JP2001108838A - 樹脂基板又は樹脂ファイバの切断加工方法及び液晶デバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 切断の際に生じる樹脂基板又は樹脂ファイバ
の変形や透明電極膜等の変形・剥離などに起因して、液
晶デバイスの特性や信頼性が劣化したり製造歩留りが低
下したりすることを防止することができる樹脂基板又は
樹脂ファイバの切断加工方法及び液晶デバイスの製造方
法を提供することを目的とする。 【解決手段】 刃先角が３０°以下の硬質刃を有するカ
ッターを用いてＩＴＯ透明電極膜１２が形成されている
樹脂基板１０をその表面側から切断すると、切断端面１
４の裏面側には、傘状の突出が０．３〜２μｍの幅で一
様に生じる。こうした切断端面１４に対して熱処理加工
を行う。即ち、温度１８０℃に加熱したガラス板又は金
属板の平坦面に切断端面１４から裏面側エッジ部にかけ
て当接し、５〜１０秒間保持する。この熱処理加工によ
り、切断端面１４から裏面側に発生した樹脂基板１０の
傘状の突出は、その突出が滑らかになる形で解消した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂基板又は樹脂
ファイバの切断加工方法及びこの樹脂基板又は樹脂ファ
イバの切断加工方法を用いた液晶表示素子や液晶光スイ
ッチ素子などの液晶デバイスの製造方法に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】従来の液晶表示素子の製造工程において
は、例えば一対の大きなガラス基板からなる透明基板を
マザーボードとして用い、これらの透明基板上にそれぞ
れ透明電極膜を形成し、配向膜を形成し、ラビング処理
を行い、スペーサを散布し、シール材を印刷した後、マ
ザーボードとしての一対の透明基板を張り合わせる。続
いて、この張り合わせた一対の透明基板を表示画面単位
に切断した後、各一対の透明基板間に液晶を注入し、封
止作業を介して、偏向膜の取付けを行う。このようにし
て、透明基板の切断工程を含む一連の工程を経て液晶表
示素子を作製する。

【０００３】ところで、近年、マルチメディアの一形態
として携帯情報端末が重要視されているが、この携帯情
報端末用の液晶ディスプレイとしては、軽く、薄く、衝
撃に強く、消費電力が小さく、表示品位も高いことが要
求される。そのため、液晶表示素子の透明基板として用
いていたガラス基板の代わりに、樹脂基板が使用される
ようになってきた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、液晶表
示素子の透明基板として、従来のガラス基板の代わりに
樹脂基板を使用すると、幾つかの信頼性上の問題が生じ
る。その一つに、樹脂基板は、ガラス基板と異なって劈
開性をもたず、可撓性があるために、樹脂基板を切断す
る工程において、従来のガラス基板の切断方法を用いる
ことができないという問題がある。

【０００５】例えば円盤状の刃を回転させて切断するダ
イシング切断法を用いると、切断の際の発熱によって樹
脂基板が溶融したり、高速回転する刃によって樹脂基板
上に形成した透明電極膜や配向膜などが剥離したりする
事態が生じる。また、カッターを使用して切断するスク
ライブ切断法を用いると、樹脂基板が切断時の応力に耐
えられずに変形してしまい、樹脂基板の切断端面に傘状
の突出が生じる事態や、樹脂基板上に形成した透明電極
膜や配向膜などが変形したり剥離したりする事態が生じ
る。

【０００６】後者のスクライブ切断法においては、カッ
ターを使用した一度のスクライビングによって樹脂基板
を切断分離するフルカット方式と、カッターを樹脂基板
の厚み方向に途中まで入れて切り込み溝を形成した後、
２度目のスクライビングによって樹脂基板を切断分離し
たり、この２度目のスクライビングの代わりに外力を加
えて樹脂基板を切り込み溝に沿って破断分離したりする
ハーフカット方式がある。両方式を比較すると、ハーフ
カット方式のがフルカット方式よりも切断の際に生じる
樹脂基板の変形の度合いが小さくなるという違いはある
ものの、何れの方式においても、切断の際には樹脂基板
の変形が生じてしまう。

【０００７】こうして、樹脂基板の切断の際に、樹脂基
板の変形や樹脂基板上に形成した透明電極膜等の変形・
剥離などにより液晶表示素子の特性や信頼性の劣化を招
いたり、樹脂基板の切断端面の傘状の突出が搬送装置の
搬送路と接触して塵埃となって液晶表示素子の製造歩留
りの低下を招くという問題があった。

【０００８】なお、この樹脂基板の切断端面の変形（バ
リ）が搬送装置の搬送路と接触して塵埃となり液晶表示
素子の製造歩留りの低下を招くという問題を解決するも
のとして、樹脂基板を切断する際に、液晶と接する基板
面とは反対の面からカッターを入れて、切断の際に生じ
るバリが液晶側を向くようにする液晶表示装置の製造方
法が提案されている（特開平８−１２９１６７号公報及
び特開平８−１３６９３８号公報参照）。この提案によ
れば、「絶縁性樹脂基板は、カットする以上どうしても
バリがついて回るため、このバリの方向を液晶に向かっ
て発生させることで、バリは搬送装置のベルトに当接せ
ず、バリの脱落を抑制することができる」（特開平８−
１２９１６７号公報の段落番号００１４、特開平８−１
３６９３８号公報の段落番号００１７）としている。

【０００９】しかし、例えば強誘電性液晶を用いる液晶
表示素子や液晶光スイッチ素子などの液晶デバイスの場
合、ＴＮ液晶やＳＴＮ液晶を用いる液晶デバイスの場合
よりも狭いセルギャップを必要とするため、樹脂基板を
切断する際に生じるバリが液晶側を向くようにすると、
このバリが互いに対向する基板に接触して短絡等の不具
合を生じる原因となり、液晶デバイスの特性や信頼性を
劣化させる恐れが生じる。また、それだけでなく、ＴＮ
液晶やＳＴＮ液晶を用いる液晶デバイスの場合には問題
とならなかった程度の僅かな樹脂基板の変形や透明基板
の変形・剥離などによっても、狭いセルギャップを要す
る強誘電性液晶を用いる液晶デバイスの場合は、その特
性上や信頼性上の問題を生じることになる。

【００１０】そこで本発明は、上記問題点に鑑みてなさ
れたものであり、樹脂基板又は樹脂ファイバを切断する
際に生じる樹脂基板又は樹脂ファイバの変形や樹脂基板
上に形成した透明電極膜等の変形・剥離などに起因し
て、液晶デバイスの特性や信頼性が劣化したり製造歩留
りが低下したりすることを防止することができる樹脂基
板又は樹脂ファイバの切断加工方法及びこの樹脂基板又
は樹脂ファイバの切断加工方法を用いる液晶デバイスの
製造方法を提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記課題は、以下の本発
明に係る樹脂基板又は樹脂ファイバの切断加工方法及び
液晶デバイスの製造方法により達成される。即ち、請求
項１に係る樹脂基板又は樹脂ファイバの切断加工方法
は、所定の刃先角をもつカッターを用いたフルカット方
式により、樹脂基板又は樹脂ファイバを切断分離する工
程と、樹脂基板又は樹脂ファイバの切断端面に対して、
切断端面からエッジ部にかけてを所定の温度に加熱した
部材に当接する熱処理加工を行う工程と、を有し、樹脂
基板又は樹脂ファイバを切断分離する際に切断端面に生
じる変形を熱処理加工により解消することを特徴とす
る。

【００１２】このように請求項１に係る樹脂基板又は樹
脂ファイバの切断加工方法においては、カッターを用い
て樹脂基板又は樹脂ファイバを切断した後、その切断端
面に対して熱処理加工を行うことにより、樹脂基板又は
樹脂ファイバを切断分離する際に切断端面に生じる変
形、例えば傘状の突出などが解消される。このため、樹
脂基板又は樹脂ファイバを用いるデバイスにおける樹脂
基板又は樹脂ファイバの変形に起因する特性や信頼性の
劣化、製造歩留りの低下が防止される。

【００１３】また、請求項２に係る樹脂基板又は樹脂フ
ァイバの切断加工方法は、樹脂基板又は樹脂ファイバの
上に所定の膜を形成する工程と、所定の刃先角をもつカ
ッターを用いたフルカット方式により、所定の膜が形成
されている樹脂基板又は樹脂ファイバを切断分離する工
程と、所定の膜が形成されている樹脂基板又は樹脂ファ
イバの切断端面に対して、切断端面からエッジ部にかけ
てを所定の温度に加熱した部材に当接する熱処理加工を
行う工程とを有し、所定の膜が形成されている樹脂基板
又は樹脂ファイバを切断分離する際に切断端面に生じる
変形を熱処理加工により解消することを特徴とする。

【００１４】このように請求項２に係る樹脂基板又は樹
脂ファイバの切断加工方法においては、カッターを用い
て所定の膜、例えば透明電極膜や配向膜などが形成され
ている樹脂基板又は樹脂ファイバを切断した後、その切
断端面に対して所定の熱処理加工を行うことにより、切
断分離の際に切断端面に生じる変形、例えば樹脂基板又
は樹脂ファイバの傘状の突出や透明電極膜等の変形・剥
離などが解消される。このため、樹脂基板又は樹脂ファ
イバを用いるデバイスにおける樹脂基板又は樹脂ファイ
バの変形や透明電極膜等の変形・剥離などに起因する特
性や信頼性の劣化、製造歩留りの低下が防止される。

【００１５】また、請求項３に係る樹脂基板又は樹脂フ
ァイバの切断加工方法は、樹脂基板又は樹脂ファイバの
上に、所定の膜を形成する工程と、所定の刃先角をもつ
カッターを用いたハーフカット方式により、樹脂基板又
は樹脂ファイバの所定の膜が形成されている面側に切り
込み溝を形成する工程と、この切り込み溝のエッジ部
に、所定の温度に加熱した部材を当接する熱処理加工を
行う工程と、樹脂基板又は樹脂ファイバを切り込み溝の
部分から分断する工程と、を有し、樹脂基板又は樹脂フ
ァイバの所定の膜が形成されている面側に切り込み溝を
形成する際にこの切り込み溝のエッジ部に生じる変形を
熱処理加工により解消することを特徴とする。

【００１６】このように請求項３に係る樹脂基板又は樹
脂ファイバの切断加工方法においては、カッターを用い
て樹脂基板又は樹脂ファイバの所定の膜、例えば透明電
極膜や配向膜などが形成されている面側に切り込み溝を
形成した後、その切り込み溝のエッジ部に対して所定の
熱処理加工を行うことにより、切り込み溝の形成の際に
切り込み溝のエッジ部に生じる変形、例えば透明電極膜
等の変形・剥離などが解消される。このため、樹脂基板
又は樹脂ファイバを用いるデバイスにおける透明電極膜
等の変形・剥離などに起因する特性や信頼性の劣化、製
造歩留りの低下が防止される。

【００１７】なお、樹脂基板又は樹脂ファイバを切り込
み溝の部分から分断する方法としては、樹脂基板又は樹
脂ファイバを左右方向に引っ張って切り込み溝の部分か
ら引き裂いて破断分離する方法を用いてもよいし、切り
込み溝又はその裏側に再度カッターを入れてスクライビ
ングを行い、切断分離する方法を用いてもよい。

【００１８】また、請求項４に係る液晶デバイスの製造
方法は、互いに対向する２つの透明基板として第１及び
第２の樹脂基板を用いる液晶デバイスの製造方法であっ
て、第１及び第２の樹脂基板の上に、それぞれ所定の膜
を形成する工程と、所定の刃先角をもつカッターを用い
たフルカット方式により、所定の膜が形成されている第
１及び第２の樹脂基板をそれぞれ切断分離する工程と、
所定の膜が形成されている第１及び第２の樹脂基板のそ
れぞれの切断端面に対して、切断端面からエッジ部にか
けてを所定の温度に加熱した部材に当接する熱処理加工
を行う工程と、第１及び第２の樹脂基板を対向させて張
り合わせ、液晶セルを形成する工程と、この液晶セルに
液晶を注入する工程と、を有することを特徴とする。

【００１９】このように請求項４に係る液晶デバイスの
製造方法においては、カッターを用いて所定の膜、例え
ば透明電極膜や配向膜などが形成されている第１及び第
２の樹脂基板を切断した後、それらの切断端面に対して
所定の熱処理加工を行い、切断分離の際に切断端面に生
じる変形、例えば第１及び第２の樹脂基板の傘状の突出
や透明電極膜等の変形・剥離などを予め解消しておき、
その後に第１及び第２の樹脂基板を対向させて張り合わ
せ、液晶セルを形成し、液晶を注入する等の工程を経て
液晶デバイス、例えば液晶表示素子を作製することによ
り、第１及び第２の樹脂基板の傘状の突出や透明電極膜
等の変形・剥離などに起因する特性や信頼性の劣化、製
造歩留りの低下が防止され、またセルギャップが非常に
均一に保持されて、優れた表示品位を有する液晶表示素
子が実現される。

【００２０】また、請求項５に係る液晶デバイスの製造
方法は、互いに対向する２つの透明基板として第１及び
第２の樹脂基板を用いる液晶デバイスの製造方法であっ
て、第１及び第２の樹脂基板の上に、それぞれ所定の膜
を形成する工程と、所定の刃先角をもつカッターを用い
たハーフカット方式により、第１及び第２の樹脂基板の
所定の膜が形成されている面側に、それぞれ第１及び第
２の切り込み溝を形成する工程と、第１及び第２の切り
込み溝のエッジ部に、それぞれ所定の温度に加熱した部
材を当接する熱処理加工を行う工程と、第１及び第２の
樹脂基板を対向させて張り合わせた後、第１及び第２の
樹脂基板を第１及び第２の切り込み溝の部分から同時的
に分断し、液晶セルを形成する工程と、この液晶セルに
液晶を注入する工程と、を有することを特徴とする。

【００２１】このように請求項５に係る液晶デバイスの
製造方法においては、カッターを用いて第１及び第２の
樹脂基板の所定の膜、例えば透明電極膜や配向膜などが
形成されている面側に第１及び第２の切り込み溝を形成
した後、それら第１及び第２の切り込み溝のエッジ部に
対して所定の熱処理加工を行い、第１及び第２の切り込
み溝のエッジ部に生じる変形、例えば透明電極膜等の変
形・剥離などを予め解消しておき、その後に第１及び第
２の樹脂基板を対向させて張り合わせ、第１及び第２の
切り込み溝の部分から同時的に分離して液晶セルを形成
し、液晶を注入する等の工程を経て液晶デバイス、例え
ば液晶表示素子を作製することにより、透明電極膜等の
変形・剥離などに起因する特性や信頼性の劣化、製造歩
留りの低下が防止されるため、セルギャップが非常に均
一に保持され、優れた表示品位を有する液晶表示素子が
実現される。

【００２２】なお、対向させて張り合わせた第１及び第
２の樹脂基板を第１及び第２の切り込み溝の部分から同
時的に分断する方法としては、第１及び第２の樹脂基板
を共に左右方向に引っ張って第１及び第２の切り込み溝
の部分から引き裂いて破断分離する方法を用いてもよ
い。また、第１及び第２の切り込み溝の形成位置が一致
している場合には、何れか一方の樹脂基板の切り込み溝
の裏面側からカッターを入れてスクライビングを行い、
第１及び第２の樹脂基板を連続的に切断分離してもよい
し、第１及び第２の切り込み溝の形成位置がずれている
場合には、第１の切り込み溝の裏側からカッターを入れ
てスクライビングを行い、第１の樹脂基板を切断分離す
ると共に、第２の切り込み溝の裏側からカッターを入れ
てスクライビングを行い、第２の樹脂基板を切断分離し
てもよい。更には、上記の方法を組み合わせて、何れか
一方の樹脂基板を破断分離し、他方の樹脂基板を破断分
離する方法を用いてもよい。

【００２３】また、請求項６に係る液晶デバイスの製造
方法は、導波路として第１の樹脂基板又は樹脂ファイバ
を用い、導波路に対向する透明基板として第２の樹脂基
板を用いる液晶デバイスの製造方法であって、第１の樹
脂基板又は樹脂ファイバの上に第１の所定の膜を形成す
ると共に、第２の樹脂基板の上に第２の所定の膜を形成
する工程と、所定の刃先角をもつカッターを用いたフル
カット方式により、第１の所定の膜が形成されている第
１の樹脂基板又は樹脂ファイバを切断分離すると共に、
第２の所定の膜が形成されている第２の樹脂基板を切断
分離する工程と、第１の所定の膜が形成されている第１
の樹脂基板又は樹脂ファイバの切断端面及び第２の所定
の膜が形成されている第２の樹脂基板の切断端面に対し
て、それぞれ切断端面からエッジ部にかけてを所定の温
度に加熱した部材に当接する熱処理加工を行う工程と、
第１の樹脂基板又は樹脂ファイバと第２の樹脂基板とを
対向させて張り合わせ、液晶セルを形成する工程と、こ
の液晶セルに液晶を注入する工程と、を有することを特
徴とする。

【００２４】このように請求項６に係る液晶デバイスの
製造方法においては、カッターを用いて第１及び第２の
所定の膜、例えば透明電極膜や配向膜などが形成されて
いる導波路としての第１の樹脂基板又は樹脂ファイバ及
び透明基板としての第２の樹脂基板を切断した後、それ
ぞれの切断端面に対して所定の熱処理加工を行い、切断
分離の際に切断端面に生じる変形、例えば第１の樹脂基
板又は樹脂ファイバ及び第２の樹脂基板の傘状の突出や
透明電極膜等の変形・剥離などを予め解消しておき、そ
の後に第１の樹脂基板又は樹脂ファイバと第２の樹脂基
板とを対向させて張り合わせ、液晶セルを形成し、液晶
を注入する等の工程を経て液晶デバイス、例えば光導波
路型の液晶光スイッチ素子を作製することにより、第１
の樹脂基板又は樹脂ファイバ及び第２の樹脂基板の傘状
の突出や透明電極膜等の変形・剥離などに起因する特性
や信頼性の劣化、製造歩留りの低下が防止され、またセ
ルギャップが非常に均一に保持されて、優れた表示品位
を有する液晶光スイッチ素子が実現される。

【００２５】なお、上記請求項４〜６に係る液晶デバイ
スの製造方法において、液晶セルに注入する液晶とし
て、強誘電性液晶を用いることが好適である。液晶とし
て強誘電性液晶を用いる場合、ＴＮ液晶やＳＴＮ液晶を
用いる場合よりも液晶セルのセルギャップを狭くする必
要が生じ、通常では問題とならなかった程度の僅かな樹
脂基板又は樹脂ファイバの変形や透明電極膜等の変形・
剥離などによっても特性上や信頼性上の問題を生じる
が、上記請求項４〜６に係る液晶デバイスの製造方法に
おいては、そうした僅かな樹脂基板又は樹脂ファイバの
変形や透明電極膜等の変形・剥離などを容易に解消し
て、セルギャップを非常に均一に保持することが可能な
ことから、強誘電性液晶を用いたセルギャップを狭い液
晶デバイスが容易に実現される。逆にいえば、このよう
な強誘電性液晶を用いたセルギャップを狭い液晶デバイ
スを作製する場合に、上記請求項４〜６に係る液晶デバ
イスの製造方法が最も有効に適用される。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら、
本発明の実施の形態を説明する。 （第１の実施形態）図１（ａ）、（ｂ）はそれぞれ本発
明の第１の実施形態に係る樹脂基板の切断加工方法を説
明するための工程断面図である。

【００２７】先ず、樹脂基板１０として、透明性に優
れ、複屈折性の少ないシート材料であるポリカーボネイ
ト（三菱エンジニアリングプラスチック社製ユーピロ
ン）からなる厚さ２００μｍの基板を用意する。そし
て、この樹脂基板１０上に、ＳｎＯ₂ （酸化錫）を５％
ドープしたＩＴＯ（Indium Tin Oxide；錫ドープ酸化イ
ンジウム）をターゲットとするスパッタ法により、厚さ
１００ｎｍのＩＴＯ薄膜を形成した後、このＩＴＯ薄膜
を所定の形状にパターニングして、ＩＴＯ透明電極膜１
２を形成する。

【００２８】次いで、このＩＴＯ透明電極膜１２が形成
されている樹脂基板１０を、刃先角が３０°以下の硬質
刃を有するカッターを用いてスクライブ切断法により切
断する。具体的には、樹脂基板１０のＩＴＯ透明電極膜
１２が形成されている面（以下、この面を「表面」とい
い、その反対側のＩＴＯ透明電極膜１２が形成されてい
ない面を「裏面」という）からカッターを入れ、フルカ
ット方式により、一度のスクライビングによって樹脂基
板１０を完全に切断分離する。

【００２９】本発明者らの試作によれば、この切断の際
に、樹脂基板１０の切断端面１４にクラックの発生は観
察されなかった。しかし、図１（ａ）のＡ部に示される
ように、切断端面１４の裏面側エッジ部には、傘状の突
出が０．３〜２μｍの幅で一様に生じているのが観察さ
れた。

【００３０】なお、この傘状の突出は、樹脂基板１０を
表面側から切断した場合のみならず、その裏面側から切
断した場合にも同様に生じることから、樹脂基板１０自
体の変形であり、樹脂基板１０上のＩＴＯ透明電極膜１
２が剥離したものではない。因みに、ＩＴＯ透明電極膜
１２の変形・剥離は観察されなかった。

【００３１】即ち、刃先角が３０°以下の硬質刃を有す
るカッターを用いたフルカット方式により、ＩＴＯ透明
電極膜１２が形成されている樹脂基板１０をその表面側
から切断すると、樹脂基板１０の切断端面１４にクラッ
クが発生したりＩＴＯ透明電極膜１２が変形したり剥離
したりすることはないものの、切断端面１４の裏面側エ
ッジ部に樹脂基板１０の傘状の突出が０．３〜２μｍの
幅で一様に生じる。

【００３２】次いで、このような傘状の突出が生じてい
る樹脂基板１０の切断端面１４に対する熱処理加工を行
う。即ち、非常に平坦な面をもつガラス板又は金属板を
ホットプレート上に搭載し、例えば温度１８０℃に加熱
した状態において、ガラス板又は金属板の平坦面に樹脂
基板１０をその切断端面１４から裏面側エッジ部にかけ
て当接し、５〜１０秒間保持する。続いて、樹脂基板１
０をガラス板又は金属板ごとホットプレートから外して
冷却した後、樹脂基板１０をガラス板又は金属板から取
り外す。

【００３３】本発明者らの試作によれば、温度１８０℃
に加熱されたガラス板又は金属板の平坦面に樹脂基板１
０をその切断端面１４から裏面側エッジ部にかけて当接
し、５〜１０秒間保持する熱処理加工により、図１
（ｂ）のＢ部に示されるように、切断端面１４の裏面側
エッジ部に発生した樹脂基板１０の傘状の突出は、その
突出が滑らかになる形で解消した。また、このような熱
処理加工の際に、樹脂基板１０の切断端面１４に新たな
歪みが生じることもなかった。

【００３４】なお、樹脂基板１０をガラス板又は金属板
の平坦面に当接して保持する際に、加圧した状態で保持
すると、それによって樹脂基板１０の接触面に新たな変
形が生じる恐れがあるため、加圧することなく接触させ
た状態のままで保持することが望ましい。

【００３５】また、ガラス板又は金属板を温度１８０℃
に加熱した状態において樹脂基板１０を当接したのは、
以下の理由による。即ち、樹脂基板１０の材料であるポ
リカーボネイトは温度１４０℃程度でも変形し始めるも
のの、例えばガラス板又は金属板を温度１４０℃に加熱
した状態でその平坦面に樹脂基板１０を当接させた場
合、その樹脂基板１０の傘状の突出部の極最表面層のみ
にしか熱が伝わらず、その傘状の突出を解消するほど十
分な熱処理加工がなされないからである。また、逆に、
ガラス板又は金属板の加熱温度を２００℃以上にする
と、樹脂基板１０とガラス板又は金属板の平坦面との接
触時間を一瞬に短縮しても、制御不能な新たな変形が生
じるからである。従って、熱処理加工の際の樹脂基板１
０を当接するガラス板又は金属板の加熱温度は１４０℃
以上２００℃以下であることが望ましく、その温度に応
じた接触時間を設定する必要がある。

【００３６】このように本実施形態によれば、刃先角が
３０°以下の硬質刃を有するカッターを用いたフルカッ
ト方式により、ＩＴＯ透明電極膜１２が形成されている
樹脂基板１０をその表面側から切断する際に、その切断
端面１４の裏面側エッジ部に樹脂基板１０の傘状の突出
が生じても、その樹脂基板１０の切断端面１４から裏面
側エッジ部にかけてを温度１８０℃に加熱されたガラス
板又は金属板の平坦面に当接して５〜１０秒間保持する
熱処理加工を行うことにより、樹脂基板１０の傘状の突
出を滑らかにする形で解消することができる。

【００３７】（第２の実施形態）図２（ａ）、（ｂ）は
それぞれ本発明の第２の実施形態に係る樹脂基板の切断
加工方法を説明するための工程断面図である。なお、上
記第１の実施形態の図１に示される構成要素と同一の要
素には同一の符号を付して説明を省略する。

【００３８】上記第１の実施形態においては、樹脂基板
１０をＩＴＯ透明電極膜１２が形成されている表面側か
ら切断しているが、これに対して本実施形態は、樹脂基
板１０の表面側から切断する代わりに、その裏面側から
切断するものである。

【００３９】即ち、厚さ２００μｍのポリカーボネイト
からなる樹脂基板１０上に厚さ１００ｎｍのＩＴＯ透明
電極膜１２を形成した後、刃先角が３０°以下の硬質刃
を有するカッターを用いたフルカット方式により、この
ＩＴＯ透明電極膜１２が形成されている樹脂基板１０を
その裏面から完全に切断分離する。

【００４０】本発明者らの試作によれば、この切断の際
に、樹脂基板１０の切断端面１４にクラックの発生は観
察されなかったが、図２（ａ）のＡ部に示されるよう
に、樹脂基板１０の表面側エッジ部に傘状の突出が０．
３〜２μｍの幅で一様に生じることに加え、この樹脂基
板１０の変形に追随する形でＩＴＯ透明電極膜１２にも
傘状の突出（以下、このＩＴＯ透明電極膜１２の傘状の
突出を「バリ」という）が生じているのが観察された。

【００４１】即ち、刃先角が３０°以下の硬質刃を有す
るカッターを用いたフルカット方式により、ＩＴＯ透明
電極膜１２が形成されている樹脂基板１０をその裏面側
から切断すると、樹脂基板１０の切断端面１４にクラッ
クが発生することはないものの、切断端面１４の表面側
エッジ部に０．３〜２μｍの幅で樹脂基板１０の傘状の
突出が一様に生じ、この樹脂基板１０の変形に追随する
形でＩＴＯ透明電極膜１２にバリが生じる。

【００４２】次いで、このような樹脂基板１０の傘状の
突出及びＩＴＯ透明電極膜１２のバリが生じている切断
端面１４に対して、その切断端面１４から表面側エッジ
部にかけてを温度１８０℃に加熱されたガラス板又は金
属板の平坦面に当接して、５〜１０秒間保持する熱処理
加工を行う。

【００４３】本発明者らの試作によれば、このような熱
処理加工により、図２（ｂ）のＢ部に示されるように、
切断端面１４の裏面側エッジ部に発生した樹脂基板１０
の傘状の突出及びＩＴＯ透明電極膜１２のバリは、その
突出が滑らかになる形で解消した。そして、このような
熱処理加工の際に、樹脂基板１０の切断端面１４に新た
な歪みが生じることもなかった。

【００４４】このように本実施形態によれば、刃先角が
３０°以下の硬質刃を有するカッターを用いたフルカッ
ト方式により、ＩＴＯ透明電極膜１２が形成されている
樹脂基板１０をその裏面側から切断する際に、その切断
端面１４の表面側エッジ部に樹脂基板１０の傘状の突出
及びＩＴＯ透明電極膜１２のバリが生じても、その切断
端面１４から表面側エッジ部にかけてを温度１８０℃に
加熱されたガラス板又は金属板の平坦面に当接して５〜
１０秒間保持する熱処理加工を行うことにより、樹脂基
板１０の傘状の突出及びＩＴＯ透明電極膜１２のバリを
滑らかにする形で解消することができる。

【００４５】（第３の実施形態）図３（ａ）、（ｂ）は
それぞれ本発明の第３の実施形態に係る樹脂基板の切断
加工方法を説明するための工程断面図である。なお、上
記第１の実施形態の図１に示される構成要素と同一の要
素には同一の符号を付して説明を省略する。

【００４６】上記第１の実施形態においては、刃先角が
３０°以下の硬質刃を有するカッターを用いてＩＴＯ透
明電極膜１２が形成されている樹脂基板１０をその表面
側から切断しているが、これに対して本実施形態は、刃
先角が３０°以下の硬質刃を有するカッターの代わり
に、刃先角が３０°より大きい硬質刃を有するカッター
を用いて切断するものである。

【００４７】即ち、厚さ２００μｍのポリカーボネイト
からなる樹脂基板１０上に厚さ１００ｎｍのＩＴＯ透明
電極膜１２を形成した後、刃先角が３０°より大きい硬
質刃を有するカッターを用いて、フルカット方式のスク
ライブ切断法により、このＩＴＯ透明電極膜１２が形成
されている樹脂基板１０をその表面から完全に切断分離
する。

【００４８】本発明者らの試作によれば、この切断の際
に、樹脂基板１０の切断端面１４にクラック（図示せ
ず）がその発生の程度に大きなばらつきはあるものの観
察された。また、図３（ａ）のＡ部に示されるように、
また、切断端面１４の裏面側エッジ部には、樹脂基板１
０の傘状の突出が２μｍ以上の幅で一様に発生している
のが観察された。

【００４９】また、樹脂基板１０の切断端面１４は、カ
ッターの硬質刃の形状に対応して傾斜しており、その切
断端面１０の樹脂基板１０の表面側エッジ部がこの傾斜
に引き込まれるように変形していると共に、この変形に
追随した形で、樹脂基板１０上のＩＴＯ透明電極膜１２
も切断端面１４の傾斜に引き込まれるように変形し、図
中のＢ部に示されるように、その切断端面が部分的に剥
離しているのも観察された。更に、樹脂基板の切断端面
の中央部に基板材料の歪んだ撓み（図示せず）が観察さ
れる場合が数多くあった。

【００５０】即ち、刃先角が３０°より大きい硬質刃を
有するカッターを用いてフルカット方式のスクライブ切
断法によりＩＴＯ透明電極膜１２が形成されている樹脂
基板１０をその表面側から切断すると、樹脂基板１０の
切断端面１４にクラックが発生し、切断端面１４の樹脂
基板１０の裏面側エッジ部に傘状の突出が２μｍ以上の
幅で一様に発生する一方、切断端面１４が傾斜し、この
切断端面１２の傾斜に引き込まれるようにして表面側エ
ッジ部の樹脂基板１０及びＩＴＯ透明電極膜１２が変形
すると共に、このＩＴＯ透明電極膜１２の切断端面が部
分的に剥離する。更に、切断端面１４の中央部に基板材
料の歪んだ撓みが生じる場合もある。

【００５１】次いで、このような樹脂基板１０の傘状の
突出及びＩＴＯ透明電極膜１２の剥離が生じている樹脂
基板１０の切断端面１４に対して、その切断端面１４か
ら表裏面側エッジ部にかけてを温度１８０℃に加熱され
たガラス板又は金属板の平坦面に当接し、５〜１０秒間
保持する熱処理加工を行う。

【００５２】本発明者らの試作によれば、このような熱
処理加工により、樹脂基板１０の切断端面１４に発生し
たクラックは消滅した。また、図３（ｂ）のＣ部に示さ
れるように、樹脂基板１０の切断端面１４の裏面側エッ
ジ部に発生した樹脂基板１０の傘状の突出は、その突出
が滑らかになる形で解消した。また、樹脂基板１０の切
断端面１４の傾斜は、その傾斜が緩和又は消滅する形で
解消した。また、図中のＤ部に示されるように、ＩＴＯ
透明電極膜１２の切断端面の部分的な剥離も、再び樹脂
基板１０に密着した。更に、切断端面１４の中央部に生
じた基板材料の歪んだ撓みは、その撓み部分が脱落する
ことがないような形状に滑らかに一体化する形で解消し
た。そして、このような熱処理加工の際に、樹脂基板１
０の切断端面１４に新たな歪みが生じることもなかっ
た。

【００５３】このように本実施形態によれば、刃先角が
３０°より大きい硬質刃を有するカッターを用いてＩＴ
Ｏ透明電極膜１２が形成されている樹脂基板１０をその
表面側から切断する際に、その樹脂基板１０の切断端面
１４にクラックが生じても、切断端面１４の裏面側エッ
ジ部に樹脂基板１０の傘状の突出が生じても、その切断
端面１４が傾斜しても、この切断端面１２の傾斜に引き
込まれて表面側エッジ部の樹脂基板１０が変形すると共
に、ＩＴＯ透明電極膜１２の切断端面が部分的に剥離し
ても、切断端面１４の中央部に基板材料の歪んだ撓みが
生じても、切断端面１４から表裏面側エッジ部にかけて
を温度１８０℃に加熱されたガラス板又は金属板の平坦
面に当接して５〜１０秒間保持する熱処理加工を行うこ
とにより、樹脂基板１０の切断端面１４のクラックを消
滅させ、切断端面１４の裏面側エッジ部の樹脂基板１０
の傘状の突出を滑らかにする形で解消し、樹脂基板１０
の切断端面１４の傾斜をその傾斜が緩和又は消滅する形
で解消すると共に、ＩＴＯ透明電極膜１２の切断端面の
部分的な剥離を再び樹脂基板１０に密着させ、切断端面
１４の中央部の基板材料の歪んだ撓みを滑らかに一体化
する形で解消することができる。

【００５４】（第４の実施形態）図４（ａ）、（ｂ）は
それぞれ本発明の第４の実施形態に係る樹脂基板の切断
加工方法を説明するための工程断面図である。なお、上
記第３の実施形態の図３に示される構成要素と同一の要
素には同一の符号を付して説明を省略する。

【００５５】上記第３の実施形態においては、樹脂基板
１０をＩＴＯ透明電極膜１２が形成されている表面側か
ら切断しているが、これに対して、本実施形態は、ＩＴ
Ｏ透明電極膜１２が形成されている樹脂基板１０をその
裏面側から切断するものである。

【００５６】即ち、厚さ２００μｍのポリカーボネイト
からなる樹脂基板１０上に厚さ１００ｎｍのＩＴＯ透明
電極膜１２を形成した後、刃先角が３０°より大きい硬
質刃を有するカッターを用いて、フルカット方式のスク
ライブ切断法により、このＩＴＯ透明電極膜１２が形成
されている樹脂基板１０をその裏面から完全に切断分離
する。

【００５７】本発明者らの試作によれば、この切断の際
に、樹脂基板１０の切断端面１４にクラック（図示せ
ず）がその発生の程度に大きなばらつきはあるものの観
察された。また、図４（ａ）のＡ部に示されるように、
その切断端面１４の表面側エッジ部には、樹脂基板１０
の傘状の突出が２μｍ以上の幅で一様に生じていること
に加え、この樹脂基板１０の変形に追随する形でＩＴＯ
透明電極膜１２にもバリが生じているのが観察された。
また、樹脂基板１０の切断端面１４は、カッターの硬質
刃の形状に対応して傾斜しており、その切断端面１４の
裏面側エッジ部がこの傾斜に引き込まれるように変形し
ているのも観察された。更に、樹脂基板１０の切断端面
１４の中央部に基板材料の歪んだ撓み（図示せず）が観
察される場合が数多くあった。

【００５８】即ち、刃先角が３０°より大きい硬質刃を
有するカッターを用いてフルカット方式のスクライブ切
断法によりＩＴＯ透明電極膜１２が形成されている樹脂
基板１０をその裏面側から切断すると、樹脂基板１０の
切断端面１４にクラックが生じると共に、その切断端面
１４が傾斜し、この切断端面１４の傾斜に引き込まれる
ように切断端面１４の樹脂基板１０の裏面側エッジ部が
変形する。また、切断端面１４の樹脂基板１０の表面側
エッジ部に傘状の突出が２μｍ以上の幅で一様に生じ、
この樹脂基板１０の変形に追随する形でＩＴＯ透明電極
膜１２にバリが生じる。更に、切断端面１４の中央部に
は基板材料の歪んだ撓みが生じる場合もある。

【００５９】次いで、このような樹脂基板１０の傘状の
突出及びＩＴＯ透明電極膜１２のバリが生じている樹脂
基板１０の切断端面１４に対して、その切断端面１４か
ら表面側エッジ部にかけてを温度１８０℃に加熱された
ガラス板又は金属板の平坦面に当接し、５〜１０秒間保
持する熱処理加工を行う。

【００６０】本発明者らの試作によれば、このような熱
処理加工により、樹脂基板１０の切断端面１４に発生し
たクラックは消滅した。また、図４（ｂ）のＢ部に示さ
れるように、樹脂基板１０の切断端面１４の裏面側エッ
ジ部に発生した樹脂基板１０の傘状の突出及びＩＴＯ透
明電極膜１２のバリは、その突出が滑らかになる形で解
消した。樹脂基板１０の切断端面１４の傾斜も、その傾
斜が緩和又は消滅する形で解消した。更に、切断端面１
４の中央部に生じた基板材料の歪んだ撓みは、その撓み
部分が脱落することがないような形状に滑らかに一体化
する形で解消した。そして、このような熱処理加工の際
に、樹脂基板１０の切断端面１４に新たな歪みが生じる
こともなかった。但し、切断端面１４の傾斜に引き込ま
れるような樹脂基板１０の裏面側エッジ部の変形は、そ
のまま残存した。

【００６１】このように本実施形態によれば、刃先角が
３０°より大きい硬質刃を有するカッターを用いてＩＴ
Ｏ透明電極膜１２が形成されている樹脂基板１０をその
裏面側から切断する際に、その樹脂基板１０の切断端面
１４にクラックが生じても、その切断端面１４が傾斜し
ても、切断端面１４の裏面側エッジ部に樹脂基板１０の
傘状の突出及びＩＴＯ透明電極膜１２のバリが生じて
も、切断端面１４の中央部に基板材料の歪んだ撓みが生
じても、その樹脂基板１０の傾斜する切断端面１４から
表面側エッジ部にかけてを温度１８０℃に加熱されたガ
ラス板又は金属板の平坦面に当接して５〜１０秒間保持
する熱処理加工を行うことにより、樹脂基板１０の切断
端面１４のクラックを消滅させ、樹脂基板１０の切断端
面１４の裏面側エッジ部の樹脂基板１０の傘状の突出及
びＩＴＯ透明電極膜１２のバリをその突出が滑らかにな
る形で解消し、樹脂基板１０の切断端面１４の傾斜をそ
の傾斜が緩和又は消滅する形で解消し、切断端面１４の
中央部の基板材料の歪んだ撓みを滑らかに一体化する形
で解消することができる。

【００６２】（第５の実施形態）図５（ａ）、（ｂ）は
それぞれ本発明の第５の実施形態に係る樹脂基板の切断
加工方法を説明するための工程断面図である。なお、上
記第３の実施形態の図３に示される構成要素と同一の要
素には同一の符号を付して説明を省略する。

【００６３】上記第３の実施形態においては、刃先角が
３０°より大きい硬質刃を有するカッターを用いたフル
カット方式のスクライブ切断法により、ＩＴＯ透明電極
膜１２が形成されている樹脂基板１０をその表面側から
切断しているが、これに対して本実施形態は、フルカッ
ト方式のスクライブ切断法の代わりに、ハーフカット方
式のスクライブ切断法を用いるものである。

【００６４】即ち、厚さ２００μｍのポリカーボネイト
からなる樹脂基板１０上に厚さ１００ｎｍのＩＴＯ透明
電極膜１２を形成する。続いて、刃先角が３０°より大
きい硬質刃を有するカッターを用いたハーフカット方式
により、ＩＴＯ透明電極膜１２が形成されている樹脂基
板１０の表面側に切り込み溝１６を形成する。

【００６５】本発明者らの試作によれば、この切り込み
溝１６の形成の際に、上記第３の実施形態の場合と同様
に、図５（ａ）に示されるように、切り込み溝１６の側
壁面が傾斜し、この側壁面の傾斜に引き込まれるように
切り込み溝１６のエッジ部の樹脂基板１０が変形してい
ると共に、この変形に追随した形で、樹脂基板１０上の
ＩＴＯ透明電極膜１２も変形して、その切断端面が部分
的に剥離しているのが観察された。

【００６６】即ち、刃先角が３０°より大きい硬質刃を
有するカッターを用いてハーフカット方式のスクライブ
切断法によりＩＴＯ透明電極膜１２が形成されている樹
脂基板１０の表面側に切り込み溝１６を形成すると、切
り込み溝１６の側壁面の傾斜に引き込まれるようにして
切り込み溝１６のエッジ部の樹脂基板１０及びＩＴＯ透
明電極膜１２が変形すると共に、このＩＴＯ透明電極膜
１２の切断端面が部分的に剥離する。

【００６７】次いで、このようなＩＴＯ透明電極膜１２
の剥離が生じている切り込み溝１６のエッジ部に対し
て、温度１８０℃に加熱された薄い金属板又は金属細線
を当接し、５〜１０秒間保持する熱処理加工を行う。

【００６８】本発明者らの試作によれば、このような熱
処理加工により、図５（ｂ）に示されるように、切り込
み溝１６のエッジ部におけるＩＴＯ透明電極膜１２の切
断端面の部分的な剥離は、再び樹脂基板１０に密着し
た。

【００６９】次いで、図示はしないが、ＩＴＯ透明電極
膜１２が形成されている樹脂基板１０を切り込み溝１６
の部分から分断する。なお、この分断の方法としては、
樹脂基板１０を左右方向に引っ張る力を加え、切り込み
溝１６の部分から樹脂基板１０を引き裂いて破断分離し
てもよいし、切り込み溝１６又はその裏側から再度カッ
ターを入れて２回目のスクライビングを行い、樹脂基板
１０を切断分離してもよい。

【００７０】なお、この樹脂基板１０を切り込み溝１６
の部分から分断する場合、切り込み溝１６の深さにもよ
るが、引き裂き又は切断しなければならない樹脂基板１
０の残余の部分の厚さは僅かであるため、その分断の際
に樹脂基板１０の分断面に変形が生じることは殆どない
し、変形が生じてもその程度は小さいものである。但
し、このときの樹脂基板１０の分断面に生じた変形が無
視できないものである場合には、この変形が生じた分断
面に対して、上記第１〜第４の実施形態の場合と同様の
熱処理加工を行えばよい。

【００７１】このように本実施形態によれば、刃先角が
３０°より大きい硬質刃を有するカッターを用いてＩＴ
Ｏ透明電極膜１２が形成されている樹脂基板１０の表面
側に切り込み溝１６を形成する際に、その切り込み溝１
６の側壁面の傾斜に引き込まれて切り込み溝１６のエッ
ジ部の樹脂基板１０及びＩＴＯ透明電極膜１２が変形す
ると共に、このＩＴＯ透明電極膜１２の切断端面が部分
的に剥離しても、この切り込み溝１６のエッジ部に温度
１８０℃に加熱された薄い金属板又は金属細線を当接し
て５〜１０秒間保持する熱処理加工を行うことにより、
切り込み溝１６のエッジ部におけるＩＴＯ透明電極膜１
２の切断端面の部分的な剥離を再び樹脂基板１０に密着
させることができる。

【００７２】なお、本実施形態においては、刃先角が３
０°より大きい硬質刃を有するカッターを用いている
が、この刃先角が３０°より大きい硬質刃を有するカッ
ターの代わりに、刃先角が３０°以下の硬質刃を有する
カッターを用いて、ＩＴＯ透明電極膜１２が形成されて
いる樹脂基板１０の表面側に切り込み溝を形成してもよ
い。この場合、切り込み溝のエッジ部の樹脂基板１０及
びＩＴＯ透明電極膜１２には殆ど変形が生じないため、
切り込み溝のエッジ部に対する熱処理加工は行う必要が
なくなる。但し、この場合でも、樹脂基板１０を切り込
み溝１６の部分から分断する際に無視できない程度の変
形が生じた際には、この変形が生じた分断面に対して上
記第１〜第４の実施形態の場合と同様の熱処理加工を行
えばよい。

【００７３】（第６の実施形態）図６（ａ）、（ｂ）は
それぞれ本発明の第６の実施形態に係る液晶表示素子の
製造方法を説明するための工程断面図である。本実施形
態は、上記第５の実施形態における樹脂基板の切断加工
方法を、液晶デバイス、例えば液晶として強誘電性液晶
を用いた液晶表示素子の製造に応用したものである。

【００７４】液晶を挟持する第１及び第２の透明基板と
して、透明性に優れ、複屈折性の少ないシート材料であ
るポリカーボネイトからなる厚さ２００μｍの第１及び
第２の樹脂基板２０ａ、２２ａをそれぞれ用いる。そし
て、これら第１及び第２の樹脂基板２０ａ、２０ｂ上に
それぞれＳｎＯ₂ を５％ドープした厚さ１００ｎｍのＩ
ＴＯ薄膜を形成した後、このＩＴＯ薄膜を所定の形状に
パターニングして、ＩＴＯ透明電極膜２２ａ、２２ｂを
形成する。

【００７５】次いで、これらのＩＴＯ透明電極膜２２
ａ、２２ｂが形成されている第１及び第２の樹脂基板２
０ａ、２０ｂ表面に、それぞれポリビニルアルコール
（ＰＶＡ：ｎ＝５００）１０ｗｔ％の水溶液をスピンコ
ート法により塗布し、配向膜（図示せず）を形成する。
続いて、この配向膜を焼成した後、ラビング処理を行
う。続いて、第１及び第２の樹脂基板２０ａ、２０ｂの
何れか一方の表面に、多数の１．５μｍ径の真絲球をエ
タノールに分散したものを塗布した後、焼成してエタノ
ールを除去し、これら多数の真絲球からなるスペーサ
（図示せず）を表面に配置する。

【００７６】そして、こうしたＩＴＯ透明電極膜２２
ａ、２２ｂの形成後の一連の工程の中の任意の工程間に
おいて、上記第５の実施形態における樹脂基板の切断加
工方法を適用して、所定のカッターを用いたハーフカッ
ト方式により、第１及び第２の樹脂基板２０ａ、２０ｂ
表面側に切り込み溝２４ａ、２４ｂをそれぞれ形成する
と共に、所定の熱処理加工により、切り込み溝２４ａ、
２４ｂのエッジ部におけるＩＴＯ透明電極膜２２ａ、２
２ｂの切断端面の部分的な剥離を解消しておく。

【００７７】なお、これらの切り込み溝２４ａ、２４ｂ
の形成の際に、切り込み溝２４ａ、２４ｂを形成する位
置を所定の位置に調整しておく。この切り込み溝２４
ａ、２４ｂの形成位置の調整は、後の工程において第１
及び第２の樹脂基板２０ａ、２０ｂを対向させて張り合
わせる際に、これらの切り込み溝２４ａ、２４ｂの位置
を一致させるために行うものである。

【００７８】次いで、図６（ａ）に示されるように、切
り込み溝２４ａ、２４ｂがそれぞれ形成され、更に所定
の熱処理加工が施された第１及び第２の樹脂基板２０
ａ、２０ｂを対向させ、アリル系接着剤２６を用いて張
り合わせ固定する。そして、このとき、対向する第１及
び第２の樹脂基板２０ａ、２０ｂのそれぞれの切り込み
溝２４ａ、２４ｂの位置を一致させる。

【００７９】なお、第１及び第２の樹脂基板２０ａ、２
０ｂの材料をなすポリカーボネイトの接着には、通常、
アリル系、エポキシ系、合成ゴム・アクリルゴム系の接
着剤が用いられるが、ここでアリル系接着剤２６を用い
ているのは、接着温度、液晶表示素子の作製過程におけ
る熱履歴に対応可能な密着性、接着性をもち、簡易に接
着できるという利点を有しているからである。

【００８０】次いで、図６（ｂ）に示されるように、第
２の樹脂基板２０ｂの裏面側から切り込み溝２４ａ、２
４ｂに対応する位置に、図中に矢印で示す方向にカッタ
ー２８を入れてスクライビングを行い、第１及び第２の
樹脂基板２０ａ、２０ｂを連続的に切断分離する。こう
して、第１及び第２の樹脂基板２０ａ、２０ｂを表示画
素単位に連続的に切断分離し、液晶セルを形成する。続
いて、この液晶セルに液晶を注する。この液晶の材料と
しては、例えば強誘電性液晶材料Ｍ６２３４４（ジャパ
ンエナジー社製）（ｎ０：１．４８９、ｎｅ：１．６６
６、φ：１０°）を用いる。こうして、液晶表示素子を
作製する。

【００８１】このように本実施形態によれば、上記第５
の実施形態における樹脂基板の切断加工方法を強誘電性
液晶を用いた液晶表示素子の製造に応用して、第１及び
第２の樹脂基板２０ａ、２０ｂ表面側に切り込み溝２４
ａ、２４ｂをそれぞれ形成する際に、所定の熱処理加工
により、切り込み溝２４ａ、２４ｂのエッジ部における
ＩＴＯ透明電極膜２２ａ、２２ｂの切断端面の部分的な
剥離を解消しておき、その後にアリル系接着剤２６によ
って張り合わせた第１及び第２の樹脂基板２０ａ、２０
ｂを表示画素単位に連続的に切断分離することにより、
液晶セルのセルギャップをＴＮ液晶やＳＴＮ液晶を用い
る場合よりも狭くする必要のある強誘電性液晶を用いる
場合であっても、セルギャップが非常に均一に保持され
るため、従来のように対向する第１及び第２の樹脂基板
間に短絡等の不具合を生じたりして液晶表示素子の特性
や信頼性を劣化させる恐れはなくなり、強誘電性液晶を
用いた優れた表示品位を有する液晶表示素子を実現する
ことができる。

【００８２】（第７の実施形態）図７（ａ）、（ｂ）は
それぞれ本発明の第７の実施形態に係る液晶表示素子の
製造方法を説明するための工程断面図である。なお、上
記第６の実施形態の図６に示される構成要素と同一の要
素には同一の符号を付して説明を省略する。

【００８３】上記第６の実施形態においては、第１及び
第２の樹脂基板２０ａ、２０ｂを対向させて張り合わせ
る際に、第１及び第２の樹脂基板２０ａ、２０ｂの表面
側に形成した切り込み溝２４ａ、２４ｂの位置を一致さ
せているが、これに対して本実施形態は、透明電極配線
を行うために、第１及び第２の樹脂基板２０ａ、２０ｂ
の表面側に形成する切り込み溝がずれているものであ
る。

【００８４】第１及び第２の樹脂基板２０ａ、２０ｂ上
にそれぞれＩＴＯ透明電極膜２２ａ、２２ｂを形成した
後、更に配向膜（図示せず）を形成して、ラビング処理
を行い、第１及び第２の樹脂基板２０ａ、２０ｂの何れ
か一方の表面に多数の真絲球からなるスペーサ（図示せ
ず）を配置する。そして、こうしたＩＴＯ透明電極膜２
２ａ、２２ｂの形成後の一連の工程の中の任意の工程間
において、上記第６の実施形態の場合と同様に第５の実
施形態における樹脂基板の切断加工方法を適用して、第
１及び第２の樹脂基板２０ａ、２０ｂ表面側に切り込み
溝３０ａ、３０ｂをそれぞれ形成すると共に、所定の熱
処理加工により、切り込み溝３０ａ、３０ｂのエッジ部
におけるＩＴＯ透明電極膜２２ａ、２２ｂの切断端面の
部分的な剥離を解消しておく。

【００８５】次いで、図７（ａ）に示されるように、Ｉ
ＴＯ透明電極膜２２ａが形成されている表面側に切り込
み溝３０ａが形成された第１の樹脂基板２０ａとＩＴＯ
透明電極膜２２ｂが形成されている表面側に切り込み溝
３０ｂが形成された第２の樹脂基板２０ｂとを対向さ
せ、アリル系接着剤２６を用いて張り合わせ固定する。

【００８６】なお、第１及び第２の樹脂基板２０ａ、２
０ｂの張り合わせの際、透明電極配線を考慮すると、第
１及び第２の樹脂基板２０ａ、２０ｂの表面側に形成さ
れている切り込み溝３０ａ、３０ｂの位置を一致させる
のは困難であるため、これらの切り込み溝３０ａ、３０
ｂの形成位置はずれた状態にある。

【００８７】次いで、図７（ｂ）に示されるように、第
１の樹脂基板２０ａの裏面側から切り込み溝３０ａに対
応する位置に、図中に矢印で示す方向にカッター３２を
入れてスクライビングを行い、第１の樹脂基板２０ａを
切断分離すると共に、第２の樹脂基板２３の裏面側から
切り込み溝３０ｂに対応する位置に、図中に矢印で示す
方向にカッター３４を入れてスクライビングを行い、第
２の樹脂基板２３を切断分離する。こうして、第１及び
第２の樹脂基板２０ａ、２０ｂを表示画素単位に同時的
に切断分離し、液晶セルを形成する。続いて、この液晶
セルに液晶を注する。この液晶の材料としては、例えば
強誘電性液晶材料Ｍ６２３４４（ジャパンエナジー社
製）（ｎ０：１．４８９、ｎｅ：１．６６６、φ：１０
°）を用いる。こうして、液晶表示素子を作製する。

【００８８】このように本実施形態によれば、透明電極
配線を考慮して第１及び第２の樹脂基板２０ａ、２０ｂ
の表面側に形成する切り込み溝３０ａ、３０ｂがずれて
いる場合であっても、上記第６の実施形態の場合と同様
に、上記第５の実施形態における樹脂基板の切断加工方
法を応用して、所定の熱処理加工により、切り込み溝３
０ａ、３０ｂのエッジ部におけるＩＴＯ透明電極膜２２
ａ、２２ｂの切断端面の部分的な剥離を解消しているた
め、上記第６の実施形態の場合と同様の効果を奏するこ
とができる。

【００８９】なお、上記第７の実施形態においては、第
１の樹脂基板２０ａの裏面側からカッター３２を入れて
スクライビングを行い、第２の樹脂基板２３の裏面側か
らカッター３４を入れてスクライビングを行うことによ
り、第１及び第２の樹脂基板２０ａ、２０ｂを切断分離
しているが、この方法の代わりに、第１及び第２の樹脂
基板２０ａ、２０ｂを左右方向に引っ張る力を加え、切
り込み溝３０ａ、３０ｂの部分から引き裂いて破断分離
してもよいし、第１及び第２の樹脂基板２０ａ、２０ｂ
の何れか一方をカッターを用いて切断分離した後、左右
方向に引っ張る力を加え、切り込み溝の部分から引き裂
いて破断分離してもよい。

【００９０】また、上記第６及び第７の実施形態におい
ては、上記第５の実施形態における樹脂基板の切断加工
方法を強誘電性液晶を用いた液晶表示素子の製造に応用
しているが、この第５の実施形態における樹脂基板の切
断加工方法の代わりに、上記第１〜第４の実施形態にお
ける樹脂基板の切断加工方法を応用することも可能であ
る。この場合には、第１及び第２の樹脂基板２０ａ、２
０ｂを表示画素単位に切断する際に、所定の熱処理加工
を行って切断端面に生じる樹脂基板の傘状の突出やＩＴ
Ｏ透明電極膜の剥離・バリ等を解消しておき、その後、
第１及び第２の樹脂基板２０ａ、２０ｂを対向させ、ア
リル系接着剤２６を用いて張り合わせ固定することにな
る。

【００９１】（第８の実施形態）図８（ａ）は本発明の
第８の実施形態に係る液晶光スイッチ素子を示す概略斜
視図、図８（ｂ）は図８（ａ）に示す液晶光スイッチ素
子の一部断面図である。

【００９２】本実施形態は、上記第１〜第４の実施形態
における樹脂基板の切断加工方法を液晶デバイス、例え
ば強誘電性液晶を用いた導波路型の液晶光スイッチ素子
の製造に応用したものである。

【００９３】光導波路として、透明性に優れ、複屈折性
の少ないシート材料であるポリカーボネイトからなる厚
さ２００μｍの第１の樹脂基板４０ａ、４０ｂ、４０
ｃ、４０ｄをそれぞれ用いる。また、光導波路と対にな
る液晶を挟持する透明基板として、同じポリカーボネイ
トからなる厚さ２００μｍの第２の樹脂基板４２ａ、４
２ｂ、４２ｃをそれぞれ用いる。そして、光取り出しの
ために液晶を挟持する第２の樹脂基板４２ａ、４２ｂ、
４２ｃに、例えば＃２０００のやすりを用いて同一方向
に１０〜２０回の擦り傷を形成し、グレーティング（図
示せず）を作製する。

【００９４】また、これら第１の樹脂基板４０ａ、４０
ｂ、４０ｃ、４０ｄ及び第２の樹脂基板４２ａ、４２
ｂ、４２ｃ上にそれぞれＳｎＯ₂ を５％ドープした厚さ
１００ｎｍのＩＴＯ薄膜を形成した後、このＩＴＯ薄膜
を所定の形状にパターニングして、ＩＴＯ透明電極膜４
４ａ、４４ｂをそれぞれ形成する。

【００９５】次いで、これらのＩＴＯ透明電極膜４４
ａ、４４ｂが形成されている第１の樹脂基板４０ａ、４
０ｂ、４０ｃ、４０ｄ及び第２の樹脂基板４２ａ、４２
ｂ、４２ｃ表面に、それぞれポリビニルアルコール（Ｐ
ＶＡ：ｎ＝５００）１０ｗｔ％の水溶液をスピンコート
法により塗布し、配向膜４６ａ、４６ｂをそれぞれ形成
する。続いて、これらの配向膜４６ａ、４６ｂを焼成し
た後、ラビング処理を行う。続いて、第１及び第２の第
１の樹脂基板４０ａ、４０ｂ、４０ｃの何れか一方の表
面に、多数の１．５μｍ径の真絲球をエタノールに分散
したものを塗布した後、焼成してエタノールを除去し、
これら多数の真絲球からなるスペーサ４８を配置する。
なお、液晶スイッチの効率のため、配向方向と導波方向
とは３０°の角度を付ける必要があるため、ラビングは
導波方向に３０°傾ける。

【００９６】そして、こうしたＩＴＯ透明電極膜４４
ａ、４４ｂの形成後の一連の工程の中の任意の工程間に
おいて、上記第１〜第４の実施形態における樹脂基板の
切断加工方法を適用して、第１の樹脂基板４０ａ、４０
ｂ、４０ｃ、４０ｄ及び第２の樹脂基板４２ａ、４２
ｂ、４２ｃをそれぞれ切断し、続いて樹脂基板の傘状の
突出やＩＴＯ透明電極膜の剥離・バリ等が生じている切
断端面に対して所定の熱処理加工を行う工程を設ける。
こうして、第１の樹脂基板４０ａ、４０ｂ、４０ｃ、４
０ｄ及び第２の樹脂基板４２ａ、４２ｂ、４２ｃをそれ
ぞれ表示画素単位に切断すると共に、その切断の際に切
断端面に生じる樹脂基板の変形やＩＴＯ透明電極膜の変
形・剥離・バリ等を解消する。

【００９７】次いで、表示画素単位に切断した第１の樹
脂基板４０ａ、４０ｂ、４０ｃ、４０ｄと第２の樹脂基
板４２ａ、４２ｂ、４２ｃとをアリル系接着剤５０を用
いて張り合わせ固定して、液晶セルを形成する。なお、
本実施形態に係る液晶光スイッチ素子には強誘電性液晶
を用いるため、この液晶セルのセルギャップはＴＮ液晶
やＳＴＮ液晶を用いる液晶光スイッチ素子の場合よりも
狭くなるが、第１の樹脂基板４０ａ、４０ｂ、４０ｃ、
４０ｄ及び第２の樹脂基板４２ａ、４２ｂ、４２ｃの切
断端面に生じる樹脂基板の傘状の突出やＩＴＯ透明電極
膜の剥離・バリ等は既に解消されているため、従来のよ
うに対向する第１の樹脂基板４０ａ、４０ｂ、４０ｃ、
４０ｄ及び第２の樹脂基板４２ａ、４２ｂ、４２ｃ間に
短絡等の不具合を生じたりして液晶光スイッチ素子の特
性や信頼性を劣化させる恐れはない。

【００９８】次いで、この液晶セルに液晶５２を注入す
る。この液晶５２の材料としては、例えば強誘電性液晶
材料Ｍ６２３４４（ジャパンエナジー社製）（ｎ０：
１．４８９、ｎｅ：１．６６６、φ：１０°）を用い
る。次いで、光源として、赤色（ＡｌＧａＩｎＰ系III
−Ｖ族）半導体レーザ、緑色（ＺｎＳｅ系II−ＶI 族）
半導体レーザ、青色（ＧａＮ系III −Ｖ族）半導体レー
ザ等の各種の半導体レーザ５４を用い、これらの半導体
レーザ５４をその偏光方向が導波路としての第１の樹脂
基板４０ａ、４０ｂ、４０ｃ、４０ｄにＴＥモードで入
射するように配置し、光学接着剤を用いてカップリング
する。このようにして、強誘電性液晶を用いた導波路型
の液晶光スイッチ素子を作製する。

【００９９】本発明者らの試作によれば、こうして作製
した導波路型の液晶光スイッチ素子に１０Ｖの電圧を印
加して液晶の駆動を行ったところ、液晶のスイッチ駆動
に合わせて第２の樹脂基板４２ａ、４２ｂ、４２ｃの法
線方向に出射する各種の半導体レーザ５４からの導波光
がスイッチすることが確認された。

【０１００】このように本実施形態によれば、上記第１
〜第４の実施形態における樹脂基板の切断加工方法を強
誘電性液晶を用いた導波路型の液晶光スイッチ素子の製
造に応用して、光導波路としての第１の樹脂基板４０
ａ、４０ｂ、４０ｃ、４０ｄ及びこれらと対になる液晶
を挟持する透明基板としての第２の樹脂基板４２ａ、４
２ｂ、４２ｃ表示画素単位に切断する際に、所定の熱処
理加工を行って切断端面に生じる樹脂基板の傘状の突出
やＩＴＯ透明電極膜の剥離・バリ等を解消しておくこと
により、液晶セルのセルギャップをＴＮ液晶やＳＴＮ液
晶を用いる場合よりも狭くする必要のある強誘電性液晶
を用いる場合であっても、セルギャップが非常に均一に
保持されるため、従来のように対向する第１及び第２の
樹脂基板間に短絡等の不具合を生じたりして液晶光スイ
ッチ素子の特性や信頼性を劣化させる恐れはなくなり、
優れた表示品位を有する液晶光スイッチ素子を実現する
ことができる。

【０１０１】（第９の実施形態）図９（ａ）は本発明の
第９の実施形態に係る液晶光スイッチ素子を示す概略斜
視図、図９（ｂ）は図８（ａ）に示す液晶光スイッチ素
子の一部断面図である。なお、上記第８の実施形態の図
８に示される液晶光スイッチ素子の構成要素と同一の要
素には同一の符号を付して説明を省略する。

【０１０２】上記第８の実施形態においては、光導波路
として第１の樹脂基板４０ａ、４０ｂ、４０ｃ、４０ｄ
をそれぞれ用いているが、これに対して本実施形態は、
光導波路として、樹脂基板の代わりに樹脂ファイバを用
いるものである。

【０１０３】即ち、光導波路として、透明性に優れ、複
屈折性の少ないシート材料であるポリカーボネイトから
なる樹脂ファイバ５６ａ、５６ｂ、５６ｃ、５６ｄをそ
れぞれ用いる。なお、その他の点においては、上記第８
の実施形態とほぼ同様であるため、以下の説明において
は、上記第８の実施形態と相違する点についてのみ述
べ、共通する点については説明を省略する。

【０１０４】次いで、これらの樹脂ファイバ５６ａ、５
６ｂ、５６ｃ、５６ｄ上にそれぞれＳｎＯ₂ を５％ドー
プした厚さ１００ｎｍのＩＴＯ薄膜を形成した後、この
ＩＴＯ薄膜を所定の形状にパターニングして、ＩＴＯ透
明電極膜５８をそれぞれ形成する。

【０１０５】次いで、これらのＩＴＯ透明電極膜５８が
形成されている樹脂ファイバ５６ａ、５６ｂ、５６ｃ、
５６ｄ表面に、それぞれポリビニルアルコール（ＰＶ
Ａ：ｎ＝５００）１０ｗｔ％の水溶液をスピンコート法
により塗布し、配向膜６０をそれぞれ形成する。続い
て、これらの配向膜６０を焼成した後、ラビング処理を
行う。続いて、樹脂ファイバ５６ａ、５６ｂ、５６ｃ、
５６ｄ及び第２の樹脂基板４２ａ、４２ｂ、４２ｃの何
れか一方の表面に、多数の１．５μｍ径の真絲球をエタ
ノールに分散したものを塗布した後、焼成してエタノー
ルを除去し、これら多数の真絲球からなるスペーサ４８
を配置する。

【０１０６】そして、こうしたＩＴＯ透明電極膜５８の
形成後の一連の工程の中の任意の工程間において、上記
第１〜第４の実施形態における樹脂基板の切断加工方法
を適用して、樹脂ファイバ５６ａ、５６ｂ、５６ｃ、５
６ｄをそれぞれ切断し、続いて、樹脂ファイバの傘状の
突出やＩＴＯ透明電極膜の剥離・バリ等が生じている切
断端面に対して所定の熱処理加工を行う工程を設ける。
こうして、樹脂ファイバ５６ａ、５６ｂ、５６ｃ、５６
ｄを表示画素単位に切断すると共に、その切断の際に切
断端面に生じる樹脂ファイバの変形やＩＴＯ透明電極膜
の変形・剥離・バリ等を解消する。

【０１０７】次いで、表示画素単位に切断した樹脂ファ
イバ５６ａ、５６ｂ、５６ｃ、５６ｄと第２の樹脂基板
４２ａ、４２ｂ、４２ｃとをアリル系接着剤５０を用い
て張り合わせ固定して、液晶セルを形成し、この液晶セ
ルに液晶５２を注入する。また、光源として、赤色（Ａ
ｌＧａＩｎＰ系III −Ｖ族）半導体レーザ、緑色（Ｚｎ
Ｓｅ系II−ＶI 族）半導体レーザ、青色（ＧａＮ系III
−Ｖ族）半導体レーザ等の各種の半導体レーザ５４を、
その偏光方向が導波路としての樹脂ファイバ５６ａ、５
６ｂ、５６ｃ、５６ｄにＴＥモードで入射するように配
置する。このようにして、強誘電性液晶を用いた導波路
型の液晶光スイッチ素子を作製する。

【０１０８】本発明者らの試作によれば、こうして作製
した導波路型の液晶光スイッチ素子においても、上記第
８の実施形態の場合と同様のスイッチ動作が得られるこ
とが確認された。

【０１０９】このように本実施形態によれば、上記第１
〜第４の実施形態における樹脂基板の切断加工方法を強
誘電性液晶を用いた導波路型の液晶光スイッチ素子の製
造に応用して、光導波路としての樹脂ファイバ５６ａ、
５６ｂ、５６ｃ、５６ｄを表示画素単位に切断する際
に、所定の熱処理加工を行って切断端面に生じる樹脂基
板の変形やＩＴＯ透明電極膜の変形・剥離・バリ等を解
消することにより、上記第８の実施形態の場合と同様の
効果を奏することができる。そして、このことは、上記
第１〜第４の実施形態における樹脂基板の切断加工方法
は、樹脂基板のみならず、樹脂ファイバを切断する際に
も有効であることが確認されたことを意味する。

【０１１０】

【発明の効果】以上、詳細に説明した通り、本発明に係
る樹脂基板又は樹脂ファイバの切断加工方法及び液晶デ
バイスの製造方法によれば、次のような効果を奏するこ
とができる。即ち、請求項１に係る樹脂基板又は樹脂フ
ァイバの切断加工方法によれば、カッターを用いて樹脂
基板又は樹脂ファイバを切断した後、その切断端面に対
して所定の熱処理加工を行うことにより、樹脂基板又は
樹脂ファイバを切断分離する際に切断端面に生じる変
形、例えば傘状の突出などを解消することが可能になる
ため、樹脂基板又は樹脂ファイバを用いるデバイスにお
ける樹脂基板又は樹脂ファイバの変形に起因する特性や
信頼性の劣化、製造歩留りの低下を防止することができ
る。

【０１１１】また、請求項２に係る樹脂基板又は樹脂フ
ァイバの切断加工方法によれば、カッターを用いて所定
の膜、例えば透明電極膜や配向膜などが形成されている
樹脂基板又は樹脂ファイバを切断した後、その切断端面
に対して所定の熱処理加工を行うことにより、切断分離
の際に切断端面に生じる変形、例えば樹脂基板又は樹脂
ファイバの傘状の突出や透明電極膜等の変形・剥離など
を解消することが可能になるため、樹脂基板又は樹脂フ
ァイバを用いるデバイスにおける樹脂基板又は樹脂ファ
イバの変形や透明電極膜等の変形・剥離などに起因する
特性や信頼性の劣化、製造歩留りの低下を防止すること
ができる。

【０１１２】また、請求項３に係る樹脂基板又は樹脂フ
ァイバの切断加工方法によれば、カッターを用いて樹脂
基板又は樹脂ファイバの所定の膜、例えば透明電極膜や
配向膜などが形成されている面側に切り込み溝を形成し
た後、その切り込み溝のエッジ部に対して所定の熱処理
加工を行うことにより、切り込み溝の形成の際に切り込
み溝のエッジ部に生じる変形、例えば透明電極膜等の変
形・剥離などを解消することが可能になるため、樹脂基
板又は樹脂ファイバを用いるデバイスにおける透明電極
膜等の変形・剥離などに起因する特性や信頼性の劣化、
製造歩留りの低下を防止することができる。

【０１１３】また、請求項４に係る液晶デバイスの製造
方法によれば、カッターを用いて所定の膜、例えば透明
電極膜や配向膜などが形成されている第１及び第２の樹
脂基板を切断した後、それらの切断端面に対して所定の
熱処理加工を行い、切断分離の際に切断端面に生じる変
形、例えば第１及び第２の樹脂基板の傘状の突出や透明
電極膜等の変形・剥離などを予め解消しておき、その後
に第１及び第２の樹脂基板を対向させて張り合わせ、液
晶セルを形成し、液晶を注入する等の工程を経て液晶デ
バイス、例えば液晶表示素子を作製することにより、第
１及び第２の樹脂基板の傘状の突出や透明電極膜等の変
形・剥離などに起因する特性や信頼性の劣化、製造歩留
りの低下が防止することができ、またセルギャップが非
常に均一に保持され、優れた表示品位を有する液晶表示
素子を実現することができる。

【０１１４】また、請求項５に係る液晶デバイスの製造
方法によれば、カッターを用いて第１及び第２の樹脂基
板の所定の膜、例えば透明電極膜や配向膜などが形成さ
れている面側に第１及び第２の切り込み溝を形成した
後、それら第１及び第２の切り込み溝のエッジ部に対し
て所定の熱処理加工を行い、第１及び第２の切り込み溝
のエッジ部に生じる変形、例えば透明電極膜等の変形・
剥離などを予め解消しておき、その後に第１及び第２の
樹脂基板を対向させて張り合わせ、第１及び第２の切り
込み溝の部分から同時的に分離して液晶セルを形成し、
液晶を注入する等の工程を経て液晶デバイス、例えば液
晶表示素子を作製することにより、透明電極膜等の変形
・剥離などに起因する特性や信頼性の劣化、製造歩留り
の低下が防止することができ、またセルギャップが非常
に均一に保持されて、優れた表示品位を有する液晶表示
素子を実現することができる。

【０１１５】また、請求項６に係る液晶デバイスの製造
方法によれば、カッターを用いて第１及び第２の所定の
膜、例えば透明電極膜や配向膜などが形成されている導
波路としての第１の樹脂基板又は樹脂ファイバ及び透明
基板として第２の樹脂基板を切断した後、それぞれの切
断端面に対して所定の熱処理加工を行い、切断分離の際
に切断端面に生じる変形、例えば第１の樹脂基板又は樹
脂ファイバ及び第２の樹脂基板の傘状の突出や透明電極
膜等の変形・剥離などを予め解消しておき、その後に第
１の樹脂基板又は樹脂ファイバと第２の樹脂基板とを対
向させて張り合わせ、液晶セルを形成し、液晶を注入す
る等の工程を経て液晶デバイス、例えば光導波路型の液
晶光スイッチ素子を作製することにより、第１の樹脂基
板又は樹脂ファイバ及び第２の樹脂基板の傘状の突出や
透明電極膜等の変形・剥離などに起因する特性や信頼性
の劣化、製造歩留りの低下が防止することができ、また
セルギャップが非常に均一に保持されて、優れた表示品
位を有する液晶光スイッチ素子を実現することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態に係る樹脂基板の切断
加工方法を説明するための工程断面図であって、（ａ）
は樹脂基板の切断直後の状態を示し、（ｂ）は熱処理加
工後の状態を示すものである。

【図２】本発明の第２の実施形態に係る樹脂基板の切断
加工方法を説明するための工程断面図であって、（ａ）
は樹脂基板の切断直後の状態を示し、（ｂ）は熱処理加
工後の状態を示すものである。

【図３】本発明の第３の実施形態に係る樹脂基板の切断
加工方法を説明するための工程断面図であって、（ａ）
は樹脂基板の切断直後の状態を示し、（ｂ）は熱処理加
工後の状態を示すものである。

【図４】本発明の第４の実施形態に係る樹脂基板の切断
加工方法を説明するための工程断面図であって、（ａ）
は樹脂基板の切断直後の状態を示し、（ｂ）は熱処理加
工後の状態を示すものである。

【図５】本発明の第５の実施形態に係る樹脂基板の切断
加工方法を説明するための工程断面図であって、（ａ）
は樹脂基板の表面側への切り込み溝形成直後の状態を示
し、（ｂ）は熱処理加工後の状態を示すものである。

【図６】本発明の第６の実施形態に係る液晶表示素子の
製造方法を説明するための工程断面図である。

【図７】本発明の第７の実施形態に係る液晶表示素子の
製造方法を説明するための工程断面図である。

【図８】（ａ）は本発明の第８の実施形態に係る液晶光
スイッチ素子を示す概略斜視図であり、（ｂ）は（ａ）
に示す液晶光スイッチ素子の一部断面図である。

【図９】（ａ）は本発明の第９の実施形態に係る液晶光
スイッチ素子を示す概略斜視図であり、（ｂ）は（ａ）
に示す液晶光スイッチ素子の一部断面図である。

【符号の説明】

１０……樹脂基板、１２……ＩＴＯ透明電極膜、１４…
…切断端面、１６……切り込み溝、２０ａ……第１の樹
脂基板、２０ｂ……第２の樹脂基板、２２ａ、２２ｂ…
…ＩＴＯ透明電極膜、２４ａ、２４ｂ……切り込み溝、
２６……アリル系接着剤、２８……カッター、３０ａ、
３０ｂ……切り込み溝、３２、３４……カッター、４０
ａ、４０ｂ、４０ｃ、４０ｄ……第１の樹脂基板、４２
ａ、４２ｂ、４２ｃ……第２の樹脂基板、４４ａ、４４
ｂ……ＩＴＯ透明電極膜、４６ａ、４６ｂ……配向膜、
４８……スペーサ、５０……アリル系接着剤、５２……
液晶、５４……半導体レーザ、５６ａ、５６ｂ、５６
ｃ、５６ｄ……樹脂ファイバ、５８……ＩＴＯ透明電極
膜、６０……配向膜。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H038 CA12 2H088 FA07 2H090 JB03 JC01 JC08 5G435 AA00 AA14 AA17 BB12 CC12 EE33 FF01 FF08 GG18 GG22 HH02 HH12 KK05 KK07 KK10

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 所定の刃先角をもつカッターを用いたフ
   ルカット方式により、樹脂基板又は樹脂ファイバを切断
   分離する工程と、 前記樹脂基板又は前記樹脂ファイバの切断端面に対し
   て、前記切断端面からエッジ部にかけてを所定の温度に
   加熱した部材に当接する熱処理加工を行う工程と、を有
   し、 前記樹脂基板又は前記樹脂ファイバを切断分離する際に
   前記切断端面に生じる変形を、前記熱処理加工により解
   消することを特徴とする樹脂基板又は樹脂ファイバの切
   断加工方法。
2. 【請求項２】 樹脂基板又は樹脂ファイバの上に、所定
   の膜を形成する工程と、 所定の刃先角をもつカッターを用いたフルカット方式に
   より、前記所定の膜が形成されている前記樹脂基板又は
   前記樹脂ファイバを切断分離する工程と、 前記所定の膜が形成されている前記樹脂基板又は前記樹
   脂ファイバの切断端面に対して、前記切断端面からエッ
   ジ部にかけてを所定の温度に加熱した部材に当接する熱
   処理加工を行う工程と、を有し、 前記所定の膜が形成されている前記樹脂基板又は前記樹
   脂ファイバを切断分離する際に前記切断端面に生じる変
   形を、前記熱処理加工により解消することを特徴とする
   樹脂基板又は樹脂ファイバの切断加工方法。
3. 【請求項３】 樹脂基板又は樹脂ファイバの上に、所定
   の膜を形成する工程と、 所定の刃先角をもつカッターを用いたハーフカット方式
   により、前記樹脂基板又は前記樹脂ファイバの前記所定
   の膜が形成されている面側に、切り込み溝を形成する工
   程と、 前記切り込み溝のエッジ部に、所定の温度に加熱した部
   材を当接する熱処理加工を行う工程と、 前記樹脂基板又は前記樹脂ファイバを前記切り込み溝の
   部分から分断する工程と、を有し、 前記樹脂基板又は前記樹脂ファイバの前記所定の膜が形
   成されている面側に前記切り込み溝を形成する際に前記
   切り込み溝のエッジ部に生じる変形を、前記熱処理加工
   により解消することを特徴とする樹脂基板又は樹脂ファ
   イバの切断加工方法。
4. 【請求項４】 互いに対向する２つの透明基板として第
   １及び第２の樹脂基板を用いる液晶デバイスの製造方法
   であって、 前記第１及び第２の樹脂基板の上に、それぞれ所定の膜
   を形成する工程と、 所定の刃先角をもつカッターを用いたフルカット方式に
   より、前記所定の膜が形成されている前記第１及び第２
   の樹脂基板をそれぞれ切断分離する工程と、 前記所定の膜が形成されている前記第１及び第２の樹脂
   基板のそれぞれの切断端面に対して、前記切断端面から
   エッジ部にかけてを所定の温度に加熱した部材に当接す
   る熱処理加工を行う工程と、 前記第１及び第２の樹脂基板を対向させて張り合わせ、
   液晶セルを形成する工程と、 前記液晶セルに液晶を注入する工程と、 を有することを特徴とする液晶デバイスの製造方法。
5. 【請求項５】 互いに対向する第１及び第２の透明基板
   として第１及び第２の樹脂基板を用いる液晶デバイスの
   製造方法であって、 前記第１及び第２の樹脂基板の上に、それぞれ所定の膜
   を形成する工程と、 所定の刃先角をもつカッターを用いたハーフカット方式
   により、前記第１及び第２の樹脂基板の前記所定の膜が
   形成されている面側に、それぞれ第１及び第２の切り込
   み溝を形成する工程と、 前記第１及び第２の切り込み溝のエッジ部に、それぞれ
   所定の温度に加熱した部材を当接する熱処理加工を行う
   工程と、 前記第１及び第２の樹脂基板を対向させて張り合わせた
   後、前記第１及び第２の樹脂基板を前記第１及び第２の
   切り込み溝の部分から同時的に分断し、液晶セルを形成
   する工程と、 前記液晶セルに液晶を注入する工程と、 を有することを特徴とする液晶デバイスの製造方法。
6. 【請求項６】 導波路として第１の樹脂基板又は樹脂フ
   ァイバを用い、前記導波路に対向する透明基板として第
   ２の樹脂基板を用いる液晶デバイスの製造方法であっ
   て、 前記第１の樹脂基板又は樹脂ファイバの上に、第１の所
   定の膜を形成すると共に、前記第２の樹脂基板の上に、
   第２の所定の膜を形成する工程と、 所定の刃先角をもつカッターを用いたフルカット方式に
   より、前記第１の所定の膜が形成されている前記第１の
   樹脂基板又は樹脂ファイバを切断分離すると共に、前記
   第２の所定の膜が形成されている前記第２の樹脂基板を
   切断分離する工程と、 前記第１の所定の膜が形成されている前記第１の樹脂基
   板又は樹脂ファイバの切断端面及び前記第２の所定の膜
   が形成されている前記第２の樹脂基板の切断端面に対し
   て、それぞれ前記切断端面からエッジ部にかけてを所定
   の温度に加熱した部材に当接する熱処理加工を行う工程
   と、 前記第１の樹脂基板又は樹脂ファイバと前記第２の樹脂
   基板とを対向させて張り合わせ、液晶セルを形成する工
   程と、 前記液晶セルに液晶を注入する工程と、 を有することを特徴とする液晶デバイスの製造方法。
7. 【請求項７】 請求項４乃至６のいずれかに記載の液晶
   デバイスの製造方法において、 前記液晶セルに注入する液晶として、強誘電性液晶を用
   いることを特徴とする液晶デバイスの製造方法。