JP2001102350A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 多機能理槽を備える基板処理装置の利用範囲
を拡大すること。 【解決手段】 いわゆるワンバス式の処理槽を備えた基
板処理装置において、多機能処理槽（ワンバス槽）を、
基板に対して複数の処理を実行する多処理モードと、ひ
とつの処理だけを行う単処理モードとを切り替え可能に
構成する。ワンバス槽において、複数の処理の間の期間
に強制的に純水をオーバーフローさせるような、多処理
モードだけに固有の制御を単処理モードでは不能化す
る。単処理モードにおいては、準備過程で得られた槽状
態を本処理過程の開始まで維持することによって、本処
理のための槽内状態をあらかじめ作成しておくことがで
きる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウェハ、
フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、光
ディスク用基板等の基板（以下、単に「基板」とい
う。）に対して、所定の浸漬処理を行う基板処理技術に
関する。

【０００２】

【従来の技術】従来から、基板の浸漬処理を行う基板処
理装置として、多槽浸漬式とワンバス式の２つのタイプ
の装置が用いられている。

【０００３】多槽浸漬式装置は、複数の処理槽ごとに特
定の処理液を貯留しており、これらの処理槽ごとに異な
る基板浸漬処理を行う。つまり、この多槽浸漬式装置で
は、１つの処理槽については、特定の基板処理のみを行
う単機能的な使用となっている。

【０００４】一方、ワンバス式装置は、処理槽に複数種
類の処理液を順次に貯留していくことにより、基板に対
して複数種類の浸漬処理を連続して行うことができる。
つまり、このワンバス式装置では、１つの処理槽につい
て複数の基板処理を行う多機能的な使用となっている。
このような処理槽の多機能的な使用により処理槽の有効
活用が可能であるため、単機能的な使用よりも装置の占
有面積を小さくできる利点がある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上記の理由によってワ
ンバス式装置は有利であるが、ワンバス式装置を構成す
る従来の多機能処理槽には複数の基板処理を連続して行
うことを前提とした独自の制御方式が固定的に付随して
おり、それによって多機能処理槽の利用の態様に制限を
受けるという問題がある。

【０００６】その問題を説明するための例として、多機
能処理槽にあらかじめ貯留させた処理液に基板を後から
浸漬させる処理（ディップ処理）を行なう場合を考え
る。この場合には、図７のタイムチャートに示すよう
に、基板処理の準備過程において槽内に薬液と温水とを
供給しておき、本処理過程までに必要な薬液濃度を持つ
処理液をあらかじめ準備しておくことが望まれる。

【０００７】このような準備が完了した処理液にそのま
ま基板を浸漬させることができればよいのであるが、多
機能処理槽では複数の処理を連続して行うことを前提と
しているために、それぞれの処理液を使用した本処理過
程の前後において強制的に純水を供給してアップフロー
（ＵＦ）を行い、槽内の残留物を排除するように制御さ
れている。

【０００８】したがって、図７に示すように、多機能処
理槽では、準備過程が完了した後、本処理過程の開始前
に純水が強制的に槽に供給されてしまうことになり、準
備過程で既に調整しておいた処理液の薬液濃度や温度を
維持することができなくなる。

【０００９】このように、多機能処理槽の多機能性を確
保するためにあらかじめ付随させておいた固有の制御方
式が状況によってはむしろ障害となり、多機能処理槽の
多様な利用を妨げている。

【００１０】この発明は上記課題に鑑みてなされたもの
であり、多機能処理槽を備える基板処理装置の利用範囲
を拡大することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、請求項１の発明は、基板に対して所定の処理を行う
基板処理装置であって、(a)複数種類の処理液を順次に
貯留し、各処理液に前記基板を浸漬させることが可能な
多機能処理槽と、(b)前記多機能処理槽における複数の
処理を基板に対して順次に実行させる多処理制御手段
と、(c)前記多機能処理槽において、前記複数の処理の
うちから選択された特定の処理液を用いる処理のみを前
記基板に対して実行させる単処理制御手段と、(d)前記
多処理制御手段と単処理制御手段とを切り替えて選択的
に能動化する切替手段と、を備える。

【００１２】また、請求項２の発明は、請求項１の発明
に係る基板処理装置において、前記単処理制御手段は、
前記多機能処理槽において前記特定の処理液を使用する
処理の前に、当該特定の処理液による処理に必要な第１
状態を生成し、前記基板の浸漬処理まで前記第１状態を
維持する第１状態維持制御手段、を有する。

【００１３】また、請求項３の発明は、請求項２の発明
に係る基板処理装置において、前記多処理制御手段は、
ひとつの処理液による基板処理が完了した後、次の処理
液の基板処理までの間に純水を前記多機能処理槽にオー
バーフローさせて待機処理を行うように設定されてお
り、前記第１状態維持制御手段は、前記多機能処理槽に
おける前記待機処理を不能化して、前記第１状態を維持
するための処理を行う。

【００１４】また、請求項４の発明は、請求項３の発明
に係る基板処理装置において、前記第１状態は、薬液と
純水とを所定の割合で混合した状態である。

【００１５】また、請求項５の発明は、請求項１ないし
請求項４のいずれかの発明に係る基板処理装置におい
て、前記単処理制御手段は、前記多機能処理槽において
前記特定の処理液を使用した処理が完了した時点の第２
状態を、前記基板が前記多機能処理槽から実質的に搬出
されるまで維持する第２状態維持制御手段、を有する。

【００１６】また、請求項６の発明は、請求項１ないし
請求項５のいずれかの発明に係る基板処理装置におい
て、前記切替手段は、基板の処理条件に応じて、前記多
処理制御手段と前記単処理制御手段との切替えを行うこ
とが可能である。

【００１７】また、請求項７の発明は、基板に対して所
定の処理を行う基板処理装置であって、(a)所定の処理
液に前記基板を浸漬させる単機能処理槽と、(b)前記単
機能処理槽とともに前記装置内に併設され、複数種類の
処理液を順次に貯留して、各処理液に前記基板を浸漬さ
せることが可能な多機能処理槽と、(c)前記多機能処理
槽における複数の処理を基板に対して順次に実行させる
多処理制御手段と、(d)前記多機能処理槽において、前
記複数の処理のうちから選択された特定の処理液を用い
る処理のみを前記基板に対して実行させる単処理制御手
段と、(e)前記多処理制御手段と単処理制御手段とを切
り替えて選択的に能動化する切替手段と、(f)前記多機
能処理槽と、前記単機能処理槽とを含む処理槽列に沿っ
て基板を順次に搬送する搬送手段と、を備える。

【００１８】また、請求項８の発明は、基板に対して所
定の処理を行う基板処理方法であって、(a)複数種類の
処理液を順次に貯留し、各処理液に前記基板を浸漬させ
ることが可能な多機能処理槽を備える基板処理装置を構
築する工程と、(b)被処理基板の処理条件に応じて、1)
前記多機能処理槽の複数の処理を順次に実行する多処理
モードと、2)前記多機能処理槽において、前記複数の処
理のうちの特定の処理液を使用する処理のみを実行する
単処理モードと、を選択的に能動化する工程と、を備え
る。

【００１９】また、請求項９の発明は、請求項８の発明
に係る基板処理方法において、前記単処理モードは、前
記多機能処理槽において前記特定の処理液を使用する処
理の前に、当該特定の処理液による処理に必要な第１状
態を生成し、前記基板の浸漬処理まで前記第１状態を維
持する工程、を有する。

【００２０】また、請求項１０の発明は、請求項８また
は請求項９の発明に係る基板処理方法において、前記単
処理モードは、前記多機能処理槽において前記特定の処
理液を使用した処理が完了した時点の第２状態を、前記
基板が前記多機能処理槽から実質的に搬出されるまで維
持する工程、を有する。

【００２１】

【発明の実施の形態】＜基板処理装置の概要＞図１は、
本発明の実施形態に係る基板処理装置１００の概略構成
を示す平面図である。

【００２２】基板処理装置１００は、複数（例えば２５
枚）の基板（半導体ウェハ）を単位として、各種の処理
液を用いた表面処理を行う処理部２と、基板を乾燥させ
る乾燥部５と、基板を搬送する搬送部６と、チャック洗
浄部７を備えている。

【００２３】処理部２は、２つの多機能処理部３（３
ａ、３ｂ）と２つの単機能処理部４（４ａ、４ｂ）とが
交互に配置された構成となっている。

【００２４】多機能処理部３は、基板を収容し浸漬させ
て処理する１つの多機能処理槽３１、および昇降動作に
より処理槽３１に基板の投入と引上げとを行うリフタ３
２を有している。そして、処理槽３１内で各種の薬液や
純水（以下、併せて「処理液」という。）による一連の
薬液処理や水洗処理を、基板を収容したままで連続して
行うことが可能である。この多機能処理部３は、通常の
ワンバス式装置における多機能処理部とは異なり、この
ような多処理のモードだけでなく、特定の処理だけを行
う単処理モードで利用することも可能になっているが、
その詳細については、後で詳述する。

【００２５】単機能処理部４は、多機能処理部３と同様
に、基板を浸漬させて処理する１つの単機能処理槽４
１、および昇降動作により処理槽４１に基板の投入と引
上げとを行うリフタ４２を有している。この単機能処理
部４は、多機能処理部３と異なって特定種類の基板処理
のみを行う。

【００２６】乾燥部５は、基板を回転させながら乾燥を
行うスピンドライヤを備えており、処理部２において処
理された基板の乾燥を行う。

【００２７】搬送部６は、複数枚の基板を縦姿勢で一括
して把持するチャックを有する搬送ロボット６１を備え
ている。

【００２８】搬送ロボット６１は、多機能処理部３と単
機能処理部４とを含む処理槽列に沿って水平移動が可能
であるとともに昇降移動が可能であり、処理前、処理中
及び処理後の基板を一箇所から別の箇所に搬送したり移
載したりする搬送手段として機能する。そして、基板処
理装置１００のローダＬＤにカセット単位で搬入された
基板は、カセット移載ロボットＣＲ１により移載部１に
おいて搬送ロボット６１に受け渡され、搬送ロボット６
１は処理部２の各処理槽に基板を順次に搬送し、それら
において基板が薬液処理および水洗処理を受ける。そし
て、水洗処理が完了した基板は搬送ロボット６１によっ
て乾燥部５に搬送されて回転乾燥処理を受けた後に、搬
送ロボット６１によって移載部８に与えられ、カセット
移載ロボットＣＲ２によりアンローダＵＬの空のカセッ
トに収容される。

【００２９】チャック洗浄部７は、オーバーフローリン
ス槽７１を有している。このリンス槽７１に搬送ロボッ
ト６１のチャックを浸漬させることによって、処理部２
で処理液に浸ったチャックを、次の基板把持動作の前に
水洗することにより、チャックに付着した処理液や汚染
物質が基板に再付着することを防止する。

【００３０】＜多機能処理部３の要部構成＞図２は、多
機能処理部３の要部構成を示す図である。

【００３１】多機能処理部３は、上述した処理槽３１お
よびリフタ３２の他に、処理槽３１を収容するチャンバ
３０と、処理槽３１に処理液を供給する液供給部３３
と、処理槽３１の処理液を排出する液排出部３４と、こ
れらの各部を統括制御する制御部３５とを備えている。

【００３２】液供給部３３は、処理槽３１に処理液の供
給を行う液供給口３１１と、液供給口３１１に接続する
液供給管３１２とを有している。液供給管３１２には、
開閉制御弁３１３が介挿されている。また、液供給管３
１２は、薬液であるフッ酸、アンモニア水、塩酸および
過酸化水素水の各供給管に接続され、ミキシングバルブ
３１４が介挿された薬液供給管３１５、および純水の供
給源に接続され開閉制御弁３１６が介挿された純水供給
管３１７がそれぞれ連通している。

【００３３】純水供給管３１７には、開閉制御弁の上流
側の位置で分岐し開閉制御弁の下流側で合流するバイパ
ス管３１７ａが設けられており、バイパス管３１７ａの
途中にヒータ３１８が設けられている。また、バイパス
管３１７ａは、ヒータ３１８の前後に開閉制御弁３１７
ｂが介挿されている。さらに、バイパス管３１７ａに
は、温度検出器３１９が付設されており、その温度検出
器３１９により、バイパス管３１７ａを通過する温水
（温純水）の温度が検出されて、その検出信号が制御部
３５へ送られ、制御部３５により、バイパス管３１７ａ
を通過し液供給管３１２を通って処理槽３１の液供給口
３１１へ供給される温水の温度が調整されるようになっ
ている。

【００３４】液排出部３４は、処理槽３１から溢れ出た
処理液を回収する溢出部３４１と、溢出部３４１の底部
に接続する排出管３４２とを有している。そして、処理
槽３１の上部の溢流部３４１から溢れ出た処理液が、溢
出部３４１の底部へ流下して排液管３４２を通って排出
されるようになっている。

【００３５】制御部３５は、ＣＰＵおよびメモリ（図示
せず）を備え、各種の制御プロセスを実行する制御手
段、特に、後述する多機能処理手段、単機能処理手段、
およびそれらを切り替えて選択的に能動化する切替手段
としての機能を果たすことができる。

【００３６】多処理制御手段３５１は、処理槽３１に複
数の処理液を順次に貯留して、各処理液による基板浸漬
の処理工程を順次に実行させる多処理制御を行う。ここ
では、処理工程数ｎ（ｎ≧２）に対応した異なる種類
（組合せ）の処理液Ｌ1〜Ｌnにより、基板の浸漬処理を
行う。例えば、これらの処理液Ｌ１〜Ｌｎは、過酸化水
素水、フッ酸と純水との混合液、フッ酸とフッ化アンモ
ン溶液と純水との混合液、アンモニア水と過酸化水素水
と純水との混合液など、多機能処理部３で利用可能な薬
液および／または純水ないしは温水を使用した複数種類
の処理液であり、基板のレシピにおいて指定される。そ
して、このような多機能処理モードではこれらの複数の
薬液処理の間および前後には、純水のオーバーフローに
よる槽内の残留液の排出および槽内洗浄が行われるよう
になっている。

【００３７】単処理制御手段３５２は、処理槽３１内で
特定種類の処理液による基板の浸漬処理を実行させる単
処理制御を行う。

【００３８】また、切替手段３５３は、後述するレシピ
に基づき、多処理制御手段３５１と単処理制御手段３５
２とを切替えて選択的に能動化する。

【００３９】＜多機能処理部３の動作＞図３は、多機能
処理手段３の基本動作を説明するフローチャートであ
る。以下では、一方の多機能処理部３ａについてのルー
チンについて説明するが、他方の多機能処理部３ｂにつ
いての処理も同様である。なお、この基本動作における
各部の制御は制御部３５により行われる。

【００４０】ステップＳ１では、今回の処理を行なおう
とするロットについての基板の一連の処理条件が記述さ
れているレシピ（処理手順）を、当該ロットについてあ
らかじめ入力されているデータファイルから読込む。こ
のデータファイルには、個々の処理部３，４などで行う
べき処理の内容や、それらの一連の処理や搬送について
のタイムスケジュールなどが記述されている。また、そ
のレシピには、多機能処理部３ａ、３ｂのそれぞれにつ
き、それらを多処理モードで使用するか、あるいは単処
理モードで使用するかについて指定するモード指定フラ
グがあらかじめ記述されている。

【００４１】ステップＳ２では、多機能処理部３ａにつ
いてのモード指定フラグを参照することによって、ステ
ップＳ１で読込んだレシピの設定のうち多機能処理部３
ａの使用態様が多処理制御であるかどうかを判定する。
多処理制御である場合には、ステップＳ３に進み、多処
理制御でない場合には、ステップＳ４に進む。

【００４２】図４は、多処理制御に係る動作を説明する
フローチャートである。

【００４３】ステップＳ１１では、ステップＳ１で読み
込んだレシピに基づき、処理工程数ｎを入力する。

【００４４】ステップＳ１２では、多機能処理部３ａの
リフタ３２を降下させて基板Ｗを処理槽３１に投入す
る。また、後記の処理段階を示す番号「ｉ」を１に初期
化する。

【００４５】ステップＳ１３では、液供給部３３からｉ
番目の処理液Ｌｉ（最初の工程ではＬ1）を処理槽３１
に供給する。

【００４６】ステップＳ１４では、純水供給管３１７か
ら処理槽３１に純水を供給するアップフローを行う。こ
のアップフローは、ステップＳ１３における処理液供給
に付随する待機動作となる。これにより、処理槽３１内
の処理液Ｌｉが純水に置換され、次の処理工程への影響
を排除することができる。

【００４７】ステップＳ１５では、１つの処理工程がス
テップＳ１４のアップフローで終了するため、処理工程
ｉに１を加算する。

【００４８】ステップＳ１６では、ステップＳ１５で加
算された処理工程ｉが、ステップＳ１１で入力された処
理工程数ｎより大きいかどうかを判定する。ｉがｎより
大きい場合には、ステップＳ１７に進み、ｉがｎ以下の
場合には、ステップＳ１３に戻り、処理液Ｌ2、Ｌ3、・
・・についての基板処理を順次に行う。

【００４９】ステップＳ１７では、多機能処理部３のリ
フタ３２を上昇させて基板Ｗを処理槽３１から払い出
す。

【００５０】なお、ステップＳ１３にて最後の処理工程
でｎ番目の処理液Ｌｎを処理槽３１に供給した後は、ス
テップＳ１４にて純水のアップフローを行うので、基板
処理の最後は、つまりステップＳ１７の基板の払出の前
には、基板は純水に浸漬した状態にある。

【００５１】図５は、単処理制御に係る動作を説明する
フローチャートである。また、図６は、単処理制御に係
る各部の動作を説明するタイムチャートである。以下で
は、これらの図を参照して、単処理制御の動作を説明す
る。

【００５２】ステップＳ２１では、処理すべき基板のレ
シピを参照することによって、この槽での基板処理に使
用される処理液を特定し、液供給部３３からその処理液
を処理槽３１に供給する（準備過程）。つまり、図６に
示すように、準備過程の開始とともに、上述の各種薬液
のうちの特定の薬液および、ヒータ３１８により加熱さ
れた温水の供給を開始する。

【００５３】ステップＳ２２では、準備過程が完了して
いるかどうかを判定する。すなわち、浸漬処理（本処
理）で必要な処理液の濃度、温度条件を満たす第１状態
が生成されたかどうかを判定する。準備過程が完了した
時点でステップＳ２３に進み、多機能処理部３のリフタ
３２を降下させて基板Ｗの処理槽３１への投入を開始す
る。

【００５４】これと並行して、ステップＳ２４では、準
備過程の完了時における槽内の状態（第１状態）が維持
されるような制御を行う。図６に示した例では、準備過
程が完了した時点で、槽内には所定の濃度と温度とに調
整された処理液が貯留している。したがって、このステ
ップＳ２４では、純水のアップフローによって槽内の処
理液濃度や温度を変化させないように、そのような純水
のアップフローを禁止することが、このステップＳ２４
における実質的内容である。

【００５５】したがって、この例での維持工程に相当す
るステップＳ２４は、槽内の処理液の特性因子に変化を
生じさせるような外乱を避けるという受動的対応である
が、ヒータと温度センサとを備え付けているような場合
には、槽内の処理液の温度を直接的または間接的に検出
し、その検出値に基づくフィードバック制御によって、
槽内の処理液の温度を維持するような能動的制御を行っ
てもよい。また、経時劣化しやすい処理液の場合は、準
備過程が完了した時点から基板が投入されるまでの時間
を計時し、それが長時間に及ぶときには、その時間に応
じて薬液を追加して濃度維持を行うなどの制御を採用す
ることもできる。

【００５６】ステップＳ２５では、基板Ｗの処理槽３１
への投入が完了しているかどうかを判定し、完了した時
点でステップＳ２６に進んで、処理槽３１内の処理液へ
の基板の浸漬処理が行われる（本処理）。また、この本
処理の開始にあたってはステップＳ２４の状態維持工程
（待機工程）を終了させる。したがって、ステップＳ２
４の状態維持工程は、準備過程の完了時点から本処理過
程の開始時点まで持続する。

【００５７】ステップＳ２７では、基板の本処理が完了
していると判定された時点で、ステップＳ２８に進み、
多機能処理部３のリフタ３２を上昇させて基板Ｗの処理
槽３１からの払出しを開始する。

【００５８】また、これと並行して、ステップＳ２９で
は、本処理が完了した時点の槽内の状態を維持する。つ
まり、本処理が完了した時点の処理液に関する第２状態
を維持する制御を行う。

【００５９】図６に示した事例では、本処理が完了した
時点で、槽内には所定の濃度と温度に維持された処理液
が貯留している。したがって、このステップＳ２９で
は、純水のアップフローによって槽内の処理液濃度や温
度を変化させないように、そのような純水のアップフロ
ーを禁止することが、このステップＳ２９における実質
的内容である。

【００６０】したがって、この例での維持工程に相当す
るステップＳ２９は、槽内の処理液の特性因子に変化を
生じさせるような外乱を避けるという受動的対応である
が、ヒータと温度センサとを備え付けているような場合
には、前記したように、槽内の処理液の温度を維持する
ような能動的制御を行なってもよい。

【００６１】ステップＳ３０では、基板Ｗの処理槽３１
からの払出しが完了しているかどうか、すなわち基板が
実質的に搬出されているかを判定する。払出しが完了し
ている場合には、ステップＳ３１に進み、槽内に温水を
供給することによって処理液を排出するとともに、その
温水による槽内洗浄を行う（事後措置過程）。この事後
措置過程では常温の純水によるアップフローを行っても
よいが、温水を使用することによって槽壁の温度の低下
が防止され、次の基板の浸漬のための処理液を槽に供給
した際に処理液の温度変化が少なくなる。

【００６２】本処理過程の完了後、基板が実質的にこの
槽から搬出されて事後措置過程が開始されるまでの期間
（以下「基板搬出期間」）に、純水によるアップフロー
は行わない。それは、この槽から基板の搬出が完了する
まではそれらの基板の一部または全体がこの槽内に存在
するため、基板搬出期間に常温の純水によって処理液を
置換し始めると液面上の槽空間の温度や化学的雰囲気が
変化し、それによって基板表面に悪影響が生じるおそれ
があるためである。

【００６３】すなわち、この実施形態の装置では、基板
搬出期間において本処理過程の完了時と実質的に同じ状
態（第２状態）を維持するような制御を行う。図示の例
では常温の純水のアップフローを禁止するという受動的
対応であるが、準備過程から本処理過程までの期間と同
様に、槽に取り付けたヒータと温度センサとを利用した
フィードバック制御によって、槽内の処理液の温度の低
下を積極的に防止するというような能動的制御を行って
もよい。

【００６４】なお、上記において「実質的に槽から搬出
されるまで」とは、基板が槽内の環境の影響を受けない
程度にまで槽の液面から遠くに離れるまで、の意味であ
る。

【００６５】ステップＳ３２では、事後措置過程が完了
しているかどうかを判定し、完了した時点で、多機能処
理部３ａにおける基板処理を終了する。

【００６６】以上の動作により、準備過程で生成された
本処理に必要な処理液の状態を維持できるため、本処理
では迅速に浸漬処理を行うことができる。また、本処理
の完了時点の処理液の状態を基板がその槽から実質的に
搬出されるまで維持するため、その槽に次に搬入される
未処理基板の処理において本処理に必要な処理液の状態
の生成を迅速に行える。

【００６７】＜変形例＞ ◎上記実施形態では、多機能処理槽に固有の工程として
本処理過程の前後の強制的な水洗処理（純水アップフロ
ー処理）を例として取り上げ、単処理モードではそれを
不能化するように構成しているが、単処理モードにおい
て純水アップフローを使用することを禁止しているわけ
ではない。

【００６８】例えば、多機能処理槽を水洗槽として使用
してもよい。この場合には、純水アップフローを行う処
理がその「単処理」の内容をなすものである。多処理モ
ードでは強制的に純水アップフロー工程が組み込まれて
いる一方、単処理モードでは純水アップフローによる水
洗処理をレシピとして適宜に指定できる、という点に違
いがある。

【００６９】或いはまた、例えば、ステップＳ２６の本
処理にて、この本処理過程の最後つまり、この本処理過
程における最後の工程で純水のアップフローを行うよう
にし、本処理過程終了後の強制的な水洗処理（純水アッ
プフロー処理）を不能化しないようにしてもよい。この
場合には、単処理モードではあるが、槽内を純水に置換
してから基板の払出を行うので、本処理で使用する処理
液が、この処理液中からいきなり基板を引き上げると基
板に不具合を生じるような処理液であっても、純水から
引き上げることになり、かかる不具合を生じることがな
い。

【００７０】◎基板の複数回の浸漬に耐えるような処理
液の場合には、単処理モードにおいてその処理液を毎回
排出せずに、所定回数だけ基板の浸漬を行った後に新鮮
な処理液と交換することもできる。

【００７１】この場合には、事後措置過程において処理
液の排出を行うのは何回かに１回であり、それ以外では
処理液は槽内に保持されたままになる。この保持プロセ
スが適用になるときには、たとえば槽ヒータなどによっ
て処理液温度の維持を行うことが基板搬出期間での維持
工程の例となる。

【００７２】このようなルーチンが可能になるのも、多
機能処理槽３を単処理モードで使用できるようにすると
ともに、特に基板搬出期間において本処理過程の完了時
の状態を維持することが可能であるようにしているから
である。多処理モードに固定された従来装置の場合に
は、事後措置過程までの間において純水のオーバーフロ
ーが強制的に行われるため、多機能処理槽３において処
理液を複数回使用するということができない。

【００７３】なお、上記実施形態では、事後措置過程の
完了後、純水供給を停止しているが、止水状態にすると
バクテリアが繁殖して処理液が汚染させることが懸念さ
れるので、事後措置過程の完了後も、本処理過程の前後
と同様に純水のアップフローを強制的に行うようにして
もよい。この場合、本処理過程の前後より少ない流量で
の純水のアップフローでよい。

【００７４】ただし、単処理モードにおいて、その処理
液を毎回排出せずに、所定回数だけ基板の浸漬を行うよ
うにする場合には、前記した事後措置過程後の純水のア
ップフローも不能化する必要がある。

【００７５】◎上記実施形態のように、基板処理装置に
多機能処理槽３と単機能処理槽４との双方を設けておく
ことが好ましい。それは、レシピにかかわらずその装置
においてすべての基板について行うと想定される処理に
ついては単機能処理槽によって定常的に処理を行い、レ
シピによって処理内容を切り替える可能性がある処理群
についてレシピに応じて適宜にモードを切替えつつ多機
能処理槽を使用することにより、装置全体のコストを抑
えつつ、その汎用性を高めることができるためである。

【００７６】ただし、装置を構成する処理槽群内に単機
能処理槽を設けずに、１又は複数の多機能処理槽だけを
設けてモード切替えを行う装置もこの発明の範囲に含ま
れる。

【００７７】◎多機能処理槽を複数設ける場合には、そ
れらのうちの全部を多処理モード／単処理モードのモー
ド切替え可能に構成してもよく、一部のみをモード切替
え可能に構成してもよい。

【００７８】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１ないし請
求項１０の発明によれば、多機能処理槽における複数の
処理を基板に対して順次に実行させる多処理制御手段
と、複数の処理のうちから選択された特定の処理液を用
いる処理のみを基板に対して実行させる単処理制御手段
との切り替えを行うことができる。その結果、多機能処
理槽を多機能的にも単機能的にも使用可能であり、多機
能処理槽を備える基板処理装置の利用範囲が拡大され
る。

【００７９】特に、請求項２および請求項９の発明によ
れば、単処理制御において、多機能処理槽における処理
の前に特定の処理液による処理に必要な第１状態を生成
し、基板の浸漬処理まで維持するため、準備過程で生成
された第１状態が、本処理過程に供されるまでの間に乱
されることがない。このため、単処理モードにおいて、
基板が到着する前に多機能処理槽を本処理用の状態に調
整しておくことが可能であり、それによって基板処理の
スループットも高くなる。

【００８０】また、請求項３の発明によれば、純水を多
機能処理槽にオーバーフローさせる待機処理を不能化し
て、第１状態を維持するための処理を行うため、事前に
準備した状態が純水のオーバーフローによって乱される
ことがない。

【００８１】また、請求項４の発明によれば、単処理制
御では、基板を投入すなわち浸漬した時点から、薬液と
純水とを所定の割合で混合した状態つまり所定濃度の処
理液に、基板は浸漬するようにして、処理を行うことが
でき、多処理制御では、基板を投入すなわち浸漬した時
点は純水だけで処理液を供給するのに応じて次第に処理
液濃度が高まるようにして処理を行うことができ、これ
ら２種の処理を切り換えることができる。

【００８２】また、請求項５および請求項１０の発明に
よれば、単処理制御において、多機能処理槽における処
理が完了した時点の第２状態を、基板が多機能処理槽か
ら実質的に搬出されるまで維持するため、次の未処理基
板に対する処理が迅速に行える。

【００８３】また、請求項６の発明によれば、切替手段
は基板の処理条件に応じて多処理制御手段と単処理制御
手段との切替えを行うため、処理すべき基板の処理単位
数（たとえばロット）ごとに、多機能処理槽を単処理用
と多処理用とで切替え使用することができる。このた
め、多機能処理槽を備えた基板処理装置を基板の処理単
位数ごとにフレキシブルに運用可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態に係る基板処理装置１００の
概略構成を示す平面図である。

【図２】多機能処理部３の要部構成を示す図である。

【図３】多機能処理部３の基本動作を説明するフローチ
ャートである。

【図４】多処理制御に係る動作を説明するフローチャー
トである。

【図５】単処理制御に係る動作を説明するフローチャー
トである。

【図６】単処理制御に係る各部の動作を説明するタイム
チャートである。

【図７】従来例に係る動作を説明するタイムチャートで
ある。

【符号の説明】

３ 多機能処理部 ４ 単機能処理部 ３１ 多機能処理槽 ４１ 単機能処理槽 ３２、４２ リフタ ３５ 制御部 ６１ 搬送ロボット １００ 基板処理装置 ３５１ 多処理制御手段 ３５２ 単処理制御手段 ３５３ 切替手段

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板に対して所定の処理を行う基板処理
   装置であって、 (a) 複数種類の処理液を順次に貯留し、各処理液に前記
   基板を浸漬させることが可能な多機能処理槽と、 (b) 前記多機能処理槽における複数の処理を基板に対し
   て順次に実行させる多処理制御手段と、 (c) 前記多機能処理槽において、前記複数の処理のうち
   から選択された特定の処理液を用いる処理のみを前記基
   板に対して実行させる単処理制御手段と、 (d) 前記多処理制御手段と単処理制御手段とを切り替え
   て選択的に能動化する切替手段と、を備えることを特徴
   とする基板処理装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の基板処理装置におい
   て、 前記単処理制御手段は、 前記多機能処理槽において前記特定の処理液を使用する
   処理の前に、当該特定の処理液による処理に必要な第１
   状態を生成し、前記基板の浸漬処理まで前記第１状態を
   維持する第１状態維持制御手段、を有することを特徴と
   する基板処理装置。
3. 【請求項３】 請求項２に記載の基板処理装置におい
   て、 前記多処理制御手段は、 ひとつの処理液による基板処理が完了した後、次の処理
   液の基板処理までの間に純水を前記多機能処理槽にオー
   バーフローさせて待機処理を行うように設定されてお
   り、 前記第１状態維持制御手段は、 前記多機能処理槽における前記待機処理を不能化して、
   前記第１状態を維持するための処理を行うことを特徴と
   する基板処理装置。
4. 【請求項４】 請求項３に記載の基板処理装置におい
   て、 前記第１状態は、薬液と純水とを所定の割合で混合した
   状態であることを特徴とする基板処理装置。
5. 【請求項５】 請求項１ないし請求項４のいずれかに記
   載の基板処理装置において、 前記単処理制御手段は、 前記多機能処理槽において前記特定の処理液を使用した
   処理が完了した時点の第２状態を、前記基板が前記多機
   能処理槽から実質的に搬出されるまで維持する第２状態
   維持制御手段、を有することを特徴とする基板処理装
   置。
6. 【請求項６】 請求項１ないし請求項５のいずれかに記
   載の基板処理装置において、 前記切替手段は、基板の処理条件に応じて、前記多処理
   制御手段と前記単処理制御手段との切替えを行うことが
   可能であることを特徴とする基板処理装置。
7. 【請求項７】 基板に対して所定の処理を行う基板処理
   装置であって、 (a) 所定の処理液に前記基板を浸漬させる単機能処理槽
   と、 (b) 前記単機能処理槽とともに前記装置内に併設され、
   複数種類の処理液を順次に貯留して、各処理液に前記基
   板を浸漬させることが可能な多機能処理槽と、 (c) 前記多機能処理槽における複数の処理を基板に対し
   て順次に実行させる多処理制御手段と、 (d) 前記多機能処理槽において、前記複数の処理のうち
   から選択された特定の処理液を用いる処理のみを前記基
   板に対して実行させる単処理制御手段と、 (e) 前記多処理制御手段と単処理制御手段とを切り替え
   て選択的に能動化する切替手段と、 (f) 前記多機能処理槽と、前記単機能処理槽とを含む処
   理槽列に沿って基板を順次に搬送する搬送手段と、を備
   えることを特徴とする基板処理装置。
8. 【請求項８】 基板に対して所定の処理を行う基板処理
   方法であって、 (a) 複数種類の処理液を順次に貯留し、各処理液に前記
   基板を浸漬させることが可能な多機能処理槽を備える基
   板処理装置を構築する工程と、 (b) 被処理基板の処理条件に応じて、 1) 前記多機能処理槽の複数の処理を順次に実行する多
   処理モードと、 2) 前記多機能処理槽において、前記複数の処理のうち
   の特定の処理液を使用する処理のみを実行する単処理モ
   ードと、を選択的に能動化する工程と、を備えることを
   特徴とする基板処理方法。
9. 【請求項９】 請求項８に記載の基板処理方法におい
   て、 前記単処理モードは、 前記多機能処理槽において前記特定の処理液を使用する
   処理の前に、当該特定の処理液による処理に必要な第１
   状態を生成し、前記基板の浸漬処理まで前記第１状態を
   維持する工程、を有することを特徴とする基板処理方
   法。
10. 【請求項１０】 請求項８または請求項９に記載の基板
    処理方法において、 前記単処理モードは、 前記多機能処理槽において前記特定の処理液を使用した
    処理が完了した時点の第２状態を、前記基板が前記多機
    能処理槽から実質的に搬出されるまで維持する工程、を
    有することを特徴とする基板処理方法。