体とは、その接続面積が十分に大きくなっているか
ら、本発明の配線基板も、中心導体とビア導体との間
で、断線などの接触不良を生じにくく、接続抵抗も低
く、接続信頼性が高い。

【００１４】あるいは、前記の配線基板であって、前記
中心導体は、前記内側貫通孔の内周面に略筒状に形成さ
れた中心スルーホール導体と、上記中心スルーホール導
体内に充填された導電性樹脂と、を備えることを特徴と
する配線基板とするのが好ましい。

【００１５】このような中心導体は、略筒状の中心スル
ーホール導体の内部に導電性の樹脂が充填されてなるの
で、上記の中心導体と同様、略円柱形状をなす中心導体
の第１主面側及び第２主面側の各端面は、全面に導電性
を有する。一方、中心導体とこの中心軸上に形成された
第１ビア導体及び第２ビア導体とは、上記した配線基板
と同様、これらの端面と底面とが接続されている。この
ため、中心導体と第１ビア導体及び第２ビア導体とは、
その接続面積が十分に大きくなっているから、本発明の
配線基板も、中心導体とビア導体との間で、断線などの
接触不良を生じにくく、接続抵抗も低く、接続信頼性が
高い。しかも、この中心導体は、比較的高抵抗となりや
すい導電性樹脂のみでなく、中心スルーホール導体をも
有しているので、中心導体の抵抗をより低くすることが
できる。

【００１６】また、他の解決手段は、第１主面及び第２
主面を有し、少なくとも１以上の絶縁層を有する中心基
板の所定の位置に、上記第１主面と第２主面との間を貫
通し、中心軸を有する外側貫通孔をドリルで穿孔するド
リル穿孔工程と、上記外側貫通孔の内周面に、略筒状の
外側スルーホール導体を形成する外側スルーホール導体
形成工程と、上記外側スルーホール導体内に非導電性樹
脂を充填し、樹脂絶縁体を形成する樹脂絶縁体形成工程
と、上記樹脂絶縁体の上記第１主面と第２主面との間を
貫通し、上記外側貫通孔と略同軸の内側貫通孔をレーザ
で穿孔するレーザ穿孔工程と、上記内側貫通孔内に中心
導体を形成する中心導体形成工程と、上記第１主面に上
記第１樹脂絶縁層を形成し、上記第２主面に上記第２樹
脂絶縁層を形成する樹脂絶縁層形成工程と、上記第１樹
脂絶縁層に上記中心軸上で上記中心導体に接続する第１
ビア導体を形成し、上記第２樹脂絶縁層に上記中心軸上
で上記中心導体に接続する第２ビア導体を形成するビア
導体形成工程と、を備えることを特徴とする配線基板の
製造方法である。

【００１７】本発明によれば、内周面に外側スルーホー
ル導体が形成される外側貫通孔は、ドリル穿孔工程で、
ドリルで穿孔することにより形成される。一方、内部に
中心導体が形成される内側貫通孔は、レーザ穿孔工程
で、レーザで穿孔することにより形成される。外側貫通
孔は、その径が比較的大きいため、位置精度等の穴開け
精度よりも、むしろ作業効率を向上させることが要求さ
れる。このため、レーザ等を利用して外側貫通孔を穿孔
するよりも、ドリルでこれを穿孔した方が、作業効率よ
く形成できるので好ましい。

【００１８】これに対し、内側貫通孔は、その径が比較
的小さいため、作業効率よりも、むしろ穴開け精度を向
上させることが望まれる。このため、ドリル等を利用し
て内側貫通孔を穿孔するよりも、レーザでこれを穿孔し
た方が、精度良く形成することができるので好ましい。
従って、本発明では、外側貫通孔をドリルで形成し、内
側貫通孔をレーザで形成することにより、作業効率と穴
開け精度とをバランス良く調整して、配線基板を製造す
ることができる。

【００１９】さらに、上記の配線基板の製造方法であっ
て、前記中心導体形成工程は、前記内側貫通孔の内周面
に、中心スルーホール導体を形成する中心スルーホール
導体形成工程と、上記中心スルーホール導体内に導電性
または非導電性の樹脂を充填し、樹脂体を形成する樹脂
体形成工程と、上記中心スルーホール導体の前記第１主
面側に第１蓋導体層を形成し、前記第２主面側に第２蓋
導体層を形成する蓋導体層形成工程と、を備えることを
特徴とする配線基板の製造方法とするのが好ましい。こ
のようにして中心導体を形成すれば、略円柱形状をなす
中心導体の各端面（第１蓋導体層の外表面及び第２蓋導
体層の外表面）は、全面に導電性を有するようになる。
このため、ビア導体形成工程で、中心導体とこの中心軸
上に形成する第１ビア導体及び第２ビア導体とを確実に
接続することができる。

【００２０】あるいは、前記の配線基板の製造方法であ
って、前記中心導体形成工程は、前記内側貫通孔内に、
導電性樹脂を充填して、前記中心導体を形成することを
特徴とする配線基板の製造方法とするのが好ましい。こ
のようにして中心導体を形成しても、略円柱形状をなす
中心導体の各端面は、全面に導電性を有するようにな
る。このため、ビア導体形成工程で、中心導体とこの中
心軸上に形成する第１ビア導体及び第２ビア導体とを確
実に接続することができる。さらに、この中心導体は、
内側貫通孔に導電性樹脂を充填することにより形成され
るので、樹脂体が充填された中心スルーホール導体と第
１蓋導体層及び第２蓋導体層とを有する上記の中心導体
を形成するよりも、作業工程が少なく、容易に形成する
ことができる。

【００２１】

【発明の実施の形態】（実施形態１）以下、本発明の実
施の形態を、図面を参照しつつ説明する。本実施形態の
配線基板１の部分拡大断面図を図１（ａ）に示し、図１
（ａ）のＰＰ’断面における複合同軸スルーホール導体
５近傍の部分拡大断面図を図１（ｂ）に示す。この配線
基板１は、ガラス−ＢＴ樹脂の絶縁板を有する中心基板
２の上面（第１主面）２Ａに、エポキシ樹脂からなる上
側樹脂絶縁層（第１樹脂絶縁層）３が積層され、下面
（第２主面）２Ｂに、同じくエポキシ樹脂からなる下側
樹脂絶縁層（第２樹脂絶縁層）４が形成されたものであ
る。

【００２２】中心基板２には、上面２Ａと下面２Ｂとの
間を貫通し、図中に破線で示す中心軸９を有する外側貫
通孔７が形成され、さらにその内周面７Ｃには、略筒状
の外側スルーホール導体８が形成されている。この外側
スルーホール導体８は、中心基板２の上面２Ａ及び下面
２Ｂにそれぞれ形成された上側配線層２２及び下側配線
層２３と導通している。外側スルーホール導体８と中心
基板２の上面２Ａ及び下面２Ｂとの間には、シリカフィ
ラー含有エポキシ樹脂からなる樹脂絶縁体１４が形成さ
れている。この樹脂絶縁体１４には、上面２Ａと下面２
Ｂとの間を貫通し、外側貫通孔７と略同軸（外側スルー
ホール導体８と略同軸）の内側貫通孔１７が形成され、
さらに、この内側貫通孔１７内には、この中心軸９を共
にする中心導体１６が形成されている。

【００２３】本実施形態では、この中心導体１６は、内
側貫通孔１７の内周面１７Ｃに略筒状に形成された中心
スルーホール導体１８と、その内部に充填されたＣｕフ
ィラー含有エポキシ樹脂からなる絶縁性の樹脂体２１
と、中心スルーホール導体１８の上面２Ａ側及び下面２
Ｂ側に形成された上側蓋導体層（第１蓋導体層）１９及
び下側蓋導体層（第２蓋導体層）２０とからなる。ま
た、この中心導体１６と上記の外側スルーホール導体８
とにより、複合同軸スルーホール導体５が構成されてい
る。

【００２４】一方、上側樹脂絶縁層３には、中心導体１
６の中心軸９上に上側ビア導体（第１ビア導体）２６が
形成され、中心導体１６と接続している。具体的には、
中心導体１６の一方の端面１９Ａ、即ち上側蓋導体層１
９の上面（外表面）１９Ａと、上側ビア導体２６の底面
２６Ｃとが接続することにより、中心導体１６と上側ビ
ア導体２６とが接続している。また、この上側ビア導体
２６は、上側樹脂絶縁層３上に形成された上側配線層２
８とも導通している。

【００２５】同様に、下側樹脂絶縁層４には、中心導体
１６の中心軸９上に下側ビア導体（第２ビア導体）２７
が形成され、中心導体１６と接続されている。具体的に
は、中心導体１６の他方の端面２０Ｂ、即ち下側蓋導体
層２０の下面（外表面）２０Ｂと、下側ビア導体２７の
底面２７Ｃとが接続することにより、中心導体１６と下
側ビア導体２７とが接続している。また、この下側ビア
導体２７は、下側樹脂絶縁層４上に形成された下側配線
層２９とも導通している。なお、図１（ｂ）の中心導体
１６中に破線で示す円は、上側ビア導体２６の接続位置
を示している。

【００２６】このような配線基板１では、中心導体１６
に上側蓋導体層１９及び下側蓋導体層２０を設け、これ
らの上に直接上側ビア導体２６及び下側ビア導体２７を
接続している。このため、従来のように、中心スルーホ
ール導体から舌状に突出したビア受けパッドを設け、こ
れにビア導体を接続させる必要がない。従って、中心導
体１６と外側スルーホール導体８との間隔を小さくする
ことができ、外側スルーホール導体８の径ＲＳ、即ち、
複合同軸スルーホール導体５の径ＲＳを小さく、小型化
することができる（図１（ｂ）参照）。

【００２７】また、中心導体１６の上面２Ａ側及び下面
２Ｂ側には、上側蓋導体層１９及び下側蓋導体層２０が
形成されているので、中心導体１６の上面２Ａ側の端面
（上側蓋導体層１９の上面）１９Ａ及び下面２Ｂ側の端
面（下側蓋導体層２０の下面）２０Ｂは、全面に導電性
を有する。一方、中心導体１６と上側ビア導体２６及び
下側ビア導体２７とは、中心導体１６の各端面１９Ａ，
２０Ｂと、上側ビア導体２６の底面２６Ｃ及び下側ビア
導体２７の底面２７Ｃとが接続されることにより、導通
している。このため、中心導体１６と上側ビア導体２６
及び下側ビア導体２７とは、それらの接続面積が十分に
大きくなっているから、中心導体１６と上側ビア導体２
６及び下側ビア導体２７との間で、断線などの接触不良
を生じにくく、接続抵抗も低く、接続信頼性が高い。

【００２８】次に、上記配線基板１の製造方法につい
て、図２〜図５を参照しつつ説明する。まず、ガラス−
ＢＴ樹脂の絶縁板１０の両面に銅箔６が張り付けられた
中心基板２を用意する（図２（ａ）参照）。その後、ド
リル穿孔工程において、図２（ａ）に部分拡大断面図を
示すように、所定の位置に、上面２Ａと下面２Ｂとの間
を貫通し、中心軸９を有する略円筒形状の外側貫通孔７
を、ドリルにより穿孔する。この際、外側貫通孔７をレ
ーザ等により穿孔することも可能である。しかし、外側
貫通孔７は、その径が３５０〜４００μｍと比較的大き
いため、レーザ等によれば工数が多く掛かる。これに対
し、ドリルを用いれば、容易かつ短時間のうちに外側貫
通孔７を形成することができるので好適である。

【００２９】次に、外側スルーホール導体形成工程にお
いて、図２（ｂ）に示すように、外側貫通孔７の内周面
７Ｃに、略筒状の外側スルーホール導体８を形成する。
具体的には、まず無電解メッキを施し、中心基板２の上
面２Ａ及び下面２Ｂの略全面（銅箔６の略全面）と外側
貫通孔７の内周面７Ｃに、無電解メッキ層を形成する。
さらに、無電解メッキ層上に電解メッキを施し、電解メ
ッキ層を形成する。これにより、外側貫通孔７の内周面
７Ｃに、無電解メッキ層及び電解メッキ層からなる外側
スルーホール導体８が形成される。

【００３０】次に、樹脂絶縁体形成工程において、図３
（ａ）に示すように、外側スルーホール導体８と上面２
Ａ及び下面２Ｂとで囲まれた位置に、樹脂絶縁体１４を
形成する。具体的には、外側スルーホール導体８内に、
シリカ等の無機フィラー、エポキシ樹脂及び硬化剤等か
らなる樹脂ペーストを印刷充填し、加熱してこれを硬化
させる。その後、中心基板２の上面２Ａ及び下面２Ｂか
ら膨出した余分な樹脂を研磨除去して、樹脂絶縁体１４
とする。なお、樹脂ペーストとしては、２５℃における
粘度が２０００Ｐａ・Ｓ以下、弾性率が３．０〜６．５
ＧＰａであり、加熱によるペーストの揮発分が１．０％
以下のものを用いると印刷充填性が良く、また、硬化後
のクラック発生防止の点で好ましい。

【００３１】次に、レーザ穿孔工程において、図３
（ｂ）に示すように、樹脂絶縁体１４の略中心に、上面
２Ａと下面２Ｂとの間を貫通し、外側貫通孔７と略同軸
（外側スルーホール導体８と略同軸）の内側貫通孔１７
を、レーザにより穿孔する。この際、外側貫通孔７を形
成したときと同様に、ドリルにより内側貫通孔１７を穿
孔することも可能である。しかし、内側貫通孔１７は、
その径が約１００〜１５０μｍと比較的小さいため、ド
リルでは、十分高い穴開け精度が得られないこともあ
る。このため、レーザにより、精度良く内側貫通孔１７
を穿孔するのが好ましい。

【００３２】次に、中心導体形成工程において、内側貫
通孔１７内に外側スルーホール導体８と略同軸の中心導
体１６を形成する。まず、中心スルーホール導体形成工
程において、図４（ａ）に示すように、内側貫通孔１７
の内周面１７Ｃに、略筒状の中心スルーホール導体１８
を形成する。具体的には、外側スルーホール導体８を形
成した場合と同様に、無電解メッキを施し、中心基板２
の上面２Ａ及び下面２Ｂの略全面と内側貫通孔１７の内
周面１７Ｃに、無電解メッキ層を形成する。さらに、無
電解メッキ層上に電解メッキを施し、電解メッキ層を形
成する。これにより、内側貫通孔１７の内周面１７Ｃ
に、無電解メッキ層及び電解メッキ層からなる内側スル
ーホール導体１８が形成される。

【００３３】その後、樹脂体形成工程において、中心ス
ルーホール導体１８内に、Ｃｕ等の金属フィラー、無機
フィラー、エポキシ樹脂及び硬化剤等からなる絶縁性の
樹脂ペーストを印刷充填し、加熱してこれを硬化させ
る。そして、中心基板２の上面２Ａ及び下面２Ｂから膨
出した余分な樹脂を研磨除去して、中心スルーホール導
体１８内に樹脂体２１を形成する（図４（ｂ）参照）。
なお、この樹脂ペーストとしては、前記の樹脂絶縁体１
４の形成に用いた樹脂ペーストと同様に、２５℃におけ
る粘度が２０００Ｐａ・Ｓ以下、弾性率が３．０〜６．
５ＧＰａであり、加熱によるペーストの揮発分が１．０
％以下のものを用いると印刷充填性が良く、また、硬化
後のクラック発生防止の点で好ましい。さらには、金属
フィラーの粒径は１．０〜２０μｍ、無機フィラーの粒
径は０．１〜１０μｍの球状のフィラーが好ましい。そ
の後、蓋導体層形成工程において、図４（ｂ）に示すよ
うに、中心スルーホール導体１８の上面２Ａ側及び下面
２Ｂ側に、上側蓋導体層１９及び下側蓋導体層２０を形
成する。これらの蓋導体層の形成も、外側スルーホール
導体８や内側スルーホール導体１８を形成した場合と同
様に、全面に無電解メッキを施して無電解メッキ層を形
成し、さらに、無電解メッキ層上に電解メッキを施して
電解メッキ層を形成することにより形成する。

【００３４】さらに、この工程において、図４（ｃ）に
示すように、外側スルーホール導体８と中心導体１６と
を絶縁させ、複合同軸スルーホール導体５を形成する。
また、これとともに、中心基板２の上面２Ａ及び下面２
Ｂに、上側配線層２２及び下側配線層２３を形成する。
具体的には、露光・現像により、所定パターンのエッチ
ングレジスト層を上面２Ａ及び下面２Ｂ上に形成し、エ
ッチングレジスト層から露出した金属層をエッチング除
去して、複合同軸スルーホール導体５、上側配線層２２
及び下側配線層２３を形成する。

【００３５】このようにして、内側貫通孔１７内に、中
心スルーホール導体１８と樹脂体２１と上側蓋導体層１
９及び下側蓋導体層２０とからなる中心導体１６が形成
される。なお、本実施形態の製造方法により形成した中
心導体１６は、略円柱形状をなす中心導体１６の上面２
Ａ側及び下面２Ｂ側の各端面１９Ａ，２０Ｂが、全面に
導電性を有する。このため、後述するビア導体形成工程
で、上側ビア導体２６及び下側ビア導体２６を形成した
ときに、中心導体１６と確実に導通させることができ
る。

【００３６】次に、絶縁層形成工程において、図５に示
すように、中心基板２の上面２Ａに、次述する上側ビア
導体２６を形成するための有底孔２４を有する上側樹脂
絶縁層３を形成し、また、下面２Ｂにも、下側ビア導体
２７を形成するための有底孔２５を有する下側樹脂絶縁
層４を形成する。なお、これらの有底孔２４，２５は、
中心導体１６の中心軸９上に形成する。具体的には、中
心基板２の上面２Ａ及び下面２Ｂに、感光性エポキシ樹
脂からなるシート状の未硬化樹脂を重ねて、未硬化樹脂
絶縁層をそれぞれ形成する。そして、有底孔２４，２５
の位置に対応した所定パターンのマスクを用いて、未硬
化樹脂絶縁層を露光し、さらに現像する。その後、未硬
化樹脂絶縁層を加熱して硬化させれば、有底孔２４を有
する上側樹脂絶縁層３及び有底孔２５を有する下側樹脂
絶縁層４が形成される。

【００３７】次に、ビア導体形成工程において、上側樹
脂絶縁層３の有底孔２４に、中心導体１６の中心軸９上
で中心導体１６に接続する上側ビア導体２６を形成し、
同様に、下側樹脂絶縁層４の有底孔２５に、この中心軸
９上で中心導体１６に接続する下側ビア導体２７を形成
する。さらに同時に、上側樹脂絶縁層３上に上側配線層
２８を形成し、また、下側樹脂絶縁層４上に下側配線層
２９も形成する（図５及び図１参照）。

【００３８】具体的には、公知のセミアディティブ法に
より上側ビア導体２６、下側ビア導体２７、上側配線層
２８及び下側配線層２９を形成する。即ち、まず、上側
樹脂絶縁層３及び下側樹脂絶縁層４の表面略全面に、無
電解メッキを施し、無電解メッキ層を形成する。そし
て、無電解メッキ層上に所定パターンのメッキレジスト
層を形成し、電解メッキを施して、露出部分の無電解メ
ッキ層上に電解メッキ層を形成する。その後、メッキレ
ジスト層を剥離して、クイックエッチングにより、露出
した無電解メッキ層をエッチング除去すれば良い。

【００３９】以上のようにして、図１（ａ）に示す配線
基板１が完成する。この後、この配線基板１の上下面に
さらに樹脂絶縁層を形成し、その上に配線層や接続パッ
ド等を形成したり、さらには入出力端子のピンを立設し
ても良い。また、配線基板１の上下面に、その表面を保
護するため、ソルダーレジスト層等を形成しても良い。

【００４０】本実施形態の製造方法では、上述したよう
に、外側貫通孔７をドリルにより穿孔し、内側貫通孔１
７をレーザにより穿孔している。外側貫通孔７は、位置
精度等の穴開け精度よりも、作業効率を向上させること
ことが望ましく、内側貫通孔１７は、作業効率よりも、
穴開け精度を向上させることが望ましい。従って、上記
のようにして製造すれば、作業効率と穴開け精度をバラ
ンス良く調整して、配線基板１を製造することができ
る。

【００４１】なお、上記の製造方法では、中心導体形成
工程の最後（蓋導体層形成工程の最後）に、導体層を所
定パターンにエッチングすることにより、外側スルーホ
ール導体８と中心導体１６とを絶縁させて、複合同軸ス
ルーホール導体５を形成し、これとともに、中心基板２
の上下面の上側配線層２２及び下側配線層２３を形成し
ている。しかし、これ以外の方法により、複合同軸スル
ーホール導体５や上側配線層２２、下側配線層２３を形
成することもできる。

【００４２】例えば、外側スルーホール導体形成工程
で、メッキ層形成後、エッチングして導体層を所定パタ
ーンとし、中心スルーホール導体形成工程で、メッキ層
形成後、エッチングして導体層を所定のパターンとし、
さらに、蓋導体層形成工程で、メッキ層形成後、エッチ
ングして導体層を所定パターンとする方法を採ることも
できる。しかし、この場合、都合３回エッチングを行わ
なければならないので、１回のエッチングで済む上記の
製造方法の方が作業が少なく、好ましい。

【００４３】また、例えば、外側スルーホール導体形成
工程や中心スルーホール導体形成工程、蓋導体層形成工
程で、メッキを施すときに、所定パターンのメッキレジ
スト層を用いて、所定の位置にだけ導体層を形成するこ
ともできる。この場合、無電解メッキを全面に施した
後、その上にメッキレジスト層を形成し、部分的に電解
メッキ層を形成して、その後不要な無電解メッキ層をエ
ッチングすることにより、所定の位置にだけ導体層を形
成すれば良い。また、中心基板２に直接メッキレジスト
層を形成し、部分的に無電解メッキを厚付けすることに
より、所定の位置にだけ導体層を形成することもでき
る。

【００４４】また、本実施形態では、中心導体１６の樹
脂体２１は、絶縁性としているが、導電性の樹脂ペース
トを充填して、導電性の樹脂体を形成することもでき
る。このようにすると、中心導体は、中心スルーホール
導体１８だけでなく、導電性の樹脂体も通電するので、
中心導体の抵抗をより低くすることができる。

【００４５】（実施形態２）次いで、実施形態２の配線
基板及びその製造方法について、図面を参照しつつ説明
する。本実施形態の配線基板５１は、中心導体６６が内
側貫通孔６７内に充填された導電性樹脂６８からなる点
が、上記実施形態１と異なり、その他の部分は上記実施
形態１と同様である（図６参照）。また、配線基板５１
の製造方法についても、中心導体６６の形成方法が上記
実施形態１と異なるが、その他の工程は上記実施形態１
と同様である。従って、上記実施形態１と異なる部分を
中心に説明し、上記実施形態１と同様な部分の説明は、
省略または簡略化する。

【００４６】本実施形態の配線基板５１の部分拡大断面
図を図６（ａ）に示し、図６（ａ）のＰＰ’断面におけ
る複合同軸スルーホール導体５５近傍の部分拡大断面図
を図６（ｂ）に示す。この配線基板５１は、上記実施形
態１と同様に、中心基板２の上面（第１主面）２Ａ及び
下面（第２主面）２Ｂに、上側樹脂絶縁層（第１樹脂絶
縁層）３及び下側樹脂絶縁層（第２樹脂絶縁層）４がそ
れぞれ形成されたものである。中心基板２には、上下面
間を貫通し、中心軸９を有する外側貫通孔７が形成さ
れ、その内周面に外側スルーホール導体８が形成されて
いる。そして、外側スルーホール導体８と中心基板２の
上下面とで囲まれた位置には、樹脂絶縁体６４が形成さ
れている。

【００４７】この樹脂絶縁体６４には、上面２Ａと下面
２Ｂとの間を貫通し、外側貫通孔７と略同軸の内側貫通
孔６７（直径１００〜１５０μｍ）が形成され、さら
に、この内側貫通孔６７内には、中心軸９を共にする中
心導体６６が形成されている。この中心導体６６は、上
記実施形態１と異なり、内側貫通孔６７内に充填された
導電性樹脂６８により形成されている。なお、この導電
性樹脂６８は、Ａｇフィラーを含むエポキシ樹脂からな
る。

【００４８】一方、上側樹脂絶縁層３には、上記実施形
態１と同様に、中心導体６６の中心軸９上に上側ビア導
体（第１ビア導体）２６が形成され、上側ビア導体２６
の底面２６Ｃと中心導体６６の一方の端面６６Ａ（図中
上方）とが接続することにより、中心導体６６と接続し
ている。また同様に、下側樹脂絶縁層４には、中心導体
６６の中心軸９上に下側ビア導体（第２ビア導体）２７
が形成され、下側ビア導体２７の底面２７Ｃと中心導体
６６の他方の端面６６Ｂ（図中下方）とが接続すること
により、中心導体６６と接続している。

【００４９】このような配線基板５１も、上記実施形態
１と同様に、複合同軸スルーホール導体５５のうち、中
心導体６６上に、上側ビア導体２６と下側ビア導体２７
とがそれぞれ中心導体６６の中心軸９上で接続されてい
る。このため、中心導体６６と外側スルーホール導体８
との間隔を小さくすることができ、外側スルーホール導
体８の径ＲＳ、即ち、複合同軸スルーホール導体５５の
径ＲＳを小さく、小型化することができる。

【００５０】また、中心導体６６は、内側貫通孔６７内
に充填された導電性樹脂６８からなるので、略円柱形状
をなす中心導体６６の上面２Ａ側及び下面２Ｂ側の各端
面６６Ａ，６６Ｂは、全面に導電性を有する。一方、中
心導体６６と上側ビア導体２６及び下側ビア導体２７と
は、中心導体の各端面６６Ａ，６６Ｂと上側ビア導体２
６の底面２６Ｃ及び下側ビア導体２７の底面２７Ｃが接
続されることにより、導通している。このため、上記実
施形態１と同様に、中心導体６６と上側ビア導体２６及
び下側ビア導体２７とは、その接続面積が十分に大きく
なっているので、断線などの接触不良を生じにくく、接
続抵抗も低く、接続信頼性が高い。

【００５１】次に、本実施形態に係る配線基板５１の製
造方法について説明する。まず、上記実施形態１と同様
に、ドリル穿孔工程において、中心基板２の所定の位置
をドリルで穿孔して、外側貫通孔７を形成する（図２
（ａ）参照）。その後、外側スルーホール導体形成工程
において、外側貫通孔７の内周面７Ｃに、略筒状の外側
スルーホール導体８を形成する（図２（ｂ）参照）。そ
の後、樹脂絶縁体形成工程において、外側スルーホール
導体８と上面２Ａ及び下面２Ｂとで囲まれた位置に、樹
脂絶縁体６４を形成する（図３（ａ）参照）。

【００５２】次に、レーザ穿孔工程において、図７
（ａ）に示すように、樹脂絶縁体６４の略中心に、上面
２Ａと下面２Ｂとの間を貫通し、外側貫通孔７と略同軸
の内側貫通孔６７を、レーザにより穿孔する。なお、本
実施形態の製造方法においても、上記実施形態１と同様
に、外側貫通孔７（直径３５０〜４００μｍ）をドリル
で穿孔し、内側貫通孔６７（直径約１５０μｍ）をレー
ザで穿孔しているので、作業効率と穴開け精度をバラン
ス良く調整して、配線基板を製造することができる。

【００５３】次に、中心導体形成工程において、図７
（ｂ）に示すように、内側貫通孔６７内に、外側スルー
ホール導体８の中心軸９と略同軸の中心導体６６を形成
する。具体的には、内側貫通孔６７の位置に対応した所
定パターンのマスクを用いて、内側貫通孔６７内に、Ａ
ｇフィラーとエポキシ樹脂と有機溶剤とを混合してペー
スト状とした導電性樹脂ペーストを印刷充填する。その
後、加熱してこれを硬化させ、さらに、上面２Ａ及び下
面２Ｂから膨出した余分な導電性樹脂を研磨除去して、
内側貫通孔６７内に導電性樹脂６８を形成する、即ち、
導電性樹脂６８からなる中心導体６６を形成する。

【００５４】このような中心導体６６は、内側貫通孔６
７内に導電性樹脂６８を形成するだけで良いので、中心
スルーホール導体６８を形成し、樹脂体２１を形成し、
さらに蓋導体層を形成しなければならない上記実施形態
１の中心導体１６に比して、作業工程が少なく、容易に
形成することができる（図４参照）。また、この工程で
形成した中心導体６６は、上記実施形態１と同様に、上
面２Ａ側及び下面２Ｂ側の各端面６６Ａ，６６Ｂが全面
導電性を有するので、後のビア導体形成工程で、上側ビ
ア導体２６及び下側ビア導体２７を形成したときに、こ
れらと確実に導通させることができる。さらに、この工
程において、上記実施形態１と同様に、エッチングによ
り、図７（ｃ）に示すように、複合同軸スルーホール導
体５５を形成するとともに、中心基板２の上面２Ａ及び
下面２Ｂに、上側配線層２２及び下側配線層２３を形成
する。

【００５５】次に、絶縁層形成工程において、上記実施
形態１と同様に、中心基板２の上面２Ａ及び下面２Ｂ
に、有底孔２４を有する上側樹脂絶縁層３及び有底孔２
５を有する下側樹脂絶縁層４をそれぞれ形成する（図５
参照）。その後、ビア導体形成工程において、上記実施
形態１と同様に、上側樹脂絶縁層３に、中心導体６６の
中心軸９上で中心導体６６に接続する上側ビア導体２６
を形成し、同様に、下側樹脂絶縁層４に、この中心軸９
上で中心導体６６に接続する下側ビア導体２７を形成す
る。このようにして、図６（ａ）に示す本実施形態の配
線基板５１が完成する。

【００５６】以上において、本発明を各実施形態１，２
に即して説明したが、本発明は上記各実施形態１，２に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で、適宜変更して適用できることはいうまでもない。例
えば、上記実施形態１では、中心導体１６として、中心
スルーホール導体１８と樹脂体２１と上側蓋導体層１９
及び下側蓋導体層２０とからなるものを示し、上記実施
形態２では、中心導体６６として、導電性樹脂６８から
なるものを示した。しかし、中心導体１６，６６は、こ
のような形態に限らず、上側ビア導体２６及び下側ビア
導体２７を中心軸９上で接続可能であればいずれの形態
としても良い。

【００５７】例えば、上記実施形態１の中心導体１６に
おいて、上側蓋導体層１９及び下側蓋導体層２０を持た
ず、樹脂体２１が導電性樹脂からなるもの、即ち、中心
導体が、内側貫通孔１７の内周面１７Ｃに略筒状に形成
された中心スルーホール導体１８と、この中心スルーホ
ール導体１８内に充填された導電性樹脂とからなるもの
であっても良い。このような中心導体も、各端面が全面
導電性を有するので、その中心軸９上で接続させる上側
ビア導体２６及び下側ビア導体２７との接続信頼性が高
くなる。

【００５８】また、上記各実施形態１，２では、中心導
体形成工程後、絶縁層形成工程に進んでいるが、絶縁層
形成工程前に、外側スルーホール導体８及び中心導体１
６，６６の上面側２Ａ及び下面２Ｂ側の表面について、
必要に応じて粗化処理を行うことができる。このような
粗化処理を行えば、その後の絶縁層形成工程で、上側樹
脂絶縁層３及び下側樹脂絶縁層４を形成したときに、外
側スルーホール導体８及び中心導体１６等と上側樹脂絶
縁層３及び下側樹脂絶縁層４との密着強度を高くするこ
とができる。

【００５９】また、上記各実施形態１，２では、ビア導
体形成工程で上側ビア導体２６及び下側ビア導体２７を
形成して、配線基板１，５１を完成させている。しか
し、その後さらに、上面２Ａ側及び下面２Ｂ側に樹脂絶
縁層を形成する場合には、ビア導体形成工程で、有底孔
２４，２５内に、メッキまたは導電性樹脂を充填した上
側ビア導体及び下側ビア導体を形成することもできる。
このようなビア導体は、上面２Ａ側及び下面２Ｂ側の表
面が、上記各実施形態１，２と異なり、平坦になるの
で、その上に積層する樹脂絶縁層をより平坦に形成する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施形態１に係る配線基板を示す図であり、
（ａ）は配線基板の部分拡大断面図であり、（ｂ）は
（ａ）のＰＰ’断面における複合同軸スルーホール導体
近傍の部分拡大断面図である。

【図２】実施形態１に係る配線基板の製造方法を示す図
であり、（ａ）は中心基板に外側貫通孔を形成した状態
を示す部分拡大断面図であり、（ｂ）は外側貫通孔の内
周面に外側スルーホール導体を形成した状態を示す部分
拡大断面図である。

【図３】実施形態１に係る配線基板の製造方法を示す図
であり、（ａ）は外側スルーホール導体内に樹脂絶縁体
を形成した状態を示す部分拡大断面図であり、（ｂ）は
樹脂絶縁体に内側貫通孔を形成した状態を示す部分拡大
断面図である。

【図４】実施形態１に係る配線基板の製造方法を示す図
であり、（ａ）は内側貫通孔の内周面に中心スルーホー
ル導体を形成した状態を示す部分拡大断面図であり、
（ｂ）は中心スルーホール導体内に樹脂体を形成し、上
側蓋導体層及び下側蓋導体層を形成した状態を示す部分
拡大断面図であり、（ｃ）は中心基板に複合同軸スルー
ホール導体、上側配線層及び下側配線層等を形成した状
態を示す部分拡大断面図である。

【図５】実施形態１に係る配線基板の製造方法を示す図
であり、中心基板に有底孔を有する上側樹脂絶縁層及び
下側樹脂絶縁層を形成した状態を示す部分拡大断面図で
ある。

【図６】実施形態２に係る配線基板を示す図であり、
（ａ）は配線基板の部分拡大断面図であり、（ｂ）は
（ａ）のＰＰ’断面における複合同軸スルーホール導体
近傍の部分拡大断面図である。

【図７】実施形態２に係る配線基板の製造方法を示す図
であり、（ａ）は樹脂絶縁体に内側貫通孔を形成した状
態を示す部分拡大断面図であり、（ｂ）は内側貫通孔内
に導電性樹脂を充填した状態を示す部分拡大断面図であ
り、（ｃ）は中心基板に複合同軸スルーホール導体、上
側配線層及び下側配線層等を形成した状態を示す部分拡
大断面図である。

【図８】従来技術に係る配線基板を示す図であり、
（ａ）は配線基板の部分拡大断面図であり、（ｂ）は
（ａ）のＰＰ’断面における複合同軸スルーホール導体
近傍の部分拡大断面図である。

【符号の説明】

１，５１ 配線基板 ２ 中心基板 ２Ａ 上面（第１主面） ２Ｂ 下面（第２主面） ３ 上側樹脂絶縁層（第１樹脂絶縁層） ４ 下側樹脂絶縁層（第２樹脂絶縁層） ５，５５ 複合同軸スルーホール導体 ７ 外側貫通孔 ７Ｃ （外側貫通孔の）内周面 ８ 外側スルーホール導体 ９ 中心軸 １４，６４ 樹脂絶縁体 １６，６６ 中心導体 １７，６７ 内側貫通孔 １７Ｃ （内側貫通孔の）内周面 １８ 中心スルーホール導体 １９ 上側蓋導体層（第１蓋導体層） １９Ａ 上側蓋導体層の上面（中心導体の端面） ２０ 下側蓋導体層（第２蓋導体層） ２０Ｂ 下側蓋導体層の下面（中心導体の端面） ２１ 樹脂体 ２６ 上側ビア導体（第１ビア導体） ２７ 下側ビア導体（第２ビア導体） ６８ 導電性樹脂 ６６Ａ，６６Ｂ （中心導体の）端面

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5E317 AA07 AA24 BB01 BB02 BB12 CC22 CC25 CC32 CC33 CC44 CC51 CD15 CD18 CD21 CD25 CD27 CD32 5E346 AA06 AA12 AA15 AA41 AA43 BB01 DD02 DD22 DD33 DD47 EE31 EE33 FF15 FF18 GG15 GG17 GG22 GG23 GG28 HH22

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】第１主面及び第２主面を有し、少なくとも
   １以上の絶縁層を有する中心基板と、 上記第１主面に形成された第１樹脂絶縁層と、 上記第２主面に形成された第２樹脂絶縁層と、 上記中心基板の第１主面と第２主面との間を貫通し、中
   心軸を有する外側貫通孔と、 上記外側貫通孔の内周面に略筒状に形成された外側スル
   ーホール導体と、 上記外側スルーホール導体と上記第１主面及び第２主面
   に囲まれた位置に形成された樹脂絶縁体と、 上記樹脂絶縁体の上記第１主面と第２主面との間を貫通
   し、上記外側貫通孔と略同軸の内側貫通孔と、 上記内側貫通孔内に形成された中心導体と、を備える配
   線基板であって、 上記第１樹脂絶縁層に形成され、上記中心軸上で上記中
   心導体に接続する第１ビア導体と、 上記第２樹脂絶縁層に形成され、上記中心軸上で上記中
   心導体に接続する第２ビア導体と、を備えることを特徴
   とする配線基板。
2. 【請求項２】請求項１に記載の配線基板であって、 前記中心導体は、 前記内側貫通孔の内周面に略筒状に形成された中心スル
   ーホール導体と、 上記中心スルーホール導体内に充填された導電性または
   非導電性の樹脂体と、 上記中心スルーホール導体の第１主面側に形成された第
   １蓋導体層と、 上記中心スルーホール導体の第２主面側に形成された第
   ２蓋導体層と、 を備えることを特徴とする配線基板。
3. 【請求項３】請求項１に記載の配線基板であって、 前記中心導体は、前記内側貫通孔内に導電性樹脂が充填
   されてなることを特徴とする配線基板。
4. 【請求項４】第１主面及び第２主面を有し、少なくとも
   １以上の絶縁層を有する中心基板の所定の位置に、上記
   第１主面と第２主面との間を貫通し、中心軸を有する外
   側貫通孔をドリルで穿孔するドリル穿孔工程と、 上記外側貫通孔の内周面に、略筒状の外側スルーホール
   導体を形成する外側スルーホール導体形成工程と、 上記外側スルーホール導体内に非導電性樹脂を充填し、
   樹脂絶縁体を形成する樹脂絶縁体形成工程と、 上記樹脂絶縁体の上記第１主面と第２主面との間を貫通
   し、上記外側貫通孔と略同軸の内側貫通孔をレーザで穿
   孔するレーザ穿孔工程と、 上記内側貫通孔内に中心導体を形成する中心導体形成工
   程と、 上記第１主面に上記第１樹脂絶縁層を形成し、上記第２
   主面に上記第２樹脂絶縁層を形成する樹脂絶縁層形成工
   程と、 上記第１樹脂絶縁層に上記中心軸上で上記中心導体に接
   続する第１ビア導体を形成し、上記第２樹脂絶縁層に上
   記中心軸上で上記中心導体に接続する第２ビア導体を形
   成するビア導体形成工程と、を備えることを特徴とする
   配線基板の製造方法。