JP2001126559A - 同軸ケーブルの製造方法および同軸ケーブル - Google Patents
同軸ケーブルの製造方法および同軸ケーブルInfo
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Abstract
た金属めっき層の内周面の平滑性を良くし且つ絶縁ケー
ブルとの密着性を改善した同軸ケーブルの製造方法およ
び同軸ケーブルを提供する。 【解決手段】 絶縁ケーブルWの外周に金属導体線14
を編組して金属編組遮蔽導体層を被覆する編組工程で、
絶縁ケーブルWに半田線または錫線6を1本以上添えて
編組する。 【効果】 溶融金属めっき液中に浸漬した時、半田線ま
たは錫線6が溶融するので、絶縁ケーブルWと金属編組
遮蔽導体層の間に空間的余裕を生じる。このため、溶融
金属めっき液中で絶縁ケーブルWが熱膨張しても、金属
編組遮蔽体層の内側まで絶縁ケーブルWの外周面が食い
込むことがない。よって、金属編組遮蔽導体層の内側ま
で溶融金属が含浸され、金属めっき層の内周面に凹凸や
空間を生じなくなる。これにより、伝送信号の反射・減
衰特性を向上できる。
Description
造方法および同軸ケーブルに関し、さらに詳しくは、金
属編組遮蔽導体層に溶融金属を含浸せしめた金属めっき
層の内周面の平滑性を良くし且つ絶縁ケーブルとの密着
性を改善した同軸ケーブルの製造方法および同軸ケーブ
ルに関する。
どの電気特性を持つ高周波帯域用途の同軸ケーブルとし
て、中心導体の外周に絶縁体層を被覆した絶縁ケーブル
の外周に、銅あるいはアルミニウム等の金属パイプを同
軸状に被せたセミリジッド型同軸ケーブルが知られてい
る。しかし、この金属パイプを用いたセミリジッド型同
軸ケーブルは、製造コストが高く、また、可撓性に劣る
ために配線作業がしにくい難点があった。
ッド型同軸ケーブルに比べて反射・減衰などの電気特性
に劣るが、製造コストが安く且つ可撓性がある同軸ケー
ブルとして、中心導体の外周に絶縁体層を被覆した絶縁
ケーブルに金属編組遮蔽導体層を被覆した後、溶融金属
めっき液中を通過させ、前記金属編組遮蔽導体層に溶融
金属を含浸せしめて金属めっき層を形成した同軸ケーブ
ルが提案されている。
軸ケーブルの製造方法における金属編組遮蔽導体層の形
成過程を示す説明図である。前工程で常用手段により中
心導体(図11の102)の外周に絶縁層(図11の1
03)を被覆された絶縁ケーブルWは、供線リール20
から導出され、ガイド滑車21を通り、ダイス24部に
入る。一方、ダイス24部の入口で、金属導体線14の
巻かれたリール25が、絶縁ケーブルWの周りを回転す
ることにより金属導体線14を編組加工し、絶縁ケーブ
ルWの外周に金属編組遮蔽導体層(図11の104)を
形成している。絶縁ケーブルWの外周に金属編組遮蔽導
体層(図11の104)を形成された中間ケーブル11
1は、引取りキャプスタン22により引き取られ、巻き
取りリール23に巻き取られる。
図である。この中間ケーブル111では、絶縁ケーブル
Wの外周に、金属編組遮蔽導体層104が密着してい
る。
軸ケーブルの製造方法における金属めっき層の形成過程
を示す説明図である。前記中間ケーブル111は、供線
リール51から導出され、フラックス塗布装置52でフ
ラックスを塗布され、ガイド滑車53Aを通り、溶融金
属めっき槽54内の溶融金属めっき液55中に導入さ
れ、溶融金属めっき槽54内のガイド滑車53Bを経
て、溶融金属めっき液55中から導出され、溶融金属め
っき液55上に配置されためっき液絞りダイス56を通
って所要めっき厚さに調整され、冷却装置57で冷却さ
れて同軸ケーブル101に形成され、ガイド滑車53C
を経て、巻き取りリール58に巻き取られる。
いた同軸ケーブルの製造方法により得られた同軸ケーブ
ル101の断面図である。この同軸ケーブル101は、
中心導体102の外周に絶縁体層103を被覆した絶縁
ケーブルWの外周に、金属編組遮蔽導体層104に溶融
金属を含浸せしめた金属めっき層105を形成した構造
になっている。
減衰特性および伝送反射減衰特性の例示図である。試料
長1mの同軸ケーブル101を用意し、ネットワークア
ナライザーを用いて、0.045GHz〜18GHzの
高周波帯域において反射・減衰特性を測定した。金属編
組遮蔽導体104の巻きピッチが影響していると考えら
れる減衰および反射ピークが、伝送周波数10GHz付
近に見られた。また、0.045GHz〜18GHzの
高周波帯域における反射電圧定在波比は1.4倍であっ
た。
っきを用いた同軸ケーブルの製造方法では、図11に示
すように、中間ケーブル111の段階において、絶縁ケ
ーブルWの外周に金属編組遮蔽導体104が密着してい
る。このため、例えば260℃の溶融金属めっき液55
中に中間ケーブル111が導入された時に、樹脂材料の
絶縁体層103が、大きく熱膨張して、金属編組遮蔽導
体104の内側まで食い込んだ状態となる。すると、溶
融金属が金属編組遮蔽導体104の内側まで含浸できな
くなり、冷却されて絶縁体層103が元のサイズに戻っ
た時には、図13に示すように、金属めっき層105の
内周面に金属編組遮蔽導体104が露出して凹凸になっ
ており且つ空間が生じている。しかし、高周波電流が主
として流れる金属めっき層105の内周面が凹凸で且つ
空間があると、高周波特性に劣る問題点がある。例え
ば、図14に示すように、金属編組遮蔽導体104の巻
きピッチが影響していると考えられる減衰および反射ピ
ークが伝送周波数10GHz付近に現れ、10GHzを
含む帯域での使用が難しくなる問題点がある。さらに、
絶縁ケーブルWと金属めっき層105の密着性が悪いた
め、金属めっき層105が抜けやすくなる問題点もあ
る。そこで、本発明の目的は、金属編組遮蔽導体層に溶
融金属を含浸せしめた金属めっき層の内周面の平滑性を
良くし且つ絶縁ケーブルとの密着性を改善した同軸ケー
ブルの製造方法および同軸ケーブルを提供することにあ
る。
は、中心導体の外周に絶縁体層を被覆した絶縁ケーブル
に金属編組遮蔽導体層を被覆した後、溶融金属めっき液
中を通過させ、前記金属編組遮蔽導体層に溶融金属を含
浸せしめて金属めっき層を形成する同軸ケーブルの製造
方法において、前記金属編組遮蔽導体層を被覆する編組
工程で、前記絶縁ケーブルに半田線または錫線を1本以
上添えて編組することを特徴とする同軸ケーブルの製造
方法を提供する。上記第1の観点による同軸ケーブルの
製造方法では、絶縁ケーブルに半田線または錫線を1本
以上添えて編組して作成した中間ケーブルを溶融金属め
っき液中に浸漬した時、半田線または錫線が溶融金属め
っき液中へ溶融するので、絶縁ケーブルと金属編組遮蔽
導体層の間に空間的余裕を生じる。このため、絶縁体層
が熱膨張しても、金属編組遮蔽体層の内側まで絶縁体層
が食い込むことがない。よって、金属編組遮蔽導体層の
内側まで溶融金属が含浸し、金属めっき層の内周面に凹
凸や空間を生じなくなる。従って、伝送信号の反射・減
衰特性に優れた同軸ケーブルを得ることが出来る。ま
た、金属めっき層が抜けにくくなる。
周に絶縁体層を被覆した絶縁ケーブルに金属編組遮蔽導
体層を被覆した後、溶融金属めっき液中を通過させ、前
記金属編組遮蔽導体層に溶融金属を含浸せしめて金属め
っき層を形成する同軸ケーブルの製造方法において、前
記金属編組遮蔽導体層を被覆する編組工程で、前記絶縁
ケーブルにスペーサ線を1本以上挟んで編組し且つ編組
後は前記スペーサ線を抜くことを特徴とする同軸ケーブ
ルの製造方法を提供する。上記第2の観点による同軸ケ
ーブルの製造方法では、絶縁ケーブルにスペーサ線を1
本以上挟んで編組した後でスペーサ線を抜くため、中間
ケーブルの段階で、絶縁ケーブルと金属編組遮蔽導体層
の間に空間的余裕を生じる。このため、中間ケーブルを
溶融金属めっき液中に浸漬した時、絶縁体層が熱膨張し
ても、金属編組遮蔽体層の内側まで絶縁体層が食い込む
ことがない。よって、金属編組遮蔽導体層の内側まで溶
融金属が含浸し、金属めっき層の内周面に凹凸や空間を
生じなくなる。従って、伝送信号の反射・減衰特性に優
れた同軸ケーブルを得ることが出来る。また、金属めっ
き層が抜けにくくなる。
周に絶縁体層を被覆した絶縁ケーブルに金属編組遮蔽導
体層を被覆した後、溶融金属めっき液中を通過させ、前
記金属編組遮蔽導体層に溶融金属を含浸せしめて金属め
っき層を形成する同軸ケーブルの製造方法において、前
記金属編組遮蔽導体層を被覆する編組工程で、前記絶縁
ケーブルを加熱し前記絶縁体層を熱膨張させた状態で前
記金属編組遮蔽導体を被覆することを特徴とする同軸ケ
ーブルの製造方法を提供する。上記第3の観点による同
軸ケーブルの製造方法では、絶縁体層を熱膨張させた状
態で金属編組遮蔽導体を被覆するため、熱膨張した絶縁
体層に適合した金属編組遮蔽導体層を持つ中間ケーブル
が得られる。このため、中間ケーブルを溶融金属めっき
液中に浸漬した時、絶縁体層が熱膨張しても、金属編組
遮蔽体層の内側まで絶縁体層が食い込むことがない。よ
って、金属編組遮蔽導体層の内側まで溶融金属が含浸
し、金属めっき層の内周面に凹凸や空間を生じなくな
る。従って、伝送信号の反射・減衰特性に優れた同軸ケ
ーブルを得ることが出来る。また、金属めっき層が抜け
にくくなる。
第3の観点の同軸ケーブルの製造方法により製造した同
軸ケーブルを、ダイスまたはスウェージングマシンを使
用して縮径し、前記絶縁体層と前記金属めっき層の間の
空間を除去して高い密着性を持たせることを特徴とする
同軸ケーブルの製造方法を提供する。上記第4の観点に
よる同軸ケーブルの製造方法では、ダイスまたはスウエ
ージングマシンを使用して、同軸ケーブルを縮径し、絶
縁体層と金属めっき層の間の空間を除去して高い密着性
を持たせるため、伝送信号の反射・減衰特性により優れ
た同軸ケーブルを得ることが出来る。また、金属めっき
層が抜けにくくなる。
周に絶縁体層を被覆した絶縁ケーブルの外周に、金属編
組遮蔽導体層に溶融金属を含浸せしめた金属めっき層を
形成した同軸ケーブルにおいて、前記金属めっき層の内
周面が滑らかで且つ前記絶縁ケーブルの外周と密着して
いることを特徴とする同軸ケーブルを提供する。上記第
5の観点による同軸ケーブルでは、金属めっき層の内周
面が滑らかで且つ絶縁ケーブルの外周と密着しているた
め、伝送信号の優れた反射・減衰特性を得ることが出来
る。また、金属めっき層が抜けにくくなる。
の形態を説明する。なお、これにより本発明が限定され
るものではない。
製造方法における金属編組遮蔽導体層の形成過程を示す
説明図である。前工程で常用手段により中心導体(図2
の102)の外周に絶縁層(図2の103)を被覆され
た絶縁ケーブルWは、供線リール20から導出され、ガ
イド滑車21を通り、ダイス24部に入る。また、半田
線または錫線6は、半田線または錫線供線リール26か
ら導出され、前記絶縁ケーブルWに添うようにダイス2
4部に入る。一方、ダイス24部の入口で、金属導体線
14の巻かれたリール25が、絶縁ケーブルWおよび半
田線または錫線6の周りを回転することにより金属導体
線14を編組加工し、絶縁ケーブルWおよび半田線また
は錫線6の外周に金属編組遮蔽導体層(図2の104)
を形成している。絶縁ケーブルWおよび半田線または錫
線6の外周に金属編組遮蔽導体層(図2の104)を形
成された中間ケーブル11は、引取りキャプスタン22
により引き取られ、巻き取りリール23に巻き取られ
る。
ある。この中間ケーブル11では、絶縁ケーブルWおよ
び半田線または錫線6の外周に、金属編組遮蔽導体層1
04が被さっている。
軸ケーブルの製造方法における金属めっき層の形成過程
を示す説明図である。前記中間ケーブル11は、供線リ
ール51から導出され、フラックス塗布装置52でフラ
ックスを塗布される。次いで、フラックスを塗布された
中間ケーブル11は、ガイド滑車53Aを通り、溶融金
属めっき槽54内の溶融金属めっき液55中に導入さ
れ、溶融金属めっき槽54内のガイド滑車53Bを経
て、溶融金属めっき液55中から導出される。この間
に、中間ケーブル11の金属編組遮蔽導体層104に
は、溶融金属が含浸される。このとき、半田線または錫
線6は、溶融金属めっき液55中に溶解してしまうた
め、半田線または錫線6の分だけ、金属編組遮蔽導体層
104には空間的余裕が生じる。従って、樹脂材料の絶
縁体層103が熱膨張しても、金属編組遮蔽体層104
の内側まで絶縁体層が食い込むことがない。よって、金
属編組遮蔽導体層104の内側まで溶融金属が含浸し、
金属めっき層(図4の105)の内周面に凹凸や空間を
生じなくなる。次いで、溶融金属めっき液55上に配置
されためっき液絞りダイス56を通って所要めっき厚さ
に調整され、冷却装置57で冷却され、縮径ダイス60
により縮径されて、同軸ケーブル1に形成される。同軸
ケーブル1は、ガイド滑車53Cを経て、巻き取りリー
ル58に巻き取られる。
軸ケーブルの製造方法により得られた同軸ケーブル1の
断面図である。この同軸ケーブル1は、中心導体102
の外周に絶縁体層103を被覆した絶縁ケーブルWの外
周に、金属編組遮蔽導体層104に溶融金属を含浸せし
めた金属めっき層105を形成した構造になっている。
金属編組遮蔽導体層104の内側まで溶融金属が含浸し
ているため、金属めっき層105の内周面に凹凸や空間
が生じず、伝送信号の反射・減衰特性に優れた同軸ケー
ブルとなる。また、金属めっき層105が抜けにくくな
る。
0.91mmの銀めっき銅覆鋼線であり、絶縁体層103
は四フッ化エチレン樹脂を0.99mm厚に押出し被覆し
たものであり、半田線または錫線6は外径0.3mmであ
り、金属編組遮蔽導体層104は外径0.1mmの錫めっ
き軟銅線の7本持ち16本打ちである。中間ケーブル1
1は、外径3.5mmである。溶融金属めっき液55は、
溶融錫めっき液で、液温260℃である。溶融金属めっ
き液55中の通過時間は約6秒間である。絞りダイス5
6は、内径3.55mmであり、めっき仕上がり外径3.5
5mmに仕上げる。冷却装置57は、雰囲気温度10℃の
空冷である。縮径ダイス60は、内径3.47mmであ
る。
性および伝送反射減衰特性の例示図である。試料長1m
の同軸ケーブル1を用意し、ネットワークアナライザー
を用いて、0.045GHz〜18GHzの高周波帯域
において反射・減衰特性を測定した。金属編組遮蔽導体
104の巻きピッチが影響していると考えられる減衰お
よび反射ピークが、なくなっている。また、0.045
GHz〜18GHzの高周波帯域における反射電圧定在
波比は1.1倍以下であった。
状でよいが、用途に応じて断面楕円状あるいは断面長方
形状あるいは断面正方形状であってもよい。また、半田
線または錫線6の材質は、融点が350℃以下の錫−鉛
合金およびその他金属線および金属合金線であってもよ
い。いずれにせよ、半田線または錫線6の断面積を、絶
縁ケーブルWの断面積の0.0008倍〜0.070倍と
することが好ましいことが実験的に判った。
製造方法における金属編組遮蔽導体層の形成過程を示す
説明図である。前工程で常用手段により中心導体(図7
の102)の外周に絶縁層(図7の103)を被覆され
た絶縁ケーブルWは、供線リール20から導出され、ガ
イド滑車21を通り、ダイス24部に入る。また、スペ
ーサ線27は、ダイス24部の入口近傍で前記絶縁ケー
ブルWに添うように、固定されている。一方、ダイス2
4部の入口で、金属導体線14の巻かれたリール25
が、絶縁ケーブルWおよびスペーサ線27の周りを回転
することにより金属導体線14を編組加工し、絶縁ケー
ブルWおよびスペーサ線27の外周に金属編組遮蔽導体
層(図7の104)を形成している。但し、スペーサ線
27がダイス24部の入口近傍に固定されているため、
ダイス24部の入口近傍を通過すると、スペーサ線27
はなくなり、空間だけが残ることになる。絶縁ケーブル
Wの外周にスペーサ線27分の余分な空間を持って金属
編組遮蔽導体層(図7の104)を形成された中間ケー
ブル12は、引取りキャプスタン22により引き取ら
れ、巻き取りリール23に巻き取られる。
ある。この中間ケーブル12では、絶縁ケーブルWの外
周に、スペーサ線27分の余分な空間を持って、金属編
組遮蔽導体層104が被さっている。
ルの製造方法における金属めっき層の形成過程は、図3
と同じである。金属編組遮蔽導体層104には、スペー
サ線27の分だけ空間的余裕が生じているため、樹脂材
料の絶縁体層103が熱膨張しても、金属編組遮蔽体層
104の内側まで絶縁体層が食い込むことがない。よっ
て、金属編組遮蔽導体層104の内側まで溶融金属が含
浸し、金属めっき層(図4の105)の内周面に凹凸や
空間を生じなくなる。得られた同軸ケーブルは、図4の
同軸ケーブル1と同じである。
径0.4mmのステンレス線である。その他は、前述した
具体例と同様である。
よいが、用途に応じて断面楕円状あるいは断面長方形状
あるいは断面正方形状であってもよい。また、スペーサ
線27の材質は、ステンレス以外たとえばタングステン
であってもよい。いずれにせよ、スペーサ27の断面積
を、絶縁ケーブルWの断面積の0.0008倍〜0.07
0倍とすることが好ましいことが実験的に判った。
製造方法における金属編組遮蔽導体層の形成過程を示す
説明図である。前工程で常用手段により中心導体(図9
の102)の外周に絶縁層(図9の103)を被覆され
た絶縁ケーブルWは、供線リール20から導出され、ガ
イド滑車21を通り、ヒータ28に入る。ヒータ28で
加熱されて熱膨張した絶縁ケーブルW’は、ダイス24
部に入る。一方、ダイス24部の入口で、金属導体線1
4の巻かれたリール25が、熱膨張した絶縁ケーブル
W’の周りを回転することにより金属導体線14を編組
加工し、熱膨張した絶縁ケーブルW’の外周に金属編組
遮蔽導体層(図9の104)を形成している。熱膨張し
た絶縁ケーブルW’が冷やされて元の絶縁ケーブルWに
戻ると、絶縁ケーブルWと金属編組遮蔽導体層(図9の
104)の間に空間的余裕が生じることになる。絶縁ケ
ーブルWの外周に余分な空間を持って金属編組遮蔽導体
層(図9の104)を形成された中間ケーブル13は、
引取りキャプスタン22により引き取られ、巻き取りリ
ール23に巻き取られる。
ある。この中間ケーブル13では、絶縁ケーブルWの外
周に、絶縁ケーブルWの熱膨張分の余分な空間を持っ
て、金属編組遮蔽導体層104が被さっている。
ルの製造方法における金属めっき層の形成過程は、図3
と同じである。金属編組遮蔽導体層104には、絶縁ケ
ーブルWの熱膨張分だけ空間的余裕が生じているため、
樹脂材料の絶縁体層103が熱膨張しても、金属編組遮
蔽体層104の内側まで絶縁体層が食い込むことがな
い。よって、金属編組遮蔽導体層104の内側まで溶融
金属が含浸し、金属めっき層(図4の105)の内周面
に凹凸や空間を生じなくなる。得られた同軸ケーブル
は、図4の同軸ケーブル1と同じである。
℃で、20秒間、絶縁ケーブルWを加熱する電熱ヒータ
である。その他は、前述した具体例と同様である。
同軸ケーブルによれば、溶融金属が金属編組遮蔽導体層
の内面まで浸透するため、金属めっき層の内面の平滑性
が良くなり且つ絶縁ケーブルの外周面との密着性も改善
される。よって、高周波信号の反射・減衰特性を向上で
きると共に、金属めっき層が抜けにくくなる。
製造方法における金属編組遮蔽導体形成過程を示す説明
図である。
横断面図である。
製造方法における溶融金属めっき過程を示す説明図であ
る。
横断面図である。
減衰特性と反射電圧定在波比チャートである。
製造方法における金属編組遮蔽導体形成過程を示す説明
図である。
横断面図である。
製造方法における金属編組遮蔽導体形成過程を示す説明
図である。
横断面図である。
編組遮蔽導体形成過程を示す説明図である。
金属めっき過程を示す説明図である。
在波比チャートである。
Claims (5)
- 【請求項1】 中心導体の外周に絶縁体層を被覆した絶
縁ケーブルに金属編組遮蔽導体層を被覆した後、溶融金
属めっき液中を通過させ、前記金属編組遮蔽導体層に溶
融金属を含浸せしめて金属めっき層を形成する同軸ケー
ブルの製造方法において、前記金属編組遮蔽導体層を被
覆する編組工程で、前記絶縁ケーブルに半田線または錫
線を1本以上添えて編組することを特徴とする同軸ケー
ブルの製造方法。 - 【請求項2】 中心導体の外周に絶縁体層を被覆した絶
縁ケーブルに金属編組遮蔽導体層を被覆した後、溶融金
属めっき液中を通過させ、前記金属編組遮蔽導体層に溶
融金属を含浸せしめて金属めっき層を形成する同軸ケー
ブルの製造方法において、前記金属編組遮蔽導体層を被
覆する編組工程で、前記絶縁ケーブルにスペーサ線を1
本以上挟んで編組し且つ編組後は前記スペーサ線を抜く
ことを特徴とする同軸ケーブルの製造方法。 - 【請求項3】 中心導体の外周に絶縁体層を被覆した絶
縁ケーブルに金属編組遮蔽導体層を被覆した後、溶融金
属めっき液中を通過させ、前記金属編組遮蔽導体層に溶
融金属を含浸せしめて金属めっき層を形成する同軸ケー
ブルの製造方法において、前記金属編組遮蔽導体層を被
覆する編組工程で、前記絶縁ケーブルを加熱し前記絶縁
体層を熱膨張させた状態で前記金属編組遮蔽導体を被覆
することを特徴とする同軸ケーブルの製造方法。 - 【請求項4】 請求項1から請求項3のいずれかに記載
の同軸ケーブルの製造方法により製造した同軸ケーブル
を、ダイスまたはスウェージングマシンを使用して縮径
し、前記絶縁体層と前記金属めっき層の間の空間を除去
して高い密着性を持たせることを特徴とする同軸ケーブ
ルの製造方法。 - 【請求項5】 中心導体の外周に絶縁体層を被覆した絶
縁ケーブルの外周に、金属編組遮蔽導体層に溶融金属を
含浸せしめた金属めっき層を形成した同軸ケーブルにお
いて、前記金属めっき層の内周面が滑らかで且つ前記絶
縁ケーブルの外周と密着していることを特徴とする同軸
ケーブル。
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