JP2001102379A - 半導体装置形成用基板に対する保護膜形成方法 - Google Patents
半導体装置形成用基板に対する保護膜形成方法Info
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- JP2001102379A JP2001102379A JP27461299A JP27461299A JP2001102379A JP 2001102379 A JP2001102379 A JP 2001102379A JP 27461299 A JP27461299 A JP 27461299A JP 27461299 A JP27461299 A JP 27461299A JP 2001102379 A JP2001102379 A JP 2001102379A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】基板ホルダを有する成膜装置で、基板に保護膜
の形成を行う場合に、保護膜が基板の表面全体に確実に
形成されるようにする。 【解決手段】成膜装置２による保護膜の形成を２回行
う。１回目の成膜終了後に基板ホルダから外したウエハ
Ｗを、回転装置４に移動して回転台４１に乗せ、水平面
内で１０°回転させる。その後、このウエハＷを成膜装
置２まで移動して、基板の留め位置が１回目と異なる状
態で基板ホルダに装着する。この状態で２回目の保護膜
形成を行う。
の形成を行う場合に、保護膜が基板の表面全体に確実に
形成されるようにする。 【解決手段】成膜装置２による保護膜の形成を２回行
う。１回目の成膜終了後に基板ホルダから外したウエハ
Ｗを、回転装置４に移動して回転台４１に乗せ、水平面
内で１０°回転させる。その後、このウエハＷを成膜装
置２まで移動して、基板の留め位置が１回目と異なる状
態で基板ホルダに装着する。この状態で２回目の保護膜
形成を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置を形成
する基板に対する保護膜の形成方法に関する。
する基板に対する保護膜の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＳＯＳ（Silicon On Sapphire ）
技術による半導体装置の形成が行われている。この技術
では、サファイア基板の上にシリコン単結晶薄膜をエピ
タキシャル成長させて、このシリコン薄膜にトランジス
タ等の形成を行っている。このＳＯＳ技術においては、
サファイア基板にウエハプロセス中の金属汚染源となる
アルミニウム等が含まれているため、サファイア基板の
表面に、例えば多結晶シリコン膜と窒化珪素（Ｓｉ3 Ｎ
4 ）膜からなる２層構造の保護膜を形成して、サファイ
ア基板に起因する金属汚染を防止することが行われてい
る。
技術による半導体装置の形成が行われている。この技術
では、サファイア基板の上にシリコン単結晶薄膜をエピ
タキシャル成長させて、このシリコン薄膜にトランジス
タ等の形成を行っている。このＳＯＳ技術においては、
サファイア基板にウエハプロセス中の金属汚染源となる
アルミニウム等が含まれているため、サファイア基板の
表面に、例えば多結晶シリコン膜と窒化珪素（Ｓｉ3 Ｎ
4 ）膜からなる２層構造の保護膜を形成して、サファイ
ア基板に起因する金属汚染を防止することが行われてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この保
護膜の形成を、成膜装置の基板ホルダに装着して行う場
合、基板の基板ホルダによる留め位置にある部分には保
護膜が形成され難く、この部分が金属汚染の発生源とな
る恐れがある。本発明は、このような従来技術の問題点
に着目してなされたものであり、サファイア基板に保護
膜の形成を行う場合に、保護膜がサファイア基板の表面
全体に確実に形成されるようにすることを課題とする。
護膜の形成を、成膜装置の基板ホルダに装着して行う場
合、基板の基板ホルダによる留め位置にある部分には保
護膜が形成され難く、この部分が金属汚染の発生源とな
る恐れがある。本発明は、このような従来技術の問題点
に着目してなされたものであり、サファイア基板に保護
膜の形成を行う場合に、保護膜がサファイア基板の表面
全体に確実に形成されるようにすることを課題とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、半導体装置形成用の基板を基板ホルダに
装着して、この基板の表面に保護膜を形成する方法にお
いて、保護膜の形成を２回行い、１回目と２回目で基板
ホルダによる基板の留め位置を変えることを特徴とする
保護膜形成方法を提供する。
に、本発明は、半導体装置形成用の基板を基板ホルダに
装着して、この基板の表面に保護膜を形成する方法にお
いて、保護膜の形成を２回行い、１回目と２回目で基板
ホルダによる基板の留め位置を変えることを特徴とする
保護膜形成方法を提供する。
【０００５】この方法によれば、１回目の成膜で、基板
ホルダの影響で保護膜が形成されなかった基板表面の部
分には、２回目の成膜で確実に保護膜が形成されるた
め、保護膜が基板の表面全体に確実に形成される。ま
た、本発明の方法を基板がサファイア基板である場合に
適用すれば、保護膜がサファイア基板の表面全体に確実
に形成されるため、ウエハプロセス中にサファイア基板
に起因する金属汚染を生じさせないようにすることがで
きる。
ホルダの影響で保護膜が形成されなかった基板表面の部
分には、２回目の成膜で確実に保護膜が形成されるた
め、保護膜が基板の表面全体に確実に形成される。ま
た、本発明の方法を基板がサファイア基板である場合に
適用すれば、保護膜がサファイア基板の表面全体に確実
に形成されるため、ウエハプロセス中にサファイア基板
に起因する金属汚染を生じさせないようにすることがで
きる。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
説明する。図１は、本発明の方法が実施可能な設備を示
す概略構成図である。この実施形態では、本発明の方法
を実施する設備として、ウエハ搬送装置１と成膜装置２
との間にロボット３が設置され、両装置間におけるロボ
ット３の移動路の脇に、ウエハ（基板）Ｗを回転させる
回転装置４が設置されている。
説明する。図１は、本発明の方法が実施可能な設備を示
す概略構成図である。この実施形態では、本発明の方法
を実施する設備として、ウエハ搬送装置１と成膜装置２
との間にロボット３が設置され、両装置間におけるロボ
ット３の移動路の脇に、ウエハ（基板）Ｗを回転させる
回転装置４が設置されている。
【０００７】ウエハ搬送装置１は、前の工程から成膜装
置２の近傍までウエハを搬送する装置であって、空気搬
送やベルト搬送等の従来より公知の搬送機構を備えてい
る。成膜装置２は、例えば、多結晶シリコン膜や窒化珪
素（Ｓｉ3 Ｎ4 ）膜等からなる保護膜を形成するための
減圧ＣＶＤ装置である。図２に示すように、この成膜装
置２の基板ホルダ２１は、４本の石英ガラス製の棒材２
１ａ〜２１ｄからなり、各棒材２１ａ〜２１ｄには長さ
方向に所定間隔で、ウエハＷの縁部を支持するための溝
２２が形成されている。各棒材２１ａ〜２１ｄは、ウエ
ハＷの半円の範囲内に、円周方向に沿って等間隔で配置
されている。そして、この半円の直径に沿って対向する
棒材２１ａ，２１ｄの間が、この基板ホルダ２１に対す
るウエハＷの出し入れ口となっている。
置２の近傍までウエハを搬送する装置であって、空気搬
送やベルト搬送等の従来より公知の搬送機構を備えてい
る。成膜装置２は、例えば、多結晶シリコン膜や窒化珪
素（Ｓｉ3 Ｎ4 ）膜等からなる保護膜を形成するための
減圧ＣＶＤ装置である。図２に示すように、この成膜装
置２の基板ホルダ２１は、４本の石英ガラス製の棒材２
１ａ〜２１ｄからなり、各棒材２１ａ〜２１ｄには長さ
方向に所定間隔で、ウエハＷの縁部を支持するための溝
２２が形成されている。各棒材２１ａ〜２１ｄは、ウエ
ハＷの半円の範囲内に、円周方向に沿って等間隔で配置
されている。そして、この半円の直径に沿って対向する
棒材２１ａ，２１ｄの間が、この基板ホルダ２１に対す
るウエハＷの出し入れ口となっている。
【０００８】ロボット３は、ウエハ搬送装置１と成膜装
置２との間のウエハＷの移動、成膜装置２の基板ホルダ
に対するウエハＷの着脱、成膜装置２から回転装置４ま
でのウエハＷの移動、回転装置４から成膜装置２までの
ウエハＷの移動を行う機構を備えている。このロボット
３に対しては以下の設定がなされている。先ず、ウエハ
搬送装置１から成膜装置２までウエハＷを移動させて、
１回目の保護膜形成のために、成膜装置２の基板ホルダ
にウエハＷを装着する。成膜装置２による１回目の成膜
終了後に、ウエハＷを基板ホルダから外して、成膜装置
２から回転装置４まで移動させる。回転装置４によるウ
エハＷの回転終了後に、回転装置４から成膜装置２まで
ウエハＷを移動させて、２回目の保護膜形成のために、
成膜装置２の基板ホルダに再び同じウエハＷを装着す
る。成膜装置２による２回目の成膜終了後に、ウエハＷ
を基板ホルダから外して、成膜装置２からウエハ搬送装
置１までウエハＷを移動させる。
置２との間のウエハＷの移動、成膜装置２の基板ホルダ
に対するウエハＷの着脱、成膜装置２から回転装置４ま
でのウエハＷの移動、回転装置４から成膜装置２までの
ウエハＷの移動を行う機構を備えている。このロボット
３に対しては以下の設定がなされている。先ず、ウエハ
搬送装置１から成膜装置２までウエハＷを移動させて、
１回目の保護膜形成のために、成膜装置２の基板ホルダ
にウエハＷを装着する。成膜装置２による１回目の成膜
終了後に、ウエハＷを基板ホルダから外して、成膜装置
２から回転装置４まで移動させる。回転装置４によるウ
エハＷの回転終了後に、回転装置４から成膜装置２まで
ウエハＷを移動させて、２回目の保護膜形成のために、
成膜装置２の基板ホルダに再び同じウエハＷを装着す
る。成膜装置２による２回目の成膜終了後に、ウエハＷ
を基板ホルダから外して、成膜装置２からウエハ搬送装
置１までウエハＷを移動させる。
【０００９】回転装置４は、ウエハＷを水平に乗せて、
ウエハＷを水平面内で設定された角度だけ回転させる回
転台４１を備えている。ここでは、回転台４１に乗せた
ウエハＷを、水平面内で１０°回転させるように設定し
てある。以上のような構成となっているため、この設備
によれば、ウエハＷに対する保護膜の形成が２回行わ
れ、１回目と２回目で基板ホルダ２１の溝２２によるウ
エハＷの留め位置が、ウエハＷの円周方向でそれぞれ１
０°変わる。したがって、ウエハＷ表面の１回目の成膜
で基板ホルダ２１の影響で保護膜が形成されなかった部
分には、２回目の成膜で確実に保護膜が形成されるた
め、保護膜がウエハＷの表面全体に確実に形成される。
ウエハＷを水平面内で設定された角度だけ回転させる回
転台４１を備えている。ここでは、回転台４１に乗せた
ウエハＷを、水平面内で１０°回転させるように設定し
てある。以上のような構成となっているため、この設備
によれば、ウエハＷに対する保護膜の形成が２回行わ
れ、１回目と２回目で基板ホルダ２１の溝２２によるウ
エハＷの留め位置が、ウエハＷの円周方向でそれぞれ１
０°変わる。したがって、ウエハＷ表面の１回目の成膜
で基板ホルダ２１の影響で保護膜が形成されなかった部
分には、２回目の成膜で確実に保護膜が形成されるた
め、保護膜がウエハＷの表面全体に確実に形成される。
【００１０】なお、この実施形態では、回転装置４を設
置してウエハＷを水平面内で回転させることにより、基
板ホルダ２１の溝２２によるウエハＷの留め位置を変え
ているが、ロボット３にウエハＷを回転させる機能等を
付与することにより、回転装置４を設置しない設備で本
発明の方法を実施してもよい。
置してウエハＷを水平面内で回転させることにより、基
板ホルダ２１の溝２２によるウエハＷの留め位置を変え
ているが、ロボット３にウエハＷを回転させる機能等を
付与することにより、回転装置４を設置しない設備で本
発明の方法を実施してもよい。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の方法によ
れば、保護膜が基板の表面全体に確実に形成されるた
め、保護膜をサファイア基板の表面全体に確実に設け
て、ウエハプロセス中にサファイア基板に起因する金属
汚染を生じさせないようにすることができる。
れば、保護膜が基板の表面全体に確実に形成されるた
め、保護膜をサファイア基板の表面全体に確実に設け
て、ウエハプロセス中にサファイア基板に起因する金属
汚染を生じさせないようにすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の方法が実施可能な装置構成を示す概略
構成図である。
構成図である。
【図２】実施形態で使用した基板ホルダを示す平面図
（ａ）と正面図（ｂ）である。
（ａ）と正面図（ｂ）である。
１ ウエハ搬送装置 ２ 成膜装置 ２１ 基板ホルダ ２１ａ〜２１ｄ 棒材 ２２ 溝 ３ ロボット ４ 回転装置 ４１ 回転台 Ｗ ウエハ（基板）
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体装置形成用の基板を基板ホルダに
装着して、この基板の表面に保護膜を形成する方法にお
いて、 保護膜の形成を２回行い、１回目と２回目で基板ホルダ
による基板の留め位置を変えることを特徴とする保護膜
形成方法。 - 【請求項２】 前記基板はサファイア基板である請求項
１記載の保護膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27461299A JP2001102379A (ja) | 1999-09-28 | 1999-09-28 | 半導体装置形成用基板に対する保護膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27461299A JP2001102379A (ja) | 1999-09-28 | 1999-09-28 | 半導体装置形成用基板に対する保護膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001102379A true JP2001102379A (ja) | 2001-04-13 |
Family
ID=17544165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27461299A Withdrawn JP2001102379A (ja) | 1999-09-28 | 1999-09-28 | 半導体装置形成用基板に対する保護膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001102379A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006100724A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2007109906A (ja) * | 2005-10-14 | 2007-04-26 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の形成方法 |
-
1999
- 1999-09-28 JP JP27461299A patent/JP2001102379A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006100724A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2007109906A (ja) * | 2005-10-14 | 2007-04-26 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の形成方法 |
| JP4708150B2 (ja) * | 2005-10-14 | 2011-06-22 | Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置の形成方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20061205 |