JP2001114714A - トランス−ジヒドロキシスチルベン誘導体の製造方法 - Google Patents
トランス−ジヒドロキシスチルベン誘導体の製造方法Info
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- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
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- C07C37/001—Preparation of compounds having hydroxy or O-metal groups bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring by modification in a side chain
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 収率の良く、トランス−ジヒドロキシスチル
ベン誘導体を得る。 【解決手段】 下記化学式(1)で表される1,1,1-トリク
ロロ-2,2-ビス（4-ヒドロキシフェニル）エタン誘導体
に、金属触媒、アルコールを加え、これらを中性条件下
にて反応させ、得られた生成物を結晶分離して、下記化
学式(2)で表されるトランス-4,4'-ジヒドロキシスチル
ベン誘導体を得る。 【化１】 【化２】 （上記式中、Ｐ、Ｑ、Ｒ及びＳはアルキル基、アルキレ
ン基、水酸基、芳香族基、ハロゲン原子または水素原子
のいずれかを、ｎ、ｍ、ｈおよびｉは０〜６の整数、
Ｒ’はアルキル基、芳香族または水素原子のいずれかを
それぞれ表す。）
ベン誘導体を得る。 【解決手段】 下記化学式(1)で表される1,1,1-トリク
ロロ-2,2-ビス（4-ヒドロキシフェニル）エタン誘導体
に、金属触媒、アルコールを加え、これらを中性条件下
にて反応させ、得られた生成物を結晶分離して、下記化
学式(2)で表されるトランス-4,4'-ジヒドロキシスチル
ベン誘導体を得る。 【化１】 【化２】 （上記式中、Ｐ、Ｑ、Ｒ及びＳはアルキル基、アルキレ
ン基、水酸基、芳香族基、ハロゲン原子または水素原子
のいずれかを、ｎ、ｍ、ｈおよびｉは０〜６の整数、
Ｒ’はアルキル基、芳香族または水素原子のいずれかを
それぞれ表す。）
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、結晶性エポキシ化
合物などの原料化合物として有用なトランス−ジヒドロ
キシスチルベン誘導体を製造する方法に関する。
合物などの原料化合物として有用なトランス−ジヒドロ
キシスチルベン誘導体を製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】フランス特許１，５３４，３１１号に
は、２，２−ビス（ヒドロキシフェニル）−１−クロロ
エタン誘導体に、苛性アルカリを、アルコール中で作用
させてジヒドロキシスチルベン誘導体を得る製造方法が
記載されている。
は、２，２−ビス（ヒドロキシフェニル）−１−クロロ
エタン誘導体に、苛性アルカリを、アルコール中で作用
させてジヒドロキシスチルベン誘導体を得る製造方法が
記載されている。
【０００３】またＬｉｅｂｉｇｓ Ａｎｎ．Ｃｈｅｍ．
７３０，３１−４６（１９６９）では、２，２−ビス
（ヒドロキシフェニル）−１−クロロエタン誘導体と、
金属ナトリウムを、アルコール中で反応させることによ
りジヒドロキシスチルベン誘導体を得る製造方法が示さ
れている。
７３０，３１−４６（１９６９）では、２，２−ビス
（ヒドロキシフェニル）−１−クロロエタン誘導体と、
金属ナトリウムを、アルコール中で反応させることによ
りジヒドロキシスチルベン誘導体を得る製造方法が示さ
れている。
【０００４】また、アメリカ特許５，４１４，１５０号
においては、脱塩酸反応を酸性下で行い、目的とするジ
ヒドロキシスチルベン誘導体を得る製造方法が示されて
いる。ここには、製法によって得られる目的物の融点が
極端に違うこと、アルカリ条件とならないよう注意すべ
きことが記載されている。
においては、脱塩酸反応を酸性下で行い、目的とするジ
ヒドロキシスチルベン誘導体を得る製造方法が示されて
いる。ここには、製法によって得られる目的物の融点が
極端に違うこと、アルカリ条件とならないよう注意すべ
きことが記載されている。
【０００５】また、特開平８−７３５６２号公報では、
１，１−ビス（ヒドロキシフェニル）−１−クロロエタ
ン誘導体を、苛性ソーダと、Ｎ−メチルピロリドン中
で、１５０℃まで昇温して反応させ、５０％程度の収率
でジヒドロキシスチルベン誘導体を得る製造方法が示さ
れている。さらに、特開平１０−１７５１３号公報にお
いては、２，２−ビス（ヒドロキシフェニル）−１−ク
ロロエタン誘導体を、アルカリ性物質の存在下で反応さ
せて、トランス−ジヒドロキシスチルベン誘導体を得る
製造方法が示されている。
１，１−ビス（ヒドロキシフェニル）−１−クロロエタ
ン誘導体を、苛性ソーダと、Ｎ−メチルピロリドン中
で、１５０℃まで昇温して反応させ、５０％程度の収率
でジヒドロキシスチルベン誘導体を得る製造方法が示さ
れている。さらに、特開平１０−１７５１３号公報にお
いては、２，２−ビス（ヒドロキシフェニル）−１−ク
ロロエタン誘導体を、アルカリ性物質の存在下で反応さ
せて、トランス−ジヒドロキシスチルベン誘導体を得る
製造方法が示されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の製造方法においては、目的とするトランス−ジヒドロ
キシスチルベン誘導体の収率が悪いという問題があっ
た。また、出発物質である誘導体の脱塩酸化反応におい
て、その反応液を酸性あるいはアルカリ性にしてから反
応させる必要があった。そのため、反応工程が多くな
り、反応容器のメンテナンス、および労力が必要となっ
た。または、反応温度が高く、省エネルギー化および操
作性の面でも効率が悪かった。
の製造方法においては、目的とするトランス−ジヒドロ
キシスチルベン誘導体の収率が悪いという問題があっ
た。また、出発物質である誘導体の脱塩酸化反応におい
て、その反応液を酸性あるいはアルカリ性にしてから反
応させる必要があった。そのため、反応工程が多くな
り、反応容器のメンテナンス、および労力が必要となっ
た。または、反応温度が高く、省エネルギー化および操
作性の面でも効率が悪かった。
【０００７】本発明は、前記課題を解決するためになさ
れたもので、下記化学式（２）で表されるトランス−ジ
ヒドロキシスチルベン誘導体の効率的な製造方法を得る
ことを目的とする。ここでいう効率的な製造方法とは、
量産を目的とした方法で、なおかつ最小限の工程で製造
を行うことである。
れたもので、下記化学式（２）で表されるトランス−ジ
ヒドロキシスチルベン誘導体の効率的な製造方法を得る
ことを目的とする。ここでいう効率的な製造方法とは、
量産を目的とした方法で、なおかつ最小限の工程で製造
を行うことである。
【０００８】
【化３】 （式中、Ｐ、Ｑ、Ｒ及びＳはそれぞれ独立にアルキル
基、アルキレン基、水酸基、芳香族基、ハロゲン原子ま
たは水素原子のいずれかを表し、それぞれ互いに同一で
あっても異なっていてもよい。ｎ、ｍ、ｈおよびｉはそ
れぞれ０〜６の整数を示し、前記置換基Ｐ、Ｑ、Ｒ及び
Ｓの個数をそれぞれ表す。Ｒ’、Ｒ”はアルキル基、芳
香族または水素原子のいずれかをそれぞれ表す。）
基、アルキレン基、水酸基、芳香族基、ハロゲン原子ま
たは水素原子のいずれかを表し、それぞれ互いに同一で
あっても異なっていてもよい。ｎ、ｍ、ｈおよびｉはそ
れぞれ０〜６の整数を示し、前記置換基Ｐ、Ｑ、Ｒ及び
Ｓの個数をそれぞれ表す。Ｒ’、Ｒ”はアルキル基、芳
香族または水素原子のいずれかをそれぞれ表す。）
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、下記化学式
（１）で表される１，１，１−トリクロロ−２，２−ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）エタン誘導体に、金属触
媒、アルコールを加えて、中性条件下にて反応させ、こ
の反応で得られた生成物を結晶分離して、上記化学式
（２）で表されるトランス−４、４’−ジヒドロキシス
チルベン誘導体を得ることを前記課題の解決手段とし
た。
（１）で表される１，１，１−トリクロロ−２，２−ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）エタン誘導体に、金属触
媒、アルコールを加えて、中性条件下にて反応させ、こ
の反応で得られた生成物を結晶分離して、上記化学式
（２）で表されるトランス−４、４’−ジヒドロキシス
チルベン誘導体を得ることを前記課題の解決手段とし
た。
【００１０】
【化４】 （式中、Ｐ、Ｑ、Ｒ及びＳはそれぞれ独立にアルキル
基、アルキレン基、水酸基、芳香族基、ハロゲン原子ま
たは水素原子のいずれかを表し、それぞれ互いに同一で
あっても異なっていてもよい。また、ｎ、ｍ、ｈおよび
ｉはそれぞれ０〜６の整数を示し、前記置換基Ｐ、Ｑ、
Ｒ及びＳの個数をそれぞれ表す。Ｒ’はアルキル基、芳
香族または水素原子のいずれかをそれぞれ表す。）
基、アルキレン基、水酸基、芳香族基、ハロゲン原子ま
たは水素原子のいずれかを表し、それぞれ互いに同一で
あっても異なっていてもよい。また、ｎ、ｍ、ｈおよび
ｉはそれぞれ０〜６の整数を示し、前記置換基Ｐ、Ｑ、
Ｒ及びＳの個数をそれぞれ表す。Ｒ’はアルキル基、芳
香族または水素原子のいずれかをそれぞれ表す。）
【００１１】このとき上記化学式（１）及び（２）にお
ける置換基（Ｐ）ｎ中の炭素数と、置換基（Ｑ）ｍ中の
炭素数と、置換基（Ｒ）ｈ中の炭素数と、置換基（Ｓ）
ｉ中の炭素数の合計が、２〜１２であることが好まし
い。また、上記化学式（１）及び（２）における置換基
Ｐ、Ｒ、Ｑ及びＳのうち少なくとも１つ以上が、メチル
基、エチル基、ブチル基、水酸基およびメチロール基の
いずれかであり、Ｒ’が水素原子であることが好まし
い。また、上記反応を加圧下にて行うことが望ましい。
反応を加圧下でおこなうときには、Ｎ２雰囲気下におい
て、その内圧を１〜１０ｋｇｆ／ｃｍ２とし、その反応
温度を５０℃〜２００℃とすることが好ましい。反応を
常圧下で行うときは、その反応温度を６０℃〜１６０℃
とすることが好ましい。
ける置換基（Ｐ）ｎ中の炭素数と、置換基（Ｑ）ｍ中の
炭素数と、置換基（Ｒ）ｈ中の炭素数と、置換基（Ｓ）
ｉ中の炭素数の合計が、２〜１２であることが好まし
い。また、上記化学式（１）及び（２）における置換基
Ｐ、Ｒ、Ｑ及びＳのうち少なくとも１つ以上が、メチル
基、エチル基、ブチル基、水酸基およびメチロール基の
いずれかであり、Ｒ’が水素原子であることが好まし
い。また、上記反応を加圧下にて行うことが望ましい。
反応を加圧下でおこなうときには、Ｎ２雰囲気下におい
て、その内圧を１〜１０ｋｇｆ／ｃｍ２とし、その反応
温度を５０℃〜２００℃とすることが好ましい。反応を
常圧下で行うときは、その反応温度を６０℃〜１６０℃
とすることが好ましい。
【００１２】
【発明の実施形態】以下、本発明について詳細に説明す
る。トランス−ジヒドロキシスチルベン誘導体の製造方
法においては、まず、上記化学式（２）で表される１，
１，１−トリクロロ−２，２−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）エタン誘導体に、金属触媒と、アルコールを加
え、これらを、中性条件下にて攪拌し、反応液を還流さ
せることによって反応させる。
る。トランス−ジヒドロキシスチルベン誘導体の製造方
法においては、まず、上記化学式（２）で表される１，
１，１−トリクロロ−２，２−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）エタン誘導体に、金属触媒と、アルコールを加
え、これらを、中性条件下にて攪拌し、反応液を還流さ
せることによって反応させる。
【００１３】上記化学式（１）で表される１，１，１−
トリクロロ−２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
エタン誘導体としては、置換基（Ｐ）ｎ中の炭素数と、
置換基（Ｑ）ｍ中の炭素数と、置換基（Ｒ）ｈ中の炭素
数と、置換基（Ｓ）ｉ中の炭素数の合計が、２〜１２で
あるものが好ましい。前記炭素数がこの範囲である１，
１，１−トリクロロ−２，２−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）エタン誘導体であれば、収率よくトランス−ジ
ヒドロキシスチルベン誘導体を得ることができる。
トリクロロ−２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
エタン誘導体としては、置換基（Ｐ）ｎ中の炭素数と、
置換基（Ｑ）ｍ中の炭素数と、置換基（Ｒ）ｈ中の炭素
数と、置換基（Ｓ）ｉ中の炭素数の合計が、２〜１２で
あるものが好ましい。前記炭素数がこの範囲である１，
１，１−トリクロロ−２，２−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）エタン誘導体であれば、収率よくトランス−ジ
ヒドロキシスチルベン誘導体を得ることができる。
【００１４】また、上記化学式（１）中、Ｐ、Ｑ、Ｒ及
びＳのうち少なくとも１つ以上が、メチル基、エチル
基、ブチル基、水酸基およびメチロール基のいずれかで
あり、Ｒ’が水素原子であることが好ましい。このよう
な構造の１，１，１−トリクロロ−２，２−ビス（４−
ヒドロキシフェニル）エタン誘導体であれば、さらに収
率よく、トランス−ジヒドロキシスチルベン誘導体を得
ることができる。
びＳのうち少なくとも１つ以上が、メチル基、エチル
基、ブチル基、水酸基およびメチロール基のいずれかで
あり、Ｒ’が水素原子であることが好ましい。このよう
な構造の１，１，１−トリクロロ−２，２−ビス（４−
ヒドロキシフェニル）エタン誘導体であれば、さらに収
率よく、トランス−ジヒドロキシスチルベン誘導体を得
ることができる。
【００１５】この１，１，１−トリクロロ−２，２−ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）エタン誘導体の具体例と
しては、１，１，１−トリクロロ−２，２−ビス（４’
−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１，１−トリクロ
ロ−２，２−ビス−（４’−ヒドロキシ−３’−メチル
フェニル）エタン、１，１，１−トリクロロ−２，２−
ビス−（４’−ヒドロキシ−３’５’−ジメチルフェニ
ル）エタン、１，１，１−トリクロロ−２，２−ビス
（３’４’−ジヒドロキシフェニル）エタン等が挙げら
れる。また、このような１，１，１−トリクロロ−２，
２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン誘導体は、
たとえばＬｉｅｂｉｇｓ Ａｎｎ．Ｃｈｅｍ．７３０，
３１−４６（１９６９）等に記載された公知方法により
製造することができる。
ス（４−ヒドロキシフェニル）エタン誘導体の具体例と
しては、１，１，１−トリクロロ−２，２−ビス（４’
−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１，１−トリクロ
ロ−２，２−ビス−（４’−ヒドロキシ−３’−メチル
フェニル）エタン、１，１，１−トリクロロ−２，２−
ビス−（４’−ヒドロキシ−３’５’−ジメチルフェニ
ル）エタン、１，１，１−トリクロロ−２，２−ビス
（３’４’−ジヒドロキシフェニル）エタン等が挙げら
れる。また、このような１，１，１−トリクロロ−２，
２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン誘導体は、
たとえばＬｉｅｂｉｇｓ Ａｎｎ．Ｃｈｅｍ．７３０，
３１−４６（１９６９）等に記載された公知方法により
製造することができる。
【００１６】金属触媒としては、具体的に、亜鉛粉末、
金属ナトリウム、金属カリウム等が挙げられ、好ましく
は亜鉛粉末が用いられる。また、その使用量は上記化学
式（１）で表される１，１，１−トリクロロ−２，２−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン誘導体の、１．
５〜５倍モル、好ましくは２．５〜３．５倍モルである
ことが好ましい。この範囲であれば、トランス−ジヒド
ロキシスチルベン誘導体を収率よく得ることができ、ま
た、高温、高圧下の条件においては、さらに、トランス
−ジヒドロキシスチルベン誘導体を収率よく得ることが
できる。
金属ナトリウム、金属カリウム等が挙げられ、好ましく
は亜鉛粉末が用いられる。また、その使用量は上記化学
式（１）で表される１，１，１−トリクロロ−２，２−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン誘導体の、１．
５〜５倍モル、好ましくは２．５〜３．５倍モルである
ことが好ましい。この範囲であれば、トランス−ジヒド
ロキシスチルベン誘導体を収率よく得ることができ、ま
た、高温、高圧下の条件においては、さらに、トランス
−ジヒドロキシスチルベン誘導体を収率よく得ることが
できる。
【００１７】上記アルコールは反応溶媒として用いら
れ、具体的には、メタノール、エタノール、プロパノー
ル、ブタノール、ペンタノール等が挙げられる。また、
アルコールの使用量は、上記化学式（１）で表される
１，１，１−トリクロロ−２，２−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）エタン誘導体の３〜８重量倍が好ましい。
この範囲であれば、トランス−ジヒドロキシスチルベン
誘導体を収率よく得ることができ、また、高温、高圧下
の条件においては、さらに、トランス−ジヒドロキシス
チルベン誘導体を収率よく得ることができる。
れ、具体的には、メタノール、エタノール、プロパノー
ル、ブタノール、ペンタノール等が挙げられる。また、
アルコールの使用量は、上記化学式（１）で表される
１，１，１−トリクロロ−２，２−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）エタン誘導体の３〜８重量倍が好ましい。
この範囲であれば、トランス−ジヒドロキシスチルベン
誘導体を収率よく得ることができ、また、高温、高圧下
の条件においては、さらに、トランス−ジヒドロキシス
チルベン誘導体を収率よく得ることができる。
【００１８】中性条件下とは、反応液がｐＨ６〜ｐＨ８
の範囲を言う。このような中性条件下において、常圧で
反応を行う場合は、反応時間を２〜３時間とし、反応温
度は、使用するアルコールによっても異なるが、６０〜
１５０℃とすることが好ましい。この反応温度が、６０
℃未満であれば、上記化学式（１）で表される１，１，
１−トリクロロ−２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）エタン誘導体の脱塩素化が起こりにくくなって目的
とする生成物の収率が悪くなり、１５０℃を越えると目
的とする生成物の酸化反応および重合反応が進行してし
まうため好ましくない。また、１５０℃を越える反応温
度とした場合、高沸点の溶媒を使用しなければならない
が、このような溶媒を用いた場合には、目的とする生成
物の精製が困難となるため好ましくない。
の範囲を言う。このような中性条件下において、常圧で
反応を行う場合は、反応時間を２〜３時間とし、反応温
度は、使用するアルコールによっても異なるが、６０〜
１５０℃とすることが好ましい。この反応温度が、６０
℃未満であれば、上記化学式（１）で表される１，１，
１−トリクロロ−２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）エタン誘導体の脱塩素化が起こりにくくなって目的
とする生成物の収率が悪くなり、１５０℃を越えると目
的とする生成物の酸化反応および重合反応が進行してし
まうため好ましくない。また、１５０℃を越える反応温
度とした場合、高沸点の溶媒を使用しなければならない
が、このような溶媒を用いた場合には、目的とする生成
物の精製が困難となるため好ましくない。
【００１９】また、反応を加圧下で行う場合には、反応
容器内をＮ２雰囲気とし、その内圧を１〜１０ｋｇｆ／
ｃｍ２の範囲とするのが好ましい。内圧が１ｋｇｆ／ｃ
ｍ２未満であると、常圧下での反応と目的の生成物の収
率が変わらず、１０ｋｇｆ／ｃｍ２を越えると極端に目
的生成物の重合反応が進行してしまい不都合となる。
容器内をＮ２雰囲気とし、その内圧を１〜１０ｋｇｆ／
ｃｍ２の範囲とするのが好ましい。内圧が１ｋｇｆ／ｃ
ｍ２未満であると、常圧下での反応と目的の生成物の収
率が変わらず、１０ｋｇｆ／ｃｍ２を越えると極端に目
的生成物の重合反応が進行してしまい不都合となる。
【００２０】また、このように加圧条件下とするとき
は、反応時間を２〜３時間とし、反応温度を５０〜２０
０℃の範囲とすることが好ましい。５０℃未満であれ
ば、上記化学式（１）で表される１，１，１−トリクロ
ロ−２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン誘
導体の脱塩素化が起こりにくくなって目的とする生成物
の収率が悪くなり、２００℃を越えると目的とする生成
物の酸化反応および重合反応が進行したり、反応中間体
が分解したりして目的の生成物の収率が悪化するため不
都合となる。
は、反応時間を２〜３時間とし、反応温度を５０〜２０
０℃の範囲とすることが好ましい。５０℃未満であれ
ば、上記化学式（１）で表される１，１，１−トリクロ
ロ−２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン誘
導体の脱塩素化が起こりにくくなって目的とする生成物
の収率が悪くなり、２００℃を越えると目的とする生成
物の酸化反応および重合反応が進行したり、反応中間体
が分解したりして目的の生成物の収率が悪化するため不
都合となる。
【００２１】上記反応終了後、反応によって得られた生
成物を水洗浄し、その後アセトン等により金属触媒を除
去する。そして、金属触媒除去後、酸にて前記生成物を
再結晶させると、目的物質である上記化学式（２）で表
されるトランス−ジヒドロキシスチルベン誘導体の針状
結晶を得ることができる。上記再結晶に用いる酸として
は、好ましくは酢酸が用いられる。また上記アセトンの
代わりに酢酸エチル、ジエチルエーテル、テトラヒドロ
フラン等を用いてもよい。
成物を水洗浄し、その後アセトン等により金属触媒を除
去する。そして、金属触媒除去後、酸にて前記生成物を
再結晶させると、目的物質である上記化学式（２）で表
されるトランス−ジヒドロキシスチルベン誘導体の針状
結晶を得ることができる。上記再結晶に用いる酸として
は、好ましくは酢酸が用いられる。また上記アセトンの
代わりに酢酸エチル、ジエチルエーテル、テトラヒドロ
フラン等を用いてもよい。
【００２２】このようにして得られる上記化学式（２）
で表されるトランス−ジヒドロキシスチルベン誘導体の
具体例としては、トランス−３，３’−ジ−ｔ−ブチル
−４，４’−ジヒドロキシ−６，６’−ジメチルスチル
ベン、トランス−３，３’−ジ−ｔ−ブチル−４，４’
−ジヒドロキシ−６，６’−ジメチル−α−メチルスチ
ルベン、トランス−４，４’−ジヒドロキシ−３，
３’，５，５’−テトラメチルスチルベン、トランス−
３，３’５，５’−テトラメチル−α−フェニルスチル
ベン、トランス−４，４’−ジヒドロキシ−２，２’，
３，３’５，５’−ヘキサメチルスチルベン、トランス
−４，４’−ジヒドロキシ−３，３’５，５’−テトラ
−ｔ−ブチルスチルベン、トランス−４，４’−ジヒド
ロキシ−３，３’５，５’−テトライソプロピルスチル
ベン等を挙げることができるが、前記化学式（２）で表
される限りこれらに特に限定されるものではない。
で表されるトランス−ジヒドロキシスチルベン誘導体の
具体例としては、トランス−３，３’−ジ−ｔ−ブチル
−４，４’−ジヒドロキシ−６，６’−ジメチルスチル
ベン、トランス−３，３’−ジ−ｔ−ブチル−４，４’
−ジヒドロキシ−６，６’−ジメチル−α−メチルスチ
ルベン、トランス−４，４’−ジヒドロキシ−３，
３’，５，５’−テトラメチルスチルベン、トランス−
３，３’５，５’−テトラメチル−α−フェニルスチル
ベン、トランス−４，４’−ジヒドロキシ−２，２’，
３，３’５，５’−ヘキサメチルスチルベン、トランス
−４，４’−ジヒドロキシ−３，３’５，５’−テトラ
−ｔ−ブチルスチルベン、トランス−４，４’−ジヒド
ロキシ−３，３’５，５’−テトライソプロピルスチル
ベン等を挙げることができるが、前記化学式（２）で表
される限りこれらに特に限定されるものではない。
【００２３】上記の反応により得られた生成物は、ＩＲ
測定において、ＯＨの伸縮振動が８３０ｃｍ−１に、二
重結合の特徴であるＣ−Ｈ面外変角振動が９６０ｃｍ−
１（トランス体）に、ｐ−置換基を有するＣ−Ｈ面外変
角振動が８６０ｃｍ−１に観測されることにより上記化
学式（２）で表されるトランス−ジヒドロキシスチルベ
ン誘導体であると確認できる。
測定において、ＯＨの伸縮振動が８３０ｃｍ−１に、二
重結合の特徴であるＣ−Ｈ面外変角振動が９６０ｃｍ−
１（トランス体）に、ｐ−置換基を有するＣ−Ｈ面外変
角振動が８６０ｃｍ−１に観測されることにより上記化
学式（２）で表されるトランス−ジヒドロキシスチルベ
ン誘導体であると確認できる。
【００２４】このようなトランス−ジヒドロキシスチル
ベン誘導体の製造方法によれば、上記化学式（２）で表
されるトランス−ジヒドロキシスチルベン誘導体を収率
よく得ることができる。また、反応を、中性条件下ある
いは、加圧下にて行うものであるので、従来の製造方法
のように、酸、アルカリ性物質の添加、あるいは水を必
要としないので、反応工程が少なく、反応容器のメンテ
ナンス、および労力を最小限とすることができる。ま
た、反応温度を従来のものより低くでき、省エネルギー
化および操作性を高めることができる。
ベン誘導体の製造方法によれば、上記化学式（２）で表
されるトランス−ジヒドロキシスチルベン誘導体を収率
よく得ることができる。また、反応を、中性条件下ある
いは、加圧下にて行うものであるので、従来の製造方法
のように、酸、アルカリ性物質の添加、あるいは水を必
要としないので、反応工程が少なく、反応容器のメンテ
ナンス、および労力を最小限とすることができる。ま
た、反応温度を従来のものより低くでき、省エネルギー
化および操作性を高めることができる。
【００２５】以下、実施例を示して、本発明について詳
しく説明する。 （実施例１）２Ｌ、三口フラスコに、１，１，１−トリ
クロロ−２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタ
ン１５９．０ｇ、エタノール６００ｍｌ、亜鉛粉末９
８．０ｇを仕込み、攪拌させながら液温８０℃に昇温さ
せ、この状態で４時間還流反応させた。その後、反応に
より生成した生成物を水洗浄し、アセトンにて亜鉛粉末
を除去後、酢酸にてこの生成物を再結晶させた。
しく説明する。 （実施例１）２Ｌ、三口フラスコに、１，１，１−トリ
クロロ−２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタ
ン１５９．０ｇ、エタノール６００ｍｌ、亜鉛粉末９
８．０ｇを仕込み、攪拌させながら液温８０℃に昇温さ
せ、この状態で４時間還流反応させた。その後、反応に
より生成した生成物を水洗浄し、アセトンにて亜鉛粉末
を除去後、酢酸にてこの生成物を再結晶させた。
【００２６】得られた結晶の融点は２８５℃であった。
また得られた結晶のＩＲスペクトルチャートは、図１に
示すように、８３０ｃｍ−１に、９６０ｃｍ−１、８６
０ｃｍ−１に観測された。このことにより、得られた生
成物が、トランス−４，４’−ジヒドロキシスチルベン
と確認できた。また図２に示す、結晶のＧＰＣチャート
より、得られたトランス−４，４’−ジヒドロキシスチ
ルベンは、純度９８％以上であることが確認できた。ま
た、得られたトランス−４，４’−ジヒドロキシスチル
ベンの針状結晶は１２８．３ｇであり、その収率は８
０．７％と高かった。
また得られた結晶のＩＲスペクトルチャートは、図１に
示すように、８３０ｃｍ−１に、９６０ｃｍ−１、８６
０ｃｍ−１に観測された。このことにより、得られた生
成物が、トランス−４，４’−ジヒドロキシスチルベン
と確認できた。また図２に示す、結晶のＧＰＣチャート
より、得られたトランス−４，４’−ジヒドロキシスチ
ルベンは、純度９８％以上であることが確認できた。ま
た、得られたトランス−４，４’−ジヒドロキシスチル
ベンの針状結晶は１２８．３ｇであり、その収率は８
０．７％と高かった。
【００２７】（実施例２）１Ｌ、耐圧フラスコに、１，
１，１−トリクロロ−２，２−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）エタン７９．５ｇ、エタノール３００ｍｌ、亜
鉛粉末４９．０ｇを仕込み、窒素を充填し内圧を２ｋｇ
ｆ／ｃｍ２として、反応液を攪拌させながら、液温を１
００℃に昇温させ、内圧を３ｋｇｆ／ｃｍ２に保ち、こ
の状態で２時間３０分間還流反応させた。その後、反応
により得られた生成物を水洗浄し、アセトンにて亜鉛粉
末を除去後、酢酸にて再結晶させた。
１，１−トリクロロ−２，２−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）エタン７９．５ｇ、エタノール３００ｍｌ、亜
鉛粉末４９．０ｇを仕込み、窒素を充填し内圧を２ｋｇ
ｆ／ｃｍ２として、反応液を攪拌させながら、液温を１
００℃に昇温させ、内圧を３ｋｇｆ／ｃｍ２に保ち、こ
の状態で２時間３０分間還流反応させた。その後、反応
により得られた生成物を水洗浄し、アセトンにて亜鉛粉
末を除去後、酢酸にて再結晶させた。
【００２８】得られた生成物の結晶のＩＲスペクトルチ
ャートは、実施例１と同じく、図１に示すように、８３
０ｃｍ−１に、９６０ｃｍ−１、８６０ｃｍ−１に観測
された。よって、この生成物が、トランス−４，４’−
ジヒドロキシスチルベンと確認できた。また実施例１と
同じく、図２に示すように、この結晶のＧＰＣチャート
により、４，４’−ジヒドロキシスチルベンの純度は、
９８％以上であることが確認できた。このようにして得
られたトランス−４，４’−ジヒドロキシスチルベンの
針状結晶は、を６８．４ｇであり、その収率は８６．１
％であった。
ャートは、実施例１と同じく、図１に示すように、８３
０ｃｍ−１に、９６０ｃｍ−１、８６０ｃｍ−１に観測
された。よって、この生成物が、トランス−４，４’−
ジヒドロキシスチルベンと確認できた。また実施例１と
同じく、図２に示すように、この結晶のＧＰＣチャート
により、４，４’−ジヒドロキシスチルベンの純度は、
９８％以上であることが確認できた。このようにして得
られたトランス−４，４’−ジヒドロキシスチルベンの
針状結晶は、を６８．４ｇであり、その収率は８６．１
％であった。
【００２９】
【発明の効果】本発明は、上記化学式（１）で表される
１，１，１−トリクロロ−２，２−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）エタン誘導体に、金属触媒、アルコールを
加えて、中性条件下にて脱塩酸反応させ、この反応で得
られた生成物を結晶分離して、上記化学式（２）で表さ
れるトランス−４、４’−ジヒドロキシスチルベン誘導
体を得るもので、その反応工程において、酸性物質ある
いはアルカリ性物質を加える必要がない。よって、反応
工程を少なくすることができ、反応容器のメンテナン
ス、および労力を最小限とすることができる。また、反
応温度を従来のものより低くでき、省エネルギー化およ
び操作性を高めることができる。よって、トランスージ
ヒドロキシスチルベン誘導体を、効率良く得ることがで
きる。
１，１，１−トリクロロ−２，２−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）エタン誘導体に、金属触媒、アルコールを
加えて、中性条件下にて脱塩酸反応させ、この反応で得
られた生成物を結晶分離して、上記化学式（２）で表さ
れるトランス−４、４’−ジヒドロキシスチルベン誘導
体を得るもので、その反応工程において、酸性物質ある
いはアルカリ性物質を加える必要がない。よって、反応
工程を少なくすることができ、反応容器のメンテナン
ス、および労力を最小限とすることができる。また、反
応温度を従来のものより低くでき、省エネルギー化およ
び操作性を高めることができる。よって、トランスージ
ヒドロキシスチルベン誘導体を、効率良く得ることがで
きる。
【００３０】本発明によって得られるトランス−ジヒド
ロキシスチルベン誘導体は結晶であり、例えばエポキシ
化することによって結晶性エポキシ化合物が得られる。
この結晶性エポキシ化合物は従来の液状及び固形エポキ
シと比較して、応用分野が広く電子材料、塗料、紫外線
硬化型樹脂及び接着剤等の材料として有用である。
ロキシスチルベン誘導体は結晶であり、例えばエポキシ
化することによって結晶性エポキシ化合物が得られる。
この結晶性エポキシ化合物は従来の液状及び固形エポキ
シと比較して、応用分野が広く電子材料、塗料、紫外線
硬化型樹脂及び接着剤等の材料として有用である。
【図１】 実施例において得られた生成物のＧＰＣチャ
ートを示したものである。
ートを示したものである。
【図２】 実施例において得られた生成物のＩＲスペク
トルチャートを示したものである。
トルチャートを示したものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 廣橋 利夫 群馬県高崎市宿大類町700番地 群栄化学 工業株式会社内 (72)発明者 栗本 好章 群馬県高崎市宿大類町700番地 群栄化学 工業株式会社内 Ｆターム(参考） 4H006 AA02 AC13 AC27 BA02 BA07 BB14 BC10 BC11 BC53 FC52 FC74 FE13 4H039 CA21 CG90 CJ10
Claims (6)
- 【請求項１】 下記化学式（１）で表される１，１，１
−トリクロロ−２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）エタン誘導体に、金属触媒、アルコールを加え、こ
れらを中性条件下にて反応させ、この反応で得られた生
成物を結晶分離して、下記化学式（２）で表されるトラ
ンス−４，４’−ジヒドロキシスチルベン誘導体を得る
ことを特徴とするトランス−ジヒドロキシスチルベン誘
導体の製造方法。 【化１】 【化２】 （式（１）及び（２）中、Ｐ、Ｑ、Ｒ及びＳはそれぞれ
独立にアルキル基、アルキレン基、水酸基、芳香族基、
ハロゲン原子または水素原子のいずれかを表し、それぞ
れ互いに同一であっても異なっていてもよい。また、
ｎ、ｍ、ｈおよびｉはそれぞれ０〜６の整数を示し、前
記置換基Ｐ、Ｑ、Ｒ及びＳの個数をそれぞれ表す。Ｒ’
はアルキル基、芳香族または水素原子のいずれかを表
す。） - 【請求項２】 上記化学式（１）及び（２）における置
換基（Ｐ）ｎ中の炭素数と、置換基（Ｑ）ｍ中の炭素数
と、置換基（Ｒ）ｈ中の炭素数と、置換基（Ｓ）ｉ中の
炭素数の合計が、２〜１２であることを特徴とする請求
項１に記載のトランス−ジヒドロキシスチルベン誘導体
の製造方法。 - 【請求項３】 上記化学式（１）及び（２）における置
換基Ｐ、Ｑ、Ｒ及びＳのうち少なくとも１つ以上が、メ
チル基、エチル基、ブチル基、水酸基およびメチロール
基のいずれかであり、Ｒ’が水素原子であることを特徴
とする請求項１に記載のトランス−ジヒドロキシスチル
ベン誘導体の製造方法。 - 【請求項４】 上記反応を加圧下にて行うことを特徴と
する請求項１〜３のいずれかに記載のトランス−ジヒド
ロキシスチルベン誘導体の製造方法。 - 【請求項５】 Ｎ２雰囲気下において、１〜１０ｋｇｆ
／ｃｍ２の加圧下で、反応温度を５０℃〜２００℃とす
ることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のト
ランス−ジヒドロキシスチルベン誘導体の製造方法。 - 【請求項６】 常圧において、反応温度を６０℃〜１６
０℃とすることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに
記載のトランス−ジヒドロキシスチルベン誘導体の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29169499A JP2001114714A (ja) | 1999-10-13 | 1999-10-13 | トランス−ジヒドロキシスチルベン誘導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29169499A JP2001114714A (ja) | 1999-10-13 | 1999-10-13 | トランス−ジヒドロキシスチルベン誘導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001114714A true JP2001114714A (ja) | 2001-04-24 |
Family
ID=17772205
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29169499A Withdrawn JP2001114714A (ja) | 1999-10-13 | 1999-10-13 | トランス−ジヒドロキシスチルベン誘導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001114714A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012092076A (ja) * | 2010-10-28 | 2012-05-17 | Uha Mikakuto Co Ltd | 新規４−ビニルフェノール重合化合物 |
| WO2012070656A1 (ja) * | 2010-11-26 | 2012-05-31 | ユーハ味覚糖株式会社 | 生理活性を有するヒドロキシスチルベン誘導体の製造方法 |
| JP2012111735A (ja) * | 2010-11-26 | 2012-06-14 | Uha Mikakuto Co Ltd | 新規レスベラトロール誘導体 |
| JP2012136477A (ja) * | 2010-12-27 | 2012-07-19 | Uha Mikakuto Co Ltd | 新規レスベラトロール誘導体 |
| JP2012153653A (ja) * | 2011-01-26 | 2012-08-16 | Uha Mikakuto Co Ltd | 新規レスベラトロール誘導体 |
| JP2012176916A (ja) * | 2011-02-28 | 2012-09-13 | Uha Mikakuto Co Ltd | 新規レスベラトロール誘導体 |
| JP2012201638A (ja) * | 2011-03-25 | 2012-10-22 | Uha Mikakuto Co Ltd | 新規レスベラトロール誘導体 |
| JP2012246243A (ja) * | 2011-05-26 | 2012-12-13 | Uha Mikakuto Co Ltd | 新規レスベラトロール誘導体 |
| JP2013043878A (ja) * | 2011-08-26 | 2013-03-04 | Uha Mikakuto Co Ltd | 新規ヒドロキシスチルベン誘導体 |
| JP2013071930A (ja) * | 2011-09-29 | 2013-04-22 | Uha Mikakuto Co Ltd | 新規ヒドロキシスチルベン誘導体 |
| JP2013075831A (ja) * | 2011-09-29 | 2013-04-25 | Uha Mikakuto Co Ltd | 新規ヒドロキシスチルベン誘導体 |
-
1999
- 1999-10-13 JP JP29169499A patent/JP2001114714A/ja not_active Withdrawn
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012092076A (ja) * | 2010-10-28 | 2012-05-17 | Uha Mikakuto Co Ltd | 新規４−ビニルフェノール重合化合物 |
| WO2012070656A1 (ja) * | 2010-11-26 | 2012-05-31 | ユーハ味覚糖株式会社 | 生理活性を有するヒドロキシスチルベン誘導体の製造方法 |
| JP2012111735A (ja) * | 2010-11-26 | 2012-06-14 | Uha Mikakuto Co Ltd | 新規レスベラトロール誘導体 |
| US9340477B2 (en) | 2010-11-26 | 2016-05-17 | Uha Mikakuto Co., Ltd. | Process for production of hydroxystilbene derivative having physiological activity |
| JP2012136477A (ja) * | 2010-12-27 | 2012-07-19 | Uha Mikakuto Co Ltd | 新規レスベラトロール誘導体 |
| JP2012153653A (ja) * | 2011-01-26 | 2012-08-16 | Uha Mikakuto Co Ltd | 新規レスベラトロール誘導体 |
| JP2012176916A (ja) * | 2011-02-28 | 2012-09-13 | Uha Mikakuto Co Ltd | 新規レスベラトロール誘導体 |
| JP2012201638A (ja) * | 2011-03-25 | 2012-10-22 | Uha Mikakuto Co Ltd | 新規レスベラトロール誘導体 |
| JP2012246243A (ja) * | 2011-05-26 | 2012-12-13 | Uha Mikakuto Co Ltd | 新規レスベラトロール誘導体 |
| JP2013043878A (ja) * | 2011-08-26 | 2013-03-04 | Uha Mikakuto Co Ltd | 新規ヒドロキシスチルベン誘導体 |
| JP2013071930A (ja) * | 2011-09-29 | 2013-04-22 | Uha Mikakuto Co Ltd | 新規ヒドロキシスチルベン誘導体 |
| JP2013075831A (ja) * | 2011-09-29 | 2013-04-25 | Uha Mikakuto Co Ltd | 新規ヒドロキシスチルベン誘導体 |
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|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20070109 |