JP3689885B2 - 同軸ケーブルの製造方法および同軸ケーブル - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、同軸ケーブルの製造方法および同軸ケーブルに関し、さらに詳しくは、金属編組遮蔽導体層に溶融金属を含浸せしめた金属めっき層の内周面の平滑性を良くし且つ絶縁ケーブルとの密着性を改善した同軸ケーブルの製造方法および同軸ケーブルに関する。
【０００２】
【従来の技術】
高周波帯域において優れた反射・減衰などの電気特性を持つ高周波帯域用途の同軸ケーブルとして、中心導体の外周に絶縁体層を被覆した絶縁ケーブルの外周に、銅あるいはアルミニウム等の金属パイプを同軸状に被せたセミリジッド型同軸ケーブルが知られている。
しかし、この金属パイプを用いたセミリジッド型同軸ケーブルは、製造コストが高く、また、可撓性に劣るために配線作業がしにくい難点があった。
【０００３】
そこで、上記金属パイプを用いたセミリジッド型同軸ケーブルに比べて反射・減衰などの電気特性に劣るが、製造コストが安く且つ可撓性がある同軸ケーブルとして、中心導体の外周に絶縁体層を被覆した絶縁ケーブルに金属編組遮蔽導体層を被覆した後、溶融金属めっき液中を通過させ、前記金属編組遮蔽導体層に溶融金属を含浸せしめて金属めっき層を形成した同軸ケーブルが提案されている。
【０００４】
図１０は、上記溶融金属めっきを用いた同軸ケーブルの製造方法における金属編組遮蔽導体層の形成過程を示す説明図である。
前工程で常用手段により中心導体（図１１の１０２）の外周に絶縁層（図１１の１０３）を被覆された絶縁ケーブルＷは、供線リール２０から導出され、ガイド滑車２１を通り、ダイス２４部に入る。
一方、ダイス２４部の入口で、金属導体線１４の巻かれたリール２５が、絶縁ケーブルＷの周りを回転することにより金属導体線１４を編組加工し、絶縁ケーブルＷの外周に金属編組遮蔽導体層（図１１の１０４）を形成している。
絶縁ケーブルＷの外周に金属編組遮蔽導体層（図１１の１０４）を形成された中間ケーブル１１１は、引取りキャプスタン２２により引き取られ、巻き取りリール２３に巻き取られる。
【０００５】
図１１は、前記中間ケーブル１１１の断面図である。
この中間ケーブル１１１では、絶縁ケーブルＷの外周に、金属編組遮蔽導体層１０４が密着している。
【０００６】
図１２は、上記溶融金属めっきを用いた同軸ケーブルの製造方法における金属めっき層の形成過程を示す説明図である。
前記中間ケーブル１１１は、供線リール５１から導出され、フラックス塗布装置５２でフラックスを塗布され、ガイド滑車５３Ａを通り、溶融金属めっき槽５４内の溶融金属めっき液５５中に導入され、溶融金属めっき槽５４内のガイド滑車５３Ｂを経て、溶融金属めっき液５５中から導出され、溶融金属めっき液５５上に配置されためっき液絞りダイス５６を通って所要めっき厚さに調整され、冷却装置５７で冷却されて同軸ケーブル１０１に形成され、ガイド滑車５３Ｃを経て、巻き取りリール５８に巻き取られる。
【０００７】
図１３は、上記従来の溶融金属めっきを用いた同軸ケーブルの製造方法により得られた同軸ケーブル１０１の断面図である。
この同軸ケーブル１０１は、中心導体１０２の外周に絶縁体層１０３を被覆した絶縁ケーブルＷの外周に、金属編組遮蔽導体層１０４に溶融金属を含浸せしめた金属めっき層１０５を形成した構造になっている。
【０００８】
図１４は、上記同軸ケーブル１０１の伝送減衰特性および伝送反射減衰特性の例示図である。
試料長１ｍの同軸ケーブル１０１を用意し、ネットワークアナライザーを用いて、０.０４５ＧＨｚ〜１８ＧＨｚの高周波帯域において反射・減衰特性を測定した。
金属編組遮蔽導体１０４の巻きピッチが影響していると考えられる減衰および反射ピークが、伝送周波数１０ＧＨｚ付近に見られた。
また、０.０４５ＧＨｚ〜１８ＧＨｚの高周波帯域における反射電圧定在波比は１.４倍であった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来の溶融金属めっきを用いた同軸ケーブルの製造方法では、図１１に示すように、中間ケーブル１１１の段階において、絶縁ケーブルＷの外周に金属編組遮蔽導体１０４が密着している。このため、例えば２６０℃の溶融金属めっき液５５中に中間ケーブル１１１が導入された時に、樹脂材料の絶縁体層１０３が、大きく熱膨張して、金属編組遮蔽導体１０４の内側まで食い込んだ状態となる。すると、溶融金属が金属編組遮蔽導体１０４の内側まで含浸できなくなり、冷却されて絶縁体層１０３が元のサイズに戻った時には、図１３に示すように、金属めっき層１０５の内周面に金属編組遮蔽導体１０４が露出して凹凸になっており且つ空間が生じている。
しかし、高周波電流が主として流れる金属めっき層１０５の内周面が凹凸で且つ空間があると、高周波特性に劣る問題点がある。例えば、図１４に示すように、金属編組遮蔽導体１０４の巻きピッチが影響していると考えられる減衰および反射ピークが伝送周波数１０ＧＨｚ付近に現れ、１０ＧＨｚを含む帯域での使用が難しくなる問題点がある。
さらに、絶縁ケーブルＷと金属めっき層１０５の密着性が悪いため、金属めっき層１０５が抜けやすくなる問題点もある。
そこで、本発明の目的は、金属編組遮蔽導体層に溶融金属を含浸せしめた金属めっき層の内周面の平滑性を良くし且つ絶縁ケーブルとの密着性を改善した同軸ケーブルの製造方法および同軸ケーブルを提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
第１の観点では、本発明は、中心導体の外周に絶縁体層を被覆した絶縁ケーブルに金属編組遮蔽導体層を被覆した後、溶融金属めっき液中を通過させ、前記金属編組遮蔽導体層に溶融金属を含浸せしめて金属めっき層を形成する同軸ケーブルの製造方法において、前記金属編組遮蔽導体層を被覆する編組工程で、前記絶縁ケーブルに半田線または錫線を１本以上添えて編組することを特徴とする同軸ケーブルの製造方法を提供する。
上記第１の観点による同軸ケーブルの製造方法では、絶縁ケーブルに半田線または錫線を１本以上添えて編組して作成した中間ケーブルを溶融金属めっき液中に浸漬した時、半田線または錫線が溶融金属めっき液中へ溶融するので、絶縁ケーブルと金属編組遮蔽導体層の間に空間的余裕を生じる。このため、絶縁体層が熱膨張しても、金属編組遮蔽体層の内側まで絶縁体層が食い込むことがない。よって、金属編組遮蔽導体層の内側まで溶融金属が含浸し、金属めっき層の内周面に凹凸や空間を生じなくなる。従って、伝送信号の反射・減衰特性に優れた同軸ケーブルを得ることが出来る。また、金属めっき層が抜けにくくなる。
【００１１】
第２の観点では、本発明は、中心導体の外周に絶縁体層を被覆した絶縁ケーブルに金属編組遮蔽導体層を被覆した後、溶融金属めっき液中を通過させ、前記金属編組遮蔽導体層に溶融金属を含浸せしめて金属めっき層を形成する同軸ケーブルの製造方法において、前記金属編組遮蔽導体層を被覆する編組工程で、前記絶縁ケーブルにスペーサ線を１本以上挟んで編組し且つ編組後は前記スペーサ線を抜くことを特徴とする同軸ケーブルの製造方法を提供する。
上記第２の観点による同軸ケーブルの製造方法では、絶縁ケーブルにスペーサ線を１本以上挟んで編組した後でスペーサ線を抜くため、中間ケーブルの段階で、絶縁ケーブルと金属編組遮蔽導体層の間に空間的余裕を生じる。このため、中間ケーブルを溶融金属めっき液中に浸漬した時、絶縁体層が熱膨張しても、金属編組遮蔽体層の内側まで絶縁体層が食い込むことがない。よって、金属編組遮蔽導体層の内側まで溶融金属が含浸し、金属めっき層の内周面に凹凸や空間を生じなくなる。従って、伝送信号の反射・減衰特性に優れた同軸ケーブルを得ることが出来る。また、金属めっき層が抜けにくくなる。
【００１２】
第３の観点では、本発明は、中心導体の外周に絶縁体層を被覆した絶縁ケーブルに金属編組遮蔽導体層を被覆した後、溶融金属めっき液中を通過させ、前記金属編組遮蔽導体層に溶融金属を含浸せしめて金属めっき層を形成する同軸ケーブルの製造方法において、前記金属編組遮蔽導体層を被覆する編組工程で、前記絶縁ケーブルを加熱し前記絶縁体層を熱膨張させた状態で前記金属編組遮蔽導体を被覆することを特徴とする同軸ケーブルの製造方法を提供する。
上記第３の観点による同軸ケーブルの製造方法では、絶縁体層を熱膨張させた状態で金属編組遮蔽導体を被覆するため、熱膨張した絶縁体層に適合した金属編組遮蔽導体層を持つ中間ケーブルが得られる。このため、中間ケーブルを溶融金属めっき液中に浸漬した時、絶縁体層が熱膨張しても、金属編組遮蔽体層の内側まで絶縁体層が食い込むことがない。よって、金属編組遮蔽導体層の内側まで溶融金属が含浸し、金属めっき層の内周面に凹凸や空間を生じなくなる。従って、伝送信号の反射・減衰特性に優れた同軸ケーブルを得ることが出来る。また、金属めっき層が抜けにくくなる。
【００１３】
第４の観点では、本発明は、上記第１から第３の観点の同軸ケーブルの製造方法により製造した同軸ケーブルを、ダイスまたはスウェージングマシンを使用して縮径し、前記絶縁体層と前記金属めっき層の間の空間を除去して高い密着性を持たせることを特徴とする同軸ケーブルの製造方法を提供する。
上記第４の観点による同軸ケーブルの製造方法では、ダイスまたはスウエージングマシンを使用して、同軸ケーブルを縮径し、絶縁体層と金属めっき層の間の空間を除去して高い密着性を持たせるため、伝送信号の反射・減衰特性により優れた同軸ケーブルを得ることが出来る。また、金属めっき層が抜けにくくなる。
【００１４】
第５の観点では、本発明は、中心導体の外周に絶縁体層を被覆した絶縁ケーブルの外周に、金属編組遮蔽導体層に溶融金属を含浸せしめた金属めっき層を形成した同軸ケーブルにおいて、前記金属めっき層の内周面が滑らかで且つ前記絶縁ケーブルの外周と密着していることを特徴とする同軸ケーブルを提供する。
上記第５の観点による同軸ケーブルでは、金属めっき層の内周面が滑らかで且つ絶縁ケーブルの外周と密着しているため、伝送信号の優れた反射・減衰特性を得ることが出来る。また、金属めっき層が抜けにくくなる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、図を参照して本発明の実施の形態を説明する。なお、これにより本発明が限定されるものではない。
【００１６】
−第１の実施形態−
図１は、本発明の第１の実施形態に係る同軸ケーブルの製造方法における金属編組遮蔽導体層の形成過程を示す説明図である。
前工程で常用手段により中心導体（図２の１０２）の外周に絶縁層（図２の１０３）を被覆された絶縁ケーブルＷは、供線リール２０から導出され、ガイド滑車２１を通り、ダイス２４部に入る。
また、半田線または錫線６は、半田線または錫線供線リール２６から導出され、前記絶縁ケーブルＷに添うようにダイス２４部に入る。
一方、ダイス２４部の入口で、金属導体線１４の巻かれたリール２５が、絶縁ケーブルＷおよび半田線または錫線６の周りを回転することにより金属導体線１４を編組加工し、絶縁ケーブルＷおよび半田線または錫線６の外周に金属編組遮蔽導体層（図２の１０４）を形成している。
絶縁ケーブルＷおよび半田線または錫線６の外周に金属編組遮蔽導体層（図２の１０４）を形成された中間ケーブル１１は、引取りキャプスタン２２により引き取られ、巻き取りリール２３に巻き取られる。
【００１７】
図２は、前記中間ケーブル１１の断面図である。
この中間ケーブル１１では、絶縁ケーブルＷおよび半田線または錫線６の外周に、金属編組遮蔽導体層１０４が被さっている。
【００１８】
図３は、本発明の第１の実施形態に係る同軸ケーブルの製造方法における金属めっき層の形成過程を示す説明図である。
前記中間ケーブル１１は、供線リール５１から導出され、フラックス塗布装置５２でフラックスを塗布される。
次いで、フラックスを塗布された中間ケーブル１１は、ガイド滑車５３Ａを通り、溶融金属めっき槽５４内の溶融金属めっき液５５中に導入され、溶融金属めっき槽５４内のガイド滑車５３Ｂを経て、溶融金属めっき液５５中から導出される。この間に、中間ケーブル１１の金属編組遮蔽導体層１０４には、溶融金属が含浸される。このとき、半田線または錫線６は、溶融金属めっき液５５中に溶解してしまうため、半田線または錫線６の分だけ、金属編組遮蔽導体層１０４には空間的余裕が生じる。従って、樹脂材料の絶縁体層１０３が熱膨張しても、金属編組遮蔽体層１０４の内側まで絶縁体層が食い込むことがない。よって、金属編組遮蔽導体層１０４の内側まで溶融金属が含浸し、金属めっき層（図４の１０５）の内周面に凹凸や空間を生じなくなる。
次いで、溶融金属めっき液５５上に配置されためっき液絞りダイス５６を通って所要めっき厚さに調整され、冷却装置５７で冷却され、縮径ダイス６０により縮径されて、同軸ケーブル１に形成される。同軸ケーブル１は、ガイド滑車５３Ｃを経て、巻き取りリール５８に巻き取られる。
【００１９】
図４は、本発明の第１の実施形態に係る同軸ケーブルの製造方法により得られた同軸ケーブル１の断面図である。
この同軸ケーブル１は、中心導体１０２の外周に絶縁体層１０３を被覆した絶縁ケーブルＷの外周に、金属編組遮蔽導体層１０４に溶融金属を含浸せしめた金属めっき層１０５を形成した構造になっている。金属編組遮蔽導体層１０４の内側まで溶融金属が含浸しているため、金属めっき層１０５の内周面に凹凸や空間が生じず、伝送信号の反射・減衰特性に優れた同軸ケーブルとなる。また、金属めっき層１０５が抜けにくくなる。
【００２０】
具体例を挙げると、中心導体１０２は外径０.９１mmの銀めっき銅覆鋼線であり、絶縁体層１０３は四フッ化エチレン樹脂を０.９９mm厚に押出し被覆したものであり、半田線または錫線６は外径０.３mmであり、金属編組遮蔽導体層１０４は外径０.１mmの錫めっき軟銅線の７本持ち１６本打ちである。中間ケーブル１１は、外径３.５mmである。
溶融金属めっき液５５は、溶融錫めっき液で、液温２６０℃である。溶融金属めっき液５５中の通過時間は約６秒間である。
絞りダイス５６は、内径３.５５mmであり、めっき仕上がり外径３.５５mmに仕上げる。
冷却装置５７は、雰囲気温度１０℃の空冷である。
縮径ダイス６０は、内径３.４７mmである。
【００２１】
図５は、上記同軸ケーブル１の伝送減衰特性および伝送反射減衰特性の例示図である。
試料長１ｍの同軸ケーブル１を用意し、ネットワークアナライザーを用いて、０.０４５ＧＨｚ〜１８ＧＨｚの高周波帯域において反射・減衰特性を測定した。
金属編組遮蔽導体１０４の巻きピッチが影響していると考えられる減衰および反射ピークが、なくなっている。
また、０.０４５ＧＨｚ〜１８ＧＨｚの高周波帯域における反射電圧定在波比は１.１倍以下であった。
【００２２】
なお、前記半田線または錫線６は、断面円状でよいが、用途に応じて断面楕円状あるいは断面長方形状あるいは断面正方形状であってもよい。また、半田線または錫線６の材質は、融点が３５０℃以下の錫−鉛合金およびその他金属線および金属合金線であってもよい。
いずれにせよ、半田線または錫線６の断面積を、絶縁ケーブルＷの断面積の０.０００８倍〜０.０７０倍とすることが好ましいことが実験的に判った。
【００２３】
−第２の実施形態−
図６は、本発明の第２の実施形態に係る同軸ケーブルの製造方法における金属編組遮蔽導体層の形成過程を示す説明図である。
前工程で常用手段により中心導体（図７の１０２）の外周に絶縁層（図７の１０３）を被覆された絶縁ケーブルＷは、供線リール２０から導出され、ガイド滑車２１を通り、ダイス２４部に入る。
また、スペーサ線２７は、ダイス２４部の入口近傍で前記絶縁ケーブルＷに添うように、固定されている。
一方、ダイス２４部の入口で、金属導体線１４の巻かれたリール２５が、絶縁ケーブルＷおよびスペーサ線２７の周りを回転することにより金属導体線１４を編組加工し、絶縁ケーブルＷおよびスペーサ線２７の外周に金属編組遮蔽導体層（図７の１０４）を形成している。但し、スペーサ線２７がダイス２４部の入口近傍に固定されているため、ダイス２４部の入口近傍を通過すると、スペーサ線２７はなくなり、空間だけが残ることになる。
絶縁ケーブルＷの外周にスペーサ線２７分の余分な空間を持って金属編組遮蔽導体層（図７の１０４）を形成された中間ケーブル１２は、引取りキャプスタン２２により引き取られ、巻き取りリール２３に巻き取られる。
【００２４】
図７は、前記中間ケーブル１２の断面図である。
この中間ケーブル１２では、絶縁ケーブルＷの外周に、スペーサ線２７分の余分な空間を持って、金属編組遮蔽導体層１０４が被さっている。
【００２５】
本発明の第２の実施形態に係る同軸ケーブルの製造方法における金属めっき層の形成過程は、図３と同じである。
金属編組遮蔽導体層１０４には、スペーサ線２７の分だけ空間的余裕が生じているため、樹脂材料の絶縁体層１０３が熱膨張しても、金属編組遮蔽体層１０４の内側まで絶縁体層が食い込むことがない。よって、金属編組遮蔽導体層１０４の内側まで溶融金属が含浸し、金属めっき層（図４の１０５）の内周面に凹凸や空間を生じなくなる。
得られた同軸ケーブルは、図４の同軸ケーブル１と同じである。
【００２６】
具体例を挙げると、スペーサ線２７は、外径０.４mmのステンレス線である。その他は、前述した具体例と同様である。
【００２７】
なお、前記スペーサ線２７は、断面円状でよいが、用途に応じて断面楕円状あるいは断面長方形状あるいは断面正方形状であってもよい。また、スペーサ線２７の材質は、ステンレス以外たとえばタングステンであってもよい。
いずれにせよ、スペーサ２７の断面積を、絶縁ケーブルＷの断面積の０.０００８倍〜０.０７０倍とすることが好ましいことが実験的に判った。
【００２８】
−第３の実施形態−
図８は、本発明の第３の実施形態に係る同軸ケーブルの製造方法における金属編組遮蔽導体層の形成過程を示す説明図である。
前工程で常用手段により中心導体（図９の１０２）の外周に絶縁層（図９の１０３）を被覆された絶縁ケーブルＷは、供線リール２０から導出され、ガイド滑車２１を通り、ヒータ２８に入る。ヒータ２８で加熱されて熱膨張した絶縁ケーブルＷ’は、ダイス２４部に入る。
一方、ダイス２４部の入口で、金属導体線１４の巻かれたリール２５が、熱膨張した絶縁ケーブルＷ’の周りを回転することにより金属導体線１４を編組加工し、熱膨張した絶縁ケーブルＷ’の外周に金属編組遮蔽導体層（図９の１０４）を形成している。熱膨張した絶縁ケーブルＷ’が冷やされて元の絶縁ケーブルＷに戻ると、絶縁ケーブルＷと金属編組遮蔽導体層（図９の１０４）の間に空間的余裕が生じることになる。
絶縁ケーブルＷの外周に余分な空間を持って金属編組遮蔽導体層（図９の１０４）を形成された中間ケーブル１３は、引取りキャプスタン２２により引き取られ、巻き取りリール２３に巻き取られる。
【００２９】
図９は、前記中間ケーブル１３の断面図である。
この中間ケーブル１３では、絶縁ケーブルＷの外周に、絶縁ケーブルＷの熱膨張分の余分な空間を持って、金属編組遮蔽導体層１０４が被さっている。
【００３０】
本発明の第３の実施形態に係る同軸ケーブルの製造方法における金属めっき層の形成過程は、図３と同じである。
金属編組遮蔽導体層１０４には、絶縁ケーブルＷの熱膨張分だけ空間的余裕が生じているため、樹脂材料の絶縁体層１０３が熱膨張しても、金属編組遮蔽体層１０４の内側まで絶縁体層が食い込むことがない。よって、金属編組遮蔽導体層１０４の内側まで溶融金属が含浸し、金属めっき層（図４の１０５）の内周面に凹凸や空間を生じなくなる。
得られた同軸ケーブルは、図４の同軸ケーブル１と同じである。
【００３１】
具体例を挙げると、ヒータ２８は、２６０℃で、２０秒間、絶縁ケーブルＷを加熱する電熱ヒータである。その他は、前述した具体例と同様である。
【００３２】
【発明の効果】
本発明の同軸ケーブルの製造法方および同軸ケーブルによれば、溶融金属が金属編組遮蔽導体層の内面まで浸透するため、金属めっき層の内面の平滑性が良くなり且つ絶縁ケーブルの外周面との密着性も改善される。よって、高周波信号の反射・減衰特性を向上できると共に、金属めっき層が抜けにくくなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る同軸ケーブルの製造方法における金属編組遮蔽導体形成過程を示す説明図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る中間ケーブルの横断面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る同軸ケーブルの製造方法における溶融金属めっき過程を示す説明図である。
【図４】本発明の第１の実施形態に係る同軸ケーブルの横断面図である。
【図５】本発明の第１の実施形態に係る同軸ケーブルの減衰特性と反射電圧定在波比チャートである。
【図６】本発明の第２の実施形態に係る同軸ケーブルの製造方法における金属編組遮蔽導体形成過程を示す説明図である。
【図７】本発明の第２の実施形態に係る中間ケーブルの横断面図である。
【図８】本発明の第３の実施形態に係る同軸ケーブルの製造方法における金属編組遮蔽導体形成過程を示す説明図である。
【図９】本発明の第３の実施形態に係る中間ケーブルの横断面図である。
【図１０】従来の同軸ケーブルの製造方法における金属編組遮蔽導体形成過程を示す説明図である。
【図１１】従来の中間ケーブルの横断面図である。
【図１２】従来の同軸ケーブルの製造方法における溶融金属めっき過程を示す説明図である。
【図１３】従来の同軸ケーブルの横断面図である。
【図１４】従来の同軸ケーブルの減衰特性と反射電圧定在波比チャートである。
【符号の説明】
１ 同軸ケーブル
６ 半田線または錫線
１１ 中間ケーブル
１２ 中間ケーブル
１３ 中間ケーブル
１４ 金属導体線
２７ スペーサ線
２８ ヒータ
５４ 溶融金属めっき槽
５５ 溶融金属めっき液
５６ めっき液絞りダイス
５７ 冷却装置
６０ 縮径ダイス
１０２ 中心導体
１０３ 絶縁体層
１０４ 金属編組遮蔽導体層
１０５ 溶融金属めっき層
Ｗ 絶縁ケーブル
Ｗ’ 熱膨張した絶縁ケーブル
【発明の属する技術分野】
本発明は、同軸ケーブルの製造方法および同軸ケーブルに関し、さらに詳しくは、金属編組遮蔽導体層に溶融金属を含浸せしめた金属めっき層の内周面の平滑性を良くし且つ絶縁ケーブルとの密着性を改善した同軸ケーブルの製造方法および同軸ケーブルに関する。
【０００２】
【従来の技術】
高周波帯域において優れた反射・減衰などの電気特性を持つ高周波帯域用途の同軸ケーブルとして、中心導体の外周に絶縁体層を被覆した絶縁ケーブルの外周に、銅あるいはアルミニウム等の金属パイプを同軸状に被せたセミリジッド型同軸ケーブルが知られている。
しかし、この金属パイプを用いたセミリジッド型同軸ケーブルは、製造コストが高く、また、可撓性に劣るために配線作業がしにくい難点があった。
【０００３】
そこで、上記金属パイプを用いたセミリジッド型同軸ケーブルに比べて反射・減衰などの電気特性に劣るが、製造コストが安く且つ可撓性がある同軸ケーブルとして、中心導体の外周に絶縁体層を被覆した絶縁ケーブルに金属編組遮蔽導体層を被覆した後、溶融金属めっき液中を通過させ、前記金属編組遮蔽導体層に溶融金属を含浸せしめて金属めっき層を形成した同軸ケーブルが提案されている。
【０００４】
図１０は、上記溶融金属めっきを用いた同軸ケーブルの製造方法における金属編組遮蔽導体層の形成過程を示す説明図である。
前工程で常用手段により中心導体（図１１の１０２）の外周に絶縁層（図１１の１０３）を被覆された絶縁ケーブルＷは、供線リール２０から導出され、ガイド滑車２１を通り、ダイス２４部に入る。
一方、ダイス２４部の入口で、金属導体線１４の巻かれたリール２５が、絶縁ケーブルＷの周りを回転することにより金属導体線１４を編組加工し、絶縁ケーブルＷの外周に金属編組遮蔽導体層（図１１の１０４）を形成している。
絶縁ケーブルＷの外周に金属編組遮蔽導体層（図１１の１０４）を形成された中間ケーブル１１１は、引取りキャプスタン２２により引き取られ、巻き取りリール２３に巻き取られる。
【０００５】
図１１は、前記中間ケーブル１１１の断面図である。
この中間ケーブル１１１では、絶縁ケーブルＷの外周に、金属編組遮蔽導体層１０４が密着している。
【０００６】
図１２は、上記溶融金属めっきを用いた同軸ケーブルの製造方法における金属めっき層の形成過程を示す説明図である。
前記中間ケーブル１１１は、供線リール５１から導出され、フラックス塗布装置５２でフラックスを塗布され、ガイド滑車５３Ａを通り、溶融金属めっき槽５４内の溶融金属めっき液５５中に導入され、溶融金属めっき槽５４内のガイド滑車５３Ｂを経て、溶融金属めっき液５５中から導出され、溶融金属めっき液５５上に配置されためっき液絞りダイス５６を通って所要めっき厚さに調整され、冷却装置５７で冷却されて同軸ケーブル１０１に形成され、ガイド滑車５３Ｃを経て、巻き取りリール５８に巻き取られる。
【０００７】
図１３は、上記従来の溶融金属めっきを用いた同軸ケーブルの製造方法により得られた同軸ケーブル１０１の断面図である。
この同軸ケーブル１０１は、中心導体１０２の外周に絶縁体層１０３を被覆した絶縁ケーブルＷの外周に、金属編組遮蔽導体層１０４に溶融金属を含浸せしめた金属めっき層１０５を形成した構造になっている。
【０００８】
図１４は、上記同軸ケーブル１０１の伝送減衰特性および伝送反射減衰特性の例示図である。
試料長１ｍの同軸ケーブル１０１を用意し、ネットワークアナライザーを用いて、０.０４５ＧＨｚ〜１８ＧＨｚの高周波帯域において反射・減衰特性を測定した。
金属編組遮蔽導体１０４の巻きピッチが影響していると考えられる減衰および反射ピークが、伝送周波数１０ＧＨｚ付近に見られた。
また、０.０４５ＧＨｚ〜１８ＧＨｚの高周波帯域における反射電圧定在波比は１.４倍であった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来の溶融金属めっきを用いた同軸ケーブルの製造方法では、図１１に示すように、中間ケーブル１１１の段階において、絶縁ケーブルＷの外周に金属編組遮蔽導体１０４が密着している。このため、例えば２６０℃の溶融金属めっき液５５中に中間ケーブル１１１が導入された時に、樹脂材料の絶縁体層１０３が、大きく熱膨張して、金属編組遮蔽導体１０４の内側まで食い込んだ状態となる。すると、溶融金属が金属編組遮蔽導体１０４の内側まで含浸できなくなり、冷却されて絶縁体層１０３が元のサイズに戻った時には、図１３に示すように、金属めっき層１０５の内周面に金属編組遮蔽導体１０４が露出して凹凸になっており且つ空間が生じている。
しかし、高周波電流が主として流れる金属めっき層１０５の内周面が凹凸で且つ空間があると、高周波特性に劣る問題点がある。例えば、図１４に示すように、金属編組遮蔽導体１０４の巻きピッチが影響していると考えられる減衰および反射ピークが伝送周波数１０ＧＨｚ付近に現れ、１０ＧＨｚを含む帯域での使用が難しくなる問題点がある。
さらに、絶縁ケーブルＷと金属めっき層１０５の密着性が悪いため、金属めっき層１０５が抜けやすくなる問題点もある。
そこで、本発明の目的は、金属編組遮蔽導体層に溶融金属を含浸せしめた金属めっき層の内周面の平滑性を良くし且つ絶縁ケーブルとの密着性を改善した同軸ケーブルの製造方法および同軸ケーブルを提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
第１の観点では、本発明は、中心導体の外周に絶縁体層を被覆した絶縁ケーブルに金属編組遮蔽導体層を被覆した後、溶融金属めっき液中を通過させ、前記金属編組遮蔽導体層に溶融金属を含浸せしめて金属めっき層を形成する同軸ケーブルの製造方法において、前記金属編組遮蔽導体層を被覆する編組工程で、前記絶縁ケーブルに半田線または錫線を１本以上添えて編組することを特徴とする同軸ケーブルの製造方法を提供する。
上記第１の観点による同軸ケーブルの製造方法では、絶縁ケーブルに半田線または錫線を１本以上添えて編組して作成した中間ケーブルを溶融金属めっき液中に浸漬した時、半田線または錫線が溶融金属めっき液中へ溶融するので、絶縁ケーブルと金属編組遮蔽導体層の間に空間的余裕を生じる。このため、絶縁体層が熱膨張しても、金属編組遮蔽体層の内側まで絶縁体層が食い込むことがない。よって、金属編組遮蔽導体層の内側まで溶融金属が含浸し、金属めっき層の内周面に凹凸や空間を生じなくなる。従って、伝送信号の反射・減衰特性に優れた同軸ケーブルを得ることが出来る。また、金属めっき層が抜けにくくなる。
【００１１】
第２の観点では、本発明は、中心導体の外周に絶縁体層を被覆した絶縁ケーブルに金属編組遮蔽導体層を被覆した後、溶融金属めっき液中を通過させ、前記金属編組遮蔽導体層に溶融金属を含浸せしめて金属めっき層を形成する同軸ケーブルの製造方法において、前記金属編組遮蔽導体層を被覆する編組工程で、前記絶縁ケーブルにスペーサ線を１本以上挟んで編組し且つ編組後は前記スペーサ線を抜くことを特徴とする同軸ケーブルの製造方法を提供する。
上記第２の観点による同軸ケーブルの製造方法では、絶縁ケーブルにスペーサ線を１本以上挟んで編組した後でスペーサ線を抜くため、中間ケーブルの段階で、絶縁ケーブルと金属編組遮蔽導体層の間に空間的余裕を生じる。このため、中間ケーブルを溶融金属めっき液中に浸漬した時、絶縁体層が熱膨張しても、金属編組遮蔽体層の内側まで絶縁体層が食い込むことがない。よって、金属編組遮蔽導体層の内側まで溶融金属が含浸し、金属めっき層の内周面に凹凸や空間を生じなくなる。従って、伝送信号の反射・減衰特性に優れた同軸ケーブルを得ることが出来る。また、金属めっき層が抜けにくくなる。
【００１２】
第３の観点では、本発明は、中心導体の外周に絶縁体層を被覆した絶縁ケーブルに金属編組遮蔽導体層を被覆した後、溶融金属めっき液中を通過させ、前記金属編組遮蔽導体層に溶融金属を含浸せしめて金属めっき層を形成する同軸ケーブルの製造方法において、前記金属編組遮蔽導体層を被覆する編組工程で、前記絶縁ケーブルを加熱し前記絶縁体層を熱膨張させた状態で前記金属編組遮蔽導体を被覆することを特徴とする同軸ケーブルの製造方法を提供する。
上記第３の観点による同軸ケーブルの製造方法では、絶縁体層を熱膨張させた状態で金属編組遮蔽導体を被覆するため、熱膨張した絶縁体層に適合した金属編組遮蔽導体層を持つ中間ケーブルが得られる。このため、中間ケーブルを溶融金属めっき液中に浸漬した時、絶縁体層が熱膨張しても、金属編組遮蔽体層の内側まで絶縁体層が食い込むことがない。よって、金属編組遮蔽導体層の内側まで溶融金属が含浸し、金属めっき層の内周面に凹凸や空間を生じなくなる。従って、伝送信号の反射・減衰特性に優れた同軸ケーブルを得ることが出来る。また、金属めっき層が抜けにくくなる。
【００１３】
第４の観点では、本発明は、上記第１から第３の観点の同軸ケーブルの製造方法により製造した同軸ケーブルを、ダイスまたはスウェージングマシンを使用して縮径し、前記絶縁体層と前記金属めっき層の間の空間を除去して高い密着性を持たせることを特徴とする同軸ケーブルの製造方法を提供する。
上記第４の観点による同軸ケーブルの製造方法では、ダイスまたはスウエージングマシンを使用して、同軸ケーブルを縮径し、絶縁体層と金属めっき層の間の空間を除去して高い密着性を持たせるため、伝送信号の反射・減衰特性により優れた同軸ケーブルを得ることが出来る。また、金属めっき層が抜けにくくなる。
【００１４】
第５の観点では、本発明は、中心導体の外周に絶縁体層を被覆した絶縁ケーブルの外周に、金属編組遮蔽導体層に溶融金属を含浸せしめた金属めっき層を形成した同軸ケーブルにおいて、前記金属めっき層の内周面が滑らかで且つ前記絶縁ケーブルの外周と密着していることを特徴とする同軸ケーブルを提供する。
上記第５の観点による同軸ケーブルでは、金属めっき層の内周面が滑らかで且つ絶縁ケーブルの外周と密着しているため、伝送信号の優れた反射・減衰特性を得ることが出来る。また、金属めっき層が抜けにくくなる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、図を参照して本発明の実施の形態を説明する。なお、これにより本発明が限定されるものではない。
【００１６】
−第１の実施形態−
図１は、本発明の第１の実施形態に係る同軸ケーブルの製造方法における金属編組遮蔽導体層の形成過程を示す説明図である。
前工程で常用手段により中心導体（図２の１０２）の外周に絶縁層（図２の１０３）を被覆された絶縁ケーブルＷは、供線リール２０から導出され、ガイド滑車２１を通り、ダイス２４部に入る。
また、半田線または錫線６は、半田線または錫線供線リール２６から導出され、前記絶縁ケーブルＷに添うようにダイス２４部に入る。
一方、ダイス２４部の入口で、金属導体線１４の巻かれたリール２５が、絶縁ケーブルＷおよび半田線または錫線６の周りを回転することにより金属導体線１４を編組加工し、絶縁ケーブルＷおよび半田線または錫線６の外周に金属編組遮蔽導体層（図２の１０４）を形成している。
絶縁ケーブルＷおよび半田線または錫線６の外周に金属編組遮蔽導体層（図２の１０４）を形成された中間ケーブル１１は、引取りキャプスタン２２により引き取られ、巻き取りリール２３に巻き取られる。
【００１７】
図２は、前記中間ケーブル１１の断面図である。
この中間ケーブル１１では、絶縁ケーブルＷおよび半田線または錫線６の外周に、金属編組遮蔽導体層１０４が被さっている。
【００１８】
図３は、本発明の第１の実施形態に係る同軸ケーブルの製造方法における金属めっき層の形成過程を示す説明図である。
前記中間ケーブル１１は、供線リール５１から導出され、フラックス塗布装置５２でフラックスを塗布される。
次いで、フラックスを塗布された中間ケーブル１１は、ガイド滑車５３Ａを通り、溶融金属めっき槽５４内の溶融金属めっき液５５中に導入され、溶融金属めっき槽５４内のガイド滑車５３Ｂを経て、溶融金属めっき液５５中から導出される。この間に、中間ケーブル１１の金属編組遮蔽導体層１０４には、溶融金属が含浸される。このとき、半田線または錫線６は、溶融金属めっき液５５中に溶解してしまうため、半田線または錫線６の分だけ、金属編組遮蔽導体層１０４には空間的余裕が生じる。従って、樹脂材料の絶縁体層１０３が熱膨張しても、金属編組遮蔽体層１０４の内側まで絶縁体層が食い込むことがない。よって、金属編組遮蔽導体層１０４の内側まで溶融金属が含浸し、金属めっき層（図４の１０５）の内周面に凹凸や空間を生じなくなる。
次いで、溶融金属めっき液５５上に配置されためっき液絞りダイス５６を通って所要めっき厚さに調整され、冷却装置５７で冷却され、縮径ダイス６０により縮径されて、同軸ケーブル１に形成される。同軸ケーブル１は、ガイド滑車５３Ｃを経て、巻き取りリール５８に巻き取られる。
【００１９】
図４は、本発明の第１の実施形態に係る同軸ケーブルの製造方法により得られた同軸ケーブル１の断面図である。
この同軸ケーブル１は、中心導体１０２の外周に絶縁体層１０３を被覆した絶縁ケーブルＷの外周に、金属編組遮蔽導体層１０４に溶融金属を含浸せしめた金属めっき層１０５を形成した構造になっている。金属編組遮蔽導体層１０４の内側まで溶融金属が含浸しているため、金属めっき層１０５の内周面に凹凸や空間が生じず、伝送信号の反射・減衰特性に優れた同軸ケーブルとなる。また、金属めっき層１０５が抜けにくくなる。
【００２０】
具体例を挙げると、中心導体１０２は外径０.９１mmの銀めっき銅覆鋼線であり、絶縁体層１０３は四フッ化エチレン樹脂を０.９９mm厚に押出し被覆したものであり、半田線または錫線６は外径０.３mmであり、金属編組遮蔽導体層１０４は外径０.１mmの錫めっき軟銅線の７本持ち１６本打ちである。中間ケーブル１１は、外径３.５mmである。
溶融金属めっき液５５は、溶融錫めっき液で、液温２６０℃である。溶融金属めっき液５５中の通過時間は約６秒間である。
絞りダイス５６は、内径３.５５mmであり、めっき仕上がり外径３.５５mmに仕上げる。
冷却装置５７は、雰囲気温度１０℃の空冷である。
縮径ダイス６０は、内径３.４７mmである。
【００２１】
図５は、上記同軸ケーブル１の伝送減衰特性および伝送反射減衰特性の例示図である。
試料長１ｍの同軸ケーブル１を用意し、ネットワークアナライザーを用いて、０.０４５ＧＨｚ〜１８ＧＨｚの高周波帯域において反射・減衰特性を測定した。
金属編組遮蔽導体１０４の巻きピッチが影響していると考えられる減衰および反射ピークが、なくなっている。
また、０.０４５ＧＨｚ〜１８ＧＨｚの高周波帯域における反射電圧定在波比は１.１倍以下であった。
【００２２】
なお、前記半田線または錫線６は、断面円状でよいが、用途に応じて断面楕円状あるいは断面長方形状あるいは断面正方形状であってもよい。また、半田線または錫線６の材質は、融点が３５０℃以下の錫−鉛合金およびその他金属線および金属合金線であってもよい。
いずれにせよ、半田線または錫線６の断面積を、絶縁ケーブルＷの断面積の０.０００８倍〜０.０７０倍とすることが好ましいことが実験的に判った。
【００２３】
−第２の実施形態−
図６は、本発明の第２の実施形態に係る同軸ケーブルの製造方法における金属編組遮蔽導体層の形成過程を示す説明図である。
前工程で常用手段により中心導体（図７の１０２）の外周に絶縁層（図７の１０３）を被覆された絶縁ケーブルＷは、供線リール２０から導出され、ガイド滑車２１を通り、ダイス２４部に入る。
また、スペーサ線２７は、ダイス２４部の入口近傍で前記絶縁ケーブルＷに添うように、固定されている。
一方、ダイス２４部の入口で、金属導体線１４の巻かれたリール２５が、絶縁ケーブルＷおよびスペーサ線２７の周りを回転することにより金属導体線１４を編組加工し、絶縁ケーブルＷおよびスペーサ線２７の外周に金属編組遮蔽導体層（図７の１０４）を形成している。但し、スペーサ線２７がダイス２４部の入口近傍に固定されているため、ダイス２４部の入口近傍を通過すると、スペーサ線２７はなくなり、空間だけが残ることになる。
絶縁ケーブルＷの外周にスペーサ線２７分の余分な空間を持って金属編組遮蔽導体層（図７の１０４）を形成された中間ケーブル１２は、引取りキャプスタン２２により引き取られ、巻き取りリール２３に巻き取られる。
【００２４】
図７は、前記中間ケーブル１２の断面図である。
この中間ケーブル１２では、絶縁ケーブルＷの外周に、スペーサ線２７分の余分な空間を持って、金属編組遮蔽導体層１０４が被さっている。
【００２５】
本発明の第２の実施形態に係る同軸ケーブルの製造方法における金属めっき層の形成過程は、図３と同じである。
金属編組遮蔽導体層１０４には、スペーサ線２７の分だけ空間的余裕が生じているため、樹脂材料の絶縁体層１０３が熱膨張しても、金属編組遮蔽体層１０４の内側まで絶縁体層が食い込むことがない。よって、金属編組遮蔽導体層１０４の内側まで溶融金属が含浸し、金属めっき層（図４の１０５）の内周面に凹凸や空間を生じなくなる。
得られた同軸ケーブルは、図４の同軸ケーブル１と同じである。
【００２６】
具体例を挙げると、スペーサ線２７は、外径０.４mmのステンレス線である。その他は、前述した具体例と同様である。
【００２７】
なお、前記スペーサ線２７は、断面円状でよいが、用途に応じて断面楕円状あるいは断面長方形状あるいは断面正方形状であってもよい。また、スペーサ線２７の材質は、ステンレス以外たとえばタングステンであってもよい。
いずれにせよ、スペーサ２７の断面積を、絶縁ケーブルＷの断面積の０.０００８倍〜０.０７０倍とすることが好ましいことが実験的に判った。
【００２８】
−第３の実施形態−
図８は、本発明の第３の実施形態に係る同軸ケーブルの製造方法における金属編組遮蔽導体層の形成過程を示す説明図である。
前工程で常用手段により中心導体（図９の１０２）の外周に絶縁層（図９の１０３）を被覆された絶縁ケーブルＷは、供線リール２０から導出され、ガイド滑車２１を通り、ヒータ２８に入る。ヒータ２８で加熱されて熱膨張した絶縁ケーブルＷ’は、ダイス２４部に入る。
一方、ダイス２４部の入口で、金属導体線１４の巻かれたリール２５が、熱膨張した絶縁ケーブルＷ’の周りを回転することにより金属導体線１４を編組加工し、熱膨張した絶縁ケーブルＷ’の外周に金属編組遮蔽導体層（図９の１０４）を形成している。熱膨張した絶縁ケーブルＷ’が冷やされて元の絶縁ケーブルＷに戻ると、絶縁ケーブルＷと金属編組遮蔽導体層（図９の１０４）の間に空間的余裕が生じることになる。
絶縁ケーブルＷの外周に余分な空間を持って金属編組遮蔽導体層（図９の１０４）を形成された中間ケーブル１３は、引取りキャプスタン２２により引き取られ、巻き取りリール２３に巻き取られる。
【００２９】
図９は、前記中間ケーブル１３の断面図である。
この中間ケーブル１３では、絶縁ケーブルＷの外周に、絶縁ケーブルＷの熱膨張分の余分な空間を持って、金属編組遮蔽導体層１０４が被さっている。
【００３０】
本発明の第３の実施形態に係る同軸ケーブルの製造方法における金属めっき層の形成過程は、図３と同じである。
金属編組遮蔽導体層１０４には、絶縁ケーブルＷの熱膨張分だけ空間的余裕が生じているため、樹脂材料の絶縁体層１０３が熱膨張しても、金属編組遮蔽体層１０４の内側まで絶縁体層が食い込むことがない。よって、金属編組遮蔽導体層１０４の内側まで溶融金属が含浸し、金属めっき層（図４の１０５）の内周面に凹凸や空間を生じなくなる。
得られた同軸ケーブルは、図４の同軸ケーブル１と同じである。
【００３１】
具体例を挙げると、ヒータ２８は、２６０℃で、２０秒間、絶縁ケーブルＷを加熱する電熱ヒータである。その他は、前述した具体例と同様である。
【００３２】
【発明の効果】
本発明の同軸ケーブルの製造法方および同軸ケーブルによれば、溶融金属が金属編組遮蔽導体層の内面まで浸透するため、金属めっき層の内面の平滑性が良くなり且つ絶縁ケーブルの外周面との密着性も改善される。よって、高周波信号の反射・減衰特性を向上できると共に、金属めっき層が抜けにくくなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る同軸ケーブルの製造方法における金属編組遮蔽導体形成過程を示す説明図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る中間ケーブルの横断面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る同軸ケーブルの製造方法における溶融金属めっき過程を示す説明図である。
【図４】本発明の第１の実施形態に係る同軸ケーブルの横断面図である。
【図５】本発明の第１の実施形態に係る同軸ケーブルの減衰特性と反射電圧定在波比チャートである。
【図６】本発明の第２の実施形態に係る同軸ケーブルの製造方法における金属編組遮蔽導体形成過程を示す説明図である。
【図７】本発明の第２の実施形態に係る中間ケーブルの横断面図である。
【図８】本発明の第３の実施形態に係る同軸ケーブルの製造方法における金属編組遮蔽導体形成過程を示す説明図である。
【図９】本発明の第３の実施形態に係る中間ケーブルの横断面図である。
【図１０】従来の同軸ケーブルの製造方法における金属編組遮蔽導体形成過程を示す説明図である。
【図１１】従来の中間ケーブルの横断面図である。
【図１２】従来の同軸ケーブルの製造方法における溶融金属めっき過程を示す説明図である。
【図１３】従来の同軸ケーブルの横断面図である。
【図１４】従来の同軸ケーブルの減衰特性と反射電圧定在波比チャートである。
【符号の説明】
１ 同軸ケーブル
６ 半田線または錫線
１１ 中間ケーブル
１２ 中間ケーブル
１３ 中間ケーブル
１４ 金属導体線
２７ スペーサ線
２８ ヒータ
５４ 溶融金属めっき槽
５５ 溶融金属めっき液
５６ めっき液絞りダイス
５７ 冷却装置
６０ 縮径ダイス
１０２ 中心導体
１０３ 絶縁体層
１０４ 金属編組遮蔽導体層
１０５ 溶融金属めっき層
Ｗ 絶縁ケーブル
Ｗ’ 熱膨張した絶縁ケーブル
Claims (5)
- 中心導体の外周に絶縁体層を被覆した絶縁ケーブルに金属編組遮蔽導体層を被覆した後、溶融金属めっき液中を通過させ、前記金属編組遮蔽導体層に溶融金属を含浸せしめて金属めっき層を形成する同軸ケーブルの製造方法において、前記金属編組遮蔽導体層を被覆する編組工程で、前記絶縁ケーブルに半田線または錫線を１本以上添えて編組することを特徴とする同軸ケーブルの製造方法。
- 中心導体の外周に絶縁体層を被覆した絶縁ケーブルに金属編組遮蔽導体層を被覆した後、溶融金属めっき液中を通過させ、前記金属編組遮蔽導体層に溶融金属を含浸せしめて金属めっき層を形成する同軸ケーブルの製造方法において、前記金属編組遮蔽導体層を被覆する編組工程で、前記絶縁ケーブルにスペーサ線を１本以上挟んで編組し且つ編組後は前記スペーサ線を抜くことを特徴とする同軸ケーブルの製造方法。
- 中心導体の外周に絶縁体層を被覆した絶縁ケーブルに金属編組遮蔽導体層を被覆した後、溶融金属めっき液中を通過させ、前記金属編組遮蔽導体層に溶融金属を含浸せしめて金属めっき層を形成する同軸ケーブルの製造方法において、前記金属編組遮蔽導体層を被覆する編組工程で、前記絶縁ケーブルを加熱し前記絶縁体層を熱膨張させた状態で前記金属編組遮蔽導体を被覆することを特徴とする同軸ケーブルの製造方法。
- 請求項１から請求項３のいずれかに記載の同軸ケーブルの製造方法により製造した同軸ケーブルを、ダイスまたはスウェージングマシンを使用して縮径し、前記絶縁体層と前記金属めっき層の間の空間を除去して高い密着性を持たせることを特徴とする同軸ケーブルの製造方法。
- 中心導体の外周に絶縁体層を被覆した絶縁ケーブルの外周に、金属編組遮蔽導体層に溶融金属を含浸せしめた金属めっき層を形成した同軸ケーブルにおいて、前記金属めっき層の内周面が滑らかで且つ前記絶縁ケーブルの外周と密着していることを特徴とする同軸ケーブル。
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