JP2001085573A - 導体パタ−ンの形成方法及び電子部品 - Google Patents
導体パタ−ンの形成方法及び電子部品Info
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- JP2001085573A JP2001085573A JP25827699A JP25827699A JP2001085573A JP 2001085573 A JP2001085573 A JP 2001085573A JP 25827699 A JP25827699 A JP 25827699A JP 25827699 A JP25827699 A JP 25827699A JP 2001085573 A JP2001085573 A JP 2001085573A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 導体パタ−ンのライン／スペ−スが小さくな
ってもライン間に絶縁不良を発生することがなく、また
セラミック基板の表面にたとえ欠陥（窪み）が存在して
いたとしても、導体パタ−ンに欠陥を生じさせない導体
パタ−ンの形成方法を提供すること。 【解決手段】 セラミック基板１上にセミアディティブ
法により、微細な導体パタ−ン５を形成する導体パタ−
ンの形成方法において、セラミック基板１上であって導
体パタ−ン５の下層にガラスセラミック層４を形成す
る。
ってもライン間に絶縁不良を発生することがなく、また
セラミック基板の表面にたとえ欠陥（窪み）が存在して
いたとしても、導体パタ−ンに欠陥を生じさせない導体
パタ−ンの形成方法を提供すること。 【解決手段】 セラミック基板１上にセミアディティブ
法により、微細な導体パタ−ン５を形成する導体パタ−
ンの形成方法において、セラミック基板１上であって導
体パタ−ン５の下層にガラスセラミック層４を形成す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は導体パタ−ンの形成
方法及び電子部品に関し、より詳細にはセラミック基板
上にセミアディティブ法により、微細な導体パタ−ンを
形成する導体パタ−ンの形成方法、及びセラミック基板
上に微細な導体パタ−ンが形成された電子部品に関す
る。
方法及び電子部品に関し、より詳細にはセラミック基板
上にセミアディティブ法により、微細な導体パタ−ンを
形成する導体パタ−ンの形成方法、及びセラミック基板
上に微細な導体パタ−ンが形成された電子部品に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】今日、ＬＳＩチップ等のチップ部品は、
該チップ部品を外部環境から保護し、かつ配線基板への
実装を容易にする等の目的のため、種々の材料を用いて
構成されたパッケージに収納される。
該チップ部品を外部環境から保護し、かつ配線基板への
実装を容易にする等の目的のため、種々の材料を用いて
構成されたパッケージに収納される。
【０００３】このパッケージには、ＬＳＩチップ上に形
成されたパッドと配線基板に形成された端子とを接続す
るために多数の配線が形成されている。近年、ＬＳＩの
高集積化に伴い、パッケージにおいて必要とされる外部
接続端子の数も急激に増加してきており、それに伴い５
００個以上の外部接続端子が形成されたパッケージも現
われてきている。
成されたパッドと配線基板に形成された端子とを接続す
るために多数の配線が形成されている。近年、ＬＳＩの
高集積化に伴い、パッケージにおいて必要とされる外部
接続端子の数も急激に増加してきており、それに伴い５
００個以上の外部接続端子が形成されたパッケージも現
われてきている。
【０００４】また、電子機器は小型化の傾向にあり、配
線基板も小型のものが求められているため、配線基板に
形成する配線の高密度化も進んできており、これに対処
するため配線の幅は次第に狭くなってきている。また、
セラミック製の配線基板は耐熱性、耐久性、信頼性等に
優れるという特徴を有しており、セラミック配線基板、
特に比較的安価なアルミナ製のセラミック配線基板は現
在盛んに使用されている。
線基板も小型のものが求められているため、配線基板に
形成する配線の高密度化も進んできており、これに対処
するため配線の幅は次第に狭くなってきている。また、
セラミック製の配線基板は耐熱性、耐久性、信頼性等に
優れるという特徴を有しており、セラミック配線基板、
特に比較的安価なアルミナ製のセラミック配線基板は現
在盛んに使用されている。
【０００５】図３はセラミック配線基板を製造する際、
セラミック基板上にセミアディティブ法により、微細な
銅の導体パタ−ンを形成する場合の概略工程を示したフ
ロ−チャ−トである。セラミック基板への無電解銅めっ
きの付着力をアンカ−効果により高めるために、まず、
第１工程では、セラミック基板表面にフッ化水素アンモ
ニウムを用いた粗化処理を施す。次にセラミック基板表
面の全面に無電解銅めっき処理を施し、さらにこの処理
により形成された無電解銅めっき層の上からフォトレジ
ストを塗布し、次いでフォトレジストのネガパタ−ンを
形成すべく露光・現像処理を施す。次に露光・現像処理
により形成されたフォトレジストのネガパタ−ンをめっ
きマスクとして電解銅めっき処理を施し、フォトレジス
トで覆われていない前記無電解銅めっき層上に電解銅め
っき層を形成する。次いで前記フォトレジストを除去し
た後、前記電解銅めっき層で覆われていない部分に形成
されている前記無電解銅めっき層を除去するために過硫
酸ソ−ダ系エッチング液を用いたソフトエッチング処理
を施す。以上の工程によりセミアディティブ法による微
細な導体パタ−ンがセラミック基板上に形成される。
セラミック基板上にセミアディティブ法により、微細な
銅の導体パタ−ンを形成する場合の概略工程を示したフ
ロ−チャ−トである。セラミック基板への無電解銅めっ
きの付着力をアンカ−効果により高めるために、まず、
第１工程では、セラミック基板表面にフッ化水素アンモ
ニウムを用いた粗化処理を施す。次にセラミック基板表
面の全面に無電解銅めっき処理を施し、さらにこの処理
により形成された無電解銅めっき層の上からフォトレジ
ストを塗布し、次いでフォトレジストのネガパタ−ンを
形成すべく露光・現像処理を施す。次に露光・現像処理
により形成されたフォトレジストのネガパタ−ンをめっ
きマスクとして電解銅めっき処理を施し、フォトレジス
トで覆われていない前記無電解銅めっき層上に電解銅め
っき層を形成する。次いで前記フォトレジストを除去し
た後、前記電解銅めっき層で覆われていない部分に形成
されている前記無電解銅めっき層を除去するために過硫
酸ソ−ダ系エッチング液を用いたソフトエッチング処理
を施す。以上の工程によりセミアディティブ法による微
細な導体パタ−ンがセラミック基板上に形成される。
【０００６】上記工程によりセラミック基板上に銅の導
体パタ−ンが形成された状態を図４に示す。セラミック
基板１１の表面には粗化領域１１ａが形成され、この粗
化領域１１ａを介して、無電解銅めっき層１３ａと電解
銅めっき層１３ｂとからなる導体パタ−ン１３が形成さ
れている。
体パタ−ンが形成された状態を図４に示す。セラミック
基板１１の表面には粗化領域１１ａが形成され、この粗
化領域１１ａを介して、無電解銅めっき層１３ａと電解
銅めっき層１３ｂとからなる導体パタ−ン１３が形成さ
れている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記したセミアディテ
ィブ法により、セラミック基板１１上に微細な導体パタ
−ン１３を形成する場合、セラミック基板１１への無電
解銅めっきの付着力をアンカ−効果により高めるため
に、セラミック基板１１表面には粗化処理を施して粗化
領域１１ａを形成しており、この粗化領域１１ａには無
電解銅めっき処理の際、無電解銅めっきが入り込んでお
り、後の無電解銅めっき除去のためのソフトエッチング
処理によっても前記無電解銅めっきを導体パタ−ン１３
の形成部分以外において完全に除去するといったことは
かなり困難であった。このため、特に導体パタ−ン１３
が微細化され、ライン／スペ−スが小さくなるほど、導
体パタ−ン１３のライン間に絶縁不良が発生し易くなっ
てきている。
ィブ法により、セラミック基板１１上に微細な導体パタ
−ン１３を形成する場合、セラミック基板１１への無電
解銅めっきの付着力をアンカ−効果により高めるため
に、セラミック基板１１表面には粗化処理を施して粗化
領域１１ａを形成しており、この粗化領域１１ａには無
電解銅めっき処理の際、無電解銅めっきが入り込んでお
り、後の無電解銅めっき除去のためのソフトエッチング
処理によっても前記無電解銅めっきを導体パタ−ン１３
の形成部分以外において完全に除去するといったことは
かなり困難であった。このため、特に導体パタ−ン１３
が微細化され、ライン／スペ−スが小さくなるほど、導
体パタ−ン１３のライン間に絶縁不良が発生し易くなっ
てきている。
【０００８】また、セラミック基板１１の表面には図５
に示したように、欠陥（窪み）１１ｂが存在しているこ
とがあり、この欠陥１１ｂに導体パタ−ン１３がかかる
と図５に示したようにフォトレジスト１４の型崩れを介
して導体パタ−ン１３の一部に欠陥１３ｄが形成されて
しまうことがあり、パタ−ンの欠けや断線等を引き起こ
し、不良品発生の一因になっていた。
に示したように、欠陥（窪み）１１ｂが存在しているこ
とがあり、この欠陥１１ｂに導体パタ−ン１３がかかる
と図５に示したようにフォトレジスト１４の型崩れを介
して導体パタ−ン１３の一部に欠陥１３ｄが形成されて
しまうことがあり、パタ−ンの欠けや断線等を引き起こ
し、不良品発生の一因になっていた。
【０００９】本発明は上記課題に鑑みなされたものであ
って、セラミック基板上に形成される導体パタ−ンのラ
イン／スペ−スが小さくなってもライン間に絶縁不良を
生じることがなく、またセラミック基板の表面に欠陥
（窪み）が存在していたとしても、導体パタ−ンに欠陥
を生じさせない導体パタ−ンの形成方法、及び導体パタ
−ンのライン間に絶縁不良がなく導体パタ−ンに欠陥が
生じていない電子部品を提供することを目的としてい
る。
って、セラミック基板上に形成される導体パタ−ンのラ
イン／スペ−スが小さくなってもライン間に絶縁不良を
生じることがなく、またセラミック基板の表面に欠陥
（窪み）が存在していたとしても、導体パタ−ンに欠陥
を生じさせない導体パタ−ンの形成方法、及び導体パタ
−ンのライン間に絶縁不良がなく導体パタ−ンに欠陥が
生じていない電子部品を提供することを目的としてい
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段及びその効果】上記目的を
達成するために、本発明に係る導体パタ−ンの形成方法
（１）は、セラミック基板上にセミアディティブ法によ
り、微細な導体パタ−ンを形成する導体パタ−ンの形成
方法において、前記セラミック基板上であって前記導体
パタ−ンの下層にガラスセラミック層を形成する工程を
含んでいることを特徴としている。
達成するために、本発明に係る導体パタ−ンの形成方法
（１）は、セラミック基板上にセミアディティブ法によ
り、微細な導体パタ−ンを形成する導体パタ−ンの形成
方法において、前記セラミック基板上であって前記導体
パタ−ンの下層にガラスセラミック層を形成する工程を
含んでいることを特徴としている。
【００１１】上記導体パタ−ンの形成方法（１）によれ
ば、前記セラミック基板上であって前記導体パタ−ンの
下層に前記ガラスセラミック層を形成する工程を含んで
いるので、このガラスセラミック層に粗化処理が施さ
れ、この粗化処理部分に無電解めっき成分が入り込んで
いたとしても、この無電解めっき成分は後のソフトエッ
チング処理工程において、前記ガラスセラミック層の粗
化処理部分から根刮ぎ除去されることとなる。従って、
粗化処理部分に無電解めっき成分が残り、前記導体パタ
−ンのライン間に絶縁不良が生じるといったことは発生
しなくなり、また、前記セラミック基板の表面にたとえ
欠陥（窪み）が存在していたとしても、この欠陥は前記
ガラスセラミック層により埋め込まれ、該ガラスセラミ
ック層表面の平坦性は容易に確保されるため、前記セラ
ミック基板の表面に存在する欠陥（窪み）が前記導体パ
タ−ンの形状に反映されることがなくなり、前記導体パ
タ−ンに前記セラミック基板の表面に存在する欠陥に起
因した欠陥が生じることを阻止することができる。
ば、前記セラミック基板上であって前記導体パタ−ンの
下層に前記ガラスセラミック層を形成する工程を含んで
いるので、このガラスセラミック層に粗化処理が施さ
れ、この粗化処理部分に無電解めっき成分が入り込んで
いたとしても、この無電解めっき成分は後のソフトエッ
チング処理工程において、前記ガラスセラミック層の粗
化処理部分から根刮ぎ除去されることとなる。従って、
粗化処理部分に無電解めっき成分が残り、前記導体パタ
−ンのライン間に絶縁不良が生じるといったことは発生
しなくなり、また、前記セラミック基板の表面にたとえ
欠陥（窪み）が存在していたとしても、この欠陥は前記
ガラスセラミック層により埋め込まれ、該ガラスセラミ
ック層表面の平坦性は容易に確保されるため、前記セラ
ミック基板の表面に存在する欠陥（窪み）が前記導体パ
タ−ンの形状に反映されることがなくなり、前記導体パ
タ−ンに前記セラミック基板の表面に存在する欠陥に起
因した欠陥が生じることを阻止することができる。
【００１２】また、本発明に係る導体パタ−ンの形成方
法（２）は、上記導体パタ−ンの形成方法（１）におい
て、無電解めっき層及び前記ガラスセラミック層の粗化
領域の不要部分を過硫酸ソ−ダ系エッチング液を用いた
ソフトエッチング処理により除去することを特徴として
いる。上記導体パタ−ンの形成方法（２）によれば、前
記無電解めっき層及び前記ガラスセラミック層の粗化領
域の不要部分を過硫酸ソ−ダ系エッチング液を用いてエ
ッチング・除去するので、前記無電解めっき層及び前記
ガラスセラミック層の粗化領域の不要部分を確実に短時
間で除去することができ、導体パタ−ン形成の製造プロ
セスを簡略化することができる。
法（２）は、上記導体パタ−ンの形成方法（１）におい
て、無電解めっき層及び前記ガラスセラミック層の粗化
領域の不要部分を過硫酸ソ−ダ系エッチング液を用いた
ソフトエッチング処理により除去することを特徴として
いる。上記導体パタ−ンの形成方法（２）によれば、前
記無電解めっき層及び前記ガラスセラミック層の粗化領
域の不要部分を過硫酸ソ−ダ系エッチング液を用いてエ
ッチング・除去するので、前記無電解めっき層及び前記
ガラスセラミック層の粗化領域の不要部分を確実に短時
間で除去することができ、導体パタ−ン形成の製造プロ
セスを簡略化することができる。
【００１３】また、本発明に係る電子部品（１）は、セ
ラミック基板上に微細な導体パタ−ンが形成された電子
部品において、前記セラミック基板と前記導体パタ−ン
との間にガラスセラミック層が介装されていることを特
徴としている。上記電子部品（１）によれば、前記セラ
ミック基板と前記導体パタ−ンとの間にガラスセラミッ
ク層が介装されているので、このガラスセラミック層に
めっきの付きをよくするための粗化処理が施され、この
粗化処理部分に前記導体パタ−ンを構成する無電解めっ
き成分が入り込んでいたとしても、この無電解めっき成
分は後の無電解めっきの不要部分を除去するためのソフ
トエッチング処理工程において、前記ガラスセラミック
層の粗化処理部分から根刮ぎ除去されることとなる。従
って、該粗化処理部分に無電解銅めっき成分が残り、前
記導体パタ−ンのライン間に絶縁不良が発生するといっ
た事態は生ぜず、また、前記セラミック基板の表面にた
とえ欠陥（窪み）が存在していたとしても、この欠陥は
前記ガラスセラミック層により埋め込まれ、該ガラスセ
ラミック層表面の平坦性は容易に確保されるため、前記
セラミック基板の表面に存在する欠陥（窪み）が前記導
体パタ−ンに反映されることがなくなり、前記導体パタ
−ンに前記セラミック基板の表面に存在する欠陥に起因
した欠陥が生じることを阻止することができる。
ラミック基板上に微細な導体パタ−ンが形成された電子
部品において、前記セラミック基板と前記導体パタ−ン
との間にガラスセラミック層が介装されていることを特
徴としている。上記電子部品（１）によれば、前記セラ
ミック基板と前記導体パタ−ンとの間にガラスセラミッ
ク層が介装されているので、このガラスセラミック層に
めっきの付きをよくするための粗化処理が施され、この
粗化処理部分に前記導体パタ−ンを構成する無電解めっ
き成分が入り込んでいたとしても、この無電解めっき成
分は後の無電解めっきの不要部分を除去するためのソフ
トエッチング処理工程において、前記ガラスセラミック
層の粗化処理部分から根刮ぎ除去されることとなる。従
って、該粗化処理部分に無電解銅めっき成分が残り、前
記導体パタ−ンのライン間に絶縁不良が発生するといっ
た事態は生ぜず、また、前記セラミック基板の表面にた
とえ欠陥（窪み）が存在していたとしても、この欠陥は
前記ガラスセラミック層により埋め込まれ、該ガラスセ
ラミック層表面の平坦性は容易に確保されるため、前記
セラミック基板の表面に存在する欠陥（窪み）が前記導
体パタ−ンに反映されることがなくなり、前記導体パタ
−ンに前記セラミック基板の表面に存在する欠陥に起因
した欠陥が生じることを阻止することができる。
【００１４】また、本発明に係る電子部品（２）は、上
記電子部品（１）において、前記ガラスセラミック層
が、ＬＦＣ（低温焼成セラミック）からなることを特徴
としている。上記電子部品（２）によれば、前記ガラス
セラミック層が、ＬＦＣ（低温焼成セラミック）からな
るので、前記ガラスセラミック層を低温焼成で形成する
ことができ、前記ガラスセラミック層の焼成形成が容易
となり、電子部品製造プロセスの簡略化を図ることがで
きる。
記電子部品（１）において、前記ガラスセラミック層
が、ＬＦＣ（低温焼成セラミック）からなることを特徴
としている。上記電子部品（２）によれば、前記ガラス
セラミック層が、ＬＦＣ（低温焼成セラミック）からな
るので、前記ガラスセラミック層を低温焼成で形成する
ことができ、前記ガラスセラミック層の焼成形成が容易
となり、電子部品製造プロセスの簡略化を図ることがで
きる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る導体パタ−ン
の形成方法及び電子部品の実施の形態を図面に基づいて
説明する。図１は実施の形態に係る電子部品の要部を示
す断面図であり、図中１は積層タイプのセラミック基板
を示しており、このセラミック基板１の各層１ａ、１
ｂ、…には導体パタ−ン２やビアホ−ル３等が形成され
ている。このセラミック基板１の構成材料は特に限定さ
れるものではなく、セラミック基板１の構成材料として
は、例えばアルミナ等の酸化物系セラミック、窒化アル
ミニウム等の非酸化物系セラミック、ガラスセラミック
等を挙げることができる。また導体パタ−ン２の構成材
料も特に限定されるものではないが、セラミック基板１
と同時焼成により形成する場合にはセラミック基板１の
焼成温度を考慮して決定する必要があり、セラミック基
板１の構成材料が例えばアルミナ等の酸化物系セラミッ
クである場合には、タングステン、モリブデン等の金属
材料を挙げることができ、セラミック基板１の構成材料
が例えば窒化アルミニウム等の非酸化物系セラミックで
高温焼成を必要とするものの場合には、タングステン、
モリブデン等の金属材料を挙げることができ、またセラ
ミック基板１の構成材料がガラスセラミック等の比較的
低温焼成可能な材料からなる場合には、銀、銅、金、白
金等の金属材料を挙げることができる。
の形成方法及び電子部品の実施の形態を図面に基づいて
説明する。図１は実施の形態に係る電子部品の要部を示
す断面図であり、図中１は積層タイプのセラミック基板
を示しており、このセラミック基板１の各層１ａ、１
ｂ、…には導体パタ−ン２やビアホ−ル３等が形成され
ている。このセラミック基板１の構成材料は特に限定さ
れるものではなく、セラミック基板１の構成材料として
は、例えばアルミナ等の酸化物系セラミック、窒化アル
ミニウム等の非酸化物系セラミック、ガラスセラミック
等を挙げることができる。また導体パタ−ン２の構成材
料も特に限定されるものではないが、セラミック基板１
と同時焼成により形成する場合にはセラミック基板１の
焼成温度を考慮して決定する必要があり、セラミック基
板１の構成材料が例えばアルミナ等の酸化物系セラミッ
クである場合には、タングステン、モリブデン等の金属
材料を挙げることができ、セラミック基板１の構成材料
が例えば窒化アルミニウム等の非酸化物系セラミックで
高温焼成を必要とするものの場合には、タングステン、
モリブデン等の金属材料を挙げることができ、またセラ
ミック基板１の構成材料がガラスセラミック等の比較的
低温焼成可能な材料からなる場合には、銀、銅、金、白
金等の金属材料を挙げることができる。
【００１６】セラミック基板１上にはガラスセラミック
層４が形成されており、このガラスセラミック層４の表
面側にはフッ化水素アンモニウムを用いた粗化処理が施
されて形成された粗化領域４ａが存在している。この、
ガラスセラミック層４に形成された粗化領域４ａを介し
て、無電解めっき層５ａと電解めっき層５ｂとの２層構
造からなる導体パタ−ン５が形成されている。
層４が形成されており、このガラスセラミック層４の表
面側にはフッ化水素アンモニウムを用いた粗化処理が施
されて形成された粗化領域４ａが存在している。この、
ガラスセラミック層４に形成された粗化領域４ａを介し
て、無電解めっき層５ａと電解めっき層５ｂとの２層構
造からなる導体パタ−ン５が形成されている。
【００１７】このガラスセラミック層４の構成材料とし
ては、ＳｉＯ2 、ＣａＯ、ＭｇＯ、Ｂ2 Ｏ3 、Ａｌ2 Ｏ
3 、ＰｂＯ、Ｋ2 Ｏ系のガラスセラミック等を挙げるこ
とができるが、製造プロセスの簡略化の観点からは、後
の導体パタ−ン５形成部分以外の無電解めっき層５ａの
除去工程であるソフトエッチング処理工程における溶解
除去が容易で、かつ低温焼成可能な材料であることが望
ましい。ソフトエッチング処理工程における溶解除去が
容易で、かつ低温焼成可能なガラスセラミック材料とし
ては、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＣａＯ、ＰｂＯ、Ｂ2 Ｏ
3 系のガラスセラミック等を挙げることができる。
ては、ＳｉＯ2 、ＣａＯ、ＭｇＯ、Ｂ2 Ｏ3 、Ａｌ2 Ｏ
3 、ＰｂＯ、Ｋ2 Ｏ系のガラスセラミック等を挙げるこ
とができるが、製造プロセスの簡略化の観点からは、後
の導体パタ−ン５形成部分以外の無電解めっき層５ａの
除去工程であるソフトエッチング処理工程における溶解
除去が容易で、かつ低温焼成可能な材料であることが望
ましい。ソフトエッチング処理工程における溶解除去が
容易で、かつ低温焼成可能なガラスセラミック材料とし
ては、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＣａＯ、ＰｂＯ、Ｂ2 Ｏ
3 系のガラスセラミック等を挙げることができる。
【００１８】ガラスセラミック層４の表面側には、上記
したように、無電解めっき層５ａと電解めっき層５ｂと
の２層構造からなる導体パタ−ン５が形成されており、
導体パタ−ン５間のスペ−ス部分のガラスセラミック層
４表面の粗化領域はソフトエッチング処理工程により根
刮ぎ除去されており、導体パタ−ン５間のスペ−ス部分
のガラスセラミック層４表面の粗化領域に無電解めっき
層５ａが残存する余地はないように構成されている。
したように、無電解めっき層５ａと電解めっき層５ｂと
の２層構造からなる導体パタ−ン５が形成されており、
導体パタ−ン５間のスペ−ス部分のガラスセラミック層
４表面の粗化領域はソフトエッチング処理工程により根
刮ぎ除去されており、導体パタ−ン５間のスペ−ス部分
のガラスセラミック層４表面の粗化領域に無電解めっき
層５ａが残存する余地はないように構成されている。
【００１９】図２は、電子部品としてのセラミック配線
基板を製造する際、セラミック基板上にセミアディティ
ブ法により、微細な導体パタ−ンを形成する場合の、実
施の形態に係る概略工程を示すフロ−チャ−トである。
まず、第１工程では、導体パタ−ン２やビアホ−ル３が
形成されて焼成されたセラミック基板１の表面全面に、
ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＣａＯ、ＰｂＯ、Ｂ2Ｏ3 系の
ガラスセラミックからなるガラスセラミック層４を形成
するための感光性の絶縁性ガラスペ−ストを塗布する。
７０〜９０℃の温度範囲で２０分程度乾燥させた後、ビ
アホ−ル４ｂ形成のための露光・現像処理を施し、その
後、大気雰囲気下、８００〜９００℃の温度範囲で１０
分程度焼成する。
基板を製造する際、セラミック基板上にセミアディティ
ブ法により、微細な導体パタ−ンを形成する場合の、実
施の形態に係る概略工程を示すフロ−チャ−トである。
まず、第１工程では、導体パタ−ン２やビアホ−ル３が
形成されて焼成されたセラミック基板１の表面全面に、
ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＣａＯ、ＰｂＯ、Ｂ2Ｏ3 系の
ガラスセラミックからなるガラスセラミック層４を形成
するための感光性の絶縁性ガラスペ−ストを塗布する。
７０〜９０℃の温度範囲で２０分程度乾燥させた後、ビ
アホ−ル４ｂ形成のための露光・現像処理を施し、その
後、大気雰囲気下、８００〜９００℃の温度範囲で１０
分程度焼成する。
【００２０】次に、ガラスセラミック層４に対する無電
解めっき層５ａの付着力をアンカ−効果により高めるた
めに、ガラスセラミック層４の表面にフッ化水素アンモ
ニウムによる粗化処理を２０〜３０℃の温度範囲で施
し、粗化領域４ａを形成する。次に、ガラスセラミック
層４表面の全面に無電解めっき処理を施し、さらにこの
無電解めっき層５ａの上からフォトレジストを塗布し、
次いでフォトレジストのネガパタ−ンを形成すべく露光
・現像処理を施す。次に前記露光・現像処理により形成
されたフォトレジストのネガパタ−ンをめっきマスクと
して電解めっき処理を施し、フォトレジストで覆われて
いない無電解めっき層５ａ上に電解めっき層５ｂを形成
する。
解めっき層５ａの付着力をアンカ−効果により高めるた
めに、ガラスセラミック層４の表面にフッ化水素アンモ
ニウムによる粗化処理を２０〜３０℃の温度範囲で施
し、粗化領域４ａを形成する。次に、ガラスセラミック
層４表面の全面に無電解めっき処理を施し、さらにこの
無電解めっき層５ａの上からフォトレジストを塗布し、
次いでフォトレジストのネガパタ−ンを形成すべく露光
・現像処理を施す。次に前記露光・現像処理により形成
されたフォトレジストのネガパタ−ンをめっきマスクと
して電解めっき処理を施し、フォトレジストで覆われて
いない無電解めっき層５ａ上に電解めっき層５ｂを形成
する。
【００２１】次いでＮａＯＨ液を用いて前記フォトレジ
ストを溶解・除去した後、電解めっき層５ｂで覆われて
いない部分に形成されている無電解めっき層５ａを除去
するために過硫酸ソ−ダ系エッチング液を用いて、２０
〜３０℃の温度範囲で１０分程度、の条件下でソフトエ
ッチング処理を施す。以上の工程により、図１に示した
セミアディティブ法による微細な導体パタ−ン５がガラ
スセラミック層４上に形成された電子部品としてのセラ
ミック配線基板が製造される。
ストを溶解・除去した後、電解めっき層５ｂで覆われて
いない部分に形成されている無電解めっき層５ａを除去
するために過硫酸ソ−ダ系エッチング液を用いて、２０
〜３０℃の温度範囲で１０分程度、の条件下でソフトエ
ッチング処理を施す。以上の工程により、図１に示した
セミアディティブ法による微細な導体パタ−ン５がガラ
スセラミック層４上に形成された電子部品としてのセラ
ミック配線基板が製造される。
【００２２】上記電子部品によれば、セラミック基板１
と導体パタ−ン５との間にガラスセラミック層４が介装
され、このガラスセラミック層４にめっきの付きをよく
するための粗化処理が施され、粗化領域４ａが形成され
ている。この粗化領域４ａ部分は後のソフトエッチング
処理工程において使用される過硫酸ソ−ダ系エッチング
液に容易に溶解し、除去されるため、粗化領域４ａ部分
に導体パタ−ン５を構成する無電解めっき成分が入り込
んでいたとしても、この無電解めっき成分は後の無電解
めっき層５ａの不要部分を除去するための前記ソフトエ
ッチング処理工程において、ガラスセラミック層４の粗
化領域４ａ部分から根刮ぎ除去されることとなる。従っ
て、粗化領域４ａに無電解銅めっき成分が残り、導体パ
タ−ン５のライン間に絶縁不良が発生するといった事態
は生じない。
と導体パタ−ン５との間にガラスセラミック層４が介装
され、このガラスセラミック層４にめっきの付きをよく
するための粗化処理が施され、粗化領域４ａが形成され
ている。この粗化領域４ａ部分は後のソフトエッチング
処理工程において使用される過硫酸ソ−ダ系エッチング
液に容易に溶解し、除去されるため、粗化領域４ａ部分
に導体パタ−ン５を構成する無電解めっき成分が入り込
んでいたとしても、この無電解めっき成分は後の無電解
めっき層５ａの不要部分を除去するための前記ソフトエ
ッチング処理工程において、ガラスセラミック層４の粗
化領域４ａ部分から根刮ぎ除去されることとなる。従っ
て、粗化領域４ａに無電解銅めっき成分が残り、導体パ
タ−ン５のライン間に絶縁不良が発生するといった事態
は生じない。
【００２３】また、セラミック基板１の表面に欠陥（窪
み）１ｄがたとえ存在していたとしても、この欠陥１ｄ
は流動性が高いガラスセラミックペ−スト層により埋め
込まれ、ガラスセラミックペ−スト層表面の平坦性は容
易に確保されるため、焼成・形成されたガラスセラミッ
ク層４表面の平坦性も容易に確保され、セラミック基板
１の表面に存在する欠陥１ｄが導体パタ−ン５形状に反
映されることがなくなり、導体パタ−ン５にセラミック
基板１の表面に存在する欠陥１ｄに起因した欠陥が生じ
ることを阻止することができる。
み）１ｄがたとえ存在していたとしても、この欠陥１ｄ
は流動性が高いガラスセラミックペ−スト層により埋め
込まれ、ガラスセラミックペ−スト層表面の平坦性は容
易に確保されるため、焼成・形成されたガラスセラミッ
ク層４表面の平坦性も容易に確保され、セラミック基板
１の表面に存在する欠陥１ｄが導体パタ−ン５形状に反
映されることがなくなり、導体パタ−ン５にセラミック
基板１の表面に存在する欠陥１ｄに起因した欠陥が生じ
ることを阻止することができる。
【００２４】また、実施の形態に係る電子部品は、ガラ
スセラミック層４が、ＬＦＣであるＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ
3 、ＣａＯ、ＰｂＯ、Ｂ2 Ｏ3 系のガラスセラミックか
らなるので、ガラスセラミック層４の焼成形成が容易で
あり、電子部品製造プロセスの簡略化を図ることができ
る。
スセラミック層４が、ＬＦＣであるＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ
3 、ＣａＯ、ＰｂＯ、Ｂ2 Ｏ3 系のガラスセラミックか
らなるので、ガラスセラミック層４の焼成形成が容易で
あり、電子部品製造プロセスの簡略化を図ることができ
る。
【００２５】
【実施例及び比較例】以下、本発明に係る導体パタ−ン
の形成方法を実施して電子部品を作製し、ライン間の絶
縁不良の発生状況、及び導体パタ−ン不良の発生状況を
調査した。また併せて従来の方法による比較例に係る導
体パタ−ンの形成方法を実施して電子部品を作製し、同
様にライン間の絶縁不良の発生状況、及び導体パタ−ン
不良の発生状況を調査した。
の形成方法を実施して電子部品を作製し、ライン間の絶
縁不良の発生状況、及び導体パタ−ン不良の発生状況を
調査した。また併せて従来の方法による比較例に係る導
体パタ−ンの形成方法を実施して電子部品を作製し、同
様にライン間の絶縁不良の発生状況、及び導体パタ−ン
不良の発生状況を調査した。
【００２６】＜実施例＞ (i) セラミック基板１の作製 スラリ−の構成材料： アルミナ粉末、樹脂（アクリル
樹脂）、溶剤（キシレン）、可塑剤（ジブチルフタレー
ト（ＤＢＰ）） 成形方法： ドクタブレード法 外形： １００ｍｍ×１００ｍｍの正方形 厚さ： ２５０μｍ (ii) ガラスセラミック層４の形成 ガラスセラミック層の組成：ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｃ
ａＯ、ＰｂＯ、Ｂ2 Ｏ3 系のガラスセラミック ガラスセラミック層の焼成温度：８００〜 ９００℃ (iii) 導体パタ−ン５の形成 導体の組成： Ｃｕ 導体パタ−ンの形状： 種々の間隔を有するライン／ス
ペ−ス ソフトエッチング処理液：過硫酸ソ−ダ系エッチング液 ソフトエッチング処理温度： ２５℃ ソフトエッチング処理時間： １分 (iv) 絶縁不良発生状況のテスト： ライン間の絶縁抵
抗値を測定 パタ−ン不良発生状況の観察： ライン／スペ−スが５
０／５０μｍのパタ−ンにおいて光学顕微鏡を用いた目
視観察 断線の発生状況： テスタ−を用いた抵抗値の測定
樹脂）、溶剤（キシレン）、可塑剤（ジブチルフタレー
ト（ＤＢＰ）） 成形方法： ドクタブレード法 外形： １００ｍｍ×１００ｍｍの正方形 厚さ： ２５０μｍ (ii) ガラスセラミック層４の形成 ガラスセラミック層の組成：ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｃ
ａＯ、ＰｂＯ、Ｂ2 Ｏ3 系のガラスセラミック ガラスセラミック層の焼成温度：８００〜 ９００℃ (iii) 導体パタ−ン５の形成 導体の組成： Ｃｕ 導体パタ−ンの形状： 種々の間隔を有するライン／ス
ペ−ス ソフトエッチング処理液：過硫酸ソ−ダ系エッチング液 ソフトエッチング処理温度： ２５℃ ソフトエッチング処理時間： １分 (iv) 絶縁不良発生状況のテスト： ライン間の絶縁抵
抗値を測定 パタ−ン不良発生状況の観察： ライン／スペ−スが５
０／５０μｍのパタ−ンにおいて光学顕微鏡を用いた目
視観察 断線の発生状況： テスタ−を用いた抵抗値の測定
【００２７】＜比較例＞ (i) セラミック基板１１の作製 スラリ−の構成材料： アルミナ粉末、樹脂（アクリル
樹脂）、溶剤（キシレン）、可塑剤（ジブチルフタレー
ト（ＤＢＰ）） 成形方法： ドクタブレード法 外形： １００ｍｍ×１００ｍｍの正方形 厚さ： ２５０μｍ (ii) 導体パタ−ン１３の形成 導体の組成： Ｃｕ 導体パタ−ン１３の形状： 種々の間隔を有するライン
／スペ−ス ソフトエッチング処理液： 過硫酸ソ−ダ系エッチング
液 ソフトエッチング処理温度： ２５℃ ソフトエッチング処理時間： １分 (iii) 絶縁不良発生状況のテスト： ライン間の絶縁
抵抗値を測定 パタ−ン不良発生状況の観察： ライン／スペ−スが５
０／５０μｍのパタ−ンにおいて光学顕微鏡を用いた目
視観察 断線の発生状況： テスタ−を用いた抵抗値の測定 ＜評価結果＞ 実施例及び比較例に係るそれぞれ１０枚
及び１２枚のセラミック基板１、１１における、絶縁不
良発生状況、パタ−ン不良発生状況の結果を下記の表１
及び表２に示す。
樹脂）、溶剤（キシレン）、可塑剤（ジブチルフタレー
ト（ＤＢＰ）） 成形方法： ドクタブレード法 外形： １００ｍｍ×１００ｍｍの正方形 厚さ： ２５０μｍ (ii) 導体パタ−ン１３の形成 導体の組成： Ｃｕ 導体パタ−ン１３の形状： 種々の間隔を有するライン
／スペ−ス ソフトエッチング処理液： 過硫酸ソ−ダ系エッチング
液 ソフトエッチング処理温度： ２５℃ ソフトエッチング処理時間： １分 (iii) 絶縁不良発生状況のテスト： ライン間の絶縁
抵抗値を測定 パタ−ン不良発生状況の観察： ライン／スペ−スが５
０／５０μｍのパタ−ンにおいて光学顕微鏡を用いた目
視観察 断線の発生状況： テスタ−を用いた抵抗値の測定 ＜評価結果＞ 実施例及び比較例に係るそれぞれ１０枚
及び１２枚のセラミック基板１、１１における、絶縁不
良発生状況、パタ−ン不良発生状況の結果を下記の表１
及び表２に示す。
【００２８】
【表１】
【００２９】
【表２】 上記表１に示した結果より明らかなように、実施例の場
合には、ライン／スペ−スが５０／５０μｍの場合に
も、絶縁抵抗値は１０10オ−ム以上と極めて高い値を確
保することができ、比較例の場合における絶縁抵抗値１
オ−ムに比べて、絶縁抵抗値を格段に改善することがで
きた。
合には、ライン／スペ−スが５０／５０μｍの場合に
も、絶縁抵抗値は１０10オ−ム以上と極めて高い値を確
保することができ、比較例の場合における絶縁抵抗値１
オ−ムに比べて、絶縁抵抗値を格段に改善することがで
きた。
【００３０】上記表２に示した結果より明らかなよう
に、実施例においては、ライン／スペ−スが５０／５０
μｍの場合にも導体パタ−ン５の欠け及び断線は発生し
ておらず、これに対し比較例の場合には導体パタ−ン１
３の欠けが１２個のうち７個に生じ、また断線は１２個
のうち３個に生じてしまっていた。このように、実施例
に係る電子部品では、高密度の導体パタ−ン５を形成し
ても、絶縁不良、及びパタ−ン不良の発生をほとんどな
くすことができた。
に、実施例においては、ライン／スペ−スが５０／５０
μｍの場合にも導体パタ−ン５の欠け及び断線は発生し
ておらず、これに対し比較例の場合には導体パタ−ン１
３の欠けが１２個のうち７個に生じ、また断線は１２個
のうち３個に生じてしまっていた。このように、実施例
に係る電子部品では、高密度の導体パタ−ン５を形成し
ても、絶縁不良、及びパタ−ン不良の発生をほとんどな
くすことができた。
【図１】本発明の実施の形態に係る電子部品の要部を模
式的に示した断面図である。
式的に示した断面図である。
【図２】実施の形態に係る導体パタ−ンの形成方法にお
ける工程の概略を示したフロ−チャ−トである。
ける工程の概略を示したフロ−チャ−トである。
【図３】従来の導体パタ−ンの形成方法における工程の
概略を示したフロ−チャ−トである。
概略を示したフロ−チャ−トである。
【図４】従来の電子部品の要部を模式的に示した断面図
である。
である。
【図５】導体パタ−ンに欠陥を生じる場合の態様を模式
的に示した断面図である。
的に示した断面図である。
１ セラミック基板 ４ ガラスセラミック層 ４ａ 粗化領域 ５ 導体パタ−ン ５ａ 無電解めっき層 ５ｂ 電解めっき層
Claims (4)
- 【請求項１】 セラミック基板上にセミアディティブ法
により、微細な導体パタ−ンを形成する導体パタ−ンの
形成方法において、前記セラミック基板上であって前記
導体パタ−ンの下層にガラスセラミック層を形成する工
程を含んでいることを特徴とする導体パタ−ンの形成方
法。 - 【請求項２】 無電解めっき層及び前記ガラスセラミッ
ク層の粗化領域の不要部分を過硫酸ソ−ダ系エッチング
液を用いたソフトエッチング処理により除去することを
特徴とする請求項１記載の導体パタ−ンの形成方法。 - 【請求項３】 セラミック基板上に微細な導体パタ−ン
が形成された電子部品において、前記セラミック基板と
前記導体パタ−ンとの間にガラスセラミック層が介装さ
れていることを特徴とする電子部品。 - 【請求項４】 前記ガラスセラミック層が、ＬＦＣ（低
温焼成セラミック）からなることを特徴とする請求項３
記載の電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25827699A JP3791660B2 (ja) | 1999-09-13 | 1999-09-13 | 導体パタ−ンの形成方法及び電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25827699A JP3791660B2 (ja) | 1999-09-13 | 1999-09-13 | 導体パタ−ンの形成方法及び電子部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001085573A true JP2001085573A (ja) | 2001-03-30 |
| JP3791660B2 JP3791660B2 (ja) | 2006-06-28 |
Family
ID=17318007
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25827699A Expired - Fee Related JP3791660B2 (ja) | 1999-09-13 | 1999-09-13 | 導体パタ−ンの形成方法及び電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3791660B2 (ja) |
-
1999
- 1999-09-13 JP JP25827699A patent/JP3791660B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3791660B2 (ja) | 2006-06-28 |
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