JP2001085549A - 気密封止型半導体パッケージ - Google Patents
気密封止型半導体パッケージInfo
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- JP2001085549A JP2001085549A JP26012499A JP26012499A JP2001085549A JP 2001085549 A JP2001085549 A JP 2001085549A JP 26012499 A JP26012499 A JP 26012499A JP 26012499 A JP26012499 A JP 26012499A JP 2001085549 A JP2001085549 A JP 2001085549A
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- semiconductor package
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 コストを高くすることなく金属枠体上に気密
性良く金属蓋体を接合できる気密封止型半導体パッケー
ジを提供すること。 【解決手段】 金属基体１０上に環状のシェル状金属枠
体２０を接合し、シェル状金属枠体２０のフランジ部２
１に金属蓋体をろう付け、シーム溶接または抵抗溶接に
より接合して半導体素子５０を中空６０で気密封止す
る。シェル状金属枠体２０は、金属平板８０を絞り加工
し、絞り部の底面を打ち抜くことにより形成する。
性良く金属蓋体を接合できる気密封止型半導体パッケー
ジを提供すること。 【解決手段】 金属基体１０上に環状のシェル状金属枠
体２０を接合し、シェル状金属枠体２０のフランジ部２
１に金属蓋体をろう付け、シーム溶接または抵抗溶接に
より接合して半導体素子５０を中空６０で気密封止す
る。シェル状金属枠体２０は、金属平板８０を絞り加工
し、絞り部の底面を打ち抜くことにより形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子を中空で
収納する気密封止型半導体パッケージに関する。
収納する気密封止型半導体パッケージに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、半導体素子を収納する半導体
パッケージとして、樹脂封止型パッケージと気密封止型
パッケージが主に知られている。
パッケージとして、樹脂封止型パッケージと気密封止型
パッケージが主に知られている。
【０００３】前者は、リードフレームなどに搭載した半
導体素子を樹脂モールドしたものであり、大量生産に向
きコストが安いという利点から広く採用されている。後
者は金属基体やセラミック基体に搭載した半導体素子を
中空で気密封止したものであり、樹脂封止型パッケージ
に比べてコストは高くなるが気密性に優れるため、高信
頼性が要求される場合に採用されている。
導体素子を樹脂モールドしたものであり、大量生産に向
きコストが安いという利点から広く採用されている。後
者は金属基体やセラミック基体に搭載した半導体素子を
中空で気密封止したものであり、樹脂封止型パッケージ
に比べてコストは高くなるが気密性に優れるため、高信
頼性が要求される場合に採用されている。
【０００４】図３は、従来の気密封止型半導体パッケー
ジの一例を示す断面図である。放熱体を兼ねた金属基体
１０上に環状の金属枠体３０をろう付けし、半導体素子
５０を収納するための中空６０を形成している。金属枠
体３０上には、平板状の金属蓋体４０をろう付けやシー
ム溶接などの方法で接合し、半導体素子５０を気密封止
している。
ジの一例を示す断面図である。放熱体を兼ねた金属基体
１０上に環状の金属枠体３０をろう付けし、半導体素子
５０を収納するための中空６０を形成している。金属枠
体３０上には、平板状の金属蓋体４０をろう付けやシー
ム溶接などの方法で接合し、半導体素子５０を気密封止
している。
【０００５】このような半導体パッケージにおいて、金
属枠体３０上に金属蓋体４０を気密性良く接合する条件
として、例えば特許第２７５０４６９号公報には、金属
枠体３０の接合幅Ａが、０．４ｍｍ程度以上であること
が好ましいとの記載がある。接合幅Ａが０．４ｍｍ以下
であると、十分な接合強度が得られず気密性が低下して
しまう。また、接合の際に金属蓋体４０の位置決めが若
干でもずれてしまうと、中空からリークが発生してしま
うという問題が起こる。
属枠体３０上に金属蓋体４０を気密性良く接合する条件
として、例えば特許第２７５０４６９号公報には、金属
枠体３０の接合幅Ａが、０．４ｍｍ程度以上であること
が好ましいとの記載がある。接合幅Ａが０．４ｍｍ以下
であると、十分な接合強度が得られず気密性が低下して
しまう。また、接合の際に金属蓋体４０の位置決めが若
干でもずれてしまうと、中空からリークが発生してしま
うという問題が起こる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記説明した従来の気
密封止型半導体パッケージにおいては、金属枠体と金属
蓋体との接合部の幅を例えば０．４ｍｍ以上とすると、
金属枠体自体が大型化し材料コストが高くなってしま
う。特に金属枠体には高価なコバール材を用いるため、
コスト的には大きな問題となる。
密封止型半導体パッケージにおいては、金属枠体と金属
蓋体との接合部の幅を例えば０．４ｍｍ以上とすると、
金属枠体自体が大型化し材料コストが高くなってしま
う。特に金属枠体には高価なコバール材を用いるため、
コスト的には大きな問題となる。
【０００７】また、金属枠体を製造するには図４に示す
ように、コバール材を引き延ばして柱状パイプ１００を
形成し、これを切断して金属枠体を製造しているため、
製造コストも比較的高くなっている。
ように、コバール材を引き延ばして柱状パイプ１００を
形成し、これを切断して金属枠体を製造しているため、
製造コストも比較的高くなっている。
【０００８】また、金属枠体と金属蓋体との接合に抵抗
溶接法を用いることができないため、製造効率が低いと
いう問題もある。
溶接法を用いることができないため、製造効率が低いと
いう問題もある。
【０００９】本発明は上記問題点を解決するものであ
り、コストを上げることなく金属枠体上に金属蓋体を気
密性良く接合することができる半導体パッケージを提供
することを目的とする。
り、コストを上げることなく金属枠体上に金属蓋体を気
密性良く接合することができる半導体パッケージを提供
することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明による気密封止型半導体パッケージは、半導体
素子を搭載する金属基体と、この金属基体上に接合した
環状の金属枠体と、前記金属枠体上に接合する金属蓋体
とからなる気密封止型半導体パッケージであって、前記
金属枠体は、一端部にフランジ部を有するシェル形状と
したものである。前記金属枠体は、金属平板を絞り加工
し、前記絞り部の底面を打ち抜くことにより、フランジ
部を有するシェル形状に形成することが望ましい。
に本発明による気密封止型半導体パッケージは、半導体
素子を搭載する金属基体と、この金属基体上に接合した
環状の金属枠体と、前記金属枠体上に接合する金属蓋体
とからなる気密封止型半導体パッケージであって、前記
金属枠体は、一端部にフランジ部を有するシェル形状と
したものである。前記金属枠体は、金属平板を絞り加工
し、前記絞り部の底面を打ち抜くことにより、フランジ
部を有するシェル形状に形成することが望ましい。
【００１１】これによれば、金属枠体の幅を金属蓋体と
の接合強度が低下しない程度にとっても、金属枠体の体
積が増加することがないため、コバール材など高価な材
料の使用量を減らすことができ、コストを低減すること
ができる。
の接合強度が低下しない程度にとっても、金属枠体の体
積が増加することがないため、コバール材など高価な材
料の使用量を減らすことができ、コストを低減すること
ができる。
【００１２】また、シェル状の金属枠体は製造方法も容
易であるため、製造コストも低くすることができる。
易であるため、製造コストも低くすることができる。
【００１３】また、金属枠体は一端部にフランジを有す
るため、金属蓋体を抵抗溶接により接合することがで
き、製造効率を向上させることができる。
るため、金属蓋体を抵抗溶接により接合することがで
き、製造効率を向上させることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態による
半導体パッケージについて図面を参照しながら詳しく説
明する。
半導体パッケージについて図面を参照しながら詳しく説
明する。
【００１５】図１は、携帯電話の基地局などに使われる
電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）の断面図である。金属
基体１０はコバール材（鉄５４％−ニッケル２８％−コ
バルト１８％）からなり、中央部を切り抜いてここに銅
ブロック体１１を埋め込んでいる。銅ブロック体１１上
に半導体素子５０を搭載し、半導体素子５０からの発熱
を放熱できるようにしている。金属基体１０の周辺には
環状のシェル状金属枠体２０を銀ろう付けにより接合し
中空６０を形成している。シェル状金属枠体２０の上端
にはフランジ部２１を備え、このフランジ部２１に金属
蓋体４０をＡｕ−Ｓｎ材でろう付け、またはシーム溶接
により接合している。シェル状金属枠体２０のフランジ
部２１の接合幅Ａを０．４ｍｍ程度とすることで、気密
性良く金属蓋体４０を接合することができる。また、フ
ランジ部２１の下面と金属蓋体４０の上面に溶接電極７
０をあてがい抵抗溶接で接合することも可能である。
電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）の断面図である。金属
基体１０はコバール材（鉄５４％−ニッケル２８％−コ
バルト１８％）からなり、中央部を切り抜いてここに銅
ブロック体１１を埋め込んでいる。銅ブロック体１１上
に半導体素子５０を搭載し、半導体素子５０からの発熱
を放熱できるようにしている。金属基体１０の周辺には
環状のシェル状金属枠体２０を銀ろう付けにより接合し
中空６０を形成している。シェル状金属枠体２０の上端
にはフランジ部２１を備え、このフランジ部２１に金属
蓋体４０をＡｕ−Ｓｎ材でろう付け、またはシーム溶接
により接合している。シェル状金属枠体２０のフランジ
部２１の接合幅Ａを０．４ｍｍ程度とすることで、気密
性良く金属蓋体４０を接合することができる。また、フ
ランジ部２１の下面と金属蓋体４０の上面に溶接電極７
０をあてがい抵抗溶接で接合することも可能である。
【００１６】図２は金属枠体を製造する際の説明図であ
る。図２（ａ）に示すように、厚さ１．０ｍｍ程度の金
属平板８０をパンチ９０により絞り加工し、図２（ｂ）
に示すように絞り部の底面をパンチ９０で打ち抜くこと
により、シェル状金属枠体を形成している。この方法に
よれば、製造方法が容易でかつ材料コストを低く金属枠
体を得ることができる。
る。図２（ａ）に示すように、厚さ１．０ｍｍ程度の金
属平板８０をパンチ９０により絞り加工し、図２（ｂ）
に示すように絞り部の底面をパンチ９０で打ち抜くこと
により、シェル状金属枠体を形成している。この方法に
よれば、製造方法が容易でかつ材料コストを低く金属枠
体を得ることができる。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、フ
ランジ部を有するシェル状金属枠体を用いることによ
り、金属蓋体との接合幅を十分にとっても、金属枠体の
コストを低くすることができる。
ランジ部を有するシェル状金属枠体を用いることによ
り、金属蓋体との接合幅を十分にとっても、金属枠体の
コストを低くすることができる。
【００１８】また、金属蓋体を抵抗溶接により接合する
ことができ、製造効率を向上させることができる。
ことができ、製造効率を向上させることができる。
【図１】本発明の一実施形態による気密封止型半導体パ
ッケージの断面図
ッケージの断面図
【図２】本発明の一実施形態によるシェル状金属枠体を
製造する際の説明図
製造する際の説明図
【図３】従来の気密封止型半導体パッケージの断面図
【図４】従来の金属枠体を製造する際の説明図
１０ 金属基体 １１ 銅ブロック体 ２０ シェル状金属枠体 ２１ フランジ部 ３０ 金属枠体 ４０ 金属蓋体 ５０ 半導体素子 ６０ 中空 ７０ 溶接電極 ８０ 金属平板 ９０ パンチ １００ 柱状パイプ
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体素子を搭載する金属基体と、この
金属基体上に接合した環状の金属枠体と、前記金属枠体
上に接合する金属蓋体とからなる気密封止型半導体パッ
ケージであって、前記金属枠体は、金属平板を絞り加工
することにより一端部にフランジ部を有するシェル形状
に形成したことを特徴とする気密封止型半導体パッケー
ジ。 - 【請求項２】 前記金属枠体は切り欠き部を有し、前記
切り欠き部に前記金属枠体の内外を導通するためのセラ
ミック端子を備えた半導体パッケージであって、前記金
属枠体は、金属平板に切り欠き部を打ち抜いた後、絞り
加工することにより形成したことを特徴とする請求項１
記載の気密封止型半導体パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26012499A JP2001085549A (ja) | 1999-09-14 | 1999-09-14 | 気密封止型半導体パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26012499A JP2001085549A (ja) | 1999-09-14 | 1999-09-14 | 気密封止型半導体パッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001085549A true JP2001085549A (ja) | 2001-03-30 |
Family
ID=17343634
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26012499A Pending JP2001085549A (ja) | 1999-09-14 | 1999-09-14 | 気密封止型半導体パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001085549A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019033196A (ja) * | 2017-08-09 | 2019-02-28 | 新光電気工業株式会社 | 電子部品用パッケージ及び電子部品装置 |
-
1999
- 1999-09-14 JP JP26012499A patent/JP2001085549A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019033196A (ja) * | 2017-08-09 | 2019-02-28 | 新光電気工業株式会社 | 電子部品用パッケージ及び電子部品装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050118 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050125 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050524 |