JP2001085958A - 増幅回路 - Google Patents

増幅回路

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JP2001085958A JP25805699A JP25805699A JP2001085958A JP 2001085958 A JP2001085958 A JP 2001085958A JP 25805699 A JP25805699 A JP 25805699A JP 25805699 A JP25805699 A JP 25805699A JP 2001085958 A JP2001085958 A JP 2001085958A
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Hirotomo Ishii
啓友 石井
Chaanoru Jisurafu
チャーノル ジスラフ
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 利得低下をもたらすことなく歪みを低減した
差動増幅回路を提供する。 【解決手段】 平衡型DDA1とシングルエンド型DD
A2を組み合わせて、平衡型のDDAである差動増幅回
路3を構成する。平衡型DDA1は、二つの差動入力段
の入力端子である4入力端子VPP,VPN,VNN,
VNPと二つの出力段の出力端子である2出力端子Vo
utP,VoutNを有し、これらが差動増幅回路3の
4入力端子,2出力端子となる。シングルエンド型DD
A2は、二つの差動入力段の入力端子である4入力端子
がそれぞれ差動増幅回路3の4入力端子に接続され、一
つの出力段の出力端子Voutが差動増幅回路3の帰還
制御のための制御出力端子となる。この制御出力端子V
outの信号の負帰還により、全入力端子間の仮想短絡
が可能になる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、差動差分増幅器
DDA(Differential Differen
ce Amplifier)を用いた全差動型の増幅回
路に関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、入力インピーダンスの大きい
非反転増幅器を構成するために、全差動型(平衡型)の
DDAを用いる手法が知られている。平衡型DDAと
は、図1のシンボル図に示し、図2の回路図に示したよ
うなものである。このDDA1は、NMOSトランジス
タQ1,Q2,Q13により構成される差動入力段11
と、NMOSトランジスタQ3,Q4,Q15により構
成される差動入力段12とを有し、またPMOSトラン
ジスタQ11とNMOSトランジスタQ14を持つ出力
段13と、PMOSトランジスタQ12とNMOSトラ
ンジスタQ16を持つ出力段14を有し、4個の入力端
子VPP、VPN、VNP、VNNと2個の出力端子V
outP、VoutNを有する。
【0003】出力端子VoutNとVoutPの間には
同相帰還回路15が設けられている。この同相帰還回路
15によりゲート電圧が制御されるPMOSトランジス
タQ5,Q6は、二つの差動入力段11,12の共通の
負荷として用いられている。トランジスタQ5とQ2及
びQ3との接続ノードにより一方の出力段トランジスタ
Q12のゲートが制御され、トランジスタQ6とQ4及
びQ1の接続ノードにより他方の出力段トランジスタQ
11のゲートが制御される。
【0004】出力段トランジスタQ11のゲート・ドレ
イン間に設けられた抵抗R11とキャパシタC11とは
位相補償回路を構成している。同様に、出力段トランジ
スタQ12のゲート・ドレイン間に設けられた抵抗R1
2とキャパシタC12も位相補償回路を構成している。
NMOSトランジスタQ13〜Q16は各差動入力段1
1,12のバイアス電流を制御する電流源トランジスタ
であり、回路外部から与える電圧Vbiasにより制御され
る。
【0005】同相帰還回路15は、出力同相成分を抑圧
する負帰還制御を行うもので、例えば図3のように構成
される。図3の同相帰還回路15はNMOSトランジス
タQ21,Q22,Q23により構成される差動入力
段、及びダイオード接続されたPMOSトランジスタQ
24,Q25からなる負荷回路を有する。差動入力段の
一つのトランジスタQ21のゲートには抵抗R21,R
22を介して出力端子VoutN,VoutPが接続さ
れる。これらの抵抗抵抗R21,R22により平衡型D
DA1の出力信号VoutN、VoutPに含まれる同
相成分を検出し、これを他方のトランジスタQ22のゲ
ートに入る電圧VAGと比較して、制御信号VCを生成
する。この制御信号VCにより、DDA1の出力同相電
圧が負帰還制御され、VAGとほぼ等しくなる。
【0006】このような4入力,2出力の平衡型DDA
1は、入力端子VPPと入力端子VPNの間の差の入力
信号に対して一方の出力端子VoutPの出力信号は正
の利得、他方の出力端子VoutNの出力信号は負の利
得を有する。また入力端子VNPと入力端子VNNの間
の差の入力信号に対して一方の出力端子VoutPは負
の利得、他方の出力端子VoutNは正の利得を有す
る。これらの利得は、差動入力段の利得と出力段の積で
決定される。MOSトランジスタQ1,Q2,Q3,Q
4の相互コンダクタンスをgm、ドレイン・ソース間コ
ンダクタンスをgdsn、MOSトランジスタQ5,Q6
のドレイン・ソース間コンダクタンスをgdspとする
と、差動入力信号に対する差動入力段の利得は、gm/
(gdsn+gdsp)となる。従って、差動入力段の差動ト
ランジスタ対の相互コンダクタンスとDDA1の利得の
絶対値は比例関係にあることがわかる。
【0007】この様な平衡型DDA1を用いて、非反転
増幅回路は図4のように構成される。この回路は平衡型
DDA1のほかに抵抗R1〜R3を用いて構成され、V
inP、VinNの入力に対してVoutP、Vout
Nを出力する。抵抗R1〜R3により負帰還がかかるた
め、平衡型DDA1の利得が無限大であると仮定すれ
ば、この非線形増幅回路は、下記数1を満足する動作を
する。
【0008】
【数1】(VPP−VPN)−(VNP−VNN)=0
【0009】従って、抵抗R3の抵抗値がRa、抵抗R
1,R2の抵抗値が共にRbであるとすると、この回路
の利得Aは、下記数2となる。
【0010】
【数2】A={Rb+(Ra/2)}/(Ra/2)
【0011】入力電圧VinP、VinNの同相成分を
VCM、差動成分をVi、出力電圧VoutP、Vou
tNの同相成分をVAG、差動成分をVoとすると、次
の関係が成り立つ。
【0012】
【数3】VPP=VCM+Vi VNP=VCM−Vi VoutP=VAG+Vo VoutN=VAG−Vo Vo=A・Vi
【0013】平衡型DDA1の入力端子は、図2に示す
ようにMOSトランジスタのゲートに接続されているた
め、原理的に電流は流れ込まない。従って、VPN、V
NNは抵抗R1〜R3と出力電圧VoutP、Vout
Nによって決り、次のようになる。
【0014】
【数4】VPN=VAG+Vi VNN=VAG−Vi
【0015】VCM≠VAGの場合には、VPP≠VP
N、VNP≠VNNとなる。すなわち、DDA1の入力
電圧の同相成分VCMが出力電圧の同相成分VAGと異
なる場合には、差動入力段に入力する2つの信号が異な
る電圧となる。ここで、図5及び図6を用いて差動入力
の動作を考察する。図5の差動入力段はNMOSトラン
ジスタQ51,Q52,Q53により構成され、Q53
のゲート電位は所望のバイアス電流Ibiasを流すように
電圧Vbiasにより制御されている。ここで、MOSトラ
ンジスタQ51のゲート・ソース間電圧をVGSI、ドレ
イン電流をIDI、MOSトランジスタQ52のゲート・
ソース間電圧をVGS2、ドレイン電流をID2とする。M
OSトランジスタQ51,Q52の特性がゲート・ソー
ス間電圧VGS、ドレイン電流ID、しきい値電圧VTH、
相互コンダクタンスパラメーターKを用いて、ID=K
(VGS−VTH)2と表すことができるとすると、ΔVi=
VGS1−VGS2とΔID=ID1−ID2の関係は、下記数5
となる。
【0016】
【数5】 ΔID=ΔVi・K{2Ibias/K−(ΔVi)21/2
【0017】数5の関係を示したのが、図6である。こ
れから、ΔViに対し、ΔIDがほぼ線形に変化する範囲
(差動入力段の線形動作範囲)がKに反比例することが
わかる。この範囲が差動入力段に入力する2つの信号の
電圧差に比べ十分に大きくない場合には、歪みが発生す
る。このため、従来は差動入力段の線形動作範囲を十分
に大きくするように設計を行っている。その方法の一つ
として、MOSトランジスタのKを小さくする方法があ
る。MOSトランジスタのチャンネル幅をW、チャンネ
ル長をLとすると、KはW/Lに比例するため、W/L
を小さくすれば差動入力段の線形動作範囲を拡大するこ
とができる。しかし、この方法では図6から明らかなよ
うに差動入力段の相互コンダクダンス(ΔID/ΔVi)
が低下する為、DDAの利得が低下するという問題が生
じる。その結果、所望の利得が得られない、あるいはG
B積の大きいDDAを必要とする場合には利得段を増や
すなどの対策が必要であり、利得段を増やした場合には
位相補償が困難になるという別の問題が生じる。
【0018】また、平衡型DDA1を用いた減算回路と
して、図7に示すものが知られている。この減算回路
は、平衡型DDA1と抵抗R1〜R7を用いて構成され
て、VinPP,VinNN,VinPN,VinNP
の入力に対して、VoutP,VoutNを出力する。
この回路では、入力電圧VinPNとVinNNの差動
成分ViNと、入力電圧VinPPとVinNPの差動
成分ViPに対応して、ViP−ViNにより決まる差
分出力VoutP−VoutNが得られる。この場合、
抵抗R1〜R4により負帰還がかかるため、平衡型DD
A1の利得が無限大であると仮定すれば、先の数1の関
係を満足する動作を行う。
【0019】従って、抵抗値が、R3=R4=Ra、R
1=R2=Rb、R5=R6=Rc、R7=Rdと設定
されたとすると、入力電圧VinPN,VinNNの差
動成分をViN、入力電圧VinPP,VinNPの差
動成分をViPとして、この回路の出力電圧Vout
P,VoutNの同相成分Voは、次のように表され
る。
【0020】
【数6】
【0021】入力電圧VinPN,VinNNの同相成
分をVCMN、入力電圧VinPP,VinNPの同相
成分をVCMP、出力電圧VoutP,VoutNの差
動成分をVo、同相成分をVAGとすると、VPP,V
PNは次のように表される。
【0022】
【数7】
【0023】この式から、一般に、VPP≠VPNであ
ることがわかる。他の入力電圧対VNP,VNNについ
ても同様のことがいえる。即ち、図7に示す減算回路
は、図4の場合と同様に、差動入力段に対する二つの入
力信号が異なる電圧となり、歪みの原因となる。これを
解決するには、平衡型DDA1の線形動作範囲を拡大す
る必要があり、図4の場合と同様の問題を招来する。
【0024】
【発明が解決しようとする課題】以上のように従来の平
衡型DDAは、線形増幅回路や減算回路を構成したとき
に、歪みが生じ、歪みを低減すべく線形動作範囲を拡大
しようとすると、利得が低くなり、これを補償するため
利得段を増やすと位相補償が難しくなる、といった問題
があった。この発明は、この様な問題を解決して、利得
低下をもたらすことなく歪みを低減した増幅回路を提供
することを目的としている。この発明はまた、その様な
増幅回路を用いた非反転増幅回路や減算回路を提供する
ことを目的とする。
【0025】
【課題を解決するための手段】この発明に係る増幅回路
は、第1乃至第4の入力端子と第1及び第2の出力端子
を有し、前記第1及び第2の入力端子の間の入力信号に
対して第1の出力端子の出力信号が第1の利得、第2の
出力端子の出力信号が第1の利得と絶対値が略等しく逆
極性の第2の利得を有し、第3及び第4の入力端子の間
の入力信号に対して第1の出力端子の出力信号が第1の
利得と絶対値が略等しい第3の利得、第2の出力端子の
出力信号が第3の利得と絶対値が略等しく逆極性の第4
の利得を有する平衡型の第1の差動増幅器と、前記第1
乃至第4の入力端子にそれぞれ接続された4つの入力端
子と第3の出力端子を有し、第1及び第2の入力端子の
間の入力信号に対して第3の出力端子の出力信号が第5
の利得を有し、第3及び第4の入力端子の間の入力信号
に対して第3の出力端子の出力信号が第5の利得と絶対
値が略等しい第6の利得を有するシングルエンド型の第
2の差動増幅器と、を有することを特徴とする。
【0026】この発明において、第1の差動増幅器は例
えば、前記第1及び第2の入力端子にそれぞれ入力端子
が接続される第1の差動入力段と、前記第3及び第4の
入力端子にそれぞれ入力端子が接続される第2の差動入
力段と、前記第1及び第2の差動入力段の差動入力信号
に応じて変化する出力信号が得られる出力端子が前記第
1の出力端子に接続された第1の出力段と、前記第1及
び第2の差動入力段の差動入力信号に応じて変化する出
力信号が得られる出力端子が前記第2の出力端子に接続
された第2の出力段とを有するものとする。また第2の
差動増幅器は、前記第1及び第2の入力端子にそれぞれ
差動入力端子が接続される第3の差動入力段と、前記第
3及び第4の入力端子にそれぞれ差動入力端子が接続さ
れる第4の差動入力段と、これらの差動入力段の差動入
力信号により変化する出力信号の差分出力を前記第3の
出力端子に取り出す第3の出力段とを有するものとす
る。
【0027】またこの発明において、第1の差動増幅器
は、4入力,1出力の二つのシングルエンド型差動増幅
器を併設して構成することも可能である。
【0028】この発明に係る非反転増幅回路は、上述の
増幅回路を用いて構成され、前記第1の出力端子の出力
信号を前記第1の差動入力段に負帰還する第1の帰還回
路と、前記第2の出力端子の出力信号を前記第2の差動
入力段に負帰還する第2の帰還回路と、前記第3の出力
端子の出力信号を前記第1及び第2の差動入力段に負帰
還する第3の帰還回路とを備えたことを特徴とする。
【0029】この発明に係る減算回路は、上述の増幅回
路を用いて構成され、前記第1乃至第4の入力端子にそ
れぞれ挿入された入力抵抗と、前記第1の出力端子の出
力信号を前記第1の差動入力段に負帰還する第1の帰還
抵抗と、前記第2の出力端子の出力信号を前記第2の差
動入力段に負帰還する第2の帰還抵抗と、前記第3の出
力端子の出力信号を前記第1及び第2の差動入力段に負
帰還する第3の帰還抵抗とを備えたことを特徴とする。
【0030】この発明によると、入力端子を共通接続し
た平衡型DDAとシングルエンド型DDAとを組み合わ
せて、シングルエンド型DDAの出力端子を制御出力端
子としており、この制御出力端子の出力により負帰還制
御を行うことにより、第1,第2の入力端子間、及び第
3,第4の入力端子間を仮想短絡とすることが可能にな
る。従って、利得を低減することなく歪みを低減するこ
とができる。
【0031】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、この発明
の実施の形態を説明する。[実施の形態1]図8は、こ
の発明の実施の形態による差動増幅回路3を示してい
る。この差動増幅回路3は、平衡型DDA1と、シング
ルエンド型DDA2を用いて構成されている。平衡型D
DA1は、図1及び図2に示すものと同じであり、二つ
の差動入力段と、同相帰還回路とを持つ。このDDA1
の4つの入力端子VPP,VPN,VNN,VNPがそ
のまま、差動増幅回路3の4つの入力端子となり、また
DDA1の二つの出力端子VoutP,VoutNがそ
のまま差動増幅回路3の二つの出力端子となる。
【0032】平衡型DDA1は、入力端子VPPと入力
端子VPNの間の差の入力信号に対して出力端子Vou
tPからの出力信号が正の第1の利得を有し、出力端子
VoutNからの出力信号はその利得と絶対値が略等し
い負の第2利得を有する。また、入力端子VNPと入力
端子VNNの間の差の入力信号に対しては、出力端子V
outPからの出力信号が第1の利得と絶対値が略等し
い負の第3の利得を有し、出力端子VoutNからの出
力信号が第3の利得と絶対値が略等しい正の第4の利得
を有する。
【0033】シングルエンド型DDA2は、平衡型DD
A1の4つの入力端子VPP,VPN,VNN,VNP
と対応する4つの入力端子と、一つの出力端子Vcoを
有する。シングルエンド型DDA2の4つの入力端子と
平衡型DDA1の対応する4つの入力端子の接続関係
は、二つが互いに対応するもの同士のVPP−VPP,
VPN−VPNなる接続であるのに対し、残りの二つ
は、VNN−VNPという反転した接続になっている。
シングルエンド型DDA2の出力端子Vcoは、差動増
幅回路3の制御出力端子となる。このシングルエンド型
DDA2は、例えば図9に示すように構成される。これ
は、図2に示す平衡型DDAの中の二つの出力段13,
14のうち一方の出力段14及びこれに付随する位相補
償回路を除き、また同相帰還回路15を除いたものであ
る。また二つの差動入力段の負荷であるPMOSトラン
ジスタQ5,Q6は、トランジスタQ5のゲート・ドレ
イン間が接続されて、PMOSカレントミラー負荷を構
成している。そしてその一つの出力端子VoutNがD
DA2の制御出力端子Vcoとなっている。
【0034】このシングルエンド型DDA2は、入力端
子VPPとVPNの間の入力信号に対して出力端子Vc
oの出力信号が正の利得を有し、入力端子VNNとVN
Pの間の入力信号に対して出力端子Vcoの出力信号が
略同じ正の利得を有する。
【0035】図10は、図8に示す差動増幅回路3を用
いて構成されたこの実施の形態による非反転増幅回路の
構成である。図示のように、差動増幅回路3の入力端子
VPP,VPN,VNN,VNPのうち、VPPとVN
Pとが差動の信号入力端子とされる。一方の出力端子V
outPの信号は抵抗R1を介して入力端子VPNに負
帰還され、他方の出力端子VoutNの信号は抵抗R2
を介して入力端子VNNに負帰還されている。制御出力
端子Vcoの信号は、抵抗R3aを介して入力端子VP
Nに、抵抗R3bを介して入力端子VNNにそれぞれ負
帰還されている。
【0036】この実施の形態の非反転増幅回路では、抵
抗R1,R2による負帰還により、平衡型DDA1の利
得が無限大であるとすれば、従来と同様に、数1の関係
を満たすように動作する。一方、制御出力端子Vcoか
ら入力端子VPN,VNNにそれぞれ抵抗R3a,R3
bによる負帰還がかけられていため、シングルエンド型
DDA2の利得が無限大とすれば、次の数8が成り立
つ。
【0037】
【数8】(VPP−VPN)+(VNP−VNN)=0
【0038】そして、数1と数8が同時に成り立つため
には、次の条件が必要となる。
【0039】
【数9】VPP=VPN VNP=VNN
【0040】従って、図10に示す非反転増幅回路で
は、差動増幅回路3中の平衡型DDA1の二つの差動入
力段の全ての入力端子の間で仮想短絡が成立するため、
歪みが生じることはない。抵抗R3a,R3bの抵抗値
がRa、抵抗R1,R2の抵抗値がRbであるとする
と、この非反転増幅回路の利得は、次の数10で与えら
れる。
【0041】
【数10】A={Rb+(Ra/2)}/(Ra/2)
【0042】以上のようにこの実施の形態によれば、平
衡型DDA1の入力信号の同相成分と出力信号の同相成
分が異なる場合でも、シングルエンド型DDA2を組み
込んで帰還制御を行うことにより、歪みを低減すること
が可能になる。しかも従来のように、歪み低減のために
平衡型DDAの利得を下げる必要はなく、位相補償は容
易である。
【0043】[実施の形態2]図11は、この発明の実
施の形態2による差動増幅回路3aである。この実施の
形態でも、平衡型DDA1とシングルエンド型DDA2
を用いることは、図8の実施の形態1と同じである。但
し、図8とは入力端子接続関係が逆であり、VNN−V
NN,VNP−VNPの接続と、VPP−VPNの接続
を用いている。
【0044】図12は、図11の差動増幅回路3aを用
いて構成された減算回路である。差動増幅回路3aの4
つの入力端子VPP,VPN,VNN,VNPにそれぞ
れ、入力抵抗R5,R3,R4,R6を介して入力信号
VinPP,VinPN,VinNN,VinNPが供
給される。出力端子VoutP,VoutNはそれぞれ
抵抗R1,R2を介して、入力端子VPN,VNNに負
帰還される。また制御出力端子Vcoはそれぞれ抵抗R
7a,R7bを介して、入力端子VPP,VNPに負帰
還される。
【0045】この実施の形態の場合も、平衡型DDA1
の利得が無限大であるとすれば、先の実施の形態と同様
に数1の関係が成立する。またシングルエンド型DDA
2の利得が無限大であれば、やはり先の実施の形態と同
様に、数8の関係が成り立つ。従って先の実施の形態と
同様に、数9の関係が成立し、平衡型DDA1の二つの
差動入力段の全ての入力端子の間で仮想短絡が成立する
ため、歪みが生じることはない。抵抗R3,R4の抵抗
値をRa、抵抗R1,R2の抵抗値をRb、抵抗R5,
R6の抵抗値をRc、抵抗R7a,R7bの抵抗値をR
d/2とすると、この回路の出力差動成分Voは、図7
の従来例と同様に、下記数11で与えられる。
【0046】
【数11】
【0047】[実施の形態3]上記各実施の形態におい
て、平衡型DDA1は、PMOSトランジスタ負荷を共
有する二つの差動入力段を有し、その負荷が同相帰還回
路により制御される構成のものとした。しかしこの発明
において、平衡型DDA1はこの様な構成に限定される
わけではない。例えば図13は、二つのシングルエンド
型DDA131,DDA132の並列接続により、実質
的に同じ機能の平衡型DDA1を構成した実施の形態で
ある。但しDDA131の中の各差動入力段の非反転入
力端子は、DDA2の対応する差動入力段の反転入力端
子と接続される。これにより、先の実施の形態と同様
に、4入力,2出力構成の平衡型の差動出力Vout
P,VoutNが得られる。
【0048】また、上記実施の形態ではいずれも差動増
幅回路3の帰還経路に抵抗を挿入しているが、抵抗では
なく、他の帰還回路要素例えば容量を挿入してもよい。
また、この発明に係る増幅回路は用途に応じて種々の帰
還回路を構成することが可能であり、例えば、第1の出
力端子の出力信号を第1及び第3の差動入力段に負帰還
する帰還回路、第2の出力端子の出力信号を第2及び第
4の差動入力段に負帰還する帰還回路、更に第3の出力
端子の出力信号を第1乃至第4の差動入力段に負帰還す
る帰還回路を備えた増幅回路構成とすることもできる。
【0049】
【発明の効果】以上述べたようにこの発明によれば、平
衡型DDAとシングルエンド型DDAを組み合わせて、
4つの入力端子の間を全て仮想短絡が成立するように帰
還制御することにより、線形領域の拡大を行うことなく
歪みを低減した差動増幅回路が得られる。この差動増幅
回路を用いることにより、入力インピーダンスの高い非
反転増幅器や減算回路を構成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】平衡型DDAのシンボル図である。
【図2】同平衡型DDAの回路構成例である。
【図3】同平衡型DDAにおける同相帰還回路の構成例
である。
【図4】同平衡型DDAを用いた従来の非反転増幅回路
の構成である。
【図5】DDAを構成する基本差動入力段の構成を示す
図である。
【図6】同差動入力段の特性を示す図である。
【図7】従来の平衡型DDAを用いた減算回路の構成で
ある。
【図8】この発明の実施の形態1による差動増幅回路の
構成である。
【図9】図8におけるシングルエンド型DDAの構成で
ある。
【図10】図8の差動増幅回路を用いた非反転増幅回路
の構成である。
【図11】この発明の実施の形態2による差動増幅回路
の構成である。
【図12】図11の差動増幅回路を用いた減算回路の構
成である。
【図13】この発明の実施の形態3による平衡型DDA
の構成を示す図である。
【符号の説明】
1…平衡型DDA、2…シングルエンド型DDA、3…
差動増幅回路。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5J066 AA01 AA12 CA21 CA35 FA15 FA17 HA10 HA17 HA25 HA29 KA02 KA26 MA13 ND01 ND12 ND22 ND23 PD01 TA01 TA02 5J090 AA01 AA12 CA21 CA35 FA15 FA17 GN01 GN06 HA10 HA17 HA25 HA29 HN03 KA02 KA26 MA13 MN01 MN04 NN05 TA01 TA02

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 第1乃至第4の入力端子と第1及び第2
    の出力端子を有し、前記第1及び第2の入力端子の間の
    入力信号に対して第1の出力端子の出力信号が第1の利
    得、第2の出力端子の出力信号が第1の利得と絶対値が
    略等しく逆極性の第2の利得を有し、第3及び第4の入
    力端子の間の入力信号に対して第1の出力端子の出力信
    号が第1の利得と絶対値が略等しい第3の利得、第2の
    出力端子の出力信号が第3の利得と絶対値が略等しく逆
    極性の第4の利得を有する平衡型の第1の差動増幅器
    と、 前記第1乃至第4の入力端子にそれぞれ接続された4つ
    の入力端子と第3の出力端子を有し、第1及び第2の入
    力端子の間の入力信号に対して第3の出力端子の出力信
    号が第5の利得を有し、第3及び第4の入力端子の間の
    入力信号に対して第3の出力端子の出力信号が第5の利
    得と絶対値が略等しい第6の利得を有するシングルエン
    ド型の第2の差動増幅器と、を有することを特徴とする
    増幅回路。
  2. 【請求項2】 前記第1の差動増幅器は、前記第1及び
    第2の入力端子にそれぞれ入力端子が接続される第1の
    差動入力段と、前記第3及び第4の入力端子にそれぞれ
    入力端子が接続される第2の差動入力段と、前記第1及
    び第2の差動入力段の差動入力信号に応じて変化する出
    力信号が得られる出力端子が前記第1の出力端子に接続
    された第1の出力段と、前記第1及び第2の差動入力段
    の差動入力信号に応じて変化する出力信号が得られる出
    力端子が前記第2の出力端子に接続された第2の出力段
    とを有し、 前記第2の差動増幅器は、前記第1及び第2の入力端子
    にそれぞれ差動入力端子が接続される第3の差動入力段
    と、前記第3及び第4の入力端子にそれぞれ差動入力端
    子が接続される第4の差動入力段と、これらの差動入力
    段の差動入力信号により変化する出力信号の差分出力を
    前記第3の出力端子に取り出す第3の出力段とを有する
    ことを特徴とする請求項1記載の増幅回路。
  3. 【請求項3】 前記第1の差動増幅器は、4入力,1出
    力の二つのシングルエンド型差動増幅器を併設して構成
    されていることを特徴とする請求項1記載の増幅回路。
  4. 【請求項4】 請求項2又は3に記載の差動増幅回路を
    用いて構成され、 前記第1の出力端子の出力信号を前記第1の差動入力段
    に負帰還する第1の帰還回路と、 前記第2の出力端子の出力信号を前記第2の差動入力段
    に負帰還する第2の帰還回路と、 前記第3の出力端子の出力信号を前記第1及び第2の差
    動入力段に負帰還する第3の帰還回路とを備えたことを
    特徴とする非反転増幅回路。
  5. 【請求項5】 請求項2又は3に記載の差動増幅回路を
    用いて構成され、 前記第1乃至第4の入力端子にそれぞれ挿入された入力
    抵抗と、 前記第1の出力端子の出力信号を前記第1の差動入力段
    に負帰還する第1の帰還抵抗と、 前記第2の出力端子の出力信号を前記第2の差動入力段
    に負帰還する第2の帰還抵抗と、 前記第3の出力端子の出力信号を前記第1及び第2の差
    動入力段に負帰還する第3の帰還抵抗とを備えたことを
    特徴とする減算回路。
  6. 【請求項6】 前記第1の出力端子の出力信号を前記第
    1の差動入力段に負帰還する第1の帰還回路と、 前記第2の出力端子の出力信号を前記第2の差動入力段
    に負帰還する第2の帰還回路と、 前記第3の出力端子の出力信号を前記第1及び第2の差
    動入力段に負帰還する第3の帰還回路とを備えたことを
    特徴とする請求項2記載の増幅回路。
  7. 【請求項7】 前記第1の出力端子の出力信号を前記第
    1及び第3の差動入力段に負帰還する第1の帰還回路
    と、 前記第2の出力端子の出力信号を前記第2及び第4の差
    動入力段に負帰還する第2の帰還回路と、 前記第3の出力端子の出力信号を前記第1乃至第4の差
    動入力段に負帰還する第3の帰還回路とを備えたことを
    特徴とする増幅回路。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020068968A (ko) * 2002-05-13 2002-08-28 주식회사 엠씨링크 완전차동 오차증폭기를 이용한 에프엠 스테레오 신호 생성기 설계방법
JP2008300963A (ja) * 2007-05-29 2008-12-11 Mitsubishi Electric Corp マイクロ波移相回路、イメージリジェクションミクサおよび直交変調器
JP2009531013A (ja) * 2006-03-23 2009-08-27 エヌエックスピー ビー ヴィ 並列結合された差動入力対を有する変換器
JP2013223110A (ja) * 2012-04-17 2013-10-28 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 差動トランスインピーダンス増幅器
US9923522B2 (en) 2014-07-08 2018-03-20 Mitsubishi Electric Corporation Operational amplifier circuit and bias current supply method

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6140877A (en) * 1998-12-11 2000-10-31 Micron Technology, Inc. Low power supply CMOS differential amplifier topology
FR2824680A1 (fr) * 2001-05-14 2002-11-15 St Microelectronics Sa Amplificateur differentiel comportant un dispositif de deverouillage
US6573779B2 (en) * 2001-05-25 2003-06-03 Rambus Inc. Duty cycle integrator with tracking common mode feedback control
US6559720B1 (en) * 2001-10-26 2003-05-06 Maxim Integrated Products, Inc. GM-controlled current-isolated indirect-feedback instrumentation amplifier
US20030099307A1 (en) * 2001-11-13 2003-05-29 Narad Networks, Inc. Differential slicer circuit for data communication
DE10158709A1 (de) * 2001-11-29 2003-07-03 Infineon Technologies Ag Voll differentieller Differenzverstärker mit hoher Eingangsimpedanz
FR2833430A1 (fr) * 2001-12-12 2003-06-13 St Microelectronics Sa Amplificateur differentiel a faible niveau de bruit
US6700445B2 (en) * 2002-04-22 2004-03-02 Texas Instruments Incorporated Filter circuits based on trans-conductor circuits
US7119612B1 (en) * 2004-01-05 2006-10-10 National Semiconductor Corporation Dual-channel instrumentation amplifier
FR2868626B1 (fr) * 2004-03-31 2006-06-23 St Microelectronics Sa Amplificateur differentiel a deux sorties et a entree unique a linearite amelioree
US7157944B1 (en) * 2004-04-27 2007-01-02 Altera Corporation Differential signal detector methods and apparatus
US7084674B1 (en) 2004-08-16 2006-08-01 Analog Devices, Inc. Differential amplifier with reduced common-mode and method
EP1713177A1 (fr) * 2005-04-15 2006-10-18 Stmicroelectronics Sa Amplificateur differentiel à gain variable
US20070194839A1 (en) * 2006-02-23 2007-08-23 Anadigics, Inc. Tunable balanced loss compensation in an electronic filter
US7668522B2 (en) 2006-06-29 2010-02-23 Itt Manufacturing Enterprises, Inc. Ultra wide band, differential input/output, high frequency active combiner in an integrated circuit
KR100766383B1 (ko) * 2006-08-14 2007-10-12 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 장치의 증폭 회로
US20080169845A1 (en) * 2007-01-12 2008-07-17 Weize Xu Sensors using a passive s/h and dda
JP2016213727A (ja) * 2015-05-12 2016-12-15 株式会社東芝 増幅回路、ad変換器、集積回路、及び無線通信装置
US10277180B2 (en) * 2016-01-15 2019-04-30 Honeywell International Inc. Dual port transimpedance amplifier with separate feedback
US10840865B1 (en) 2019-07-16 2020-11-17 Analog Devices International Unlimited Company Differential reference buffer for analog-to-digital converters

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3601890B2 (ja) * 1995-10-30 2004-12-15 株式会社東芝 オフセット除去回路
ATE218767T1 (de) * 1996-09-13 2002-06-15 Cit Alcatel Rauscharmer verstärker
JPH10150333A (ja) 1996-11-18 1998-06-02 Toshiba Corp 電圧変換回路及び差動差分増幅器
JPH118546A (ja) 1997-04-24 1999-01-12 Hitachi Ltd Cmos回路
JP3727777B2 (ja) * 1997-04-28 2005-12-14 株式会社東芝 平衡型増幅器
US5990737A (en) 1997-04-28 1999-11-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Balanced amplifier using single-ended output operational amplifiers

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020068968A (ko) * 2002-05-13 2002-08-28 주식회사 엠씨링크 완전차동 오차증폭기를 이용한 에프엠 스테레오 신호 생성기 설계방법
JP2009531013A (ja) * 2006-03-23 2009-08-27 エヌエックスピー ビー ヴィ 並列結合された差動入力対を有する変換器
JP4822145B2 (ja) * 2006-03-23 2011-11-24 エスティー‐エリクソン、ソシエテ、アノニム レギュレータ及び装置
JP2008300963A (ja) * 2007-05-29 2008-12-11 Mitsubishi Electric Corp マイクロ波移相回路、イメージリジェクションミクサおよび直交変調器
JP2013223110A (ja) * 2012-04-17 2013-10-28 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 差動トランスインピーダンス増幅器
US9923522B2 (en) 2014-07-08 2018-03-20 Mitsubishi Electric Corporation Operational amplifier circuit and bias current supply method

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