JP2001085577A

JP2001085577A - 半導体装置および半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JP2001085577A
Application number: JP25748899A
Authority: JP
Inventors: Takanori Hashizume; 孝則橋爪
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1999-09-10
Filing date: 1999-09-10
Publication date: 2001-03-30

Abstract

(57)【要約】【課題】高発熱（高速動作）の半導体装置のチップ・
サイズ・パッケージの小型薄形化、低コスト化を実現す
る。【解決手段】半導体素子１２を搭載したＴＡＢテープ
１１、スティフナ１５およびヒートシンク１６からなる
チップ・サイズ・パッケージを封止形態として持つ半導
体装置において、ヒートシンク１６に、スリット１６ｂ
を形成し、組み立て時に、ヒートシンク１６の中央部の
対素子密着領域１６ｃが半導体素子１２に接近する方向
に柔軟に変形することで、特別な液状接着材等を用いる
ことなく、周辺部と共通のシート状接着材１６ａのみを
介して半導体素子１２の背面に確実に密着する構成とし
た。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置および
半導体装置の製造技術に関し、特に、低熱抵抗の小型パ
ッケージ等の封止形態を備えた半導体装置等に適用して
有効な技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】たとえば、携帯型の情報処理機器は小型
化、高速化が加速しており、半導体パッケージにも小型
化、低熱抵抗化が求められている。これに呼応して、携
帯機器用の半導体装置では、低熱抵抗のＴ−ＢＧＡ（テ
ープ−ボール・グリッド・アレイ）タイプのパッケージ
の開発が行われている。

【０００３】この低熱抵抗のＴ−ＢＧＡタイプのパッケ
ージとしては、第１の参考技術として、図１３のような
ヒートシンクを貼り付ける際のチップ高さのばらつき、
傾き等によるギャップを吸収するために、図１１（ａ）
および（ｂ）に示されるように、チップとヒートシンク
との間にシリコーン系の液状接着材を充填することが考
えられる。また、この場合、図１２（ｂ）に示されるよ
うに、リフロー時のエア抜き等のためにヒートシンクに
ベントホールを形成することが考えられる。

【０００４】また他の第２の参考技術として、図１１
（ｃ）に示すように、キャップ状のヒートシンクとチッ
プの貼り付けには特に専用の接着材を用いず、ヒートシ
ンクをテープに貼り付ける際に必須となるシート状接着
材で貼り付けを行ない、低コスト化を図ることが考えら
れる。チップ高さのばらつき、傾き等によるギャップの
吸収のためにはチップ周辺のポリイミドテープの柔軟性
を利用している。この場合、図１２（ａ）に示すよう
に、リフロー時のエア抜き等のためにヒートシンクにベ
ントホールを形成することが考えられる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところが、上述の第１
の参考技術のパッケージでは、液状接着材が必要な分だ
け高コストとなり、シリコーンによる製品汚染、特に半
田ボール搭載前のテープ汚染によるボール搭載不良、ボ
ール接続強度不足等の製品不良、が懸念される。

【０００６】また、上述の第２の参考技術の場合、シー
ト状接着材は５０〜１００μｍ程度と薄く、チップ高
さ、傾きを吸収しつつチップとヒートシンクを貼り合わ
せるには役不足であるためチップ周辺のポリイミドテー
プの柔軟性を利用している。そのためチップ周辺には、
ポリイミドテープの柔軟性を確保するために、ある程度
の余白エリアが必要であり、パッケージに搭載できる最
大チップサイズが制限される、という技術的課題を生じ
る。

【０００７】本発明の目的は、液状接着材の使用による
製品汚染や製品不良を回避しつつ、封止構造の熱抵抗を
低減することが可能な技術を提供することにある。

【０００８】本発明の他の目的は、液状接着材の不使用
による製造原価の低減と、封止構造の熱抵抗の低減を両
立させることが可能な技術を提供することにある。

【０００９】本発明の他の目的は、封止可能な最大チッ
プサイズの制限を緩和しつつ、封止構造の熱抵抗を低減
することが可能な技術を提供することにある。

【００１０】本発明の他の目的は、低コストで大型のチ
ップが搭載可能な低熱抵抗パッケージを実現する技術を
提供することにある。

【００１１】本発明の他の目的は、高発熱（高速動作）
製品の小型薄形化を実現する技術を提供することにあ
る。

【００１２】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００１４】本発明は、半導体素子の一主面に接着材を
介して放熱部材を接続してなる半導体装置において、放
熱部材にスリットを形成したものである。

【００１５】また、本発明は、半導体素子の一主面に接
着材を介して放熱部材を接続してなる半導体装置の製造
方法において、放熱部材にスリットを形成して柔軟性を
持たせ、半導体素子に接する接続部分を選択的に変形さ
せることで半導体素子と放熱部材とを接続するものであ
る。

【００１６】より具体的には、一例として、ヒートシン
クにコの字形、ニの字形、Ｈ字形等の任意形状のスリッ
トを設け、ヒートシンクにおいてチップと貼り合わせる
部分に柔軟性を持たせる。これにより、チップにヒート
シンクを接続する組み立て工程において、シリコーン系
液状接着材等を充填することなくチップとヒートシンク
の間のギャップを吸収することができ、低コストで大型
のチップが搭載可能な低熱抵抗パッケージが実現でき
る。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照しながら詳細に説明する。

【００１８】図１（ａ）および（ｂ）は、本発明の第１
の実施の形態である半導体装置の製造方法を実施する半
導体装置の斜視図および分解組み立て斜視図である。

【００１９】本実施の形態では、半導体装置の封止形態
として、チップ・サイズ・パッケージを採用した場合を
例に採って説明する。

【００２０】本実施の形態の半導体装置１０は、額縁形
状のＴＡＢテープ１１と、このＴＡＢテープ１１の中央
部に後述のインナリードボンディング（ＩＬＢ）にて搭
載された半導体素子１２と、この半導体素子１２のＩＬ
Ｂ部分を封止する封止樹脂１３と、半導体素子１２を取
り囲むようにＴＡＢテープ１１上にシート状接着材１４
を介して接着された額縁形状のスティフナ１５と、この
スティフナ１５に外周部がシート状接着材１６ａを介し
て接着され、中央部が半導体素子１２のＩＬＢ部分と反
対側の背面に、同じくシート状接着材１６ａを介して接
着されるヒートシンク１６と、ＴＡＢテープ１１の下面
に配置され、各々が半導体素子１２の図示しない外部接
続電極に個別に接続される複数の半田ボール１７、等で
構成されている。

【００２１】この場合、ヒートシンク１６には、接続対
象の半導体素子１２を取り囲む領域、すなわち、中央部
の半導体素子１２に対する対素子密着領域１６ｃには略
“コ”の字形のスリット１６ｂが形成されており、当該
対素子密着領域１６ｃの柔軟な変形を可能にしている。
ヒートシンク１６の外形が２１ｍｍ×２１ｍｍの場合、
このスリット１６ｂの寸法は、一例として、幅が１．０
ｍｍ、３辺の各々の長さが、１５ｍｍ、程度である。こ
のスリット１６ｂは、ヒートシンク１６のプレス打ち抜
き加工等において同時に形成することができる。

【００２２】ヒートシンク１６は、一例として、たとえ
ば厚さが０．１５ｍｍの銅合金等で構成され、図１
（ｂ）に例示されるように、組み立て前の製造段階に
て、その一主面のスリット１６ｂを除く全面にシート状
接着材１６ａが貼付されている。シート状接着材１６ａ
の厚さは、たとえば０．１ｍｍである。また、製造工程
から組み立て工程までの間にシート状接着材１６ａの接
着面を保護するため、必要に応じて、図示しない保護フ
ィルムを全面に貼付することができる。

【００２３】このように、本実施の形態の場合には、ヒ
ートシンク１６にスリット１６ｂが形成されて柔軟性が
大きくなっているので、後述のように、組み立て工程に
おいて、ヒートシンク１６をスティフナ１５および半導
体素子１２にシート状接着材１６ａを介して接着する際
に、半導体素子１２とヒートシンク１６の対素子密着領
域１６ｃの間にギャップが存在しても、対素子密着領域
１６ｃがスリット１６ｂの形成領域を境界として容易に
半導体素子１２の接近する方向に（沈み込むように）柔
軟に変形することで当該ギャップを吸収して、ヒートシ
ンク１６の対素子密着領域１６ｃを、確実に半導体素子
１２の背面にシート状接着材１６ａを介して密着させる
ことが可能となる。これにより、半導体素子１２から発
生する熱をヒートシンク１６等を経由して効率良く外部
に放散させることができ、いわゆる低熱抵抗のチップ・
サイズ・パッケージ等の封止構造を実現できる。

【００２４】図１０に、伝熱抵抗の測定結果を、本実施
の形態と比較例とを対照して例示する。比較例１はヒー
トシンク無しの場合であり、比較例２は、図１１（ａ）
および（ｂ）の第１の参考技術の構成において、図１２
（ｂ）のようにベントホールを形成した場合を示してい
る。

【００２５】本実施の形態の場合には、ヒートシンク無
しの比較例１に対して、比較例２と同等の優れた低熱抵
抗を実現できることが判る。すなわち、種々の技術的課
題をもたらす液状接着材を半導体素子とヒートシンクと
の間のギャップ解消に用いる比較例２に対して、この液
状接着材を用いることなく、スリット１６ｂを備えるこ
とでヒートシンク１６の容易変形を実現し、当該ギャッ
プ解消を実現する本実施の形態の構成は、より優れてい
ることが判る。

【００２６】すなわち、本実施の形態の半導体装置によ
れば、たとえば、マイコン、ＡＳＩＣ用の小型パッケー
ジであるＴ−ＴＦＢＧＡ（Ｔａｐｅｔｙｐｅ−Ｔｈｉ
ｎＦｉｎｅｐｉｃｈＢＧＡ）の熱抵抗を５０〜８０
℃／Ｗ程度（チップサイズ、実装基板等に依存する）か
ら２５〜４０℃／Ｗ程度に下げることができる。

【００２７】すなわち、上述の図１１（ａ）等に示した
第１の参考技術のように、チップとヒートシンクのギャ
ップを埋めるために当該ギャップに液状接着材を用いる
等の対策は、本実施の形態の半導体装置では全く不要で
あり、ヒートシンク１６の全面に予め貼付されているシ
ート状接着材１６ａにて、スティフナ１５とヒートシン
ク１６との接着、およびヒートシンク１６（対素子密着
領域１６ｃ）と半導体素子１２との接着を行うことが可
能となる。

【００２８】従って、第１の参考技術のように、液状接
着材が必要な分だけ高コストとなったり、シリコーンに
よる製品汚染（特に半田ボール搭載前のＴＡＢテープ１
１の汚染によるボール搭載不良、半田ボールの接続強度
不足が問題となる）等の技術的課題を解消できる。

【００２９】すなわち、低コストにて、液状接着材の使
用による製品汚染や製品不良を回避しつつ、チップ・サ
イズ・パッケージ等の封止構造の熱抵抗を低減すること
ができる。また、液状接着材の不使用による半導体装置
の製造原価の低減と、チップ・サイズ・パッケージ等の
封止構造の熱抵抗の低減を両立させることができる。

【００３０】図２（ａ）および（ｂ）は、本発明の第２
の実施の形態である半導体装置の製造方法を実施する半
導体装置の斜視図および分解組み立て斜視図である。

【００３１】本実施の形態では、半導体装置の封止形態
として、スティフナを兼ねる略キャップ状のヒートシン
クを用いたチップ・サイズ・パッケージの場合を例に採
って説明する。

【００３２】本実施の形態の半導体装置２０は、額縁形
状のＴＡＢテープ２１と、このＴＡＢテープ２１の中央
の開口部２１ａに突設された複数のインナリード２１ｂ
の上に後述のインナリードボンディング（ＩＬＢ）にて
搭載された半導体素子２２と、この半導体素子２２のＩ
ＬＢ部分を封止する封止樹脂２３と、半導体素子２２を
取り囲むようにＴＡＢテープ２１上にシート状接着材２
４ａを介して周辺部が接着され、中央の収納凹部２４ｂ
の天井部分が半導体素子２２のＩＬＢ部分と反対側の背
面に、同じくシート状接着材２４ａを介して接着される
ヒートシンク２４と、ＴＡＢテープ２１の下面に配置さ
れ、各々が半導体素子２２の図示しない外部接続電極に
個別に接続される複数の半田ボール２５、等で構成され
ている。

【００３３】この第２の実施の形態の場合、ヒートシン
ク２４には、中央の収納凹部２４ｂを取り囲む領域には
略“コ”の字形のスリット２４ｃが形成されており、収
納凹部２４ｂの天井部分の柔軟な変形を可能にしてい
る。ヒートシンク２４の外形が２１ｍｍ×２１ｍｍの場
合、このスリット２４ｃの寸法は、一例として、幅が
１．０ｍｍ、３辺の各々の長さが、１５ｍｍ、程度であ
る。このスリット２４ｃは、ヒートシンク２４のプレス
加工等において同時に形成することができる。

【００３４】ヒートシンク２４は、一例として、たとえ
ば厚さが０．１５ｍｍの銅合金等で構成され、図２
（ｂ）に例示されるように、組み立て前の製造段階に
て、その一主面のスリット２４ｃを除く全面にシート状
接着材２４ａが貼付されている。シート状接着材２４ａ
の厚さは、たとえば０．１ｍｍである。また、製造工程
から組み立て工程までの間にシート状接着材２４ａの接
着面を保護するため、必要に応じて、図示しない保護フ
ィルムを全面に貼付することができる。

【００３５】このように、本実施の形態の場合には、ヒ
ートシンク２４にスリット２４ｃが形成されて柔軟性が
大きくなっているので、後述のように、組み立て工程に
おいて、ヒートシンク２４をＴＡＢテープ２１および半
導体素子２２にシート状接着材２４ａを介して接着する
際に、半導体素子２２とヒートシンク２４の収納凹部２
４ｂの天井部分との間にギャップが存在しても、当該天
井部分がスリット２４ｃの形成領域を境界として容易に
半導体素子２２に接近する方向に（沈み込むように）柔
軟に変形することで当該ギャップを吸収して、ヒートシ
ンク２４の収納凹部２４ｂの天井部分を、確実に半導体
素子２２の背面にシート状接着材２４ａを介して密着さ
せることが可能となる。これにより、半導体素子２２か
ら発生する熱をヒートシンク２４等を経由して効率良く
外部に放散させることができ、いわゆる低熱抵抗のチッ
プ・サイズ・パッケージ等の封止構造を実現できる。

【００３６】すなわち、この第２の実施の形態の半導体
装置の場合、上述の第１の実施の形態と同様の効果が得
られるとともに、さらに、図１１（ｃ）に示した第２の
参考技術の構造のように、半導体素子２２の周辺部（余
白部）のＴＡＢテープ２１の柔軟変形を必要とすること
なく、ヒートシンク２４の側の収納凹部２４ｂの天井部
分がスリット２４ｃの形成領域を境界として容易に半導
体素子２２に接近する方向に（沈み込むように）柔軟に
変形することで、ヒートシンク２４の収納凹部２４ｂの
天井部分と半導体素子２２との間のギャップを吸収して
両者を密着させることが可能となる。

【００３７】換言すれば、第２の参考技術のようにＴＡ
Ｂテープ２１の柔軟変形を確保する目的で、半導体素子
２２の周辺部（余白部）を必要以上に大きく確保する必
要がなくなり、当該余白部分を半導体素子２２の収納に
有効に利用でき、外形寸法が同一のチップ・サイズ・パ
ッケージ内に、よりサイズの大きな半導体素子２２を収
容することが可能になる。

【００３８】次に、上述の図１に例示した構成の半導体
装置１０の製造方法の一例を、図３および図４のフロー
チャートを用いて説明する。

【００３９】まず、ＴＡＢテープ１１にスティフナ１５
を貼り付ける（ステップ１０１）。その後、ＴＡＢテー
プ１１の中央の開口部１１ａに突出した複数の配線パタ
ーンの内端部（インナリード１１ｂ）の各々を、半導体
素子１２上に設けられた図示しない複数のボンディング
パッドの各々に一括して電気的および機械的に接続する
ＩＬＢを行う（ステップ１０２）。次に、ポッティング
等の方法で、封止樹脂１３により、半導体素子１２のヒ
ートシンク１６に対する接着面以外の領域を封止する
（ステップ１０３）。

【００４０】次に、スリット１６ｂが形成されたヒート
シンク１６の貼り付けを行う（ステップ１０４）。

【００４１】すなわち、このステップ１０４の工程で
は、図４に例示されるように、上下方向に対向し、対向
面の半導体素子１２およびヒートシンク１６の対素子密
着領域１６ｃに望む部位に弾性パッド３１ａおよび弾性
パッド３２ａが突設された凹型断面の一対の貼付ツール
３１および貼付ツール３２の間に、半導体素子１２およ
びスティフナ１５を搭載したＴＡＢテープ１１と、ヒー
トシンク１６とを所定の位置関係で重ね合わせて（ステ
ップ１０４ａ）挟み込み（ステップ１０４ｂ）、上下方
向から挟圧する（ステップ１０４ｃ）。

【００４２】この時、ヒートシンク１６は、周辺部がス
ティフナ１５に押圧され、シート状接着材１６ａを介し
て当該スティフナ１５に接着されるとともに、スリット
１６ｂの内側の対素子密着領域１６ｃは、スリット１６
ｂの部分を境に、周辺部と独立に沈み込むように変形
し、シート状接着材１６ａを介して半導体素子１２の背
面側に接着される。

【００４３】すなわち、シート状接着材１６ａとは別の
液状接着材等を必要とすることなく、ヒートシンク１６
の変形により、当該ヒートシンク１６の対素子密着領域
１６ｃと半導体素子１２の背面とを確実に接続して、両
者間の伝熱抵抗を低くすることが可能になる。

【００４４】この後、一対の貼付ツール３１および貼付
ツール３２を離間させて図１（ａ）のような構成に組み
立てられた半導体装置１０を取り出した後（ステップ１
０４ｄ）、ＴＡＢテープ１１における配線パターンの図
示しない外端部側に、半田ボール搭載、リフロー、フラ
ックス洗浄等の工程にて個別に半田ボール１７を接続す
る（ステップ１０５）。

【００４５】その後、ヒートシンク１６の外面側に、製
品名等のマーキングを行った後（ステップ１０６）、Ｔ
ＡＢテープ１１の図示しないスプロケットホール部分等
のはみ出し部分を切除して所定の幅寸法に整形する外形
切断を行う（ステップ１０７）。

【００４６】このように、本実施の形態の半導体装置の
製造方法によれば、スリット１６ｂが形成されたヒート
シンク１６を、当該ヒートシンク１６の貼り付け工程に
おいて、スリット１６ｂの内側の中央部分の対素子密着
領域１６ｃを選択的に半導体素子１２に接近する方向に
沈み込むように変形させることで、余分な液状接着材等
を必要することなく、ヒートシンク１６を半導体素子１
２に確実に接続して両者間の伝熱抵抗を低くすることが
可能となる。

【００４７】同様に、上述の図２に例示した構成の半導
体装置２０の製造方法の一例を、図５および図６のフロ
ーチャートを用いて説明する。

【００４８】なお、この図５および図６において、前述
の図３および図４と異なる点は、スティフナおよびヒー
トシンクの組み立ての代わりに、両者を兼ねるととも
に、収納凹部２４ｂおよびスリット２４ｃが形成された
キャップ状のヒートシンク２４を用いることにある。

【００４９】従って、図５および図６の工程では、ステ
ィフナの貼り付け工程が省略される点を除いて、既述の
図３および図４とほぼ同様の組み立て工程となるため、
共通の部分には同一の符号を付して説明を割愛する。

【００５０】この図５および図６の工程では、特に、ス
テップ１０４のヒートシンク貼り付け工程において、ヒ
ートシンク２４の中央部の収納凹部２４ｂと半導体素子
２２とが、弾性パッド３１ａおよび弾性パッド３２ａが
突設された凹型断面の一対の貼付ツール３１および貼付
ツール３２の間で挟圧されることにより、収納凹部２４
ｂが半導体素子２２に接近する方向に沈み込むように変
形することで、当該収納凹部２４ｂの天井部分と半導体
素子２２との間にギャップがある場合でも、確実に、両
者を密着させることが可能となる。

【００５１】すなわち、第２の参考技術のようにＴＡＢ
テープ２１の側の変形量を大きくする等の目的で、ＴＡ
Ｂテープ２１における半導体素子２２の周辺部の余白領
域を必要以上に大きくすることなく、確実に、半導体素
子２２とヒートシンク２４との接着が達成され、両者間
での伝熱抵抗を小さくすることが可能となる。

【００５２】ヒートシンク１６やヒートシンク２４に形
成されるスリットの形状としては、上述の図１および図
２等に例示した“コ”字形の形状に限らず、たとえば、
図７のような“Ｈ”字形のスリット１６ｄ（スリット２
４ｄ）、図８のような“ニ”字形のスリット１６ｅ（ス
リット２４ｅ）、図９のような二つの“コ”字形を対向
させた形状のスリット１６ｆ（スリット２４ｆ）等、ヒ
ートシンク１６（ヒートシンク２４）に柔軟性を付与で
きる任意の形状のスリットを採用できる。

【００５３】以上本発明者によってなされた発明を実施
の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施
の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しな
い範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

【００５４】たとえば、半導体装置の構成としては、上
述の図１および図２に例示した構成に限らず、ヒートシ
ンクを備えたチップ・サイズ・パッケージに広く適用す
ることができる。

【００５５】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００５６】本発明の半導体装置によれば、液状接着材
の使用による製品汚染や製品不良を回避しつつ、封止構
造の熱抵抗を低減することができる、という効果が得ら
れる。

【００５７】本発明の半導体装置によれば、液状接着材
の不使用による製造原価の低減と、封止構造の熱抵抗の
低減を両立させることができる、という効果が得られ
る。

【００５８】本発明の半導体装置によれば、封止可能な
最大チップサイズの制限を緩和しつつ、封止構造の熱抵
抗を低減することができる、という効果が得られる。

【００５９】本発明の半導体装置によれば、低コストで
大型のチップが搭載可能な低熱抵抗パッケージを実現す
ることができる、という効果が得られる。

【００６０】本発明の半導体装置によれば、高発熱（高
速動作）製品の小型薄形化を実現することができる、と
いう効果が得られる。

【００６１】また、本発明の半導体装置の製造方法によ
れば、液状接着材の使用による製品汚染や製品不良を回
避しつつ、封止構造の熱抵抗を低減することができる、
という効果が得られる。

【００６２】本発明の半導体装置の製造方法によれば、
液状接着材の不使用による製造原価の低減と、封止構造
の熱抵抗の低減を両立させることができる、という効果
が得られる。

【００６３】本発明の半導体装置の製造方法によれば、
封止可能な最大チップサイズの制限を緩和しつつ、封止
構造の熱抵抗を低減することができる、という効果が得
られる。

【００６４】本発明の半導体装置の製造方法によれば、
低コストで大型のチップが搭載可能な低熱抵抗パッケー
ジを実現することができる、という効果が得られる。

【００６５】本発明の半導体装置の製造方法によれば、
高発熱（高速動作）製品の小型薄形化を実現することが
できる、という効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）および（ｂ）は、本発明の第１の実施の
形態である半導体装置の製造方法を実施する半導体装置
の斜視図および分解組み立て斜視図である。

【図２】（ａ）および（ｂ）は、本発明の第２の実施の
形態である半導体装置の製造方法を実施する半導体装置
の斜視図および分解組み立て斜視図である。

【図３】本発明の第１の実施の形態である半導体装置の
製造方法の一例を示すフローチャートである。

【図４】本発明の第１の実施の形態である半導体装置の
製造方法の一例を工程順に示す断面図である。

【図５】本発明の第２の実施の形態である半導体装置の
製造方法の一例を示すフローチャートである。

【図６】本発明の第２の実施の形態である半導体装置の
製造方法の一例を工程順に示す断面図である。

【図７】本発明の半導体装置を構成するヒートシンクの
変形例を示す斜視図である。

【図８】本発明の半導体装置を構成するヒートシンクの
変形例を示す斜視図である。

【図９】本発明の半導体装置を構成するヒートシンクの
変形例を示す斜視図である。

【図１０】本発明の半導体装置の封止構造における熱抵
抗測定値を比較例と比較対照して例示した説明図であ
る。

【図１１】（ａ）および（ｂ）は、本発明の第１の参考
技術であるチップ・サイズ・パッケージの構成を示す断
面図であり、（ｃ）は、本発明の第２の参考技術である
チップ・サイズ・パッケージの構成を示す断面図であ
る。

【図１２】（ａ）および（ｂ）は、それぞれ本発明の第
２および第１の参考技術であるチップ・サイズ・パッケ
ージの構成を示す説明図である。

【図１３】本発明にて解決される、参考技術の技術的課
題を説明する断面図である。

【符号の説明】

１０半導体装置１１ＴＡＢテープ１１ａ開口部１１ｂインナリード１２半導体素子１３封止樹脂１４シート状接着材１５スティフナ１６ヒートシンク１６ａシート状接着材１６ｂスリット１６ｃ対素子密着領域１６ｄスリット１６ｅスリット１６ｆスリット１７半田ボール２０半導体装置２１ＴＡＢテープ２１ａ開口部２１ｂインナリード２２半導体素子２３封止樹脂２４ヒートシンク２４ａシート状接着材２４ｂ収納凹部２４ｃスリット２４ｄスリット２４ｅスリット２４ｆスリット２５半田ボール３１貼付ツール３１ａ弾性パッド３２貼付ツール３２ａ弾性パッド

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体素子の一主面に接着材を介して放
熱部材を接続してなる半導体装置であって、前記放熱部
材にスリットを形成してなることを特徴とする半導体装
置。
【請求項２】請求項１記載の半導体装置において、前
記放熱部材の前記半導体素子に対する接続領域が前記ス
リットを境界として選択的に変形してなることを特徴と
する半導体装置。
【請求項３】請求項１または２記載の半導体装置にお
いて、前記半導体素子に電気的に接続される配線パター
ンを備えたＴＡＢテープと、前記半導体素子を取り囲む
ように前記ＴＡＢテープに固定された額縁状の補強部材
と、前記補強部材に周辺部が接続され、中央部が前記ス
リットを境界として選択的に変形して前記半導体素子に
接続された第１の前記放熱部材からなるチップ・サイズ
・パッケージを第１の封止構造として備えたことを特徴
とする半導体装置。
【請求項４】請求項１または２記載の半導体装置にお
いて、前記半導体素子に電気的に接続される配線パター
ンを備えたＴＡＢテープと、断面が凹形状を呈し前記半
導体素子を取り囲むように周辺部が前記ＴＡＢテープに
固定され、中央部が前記スリットを境界として選択的に
変形して前記半導体素子に接続された第２の前記放熱部
材からなるチップ・サイズ・パッケージを第２の封止構
造として備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】請求項１，２，３または４記載の半導体
装置において、前記放熱部材は、共通のシート状接着材
を介して、前記半導体素子および前記半導体素子以外の
部分に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】半導体素子の一主面に接着材を介して放
熱部材を接続してなる半導体装置の製造方法であって、
前記放熱部材にスリットを形成して柔軟性を持たせ、前
記半導体素子に接する接続部分を選択的に変形させるこ
とで前記半導体素子と前記放熱部材とを接続することを
特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】請求項６記載の半導体装置の製造方法に
おいて、配線パターンを備えたＴＡＢテープに額縁状の補強部材
を貼り付ける工程と、前記配線パターンの一部に前記半導体素子を電気的に接
続する工程と、前記半導体素子を封止する工程と、一主面にシート状接着材が貼付され、前記スリットが形
成されることによって柔軟性を付与した前記放熱部材を
前記半導体素子および前記補強部材に貼り付ける工程
と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】請求項６記載の半導体装置の製造方法に
おいて、ＴＡＢテープに形成された配線パターンの一部に前記半
導体素子を電気的に接続する工程と、前記半導体素子を封止する工程と、断面が凹形状を呈するとともに一主面にシート状接着材
が貼付され、前記スリットが形成されることによって柔
軟性を付与されるとともに補強部材を兼ねる構成の前記
放熱部材を前記半導体素子および前記ＴＡＢテープに貼
り付ける工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】請求項６，７または８記載の半導体装置
の製造方法において、前記ＴＡＢテープの前記配線パタ
ーンに実装用の半田ボールを配置する工程を含むことを
特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】請求項６，７または８記載の半導体装
置の製造方法において、前記放熱部材は、共通のシート
状接着材を介して、前記半導体素子および前記半導体素
子以外の部分に接続されることを特徴とする半導体装置
の製造方法。