JP2001102379A - 半導体装置形成用基板に対する保護膜形成方法 - Google Patents
半導体装置形成用基板に対する保護膜形成方法Info
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- JP2001102379A JP2001102379A JP27461299A JP27461299A JP2001102379A JP 2001102379 A JP2001102379 A JP 2001102379A JP 27461299 A JP27461299 A JP 27461299A JP 27461299 A JP27461299 A JP 27461299A JP 2001102379 A JP2001102379 A JP 2001102379A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】基板ホルダを有する成膜装置で、基板に保護膜
の形成を行う場合に、保護膜が基板の表面全体に確実に
形成されるようにする。 【解決手段】成膜装置2による保護膜の形成を2回行
う。1回目の成膜終了後に基板ホルダから外したウエハ
Wを、回転装置4に移動して回転台41に乗せ、水平面
内で10°回転させる。その後、このウエハWを成膜装
置2まで移動して、基板の留め位置が1回目と異なる状
態で基板ホルダに装着する。この状態で2回目の保護膜
形成を行う。
の形成を行う場合に、保護膜が基板の表面全体に確実に
形成されるようにする。 【解決手段】成膜装置2による保護膜の形成を2回行
う。1回目の成膜終了後に基板ホルダから外したウエハ
Wを、回転装置4に移動して回転台41に乗せ、水平面
内で10°回転させる。その後、このウエハWを成膜装
置2まで移動して、基板の留め位置が1回目と異なる状
態で基板ホルダに装着する。この状態で2回目の保護膜
形成を行う。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置を形成
する基板に対する保護膜の形成方法に関する。
する基板に対する保護膜の形成方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、SOS(Silicon On Sapphire )
技術による半導体装置の形成が行われている。この技術
では、サファイア基板の上にシリコン単結晶薄膜をエピ
タキシャル成長させて、このシリコン薄膜にトランジス
タ等の形成を行っている。このSOS技術においては、
サファイア基板にウエハプロセス中の金属汚染源となる
アルミニウム等が含まれているため、サファイア基板の
表面に、例えば多結晶シリコン膜と窒化珪素(Si3 N
4 )膜からなる2層構造の保護膜を形成して、サファイ
ア基板に起因する金属汚染を防止することが行われてい
る。
技術による半導体装置の形成が行われている。この技術
では、サファイア基板の上にシリコン単結晶薄膜をエピ
タキシャル成長させて、このシリコン薄膜にトランジス
タ等の形成を行っている。このSOS技術においては、
サファイア基板にウエハプロセス中の金属汚染源となる
アルミニウム等が含まれているため、サファイア基板の
表面に、例えば多結晶シリコン膜と窒化珪素(Si3 N
4 )膜からなる2層構造の保護膜を形成して、サファイ
ア基板に起因する金属汚染を防止することが行われてい
る。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この保
護膜の形成を、成膜装置の基板ホルダに装着して行う場
合、基板の基板ホルダによる留め位置にある部分には保
護膜が形成され難く、この部分が金属汚染の発生源とな
る恐れがある。本発明は、このような従来技術の問題点
に着目してなされたものであり、サファイア基板に保護
膜の形成を行う場合に、保護膜がサファイア基板の表面
全体に確実に形成されるようにすることを課題とする。
護膜の形成を、成膜装置の基板ホルダに装着して行う場
合、基板の基板ホルダによる留め位置にある部分には保
護膜が形成され難く、この部分が金属汚染の発生源とな
る恐れがある。本発明は、このような従来技術の問題点
に着目してなされたものであり、サファイア基板に保護
膜の形成を行う場合に、保護膜がサファイア基板の表面
全体に確実に形成されるようにすることを課題とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、半導体装置形成用の基板を基板ホルダに
装着して、この基板の表面に保護膜を形成する方法にお
いて、保護膜の形成を2回行い、1回目と2回目で基板
ホルダによる基板の留め位置を変えることを特徴とする
保護膜形成方法を提供する。
に、本発明は、半導体装置形成用の基板を基板ホルダに
装着して、この基板の表面に保護膜を形成する方法にお
いて、保護膜の形成を2回行い、1回目と2回目で基板
ホルダによる基板の留め位置を変えることを特徴とする
保護膜形成方法を提供する。
【0005】この方法によれば、1回目の成膜で、基板
ホルダの影響で保護膜が形成されなかった基板表面の部
分には、2回目の成膜で確実に保護膜が形成されるた
め、保護膜が基板の表面全体に確実に形成される。ま
た、本発明の方法を基板がサファイア基板である場合に
適用すれば、保護膜がサファイア基板の表面全体に確実
に形成されるため、ウエハプロセス中にサファイア基板
に起因する金属汚染を生じさせないようにすることがで
きる。
ホルダの影響で保護膜が形成されなかった基板表面の部
分には、2回目の成膜で確実に保護膜が形成されるた
め、保護膜が基板の表面全体に確実に形成される。ま
た、本発明の方法を基板がサファイア基板である場合に
適用すれば、保護膜がサファイア基板の表面全体に確実
に形成されるため、ウエハプロセス中にサファイア基板
に起因する金属汚染を生じさせないようにすることがで
きる。
【0006】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
説明する。図1は、本発明の方法が実施可能な設備を示
す概略構成図である。この実施形態では、本発明の方法
を実施する設備として、ウエハ搬送装置1と成膜装置2
との間にロボット3が設置され、両装置間におけるロボ
ット3の移動路の脇に、ウエハ(基板)Wを回転させる
回転装置4が設置されている。
説明する。図1は、本発明の方法が実施可能な設備を示
す概略構成図である。この実施形態では、本発明の方法
を実施する設備として、ウエハ搬送装置1と成膜装置2
との間にロボット3が設置され、両装置間におけるロボ
ット3の移動路の脇に、ウエハ(基板)Wを回転させる
回転装置4が設置されている。
【0007】ウエハ搬送装置1は、前の工程から成膜装
置2の近傍までウエハを搬送する装置であって、空気搬
送やベルト搬送等の従来より公知の搬送機構を備えてい
る。成膜装置2は、例えば、多結晶シリコン膜や窒化珪
素(Si3 N4 )膜等からなる保護膜を形成するための
減圧CVD装置である。図2に示すように、この成膜装
置2の基板ホルダ21は、4本の石英ガラス製の棒材2
1a〜21dからなり、各棒材21a〜21dには長さ
方向に所定間隔で、ウエハWの縁部を支持するための溝
22が形成されている。各棒材21a〜21dは、ウエ
ハWの半円の範囲内に、円周方向に沿って等間隔で配置
されている。そして、この半円の直径に沿って対向する
棒材21a,21dの間が、この基板ホルダ21に対す
るウエハWの出し入れ口となっている。
置2の近傍までウエハを搬送する装置であって、空気搬
送やベルト搬送等の従来より公知の搬送機構を備えてい
る。成膜装置2は、例えば、多結晶シリコン膜や窒化珪
素(Si3 N4 )膜等からなる保護膜を形成するための
減圧CVD装置である。図2に示すように、この成膜装
置2の基板ホルダ21は、4本の石英ガラス製の棒材2
1a〜21dからなり、各棒材21a〜21dには長さ
方向に所定間隔で、ウエハWの縁部を支持するための溝
22が形成されている。各棒材21a〜21dは、ウエ
ハWの半円の範囲内に、円周方向に沿って等間隔で配置
されている。そして、この半円の直径に沿って対向する
棒材21a,21dの間が、この基板ホルダ21に対す
るウエハWの出し入れ口となっている。
【0008】ロボット3は、ウエハ搬送装置1と成膜装
置2との間のウエハWの移動、成膜装置2の基板ホルダ
に対するウエハWの着脱、成膜装置2から回転装置4ま
でのウエハWの移動、回転装置4から成膜装置2までの
ウエハWの移動を行う機構を備えている。このロボット
3に対しては以下の設定がなされている。先ず、ウエハ
搬送装置1から成膜装置2までウエハWを移動させて、
1回目の保護膜形成のために、成膜装置2の基板ホルダ
にウエハWを装着する。成膜装置2による1回目の成膜
終了後に、ウエハWを基板ホルダから外して、成膜装置
2から回転装置4まで移動させる。回転装置4によるウ
エハWの回転終了後に、回転装置4から成膜装置2まで
ウエハWを移動させて、2回目の保護膜形成のために、
成膜装置2の基板ホルダに再び同じウエハWを装着す
る。成膜装置2による2回目の成膜終了後に、ウエハW
を基板ホルダから外して、成膜装置2からウエハ搬送装
置1までウエハWを移動させる。
置2との間のウエハWの移動、成膜装置2の基板ホルダ
に対するウエハWの着脱、成膜装置2から回転装置4ま
でのウエハWの移動、回転装置4から成膜装置2までの
ウエハWの移動を行う機構を備えている。このロボット
3に対しては以下の設定がなされている。先ず、ウエハ
搬送装置1から成膜装置2までウエハWを移動させて、
1回目の保護膜形成のために、成膜装置2の基板ホルダ
にウエハWを装着する。成膜装置2による1回目の成膜
終了後に、ウエハWを基板ホルダから外して、成膜装置
2から回転装置4まで移動させる。回転装置4によるウ
エハWの回転終了後に、回転装置4から成膜装置2まで
ウエハWを移動させて、2回目の保護膜形成のために、
成膜装置2の基板ホルダに再び同じウエハWを装着す
る。成膜装置2による2回目の成膜終了後に、ウエハW
を基板ホルダから外して、成膜装置2からウエハ搬送装
置1までウエハWを移動させる。
【0009】回転装置4は、ウエハWを水平に乗せて、
ウエハWを水平面内で設定された角度だけ回転させる回
転台41を備えている。ここでは、回転台41に乗せた
ウエハWを、水平面内で10°回転させるように設定し
てある。以上のような構成となっているため、この設備
によれば、ウエハWに対する保護膜の形成が2回行わ
れ、1回目と2回目で基板ホルダ21の溝22によるウ
エハWの留め位置が、ウエハWの円周方向でそれぞれ1
0°変わる。したがって、ウエハW表面の1回目の成膜
で基板ホルダ21の影響で保護膜が形成されなかった部
分には、2回目の成膜で確実に保護膜が形成されるた
め、保護膜がウエハWの表面全体に確実に形成される。
ウエハWを水平面内で設定された角度だけ回転させる回
転台41を備えている。ここでは、回転台41に乗せた
ウエハWを、水平面内で10°回転させるように設定し
てある。以上のような構成となっているため、この設備
によれば、ウエハWに対する保護膜の形成が2回行わ
れ、1回目と2回目で基板ホルダ21の溝22によるウ
エハWの留め位置が、ウエハWの円周方向でそれぞれ1
0°変わる。したがって、ウエハW表面の1回目の成膜
で基板ホルダ21の影響で保護膜が形成されなかった部
分には、2回目の成膜で確実に保護膜が形成されるた
め、保護膜がウエハWの表面全体に確実に形成される。
【0010】なお、この実施形態では、回転装置4を設
置してウエハWを水平面内で回転させることにより、基
板ホルダ21の溝22によるウエハWの留め位置を変え
ているが、ロボット3にウエハWを回転させる機能等を
付与することにより、回転装置4を設置しない設備で本
発明の方法を実施してもよい。
置してウエハWを水平面内で回転させることにより、基
板ホルダ21の溝22によるウエハWの留め位置を変え
ているが、ロボット3にウエハWを回転させる機能等を
付与することにより、回転装置4を設置しない設備で本
発明の方法を実施してもよい。
【0011】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の方法によ
れば、保護膜が基板の表面全体に確実に形成されるた
め、保護膜をサファイア基板の表面全体に確実に設け
て、ウエハプロセス中にサファイア基板に起因する金属
汚染を生じさせないようにすることができる。
れば、保護膜が基板の表面全体に確実に形成されるた
め、保護膜をサファイア基板の表面全体に確実に設け
て、ウエハプロセス中にサファイア基板に起因する金属
汚染を生じさせないようにすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の方法が実施可能な装置構成を示す概略
構成図である。
構成図である。
【図2】実施形態で使用した基板ホルダを示す平面図
(a)と正面図(b)である。
(a)と正面図(b)である。
1 ウエハ搬送装置 2 成膜装置 21 基板ホルダ 21a〜21d 棒材 22 溝 3 ロボット 4 回転装置 41 回転台 W ウエハ(基板)
Claims (2)
- 【請求項1】 半導体装置形成用の基板を基板ホルダに
装着して、この基板の表面に保護膜を形成する方法にお
いて、 保護膜の形成を2回行い、1回目と2回目で基板ホルダ
による基板の留め位置を変えることを特徴とする保護膜
形成方法。 - 【請求項2】 前記基板はサファイア基板である請求項
1記載の保護膜形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27461299A JP2001102379A (ja) | 1999-09-28 | 1999-09-28 | 半導体装置形成用基板に対する保護膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27461299A JP2001102379A (ja) | 1999-09-28 | 1999-09-28 | 半導体装置形成用基板に対する保護膜形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001102379A true JP2001102379A (ja) | 2001-04-13 |
Family
ID=17544165
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27461299A Withdrawn JP2001102379A (ja) | 1999-09-28 | 1999-09-28 | 半導体装置形成用基板に対する保護膜形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001102379A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006100724A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2007109906A (ja) * | 2005-10-14 | 2007-04-26 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の形成方法 |
-
1999
- 1999-09-28 JP JP27461299A patent/JP2001102379A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006100724A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2007109906A (ja) * | 2005-10-14 | 2007-04-26 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の形成方法 |
JP4708150B2 (ja) * | 2005-10-14 | 2011-06-22 | Okiセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置の形成方法 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20061205 |