JPH0869717A - 同軸ケーブル及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 同軸ケーブルの可撓性とシールド性との両方
を維持し、従って良好な配線性と高周波帯域で使用する
のに適した電気的特性を有する。 【構成】 中心導体の上に設けられた絶縁体１４の上に
ハンダペースト等を塗布し、この低融点金属薄層形成ペ
ースト１８Ａの上に導体編組２０を施し、この導体編組
２０の施工中、施工後の加熱又は導体編組の導体素線自
体の加熱によって低融点金属薄層１８を形成すると共
に、この低融点金属薄層１８を導体編組２０の内側に融
着して外部導体を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波以上の高周
波帯域で用いられる同軸ケーブル及びその製造方法に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】高周波帯域で用いられる同軸ケーブル
は、一般に、中心導体とこの中心導体の上に設けられた
絶縁体とこの絶縁体の上に設けられシールド層を兼ねた
外部導体とから成っている。１つの従来技術の同軸ケー
ブルにおいては、図４に示すように、シールド層兼外部
導体１６は、電気長が変動することがないように通常銅
あるいはアルミニウムのパイプ２６を絶縁体１４の上に
被せて形成されている。尚、図４において符号１２は中
心導体を示す。しかし、この構造の同軸ケーブルは、外
部導体１６が堅牢な構造を有するため、可撓性に乏し
く、従って配線時の布設を容易に行うことができないた
め配線性が低い欠点があった。

【０００３】他の従来技術の同軸ケーブルは、図５及び
図６に示すように、絶縁体１４の上に施された導体編組
１８とこの導体編組１８を埋め込むようにこの導体編組
１８の上に塗布された錫被覆層２８とから成るシールド
層兼外部導体１６を備えている。この構造の同軸ケーブ
ルは、導体編組１８の可撓性と錫被覆層２８の柔軟性と
によってある程度の可撓性を有するので配線性が向上す
る。また、この構造の同軸ケーブルは、導体編組１８の
上に錫被覆層２８が滲み込んで融着し、導体編組１８の
導体素線の空隙がこの錫被覆層２８で埋められるので、
電磁波に対する高いシールド性を有していて、図４の構
造のパイプ型外部導体１６を有する同軸ケーブルと同様
に高周波帯域で使用するのに適した高度に安定した電気
的特性を有する。

【０００４】しかし、図５の構造の同軸ケーブルでは、
ケーブル外表面が錫被覆層２８で覆われるため、同じ箇
所に数回曲げを付与すると、ケーブル外表面にクラック
が入り易く、錫被覆層２８がこのクラック部分から剥離
してシールド性を低下する虞があった。また、図６に示
すように、錫被覆層２８は導体編組１８を埋め込むよう
に被覆するので、図４の外部導体１６に比べて可撓性が
増すが、許容曲げ半径に限界があって、狭隘な場所に配
線する場合には適当でなかった。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明の１つの課題
は、可撓性とシールド性を低下することがなく、従って
良好な配線性と高周波帯域で使用するのに適した電気的
特性とを有する同軸ケーブルを提供することにある。

【０００６】本発明の他の課題は、高い可撓性とシール
ド性を有する外部導体をその内側の絶縁体の構造及び特
性に悪影響を与えることなく形成することができる同軸
ケーブルの製造方法を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の第１の課題解決
手段は、中心導体とこの中心導体の上に設けられた絶縁
体とこの絶縁体の上に設けられシールド層を兼ねた外部
導体とから成っている同軸ケーブルにおいて、シールド
層を兼ねた外部導体は、絶縁体の上に形成されこの絶縁
体の融点又は分解温度以下の融点を有する低融点金属薄
層と、この低融点金属薄層の上に形成された導体編組と
から成り、低融点金属薄層は導体編組に融着されている
ことを特徴とする同軸ケーブルを提供することにある。

【０００８】本発明の第２の課題解決手段は、中心導体
とこの中心導体の上に設けられた絶縁体とこの絶縁体の
上に設けられシールド層を兼ねた外部導体とから成る同
軸ケーブルを製造する方法において、絶縁体の上にこの
絶縁体の融点又は分解温度以下の融点を有する低融点金
属薄層形成ペーストを塗布し、この低融点金属薄層形成
ペーストの上に導体編組を施し、この低融点金属薄層形
成ペーストを導体編組の施しと共に又は導体編組の施し
後に加熱して溶融して低融点金属薄層を形成し、且つこ
の低融点金属薄層を導体編組に融着することを特徴とす
る同軸ケーブルの製造方法を提供することにある。

【０００９】本発明の第３の課題解決手段は、中心導体
とこの中心導体の上に設けられた絶縁体とこの絶縁体の
上に設けられシールド層を兼ねた外部導体とから成る同
軸ケーブルを製造する方法において、絶縁体の上にこの
絶縁体の融点又は分解温度以下の融点を有する低融点金
属薄層形成ペーストを塗布し、導体編組を構成すべき素
線導体を加熱しながら低融点金属薄層形成ペーストの上
に導体編組を施し、低融点金属薄層形成ペーストを導体
素線の熱によって溶融して低融点金属薄層を形成し、且
つこの低融点金属薄層を導体編組に融着することを特徴
とする同軸ケーブルの製造方法を提供することにある。

【００１０】また、本発明の第４の課題解決手段は、上
記の第２及び第３の課題解決手段において、低融点金属
薄層が導体編組に融着しつつある部分を所定の内周形状
及び内径を有する口金内に通過させることを特徴とする
同軸ケーブルの製造方法を提供するものである。

【００１１】

【作用】このように、シールド層を兼ねた外部導体は、
絶縁体の上に低融点金属薄層を介して形成された導体編
組から成り、この低融点金属薄層は導体編組に融着され
ていると、導体編組の隙間はその下側にある低融点金属
薄層によって覆われるので、高いシールド性を維持する
ことができ、従って高周波帯域で使用されるのに適した
安定した電気的特性を有する。

【００１２】外部導体の内側の低融点金属層は、その外
側の導体編組の隙間に跨がって広がっていればよく、導
体編組を埋め尽くすほど厚くなくてよく、従って可撓性
を損なうことがなく、またその最外側に可撓性を有する
導体編組があるので、同軸ケーブルの充分な可撓性を維
持することができ、従って狭隘な場所に配線する場合で
も作業性を低下することがなく、高い配線性を有するこ
とができる。

【００１３】低融点金属薄層は、従来技術の錫被覆層と
は異なって導体編組の内側にあるので、ケーブルの曲げ
によってクラックが生じ難く、同一箇所に繰り返しの曲
げを付与してもクラックを生ずることがきわめて少な
い。またクラックが発生したとしても、この低融点金属
薄層の上に導体編組があるので、クラックが成長するこ
とがなく、低融点金属薄層の剥離を生ずることがなく、
従ってシール性を損なうことがない。

【００１４】また、低融点金属薄層を形成するに際し
て、絶縁体表面に予め低融点金属薄層形成用のペースト
を塗布しておき、この低融点金属薄層形成ペーストを導
体編組を施しながら又は導体編組を施した後に加熱し溶
融して低融点金属薄層を形成すると同時にこの低融点金
属薄層を導体編組に融着すると、低融点金属薄層の一部
が導体編組の隙間に浸透すると共に、導体編組の内側に
融着して両者が容易に一体化し、従って外側の導体編組
がほつれることがなく、外部導体の機械的強度を低下す
ることがない。

【００１５】同様に、導体編組を構成すべき導体素線を
加熱して低融点金属薄層形成ペーストの上に導体編組を
施し、低融点金属薄層の形成と共にこの低融点金属薄層
を導体編組に融着すると、低融点金属薄層の一部が導体
編組の隙間に浸透すると共に、導体編組の内側に融着し
て両者が容易に一体化し、従って同様に外側の導体編組
がほつれることがなく、外部導体の機械的強度を低下す
ることがない。

【００１６】また、このように低融点金属薄層を導体編
組に融着する際に、その融着しつつある部分を所定の内
周形状及び内径を有する口金内に通過させると、導体編
組の導体素線がこの口金によって予め設定された所定の
外形及び外径に規制されながら低融点金属薄層上に整列
して低融点金属薄層と融着するため、同軸ケーブルの断
面形状及び外径寸法の精度を高めることができる。

【００１７】更に、いずれの場合も、低融点金属薄層と
してその内側の絶縁体の融点又は分解温度以下の融点を
有するものが用いられるので、この低融点金属薄層を形
成するためのペーストを加熱する際に、絶縁体を損傷す
ることがなく、その電気特性に悪影響を与えることがな
い。

【００１８】

【実施例】本発明の実施例を図面を参照して詳細にのべ
ると、図１は本発明に係る同軸ケーブル１０を示し、こ
の同軸ケーブル１０は、中心導体１２と、この中心導体
１２の上に設けられた絶縁体１４と、この絶縁体１４の
上に設けられシールド層を兼ねた外部導体１６とから成
っている。中心導体１２は、銀メッキ銅被覆鋼線又は銅
撚線等の適宜の導体から成り、また絶縁体１４は、フッ
素樹脂等の安定した絶縁性、成形性及び耐熱性を有する
絶縁物から成っている。この絶縁体１４は、中心導体の
全長に被覆して形成されている。

【００１９】外部導体１６は、図１及び図２に示すよう
に、絶縁体１４の上に形成されこの絶縁体１４の融点又
は分解温度以下の融点を有する低融点金属薄層１８と、
この低融点金属薄層１８の上に形成された導体編組２０
とから成り、低融点金属薄層１８は導体編組２０に融着
されている。この低融点金属薄層１８は、絶縁体１４の
融点又は分解温度以下の融点を有する金属、例えばハン
ダ又は錫から形成される。

【００２０】この低融点金属薄層１８は、適宜の手段で
導体編組２０に融着することができるが、例えば図３に
示すような方法で加熱融着することができる。即ち、図
３（Ａ）に示すように、絶縁体１４の上にハンダペース
トの如き低融点金属薄層形成ペースト１８Ａを均一に連
続的に塗布し、次いで図３（Ｂ）に示すように、この低
融点金属薄層形成ペースト１８Ａの上に導体素線２２を
編んで導体編組２０を形成する。その後、この導体編組
２０が施された同軸ケーブル全体を電気炉内を通過させ
て導体編組２０の上から低融点金属薄層形成ペースト１
８Ａを加熱溶融する。その結果、図３（Ｃ）に示すよう
に、低融点金属薄層１８が形成されると同時に、この低
融点金属薄層１８は導体編組２０の隙間２０ａ内に充填
され、導体編組２０の導体素線２２の内側に融着され
る。尚、低融点金属薄層形成ペースト１８Ａを加熱する
手段は、電気炉の他に電気バーナ又はガスバーナ等とす
ることもできる。

【００２１】このように、シールド層を兼ねた外部導体
１６は、絶縁体１４の上に低融点金属薄層１８を介して
形成された導体編組２０から成っていると、低融点金属
薄層１８が導体編組２０の隙間を塞ぐため、導体素線２
２が相互に隙間なく電気的導通状態で接続されて同軸ケ
ーブル１０の全表面が金属で覆われることになるので、
同軸ケーブル１０は高いシールド性を維持することがで
き、従って高周波帯域で使用されるのに適した安定した
電気的特性を有する。

【００２２】また、低融点金属層１８は、その外側の導
体編組２０の隙間を覆っていればよく、従来技術の錫被
覆層のように導体編組２０を埋め込むほどの厚みを必要
としないため、その外側の導体編組２０と共に可撓性を
有するので、同軸ケーブル自体に充分な可撓性を付与す
ることができ、従って狭隘な場所に配線する場合でも作
業性を低下することがなく、高い配線性を有することが
できる。

【００２３】更に、このように、外部導体１６の隙間を
塞ぐ低融点金属薄層１８が導体編組２０の下側にある
と、曲げ許容半径が改善される上に、同軸ケーブル１０
の曲げによってケーブル表面にクラックが生じ難く、同
一箇所に繰り返しの曲げを付与してもクラックを生じ難
い。また、クラックが生じたとしても、このクラックは
その上の導体編組２０によって成長が抑制されるので、
低融点金属薄層１８が剥離することがない。一方、導体
編組２０は、低融点金属薄層１８に融着されているの
で、ほつれることがなく、その機械的強度を低下するこ
とがない。

【００２４】既にのべたように、低融点金属薄層１８
は、その内側の絶縁体の融点又は分解温度以下の融点を
有するものが用いられるので、この低融点金属薄層形成
ペースト１８Ａを加熱する際に、絶縁体１４を損傷する
ことがなく、その電気特性に悪影響を与えることがな
い。

【００２５】上記実施例では、低融点金属薄層形成ペー
スト１８Ａは、導体編組２０を施した後加熱されたが、
若し可能であれば、導体編組２０を施しながら加熱して
もよい。また、導体編組２０を施す直前に、導体編組２
０を形成すべき導体素線２２自体を加熱してこの導体素
線２２を介して低融点金属薄層形成ペースト１８Ａを間
接的に加熱してもよい。このような導体素線の加熱は、
編組口金にヒータを取付けて行なうことができる。この
導体素線の加熱を介して低融点金属薄層形成ペースト１
８Ａを加熱する際には、導体素線の加熱温度及び編組速
度（線速）は、絶縁体１４が軟化又は化学的に分解する
温度よりも低く保たれ、且つ低融点金属薄層の溶融後導
体編組の隙間に浸透するのに充分な温度が絶縁体の材質
に応じて０．５秒以上５秒以下の範囲持続するように設
定される。また、いずれの場合も、導体編組２０に内向
きの張力がかけられていると、低融点金属薄層形成ペー
スト１８Ａが加熱溶融されたときに、図２及び図３
（Ｃ）に示すように、導体編組２０が部分的に低融点金
属薄層１８内に埋め込まれて両者が一層確実に一体化す
る。

【００２６】また、上記のいずれの製造方法において
も、図７に示すように、低融点金属薄層１８が導体編組
２０に融着しつつある部分を、所定の内周形状及び内径
を有するダイス３０等の口金内に通過させてもよい。こ
れにより、導体編組２０の導体素線２０が、このダイス
３０等の口金によって予め設定された所定の形状及び外
径に規制されながら低融点金属薄層１８上に整列して、
この低融点金属薄層１８と融着するため、同軸ケーブル
１０の断面形状及び外径寸法の精度を高めることができ
る。低融点金属薄層形成ペースト１８Ａが溶融により柔
軟な状態となっているため、導体編組２０の導体素線２
２の整列状態が乱れやすい傾向にある場合には、特に有
益である。なお、ダイス３０の内周形状及び内径は、所
望の同軸ケーブル１０の外形及び外径を考慮して設定す
る。

【００２７】次に、本発明の幾つかの具体例を比較例と
共に以下にのべる。 （具体例１）外径が０．９２ｍｍの銀メッキ銅被覆鋼線
の中心導体に外径が２．９８ｍｍのフッ素樹脂の絶縁体
を押出し被覆した後、この絶縁体の上に平均０．１０ｍ
ｍの厚みでハンダペースト（低融点金属薄層形成ペース
ト）を均一に連続して塗布した。その後、この低融点金
属薄層形成ペーストの上に外径０．１２ｍｍの軟銅線を
１５ｍｍのピッチで編んで密度が９０％の導体編組を施
した。その後、この導体編組と共にケーブル全体を電気
炉に通過させてハンダペースト（低融点金属薄層形成ペ
ースト）を約３００℃以下の温度で約２秒加熱して図３
（Ｃ）に示すように導体編組に融着した低融点金属薄層
を形成した。このようにして形成された同軸ケーブルの
外径は３．５８ｍｍであった。尚、低融点金属薄層の厚
みは、０．０５ｍｍであった。

【００２８】（比較例１及び２）中心導体及び絶縁体の
材質、外径を具体例１と同じとし、この絶縁体の上に図
４に示す構造の外径が３．５８ｍｍの銅パイプの外部導
体を施して同軸ケーブルを形成し（比較例１）、また中
心導体及び絶縁体の材質及び外径を具体例１と同じと
し、この絶縁体の上に図５に示す構造の導体編組及びそ
の上の錫被覆層とから成る外部導体を施して外径が３．
５８ｍｍの同軸ケーブルを形成した（比較例２）。この
導体編組は、外径０．１０ｍｍの軟銅線を具体例１と同
じくピッチ１５ｍｍで絶縁体の上に編み、また錫被覆層
はこの導体編組を埋め込むように厚み０．２ｍｍで形成
した。

【００２９】（具体例１並びに比較例１及び２の電気的
特性試験）具体例１のサンプルと比較例１及び２のサン
プルとを１０本づつ用意し、これらのサンプルについて
電気的特性を比較試験した結果、１〜１８ＧＨまでの周
波数で伝送損失、漏話特性等の電気的特性はほぼ同じで
あり、具体例１のサンプルは、比較例１及び２のサンプ
ルに対してこれらの電気的特性に１％以上の差異が認め
られなかった。

【００３０】（具体例１並びに比較例１及び２の曲げ試
験）比較例１のサンプルの許容曲げ半径を１とすると、
比較例２のサンプルの曲げ許容半径は０．９５〜１．０
１であり、また具体例１のサンプルの曲げ許容半径は
０．７５〜０．８１であり、平均でも曲げ許容半径が２
０％以上改善されたことが確認された。

【００３１】（具体例１及び比較例２の繰返し曲げ試
験）具体例１及び比較例２のすべてのサンプルについて
同一箇所に曲げ半径１０ｍｍで曲げ角度１８０°の曲げ
を繰返し付与したところ、比較例２のサンプルでは４〜
８回、平均で５．５回の曲げで表面にクラックが発生
し、またこのクラックが発生した後、曲げを付与し続け
ると、クラックが成長して平均１５回目の曲げの付与で
錫被覆層が剥離した。これに対して具体例１のサンプル
では１５〜２６回、平均２０．３回の曲げでクラックが
発生したが、低融点金属薄層の外側に導体編組があるた
め、このクラックは成長することがなく、５０回以上の
曲げを繰返し付与しても低融点金属薄層の剥離が生ずる
ことがなかった。

【００３２】（具体例２）外径が０．５１ｍｍの銀メッ
キ銅被覆鋼線の中心導体に外径が１．６８ｍｍのフッ素
樹脂の絶縁体を押出し被覆した後、この絶縁体の上に平
均０．１０ｍｍの厚みでハンダペースト（低融点金属薄
層形成ペースト）を均一に連続して塗布した。その後、
この低融点金属薄層形成ペーストの上に外径０．１０ｍ
ｍの軟銅線を１３ｍｍのピッチで編んで密度が９０％の
導体編組を施した。その後、この導体編組と共にケーブ
ル全体を電気炉に通過させてハンダペースト（低融点金
属薄層形成ペースト）を約３００℃以下の温度で約２秒
加熱して図３（Ｃ）に示すように導体編組に融着した低
融点金属薄層を形成した。このようにして形成された同
軸ケーブルの外径は２．２０ｍｍであった。尚、低融点
金属薄層の厚みは、当初の半分の厚み０．０５ｍｍであ
った。

【００３３】（比較例３及び４）中心導体及び絶縁体の
材質、外径を具体例２と同じとし、この絶縁体の上に図
４に示す構造の外径が２．２０ｍｍの銅パイプの外部導
体を施して同軸ケーブルを形成し（比較例３）、また中
心導体及び絶縁体の材質及び外径を具体例２と同じと
し、この絶縁体の上に図５に示す構造の導体編組及びそ
の上の錫被覆層とから成る外部導体を施して外径が２．
２０ｍｍの同軸ケーブルを形成した（比較例４）。この
導体編組は、外径０．０８ｍｍの軟銅線を具体例２と同
じくピッチ１３ｍｍで絶縁体の上に編み、また錫被覆層
はこの導体編組を埋め込むように厚み０．２ｍｍで形成
した。

【００３４】（具体例２並びに比較例３及び４の電気的
特性試験）具体例２のサンプルと比較例３及び４のサン
プルとを１０本づつ用意し、これらのサンプルについて
電気的特性を比較試験した結果、１〜１８ＧＨまでの周
波数で伝送損失、漏話特性等の電気的特性はほぼ同じで
あり、具体例２のサンプルは比較例３及び４のサンプル
に対してこれらの電気的特性に２％以上の差異は認めら
れなかった。

【００３５】（具体例２並びに比較例３及び４の曲げ試
験）比較例３のサンプルの許容曲げ半径を１とすると、
比較例４のサンプルの曲げ許容半径は０．９８〜１．０
３であり、また具体例２のサンプルの曲げ許容半径は
０．７７〜０．８２であり、平均で曲げ許容半径が２０
％以上改善されたことが確認された。

【００３６】（具体例２及び比較例４の繰返し曲げ試
験）具体例２及び比較例４のすべてのサンプルについて
同一箇所に曲げ半径１０ｍｍで曲げ角度１８０°の曲げ
を繰返し付与したところ、比較例４のサンプルでは６〜
９回、平均で８．０回の曲げで表面にクラックが発生
し、またこのクラックが発生した後、曲げを付与し続け
ると、クラックが成長して平均１８回目の曲げの付与で
錫被覆層が剥離した。これに対して具体例２のサンプル
では２２〜２９回、平均２５．６回の曲げでクラックが
発生したが、低融点金属薄層の外側に導体編組があるた
め、このクラックは成長することがなく、５０回以上の
曲げを繰返し付与しても低融点金属薄層の剥離が生ずる
ことがなかった。

【００３７】（具体例３）外径が０．９２ｍｍの銀メッ
キ銅被覆鋼線の中心導体に外径が２．９８ｍｍのフッ素
樹脂の絶縁体を押出し被覆した後、この絶縁体の上に平
均０．１０ｍｍ厚でハンダペースト（低融点金属薄層形
成ペースト）を均一に連続して塗布した。その後、この
低融点金属薄層形成ペーストの上に外径０．１２ｍｍの
軟銅線を１５ｍｍのピッチで編んで密度が９０％の導体
編組を施したが、この導体編組を施す直前に導体編組を
構成すべき導体素線を編組口金部分に組み込まれたヒー
タによって加熱した。この編組口金のヒータ温度及び編
組の製造速度（導体素線の線速）は、ハンダペースト
（低融点金属薄層形成ペースト）を約３００℃以下の温
度で約２秒加熱するように設定した。このようにして導
体編組の加熱を介して低融点金属薄層を形成すると同時
に、この低融点金属薄層を加熱溶融して図３（Ｃ）に示
すように導体編組に融着した。このようにして形成され
た同軸ケーブルの外径は３．５８ｍｍであった。尚、低
融点金属薄層の厚みは、０．０５ｍｍであった。

【００３８】（比較例５及び６）中心導体、絶縁体及び
外部導体の材質、外径を比較例１と全く同じとして図４
に示す構造のパイプ型外部導体を有する同軸ケーブルを
形成し（比較例５）、また中心導体、絶縁体及び外部導
体の材質及び外径を比較例２と全く同じとして図５に示
す構造の導体編組及びその上の錫被覆層とから成る外部
導体を有する同軸ケーブルを形成した（比較例６）。

【００３９】（具体例３並びに比較例５及び６の電気的
特性試験）具体例３のサンプルと比較例５及び６のサン
プルとを１０本づつ用意し、これらのサンプルについて
電気的特性を比較試験した結果、１〜１８ＧＨまでの周
波数で伝送損失、漏話特性等の電気的特性はほぼ同じで
あり、具体例３のサンプルは比較例５及び６のサンプル
に対してこれらの電気的特性に２％以上の差異は認めら
れなかった。

【００４０】（具体例３並びに比較例５及び６の曲げ試
験）比較例５のサンプルの許容曲げ半径を１とすると、
比較例６のサンプルの曲げ許容半径は０．９５〜１．０
１であり、また具体例３のサンプルの曲げ許容半径は
０．７８〜０．８５であり、平均でも曲げ許容半径が１
５％以上改善されたことが確認された。

【００４１】（具体例３及び比較例６の繰返し曲げ試
験）具体例３及び比較例６のすべてのサンプルについて
同一箇所に曲げ半径１０ｍｍで曲げ角度１８０°の曲げ
を繰返し付与したところ、比較例６のサンプルでは４〜
８回、平均で５．５回の曲げで表面にクラックが発生
し、またこのクラックが発生した後、曲げを付与し続け
ると、クラックが成長して平均１５回目の曲げの付与で
錫被覆層が剥離した。これに対して具体例３のサンプル
では１５〜２２回、平均１９．３回の曲げでクラックが
発生したが、低融点金属薄層の外側に導体編組があるた
め、このクラックは成長することがなく、５０回以上の
曲げを繰返し付与しても低融点金属薄層の剥離が生ずる
ことがなかった。

【００４２】（具体例４）外径が０．５１ｍｍの銀メッ
キ銅被覆鋼線の中心導体に外径が１．６８ｍｍのフッ素
樹脂の絶縁体を押出し被覆した後、この絶縁体の上に平
均０．１０ｍｍの厚みでハンダペースト（低融点金属薄
層形成ペースト）を均一に連続して塗布した。その後、
この低融点金属薄層形成ペーストの上に外径０．１０ｍ
ｍの軟銅線を１３ｍｍのピッチで編んで密度が９０％の
導体編組を施したが、この導体編組を施す直前に導体編
組を構成すべき導体素線を編組口金部分に組み込まれた
ヒータによって加熱した。この編組口金のヒータ温度及
び編組の製造速度（導体素線の線速）は、ハンダペース
ト（低融点金属薄層形成ペースト）を約３００℃以下の
温度で約２秒加熱するように設定した。このようにして
導体編組の加熱を介して低融点金属薄層を形成し、同時
にこの低融点金属薄層を加熱溶融して図３（Ｃ）に示す
ように導体編組に融着した。このようにして形成された
同軸ケーブルの外径は２．２０ｍｍであった。尚、低融
点金属薄層の厚みは、０．０５ｍｍであった。

【００４３】（比較例７及び８）中心導体、絶縁体及び
外部導体の材質、外径を比較例３と全く同じとして図４
に示す構造のパイプ型外部導体を有する同軸ケーブルを
形成し（比較例７）、また中心導体、絶縁体及び外部導
体の材質及び外径を比較例４と全く同じとして図５に示
す構造の導体編組及びその上の錫被覆層とから成る外部
導体を有する同軸ケーブルを形成した（比較例８）。

【００４４】（具体例４並びに比較例７及び８の電気的
特性試験）具体例４のサンプルと比較例７及び８のサン
プルとを１０本づつ用意し、これらのサンプルについて
電気的特性を比較試験した結果、１〜１８ＧＨまでの周
波数で伝送損失、漏話特性等の電気的特性はほぼ同じで
あって具体例４のサンプルは比較例７及び８のサンプル
に対してこれらの電気的特性に３％以上の差異は認めら
れなかった。

【００４５】（具体例４並びに比較例７及び８の曲げ試
験）比較例７のサンプルの許容曲げ半径を１とすると、
比較例８のサンプルの曲げ許容半径は０．９８〜１．０
３であり、また具体例４のサンプルの曲げ許容半径は
０．８１〜０．８５であり、平均で曲げ許容半径が１５
％以上改善されたことが確認された。

【００４６】（具体例４及び比較例８の繰返し曲げ試
験）具体例４及び比較例８のすべてのサンプルについて
同一箇所に曲げ半径１０ｍｍで曲げ角度１８０°の曲げ
を繰返し付与したところ、比較例８のサンプルでは６〜
９回、平均で８．０回の曲げで表面にクラックが発生
し、またこのクラックが発生した後、曲げを付与し続け
ると、クラックが成長して平均１８回目の曲げの付与で
錫被覆層が剥離した。これに対して具体例４のサンプル
では２０〜２４回、平均２２．３回の曲げでクラックが
発生したが、低融点金属薄層の外側に導体編組があるた
め、このクラックは成長することがなく、５０回以上の
曲げを繰返し付与しても低融点金属薄層の剥離が生ずる
ことがなかった。

【００４７】（具体例５）外径が０．９２ｍｍの銀メッ
キ銅被覆鋼線の中心導体に外径が２．９８ｍｍのフッ素
樹脂の絶縁体を押出し被覆した後、この絶縁体の上に平
均０．１０ｍｍの厚みでハンダペースト（低融点金属薄
層形成ペースト）を均一に連続して塗布した。その後、
この低融点金属薄層形成ペーストの上に外径０．１２ｍ
ｍの軟銅線を１５ｍｍのピッチで編んで密度が９０％の
導体編組を施すと同時に、この導体編組と共にケーブル
全体を電気炉に通過させてハンダペースト（低融点金属
薄層形成ペースト）を約３００℃以下の温度で約２秒加
熱して図３（Ｃ）に示すように導体編組に融着した低融
点金属薄層を形成し、この際、図７に示すように、ケー
ブルのうちこの低融点金属薄層が導体編組に融着しつつ
ある部分を内径３．５８ｍｍのダイス内に通過させた。
すなわち、導体編組の施しと共に、低融点金属薄層形成
ペーストを加熱溶融して低融点金属薄層を形成した点及
びダイスを通過させた点を除き、前述した具体例１と全
く同様に設定した。尚、ダイスは、具体的には、導体編
組の施し完了直後の位置に設置した。

【００４８】このようにして形成された同軸ケーブルに
つき、特にその外径に詳細に着目したところ、外径は
３．５８±０．０５ｍｍであり、所望の寸法公差の範囲
内に制御することができた。尚、この具体例５の同軸ケ
ーブルの低融点金属薄層の厚みは、当初の半分の厚み
０．０５ｍｍであった。また、この具体例５の同軸ケー
ブルの電気的特性試験、曲げ試験及び繰り返し曲げ試験
の結果は、具体例１とほぼ同様で、比較例１及び比較例
２との対比でも同様な結果であった。

【００４９】（具体例６）外径が０．５１ｍｍの銀メッ
キ銅被覆鋼線の中心導体に外径が１．６８ｍｍのフッ素
樹脂の絶縁体を押出し被覆した後、この絶縁体の上に平
均０．１０ｍｍの厚みでハンダペースト（低融点金属薄
層形成ペースト）を均一に連続して塗布した。その後、
この低融点金属薄層形成ペーストの上に外径０．１０ｍ
ｍの軟銅線を１３ｍｍのピッチで編んで密度が９０％の
導体編組を施すと同時に、この導体編組と共にケーブル
全体を電気炉に通過させてハンダペースト（低融点金属
薄層形成ペースト）を約３００℃以下の温度で約２秒加
熱して図３（Ｃ）に示すように導体編組に融着した低融
点金属薄層を形成し、この際、図７に示すように、ケー
ブルのうちこの低融点金属薄層が導体編組に融着しつつ
ある部分を内径２．２０ｍｍのダイス内に通過させた。
すなわち、導体編組の施しと共に、低融点金属薄層形成
ペーストを加熱溶融して低融点金属薄層を形成した点及
びダイスを通過させた点を除き、前述した具体例２と全
く同様に設定した。尚、ダイスは、具体的には、導体編
組の施し完了直後の位置に設置した。

【００５０】このようにして形成された同軸ケーブルに
つき、特にその外径に詳細に着目したところ、外径は
２．２０±０．０５ｍｍであり、所望の寸法公差の範囲
内に制御することができた。尚、この具体例５の同軸ケ
ーブルの低融点金属薄層の厚みは、当初の半分の厚み
０．０５ｍｍであった。また、この具体例６の同軸ケー
ブルの電気的特性試験、曲げ試験及び繰り返し曲げ試験
の結果は、具体例２とほぼ同様で、比較例１及び比較例
２との対比でも同様な結果であった。

【００５１】尚、いずれの具体例でも、低融点金属薄層
の融点は、その下側のフッ素樹脂の絶縁体の融点又は熱
分解温度以下であるので、この絶縁体の特性を損なうこ
とがないことが確認された。

【００５２】

【発明の効果】本発明によれば、上記のように、シール
ド層を兼ねた外部導体は、絶縁体の上に低融点金属薄層
を介して形成された導体編組から成り、この低融点金属
薄層は導体編組に融着されているので、導体編組の隙間
はその下側にある低融点金属薄層によって覆われるた
め、高いシールド性を維持することができ、従って高周
波帯域で使用されるのに適した安定した電気的特性を有
する同軸ケーブルを提供することができる。

【００５３】外部導体の内側の低融点金属薄層は、その
外側の導体編組の隙間に跨がって広がっていればよく、
導体編組を埋め込むほど厚くなくてよく、従って可撓性
を損なうことがなく、またその最外側に可撓性を有する
導体編組があるので、同軸ケーブルの充分な可撓性を維
持することができ、従って狭隘な場所に配線する場合で
も作業性を低下することがなく、高い配線性を有するこ
とができる実益がある。

【００５４】低融点金属薄層は、従来技術の錫被覆層と
は異なって導体編組の内側にあるので、許容曲げ半径を
改善することができる上にケーブルの曲げによってクラ
ックが生じ難く、同一箇所に繰り返しの曲げを付与して
もクラックを生ずることがなく、またクラックが生じた
としてもこのクラックはその外側の導体編組によって成
長が抑制されるため、低融点金属薄層が剥離することが
なく、従ってシールド性を低下することがない。

【００５５】また、この低融点金属薄層を予め絶縁体表
面に低融点金属薄層形成ペーストを塗布しておき、その
後導体編組を施しながら又は導体編組を施した後にこの
低融点金属薄層形成ペーストを加熱し溶融して低融点金
属薄層を形成すると同時にこの低融点金属薄層を導体編
組に融着すると、低融点金属薄層の一部が導体編組の隙
間に浸透すると共に、導体編組の内側に融着して両者が
容易に一体化し、従って外側の導体編組がほつれること
がなく、従って外部導体の機械的強度を低下することが
ない。

【００５６】同様に、導体編組を構成すべき導体素線を
加熱して低融点金属薄層形成ペーストの上に導体編組を
施すと、低融点金属薄層の形成と共に低融点金属薄層を
導体編組に融着することができるので、低融点金属薄層
の一部が導体編組の隙間に浸透すると共に、導体編組の
内側に融着して両者が容易に一体化し、従って外側の導
体編組がほつれることがなく、外部導体の機械的強度を
低下することがない。

【００５７】また、このように低融点金属薄層を導体編
組に融着する際に、その融着しつつある部分を所定の内
周形状及び内径を有する口金内に通過させているため、
導体編組の導体素線がこの口金によって予め設定された
所定の外形及び外径に規制されながら低融点金属薄層上
に整列して低融点金属薄層と融着するので、同軸ケーブ
ルの断面形状及び外径寸法の精度を高めることができ
る。

【００５８】更に、いずれの場合も、低融点金属薄層と
してその内側の絶縁体の融点又は分解温度以下の融点を
有するものが用いられるので、この低融点金属薄層形成
ペーストを加熱する際に、絶縁体を損傷することがな
く、その電気特性に悪影響を与えることがなく、良好な
特性を有する同軸ケーブルを得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る同軸ケーブルの切り口を示す斜視
図である。

【図２】図１の同軸ケーブルに用いられる外部導体の拡
大展開斜視図である。

【図３】本発明に係る同軸ケーブルの外部導体を形成す
る工程を順次示し、同図（Ａ）は絶縁体の上に塗布され
た低融点金属薄層形成ペーストの拡大断面図、同図
（Ｂ）は同図（Ａ）の低融点金属薄層形成ペーストの上
に編んで形成された導体編組の一部の拡大斜視図、同図
（Ｃ）は低融点金属薄層形成ペーストを加熱溶融して導
体編組に融着された状態の拡大断面図である。

【図４】１つの従来技術の同軸ケーブルの切り口を示す
斜視図である。

【図５】他の従来技術の同軸ケーブルの切り口を示す斜
視図である。

【図６】図５の同軸ケーブルの導体編組と錫被覆層との
関係を示す一部拡大断面図である。

【図７】本発明に係る同軸ケーブルの外部導体を形成す
る他の実施例の工程のうち、低融点金属薄層が導体編組
に融着しつつある部分をダイス内に通過させる状態の拡
大断面図である。

【符号の説明】

１０ 同軸ケーブル １２ 中心導体 １４ 絶縁体 １６ 外部導体 １８ 低融点金属薄層 ２０ 導体編組 ２０ａ 隙間 ２２ 導体素線 ３０ ダイス

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 水谷 宗久 東京都千代田区丸の内２丁目６番１号 古 河電気工業株式会社内 (72)発明者 横山 佳広 東京都千代田区丸の内２丁目６番１号 古 河電気工業株式会社内

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 中心導体と前記中心導体の上に設けられ
   た絶縁体と前記絶縁体の上に設けられシールド層を兼ね
   た外部導体とから成っている同軸ケーブルにおいて、前
   記シールド層を兼ねた外部導体は、前記絶縁体の上に形
   成され前記絶縁体の融点又は分解温度以下の融点を有す
   る低融点金属薄層と、前記低融点金属薄層の上に形成さ
   れた導体編組とから成り、前記低融点金属薄層は前記導
   体編組に融着されていることを特徴とする同軸ケーブ
   ル。
2. 【請求項２】 中心導体と前記中心導体の上に設けられ
   た絶縁体と前記絶縁体の上に設けられシールド層を兼ね
   た外部導体とから成る同軸ケーブルを製造する方法にお
   いて、前記絶縁体の上に前記絶縁体の融点又は分解温度
   以下の融点を有する低融点金属薄層形成ペーストを塗布
   し、その上に導体編組を施し、前記低融点金属薄層形成
   ペーストを前記導体編組の施しと共に又は前記導体編組
   の施し後に加熱し溶融して低融点金属薄層を形成し、且
   つ前記低融点金属薄層を前記導体編組に融着することを
   特徴とする同軸ケーブルの製造方法。
3. 【請求項３】 中心導体と前記中心導体の上に設けられ
   た絶縁体と前記絶縁体の上に設けられシールド層を兼ね
   た外部導体とから成る同軸ケーブルを製造する方法にお
   いて、前記絶縁体の上に前記絶縁体の融点又は分解温度
   以下の融点を有する低融点金属薄層形成ペーストを塗布
   し、導体編組を構成すべき素線導体を加熱しながら前記
   低融点金属薄層形成ペーストの上に導体編組を施し、前
   記低融点金属薄層形成ペーストを前記導体素線の熱によ
   って溶融して低融点金属薄層を形成し、且つ前記低融点
   金属層を前記導体編組に融着することを特徴とする同軸
   ケーブルの製造方法。
4. 【請求項４】 請求項２又は請求項３のいずれかに記載
   の同軸ケーブルの製造方法であって、前記低融点金属薄
   層が前記導体編組に融着しつつある部分を所定の内周形
   状及び内径を有する口金内に通過させることを特徴とす
   る同軸ケーブルの製造方法。