JP2001110235A - 水架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブルの外部半導電層用剥離性半導電性水架橋性樹脂組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 耐熱性及び引張強度の優れた水架橋ポリエチ
レン絶縁電力ケーブルの外部半導電層用樹脂組成物及び
これを用いて製造した水架橋ポリエチレン絶縁電力ケー
ブルの提供。 【解決手段】 導体上に内部から外部に向けて内部半導
電層、水架橋ポリエチレン絶縁層、外部半導電層及びジ
ャケット層が形成されている水架橋ポリエチレン絶縁電
力ケーブルの外部半導電層が、（ａ）特定のエチレン−
酢酸ビニル共重合体、（ｂ）特定のポリプロピレン、
（ｃ）特定のオルガノポリシロキサン、（ｄ）カーボン
ブラック、（ｅ）不飽和アルコキシシラン、（ｆ）有機
過酸化物及び（ｇ）シラノール縮合触媒の特定量からな
る剥離性半導電性水架橋性樹脂組成物及び該樹脂組成物
を用いて製造した水架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブ
ル。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、水架橋ポリエチレ
ン絶縁電力ケーブルの外部半導電層として用いる剥離性
半導電性樹脂組成物及びこれを水架橋ポリエチレン絶縁
層上に被覆してなる水架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブ
ルに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブ
ルは、内部から外部に向けて導体、内部半導電層、有機
過酸化物によって化学架橋させた架橋ポリエチレン絶縁
層、外部半導電層及びジャケット層から構成されてき
た。近年、架橋ポリエチレン絶縁層を従来の有機過酸化
物による化学架橋方法による架橋ポリエチレンに代えて
水架橋方法で形成された架橋ポリエチレンを用いる方法
が低電圧分野の電力ケーブルに用いられるようになって
きた。この理由は、化学架橋方法による電力ケーブルの
製造では、架橋装置が高価であり、これとは反対に、水
架橋方法による電力ケーブルの製造では、架橋装置が比
較的安価ですむからである。ところで、従来の化学架橋
方法による電力ケーブルにおいて、架橋ポリエチレン絶
縁層と外部半導電層は、通常の使用条件では密着してお
り、接続工事等で外部半導電層を架橋ポリエチレン絶縁
層からはがす場合は容易に剥離しないため作業に手間ど
り、絶縁層を傷つけて電力ケーブルの品質を悪くする場
合があり、剥離性は重要な外部半導電層の持つべき性質
である。従って、従来から化学架橋方法による電力ケー
ブルの外部半導電層に用いる剥離性半導電性樹脂組成物
は、例えば、特開昭５８−２１２００７号、特開昭５９
−２３０２０５号、特開昭６０−１８９１１０号、特開
昭６２−５８５１８号、特開昭６２−１１７２０２号、
特開昭６３−８９５５２号、特開平３−２９２１０号、
特開平３−２４７６４１号の各公報等に数多く提案され
てきた。

【０００３】ところが、この化学架橋方法による電力ケ
ーブルの外部半導電層に用いる上記各特許公報等に開示
されている剥離性半導電性樹脂組成物を、水架橋方法に
よる電力ケーブルの外部半導電層に用いると、剥離性が
発現しない場合があり、外部半導電層が水架橋ポリエチ
レン絶縁層から容易に剥離しなく、剥離作業が大変であ
り、絶縁層表面を傷つけ電力ケーブルの品質を損ない良
い結果は得られなかった。

【０００４】この原因は、化学架橋方法で電力ケーブル
を製造する場合、絶縁層用の化学架橋性樹脂組成物は比
較的に低温（約１２０〜１５０℃）で押出機より押出さ
れるので絶縁層と外部半導電層との界面を横断して架橋
が発生する率が低いので比較的に両層の剥離性は、上記
の剥離しやすい半導電性樹脂組成物を選択して使用すれ
ば発現する。しかし、水架橋方法で電力ケーブルを製造
する場合は、絶縁層用の水架橋性樹脂組成物は、比較的
に高温（２１０〜２５０℃）で押出機中で加熱混練しな
いと、ビニルシランのグラフト反応がおこらないのでか
かる高温で加熱混練するが、この場合、グラフト反応を
おこさせるために、使用している有機過酸化物が絶縁層
と外部半導電層との界面を横断して架橋を発生させる率
が高くなり、又、水架橋反応も界面を横断して発生する
ので上記した従来の剥離性半導電性樹脂組成物を使用し
た場合、剥離性が不十分となる。

【０００５】また、従来の剥離性半導電性樹脂組成物は
比較的に低温（約１２０〜１５０℃）で押出すことを前
提として組成が構成されているので、これを比較的に高
温（２１０〜２５０℃）で押出すと焼け（スコーチ）を
発生し、電力ケーブルの品質を劣化させるので望ましく
ない。また、従来の化学架橋絶縁層の架橋剤配合タイプ
外部半導電層用樹脂組成物は、水架橋絶縁層の外部半導
電層として押出す場合は高温（２１０〜２５０℃）で押
出さなければならないので、スコーチを発生し問題であ
り、架橋剤を配合しないタイプのものは、耐熱性が不十
分であり安定した押出は望めなく、押出被覆された外部
半導電層は、１２０℃の加熱変形試験にパスするだけの
耐熱性はない。上記架橋剤配合タイプ外部半導電層用樹
脂組成物は、タンデム方式で低温（１２０〜１５０℃）
であらかじめ形成された水架橋絶縁層上に押出被覆し、
その後、架橋管中で加熱し架橋させればスコーチはおこ
らず、１２０℃における加熱変形試験にはパスするがコ
ストアップになり問題である。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】外部半導電層は、外部
からの屈曲や、ヒートサイクル等により架橋ポリエチレ
ン絶縁層との部分的剥離や空隙の発生により生ずるコロ
ナ劣化や、他の絶縁劣化を防止するため体積固有抵抗値
を１００Ω・ｃｍ程度の導電性にする必要がある。外部
半導電層を上記の体積固有抵抗値にし、かつ架橋ポリエ
チレン絶縁層との密着性をよくし、外部からの屈曲や、
ヒートサイクル等に追随し、部分的剥離や空隙の発生を
防ぐには柔軟で、架橋ポリエチレンに対して密着性がよ
く、かつ大量のカーボンブラックの充填にもかかわらず
機械的強度、伸び、柔軟性、加工性が低下しないポリマ
ーが必要であり、従来代表的なものとして、エチレン−
酢酸ビニル共重合体、エチレン−エチルアクリレート共
重合体、アイオノマー、酸変性ポリエチレン等が使用さ
れてきた。しかし上記のポリマーは、架橋ポリエチレン
層との密着性は良好であるが、逆に剥離性や耐熱性は不
十分である。

【０００７】上記の問題点を解決するには、絶縁層を水
架橋ポリエチレンで構成した電力ケーブルの外部半導電
層用の樹脂組成物として、下記の条件を満たすことが必
要である。 （１）外部半導電層用樹脂組成物は半導電性で、体積固
有抵抗値が１００Ω・ｃｍ以下。 （２）電力ケーブルを屈曲したり、ヒートサイクルをか
けたとき、水架橋ポリエチレン絶縁層との部分的剥離や
空隙が発生しないための柔軟性、伸びを維持するため
に、伸び率が１００％以上。 （３）水架橋ポリエチレン絶縁層と外部半導電層との界
面が平滑であり、微小な突起がない。 （４）２１０〜２５０℃の高温で押出される水架橋ポリ
エチレン絶縁層と同様の高温での押出加工が可能。 （５）外部半導電層を引き剥がすとき、外部半導電層自
体が弱い引張力で切断しないために、引張強度が１０Ｍ
Ｐａ以上。 （６）耐寒性がある。 （７）外部半導電層を水架橋ポリエチレン絶縁層から剥
離するとき、ナイフで外部半導電層が比較的弱い力で切
れ目が入れられ、水架橋ポリエチレン層を傷つけない程
度に容易に切断作業ができ、かつ容易に剥離でき、剥離
した後の水架橋ポリエチレン層の表面に残渣や傷が残ら
ないために、水架橋ポリエチレン絶縁層との界面間の剥
離強度が４ｋｇ／０．５ｉｎｃｈ以下。 （８）有機過酸化物による架橋が行われなくとも１２０
℃の加熱変形に耐える耐熱性のために、１２０℃の加熱
変形率が４０％以下。 上記条件を満たす外部半導電性樹脂組成物として、本発
明者等は、先に、エチレン−酢酸ビニル共重合体（これ
は、エチレン−エチルアクリレート共重合体又はエチレ
ン−ブチルアクリレート共重合体で置換してもよく、さ
らにはこれらの１種以上を混合してもよい）、直鎖状エ
チレン−α−オレフィン共重合体、ポリプロピレン、オ
ルガノポリシロキサン、カーボンブラック及び有機過酸
化物からなる樹脂組成物を発明し、特願平１１−１２０
９３７号として特許出願した。この樹脂組成物は、上記
８つの条件を満たしているものの、近年、耐熱性及び引
張強度のレベルが高い物性の外部半導電性樹脂組成物が
要求されてきている。従って、本発明は、本発明者等の
先の発明（特願平１１−１２０９３７号）を更に改良
し、耐熱性及び引張強度のレベルを向上させた水架橋ポ
リエチレン絶縁ケーブルの外部半導電性樹脂組成物を提
供することを課題とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、本発明者
等が先に発明し、特許出願した特願平１１−１２０９３
７号に開示されている水架橋ポリエチレン絶縁電力ケー
ブルの外部半導電層用剥離性半導電性樹脂組成物の耐熱
性レベルを更に向上させたるため、水架橋技術を適用
し、本発明を完成させた。

【０００９】すなわち、本発明の第１の発明は、導体上
に内部から外部に向けて内部半導電層、水架橋ポリエチ
レン絶縁層、外部半導電層及びジャケット層が形成され
ている水架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブルの外部半導
電層として用いる下記（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、
（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）及び（ｇ）成分からなる剥離性
半導電性水架橋性樹脂組成物である。 （ａ）（Ｉ）酢酸ビニル含有量１０〜５０重量％、メル
トマスフローレート１．０〜１００．０ｇ／１０分のエ
チレン−酢酸ビニル共重合体、（ＩＩ）エチルアクリレ
ート含有量１０〜５０重量％、メルトマスフローレート
１．０〜１００．０ｇ／１０分のエチレン−エチルアク
リレート共重合体、並びに（ＩＩＩ）ブチルアクリレー
ト含有量１０〜５０重量％、メルトマスフローレート
１．０〜１００．０ｇ／１０分のエチレン−ブチルアク
リレート共重合体から選ばれた１種あるいは１種以上１
００重量部 （ｂ）メルトマスフローレート０．５〜３０．０ｇ／１
０分、密度０．９００〜０．９２０ｇ／ｃｍ^３のポリプ
ロピレン５〜５０重量部 （ｃ）下記の式（Ａ）

【００１０】

【化３】 （式中、Ｒ^１は脂肪族不飽和炭化水素基、Ｒ^２は脂肪族
不飽和基を含まない非置換または置換１価炭化水素基、
０≦ｘ＜１、０．５＜ｙ＜３、１＜ｘ＋ｙ＜３、０＜ａ
≦１、０．５≦ｂ≦３である。）で表わされるオルガノ
ポリシロキサン２．０〜５０重量部 （ｄ）カーボンブラック６．０〜３５０重量部 （ｅ）不飽和アルコキシシラン０．５〜２０重量部 （ｆ）有機過酸化物０．０５〜４．０重量部 （ｇ）シラノール縮合触媒０．０１〜２０重量部

【００１１】また、本発明の第２の発明は、導体上に内
部から外部に向けて内部半導電層、水架橋ポリエチレン
絶縁層、外部半導電層及びジャケット層が形成されてい
る水架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブルの外部半導電層
として用いる下記（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、
（ｅ）、（ｆ）、（ｇ）及び（ｈ）成分からなる剥離性
半導電性水架橋性樹脂組成物である。 （ａ）（Ｉ）酢酸ビニル含有量１０〜５０重量％、メル
トマスフローレート１．０〜１００．０ｇ／１０分のエ
チレン−酢酸ビニル共重合体、（ＩＩ）エチルアクリレ
ート含有量１０〜５０重量％、メルトマスフローレート
１．０〜１００．０ｇ／１０分のエチレン−エチルアク
リレート共重合体、並びに（ＩＩＩ）ブチルアクリレー
ト含有量１０〜５０重量％、メルトマスフローレート
１．０〜１００．０ｇ／１０分のエチレン−ブチルアク
リレート共重合体から選ばれた１種あるいは１種以上１
００重量部 （ｂ）メルトマスフローレート０．５〜３０．０ｇ／１
０分、密度０．９００〜０．９２０ｇ／ｃｍ^３のポリプ
ロピレン５〜５０重量部 （ｃ）下記の式（Ａ）

【００１２】

【化４】 （式中、Ｒ^１は脂肪族不飽和炭化水素基、Ｒ^２は脂肪族
不飽和基を含まない非置換または置換１価炭化水素基、
０≦ｘ＜１、０．５＜ｙ＜３、１＜ｘ＋ｙ＜３、０＜ａ
≦１、０．５≦ｂ≦３である。）で表わされるオルガノ
ポリシロキサン２．０〜５０重量部 （ｄ）カーボンブラック６．０〜３５０×（１＋Ｑ／１
００）重量部 （ｅ）不飽和アルコキシシラン０．５〜２０×（１＋Ｑ
／１００）重量部 （ｆ）有機過酸化物０．０５〜４．０×（１＋Ｑ／１０
０）重量部 （ｇ）シラノール縮合触媒０．０１〜２０×（１＋Ｑ／
１００）重量部 （ｈ）メルトマスフローレート０．１〜３０．０ｇ／１
０分、密度０．８７０〜０．９４４ｇ／ｃｍ^３の直鎖状
エチレン−α−オレフィン共重合体０〜２００重量部 （但し、Ｑは（ｈ）成分の配合量（重量部）である。）

【００１３】また、本発明の第３の発明は、上記第１の
発明において、（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）からなる樹脂
組成物と（ｄ）のカーボンブラック成分を１５０〜２０
０℃で加熱混練し、これに（ｅ）の不飽和アルコキシシ
ラン、（ｆ）の有機過酸化物及び（ｇ）のシラノール縮
合触媒を配合し、次いで、２００〜２５０℃で加熱混練
し不飽和アルコキシシランを樹脂成分にグラフトさせて
作った、導体上に内部から外部に向けて内部半導電層、
水架橋ポリエチレン絶縁層、外部半導電層及びジャケッ
ト層が形成されている水架橋ポリエチレン絶縁電力ケー
ブルの外部半導電層として用いる剥離性半導電性水架橋
性樹脂組成物である。

【００１４】さらに、本発明の第４の発明は、上記第２
の発明において、（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及び（ｈ）か
らなる樹脂組成物と（ｄ）のカーボンブラック成分を１
５０〜２００℃で加熱混練し、これに（ｅ）の不飽和ア
ルコキシシラン、（ｆ）の有機過酸化物及び（ｇ）のシ
ラノール縮合触媒を配合し、次いで、２００〜２５０℃
で加熱混練し不飽和アルコキシシランを樹脂成分にグラ
フトさせて作った、導体上に内部から外部に向けて内部
半導電層、水架橋ポリエチレン絶縁層、外部半導電層及
びジャケット層が形成されている水架橋ポリエチレン絶
縁電力ケーブルの外部半導電層として用いる剥離性半導
電性水架橋性樹脂組成物である。

【００１５】さらに、本発明の第５の発明は、導体上に
内部半導電層用樹脂組成物、水架橋性ポリエチレン絶縁
層用樹脂組成物及び上記第１〜第４の発明のいずれかの
剥離性半導電性水架橋性樹脂組成物を順次被覆する工程
において、上記内部半導電層用樹脂組成物及び水架橋性
ポリエチレン絶縁層用樹脂組成物を被覆する工程が二層
同時押出装置により行われ、かつ、該水架橋性ポリエチ
レン絶縁層用樹脂組成物は、モノシル方式で絶縁層押出
機中で調製され、次いで上記剥離性半導電性水架橋性樹
脂組成物を被覆する工程を行うことを特徴とする水架橋
ポリエチレン絶縁電力ケーブルの製造方法である。

【００１６】さらに、本発明の第６の発明は、導体上に
内部半導電層用樹脂組成物、水架橋性ポリエチレン絶縁
層用樹脂組成物及び上記第１〜第４の発明のいずれかの
剥離性半導電性水架橋性樹脂組成物を順次被覆する工程
が三層同時押出装置により行われ、かつ、該水架橋性ポ
リエチレン絶縁層用樹脂組成物は、モノシル方式で三層
同時押出装置の絶縁層押出機中で調製されることを特徴
とする水架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブルの製造方法
である。

【００１７】さらに、本発明の第７の発明は、上記第５
あるいは第６の発明の方法によって製造される水架橋ポ
リエチレン絶縁電力ケーブルである。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。 １．導体及び内部半導電層 本発明で用いられる導体及び内部半電層は、通常水架橋
ポリエチレン絶縁電線において使用されるものならば何
でもよい。それらのうち、導体としては、例えば、軟
銅、半硬銅、硬銅、アルミニウム等を素材とする導体や
撚線導体等が好ましい。また、内部半導電層としては、
例えば、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−エ
チルアクリレート共重合体等のポリエチレン系共重合体
にカーボンブラック等を配合したものが好ましい。ポリ
エチレン系共重合体が内部半導電層に好んで用いられる
理由は、内部半導電層を半導電性とする上で、大量のカ
ーボンブラックを配合する必要があるが、ポリエチレン
系共重合体が他の樹脂に比べてカーボンブラックとの混
和性や分散性に優れ、かつ、導体や絶縁層との密着性に
すぐれているためである。内部半導電層の役目は、電位
傾向の改善や同電位化を図り、耐電圧性能を向上させる
ことであり、その結果、屋外電線の長寿命化が計られ
る。

【００１９】内部半導電層用に配合されるカーボンブラ
ックとしては、ファーネスブラック、アセチレンブラッ
ク、ケッチェンブラック等の導電性のものが挙げられ
る。カーボンブラックの配合量は、ポリエチレン系共重
合体１００重量部に対してカーボンブラック８〜３５０
重量部である。カーボンブラックの配合量が８重量部未
満であると、たとえ良導電性のケッチェンブラックを使
用しても、導電性能が不足し、一方、カーボンブラック
の配合量が３５０重量部を超えると、経済性が悪くなる
上、押出性、表面特性等が悪くなり望ましくない。

【００２０】２．水架橋ポリエチレン絶縁層 本発明で用いられる水架橋ポリエチレン絶縁層は、ポリ
エチレン系樹脂、不飽和アルコキシシラン、有機過酸化
物、酸化防止剤、シラノール縮合触媒、その他の添加剤
等を絶縁層押出機に投入し、これらの成分のすべてを押
出機の胴部の最初の部分で混合し、混合が完了したなら
ば、該混合物を同一押出機の胴部の次の部分で不飽和ア
ルコキシシランがポリエチレン系樹脂にグラフト反応を
完了するまで約２１０〜２５０℃の高温で加熱混練し、
アルコキシシラン変性ポリエチレン系樹脂とし、これと
上記の酸化防止剤、シラノール縮合触媒、その他の添加
剤を同一押出機の胴部の最後の部分で均一に加熱混練
し、ダイより押出し、水架橋性ポリエチレン絶縁層と
し、その後水（高温の水蒸気又は温水、熱水）と反応さ
せることにより形成される。上記の方法は、モノシル法
（Ｍｏｎｏｓｉｌ ｐｒｏｃｅｓｓ）といわれ、この方
法自体は公知の方法であり特公昭５８−２５５８３号公
報に詳細に説明されている。

【００２１】上記ポリエチレン系樹脂としては、高圧法
低密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、中密度ポリ
エチレン、直鎖状低密度エチレン−α−オレフィン共重
合体、直鎖状超低密度エチレン−α−オレフィン共重合
体、メタロセン触媒によって製造されたエチレン−α−
オレフィン共重合体等が挙げられる。

【００２２】上記不飽和アルコキシシランとしては、一
般式： ＲＲ’ＳｉＹ_２ （式中、Ｒは、ポリエチレン系樹脂中に
発生した遊離ラジカルと反応性を有する 脂肪族不飽和炭化水素基またはハイドロカーボンオキシ
基、Ｙはアルコキシ基、Ｒ’は水素原子またはオレフィ
ン性不飽和基を含まない一価の炭化水素基を表す。）で
表されるアルコキシシラン化合物である。式中、Ｒの脂
肪族不飽和炭化水素基としては、例えばビニル基、アリ
ル基、ブテニル基、シクロヘキセニル基またはシクロペ
ンタジエニル基が挙げられ、ビニル基が特に好ましい。
Ｙは、例えばメトキシ基、エトキシ基またはブトキシ基
が挙げられる。好適な不飽和アルコキシシランは、γ−
メタアクリロイルオキシプロピルトリメトキシシラン、
ビニルトリエトキシシランおよびビニルトリメトキシシ
ランである。不飽和アルコキシシランの使用量は、ポリ
エチレン系樹脂１００重量部を基準として０．５〜２０
重量部が好ましい。

【００２３】上記有機過酸化物としては例えば、ジクミ
ルパーオキシド、ジ−ｔ−ブチルパーオキシド、２，５
−ジ（パーオキシベンゾエート）ヘキシン−３等が使用
される。有機過酸化物の使用量はポリエチレン系樹脂１
００重量部を基準として０．０１〜４．０重量部が好ま
しい。

【００２４】上記酸化防止剤としては、フェノール系酸
化防止剤、リン系酸化防止剤、イオウ系酸化防止剤等が
挙げられ、酸化防止剤の使用量は、ポリエチレン系樹脂
１００重量部を基準として、０．００１〜５重量部程度
である。

【００２５】上記シラノール縮合触媒は、シリコーンの
シラノール間の脱水縮合を促進する触媒として使用され
るものであり、その例としては、ジブチル錫ジラウレー
ト、ジブチル錫ジアセテート、ジブチル錫ジオリテー
ト、酢酸第一錫、ナフテン酸鉛、ナフテン酸コバルト、
カプリル酸亜鉛、２−エチルヘキサン酸鉄、チタン酸エ
ステル、チタン酸テトラブチルエステル、チタン酸テト
ラノニルエステル、ビス（アセチルアセトニトリル）ジ
−イソプロピルチタン−エチルアミン、ヘキシルアミ
ン、ジブチルアミン、ピリジン等が挙げられる。このシ
ラノール縮合触媒の配合量は、ポリエチレン系樹脂１０
０重量部に対して０．００１〜１０重量部程度であり、
０．００５〜５重量部が好ましい。

【００２６】なお、ポリエチレン系樹脂に不飽和アルコ
キシシラン及び／又は有機過酸化物を予め含浸させたも
の、ポリエチレン系樹脂に酸化防止剤及び／又はシラノ
ール縮合触媒を予め含浸させたもの等から選択して絶縁
層押出機に投入してもよい。

【００２７】本発明で用いる水架橋ポリエチレン絶縁層
の他の形成方法としては、不飽和アルコキシシラングラ
フト水架橋性ポリエチレン組成物を他の押出機で上記し
たモノシル方法又は２工程Ｓｉｏｐｌａｓ方法（不飽和
アルコキシシランをグラフトしたポリエチレン系樹脂を
押出機で製造し、これに酸化防止剤、カーボンブラッ
ク、シラノール縮合触媒等を直接配合するか、マスター
バッチとして配合した水架橋性ポリエチレン樹脂組成物
の製法）で準備し絶縁層押出機に投入し、被覆する方法
がある。上記の水架橋ポリエチレン絶縁層の形成方法は
内部半導電層、水架橋ポリエチレン層及び外部半導電層
を、順次押出被覆してもよいし、又は二層又は三層を同
時押出し被覆（以降、コモン三層押出と略称することも
ある。）モノシル方法と三層同時押出方法を併用した場
合が、コストが低く最も品質のよい水架橋ポリエチレン
絶縁電力ケーブルが得られる。本発明の剥離性半導電性
樹脂組成物は上記した水架橋ポリエチレン絶縁電力ケー
ブルの各種製造方法で得られた電力ケーブルの外部半導
電層として有効であるが、特に三層同時押出方法による
電力ケーブルにおいて、最も効果を発現する。

【００２８】３．外部半導電層 （１）剥離性半導電性樹脂組成物の成分 本発明の外部半導電層用剥離性半導電性樹脂組成物は、
次の（ａ）〜（ｇ）成分からなる。 （ａ）（Ｉ）エチレン−酢酸ビニル共重合体、（ＩＩ）
エチレン−エチルアクリレート共重合体、並びに（ＩＩ
Ｉ）エチレン−ブチルアクリレート共重合体から選ばれ
た１種あるいは１種以上の成分 （Ｉ）エチレン−酢酸ビニル共重合体 本発明で用いるエチレン−酢酸ビニル共重合体は、酢酸
ビニル含有量１０〜５０重量％、好ましくは１５〜４０
重量％、メルトマスフローレート１．０〜１００．０ｇ
／１０分の特性をもつ。酢酸ビニル含有量が１０重量％
未満であると、剥離性、柔軟性、伸び、カーボンブラッ
ク充填性が悪くなり、界面状態、加工性等が悪くなり界
面から水トリー、電気トリーが発生し電力ケーブルの寿
命が短かくなり望ましくなく、５０重量％を超えると引
張強度が弱くなり、剥離作業がうまく行かず、これを用
いて製造されたケーブルは、表面同士がくっつき望まし
くない。また、メルトマスフローレートが１．０ｇ／１
０分未満であると、加工性、柔軟性、伸び等が不十分で
あり、１００．０ｇ／１０分を超えると、引張強度、耐
熱性等が悪くなり望ましくない。

【００２９】（ＩＩ）エチレン−エチルアクリレート共
重合体 本発明で用いるエチレン−エチルアクリレート共重合体
は、エチルアクリレート含有量１０〜５０重量％、好ま
しくは１５〜４０重量％、メルトマスフローレート１．
０〜１００．０ｇ／１０分の特性をもつ。エチルアクリ
レート含有量が１０重量％未満であると、剥離性、柔軟
性、伸び、カーボンブラック充填性が悪くなり、界面状
態、加工性等が悪くなり界面から水トリー、電気トリー
が発生し電力ケーブルの寿命が短かくなり望ましくな
く、５０重量％を超えたエチレン−エチルアクリレート
共重合体は物性的には問題ないが製造が極めて困難であ
る。また、メルトマスフローレートが１．０ｇ／１０分
未満であると、加工性、柔軟性、伸び等が不十分であ
り、１００．０ｇ／１０分を超えると、引張強度、耐熱
性等が悪くなり望ましくない。

【００３０】（ＩＩＩ）エチレン−ブチルアクリレート
共重合体 本発明で用いるエチレン−ブチルアクリレート共重合体
は、ブチルアクリレート含有量１０〜５０重量％、好ま
しくは１５〜４０重量％、メルトマスフローレート１．
０〜１００．０ｇ／１０分の特性をもつ。ブチルアクリ
レート含有量が１０重量％未満であると、剥離性、柔軟
性、伸び、カーボンブラック充填性が悪くなり、界面状
態、加工性等が悪くなり界面から水トリー、電気トリー
が発生し電力ケーブルの寿命が短かくなり望ましくな
く、５０重量％を超えたエチレン−ブチルアクリレート
共重合体は物性的には問題ないが製造が極めて困難であ
る。また、メルトマスフローレートが１．０ｇ／１０分
未満であると、加工性、柔軟性、伸び等が不十分であ
り、１００．０ｇ／１０分を超えると、引張強度、耐熱
性等が悪くなり望ましくない。

【００３１】さらに、本発明の（ａ）成分としては、上
記（Ｉ）エチレン−酢酸ビニル共重合体、（ＩＩ）エチ
レン−エチルアクリレート共重合体、並びに（ＩＩＩ）
エチレン−ブチルアクリレート共重合体から選ばれた１
種あるいは１種以上をブレンドしたものを用いることが
できる。

【００３２】（ｂ）ポリプロピレン成分 （ｂ）成分は、メルトマスフローレート０．５〜３０．
０ｇ／１０分、密度０．９００〜０．９２０ｇ／ｃｍ^３
のポリプロピレンで、外部半導電層に耐熱性と剥離性を
付与するために使用する。（ｂ）成分のメルトマスフロ
ーレートが０．５ｇ／１０分未満であると、加工性が悪
く、３０．０ｇ／１０分を超えると、引張り強度が弱く
なり望ましくない。また、密度が０．９００ｇ／ｃｍ^３
未満のものは、耐熱性が悪くなり望ましくなく、０．９
２０ｇ／ｃｍ^３を超えるものは柔軟性が悪くなり望まし
くない。（ｂ）成分の使用量は、（ａ）成分１００重量
部に対して、５〜５０重量部、好ましくは１５〜３０重
量部である。（ｂ）成分の使用量が５重量部未満である
と、耐熱性や剥離性が不十分となり、５０重量部を超え
ると、柔軟性、耐寒性、カーボンブラックの充填性が悪
くなり望ましくない。本発明で使用するポリプロピレン
は、上記物性の範囲のものであれば、プロピレン単独重
合体であっても、プロピレンとエチレン又は他のオレフ
ィンとの共重合体であってもよい。

【００３３】（ｃ）オルガノポリシロキサン成分 （ｃ）成分は、下記の式（Ａ）

【００３４】

【化５】 （式中、Ｒ^１は脂肪族不飽和炭化水素基、Ｒ^２は脂肪族
不飽和基を含まない非置換または置換１価炭化水素基、
０≦ｘ＜１、０．５＜ｙ＜３、１＜ｘ＋ｙ＜３、０＜ａ
≦１、０．５≦ｂ≦３である。）で表わされるオルガノ
ポリシロキサンを含むものである。前記式（Ａ）で表さ
れるオルガノポリシロキサンにおいて、Ｒ^１としては、
例えばビニル基、アリル基、アクリル基、メタクリル基
などを、またＲ^２基としては、メチル基、エチル基、プ
ロピル基などのアルキル基、フェニル基、トリル基など
のアリール基、シクロヘキシル基、シクロブチル基など
のシクロアルキル基や、これら炭化水素基の炭素原子に
結合した水素を部分的にハロゲン原子、シアノ基、メル
カプト基などで置換した基などをそれぞれ挙げることが
でき、これらはその同種又は異種の組み合わせでもよ
い。また、ａが０であるとエチレン系樹脂との反応が起
こらず望ましくないし、また１を超えると本発明の組成
物が硬くなりすぎ、柔軟性、加工性が低下し望ましくな
い。ｂは０．５以上で、３以下であることが必要であ
り、好ましくは１〜２である。ｙが０．５以下であると
本発明の組成物の混練が困難で加工性が低下するし、３
以上であると本発明の組成物より製造されたケーブルが
硬くなりすぎて望ましくない。

【００３５】本発明において使用されるオルガノポリシ
ロキサンの分子構造は式（Ａ）の範囲内であれば、直鎖
状、分岐鎖状、環状、網状、立体網状などのいずれのも
のであってもよいが、鎖状のものが好適である。このオ
ルガノポリシロキサンの重合度は特に限定されないが、
エチレン系樹脂との混練に支障をきたさない程度の重合
度が必要であり、２５０以上の重合度が望ましい。本発
明において使用されるオルガノポリシロキサンとして
は、例えば、シリコーンゴムの引き裂き強度改良材とし
て市販されているいわゆるシリコーンガムストックが挙
げられる。また、本発明で使用される直鎖状のオルガノ
ポリシロキサンは、次式（Ｂ）

【００３６】

【化６】 （式中、Ｒは非置換または置換１価炭化水素基を表し、
ｎは１０以上の数を表す。）で表され、一般にシリコー
ンオイルと呼称されるものである。該式中のＲは、アル
キル基、アリール基、及び水素から選ばれる基であり、
メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル
基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基、フェ
ニル基、水素が代表的なものであるが、全ての基が同一
基であっても、一部のＲが別の基であってもよく、Ｒの
一部がビニル基、水酸基であってもよい。ｎは１０〜１
００００であり、１００〜１０００が好適である。ｎが
１０未満であるとポリエチレンとの混練が困難であり、
ｎが１００００を超えると成形が困難となり望ましくな
い。

【００３７】本発明で使用される式（Ｂ）のオルガノポ
リシロキサン系重合体の２３℃における粘度は、１０ｃ
Ｓｔ以上、好ましくは１，０００〜１，０００，０００
ｃＳｔのものが望ましい。１０ｃＳｔ未満の粘度の場
合、加熱混練が難しく、また成形品の表面からオルガノ
ポリシロキサン系重合体が滲み出す場合もある。オルガ
ノポリシロキサンの使用量は、（ａ）成分１００重量部
に対して、２．０〜５０重量部、好ましくは２〜１０重
量部である。オルガノポリシロキサンの使用量が２．０
重量部未満であると剥離性が発現せず、５０重量部を超
えると、加工性、引張強度等が低下し望ましくない。

【００３８】（ｄ）カーボンブラック成分 （ｄ）成分は、カーボンブラック、例えば、ファーネス
ブラック、アセチレンブラック及びケッチェンブラック
等であり、これらの中ではケッチェンブラックが特に望
ましい。ケッチェンブラックは、オランダのＡＫＺＯ
ＮＯＢＥＬ社で開発された導電性の非常にすぐれたカー
ボンブラックであり、ケッチェンブラックＥＣとケッチ
ェンブラックＥＣ６００ＪＤの２種類があり、ケッチェ
ンブラックＥＣは従来の導電性カーボンブラックに比べ
１／２〜１／３の添加剤で同等の導電性が得られるの
で、半導電性樹脂組成物の引張強度、加工性、柔軟性、
伸び、界面での平滑性等の物性に大きな影響を与えるこ
となく混練による導電性能の低下が少なく、良好な品質
の半導電性樹脂組成物の提供を可能ならしめる。カーボ
ンブラックの使用量は、（ａ）成分１００重量部に対し
て、本発明の第１の発明の場合、６．０〜３５０重量
部、好ましくは４０〜３００重量部であり、本発明の第
２の発明の場合、６．０〜３５０×（１＋Ｑ／１００）
重量部、好ましくは４０〜３００×（１＋Ｑ／１００）
重量部である。なお、ここでＱは（ｈ）成分の配合量
（重量部）を示し、以下も同様である。カーボンブラッ
クの使用量が６．０重量部未満であると、電力ケーブル
の外部半導電層として必要な体積固有抵抗値が１００Ω
・ｃｍ以上となり望ましくない。一方、上記の上限値を
超えると、外部半導電層の界面平滑性、引張強度、加工
性、柔軟性、伸び等が低下し、望ましくない。

【００３９】（ｅ）不飽和アルコキシシラン成分 （ｅ）成分の不飽和アルコキシシランとしては、一般
式： ＲＲ’ＳｉＹ_２ （式中、Ｒは、ポリエチレン系樹脂中に発生した遊離ラ
ジカルと反応性を有する脂肪族不飽和炭化水素基または
ハイドロカーボンオキシ基、Ｙはアルコキシ基、Ｒ’は
水素原子またはオレフィン性不飽和基を含まない一価の
炭化水素基を表す。）で表されるアルコキシシラン化合
物である。式中、Ｒの脂肪族不飽和炭化水素基として
は、例えばビニル基、アリル基、ブテニル基、シクロヘ
キセニル基またはシクロペンタジエニル基が挙げられ、
ビニル基が特に好ましい。Ｙは、例えばメトキシ基、エ
トキシ基またはブトキシ基が挙げられる。好適な不飽和
アルコキシシランは、γ−メタアクリロイルオキシプロ
ピルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシランお
よびビニルトリメトキシシランである。不飽和アルコキ
シシランの使用量は、（ａ）成分１００重量部に対し
て、本発明の第１の発明の場合、０．５〜２０重量部、
好ましくは０．５〜５．０重量部であり、本発明の第２
の発明の場合、０．５〜２０×（１＋Ｑ／１００）重量
部、好ましくは０．５〜５．０×（１＋Ｑ／１００）重
量部である。不飽和アルコキシシランの使用量が０．５
重量部未満であると、外部半導電層の架橋度が低くな
り、耐熱性、引張強度が不十分となる。一方、上記の上
限値をを超えて多量配合しても架橋度の向上が顕著に表
れないばかりか、絶縁層と外部半導電層との間でガス化
し、ボイドを発生させケーブルの品質を悪くし、更に、
不飽和アルコキしシランは高価であるのでコストアップ
となり、望ましくない。

【００４０】（ｆ）有機過酸化物成分 （ｆ）成分の有機過酸化物は、加熱反応条件下におい
て、樹脂成分に遊離ラジカル部位を生成させるものであ
り、反応温度において６分より短い半減期、好ましくは
１分より短い半減期を有する任意の化合物を使用でき
る。有機過酸化物の代表的なものとしては、下記のもの
が挙げられる。ただし括弧内の数字は、分解温度（℃）
である。コハク酸パーオキシド（１１０）、ベンゾイル
パーオキシド（１１０）、ｔ−ブチルパーオキシ−２−
エチルヘキサノエート（１１３）、ｐ−クロロベンゾイ
ルパーオキシド（１１５）、ｔ−ブチルパーオキシイソ
ブチレート（１１５）、ｔ−ブチルパーオキシイソプロ
ピルカーボネート（１３５）、ｔ−ブチルパーオキシウ
ラレート（１４０）、２，５−ジメチル−２，５−ジ
（ベンゾイルパーオキシ）ヘキサン（１４０）、ｔ−ブ
チルパーオキシアセテート（１４０）、ジ−ｔ−ブチル
ジパーオキシフタレート（１４０）、ｔ−ブチルパーオ
キシベンゾエート（１４５）、ジクミルパーオキシド
（１５０）、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチ
ルパーオキシ）ヘキサン（１５５）、ｔ−ブチルクミル
パーオキシド（１５５）、ｔ−ブチルヒドロパーオキシ
ド（１５８）、ジ−ｔ−ブチルパーオキシド（１６
０）、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパー
オキシ）ヘキシン−３（１７０）、ジ−イソプロピルベ
ンゼンヒドロパーオキシド（１７０）、ｐ−メンタンヒ
ドロパーオキシド（１８０）、２，５−ジメチルヘキサ
ン−２，５−ジヒドロパーオキシド（２１３）、クメン
ヒドロパーオキシド（１４９）。これらの中では、ジク
ミルパーオキシド、２，５−ジメチル−２，５（ｔ−ブ
チルパーオキシ）ヘキサン、クメンヒドロパーオキシド
等が望ましい。有機過酸化物の使用量は、（ａ）成分１
００重量部に対して、本発明の第１の発明の場合、０．
０５〜４．０重量部、好ましくは０．０５〜２．０重量
部であり、本発明の第２の発明の場合、０．０５〜４．
０×（１＋Ｑ／１００）重量部、好ましくは０．０５〜
２．０×（１＋Ｑ／１００）重量部である。有機過酸化
物の使用量が０．０５重量部未満であると、不飽和アル
コキシシランを樹脂成分にグラフトさせる率が低くな
り、架橋度が不足し、外部半導電層の耐熱性、引張強度
が不十分となる。一方、上記の上限値を超えて多量配合
すると、ゲルを発生し、表面が平滑な外部半導電層が得
られなく、界面から水トリー、電気トリーを発生させ、
電力ケーブルの寿命を短かくし望ましくない。

【００４１】（ｇ）シラノール縮合触媒成分 （ｇ）成分のシラノール縮合触媒は、本発明の樹脂成分
にグラフトされた不飽和アルコキシシラン同士を加水分
解し、脱水縮合反応を促進する触媒であり、その例とし
ては、ジブチル錫ジラウレート、ジブチル錫ジアセテー
ト、ジブチル錫ジオリテート、酢酸第一錫、ナフテン酸
鉛、ナフテン酸コバルト、カプリル酸亜鉛、２−エチル
ヘキサン酸鉄、チタン酸エステル、チタン酸テトラブチ
ルエステル、チタン酸テトラノニルエステル、ビス（ア
セチルアセトニトリル）ジ−イソプロピルチタン−エチ
ルアミン、ヘキシルアミン、ジブチルアミン、ピリジン
等が挙げられる。このシラノール縮合触媒の使用量は、
（ａ）成分１００重量部に対して、本発明の第１の発明
の場合、０．０１〜２０重量部、好ましくは０．５〜３
重量部であり、本発明の第２の発明の場合、０．０１〜
２０×（１＋Ｑ／１００）重量部、好ましくは０．５〜
３×（１＋Ｑ／１００）重量部であである。シラノール
縮合触媒の使用量が０．０１重量部未満であると、水架
橋反応が促進されず、一方、上記の上限値を超えて使用
しても、水架橋反応が顕著に向上するものでなく、かえ
って外部半導電層の電気的特性を悪化させ、望ましくな
い。

【００４２】（ｈ）直鎖状エチレン−α−オレフィン共
重合体成分 （ｈ）成分は、必要に応じて配合される成分であり、メ
ルトマスフローレート０．１〜３０．０ｇ／１０分、密
度０．８７０〜０．９４４ｇ／ｃｍ^３の直鎖状エチレン
−α−オレフィン共重合体である。（ｈ）成分を配合す
ると、１２０℃以上の加熱変形耐性が更に増し、また、
外部半導電層の高温度での押出加工を更に良くする効果
がある。（ｈ）成分のメルトマスフローレートが０．１
ｇ／１０分未満であると、加工性が悪くなり、３０．０
ｇ／１０分を超えると引張り強度が弱くなり、望ましく
ない。また、密度が０．８７０ｇ／ｃｍ^３未満である
と、耐加熱変形性の向上効果がなくなり、０．９４４ｇ
／ｃｍ^３を超えると、柔軟性がなくなり望ましくない。
（ｈ）成分の使用量は、（ａ）成分１００重量部に対し
て、０〜２００重量部、好ましくは５０〜２００重量部
である。（ｈ）成分の使用量が０重量部より増加するほ
ど、例えば好ましくは５０重量部以上配合すると、外部
半導電層の１２０℃の加熱変形耐性は良くなるが、２０
０重量部を超えると、柔軟性、伸び、カーボンブラック
充填性が悪くなり望ましくない。

【００４３】（ｈ）成分の直鎖状エチレン−α−オレフ
ィン共重合体の例としては、マルチサイト触媒又はシン
グルサイト触媒で製造されたエチレン−α−オレフィン
共重合体が挙げられる。α−オレフィンとしては、プロ
ピレン、ブテン−１、ヘキセン−１、４−メチル−ペン
テン−１、オクテン−１、ノネン−１、デセン−１等が
選択して使用される。

【００４４】（ｉ）その他の成分 本発明においては、上記（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、
（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）、（ｇ）及び（ｈ）成分以外に
必要に応じて、（ｉ）その他の成分として、本発明の特
性を損なわない範囲で、その目的に応じて、架橋助剤、
老化防止剤、加工助剤、他のポリオレフィン系樹脂、熱
可塑性エラストマー、天然ゴム、合成ゴム等を使用して
もよい。

【００４５】（２）樹脂組成物の製造 上記（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、
（ｆ）、（ｇ）及び必要に応じて（ｈ）及び（ｉ）成分
は、例えば下記の順番、組合せでグラフト反応、配合、
ソーキング等を行って製造することができる。

【００４６】（イ）（ａ）から選択された樹脂成分、
（ｂ）、（ｃ）からなる樹脂成分、任意樹脂成分として
の（ｈ）、カーボンブラック（ｄ）を押出機又はバンバ
リーで１５０〜２００℃で加熱混練し、これに不飽和ア
ルコキシシラン（ｅ）、有機過酸化物（ｆ）及びシラノ
ール縮合触媒（ｇ）を配合し、次いで２００〜２５０℃
で加熱混練し、不飽和アルコキシシランを樹脂成分にグ
ラフトし、かつカーボンブラック（ｄ）とシラノール縮
合触媒（ｇ）を樹脂成分中に均一に配合する方法。

【００４７】（ロ）（ａ）から選択された樹脂成分、
（ｂ）、（ｃ）からなる樹脂成分、任意樹脂成分として
の（ｈ）、カーボンブラック（ｄ）及びシラノール縮合
触媒（ｇ）を押出機又はバンバリーで１５０〜２００℃
で加熱混練し、これに不飽和アルコキシシラン（ｅ）及
び有機過酸化物（ｆ）を配合し、次いで２００〜２５０
℃で加熱混練し、不飽和アルコキシシランを樹脂成分に
グラフトし、かつカーボンブラック（ｄ）とシラノール
縮合触媒（ｇ）を樹脂成分中に均一に配合する方法。

【００４８】（ハ）（ａ）から選択された樹脂成分、
（ｂ）、（ｃ）からなる樹脂成分、任意樹脂成分として
の（ｈ）を押出機又はバンバリーで１５０〜２００℃で
加熱混練し、これに不飽和アルコキシシラン（ｅ）及び
有機過酸化物（ｆ）を配合し、次いで２００〜２５０℃
で加熱混練し、不飽和アルコキシシランを樹脂成分にグ
ラフトして得た水架橋性不飽和アルコキシシラングラフ
ト樹脂を準備する。一方、カーボンブラック（ｄ）のマ
スターバッチ及びシラノール縮合触媒（ｇ）のマスター
バッチを準備する。外部半導電層を製造するとき、上記
３成分を外部半導電層用押出機のホッパーに投入する。

【００４９】（ニ）（ａ）から選択された樹脂成分、
（ｂ）、（ｃ）からなる樹脂成分、任意樹脂成分として
の（ｈ）に、不飽和アルコキシシラン（ｅ）をソーキン
グさせた樹脂及び、（ａ）から選択された樹脂成分に、
有機過酸化物（ｆ）をソーキングさせた樹脂を押出機又
はバンバリーで２００〜２５０℃で加熱混練し、不飽和
アルコキシシランを樹脂成分にグラフトして得た水架橋
性不飽和アルコキシシラングラフト樹脂を準備する。一
方、カーボンブラック（ｄ）のマスターバッチ及びシラ
ノール縮合触媒（ｇ）のマスターバッチを準備する。外
部半導電層を製造するとき、上記３成分を外部半導電層
用押出機のホッパーに投入する。

【００５０】（ホ）（ａ）から選択された樹脂成分、
（ｂ）、（ｃ）からなる樹脂成分、任意樹脂成分として
の（ｈ）、カーボンブラック（ｄ）のマスターバッチ、
不飽和アルコキシシラン（ｅ）、有機過酸化物（ｆ）及
びシラノール縮合触媒（ｇ）を同時に外部半導電層用押
出機のホッパーに投入する。

【００５１】（ヘ）上記（イ）、（ロ）、（ハ）、
（ニ）及び（ホ）において、酸化防止剤（ｉ）をそのま
ま、又はマスターバッチ、又は不飽和アルコキシシラン
（ｅ）及び有機過酸化物（ｆ）とのミックスチャー（混
合物）として、他の成分に配合する方法。

【００５２】４．ジャケット層 本発明の水架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブルのジャケ
ット層は、通常ポリ塩化ビニル樹脂組成物を外部半導電
層上に押出被覆して形成される。ジャケット層の形成
は、内部半導電層、水架橋ポリエチレン絶縁層及び外部
半導電層をコモン三層押出して、その後その上にポリ塩
化ビニル樹脂組成物を押出被覆する。

【００５３】５．水架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブル 本発明の水架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブルは、導体
上に内部半導電層用樹脂組成物、水架橋性ポリエチレン
絶縁層用樹脂組成物及び外部剥離性半導電性水架橋性樹
脂組成物を順次被覆する工程により作ることができる。
これには、上記内部半導電層用樹脂組成物及び水架橋性
ポリエチレン絶縁用樹脂組成物を二層同時押出装置によ
り二層同時に押出被覆し、次いで外部剥離性半導電性水
架橋性樹脂組成物を被覆し、水蒸気または熱水と接触さ
せて水架橋反応を起こさせ水架橋ポリエチレン絶縁層を
形成させるタンデム方式、あるいは上記内部半導電層用
樹脂組成物、水架橋静ポリエチレン絶縁層用樹脂組成物
及び外部剥離性半導電性水架橋性樹脂組成物を三層同時
押出装置により三相同時に押出被覆し、水蒸気または熱
水と接触させて水架橋反応を起こさせ水架橋ポリエチレ
ン絶縁層を形成させるコモン三層押出しで被覆し、その
後ジャケット層を押出被覆することによってつくられ
る。

【００５４】

【実施例】以下、本発明の実施例を示すが本発明はこれ
に限定されるものではない。なお、実施例における試験
方法は以下の通りである。 （１）界面平滑性：水架橋ポリエチレン絶縁層と外部半
導電層との界面を目視で判断した。 （２）外部半導電層の加熱変形率：外部半導電層の１２
０℃での耐熱性をＪＩＳＣ３００５の加熱変形試験法に
準拠して、下記の方法で測定した。 （イ）試験片の作製 外部半導電層用剥離性半導電性水架橋性樹脂組成物を２
２０℃で加熱混練し、熱プレス成形機で厚さ２．０ｍ
ｍ、長さ１５０ｍｍ、幅１８０ｍｍのシートを得て、こ
れを、幅１５ｍｍ、長さ３０ｍｍに打ち抜き試験片とし
た。 （ロ）測定方法 直径５ｍｍの半円状の棒の半円部に試験片を載せ、試験
片の上に平行板を重ね、１２０℃のオーブン中に入れ３
０分間加熱した後、２ｋｇの圧力を平行板の上から加え
３０分経過後、試験片の厚さを測定して、厚さの減少率
を測定した。 （３）外部半導電層の剥離テスト：下記の方法で行っ
た。 （イ）試験片の作製 水架橋性ポリエチレン樹脂組成物を２２０℃で加熱混練
し、熱プレス成形機で厚さ１．５ｍｍ、長さ１５０ｍ
ｍ、幅１８０ｍｍのシートを得た。一方、外部半導電層
用剥離性半導電性水架橋性樹脂組成物を２００℃で加熱
混練し、熱プレス成形機で厚さ２．０ｍｍ、長さ１５０
ｍｍ、幅１８０ｍｍのシートを得た。両シートを１８０
℃の温度、１５ＭＰａの圧力で一体化し、３ｍｍのシー
トとし、８０℃、水蒸気中で２４時間水架橋を行った。
この二層シートから幅１２．７ｍｍ、長さ１２０ｍｍの
試験片を打ち抜き試験片とした。 （ロ）試験方法 引張試験機を用い、２３℃において２００ｍｍ／分の引
張速度で剥離試験を行い、外部半導電層を水架橋ポリエ
チレン層に対し１８０℃の角度で引き剥すときの力を剥
離強度（ｋｇ／０．５ｉｎｃｈ）とした。 （４）外部半導電層の引張強度：外部半導電層用剥離性
半導電性水架橋性樹脂組成物を２００℃で加熱混練し、
熱プレス成形機で厚さ２．０ｍｍ、長さ１５０ｍｍ、幅
１８０ｍｍのシートを得て、試験片とし、ＪＩＳ Ｋ−
６７６０により引張強度を測定した。 （５）外部半導電層の伸び：引張強度に用いた試験片を
用いＪＩＳ Ｋ−６７６０により伸びを測定した。 （６）水架橋ポリエチレン絶縁層のゲル分率：水架橋ポ
リエチレン絶縁層から試料を取り、１１０℃のキシレン
中に２４時間浸漬し、抽出残渣をゲル分率とした。 （７）押出加工性：外部半導電層用剥離性半導電性水架
橋性樹脂組成物のメルトマスフローレートをメルトイン
デクサーで温度１９０℃、荷重２１．６ｋｇの条件でメ
ルトマスフローレートを測定して評価した（ＪＩＳ Ｋ
−６７６０）。 （８）体積固有抵抗値：外部半導電層用剥離性半導電性
水架橋性樹脂組成物の体積固有抵抗値をＪＩＳ Ｋ−６
７２３の方法で測定した。

【００５５】実施例１ （Ａ）内部半導電層用樹脂組成物の調製 酢酸ビニル含有量が２８重量％、メルトマスフローレー
トが２０．０ｇ／１０分、融点が９１℃の高圧法エチレ
ン−酢酸ビニル共重合体１００重量部に対して、酸化防
止剤であるテトラキス［メチレン−３−（３，５−ジ−
ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネー
ト］メタン（チバスペシャリティケミカル社製 イルガ
ノックス１０１０）０．５重量部と、アセチレンブラッ
ク８０重量部を配合し、これを１３０℃で１０分間混練
した後、直径３ｍｍ、高さ３ｍｍの円柱状のペレットと
した。次いでこのペレットに有機過酸化物である２，５
−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシン）ヘ
キシン０．５重量部を添加し、これを７０℃で５時間ゆ
っくり攪拌することにより、ペレット内部まで有機過酸
化物を均一に含浸させ、内部半導電層用樹脂組成物を調
製した。

【００５６】（Ｂ）水架橋性ポリエチレン絶縁層用樹脂
組成物の調製 表面積３００ｍ^２／ｇ、平均粒径７０μｍ、細孔直径１
００μｍの多孔質シリカ担体に三酸化クロム、チタン酸
テトライソプロピル、（ＮＨ_４）_２ＳｉＦ_６等を担持さ
せた重合触媒を用い、ユニポール法気相流動床中で、エ
チレン９０重量部、１−ブテン１０重量部からなるモノ
マー流体を流動床下方より上方に向けて流動させ、温度
９０℃、圧力２．５ＭＰａ、Ｇｍｆ５の条件で重合させ
た。表面積１０００ｃｍ^２／ｇ、嵩密度０．４ｇ／ｃｍ
^３、平均粒径０．８ｍｍのグラニュラー状物を得た。こ
れはエチレン−ブテン−１共重合体からなり、密度は
０．９２０ｇ／ｃｍ^３、メルトマスフローレートは０．
８ｇ／１０分であった。上記グラニュラー状の直鎖状低
密度エチレン−ブテン−１共重合体１００重量部を温度
６０℃に予熱しておいたものと、ビニルトリメトキシシ
ラン（日本ユニカー製 ＮＵＣシランカップリング剤Ｙ
−９８１８）２重量部と、ジクミルパーオキシド（日本
油脂製 パークミルＤ）０．１重量部を温度５０℃に加
熱したものとを、リボンブレンダーに投入した。温度６
０℃に加熱しながら３０分間混合し、次いで、密閉容器
中で温度６０℃に保持しながら２時間静置し、不飽和ア
ルコキシシランおよび有機過酸化物を含浸させた直鎖状
低密度エチレン−ブテン−１共重合体を得た。

【００５７】一方、密度０．９２０ｇ／ｃｍ^３、メルト
マスフローレート０．８ｇ／１０分の高圧法低密度ポリ
エチレン（日本ユニカー製 ＮＵＣポリエチレン）１０
０重量部に、ジブチル錫ジウラウレート１重量部および
テトラキス［メチレン−３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル
−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］メタン
（チバスペシャリティケミカル社製 イルガノックス１
０１０）２重量部を混合し、バンバリーミキサーで温度
１５０℃、１０分間混練してから造粒してシラノール縮
合触媒および酸化防止剤等を配合したポリエチレンを得
た。上記不飽和アルコキシシランおよび有機過酸化物を
含浸させた直鎖直鎖状低密度エチレン−α−オレフィン
共重合体９５重量％に、上記シラノール縮合触媒および
酸化防止剤等を配合したポリエチレン５重量％を加え、
混合し、水架橋性ポリエチレン絶縁層用樹脂組成物とし
た。

【００５８】（Ｃ）外部半導電層用剥離性半導電性水架
橋性樹脂組成物 次の（ａ）〜（ｉ）からなる外部半導電層用剥離性半導
電性水架橋性樹脂組成物を、下記の方法で調製した。 （ａ）成分：酢酸ビニル含有量２８重量％、メルトマス
フローレート２０．０ｇ／１０分、密度０．９３８ｇ／
ｃｍ^３のエチレン−酢酸ビニル共重合体１００重量部 （ｂ）成分：メルトマスフローレート０．９ｇ／１０
分、密度０．９００ｇ／ｃｍ^３のポリプロピレン２０重
量部 （ｃ）成分：２３℃における粘度が３００，０００ｃＳ
ｔで、メチルビニルシリコーン含量１．０％のシリコー
ンガムストック５重量部 （ｄ）成分：ケッチェンブラックＥＣ（三菱化学製）３
０重量部 （ｅ）成分：ビニルトリエトキシシラン（日本ユニカー
製 Ａ−１５１）２重量部 （ｆ）成分：２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチ
ルパーオキシ）ヘキシン（日本油脂製 パーヘキシン２
５Ｂ）０．３重量部 （ｇ）成分：ジブチル錫ジラウリレート０．２重量部
（ｉ）成分：テトラキス［メチレン−３−（３，５−ジ
−ｔ−ブチル−４−ヒド ロキシフェニル）プロピオネート］メタン（チバスペシ
ャリティケミカル社製イルガノックス１０１０）０．３
重量部 調製方法：（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ）成分をバ
ンバリーミキサーで１８０℃、１０分間加熱混練し、こ
れに（ｅ）、（ｆ）、（ｇ）及び（ｉ）成分を添加し、
更に２３０℃、５分間加熱混練し、ビニルトリエトキシ
シランを樹脂成分にグラフトし、各成分を均一に配合
し、更に長さ３ｍｍ、直径３ｍｍのペレットとした。こ
のペレットは、調製後直ちに下記（Ｅ）工程で使用し
た。

【００５９】（Ｄ）コモン三層押出装置の準備 ダイプレートにそれぞれ１５０メッシュ、２５０メッシ
ュ、１２０メッシュのスクリーンパックを設置した３台
の押出機を準備し、これらを連結することにより、内部
半導電層押出機、絶縁層押出機および外部半導電層押出
機となるように順次配置したコモン三層クロスヘッドを
有する押出装置とした。

【００６０】（Ｅ）水架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブ
ルの製造 上記（Ａ）〜（Ｃ）で調製した内部半導電層用樹脂組成
物、水架橋性ポリエチレン樹脂組成物及び外部半導電層
用剥離性半導電性水架橋性樹脂組成物の各成分をそれぞ
れ三層コモン押出装置の内部半導電層押出機、水架橋ポ
リエチレン層押出機及び外部半導電層押出機に供給し
た。これらの各成分を、内部半導電層押出機では１３０
℃、水架橋ポリエチレン層押出機では２２０℃、外部半
導電層押出機では２２０℃で加熱混練した後、それぞれ
三層コモンクロスヘッドのダイスより硬銅撚線導体上に
内部半導電層の厚みが１ｍｍ、水架橋ポリエチレン絶縁
層の厚みが４ｍｍ、外部半導電層の厚みが１ｍｍとなる
ように同時に押出した。次いで、８０℃の水蒸気に２４
時間さらし、水架橋反応を完結し、乾燥後、ポリ塩化ビ
ニルコンパウンドを厚み３ｍｍとなるように被覆しジャ
ケット層とし、本発明の水架橋ポリエチレン絶縁電力ケ
ーブルを製造した。

【００６１】本発明の水架橋ポリエチレン絶縁電力ケー
ブルの性能評価結果を次に示す。 （１）界面平滑性：水架橋ポリエチレン絶縁層と外部半
導電層との界面は、平滑であり直径３００μｍを超える
突起は認められなかった。 （２）外部半導電層の加熱変形率：厚さの減少率は０．
８％であり耐熱性は十分であった。 （３）外部半導電層の剥離テスト：剥離強度は、１．２
ｋｇ／０．５ｉｎｃｈであり剥離性は十分であった。 （４）外部半導電層の引張強度：引張強度は、１６．３
ＭＰａであり、外部半導電層を剥離するとき、引きちぎ
れないことを示した。 （５）外部半導電層の伸び：伸びは、４５８％であり、
ケーブルを曲げたとき、十分曲げに追随し得ることを示
した。 （６）水架橋ポリエチレン絶縁層のゲル分率：ゲル分率
は６２％であり、十分水架橋しており、耐熱性は十分で
あった。 （７）押出加工性：メルトマスフローレートは、６７ｇ
／１０分であり押出加工性は十分であった。 （８）体積固有抵抗値：体積固有抵抗値は、３３Ω・ｃ
ｍであり適切な数値であった。

【００６２】実施例２ （Ａ）内部半導電層用樹脂組成物の調製 エチルアクリレート含有量が２３重量％、メルトマスフ
ローレートが１０ｇ／１０分、融点が９８℃の高圧法エ
チレン−エチルアクリレート共重合体１００重量部に対
して、酸化防止剤であるテトラキス［メチレン−３−
（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）
プロピオネート］メタン（チバスペシャリティケミカル
社製 イルガノックス１０１０）０．５重量部と、アセ
チレンブラック８０重量部を配合し、これを１３０℃で
１０分間混練した後、直径３ｍ、高さ３ｍｍの円柱状の
ペレットとした。次いでこのペレットに有機過酸化物で
ある２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオ
キシ）ヘキシン０．５重量部を添加し、これを７０℃で
５時間ゆっくり攪拌することにより、ペレット内部まで
有機過酸化物を均一に含浸させ、内部半導電層用樹脂組
成物を調製した。

【００６３】（Ｂ）水架橋性ポリエチレン絶縁層用樹脂
組成物の調製 メルトマスフローレートが２．０ｇ／１０分、密度０．
９２２ｇ／ｃｍ^３の高圧法低密度ポリエチレン１００重
量部に、ジクミルパーオキシド０．１重量部及びビニル
トリメトキシシラン２重量部を加え、２３０℃で押出機
から押出してシラン変性ポリエチレンを製造した。一
方、メルトマスフローレートが３．０ｇ／１０分、密度
が０．９１７ｇ／ｃｍ^３の高圧法低密度ポリエチレン１
００重量部に、ジブチル錫ジラウレート１重量部、テト
ラキス［メチレン−３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４
−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］メタン（チバ
スペシャリティケミカル社製 イルガノックス１０１
０）５重量部を配合した触媒マスターバッチを調整し
た。シラン変性ポリエチレンと触媒マスターバッチとを
１００：５重量の割合で混合して水架橋性ポリエチレン
絶縁層用樹脂組成物とした。

【００６４】（Ｃ）外部半導電層用剥離製半導電性水架
橋性樹脂組成物 次の（ａ）〜（ｉ）からなる外部半導電層用剥離製半導
電性水架橋性樹脂組成物を、下記の方法で調製した。 （ａ）成分：エチルアクリレート含有量３２重量％、メ
ルトマスフローレート１０．０ｇ／１０分、密度０．９
４１ｇ／ｃｍ^３のエチレン−エチルアクリレート共重合
体１００重量部 （ｂ）成分：メルトマスフローレート２．５ｇ／１０
分、密度０．９００ｇ／ｃｍ^３、エチレン５重量％含有
のポリプロピレン４０重量部 （ｃ）成分：２３℃における粘度が１５０，０００ｃＳ
ｔで、メチルビニルシリコーン含量０．７％のシリコー
ンガムストック４５重量部 （ｄ）成分：ファーネスブラック（ＭＭＭカーボン社製
エンサコ２５０Ｇ）１３０重量部 （ｅ）成分：ビニルトリエトキシシラン（日本ユニカー
製 Ａ−１５１）３重量部 （ｆ）成分：２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチ
ルパーオキシ）ヘキシン（日本油脂製 パーヘキシン２
５Ｂ）１．２重量部 （ｇ）成分：ジブチル錫ジラウリレート０．１５重量部 （ｉ）成分：テトラキス［メチレン−３−（３，５−ジ
−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネー
ト］メタン（チバスペシャリティケミカル社製イルガノ
ックス１０１０）０．３重量部 調製方法：（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）及び（ｇ）
成分をバンバリーミキサーで１８０℃、１０分間加熱混
練し、これに（ｅ）、（ｆ）及び（ｉ）成分を添加し、
更に２３０℃、５分間加熱混練し、ビニルトリエトキシ
シランを樹脂成分にグラフトし、各成分を均一に配合
し、更に長さ３ｍｍ、直径３ｍｍのペレットとした。こ
のペレットは、調製後直ちに下記（Ｅ）工程で使用し
た。

【００６５】（Ｄ）コモン三層押出装置の準備 ダイプレートにそれぞれ１５０メッシュ、２５０メッシ
ュ、１２０メッシュのスクリーンパックを設置した３台
の押出機を準備し、これらを連結することにより、内部
半導電層押出機、絶縁層押出機および外部半導電層押出
機となるように順次配置したコモン三層クロスヘッドを
有する押出装置とした。

【００６６】（Ｅ）水架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブ
ルの製造 上記（Ａ）〜（Ｃ）で調製した内部半導電層用樹脂組成
物、水架橋性ポリエチレン樹脂組成物及び外部半導電層
用剥離製半導電性水架橋性樹脂組成物の各成分をそれぞ
れ三層コモン押出装置の内部半導電層押出機、水架橋ポ
リエチレン層押出機及び外部半導電層押出機に供給し
た。これらの各成分を、内部半導電層押出機では１３０
℃、水架橋ポリエチレン層押出機では２２０℃、外部半
導電層押出機では２２０℃で加熱混練した後、それぞれ
三層コモンクロスヘッドのダイスより硬銅撚線導体上に
内部半導電層の厚みが１ｍｍ、水架橋ポリエチレン絶縁
層の厚みが４ｍｍ、外部半導電層の厚みが１ｍｍとなる
ように同時に押出した。次いで、８０℃の水蒸気に２４
時間さらし、水架橋反応を完結し、乾燥後、ポリ塩化ビ
ニルコンパウンドを厚み３ｍｍとなるように被覆しジャ
ケット層とし、本発明の水架橋ポリエチレン絶縁電力ケ
ーブルを製造した。

【００６７】本発明の水架橋ポリエチレン絶縁電力ケー
ブルの性能評価結果を次に示す。 （１）界面平滑性：水架橋ポリエチレン絶縁層と外部半
導電層との界面は、平滑であり直径３００μｍを超える
突起は認められなかった。 （２）外部半導電層の加熱変形率：厚さの減少率は０．
７％であり耐熱性は十分であった。 （３）外部半導電層の剥離テスト：剥離強度は、１．１
ｋｇ／０．５ｉｎｃｈであり剥離性は十分であった。 （４）外部半導電層の引張強度：引張強度は、１３．１
ＭＰａであり、外部半導電層を剥離するとき、引きちぎ
れないことを示した。 （５）外部半導電層の伸び：伸びは、４３２％であり、
ケーブルを曲げたとき、十分曲げに追随し得ることを示
した。 （６）水架橋ポリエチレン絶縁層のゲル分率：ゲル分率
は５９％であり、十分水架橋しており、耐熱性は十分で
あった。 （７）押出加工性：メルトマスフローレートは、４９ｇ
／１０分であり押出加工性は十分であった。 （８）体積固有抵抗値：体積固有抵抗値は、３５Ω・ｃ
ｍであり適切な数値であった。

【００６８】実施例３ 実施例１の外部半導電層剥離製半導電性水架橋性樹脂組
成物に代えて、下記の（ａ）〜（ｉ）からなる樹脂組成
物を用いその調整方法を下記の方法によった以外は、実
施例１と同様な実験を行った。 （ａ）成分：ブチルアクリレート含有量１７重量％、メ
ルトマスフローレート５．０ｇ／１０分、密度０．９３
７ｇ／ｃｍ^３のエチレン−ブチルアクリレート共重合体
１００重量部 （ｂ）成分：メルトマスフローレート１．２ｇ／１０
分、密度０．９１０ｇ／ｃｍ^３のポリプロピレン７重量
部 （ｃ）成分：２３℃における粘度が３，０００ｃＳｔ
で、メチルビニルシリコーン含量０．８％のジメチルポ
リシロキサンオイル３０重量部 （ｄ）成分：ケッチェンブラックＥＣ（三菱化学製）２
０重量部 （ｅ）成分：ビニルトリエトキシシラン（日本ユニカー
製 Ａ−１５１）５重量部 （ｆ）成分：２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチ
ルパーオキシ）ヘキシン（日本油脂製 パーヘキシン２
５Ｂ）１．８重量部 （ｇ）成分：ジブチル錫ジラウリレート１．２重量部 （ｉ）成分：テトラキス［メチレン−３−（３，５−ジ
−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネー
ト］メタン（チバスペシャリティケミカル社製イルガノ
ックス１０１０）０．３重量部 調製方法：（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）及び（ｉ）
成分をＬ／Ｄ＝３２、φ＝７５ｍｍの単軸押出機のホッ
パーに供給し、スクリューの外側を同軸に囲むシリンダ
ー（Ｃｙｌｉｎｄｅｒの頭文字Ｃと略称する。）を加熱
し、スクリューで混練した。その際、シリンダーは、５
つの部分から構成されており、押出機入口から出口にか
けてシリンダーの各部分を順次Ｃ_１、Ｃ_２、Ｃ_３、
Ｃ_４、Ｃ_５と略称すると、Ｃ_１、Ｃ_２、Ｃ_３、Ｃ_４、Ｃ
_５部分の温度をそれぞれ１６０℃、１８０℃、２００
℃、２２０℃、２２０℃とし、Ｃ_２部分において、
（ｅ）、（ｆ）及び（ｇ）を供給し、ビニルトリエトキ
シシランを樹脂成分にグラフトし、各成分を均一に配合
し、更に３ｍｍ、直径３ｍｍのペレットとした。

【００６９】その結果を以下に示す。 （１）界面平滑性：水架橋ポリエチレン絶縁層と外部半
導電層との界面は、平滑であり直径３００μｍ以上の突
起は認められなかった。 （２）外部半導電層の耐熱性：減少率は１．０％であり
耐熱性は十分であった。 （３）外部半導電層の剥離テスト：剥離強度は１．７ｋ
ｇ／０．５ｉｎｃｈであり剥離性は十分であった。 （４）外部半導電層の引張強度：１１．７ＭＰａであ
り、外部半導電層を剥離するとき、引きちぎれないこと
を示した。 （５）外部半導電層の伸び：４８５％であり、ケーブル
を曲げたとき、十分曲げに追随し得ることを示した。 （６）水架橋ポリエチレン絶縁層のゲル分率：５９％で
あり、十分水架橋しており耐熱性は十分であった。 （７）押出加工性：メルトマスフローレート（温度１９
０℃、荷重２１．６ｋｇ）は８２ｇ／１０分であり押出
加工性は十分であった。 （８）体積固有抵抗値：４５Ω・ｃｍであり適切な値で
あった。

【００７０】実施例４ 実施例１の外部半導電層用剥離性半導電性水架橋性樹脂
組成物に代えて、下記の（ａ）〜（ｉ）からなる樹脂組
成物を用いその調整方法を下記の方法によった以外は、
実施例１と同様な実験を行った。 （ａ）成分：酢酸ビニル含有量４５重量％、メルトマス
フローレート２０．０ｇ／１０分、密度０．９４５ｇ／
ｃｍ^３のエチレン−酢酸ビニル共重合体１００重量部 （ｂ）成分：メルトマスフローレート１０ｇ／１０分、
密度０．９００ｇ／ｃｍ ^３のポリプロピレン１０重量部 （ｃ）成分：２３℃における粘度が８００，０００ｃＳ
ｔで、メチルビニルシリコーン含量１．０％のシリコー
ンガムストック５重量部 （ｄ）成分：ケッチェンブラックＥＣ（三菱化学製）８
０．０重量部 （ｅ）成分：ビニルトリエトキシシラン（日本ユニカー
製 Ａ−１５１）７重量部 （ｆ）成分：２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチ
ルパーオキシ）ヘキシン（日本油脂製 パーヘキシン２
５Ｂ）４．３重量部 （ｇ）成分：ジブチル錫ジラウリレート５重量部 （ｈ）成分：メルトマスフローレート０．８ｇ／１０
分、密度０．９２２ｇ／ｃｍ^３の気相法低圧法により製
造した直鎖状エチレン−ブテン−１共重合体１８０重量
部 （ｉ）成分：テトラキス［メチレン−３−（３，５−ジ
−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネー
ト］メタン（チバスペシャリティケミカル社製イルガノ
ックス１０１０）０．３重量部 調製方法：（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）及び（ｈ）
成分をバンバリーミキサーで１８０℃、１０分間加熱混
練し、これに（ｅ）、（ｆ）、（ｇ）及び（ｉ）成分を
添加し、更に２３０℃、５分間加熱混練し、ビニルトリ
エトキシシランを樹脂成分にグラフトし、各成分を均一
に配合し、更に長さ３ｍｍ、直径３ｍｍのペレットとし
た。

【００７１】その結果を以下に示す。 （１）界面平滑性：水架橋ポリエチレン絶縁層と外部半
導電層との界面は、平滑であり直径３００μｍ以上の突
起は認められなかった。 （２）外部半導電層の耐熱性：減少率は０．５％であり
耐熱性は十分であった。 （３）外部半導電層の剥離テスト：剥離強度は０．８ｋ
ｇ／０．５ｉｎｃｈであり剥離性は十分であった。 （４）外部半導電層の引張強度：１８．３ＭＰａであ
り、外部半導電層を剥離するとき、引きちぎれないこと
を示した。 （５）外部半導電層の伸び：４７５％であり、ケーブル
を曲げたとき、十分曲げに追随し得ることを示した。 （６）水架橋ポリエチレン絶縁層のゲル分率：５９％で
あり、十分水架橋しており耐熱性は十分であった。 （７）押出加工性：メルトマスフローレート（温度１９
０℃、荷重２１．６ｋｇ）は３７ｇ／１０分であり押出
加工性は十分であった。 （８）体積固有抵抗値：４１Ω・ｃｍであり適切な値で
あった。

【００７２】実施例５ 実施例１の外部半導電層用剥離性半導電性水架橋性樹脂
組成物に代えて、下記の（ａ）〜（ｉ）からなる樹脂組
成物を用いその調整方法を下記の方法によった以外は、
実施例１と同様な実験を行った。 （ａ）成分：エチルアクリレート含有量３５重量％、メ
ルトマスフローレート１５．０ｇ／１０分、密度０．９
４１ｇ／ｃｍ^３のエチレン−エチルアクリレート共重合
体１００重量部 （ｂ）成分：メルトマスフローレート１５ｇ／１０分、
密度０．９００ｇ／ｃｍ ^３のポリプロピレン４０重量部 （ｃ）成分：２３℃における粘度が１００，０００ｃＳ
ｔで、メチルビニルシリコーン含量１．５％のシリコー
ンガムストック４５重量部 （ｄ）成分：ケッチェンブラックＥＣ（三菱化学製）２
００重量部 （ｅ）成分：ビニルトリメトキシシラン（日本ユニカー
製 Ａ−１７１）２重量部 （ｆ）成分：２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチ
ルパーオキシ）ヘキシン（日本油脂製 パーヘキシン２
５Ｂ）１．３重量部 （ｇ）成分：ジブチル錫ジラウリレート０．８重量部 （ｈ）成分：メルトマスフローレート１０．０ｇ／１０
分、密度０．９３０ｇ／ｃｍ^３のメタロセン触媒により
製造した直鎖状エチレン−オクテン−１共重合体２０重
量部 （ｉ）成分：テトラキス［メチレン−３−（３，５−ジ
−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネー
ト］メタン（チバスペシャリティケミカル社製イルガノ
ックス１０１０）０．３重量部 調製方法：（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）及び（ｈ）
成分をバンバリーミキサーで１８０℃、１０分間加熱混
練し、これに（ｅ）、（ｆ）、（ｇ）及び（ｉ）成分を
添加し、更に２３０℃、５分間加熱混練し、ビニルトリ
エトキシシランを樹脂成分にグラフトし、各成分を均一
に配合し、更に長さ３ｍｍ、直径３ｍｍのペレットとし
た。

【００７３】その結果を以下に示す。 （１）界面平滑性：水架橋ポリエチレン絶縁層と外部半
導電層との界面は、平滑であり直径３００μｍ以上の突
起は認められなかった。 （２）外部半導電層の耐熱性：減少率は０．９％であり
耐熱性は十分であった。 （３）外部半導電層の剥離テスト：剥離強度は１．１ｋ
ｇ／０．５ｉｎｃｈであり剥離性は十分であった。 （４）外部半導電層の引張強度：１４．８ＭＰａであ
り、外部半導電層を剥離するとき、引きちぎれないこと
を示した。 （５）外部半導電層の伸び：４２８％であり、ケーブル
を曲げたとき、十分曲げに追随し得ることを示した。 （６）水架橋ポリエチレン絶縁層のゲル分率：５９％で
あり、十分水架橋しており耐熱性は十分であった。 （７）押出加工性：メルトマスフローレート（温度１９
０℃、荷重２１．６ｋｇ）は４６ｇ／１０分であり押出
加工性は十分であった。 （８）体積固有抵抗値：４６Ω・ｃｍであり適切な値で
あった。

【００７４】実施例６ 実施例１の外部半導電層用剥離性半導電性水架橋性樹脂
組成物に代えて、下記の（ａ）〜（ｉ）からなる樹脂組
成物を用いその調整方法を下記の方法によった以外は、
実施例１と同様な実験を行った。 （ａ）成分：ブチルアクリレート含有量１７重量％、メ
ルトマスフローレート７ｇ／１０分、密度０．９３２ｇ
／ｃｍ^３のエチレン−ブチルアクリレート共重合体１０
０重量部 （ｂ）成分：メルトマスフローレート１０ｇ／１０分、
密度０．９００ｇ／ｃｍ ^３のポリプロピレン２０重量部 （ｃ）成分：２３℃における粘度が３００，０００ｃＳ
ｔで、メチルビニルシリコーン含量１．２％のシリコー
ンガムストック５重量部 （ｄ）成分：ケッチェンブラックＥＣ（三菱化学製）１
５０重量部 （ｅ）成分：ビニルトリメトキシシラン（日本ユニカー
製 Ａ−１７１）３重量部 （ｆ）成分：２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチ
ルパーオキシ）ヘキシン（日本油脂製 パーヘキシン２
５Ｂ）１．２重量部 （ｇ）成分：ジブチル錫ジラウリレート０．１重量部 （ｈ）成分：メルトマスフローレート８．０ｇ／１０
分、密度０．９２０ｇ／ｃｍ^３のメタロセン触媒により
製造した直鎖状エチレン−ヘキセン−１共重合体５重量
部 （ｉ）成分：テトラキス［メチレン−３−（３，５−ジ
−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネー
ト］メタン（チバスペシャリティケミカル社製イルガノ
ックス１０１０）０．３重量部 調製方法：（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）及び（ｈ）
成分をバンバリーミキサーで１８０℃、１０分間加熱混
練し、これに（ｅ）、（ｆ）、（ｇ）及び（ｉ）成分を
添加し、更に２３０℃、５分間加熱混練し、ビニルトリ
エトキシシランを樹脂成分にグラフトし、各成分を均一
に配合し、更に長さ３ｍｍ、直径３ｍｍのペレットとし
た。

【００７５】その結果を以下に示す。 （１）界面平滑性：水架橋ポリエチレン絶縁層と外部半
導電層との界面は、平滑であり直径３００μｍ以上の突
起は認められなかった。 （２）外部半導電層の耐熱性：減少率は１．２％であり
耐熱性は十分であった。 （３）外部半導電層の剥離テスト：剥離強度は１．２ｋ
ｇ／０．５ｉｎｃｈであり剥離性は十分であった。 （４）外部半導電層の引張強度：１３．６ＭＰａであ
り、外部半導電層を剥離するとき、引きちぎれないこと
を示した。 （５）外部半導電層の伸び：４８３％であり、ケーブル
を曲げたとき、十分曲げに追随し得ることを示した。 （６）水架橋ポリエチレン絶縁層のゲル分率：５９％で
あり、十分水架橋しており耐熱性は十分であった。 （７）押出加工性：メルトマスフローレート（温度１９
０℃、荷重２１．６ｋｇ）は３２ｇ／１０分であり押出
加工性は十分であった。 （８）体積固有抵抗値：６５Ω・ｃｍであり適切な値で
あった。

【００７６】比較例１ 実施例１において、（ａ）のエチレン−酢酸ビニル共重
合体（ＥＶＡ）を、酢酸ビニル含有量８．０％のＥＶＡ
に代替した以外は、実施例１と同様な実験を行ったとこ
ろ、外部半導電層の柔軟性伸びが悪化した。

【００７７】比較例２ 実施例１において、（ａ）のエチレン−酢酸ビニル共重
合体（ＥＶＡ）を、酢酸ビニル含有量５５％のＥＶＡに
代替した以外は、実施例１と同様な実験を行ったとこ
ろ、外部半導電層の引張強度が弱くなり、外部半導電層
の剥離作業がうまく行かなかった。

【００７８】比較例３ 実施例１において、（ａ）のエチレン−酢酸ビニル共重
合体（ＥＶＡ）を、メルトマスフローレートが０．８ｇ
／１０分のＥＶＡに代替した以外は、実施例１と同様な
実験を行ったところ、外部半導電層の押出加工性、柔軟
性、伸び等が不十分であった。

【００７９】比較例４ 実施例１において、（ａ）のエチレン−酢酸ビニル共重
合体（ＥＶＡ）を、メルトマスフローレートが１２０ｇ
／１０分のＥＶＡに代替した以外は、実施例１と同様な
実験を行ったところ、外部半導電層の引張強度、耐熱性
が不十分であった。

【００８０】比較例５ 実施例４において、（ｈ）のエチレン−ブテン−１共重
合体を、メルトマスフローレートが０．０８ｇ／１０分
のものに代替した以外は、実施例４と同様な実験を行っ
たところ、外部半導電層の加工性が悪化した。

【００８１】比較例６ 実施例４において、（ｈ）のエチレン−ブテン−１共重
合体を、メルトマスフローレートが３５ｇ／１０分のも
のに代替した以外は、実施例４と同様な実験を行ったと
ころ、外部半導電層の引張り強度が弱くなった。

【００８２】比較例７ 実施例４において、（ｈ）のエチレン−ブテン−１共重
合体を、密度が０．８５０ｇ／ｃｍ^３のものに代替した
以外は、実施例４と同様な実験を行ったところ、外部半
導電層の１２０℃以上の耐加熱変形性が悪化した。

【００８３】比較例８ 実施例４において、（ｈ）のエチレン−ブテン−１共重
合体を、密度が０．９４８ｇ／ｃｍ^３のものに代替した
以外は、実施例４と同様な実験を行ったところ、外部半
導電層の柔軟性が悪化した。

【００８４】比較例９ 実施例４において、（ｈ）のエチレン−ブテン−１共重
合体の使用量を２２０重量部に代えた以外は、実施例４
と同様な実験を行ったところ、外部半導電層の密着性、
柔軟性、伸び、カーボンブラックの充填性が悪化した。

【００８５】比較例１０ 実施例１において、（ｂ）のポリプロピレンを、メルト
マスフローレートが０．３ｇ／１０分のものに代替した
以外は、実施例１と同様な実験を行ったところ、外部半
導電層の加工性が悪化した。

【００８６】比較例１１ 実施例１において、（ｂ）のポリプロピレンを、メルト
マスフローレートが３３．０ｇ／１０分のものに代替し
た以外は、実施例１と同様な実験を行ったところ、外部
半導電層の引張強度が弱くなった。

【００８７】比較例１２ 実施例１において、（ｂ）のポリプロピレンを、メルト
マスフローレートが２．０ｇ／１０分で、密度が０．８
９５ｇ／ｃｍ^３のものに代替した以外は、実施例１と同
様な実験を行ったところ、外部半導電層の１２０℃以上
の加熱変形率が悪化した。

【００８８】比較例１３ 実施例１において、（ｂ）のポリプロピレンを、メルト
マスフローレートが５．４ｇ／１０分で、密度が０．９
２５ｇ／ｃｍ^３のものに代替した以外は、実施例１と同
様な実験を行ったところ、外部半導電層の柔軟性が悪化
した。

【００８９】比較例１４ 実施例１において、（ｂ）のポリプロピレンの使用量を
３重量部に代えた以外は、実施例１と同様な実験を行っ
たところ、外部半導電層の加熱変形率と剥離性が不十分
であった。

【００９０】比較例１５ 実施例１において、（ｂ）のポリプロピレンの使用量を
５５重量部に代えた以外は、実施例１と同様な実験を行
ったところ、外部半導電層の柔軟性、耐寒性が悪化し
た。

【００９１】比較例１６ 実施例１において、（ｃ）のシリコーンガムストックの
使用量を０．３重量部に代えた以外は、実施例１と同様
な実験を行ったところ、外部半導電層の平面平滑剥離性
が不十分であった。

【００９２】比較例１７ 実施例１において、（ｃ）のシリコーンガムストックの
使用量を５５重量部に代えた以外は、実施例１と同様な
実験を行ったところ、外部半導電層の表面の平滑性が悪
化し、引張強度が不十分であった。

【００９３】比較例１８ 実施例１において、（ｄ）のケッチェンブラックの使用
量を５重量部に代えた以外は、実施例１と同様な実験を
行ったところ、外部半導電層の体積固有抵抗値が２００
Ω・ｃｍであった。

【００９４】比較例１９ 実施例１において、（ｄ）のケッチェンブラックの使用
量を４２０重量部に代えた以外は、実施例１と同様な実
験を行ったところ、外部半導電層の引張強度、加工性、
柔軟性、伸びが不十分であった。

【００９５】比較例２０ 実施例１において、（ｅ）のビニルトリエトキシシラン
の使用量を０．４重量部に代えた以外は、実施例１と同
様な実験を行ったところ、外部半導電層の耐熱性と引張
強度が不十分であった。

【００９６】比較例２１ 実施例１において、（ｅ）のビニルトリエトキシシラン
の量を５０重量部に代えた以外は、実施例１と同様な実
験を行ったところ、外部半導電層の表面に３００μｍ以
上の多数の突起が発生し、電力ケーブルの寿命が短くな
った。

【００９７】比較例２２ 実施例１において、（ｆ）の有機過酸化物の量を０．０
０１重量部に代えた以外は、実施例１と同様な実験を行
ったところ、外部半導電層の耐熱性と引張強度が不十分
であった。

【００９８】比較例２３ 実施例１において、（ｆ）の有機過酸化物の量を１０重
量部に代えた以外は、実施例１と同様な実験を行ったと
ころ、外部半導電層の表面に多数の突起が発生し、平滑
な表面が得られなかった。

【００９９】比較例２４ 実施例１において、（ｇ）のジブチル錫ジラウリレート
の量を０．００５重量部に代えた以外は、実施例１と同
様な実験を行ったところ、外部半導電層の耐熱性と引張
強度が不十分であった。

【０１００】比較例２５ 実施例１において、（ｇ）のジブチル錫ジラウリレート
の量を５０重量部に代えた以外は、実施例１と同様な実
験を行ったところ、外部半導電層の電気特性が悪くな
り、又外部半導電層の表面に３００μｍ以上の多数の突
起が発生し、電力ケーブルの寿命が短くなった。

【０１０１】

【発明の効果】本発明は、水架橋ポリエチレン絶縁電力
ケーブルの外部半導電層として用いる剥離性半導電性水
架橋性樹脂組成物の構成において、特定のエチレン−酢
酸ビニル共重合体、エチレン−エチルアクリレート共重
合体、エチレン−ブチルアクリレート共重合体等から選
択された１種あるいは１種以上のエチレン系共重合体、
ポリプロピレン、オルガノポリシロキサン、任意成分と
してのエチレン−α−オレフィン共重合体等を樹脂成分
として用い、これらの樹脂成分に不飽和アルコキシシラ
ン、有機過酸化物、カーボンブラック、シラノール触媒
を配合しているので、外部半導電層として被覆されると
きは、水架橋され適切な半導電性、剥離性、引張強度、
加工性、界面平滑性、耐寒性、耐熱性等に優れ、特に引
張強度、耐熱性が従来品と比較して優れている。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０８Ｌ 23/10 Ｃ０８Ｌ 23/10 51/00 51/00 83/07 83/07 Ｈ０１Ｂ 9/02 Ｈ０１Ｂ 9/02 Ｂ 13/14 13/14 Ａ (72)発明者 石原 康二 東京都品川区荏原７−16−12 Ｆターム(参考） 4J002 BB054 BB061 BB071 BB12X CP03Y DA036 EK008 EK018 EK028 EK038 EK048 EK058 EX017 FD116 FD148 FD207 GQ02 5G301 DA18 DA42 DA44 DA45 DD04 5G325 GA17 GB01 GB29 GC02 GC05 GC10

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 導体上に内部から外部に向けて内部半導
   電層、水架橋ポリエチレン絶縁層、外部半導電層及びジ
   ャケット層が形成されている水架橋ポリエチレン絶縁電
   力ケーブルの外部半導電層として用いる下記（ａ）、
   （ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）及び（ｇ）成
   分からなる剥離性半導電性水架橋性樹脂組成物。 （ａ）（Ｉ）酢酸ビニル含有量１０〜５０重量％、メル
   トマスフローレート１．０〜１００．０ｇ／１０分のエ
   チレン−酢酸ビニル共重合体、（ＩＩ）エチルアクリレ
   ート含有量１０〜５０重量％、メルトマスフローレート
   １．０〜１００．０ｇ／１０分のエチレン−エチルアク
   リレート共重合体、並びに（ＩＩＩ）ブチルアクリレー
   ト含有量１０〜５０重量％、メルトマスフローレート
   １．０〜１００．０ｇ／１０分のエチレン−ブチルアク
   リレート共重合体から選ばれた１種あるいは１種以上１
   ００重量部 （ｂ）メルトマスフローレート０．５〜３０．０ｇ／１
   ０分、密度０．９００〜０．９２０ｇ／ｃｍ^３のポリプ
   ロピレン５〜５０重量部 （ｃ）下記の式（Ａ） 【化１】 （式中、Ｒ^１は脂肪族不飽和炭化水素基、Ｒ^２は脂肪族
   不飽和基を含まない非置換または置換１価炭化水素基、
   ０≦ｘ＜１、０．５＜ｙ＜３、１＜ｘ＋ｙ＜３、０＜ａ
   ≦１、０．５≦ｂ≦３である。）で表わされるオルガノ
   ポリシロキサン２．０〜５０重量部 （ｄ）カーボンブラック６．０〜３５０重量部 （ｅ）不飽和アルコキシシラン０．５〜２０重量部 （ｆ）有機過酸化物０．０５〜４．０重量部 （ｇ）シラノール縮合触媒０．０１〜２０重量部
2. 【請求項２】 導体上に内部から外部に向けて内部半導
   電層、水架橋ポリエチレン絶縁層、外部半導電層及びジ
   ャケット層が形成されている水架橋ポリエチレン絶縁電
   力ケーブルの外部半導電層として用いる下記（ａ）、
   （ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）、（ｇ）及び
   （ｈ）成分からなる剥離性半導電性水架橋性樹脂組成
   物。 （ａ）（Ｉ）酢酸ビニル含有量１０〜５０重量％、メル
   トマスフローレート１．０〜１００．０ｇ／１０分のエ
   チレン−酢酸ビニル共重合体、（ＩＩ）エチルアクリレ
   ート含有量１０〜５０重量％、メルトマスフローレート
   １．０〜１００．０ｇ／１０分のエチレン−エチルアク
   リレート共重合体、並びに（ＩＩＩ）ブチルアクリレー
   ト含有量１０〜５０重量％、メルトマスフローレート
   １．０〜１００．０ｇ／１０分のエチレン−ブチルアク
   リレート共重合体から選ばれた１種あるいは１種以上１
   ００重量部 （ｂ）メルトマスフローレート０．５〜３０．０ｇ／１
   ０分、密度０．９００〜０．９２０ｇ／ｃｍ^３のポリプ
   ロピレン５〜５０重量部 （ｃ）下記の式（Ａ） 【化２】 （式中、Ｒ^１は脂肪族不飽和炭化水素基、Ｒ^２は脂肪族
   不飽和基を含まない非置換または置換１価炭化水素基、
   ０≦ｘ＜１、０．５＜ｙ＜３、１＜ｘ＋ｙ＜３、０＜ａ
   ≦１、０．５≦ｂ≦３である。）で表わされるオルガノ
   ポリシロキサン２．０〜５０重量部 （ｄ）カーボンブラック６．０〜３５０×（１＋Ｑ／１
   ００）重量部 （ｅ）不飽和アルコキシシラン０．５〜２０×（１＋Ｑ
   ／１００）重量部 （ｆ）有機過酸化物０．０５〜４．０×（１＋Ｑ／１０
   ０）重量部 （ｇ）シラノール縮合触媒０．０１〜２０×（１＋Ｑ／
   １００）重量部 （ｈ）メルトマスフローレート０．１〜３０．０ｇ／１
   ０分、密度０．８７０〜０．９４４ｇ／ｃｍ^３の直鎖状
   エチレン−α−オレフィン共重合体０〜２００重量部 （但し、Ｑは（ｈ）成分の配合量（重量部）である。）
3. 【請求項３】 請求項１の（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）か
   らなる樹脂組成物と（ｄ）のカーボンブラック成分を１
   ５０〜２００℃で加熱混練し、これに（ｅ）の不飽和ア
   ルコキシシラン、（ｆ）の有機過酸化物及び（ｇ）のシ
   ラノール縮合触媒を配合し、次いで、２００〜２５０℃
   で加熱混練し不飽和アルコキシシランを樹脂成分にグラ
   フトさせて作った、導体上に内部から外部に向けて内部
   半導電層、水架橋ポリエチレン絶縁層、外部半導電層及
   びジャケット層が形成されている水架橋ポリエチレン絶
   縁電力ケーブルの外部半導電層として用いる剥離性半導
   電性水架橋性樹脂組成物。
4. 【請求項４】 請求項２の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及び
   （ｈ）からなる樹脂組成物と（ｄ）のカーボンブラック
   成分を１５０〜２００℃で加熱混練し、これに（ｅ）の
   不飽和アルコキシシラン、（ｆ）の有機過酸化物及び
   （ｇ）のシラノール縮合触媒を配合し、次いで、２００
   〜２５０℃で加熱混練し不飽和アルコキシシランを樹脂
   成分にグラフトさせて作った、導体上に内部から外部に
   向けて内部半導電層、水架橋ポリエチレン絶縁層、外部
   半導電層及びジャケット層が形成されている水架橋ポリ
   エチレン絶縁電力ケーブルの外部半導電層として用いる
   剥離性半導電性水架橋性樹脂組成物。
5. 【請求項５】 導体上に内部半導電層用樹脂組成物、水
   架橋性ポリエチレン絶縁層用樹脂組成物及び請求項１乃
   至４のいずれかに記載の剥離性半導電性水架橋性樹脂組
   成物を順次被覆する工程は、上記内部半導電層用樹脂組
   成物及び水架橋性ポリエチレン絶縁層用樹脂組成物を被
   覆する工程が二層同時押出装置により行われ、かつ、該
   水架橋性ポリエチレン絶縁層用樹脂組成物は、モノシル
   方式で絶縁層押出機中で調製され、次いで上記剥離性半
   導電性水架橋性樹脂組成物を被覆する工程を行うことを
   特徴とする水架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブルの製造
   方法。
6. 【請求項６】 導体上に内部半導電層用樹脂組成物、水
   架橋性ポリエチレン絶縁層用樹脂組成物及び請求項１乃
   至４のいずれかに記載の剥離性半導電性水架橋性樹脂組
   成物を順次被覆する工程が三層同時押出装置により行わ
   れ、かつ、該水架橋性ポリエチレン絶縁層用樹脂組成物
   は、モノシル方式で三層同時押出装置の絶縁層押出機中
   で調製されることを特徴とする水架橋ポリエチレン絶縁
   電力ケーブルの製造方法。
7. 【請求項７】 請求項５あるいは６の方法によって製造
   される水架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブル。