JP2001094374A - 端面反射型表面波装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 反射端面を高精度に形成することができ、か
つインターデジタル電極や圧電基板の損傷が生じ難く、
良好な共振特性や帯域特性を実現し得る端面反射型表面
波装置の製造方法を得る。 【解決手段】 対向し合う一対の反射端面でＳＨタイプ
の表面波が反射される端面反射型表面波装置の製造に際
し、マザー基板１の上面１ａ上にインターデジタル電極
２Ａ，２Ｂを形成し、溝５，６の形成が予定されている
マザー基板１の上面部分のみを露出させた状態で、マザ
ー基板１の上面をドライエッチングにより加工し、溝
５，６を形成し、該溝５，６の少なくとも一方の側面を
反射端面とし、溝５，６を形成した後にマザー基板１を
厚み方向に機械的に切断して個々の端面反射型表面波装
置を得る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば共振子や帯
域フィルタとして用いられる表面波装置の製造方法に関
し、より詳細には、ＢＧＳ波やラブ波などのＳＨタイプ
の表面波を利用した端面反射型表面波装置の製造方法に
関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、共振子や帯域フィルタとして、Ｂ
ＧＳ波やラブ波のようなＳＨタイプの表面波を利用した
端面反射型表面波装置が知られている。端面反射型表面
波装置は、圧電基板上に少なくとも１つのインターデジ
タル電極（以下、ＩＤＴ電極）を形成した構造を有す
る。また、圧電基板の対向２端面が、表面波を反射させ
る反射端面として用いられている。従って、端面反射型
表面波装置では、反射器を必要としないので、表面波装
置の小型化を図ることができる。

【０００３】もっとも、端面反射型表面波装置では、対
向２端面間で表面波が反射され、それによって表面波が
閉じ込められるため、反射端面は高精度に形成される必
要がある。

【０００４】上記のような端面反射型表面波装置の製造
は、従来、以下のようにして行われていた。まず、マザ
ーの圧電基板の上面に複数のＩＤＴ電極を形成する。次
に、マザーの圧電基板の上面に、上記反射端面を構成す
るために溝を形成する。すなわち、溝の一方の側面が反
射端面を構成するように、高精度に溝加工を施す。しか
る後、個々の端面反射型表面波装置毎にマザーの圧電基
板を分割する。なお、上記溝の形成は、ダイサーなどの
切削装置を用いて行われていた。

【０００５】また、端面反射型表面波装置において端面
を高精度に形成する方法として、イオンエッチング法の
使用も提案されている（日本音響学会講演論文集、昭和
５１年春季全国大会 P.351 、「自由端面の反射を利用
した圧電表面すべり波共振子」、昭和５１年５月発行）
が、具体的な実現方法については記載されていない。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】従来のダイサーなどの
切削刃を用いた溝加工方法では、反射端面を高精度に形
成することが困難であった。従って、所望通りの良好な
特性を有する端面反射型表面波装置を得ることが困難で
あった。

【０００７】他方、反射端面をイオンエッチングにより
形成する方法も提案されているが、イオンエッチングで
は、加工に長時間を要する。従って、イオンエッチング
により圧電基板を加工して反射端面を形成する際に、圧
電基板が損傷を受けがちであり、やはり良好な共振特性
やフィルタ特性を得ることができなかった。

【０００８】本発明の目的は、端面反射型表面波装置の
製造に際し、反射端面を高精度に形成することができ、
かつ基板の損傷が生じ難い、端面反射型表面波装置の製
造方法を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、対向し合う一
対の反射端面でＳＨタイプの表面波が反射される端面反
射型表面波装置の製造方法であって、マザー基板上に複
数のＩＤＴ電極を形成する工程と、マザー基板の上面に
少なくとも一方の側面が反射端面を構成する溝をドライ
エッチングにより形成する工程と、前記溝の形成後にマ
ザー基板を厚み方向に機械的に切断して個々の端面反射
型表面波装置を得る工程とを備えることを特徴とする。

【００１０】本発明の特定の局面では、前記マザー基板
上において、隣り合う端面反射型表面波装置部分間に１
本の前記溝が形成されており、該溝の一対の側面が、そ
れぞれ、隣り合う端面反射型表面波装置における反射端
面を構成しており、前記マザー基板の機械的な切断が、
前記溝の底部からマザー基板の下面に至るようにマザー
基板を切断することにより行われる。

【００１１】本発明の別の特定の局面では、前記マザー
基板において、隣り合う端面反射型表面波装置部分間に
２本の溝が形成されており、各溝の該溝に近接している
ＩＤＴ電極側の側面が反射端面を構成しており、前記マ
ザー基板の機械的切断が、前記２本の溝の間のマザー基
板部分においてマザー基板の上面から下面に至るように
切断することにより行われる。上記マザー基板の機械的
切断については、特に限定されるわけではないが、ダイ
シングソーなどの適宜の切断刃を用いて行うことができ
る。

【００１２】また、本発明のさらに他の特定の局面で
は、前記マザー基板上に複数のＩＤＴ電極を形成する工
程が、マザー基板の上面の全面に金属薄膜を形成するス
テージと、該金属薄膜上にレジストを付与し、露光・現
像によりパターニングし、それによってＩＤＴ電極と、
該ＩＤＴ電極上に積層された第１のレジスト層とを形成
するステージとを備え、前記ドライエッチングにより溝
を形成する工程が、マザー基板の上面に形成されたＩＤ
Ｔ電極及び第１のレジスト層を覆うように第２のレジス
ト層を形成するステージと、該第２のレジスト層を露光
・現像によりパターニングし、それによって、溝が形成
される部分においてマザー基板の上面を露出させるステ
ージとを備え、前記溝が形成される部分においてマザー
基板をドライエッチングすることにより溝が形成され
る。

【００１３】本発明のより特定の局面では、前記第２の
レジスト層を形成後その上に第２の金属薄膜を形成し、
該第２の金属薄膜上に第３のレジスト層を形成し、第３
のレジスト層を露光・現像した後、第２の金属薄膜をエ
ッチングし、さらにエッチングされた第２の金属薄膜を
マスクとして、前記第２のレジスト層を露光・現像する
ことにより溝が形成される部分においてマザー基板の上
面が露出されるステージと、第３のレジスト層を除去す
るステージとをさらに備え、第３のレジスト層の除去に
より露出された第２の金属薄膜をマスクとして、前記ド
ライエッチングが行われる。

【００１４】本発明の他の特定の局面では、前記第２の
レジスト層を形成後その上に第２の金属薄膜を形成し、
該第２の金属薄膜上に第３のレジスト層を形成し、第３
のレジスト層を露光・現像した後、第２の金属薄膜をエ
ッチングし、さらにエッチングされた第２の金属薄膜を
マスクとして、前記第２のレジスト層を露光・現像する
ことにより溝が形成される部分においてマザー基板の上
面が露出されるステージをさらに備え、第２のレジスト
層−第２の金属薄膜−第３のレジスト層からなる多層構
造をマスクとして、前記ドライエッチングが行われる。

【００１５】また、本発明のさらに別の特定の局面で
は、前記マザー基板の上面に複数のＩＤＴ電極を形成す
る工程が、マザー基板上に全面に金属薄膜を形成するス
テージと、金属薄膜上において、ＩＤＴ電極が形成され
る部分の領域に第１のレジスト層を形成するステージ
と、第１の金属薄膜及び第１のレジスト層を覆うよう
に、かつ第１のレジスト層の厚みより薄い第２の金属薄
膜を積層するステージとを備え、前記ドライエッチング
により溝を形成する工程が、マザー基板の上面に第２の
レジスト層を全面に付与するステージと、第２のレジス
ト層を露光・現像によりパターニングし、第１及び第２
の金属薄膜をエッチングして溝が形成される部分におい
て、マザー基板の上面を露出させるステージと、第２の
レジスト層を除去し、第２の金属薄膜を露出させるステ
ージとを備え、露出された第２の金属薄膜をマスクとし
て前記ドライエッチングが行われ、次に、第１のレジス
ト層をマスクとして用いて第１及び第２の金属薄膜をエ
ッチング後、第１のレジスト層を除去する工程がさらに
備えられる。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ、本発明
に係る端面反射型表面波装置の製造方法の具体的な実施
例を説明する。

【００１７】（第１の実施例）図１を参照して、本発明
の第１の実施例に係る端面反射型表面波装置の製造方法
を説明する。

【００１８】まず、マザー基板１を用意する。マザー基
板１は、ＬｉＴａＯ₃ 、ＬｉＮｂＯ ₃ または水晶などの
圧電単結晶、あるいはチタン酸ジルコン酸鉛系セラミッ
クスのような圧電セラミックスを用いて構成することが
できる。

【００１９】マザー基板１の上面の全面に金属薄膜２を
形成する。金属薄膜２の形成は、蒸着、スパッタもしく
はメッキ等の適宜の薄膜形成法により行うことができ
る。金属薄膜２を構成する金属材料としては、Ａｌ、Ｔ
ｉなどの導電性に優れた適宜の金属を用いることができ
る。この金属薄膜２の厚みは、特に限定されるわけでは
ないが、通常、０．１〜１．４μｍ程度とされる。

【００２０】次に、図１（ｂ）に示すように、金属薄膜
２の上面の全面を覆うようにフォトレジスト層３を形成
する。フォトレジスト層３の厚みについては、特に限定
されないが、通常、０．１〜２．０μｍ程度とされる。

【００２１】次に、フォトレジスト層３の上面にマスク
を当接し、露光・現像・エッチングすることにより、金
属薄膜２及びレジスト層３をパターニングする。このよ
うにして、図１（ｃ）に示すように、ＩＤＴ電極２Ａ，
２Ｂが形成される。なお、図１（ｃ）では、ＩＤＴ電極
２Ａ，２Ｂは、それぞれ、隣り合う弾性表面波装置のＩ
ＤＴ電極であり、各ＩＤＴ電極２Ａ，２Ｂの上面にパタ
ーニングされたフォトレジスト層３Ａ，３Ｂが残存して
いる。

【００２２】なお、上記露光に際しては、例えば４００
ｎｍ程度の波長のＵＶ光を用いることができる。また、
エッチングに際しては、現像後に酸によるウェットエッ
チングもしくはドライエッチングなどによりエッチング
することにより行われる。

【００２３】次に、ＩＤＴ電極２Ａ，２Ｂ及びフォトレ
ジスト層３Ａ，３Ｂを覆うように第２のフォトレジスト
層４を形成する（図１（ｄ））。第２のフォトレジスト
層４の厚みは、特に限定されるわけではないが、通常、
２．０〜３．０μｍ程度とされ、ＩＤＴ電極２Ａ，２Ｂ
の上面にフォトレジスト層３Ａ，３Ｂが積層されている
部分を覆う厚みとされる。

【００２４】しかる後、第２のフォトレジスト層４を露
光・現像し、パターニングする。このパターニングに際
しては、最終的に溝が形成されている部分においてマザ
ー基板１の上面１ａを露出させるように行われる。すな
わち、図１（ｅ）に示すように、第２のフォトレジスト
層４に溝４ａ，４ｂが形成されることにより、マザー基
板１の上面１ａが露出される。上記露光に際しては、４
００ｎｍ程度の波長のＵＶ光を用いることができ、かつ
溝４ａ，４ｂを形成するための現像に際しては、現像液
が用いられる。

【００２５】上記のようにして、溝４ａ，４ｂを形成し
た後、エッチングガスを用いてマザー基板１をドライエ
ッチングし、溝５，６を形成する。溝５，６は、溝４
ａ，４ｂの形成により露出したマザー基板１の上面部分
をドライエッチングにより溝加工することにより形成さ
れている。

【００２６】ドライエッチングに際しては、エッチング
ガスとして、マザー基板１をドライエッチングし得る適
宜のガスを用いて行うことができる。このようなエッチ
ングガスとしては、例えば、ＣＦ₄ 、Ｈ₂ 、Ａｒ、Ｃｎ
Ｆｍ、ＣＨＦ₃ 、Ｏ₂ 、ＳＦ ₆ 、Ｃｌ₂ 、ＢＣｌ₃ など
を用いることができる。この場合、溝５，６の形成に際
してのドライエッチングは、通常、１〜５時間程度の時
間で行うことができる。従って、マスクを厚くしている
分、溝５，６の形成により、マザー基板１の損傷が生じ
難い。

【００２７】次に、アセトンなどの溶剤を用いて、第２
のレジスト層４及びＩＤＴ電極２Ａ，２Ｂの上面に積層
されているレジスト層３Ａ，３Ｂを剥離する（図１
（ｇ））。このようにして、隣り合う弾性表面波装置部
分間に、溝５，６が形成されたマザー基板１を得ること
ができる。

【００２８】しかる後、溝５，６間でマザー基板１をダ
イシングすることにより、個々の弾性表面波装置７，８
を得ることができる（図１（ｈ））。上記のようにして
得られた弾性表面波装置７，８では、溝５，６の内側の
側面、すなわち、それぞれ、ＩＤＴ電極２Ａ，２Ｂ側の
側面５ａ，６ａが各端面反射型表面波装置７，８におけ
る反射端面を構成している。溝５，６は、上記のように
フォトリソグラフィ−エッチング法により形成されるの
で、高精度に形成され得る。すなわち、側面５ａ，６ａ
の位置及び向きを高精度に制御し得る。よって、共振特
性やフィルタ特性の良好な端面反射型表面波装置を得る
ことができる。

【００２９】なお、溝５，６は、マザー基板１の下面１
ｂには至っていない。従って、反射端面５ａ，６ａは、
ＩＤＴ電極２Ａ，２Ｂが形成されている面から中間高さ
位置まで形成されており、弾性表面波装置の下面には至
っていない。

【００３０】しかしながら、ＳＨタイプの表面波のエネ
ルギーは、圧電基板のＩＤＴ電極が形成されている面か
らある深さ位置までにそのほとんどが集中する。従っ
て、溝５，６の深さをある程度以上とすれば、良好な特
性の得られる端面反射型表面波装置を提供することがで
きる。

【００３１】本実施例の端面反射型表面波装置の製造方
法では、上記のように、ＩＤＴ電極２Ａ，２Ｂを第１の
レジスト層３Ａ，３Ｂで被覆した状態で、第２のレジス
ト層４を形成し、パターニングすることにより、溝４
ａ，４ｂが形成される。従って、溝４ａ，４ｂの形成に
際し、ＩＤＴ電極２Ａ，２Ｂが損傷し難い。さらに、第
２のレジスト層４により電極構造が被覆された状態で、
溝４ａ，４ｂの形成により露出したマザー基板１の上面
部分をドライエッチングすることにより溝５，６が形成
される。よって、溝５，６の形成に際してもＩＤＴ電極
２Ａ，２Ｂが損傷を受け難い。

【００３２】加えて、ドライエッチングによりマザー基
板１に溝５，６を比較的短時間で形成し得るので、マザ
ー基板１の損傷も生じ難い。よって、フォトリソグラフ
ィ−エッチング法により溝５，６を高精度に形成するこ
とができ、すなわち反射端面を高精度に形成することが
できるだけでなく、ＩＤＴ電極やマザー基板の損傷が生
じ難いので、良好な共振特性やフィルタ特性を有する端
面反射型表面波装置を確実に提供することができる。

【００３３】なお、上記実施例では、隣り合う表面波装
置部分間の切断にはダイシングソーを用いて行われてい
たが、ダンシングソー以外のカットソーなど適宜の機械
的な切断装置を用いて上記切断を行うことができる。

【００３４】（第２の実施例）図２（ａ）〜（ｉ）を参
照して、第２の実施例の端面反射型表面波装置の製造方
法を説明する。

【００３５】まず、図２（ａ）に示すように、マザー基
板１を用意し、マザー基板１の上面１ａ上に金属薄膜２
を形成する。次に、金属薄膜２上に、フォトレジスト層
３を形成する。しかる後、第１の実施例と同様に、露光
・現像によって第１のフォトレジスト層３をパターニン
グした後、エッチングを行うことによりＩＤＴ電極２
Ａ，２Ｂ及びレジスト層３Ａ，３Ｂを形成する（図２
（ｃ））。

【００３６】しかる後、第２のフォトレジスト層４を形
成し、ＩＤＴ電極２Ａ，２Ｂ及び第１のフォトレジスト
層３Ａ，３Ｂを被覆する。ここまでは、第１の実施例と
同様である。

【００３７】次に、図２（ｅ）に示すように、第２のフ
ォトレジスト層４を覆うように、第２の金属薄膜１１を
形成する。第２の金属薄膜１１は、ＴｉあるいはＴｉ−
Ａｇ合金などの適宜の金属により構成することができ
る。第２の金属薄膜１１の上面に、第３のフォトレジス
ト層１２を形成する。しかる後、第３のフォトレジスト
層１２上にマスクを当接し、露光・現像・エッチングを
繰り返すことにより、溝１３ａ，１３ｂを形成する（図
２（ｆ））。

【００３８】次に、第３のフォトレジスト層１２をレジ
スト剥離液を用いて除去し、パターニングされた第２の
金属薄膜１１を露出させる（図２（ｇ））。しかる後、
上記第２の金属薄膜１１をマスクとして、ドライエッチ
ングにより溝５，６を形成する。

【００３９】なお、第３のフォトレジスト層１２を残し
たままドライエッチングすることも可能である。その場
合には、第２のフォトレジスト層４−第２の金属薄膜１
１−第３のフォトレジスト層１２からなる多層構造がド
ライエッチングのマスクとして用いられる。

【００４０】ドライエッチングは、第１の実施例の場合
と同様にして行われるが、第２の金属薄膜１１がマスク
として用いられるので、下地に形成されているＩＤＴ電
極２Ａ，２Ｂ、フォトレジスト層３Ａ，３Ｂ及び第２の
フォトレジスト層４が損傷され難い。また、ドライエッ
チングは、第１の実施例の場合と同様に、１〜５時間程
度の短時間で行われるので、マザー基板１の損傷も生じ
難い。

【００４１】しかる後、図２（ｈ）に示すように、フォ
トレジスト層３Ａ，３Ｂ及び第２のフォトレジスト層４
をアセトンを用いて除去することにより、第２のフォト
レジスト層４上に形成されていた第２の金属薄膜１１を
も除去する。このようにして、溝５，６が形成されたマ
ザー基板１が得られる。しかる後、第１の実施例の場合
と同様に、溝５，６間でマザー基板１を機械的に切断す
ることにより、個々の弾性表面波装置を得ることができ
る（図２（ｉ）参照）。

【００４２】第２の実施例においても、溝５，６の形成
が、マザー基板１を短時間でドライエッチングすること
により行われるので、マザー基板１の損傷が生じ難い。
また、ドライエッチングに際し、ＩＤＴ電極２Ａ，２Ｂ
は、フォトレジスト層３Ａ，３Ｂ，４で被覆されている
ので、ＩＤＴ電極２Ａ，２Ｂの損傷も生じ難い。

【００４３】さらに、ドライエッチングに際し、パター
ニングされた第２の金属薄膜１１自体がマスクとして用
いられるので、溝５，６を目的とする位置に高精度に形
成することができる。

【００４４】従って、第２の実施例においても、共振特
性やフィルタ特性の良好な端面反射型表面波装置を得る
ことができる。なお、第２の実施例においても、溝５，
６の深さについては、第１の実施例と同様に、好ましく
は０．５λ以上、より好ましくは１λ以上とされる。

【００４５】（第３の実施例）図３及び図４を参照し
て、第３の実施例に係る端面反射型表面波装置の製造方
法を説明する。

【００４６】図３（ａ）に示すように、第１の実施例の
場合と同様にして、マザー基板１上に金属薄膜２を形成
する。次に、金属薄膜２上に全面にフォトレジストをス
ピンコーティングなどにより塗布し、現像・露光するこ
とによりフォトレジスト層をパターニングする。このよ
うにして、図３（ｂ）に示すように、パターニングされ
た第１のフォトレジスト層２１を形成する。このパター
ニングされた第１のフォトレジスト層２１は、ＩＤＴ電
極の形成される部分に配置される。

【００４７】第１のフォトレジスト層２１の厚みは、特
に限定されるわけではないが、０．１〜２．０μｍ程度
とされる。次に、図３（ｃ）に示すように、第２の金属
薄膜２２を形成する。第２の金属薄膜２２の形成は、蒸
着、メッキもしくはスパッタリングなどの適宜の薄膜形
成法により行い得る。また、第２の金属薄膜を構成する
金属材料については、第１の金属薄膜２と同じものを用
いることが好ましいが、他の金属を用いて構成してもよ
い。もっとも、第２の金属薄膜２２の厚みは、パターニ
ングされたフォトレジスト層２１の厚みより薄いことが
必要である。

【００４８】従って、図３（ｃ）に示されているよう
に、第１の金属薄膜２上に第２の金属薄膜２２が積層さ
れている部分と、フォトレジスト層２１の上面に第２の
金属薄膜２２が被覆されている部分とが混在することに
なる。言い換えれば、第１の金属薄膜２の上面に直接積
層されている第２の金属薄膜２２Ａと、フォトレジスト
層２１の上面に被覆されている第２の金属薄膜部分２２
Ｂとは、分断されている。

【００４９】次に、図３（ｄ）に示すように、第２のフ
ォトレジスト層２３を形成する。第２のフォトレジスト
層２３は、金属薄膜２２の上部を覆うような厚みに、例
えば２．０〜３．０μｍ程度の厚みに形成される。

【００５０】しかる後、第２のフォトレジスト層２３の
上面にマスクを当接し、露光・現像・エッチングを行う
ことにより、溝２４ａ，２４ｂを形成する（図４
（ａ））。この場合、溝２４ａ，２４ｂの形成により、
マザー基板１の上面１ａが露出するように処理が行われ
る。すなわち、溝２４ａ，２４ｂ内では第２のフォトレ
ジスト層２３だけでなく、その下方に積層されている第
１，第２の金属薄膜もが除去され、マザー基板１の上面
１ａが露出される。

【００５１】しかる後、第２のフォトレジスト層２３を
除去する。次に、第２の金属薄膜２２Ａ，２２Ｂをマス
クとして、ドライエッチングによりマザー基板１を加工
し、図４（ｂ）に示されている溝５，６を形成する。な
お、第２のレジスト層２３を除去した例を示したが、ド
ライエッチングは、マスクとして第２のレジスト層２３
を残したままでも可能である。マザー基板１の上面１ａ
が露出されているので、上記ドライエッチングは短時間
で行われ、従って、マザー基板１の損傷が生じ難い。

【００５２】次に、第１のフォトレジスト層２１をマス
クとして、第１のフォトレジスト層２１で覆われていな
い金属部分、すなわち、第１のフォトレジスト層２１上
の金属薄膜２２Ｂと、金属薄膜２２Ａ及び金属薄膜２が
直接重ねられている部分とをエッチングし、ＩＤＴ電極
２Ａ，２Ｂを形成する（図４（ｃ））。さらに、第１の
フォトレジスト層２１を除去する。

【００５３】（第４の実施例）第１〜第４の実施例で
は、マザー基板１に溝５，６が形成され、溝５，６間を
機械的に切断することにより個々の弾性表面波装置が得
られていた。

【００５４】しかしながら、本発明では、隣り合う弾性
表面波装置部分間に１つの溝を形成し、該溝の底部にお
いてマザー基板を分割してもよい。このような変形例を
図５を参照して説明する。

【００５５】図５（ａ）に示すように、マザー基板１の
上面に、ＩＤＴ電極２Ａ，２Ｂが形成されている。ＩＤ
Ｔ電極２Ａ，２Ｂは、隣り合う弾性表面波装置の各ＩＤ
Ｔ電極を構成している。

【００５６】ＩＤＴ電極２Ａ，２Ｂ間において、マザー
基板１の上面には１つの溝５が形成されている。溝５の
側面５ａは、ＩＤＴ電極２Ａが形成されている弾性表面
波装置部分における反射端面を構成し、側面５ａと対向
している側面５ｂは、ＩＤＴ電極２Ｂを有する弾性表面
波装置部分の反射端面を構成する。

【００５７】従って、１本の溝５を形成した後、図５
（ｂ）に示すように、溝５の底部においてマザー基板１
を機械的に切断すれば、個々の弾性表面波装置が得られ
る。この機械的切断は、前述した実施例と同様にダイシ
ングソーを用いて行ってもよく、ワイヤーソーなどの他
の切断装置を用いて行ってもよい。

【００５８】なお、本発明に係る端面反射型表面波装置
の製造方法においては、マザー基板上に形成されるＩＤ
Ｔ電極の数や構造については特に限定されない。すなわ
ち、本発明に係る製造方法は、共振子や帯域フィルタな
どの様々な用途に用いられる端面反射型表面波装置の製
造に適用することができ、従って個々の端面反射型表面
波装置のＩＤＴ電極については、複数設けられてもよ
く、かつ複数のＩＤＴ電極が適宜マザー基板上に電気的
に接続されていてもよい。

【００５９】

【発明の効果】本発明に係る端面反射型表面波装置の製
造方法では、複数のＩＤＴ電極が上面に形成されている
マザー基板に、該マザー基板のみをドライエッチングす
ることにより溝が形成される。そして、この溝の少なく
とも一方の側面が反射端面を構成する。従って、ドライ
エッチングにより、溝を高精度に形成し得るので、反射
端面を高精度に形成することができる。

【００６０】しかも、ドライエッチングに際しては、電
極をエッチングせずともよく、マザー基板のみをエッチ
ングすればよいため、溝の形成に際してのエッチング時
間を短くすることができる。従って、溝の形成に際しマ
ザー基板が損傷を受け難い。

【００６１】よって、溝を形成した後にマザー基板を厚
み方向に機械的に切断して個々の端面反射型表面波装置
を得ることにより、共振特性や帯域特性が良好な端面反
射型表面波装置を確実に提供することが可能となる。

【００６２】本発明の特定の局面では、隣り合う端面反
射型表面波装置部分間に１本の溝が形成され、該溝の一
対の側面が、隣り合う端面反射型表面波装置における反
射端面を構成しており、マザー基板の機械的な切断が溝
の底部からマザー基板の下面に至るようにマザー基板を
切断することにより行われるので、形成しなければなら
ない溝の数を低減することができる。また、隣り合う端
面反射型表面波装置間の距離を小さくすることができる
ので、１つのマザー基板から多くの端面反射型表面波装
置を得ることができる。

【００６３】もっとも、本発明の別の特定の局面では、
マザー基板において、隣り合う端面反射型表面波装置部
分間に２つの溝が形成され、各溝の該溝に近接している
ＩＤＴ電極側の側面が反射端面を構成する。この場合に
は、マザー基板の機械的切断は、２つの溝の間のマザー
基板部分においてマザー基板の上面から下面に至るよう
に切断することにより行われる。従って、切断に際し、
切断刃が溝に入り込まないので、溝を形成した後にマザ
ー基板を容易に切断することができる。本発明におい
て、マザー基板の機械的切断は、ダイシングソーやワイ
ヤーソーなどの適宜の切断装置を用いて行える。

【００６４】また、請求項５に記載のように、マザー基
板の上面の全面に金属薄膜を形成した後に、第１のフォ
トレジストを付与し、パターニングし、ＩＤＴ電極及び
ＩＤＴ電極上に積層された第１のフォトレジスト層とを
形成し、さらにこれらを覆うように第２のフォトレジス
ト層を形成した後、第２のフォトレジスト層を露光・現
像によりパターニングして溝が形成される部分において
マザー基板の上面が露出される。従って、次に溝が形成
される部分においてマザー基板をドライエッチングした
場合、マザー基板の上面が露出しているので、短時間で
溝を形成することができ、マザー基板の損傷を抑制する
ことができる。加えて、ドライエッチングに際しては、
ＩＤＴ電極が第１，第２のフォトレジスト層により被覆
されているので、ＩＤＴ電極の損傷も生じ難い。

【００６５】さらに、スピンコーティングなどによりレ
ジスト層を形成する場合、その厚みをさほど厚くするこ
とができないが、上記のように第１，第２のフォトレジ
スト層を順次被覆する方法では、各フォトレジスト層の
厚みをさほど厚くする必要はない。従って、スピンコー
ティングなどの慣用されているフォトレジスト層塗布方
法を用いることができる。

【００６６】さらに、請求項６に記載のように、第２の
レジスト層上に第２の金属薄膜及び第３のフォトレジス
ト層を形成し、第３のフォトレジスト層を露光・現像す
ることにより、溝が形成される部分においてマザー基板
の上面を露出させた場合には、第３のレジスト層を除去
することにより、第２の金属薄膜が露出される。従っ
て、第２の金属薄膜をマスクとしてドライエッチングを
行うことができるので、溝をより正確に形成することが
できる。

【００６７】請求項７に記載のように、多層マスクを用
いる場合には、マスクの耐久性が高められ、従って、溝
の形成に際してのドライエッチング時にＩＤＴ電極や基
板の損傷が生じ難い。

【００６８】請求項８に記載のように、マザー基板の上
面に金属薄膜を形成し、金属薄膜上において、ＩＤＴ電
極が形成される部分以外の領域に第１のフォトレジスト
層を形成し、しかる後第１のフォトレジスト層の厚みよ
り薄い第２の金属薄膜が形成され、しかる後全面に第２
のフォトレジスト層が形成される。この場合には、第２
のフォトレジスト層をパターニングし、溝が形成される
部分においてマザー基板の上面が露出される。そして、
第３のフォトレジスト層を除去し、第２の金属薄膜を露
出させることにより、第２の金属薄膜をマスクとしてマ
ザー基板をドライエッチングすることができる。

【００６９】よって、請求項８に記載の発明に係る製造
方法においても、溝がドライエッチングにより形成され
るので、反射端面を高精度に形成することができる。ま
た、ドライエッチングに際しては、マザー基板のみをエ
ッチングすればよいので、ドライエッチング時間を短縮
することができ、マザー基板の損傷を抑制することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）〜（ｈ）は、本発明の第１の実施例に係
る端面反射型表面波装置の製造方法を説明するための各
断面図。

【図２】（ａ）〜（ｉ）は、第２の実施例に係る端面反
射型表面波装置の製造方法を説明するための各断面図。

【図３】（ａ）〜（ｄ）は、第３の実施例に係る端面反
射型表面波装置の製造方法を説明するための各断面図。

【図４】（ａ）〜（ｃ）は、第３の実施例に係る端面反
射型表面波装置の製造方法を説明するための各断面図。

【図５】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の変形例を説明す
るための各端面図。

【符号の説明】 １…マザー基板 ２…第１の金属薄膜 ２Ａ，２Ｂ…ＩＤＴ電極 ３…第１のフォトレジスト層 ４…第２のフォトレジスト層 ５，６…溝 ５ａ，５ｂ…反射端面を構成する側面 １１…第２の金属薄膜 １２…第２のフォトレジスト層 ２１…第１のフォトレジスト層 ２２…第２の金属薄膜 ２３…第２のフォトレジスト層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 堀内 秀哉 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 吾郷 純也 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 Ｆターム(参考） 5J097 AA28 AA29 AA31 BB02 EE03 FF03 GG07 HA07 HA08 HA10 KK09

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 対向し合う一対の反射端面でＳＨタイプ
   の表面波が反射される端面反射型表面波装置の製造方法
   であって、 マザー基板上に複数のインターデジタル電極を形成する
   工程と、 マザー基板の上面に少なくとも一方の側面が反射端面を
   構成する溝をドライエッチングにより形成する工程と、 前記溝の形成後にマザー基板を厚み方向に機械的に切断
   して個々の端面反射型表面波装置を得る工程とを備える
   ことを特徴とする、端面反射型表面波装置の製造方法。
2. 【請求項２】 前記マザー基板上において、隣り合う端
   面反射型表面波装置部分間に１本の前記溝が形成されて
   おり、該溝の一対の側面が、それぞれ、隣り合う端面反
   射型表面波装置における反射端面を構成しており、 前記マザー基板の機械的な切断が、前記溝の底部からマ
   ザー基板の下面に至るようにマザー基板を切断すること
   により行われる、請求項１に記載の端面反射型表面波装
   置の製造方法。
3. 【請求項３】 前記マザー基板において、隣り合う端面
   反射型表面波装置部分間に２本の溝が形成されており、
   各溝の該溝に近接しているインターデジタル電極側の側
   面が反射端面を構成しており、 前記マザー基板の機械的切断が、前記２本の溝の間のマ
   ザー基板部分においてマザー基板の上面から下面に至る
   ように切断することにより行われる、請求項１に記載の
   端面反射型表面波装置の製造方法。
4. 【請求項４】 前記マザー基板の機械的切断がダイシン
   グソーを用いて行われる、請求項１〜３のいずれかに記
   載の端面反射型表面波装置の製造方法。
5. 【請求項５】 前記マザー基板上に複数のインターデジ
   タル電極を形成する工程が、 マザー基板の上面の全面に金属薄膜を形成するステージ
   と、 該金属薄膜上にレジストを付与し、露光・現像によりパ
   ターニングし、それによってインターデジタル電極と、
   該インターデジタル電極上に積層された第１のレジスト
   層とを形成するステージとを備え、 前記ドライエッチングにより溝を形成する工程が、マザ
   ー基板の上面に形成されたインターデジタル電極及び第
   １のレジスト層を覆うように第２のレジスト層を形成す
   るステージと、該第２のレジスト層を露光・現像により
   パターニングし、それによって、溝が形成される部分に
   おいてマザー基板の上面を露出させるステージとを備
   え、前記溝が形成される部分においてマザー基板をドラ
   イエッチングすることにより溝が形成される、請求項１
   〜４のいずれかに記載の端面反射型表面波装置の製造方
   法。
6. 【請求項６】 前記第２のレジスト層を形成後その上に
   第２の金属薄膜を形成し、該第２の金属薄膜上に第３の
   レジスト層を形成し、第３のレジスト層を露光・現像し
   た後、第２の金属薄膜をエッチングし、さらにエッチン
   グされた第２の金属薄膜をマスクとして、前記第２のレ
   ジスト層を露光・現像することにより溝が形成される部
   分においてマザー基板の上面が露出されるステージと、 第３のレジスト層を除去するステージとをさらに備え、 第３のレジスト層の除去により露出された第２の金属薄
   膜をマスクとして、前記ドライエッチングが行われる、
   請求項５に記載の端面反射型表面波装置の製造方法。
7. 【請求項７】 前記第２のレジスト層を形成後その上に
   第２の金属薄膜を形成し、該第２の金属薄膜上に第３の
   レジスト層を形成し、第３のレジスト層を露光・現像し
   た後、第２の金属薄膜をエッチングし、さらにエッチン
   グされた第２の金属薄膜をマスクとして、前記第２のレ
   ジスト層を露光・現像することにより溝が形成される部
   分においてマザー基板の上面が露出されるステージをさ
   らに備え、 第２のレジスト層−第２の金属薄膜−第３のレジスト層
   からなる多層構造をマスクとして、前記ドライエッチン
   グが行われる、請求項５に記載の端面反射型表面波装置
   の製造方法。
8. 【請求項８】 前記マザー基板の上面に複数のインター
   デジタル電極を形成する工程が、 マザー基板上に全面に金属薄膜を形成するステージと、 金属薄膜上において、インターデジタル電極が形成され
   る部分の領域に第１のレジスト層を形成するステージ
   と、 第１の金属薄膜及び第１のレジスト層を覆うように、か
   つ第１のレジスト層の厚みより薄い第２の金属薄膜を積
   層するステージとを備え、 前記ドライエッチングにより溝を形成する工程が、マザ
   ー基板の上面に第２のレジスト層を全面に付与するステ
   ージと、 第２のレジスト層を露光・現像によりパターニングし、
   第１及び第２の金属薄膜をエッチングして溝が形成され
   る部分において、マザー基板の上面を露出させるステー
   ジと、 第２のレジスト層を除去し、第２の金属薄膜を露出させ
   るステージとを備え、 露出された第２の金属薄膜をマスクとして前記ドライエ
   ッチングが行われ、 次に、第１のレジスト層をマスクとして用いて第１及び
   第２の金属薄膜をエッチング後、第１のレジスト層を除
   去する工程をさらに備えることを特徴とする、請求項１
   〜４のいずれかに記載の端面反射型表面波装置の製造方
   法。