JP2001085482A - 半導体検査装置及び半導体検査方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】欠陥検査装置の占有時間を減少し、欠陥検査者
の知識等に左右されることのない正確な欠陥検査パラメ
ータを決定する。 【解決手段】パターン画像２４と欠陥（１）による欠陥
画像２８が合成され、欠陥検査画像２９が作製される
（ＳＴ１０３）。次に、暫定検査パラメータａを用い
て、模擬的に欠陥検査画像２９の欠陥が検査される（Ｓ
Ｔ１０５）。その結果、欠陥検出率が算出される（ＳＴ
１０６）。この欠陥検出率が、任意に設定した検出率条
件を満たす場合、この際用いた暫定検査パラメータａが
検査パラメータＡとして決定される（ＳＴ１０８）。同
様に、欠陥（２）の画像を用いて、検査パラメータＢが
決定される（ＳＴ１１０乃至ＳＴ１１５）。この検査パ
ラメータＡと検査パラメータＢが比較され、最適検査パ
ラメータＣが決定される（ＳＴ１１６）。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の欠陥
を検出する半導体検査装置及び半導体検査方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来、パターンが形成されたウエハ表面
の欠陥を検出する場合、光学的手法として画像比較方式
と散乱光検出方式の欠陥検査装置が用いられている。

【０００３】画像比較方式の欠陥検出方法は、図１６
（ａ）に示すように、まず、光源７１からウエハ７２に
レーザが照射され、ウエハ７２がスキャンされる（図１
６（ｂ）に示す）。このウエハ７２からの反射光がイメ
ージセンサ７３で検出される。その結果、ウエハ７２の
パターン及び色等が信号として検出され、この信号情報
はコンピュータ７４に記憶される。次に、図１７（ａ）
に示すように、コンピュータ７４に記憶された信号情報
を用いて、例えば隣り合うセル７５ａ、７５ｂ間の信号
強度が比較される。その結果、隣り合うセル７５ａ、７
５ｂ間の信号強度の差が検出された場合、検出された箇
所が欠陥７６として出力される。尚、図１７（ｂ）に示
すように、例えば隣り合うダイ７７ａ、７７ｂ間でパタ
ーン及び色の比較が行われる場合もある。

【０００４】また、散乱光検出方式の欠陥検出方法は、
まず、図１８（ａ）に示すように、レーザ８１がウエハ
８２全面に照射され、ウエハ８２上のパターン８２ａか
ら生じる散乱光８３がＰＭＴ（Photo Multiplier Tub
e：光増幅管）８４でスキャンされる。その結果、図１
８（ｂ）に示すように、散乱光８３が信号８５として検
出される。次に、図１８（ｃ）に示すように、隣り合う
ダイ又はセルアレイ間の信号強度が比較され、この信号
強度の差から、図１８（ｄ）に示すように、欠陥８６が
検出される。

【０００５】次に、図１９を参照して、上述した画像比
較方式や散乱光検出方式のような欠陥検出方法を用い
て、欠陥検査装置における欠陥検出用の最適検査パラメ
ータの決定について説明する。

【０００６】まず、検査対象とするサンプルウエハが用
意され（ＳＴ１）、暫定的に感度設定を行うために、欠
陥検査装置における暫定検査パラメータａが決定される
（ＳＴ２）。次に、この暫定検査パラメータａを用い
て、例えば画像比較方式によりサンプルウエハの欠陥が
信号として検出され、検出した信号強度の差等により欠
陥が観察される（ＳＴ３）。このようにして、検出した
い所望の欠陥の種類（以下、欠陥種と称す）や大きさを
検出できているか否かが判断される（ＳＴ４）。その結
果、検出できている場合は、暫定検査パラメータａが最
適検査パラメータＡとして決定される（ＳＴ５）。ま
た、検出できていない場合は、再度、暫定検査パラメー
タａが調整され、欠陥検査により所望の欠陥が検出でき
るまで暫定検査パラメータａの調整が行われる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の欠陥検出方法では、サンプルウエハの欠陥情報が未
知な状態で、最適検査パラメータＡの検討が行われてい
る。従って、欠陥検出の有無を判断する欠陥検査者は、
サンプルウエハが有する欠陥を基準として、その欠陥が
検出できたか否かで判断するのではなく、欠陥検査者の
経験により得られた欠陥情報の知識を基準として、その
欠陥情報中の欠陥と同じような欠陥が検出できたか否か
で判断が行われている。

【０００８】このような欠陥検出方法では、例えば欠陥
種１、欠陥種２、欠陥種３という３種類の欠陥を有する
ウエハが検査対象とされた場合、以下のような問題が生
じる。

【０００９】まず、図１９のフローチャートに示すよう
に、暫定的に暫定検査パラメータｘが決定される。この
暫定検査パラメータｘを用いて欠陥検出が行われた結
果、欠陥種１と欠陥種２が検出できたとする。ここで、
欠陥検査者の知識では例えば欠陥種３のような欠陥を想
定できずに、ウエハ上の全ての欠陥が検出できたと判断
した場合、この暫定検査パラメータｘが最適検査パラメ
ータＸとして決定される。

【００１０】しかし、例えば欠陥種３が製品の歩留まり
に影響を与えるような重大な欠陥種である場合でも、最
適検査パラメータＸを用いた欠陥検査の段階では欠陥種
３を検出できない。従って、例えば製品が完成する段階
まで欠陥種３の存在に気づかない場合もある。つまり、
歩留まり等の問題発見の遅れや製品の損失につながる可
能性が非常に高い。

【００１１】このように、サンプルウエハが有する欠陥
情報が未知な状態であるため、最適検査パラメータを決
定する最終判断の基準は、欠陥検査者の知識等に左右さ
れる。また、欠陥検査者が判断ミスを起こす場合も考え
られる。このため、正確な検査パラメータの設定を行う
ことが困難である。

【００１２】また、図１９に示すＳＴ２乃至ＳＴ４の工
程は、欠陥検査装置を用いて行われる。このため、最適
検査パラメータＡが決定できるまで欠陥検査装置を占有
することになる。従って、欠陥検査装置の占有時間は、
欠陥検査に多くの時間（例えば２２時間／１日）を割り
当てる必要があるにもかかわらず、最適検査パラメータ
Ａの決定に多くの時間（例えば１時間以上）が費やされ
るという問題が生じる。

【００１３】本発明は上記課題を解決するためになされ
たものであり、その目的とするところは、欠陥検査者の
知識等に左右されることのない正確な欠陥検査パラメー
タを決定することができる半導体検査装置及び半導体検
査方法を提供することにある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明は、前記目的を達
成するために以下に示す手段を用いている。

【００１５】本発明の半導体検査装置は、検査対象の製
品パターン画像が記憶された第１のデータベースと、前
記第１のデータベースからパターン画像を選択する第１
の選択手段と、検査対象の欠陥画像が記憶された第２の
データベースと、前記第２のデータベースから欠陥画像
を選択する第２の選択手段と、前記第１の選択手段によ
り選択されたパターン画像と前記第２の選択手段により
選択された欠陥画像を合成して欠陥検査画像を作製する
作製手段と、暫定的に暫定検査パラメータを選択する第
３の選択手段と、前記第３の選択手段により選択された
暫定検査パラメータを用いて、前記作製手段により作製
された欠陥検査画像の欠陥を検査する検査手段と、前記
検査手段により、前記欠陥の検出率を算出する算出手段
と、前記算出手段により算出された欠陥の検出率が任意
に設定した欠陥の検出率を満たすか否かを判断する判断
手段と、前記判断手段により前記算出された欠陥の検出
率が前記設定した欠陥の検出率を満たすと判断された場
合、前記暫定検査パラメータを最適検査パラメータとし
て決定する決定手段とを含む。

【００１６】また、本発明の半導体検査装置は、検査対
象の製品パターン画像が記憶された第１のデータベース
と、前記第１のデータベースからパターン画像を選択す
る第１の選択手段と、検査対象の欠陥画像が記憶された
第２のデータベースと、前記第２のデータベースから第
１の欠陥画像を選択する第２の選択手段と、前記第１の
選択手段により選択されたパターン画像と前記第２の選
択手段により選択された第１の欠陥画像を合成して第１
の欠陥検査画像を作製する第１の作製手段と、暫定的に
第１の暫定検査パラメータを選択する第３の選択手段
と、前記第３の選択手段により選択された第１の暫定検
査パラメータを用いて、前記第１の作製手段により作製
された第１の欠陥検査画像の欠陥を検査する第１の検査
手段と、前記第１の検査手段により、前記第１の欠陥の
検出率を算出する第１の算出手段と、前記第１の算出手
段により算出された第１の欠陥の検出率が任意に設定し
た欠陥の検出率を満たすか否かを判断する第１の判断手
段と、前記第１の判断手段により前記算出された第１の
欠陥の検出率が前記設定した欠陥の検出率を満たすと判
断された場合、前記第１の暫定検査パラメータを第１の
検査パラメータとして決定する第１の決定手段と前記第
２のデータベースから第２の欠陥画像を選択する第４の
選択手段と、前記第１の選択手段により選択されたパタ
ーン画像と前記第４の選択手段により選択された第２の
欠陥画像を合成して第２の欠陥検査画像を作製する第２
の作製手段と、暫定的に第２の暫定検査パラメータを選
択する第５の選択手段と、前記第５の選択手段により選
択された第２の暫定検査パラメータを用いて、前記第２
の作製手段により作製された第２の欠陥検査画像の欠陥
を検査する第２の検査手段と、前記第２の検査手段によ
り、前記第２の欠陥の検出率を算出する第２の算出手段
と、前記第２の算出手段により算出された第２の欠陥の
検出率が任意に設定した欠陥の検出率を満たすか否かを
判断する第２の判断手段と、前記第２の判断手段により
前記算出された第２の欠陥の検出率が前記設定した欠陥
の検出率を満たすと判断された場合、前記第２の暫定検
査パラメータを第２の検査パラメータとして決定する第
２の決定手段と前記第１の検査パラメータと前記第２の
検査パラメータを調整して最適検査パラメータを決定す
る第３の決定手段とを含む。

【００１７】また、本発明の半導体検査装置は、高感度
の検査パラメータを用いて第１のウエハの欠陥を検査し
て高感度欠陥画像を作製する第１の作製手段と、前記作
製手段により作製された高感度欠陥画像を計算機内に保
存する保存手段と、前記作製手段により作製された高感
度欠陥画像を用いて、暫定的に暫定検査パラメータを選
択する選択手段と、前記選択手段により選択された暫定
検査パラメータを用いて、前記第１の作製手段により作
製された高感度欠陥画像の欠陥を検査して模擬欠陥画像
を作製する第２の作製手段と、前記高感度な検査パラメ
ータを用いて、前記第１のウエハと同様の製造工程にお
ける第２のウエハの欠陥検査を行う第１の検査手段と、
前記第１の検査手段により検査された第２のウエハの電
気的特性を測定し、電気的不良欠陥を有する電気的欠陥
画像を作製する第３の作製手段と、前記第２の作製手段
により作製された模擬欠陥画像と前記第３の作製手段に
より作製された電気的欠陥画像を比較する比較手段と、
前記比較手段により、前記電気的不良欠陥の捕捉率を算
出する第１の算出手段と、前記比較手段により、疑似欠
陥の検出率を算出する第２の算出手段と、前記第１の算
出手段により算出された電気的不良捕捉率及び前記第２
の算出手段により算出された疑似欠陥の検出率が、任意
に設定した電気的不良捕捉率及び疑似欠陥の検出率を満
たすか否かを判断する判断手段と、前記第１の算出手段
により算出された電気的不良捕捉率及び前記第２の算出
手段により算出された疑似欠陥の検出率が、前記任意に
設定した電気的不良捕捉率及び疑似欠陥の検出率を満た
すと判断された場合、前記暫定検査パラメータを最適検
査パラメータとして決定する決定手段とを含む。

【００１８】また、本発明の半導体検査装置は、検査対
象の製品パターン画像が記憶された第１のデータベース
と、前記第１のデータベースからパターン画像を選択す
る第１の選択手段と、検査対象の欠陥画像が記憶された
第２のデータベースと、前記第２のデータベースから欠
陥画像を選択する第２の選択手段と、前記第１の選択手
段により選択されたパターン画像と前記第２の選択手段
により選択された欠陥画像を合成して欠陥検査画像を作
製する第１の作製手段と、暫定的に暫定検査パラメータ
を選択する第３の選択手段と、前記第３の選択手段によ
り選択された暫定検査パラメータを用いて、前記第１の
作製手段により作製された欠陥検査画像の欠陥を検査す
る第１の検査手段と、前記第１の検査手段により、前記
欠陥の検出率を算出する第１の算出手段と、前記第１の
算出手段により算出された欠陥の検出率が任意に設定し
た欠陥の検出率を満たすか否かを判断する第１の判断手
段と、前記第１の判断手段により前記算出された欠陥の
検出率が前記設定した欠陥の検出率を満たすと判断され
た場合、前記暫定検査パラメータを検査パラメータとし
て決定する第１の決定手段と前記第１の決定手段により
決定された検査パラメータを用いて、第１のウエハの欠
陥を検査して高感度欠陥画像を作製する第２の作製手段
と、前記第２の作製手段により作製された高感度欠陥画
像を計算機内に保存する保存手段と、前記第１の決定手
段により決定された検査パラメータを用いて、前記第１
のウエハと同様の製造工程における第２のウエハの欠陥
検査を行う第２の検査手段と、前記第２の検査手段によ
り検査された第２のウエハの電気的特性を測定し、電気
的不良欠陥を有する電気的欠陥画像を作製する第３の作
製手段と、前記第２の作製手段により作製された高感度
欠陥画像と前記第３の作製手段により作製された電気的
欠陥画像を比較する比較手段と、前記比較手段により、
前記電気的不良欠陥の捕捉率を算出する第２の算出手段
と、前記比較手段により、疑似欠陥の検出率を算出する
第３の算出手段と、前記第２の算出手段により算出され
た電気的不良捕捉率及び前記第３の算出手段により算出
された疑似欠陥の検出率が、任意に設定した電気的不良
捕捉率及び疑似欠陥の検出率を満たすか否かを判断する
第２の判断手段と、前記第２の算出手段により算出され
た電気的不良捕捉率及び前記第３の算出手段により算出
された疑似欠陥の検出率が、前記任意に設定した電気的
不良捕捉率及び疑似欠陥の検出率を満たすと判断された
場合、前記検査パラメータを最適検査パラメータとして
決定する第２の決定手段とを含む。

【００１９】また、本発明の半導体検査装置は、検査対
象の製品パターン画像が記憶された第１のデータベース
と、前記第１のデータベースからパターン画像を選択す
る第１の選択手段と、検査対象の欠陥画像が記憶された
第２のデータベースと、前記第２のデータベースから第
１の欠陥画像を選択する第２の選択手段と、前記第１の
選択手段により選択されたパターン画像と前記第２の選
択手段により選択された第１の欠陥画像を合成して第１
の欠陥検査画像を作製する第１の作製手段と、暫定的に
第１の暫定検査パラメータを選択する第３の選択手段
と、前記第３の選択手段により選択された第１の暫定検
査パラメータを用いて、前記第１の作製手段により作製
された第１の欠陥検査画像の欠陥を検査する第１の検査
手段と、前記第１の検査手段により、前記第１の欠陥の
検出率を算出する第１の算出手段と、前記第１の算出手
段により算出された第１の欠陥の検出率が任意に設定し
た欠陥の検出率を満たすか否かを判断する第１の判断手
段と、前記第１の判断手段により前記算出された第１の
欠陥の検出率が前記設定した欠陥の検出率を満たすと判
断された場合、前記第１の暫定検査パラメータを第１の
検査パラメータとして決定する第１の決定手段と前記第
２のデータベースから第２の欠陥画像を選択する第４の
選択手段と、前記第１の選択手段により選択されたパタ
ーン画像と前記第４の選択手段により選択された第２の
欠陥画像を合成して第２の欠陥検査画像を作製する第２
の作製手段と、暫定的に第２の暫定検査パラメータを選
択する第５の選択手段と、前記第５の選択手段により選
択された第２の暫定検査パラメータを用いて、前記第２
の作製手段により作製された第２の欠陥検査画像の欠陥
を検査する第２の検査手段と、前記第２の検査手段によ
り、前記第２の欠陥の検出率を算出する第２の算出手段
と、前記第２の算出手段により算出された第２の欠陥の
検出率が任意に設定した欠陥の検出率を満たすか否かを
判断する第２の判断手段と、前記第２の判断手段により
前記算出された第２の欠陥の検出率が前記設定した欠陥
の検出率を満たすと判断された場合、前記第２の暫定検
査パラメータを第２の検査パラメータとして決定する第
２の決定手段と前記第１の検査パラメータと前記第２の
検査パラメータを調整して第３の検査パラメータを決定
する第３の決定手段と前記第３の決定手段により決定さ
れた第３の検査パラメータを用いて、第１のウエハの欠
陥を検査して高感度欠陥画像を作製する第３の作製手段
と、前記第３の作製手段により作製された高感度欠陥画
像を計算機内に保存する保存手段と、前記第３の決定手
段により決定された第３の検査パラメータを用いて、前
記第１のウエハと同様の製造工程における第２のウエハ
の欠陥検査を行う第３の検査手段と、前記第３の検査手
段により検査された第２のウエハの電気的特性を測定
し、電気的不良欠陥を有する電気的欠陥画像を作製する
第４の作製手段と、前記第３の作製手段により作製され
た高感度欠陥画像と前記第４の作製手段により作製され
た電気的欠陥画像を比較する比較手段と、前記比較手段
により、前記電気的不良欠陥の捕捉率を算出する第３の
算出手段と、前記比較手段により、疑似欠陥の検出率を
算出する第４の算出手段と、前記第３の算出手段により
算出された電気的不良捕捉率及び前記第４の算出手段に
より算出された疑似欠陥の検出率が、任意に設定した電
気的不良捕捉率及び疑似欠陥の検出率を満たすか否かを
判断する第３の判断手段と、前記第３の算出手段により
算出された電気的不良捕捉率及び前記第４の算出手段に
より算出された疑似欠陥の検出率が、前記任意に設定し
た電気的不良捕捉率及び疑似欠陥の検出率を満たすと判
断された場合、前記第３の検査パラメータを最適検査パ
ラメータとして決定する第４の決定手段とを含む。

【００２０】本発明の半導体検査方法は、検査対象の製
品パターン画像が記憶された第１のデータベースからパ
ターン画像を選択する第１の選択工程と、検査対象の欠
陥画像が記憶された第２のデータベースから欠陥画像を
選択する第２の選択工程と、前記第１の選択工程により
選択されたパターン画像と前記第２の選択工程により選
択された欠陥画像を合成して欠陥検査画像を作製する作
製工程と、暫定的に暫定検査パラメータを選択する第３
の選択工程と、前記第３の選択工程により選択された暫
定検査パラメータを用いて、前記作製工程により作製さ
れた欠陥検査画像の欠陥を検査する検査工程と、前記検
査工程により、前記欠陥の検出率を算出する算出工程
と、前記算出工程により算出された欠陥の検出率が任意
に設定した欠陥の検出率を満たすか否かを判断する判断
工程と、前記判断工程により前記算出された欠陥の検出
率が前記設定した欠陥の検出率を満たすと判断された場
合、前記暫定検査パラメータを最適検査パラメータとし
て決定する決定工程とを含む。

【００２１】また、本発明の半導体検査方法は、検査対
象の製品パターン画像が記憶された第１のデータベース
からパターン画像を選択する第１の選択工程と、検査対
象の欠陥画像が記憶された第２のデータベースから第１
の欠陥画像を選択する第２の選択工程と、前記第１の選
択工程により選択されたパターン画像と前記第２の選択
工程により選択された第１の欠陥画像を合成して第１の
欠陥検査画像を作製する第１の作製工程と、暫定的に第
１の暫定検査パラメータを選択する第３の選択工程と、
前記第３の選択工程により選択された第１の暫定検査パ
ラメータを用いて、前記第１の作製工程により作製され
た第１の欠陥検査画像の欠陥を検査する第１の検査工程
と、前記第１の検査工程により、前記第１の欠陥の検出
率を算出する第１の算出工程と、前記第１の算出工程に
より算出された第１の欠陥の検出率が任意に設定した欠
陥の検出率を満たすか否かを判断する第１の判断工程
と、前記第１の判断工程により前記算出された第１の欠
陥の検出率が前記設定した欠陥の検出率を満たすと判断
された場合、前記第１の暫定検査パラメータを第１の検
査パラメータとして決定する第１の決定工程と前記第２
のデータベースから第２の欠陥画像を選択する第４の選
択工程と、前記第１の選択工程により選択されたパター
ン画像と前記第４の選択工程により選択された第２の欠
陥画像を合成して第２の欠陥検査画像を作製する第２の
作製工程と、暫定的に第２の暫定検査パラメータを選択
する第５の選択工程と、前記第５の選択工程により選択
された第２の暫定検査パラメータを用いて、前記第２の
作製工程により作製された第２の欠陥検査画像の欠陥を
検査する第２の検査工程と、前記第２の検査工程によ
り、前記第２の欠陥の検出率を算出する第２の算出工程
と、前記第２の算出工程により算出された第２の欠陥の
検出率が任意に設定した欠陥の検出率を満たすか否かを
判断する第２の判断工程と、前記第２の判断工程により
前記算出された第２の欠陥の検出率が前記設定した欠陥
の検出率を満たすと判断された場合、前記第２の暫定検
査パラメータを第２の検査パラメータとして決定する第
２の決定工程と前記第１の検査パラメータと前記第２の
検査パラメータを調整して最適検査パラメータを決定す
る第３の決定工程とを含む。

【００２２】また、本発明の半導体検査方法は、高感度
の検査パラメータを用いて第１のウエハの欠陥を検査し
て高感度欠陥画像を作製する第１の作製工程と、前記作
製工程により作製された高感度欠陥画像を計算機内に保
存する保存工程と、前記作製工程により作製された高感
度欠陥画像を用いて、暫定的に暫定検査パラメータを選
択する選択工程と、前記選択工程により選択された暫定
検査パラメータを用いて、前記第１の作製工程により作
製された高感度欠陥画像の欠陥を検査して模擬欠陥画像
を作製する第２の作製工程と、前記高感度な検査パラメ
ータを用いて、前記第１のウエハと同様の製造工程にお
ける第２のウエハの欠陥検査を行う第１の検査工程と、
前記第１の検査工程により検査された第２のウエハの電
気的特性を測定し、電気的不良欠陥を有する電気的欠陥
画像を作製する第３の作製工程と、前記第２の作製工程
により作製された模擬欠陥画像と前記第３の作製工程に
より作製された電気的欠陥画像を比較する比較工程と、
前記比較工程により、前記電気的不良欠陥の捕捉率を算
出する第１の算出工程と、前記比較工程により、疑似欠
陥の検出率を算出する第２の算出工程と、前記第１の算
出工程により算出された電気的不良捕捉率及び前記第２
の算出工程により算出された疑似欠陥の検出率が、任意
に設定した電気的不良捕捉率及び疑似欠陥の検出率を満
たすか否かを判断する判断工程と、前記第１の算出工程
により算出された電気的不良捕捉率及び前記第２の算出
工程により算出された疑似欠陥の検出率が、前記任意に
設定した電気的不良捕捉率及び疑似欠陥の検出率を満た
すと判断された場合、前記暫定検査パラメータを最適検
査パラメータとして決定する決定工程とを含む。

【００２３】また、本発明の半導体検査方法は、検査対
象の製品パターン画像が記憶された第１のデータベース
からパターン画像を選択する第１の選択工程と、検査対
象の欠陥画像が記憶された第２のデータベースから欠陥
画像を選択する第２の選択工程と、前記第１の選択工程
により選択されたパターン画像と前記第２の選択工程に
より選択された欠陥画像を合成して欠陥検査画像を作製
する第１の作製工程と、暫定的に暫定検査パラメータを
選択する第３の選択工程と、前記第３の選択工程により
選択された暫定検査パラメータを用いて、前記第１の作
製工程により作製された欠陥検査画像の欠陥を検査する
第１の検査工程と、前記第１の検査工程により、前記欠
陥の検出率を算出する第１の算出工程と、前記第１の算
出工程により算出された欠陥の検出率が任意に設定した
欠陥の検出率を満たすか否かを判断する第１の判断工程
と、前記第１の判断工程により前記算出された欠陥の検
出率が前記設定した欠陥の検出率を満たすと判断された
場合、前記暫定検査パラメータを検査パラメータとして
決定する第１の決定工程と前記第１の決定工程により決
定された検査パラメータを用いて、第１のウエハの欠陥
を検査して高感度欠陥画像を作製する第２の作製工程
と、前記第２の作製工程により作製された高感度欠陥画
像を計算機内に保存する保存工程と、前記第１の決定工
程により決定された検査パラメータを用いて、前記第１
のウエハと同様の製造工程における第２のウエハの欠陥
検査を行う第２の検査工程と、前記第２の検査工程によ
り検査された第２のウエハの電気的特性を測定し、電気
的不良欠陥を有する電気的欠陥画像を作製する第３の作
製工程と、前記第２の作製工程により作製された高感度
欠陥画像と前記第３の作製工程により作製された電気的
欠陥画像を比較する比較工程と、前記比較工程により、
前記電気的不良欠陥の捕捉率を算出する第２の算出工程
と、前記比較工程により、疑似欠陥の検出率を算出する
第３の算出工程と、前記第２の算出工程により算出され
た電気的不良捕捉率及び前記第３の算出工程により算出
された疑似欠陥の検出率が、任意に設定した電気的不良
捕捉率及び疑似欠陥の検出率を満たすか否かを判断する
第２の判断工程と、前記第２の算出工程により算出され
た電気的不良捕捉率及び前記第３の算出工程により算出
された疑似欠陥の検出率が、前記任意に設定した電気的
不良捕捉率及び疑似欠陥の検出率を満たすと判断された
場合、前記検査パラメータを最適検査パラメータとして
決定する第２の決定工程とを含む。

【００２４】また、本発明の半導体検査方法は、検査対
象の製品パターン画像が記憶された第１のデータベース
からパターン画像を選択する第１の選択工程と、検査対
象の欠陥画像が記憶された第２のデータベースから第１
の欠陥画像を選択する第２の選択工程と、前記第１の選
択工程により選択されたパターン画像と前記第２の選択
工程により選択された第１の欠陥画像を合成して第１の
欠陥検査画像を作製する第１の作製工程と、暫定的に第
１の暫定検査パラメータを選択する第３の選択工程と、
前記第３の選択工程により選択された第１の暫定検査パ
ラメータを用いて、前記第１の作製工程により作製され
た第１の欠陥検査画像の欠陥を検査する第１の検査工程
と、前記第１の検査工程により、前記第１の欠陥の検出
率を算出する第１の算出工程と、前記第１の算出工程に
より算出された第１の欠陥の検出率が任意に設定した欠
陥の検出率を満たすか否かを判断する第１の判断工程
と、前記第１の判断工程により前記算出された第１の欠
陥の検出率が前記設定した欠陥の検出率を満たすと判断
された場合、前記第１の暫定検査パラメータを第１の検
査パラメータとして決定する第１の決定工程と前記第２
のデータベースから第２の欠陥画像を選択する第４の選
択工程と、前記第１の選択工程により選択されたパター
ン画像と前記第４の選択工程により選択された第２の欠
陥画像を合成して第２の欠陥検査画像を作製する第２の
作製工程と、暫定的に第２の暫定検査パラメータを選択
する第５の選択工程と、前記第５の選択工程により選択
された第２の暫定検査パラメータを用いて、前記第２の
作製工程により作製された第２の欠陥検査画像の欠陥を
検査する第２の検査工程と、前記第２の検査工程によ
り、前記第２の欠陥の検出率を算出する第２の算出工程
と、前記第２の算出工程により算出された第２の欠陥の
検出率が任意に設定した欠陥の検出率を満たすか否かを
判断する第２の判断工程と、前記第２の判断工程により
前記算出された第２の欠陥の検出率が前記設定した欠陥
の検出率を満たすと判断された場合、前記第２の暫定検
査パラメータを第２の検査パラメータとして決定する第
２の決定工程と前記第１の検査パラメータと前記第２の
検査パラメータを調整して第３の検査パラメータを決定
する第３の決定工程と前記第３の決定工程により決定さ
れた第３の検査パラメータを用いて、第１のウエハの欠
陥を検査して高感度欠陥画像を作製する第３の作製工程
と、前記第３の作製工程により作製された高感度欠陥画
像を計算機内に保存する保存工程と、前記第３の決定工
程により決定された第３の検査パラメータを用いて、前
記第１のウエハと同様の製造工程における第２のウエハ
の欠陥検査を行う第３の検査工程と、前記第３の検査工
程により検査された第２のウエハの電気的特性を測定
し、電気的不良欠陥を有する電気的欠陥画像を作製する
第４の作製工程と、前記第３の作製工程により作製され
た高感度欠陥画像と前記第４の作製工程により作製され
た電気的欠陥画像を比較する比較工程と、前記比較工程
により、前記電気的不良欠陥の捕捉率を算出する第３の
算出工程と、前記比較工程により、疑似欠陥の検出率を
算出する第４の算出工程と、前記第３の算出工程により
算出された電気的不良捕捉率及び前記第４の算出工程に
より算出された疑似欠陥の検出率が、任意に設定した電
気的不良捕捉率及び疑似欠陥の検出率を満たすか否かを
判断する第３の判断工程と、前記第３の算出工程により
算出された電気的不良捕捉率及び前記第４の算出工程に
より算出された疑似欠陥の検出率が、前記任意に設定し
た電気的不良捕捉率及び疑似欠陥の検出率を満たすと判
断された場合、前記第３の検査パラメータを最適検査パ
ラメータとして決定する第４の決定工程とを含む。

【００２５】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を以下に図面
を参照して説明する。

【００２６】［第１の実施例］図１に示すように、第１
の実施例の半導体検査装置は、記憶装置にデータベース
１４乃至１７を有し、図示せぬＣＰＵは、欠陥検査画像
作製手段１１と、模擬欠陥検査手段１２と、欠陥検査感
度設定手段１３とからなるソフトウエアを実行する。

【００２７】前記欠陥検査画像作製手段１１では、デー
タベース１４の製品パターン画像とデータベース１５の
欠陥画像とを合わせることにより、欠陥検査画像が作製
される。前記模擬欠陥検査手段１２は、この欠陥検査画
像を用いて、模擬欠陥検査を行い、欠陥情報がデータベ
ース１６に格納される。前記欠陥検査感度設定手段１３
は、前記模擬欠陥検査手段１２の結果を用いて、欠陥検
査感度である検査パラメータを設定する。この検査パラ
メータはデータベース１７に格納される。

【００２８】このような第１の実施例の詳細について、
図２に示すフローチャートを用いて説明する。

【００２９】まず、図３に示すように、製品パターン画
像のデータベースは、メモリのセルアレイやロジック
（図４（ａ）に示す）等の半導体製品２１の種類毎に、
素子分離パターン、ゲートパターン、メタル１パター
ン、メタル２パターン（図４（ｂ）に示す）等の半導体
製品を構成する各工程のパターン画像２２が欠陥検査装
置に取得される。ここで、各工程のパターン画像２２は
焦点距離２３の異なる画像をそれぞれ有する。このよう
に、製品パターン画像のデータベースとして、半導体製
品２１の種類毎に焦点距離２３の異なる種々のパターン
画像２２が用意される。従って、検査対象として例えば
セルアレイにおける素子分離パターンの焦点位置−２μ
ｍのパターン画像２４が選択される（ＳＴ１０１）。

【００３０】また、図５に示すように、欠陥画像のデー
タベースは、例えばダストのような欠陥（１）、例えば
傷のような欠陥（２）（図６（ａ）に示す）等の欠陥２
５の種類毎に、０．１μｍ、０．２μｍ、０．３μｍ、
０．４μｍ（図６（ｂ）に示す）等の各欠陥サイズの異
なる画像２６が欠陥検査装置に取得される。ここで、各
欠陥サイズの異なる画像２６は焦点距離２７の異なる画
像をそれぞれ有する。このように、欠陥画像のデータベ
ースとして、欠陥２５の種類毎に焦点距離２７の異なる
種々の欠陥サイズ２６の画像が用意される。従って、検
査対象として例えば欠陥（１）における欠陥サイズ０．
１μｍの焦点位置−２μｍの欠陥画像２８が選択される
（ＳＴ１０２）。

【００３１】次に、図７に示すように、画像を作成・加
工するプログラムソフトを用いて、選択されたパターン
画像２４と欠陥画像２８が合成され、製品のパターン上
に欠陥が存在している画像（以下、欠陥検査画像と称
す）２９が作製される（ＳＴ１０３）。

【００３２】次に、暫定的に暫定検査パラメータａが選
択される（ＳＴ１０４）。ここで、暫定検査パラメータ
ａとしては、例えばピクセルサイズ、しきい値、ノイズ
フィルタの強度、焦点距離、欠陥か否かのしきい値とな
る前記信号強度差の値等があげられる。

【００３３】次に、暫定検査パラメータａを用いて、模
擬的に欠陥検査画像２９の欠陥が検査される（ＳＴ１０
５）。

【００３４】ここで、この欠陥検査画像２９の欠陥検査
方法の詳細について、図８に示すフローチャートに沿っ
て説明する。

【００３５】まず、図９（ａ）に示すように、ＳＴ１０
３で作成した欠陥検査画像２９がピクセル画像で表示さ
れる（ＳＴ１２１）。次に、図９（ｂ）に示すように、
画素毎にピクセル画像が信号に変換される（ＳＴ１２
２）。ここで、例えば画像比較方式を用いた欠陥検査を
行う場合、例えば欠陥のない素子分離パターンのリファ
レンス画像（例えばパターン画像２４）が比較対象とし
て用意され、上記と同様に信号に変換される。その後、
図９（ｃ）に示すように、欠陥以外のノイズ信号がフィ
ルタによって除去される（ＳＴ１２３）。

【００３６】次に、図９（ｄ）に示すように、欠陥検査
画像２９とリファレンス画像（パターン画像２４）の同
一のパターン形状にあたる画素同士の信号強度が比較さ
れ、その信号強度の差が算出される（ＳＴ１２４）。そ
の後、図９（ｅ）に示すように、信号強度の差が既定値
以上となる画素が欠陥として検出される（ＳＴ１２
５）。

【００３７】次に、図９（ｆ）に示すように、検査のた
め画像をスキャンする時のステージの移動距離により、
欠陥の存在する画素の位置が抽出される。このようにし
て、欠陥検査画像２９上の欠陥箇所が抽出される（ＳＴ
１２６）。

【００３８】上記欠陥の検査方法を用いて、欠陥（１）
における対象画像の欠陥検査がそれぞれ行われる。ここ
で、対象画像としては、例えば欠陥サイズ０．１μｍの
焦点位置−１μｍの欠陥画像２８ａ、欠陥サイズ０．１
μｍの焦点位置０μｍの欠陥画像２８ｂ、欠陥サイズ
０．２μｍの焦点位置−０．２μｍの欠陥画像２８ｃ等
があげられる。その後、以下に示す式（１）より、欠陥
（１）における欠陥検出率が算出される（ＳＴ１０
６）。

【００３９】 欠陥検出率＝欠陥を検出できた対象画像数／対象画像数…（１） 次に、上記欠陥検出率が、以下に示す式（２）を満たす
か否かが判断される（ＳＴ１０７）。ここで、任意に設
定した検出率は８０％以上に限定されず、目的に応じて
種々変化する。

【００４０】欠陥検出率≧８０％…（２） その結果、式（２）を満たすと判断された場合、この際
用いた暫定検査パラメータａが検査パラメータＡとして
決定される（ＳＴ１０８）。また、式（２）を満たさな
いと判断された場合は、暫定検査パラメータａが再度選
択され（ＳＴ１０４）、再度模擬欠陥検査が実施され
（ＳＴ１０５）、式（２）を満たすまで繰り返される。

【００４１】次に、上記欠陥（１）と異なる欠陥（２）
の画像が検査対象として選択される（ＳＴ１０９）。そ
の後、ＳＴ１０３乃至ＳＴ１０８の工程と同様に、選択
された暫定検査パラメータｂを用いて模擬欠陥検査が行
われ、算出された欠陥検出率と設定された欠陥検出率
（例えば８０％）との比較により欠陥（２）における検
査パラメータＢが決定される（ＳＴ１１０乃至ＳＴ１１
５）。

【００４２】次に、欠陥（１）の検査パラメータＡと欠
陥（２）の検査パラメータＢが比較される。その結果、
欠陥（１）（２）の両方の欠陥検出率を満たす検査パラ
メータが選択又は調整され、例えば素子分離パターンに
おける欠陥検出用の最適検査パラメータＣが決定される
（ＳＴ１１６）。

【００４３】次に、決定した最適検査パラメータＣが欠
陥検査装置に登録され（ＳＴ１１７）、欠陥検出用の検
査パラメータの最適化が終了する（ＳＴ１１８）。

【００４４】以上のように、各半導体製品２１のパター
ン画像２２毎に、最適検査パラメータが決定される。

【００４５】上記第１の実施例によれば、作成した欠陥
検査画像２９を検査対象とするため、検査対象の欠陥情
報が既知である。従って、欠陥検査画像２９の既知の欠
陥情報を基準として欠陥検出の有無を判断することがで
きる。このため、欠陥検査者の知識等に左右されことな
く、正確な最適検査パラメータを設定することが可能で
ある。

【００４６】また、欠陥検出率を設定しているため、最
適検査パラメータを決定するための判断値が明確であ
る。従って、最適検査パラメータの決定に個人差が生じ
ることを防止できる。

【００４７】また、パラメータの検討は計算機内等で行
われ、欠陥検査装置を用いることなく最適検査パラメー
タを決定できる。このため、欠陥検査装置を占有するの
は、決定した最適検査パラメータを欠陥検査装置に入力
する場合のみである（ＳＴ１１７）。従って、最適検査
パラメータの検討の終了までにかかる欠陥検査装置の占
有時間は約２０分に短縮できる。

【００４８】［第２の実施例］図１０に示すように、第
２の実施例の半導体検査装置は、記憶装置にデータベー
ス３７乃至４０を有し、図示せぬＣＰＵは、欠陥検査手
段３１と、欠陥画像データ取得手段３２と、模擬欠陥検
査手段３３と、電気特性取得手段３４と、相関計算手段
３５と、欠陥検査感度設定手段３６とからなるソフトウ
エアを実行する。

【００４９】前記欠陥検査手段３１はウエハの欠陥検査
を行う。前記欠陥画像データ取得手段３２は欠陥画像を
取得し、この欠陥画像のデータはデータベース３７に格
納される。前記模擬欠陥検査手段３３は、この欠陥画像
を用いて、模擬欠陥検査を行い、欠陥情報がデータベー
ス３８に格納される。前記電気特性取得手段３４は、前
記ウエハと同一のウエハを用いて、このウエハの電気特
性を測定して電気的欠陥座標を取得する。この電気的欠
陥座標の情報はデータベース３９に格納される。前記相
関計算手段３５は、欠陥画像と電気的欠陥座標の欠陥を
比較するために相関計算を行う。前記欠陥検査感度設定
手段３６は、前記相関計算手段３５の結果を用いて、欠
陥検査感度である検査パラメータを設定する。この検査
パラメータはデータベース４０に格納される。

【００５０】このような第２の実施例の詳細について、
図１１に示すフローチャートを用いて説明する。

【００５１】まず、ウエハが製造装置に投入され（ＳＴ
２０５）、パターンを有するサンプルウエハが作製され
る（ＳＴ２０６）。

【００５２】次に、疑似欠陥（例えば堆積された金属膜
等の表面に存在したグレインによる欠陥）を多数含むよ
うなレベルの高感度の検査パラメータを設定する。これ
により、図１２（ａ）に示すように、例えば画像比較方
式による欠陥検査装置を用いて前記サンプルウエハの欠
陥４１が検出され（ＳＴ２０１）、高感度欠陥画像及び
座標４２が作製される。ここで、検査パラメータを高感
度に設定するのは、なるべく多くの実欠陥（例えばダス
トや傷による欠陥）を捕捉するためである。また、欠陥
４１は、疑似欠陥と実欠陥を含み、実欠陥は、製品不良
に影響を及ぼす悪性欠陥と影響を及ぼさない良性欠陥を
含んでいる。

【００５３】次に、高感度欠陥画像及び座標４２が電子
計算機内に保存される（ＳＴ２０２）。ここで、画像比
較方式による欠陥検査を行う場合は、高感度欠陥画像及
び座標４２の画像に対するリファレンス画像も保存され
る。リファレンス画像としては、欠陥が存在しない高感
度欠陥画像及び座標４２の画像と同様のパターンを有す
る画像が用いられる。

【００５４】次に、計算機内に保存した高感度欠陥画像
及び座標４２を用いて、暫定的に暫定検査パラメータａ
が選択される（ＳＴ２０３）。ここで、暫定検査パラメ
ータａとしては、例えばピクセルサイズ、しきい値、ノ
イズフィルタの強度、焦点距離、欠陥か否かのしきい値
となる前記信号強度差の値等があげられる。尚、ＳＴ２
０３工程では高感度の検査を行う必要はないため、暫定
検査パラメータａはＳＴ２０１工程時に設定したパラメ
ータと異なるパラメータを設定してもよい。

【００５５】次に、図８、９に示す第１の実施例の模擬
欠陥検査（ＳＴ１０５）の方法と同様に、模擬欠陥検査
が行われ（ＳＴ２０４）、欠陥が抽出される。その結
果、図１２（ｂ）に示すように、模擬欠陥座標４３が作
製される。この際、高感度検査による欠陥４１は全て検
出されるわけではなく、模擬欠陥座標４３には模擬検査
により対象外とされた欠陥４４が存在する。

【００５６】次に、前記サンプルウエハと同一のウエハ
を用いて、このウエハの電気的特性を測定する方法につ
いて説明する。

【００５７】まず、電気的特性の測定ができる状態ま
で、上記サンプルウエハが作製される（ＳＴ２０７）。

【００５８】次に、サンプルウエハの電気的特性の測定
が行われる（ＳＴ２０８）。ここで、電気的測定の例と
しては、ＴＥＧ（Test Element Group）による電気特性
の測定、あるいは半導体メモリのフェイルビットマップ
の作製等があげられる。その結果、図１２（ｃ）に示す
ように、電気的不良欠陥４５を有する電気的欠陥座標４
６が作製され、この電気的不良結果がデータベースに格
納される（ＳＴ２０９）。

【００５９】次に、模擬欠陥座標４３の欠陥４１と電気
的欠陥座標４６の欠陥４５が比較される（ＳＴ２１
０）。この比較方法としては、図１２（ｄ）に示すよう
に、模擬欠陥座標４３と電気的欠陥座標４６を重ね合わ
せることにより、重ね合わせ欠陥４７が作製される。こ
の重ね合わせ欠陥４７には、欠陥４１と電気的不良欠陥
４５が重なり合うため検出できた電気的不良欠陥（検出
可能欠陥）４８、欠陥４１と電気的不良欠陥４５が重な
り合わないため検出できなかった電気的不良欠陥（検出
不可能欠陥）４９、欠陥４１と電気的不良欠陥４５が重
なり合わないため検出できなかった疑似欠陥５０が存在
する。

【００６０】次に、以下に示す式（３）より、電気的不
良欠陥の捕捉率が算出される（ＳＴ２１１）。

【００６１】 電気的不良捕捉率＝電気的検出可能欠陥数／（電気的検出可能欠陥数＋電気的 検出不可能欠陥数）…（３） 次に、以下に示す式（４）より、疑似欠陥検出率が算出
される（ＳＴ２１２）。

【００６２】 疑似欠陥検出率＝疑似欠陥数／模擬検査検出欠陥数…（４） 次に、算出した電気的不良捕捉率及び疑似欠陥検出率
が、以下に示す式（５）（６）を満たすか否かが判断さ
れる（ＳＴ２１３）。ここで、任意に設定した電気的不
良捕捉率は８０％以上に限定されず、目的に応じて種々
変化する。同様に、任意に設定した疑似欠陥検出率は１
０％以上に限定されず、目的に応じて種々変化する。

【００６３】電気的不良捕捉率≧８０％…（５） 疑似欠陥検出率≦１０％…（６） その結果、式（５）（６）を満たすと判断された場合、
この際用いた暫定検査パラメータａが最適検査パラメー
タＡとして決定される（ＳＴ２１４）。また、式（５）
（６）を満たしていないと判断された場合は、暫定検査
パラメータａを再度選択して（ＳＴ２０３）、再度模擬
欠陥検査を実施し（ＳＴ２０４）、式（５）（６）を満
たすまで繰り返される。

【００６４】その後、決定した最適検査パラメータＡを
欠陥検査装置に登録し（ＳＴ２１５）、欠陥検出用の検
査パラメータの最適化が終了する（ＳＴ２１６）。

【００６５】上記第２の実施例によれば、前記第１の実
施例と同様の効果を得ることができる。

【００６６】さらに、第２の実施例は、電気特性測定に
よって作製された電気的欠陥座標４６を参照して、最適
検査パラメータＡを決定する。このため、検出不可能欠
陥４９や疑似欠陥５０のようなノイズ欠陥を検出でき
る。従って、このようなノイズ欠陥を排除できる検査パ
ラメータの設定が可能である。

【００６７】［第３の実施例］本発明の第３の実施例
は、第１の実施例と第２の実施例を組み合わせた実施例
である。従って、第３の実施例は、第１、第２の実施例
と同様の工程は省略し、異なる工程のみ説明する。

【００６８】図１３に示すように、第３の実施例の半導
体検査装置は、第１及び第２の実施例と同様に、記憶装
置にデータベース５９乃至６４を有し、図示せぬＣＰＵ
は、欠陥検査画像作製手段５１と、模擬欠陥検査手段５
２と、欠陥検査感度設定手段５３と、欠陥検査手段５４
と、欠陥画像データ取得手段５５と、電気特性取得手段
５６と、相関計算手段５７と、欠陥検査感度設定手段５
８とからなるソフトウエアを実行する。各手段の概要
は、第１及び第２の実施例と同様であるため説明は省略
する。

【００６９】このような第３の実施例の詳細について、
図１４、図１５に示すフローチャートを用いて説明す
る。

【００７０】まず、図１４に示すように、第１の実施例
と同様に、欠陥検査の検査パラメータＣを決定し、欠陥
検査装置に登録する（ＳＴ３０１乃至ＳＴ３１７）。

【００７１】次に、図１５に示すように、決定した検査
パラメータＣを用いて、欠陥検査が行われ（ＳＴ３１
８）、高感度欠陥画像及び座標が作製される。この高感
度欠陥画像及び座標が電子計算機内に保存される（ＳＴ
３１９）。また、同一のウエハを用いて電気的特性が測
定され、電気的欠陥座標４６が作製される（ＳＴ３２０
乃至ＳＴ３２４）。次に、高感度欠陥画像及び座標の座
標の欠陥と電気的欠陥座標が比較される（ＳＴ３２
５）。

【００７２】その後、第２の実施例と同様に、最適検査
パラメータＤを決定し、欠陥検査装置に登録する（ＳＴ
３２６乃至ＳＴ３３１）。ここで、ＳＴ３２８工程にお
いて、電気的不良捕捉率及び疑似欠陥検出率が条件を満
たしていないと判断された場合、別の検査パラメータＣ
が再度決定される（ＳＴ３１６）。

【００７３】上記第３の実施例によれば、前記第１及び
第２の実施例と同様の効果が得られる。さらに、第１の
実施例による検査パラメータを用いるため、電気的不良
捕捉率及び疑似欠陥率の設定値を満たす検査パラメータ
の決定が容易になる。

【００７４】尚、本発明は、上記第１乃至第３の実施例
に限定されるものではない。例えば、欠陥検査装置とし
ては、画像比較方式の検査装置に限らず、例えば散乱光
方式の検査装置を用いてもよい。

【００７５】その他、本発明は、その要旨を逸脱しない
範囲で、種々変形して実施することが可能である。

【００７６】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、欠
陥検査者の知識等に左右されることのない正確な欠陥検
査パラメータを決定することができる半導体検査装置及
び半導体検査方法を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例を示すブロック図。

【図２】本発明の第１の実施例を示すフローチャート。

【図３】製品パターン画像のデータベースを示す図。

【図４】製品パターン画像の具体例を示す図。

【図５】欠陥画像のデータベースを示す図。

【図６】欠陥画像の具体例を示す図。

【図７】欠陥検査画像の作成方法を示す図。

【図８】欠陥検出方法を示すフローチャート。

【図９】欠陥検出方法を示す図。

【図１０】本発明の第２の実施例を示すブロック図。

【図１１】本発明の第２の実施例を示すフローチャー
ト。

【図１２】重ね合わせ画像の作成方法を示す図。

【図１３】本発明の第３の実施例を示すブロック図。

【図１４】本発明の第３の実施例を示すフローチャー
ト。

【図１５】図１４に続く、本発明の第３の実施例を示す
フローチャート。

【図１６】図１６（ａ）は従来技術による欠陥検出装置
を示す構成図、図１６（ｂ）は欠陥検査方法を示す図。

【図１７】画像比較方式の欠陥検出方法を示す図。

【図１８】画像比較方式の欠陥検出方法を示す図。

【図１９】従来の欠陥検出方法を示すフローチャート。

【符号の説明】

１１、５１…欠陥検査画像作製手段、 １２、３３、５２…模擬欠陥検査手段、 １３、３６、５３…欠陥検査感度設定手段、 １４、１５、１６、１７、３７、３８、３９、４０、５
９、６０、６１、６２、６３、６４…データベース、 ２１…半導体製品、 ２２…半導体製品を構成する各工程のパターン画像、 ２３…焦点距離、 ２４…パターン画像、 ２５…欠陥、 ２６…欠陥サイズ、 ２７…焦点距離、 ２８…欠陥画像、 ２９…欠陥検査画像、 ３１…欠陥検査手段、 ３２…欠陥画像データ取得手段、 ３４…電気特性取得手段、 ３５…相関計算手段、 ４１…高感度検査による欠陥、 ４２…高感度欠陥画像及び座標、 ４３…模擬欠陥座標、 ４４…対象外とされた欠陥、 ４５…電気的不良欠陥、 ４６…電気的欠陥座標、 ４７…重ね合わせ欠陥、 ４８…欠陥検出できた電気的不良欠陥（検出可能欠
陥）、 ４９…欠陥検出できなかった電気的不良欠陥（検出不可
能欠陥）、 ５０…疑似欠陥。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2G051 AA51 AB02 AB07 AC02 DA06 EA08 EA14 EA23 EB01 EB02 EC01 EC02 EC06 ED07 GC20 GD05 4M106 AA01 BA14 CA38 DJ15 DJ17 DJ19 DJ20 DJ21

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 検査対象の製品パターン画像が記憶され
   た第１のデータベースと、 前記第１のデータベースからパターン画像を選択する第
   １の選択手段と、 検査対象の欠陥画像が記憶された第２のデータベース
   と、 前記第２のデータベースから欠陥画像を選択する第２の
   選択手段と、 前記第１の選択手段により選択されたパターン画像と前
   記第２の選択手段により選択された欠陥画像を合成して
   欠陥検査画像を作製する作製手段と、 暫定的に暫定検査パラメータを選択する第３の選択手段
   と、 前記第３の選択手段により選択された暫定検査パラメー
   タを用いて、前記作製手段により作製された欠陥検査画
   像の欠陥を検査する検査手段と、 前記検査手段により、前記欠陥の検出率を算出する算出
   手段と、 前記算出手段により算出された欠陥の検出率が任意に設
   定した欠陥の検出率を満たすか否かを判断する判断手段
   と、 前記判断手段により前記算出された欠陥の検出率が前記
   設定した欠陥の検出率を満たすと判断された場合、前記
   暫定検査パラメータを最適検査パラメータとして決定す
   る決定手段とを含むことを特徴とする半導体検査装置。
2. 【請求項２】 検査対象の製品パターン画像が記憶され
   た第１のデータベースと、 前記第１のデータベースからパターン画像を選択する第
   １の選択手段と、 検査対象の欠陥画像が記憶された第２のデータベース
   と、 前記第２のデータベースから第１の欠陥画像を選択する
   第２の選択手段と、 前記第１の選択手段により選択されたパターン画像と前
   記第２の選択手段により選択された第１の欠陥画像を合
   成して第１の欠陥検査画像を作製する第１の作製手段
   と、 暫定的に第１の暫定検査パラメータを選択する第３の選
   択手段と、 前記第３の選択手段により選択された第１の暫定検査パ
   ラメータを用いて、前記第１の作製手段により作製され
   た第１の欠陥検査画像の欠陥を検査する第１の検査手段
   と、 前記第１の検査手段により、前記第１の欠陥の検出率を
   算出する第１の算出手段と、 前記第１の算出手段により算出された第１の欠陥の検出
   率が任意に設定した欠陥の検出率を満たすか否かを判断
   する第１の判断手段と、 前記第１の判断手段により前記算出された第１の欠陥の
   検出率が前記設定した欠陥の検出率を満たすと判断され
   た場合、前記第１の暫定検査パラメータを第１の検査パ
   ラメータとして決定する第１の決定手段と前記第２のデ
   ータベースから第２の欠陥画像を選択する第４の選択手
   段と、 前記第１の選択手段により選択されたパターン画像と前
   記第４の選択手段により選択された第２の欠陥画像を合
   成して第２の欠陥検査画像を作製する第２の作製手段
   と、 暫定的に第２の暫定検査パラメータを選択する第５の選
   択手段と、 前記第５の選択手段により選択された第２の暫定検査パ
   ラメータを用いて、前記第２の作製手段により作製され
   た第２の欠陥検査画像の欠陥を検査する第２の検査手段
   と、 前記第２の検査手段により、前記第２の欠陥の検出率を
   算出する第２の算出手段と、 前記第２の算出手段により算出された第２の欠陥の検出
   率が任意に設定した欠陥の検出率を満たすか否かを判断
   する第２の判断手段と、 前記第２の判断手段により前記算出された第２の欠陥の
   検出率が前記設定した欠陥の検出率を満たすと判断され
   た場合、前記第２の暫定検査パラメータを第２の検査パ
   ラメータとして決定する第２の決定手段と前記第１の検
   査パラメータと前記第２の検査パラメータを調整して最
   適検査パラメータを決定する第３の決定手段とを含むこ
   とを特徴とする半導体検査装置。
3. 【請求項３】 高感度の検査パラメータを用いて第１の
   ウエハの欠陥を検査して高感度欠陥画像を作製する第１
   の作製手段と、 前記作製手段により作製された高感度欠陥画像を計算機
   内に保存する保存手段と、 前記作製手段により作製された高感度欠陥画像を用い
   て、暫定的に暫定検査パラメータを選択する選択手段
   と、 前記選択手段により選択された暫定検査パラメータを用
   いて、前記第１の作製手段により作製された高感度欠陥
   画像の欠陥を検査して模擬欠陥画像を作製する第２の作
   製手段と、 前記高感度な検査パラメータを用いて、前記第１のウエ
   ハと同様の製造工程における第２のウエハの欠陥検査を
   行う第１の検査手段と、 前記第１の検査手段により検査された第２のウエハの電
   気的特性を測定し、電気的不良欠陥を有する電気的欠陥
   画像を作製する第３の作製手段と、 前記第２の作製手段により作製された模擬欠陥画像と前
   記第３の作製手段により作製された電気的欠陥画像を比
   較する比較手段と、 前記比較手段により、前記電気的不良欠陥の捕捉率を算
   出する第１の算出手段と、 前記比較手段により、疑似欠陥の検出率を算出する第２
   の算出手段と、 前記第１の算出手段により算出された電気的不良捕捉率
   及び前記第２の算出手段により算出された疑似欠陥の検
   出率が、任意に設定した電気的不良捕捉率及び疑似欠陥
   の検出率を満たすか否かを判断する判断手段と、 前記第１の算出手段により算出された電気的不良捕捉率
   及び前記第２の算出手段により算出された疑似欠陥の検
   出率が、前記任意に設定した電気的不良捕捉率及び疑似
   欠陥の検出率を満たすと判断された場合、前記暫定検査
   パラメータを最適検査パラメータとして決定する決定手
   段とを含むことを特徴とする半導体検査装置。
4. 【請求項４】 検査対象の製品パターン画像が記憶され
   た第１のデータベースと、 前記第１のデータベースからパターン画像を選択する第
   １の選択手段と、 検査対象の欠陥画像が記憶された第２のデータベース
   と、 前記第２のデータベースから欠陥画像を選択する第２の
   選択手段と、 前記第１の選択手段により選択されたパターン画像と前
   記第２の選択手段により選択された欠陥画像を合成して
   欠陥検査画像を作製する第１の作製手段と、 暫定的に暫定検査パラメータを選択する第３の選択手段
   と、 前記第３の選択手段により選択された暫定検査パラメー
   タを用いて、前記第１の作製手段により作製された欠陥
   検査画像の欠陥を検査する第１の検査手段と、 前記第１の検査手段により、前記欠陥の検出率を算出す
   る第１の算出手段と、 前記第１の算出手段により算出された欠陥の検出率が任
   意に設定した欠陥の検出率を満たすか否かを判断する第
   １の判断手段と、 前記第１の判断手段により前記算出された欠陥の検出率
   が前記設定した欠陥の検出率を満たすと判断された場
   合、前記暫定検査パラメータを検査パラメータとして決
   定する第１の決定手段と前記第１の決定手段により決定
   された検査パラメータを用いて、第１のウエハの欠陥を
   検査して高感度欠陥画像を作製する第２の作製手段と、 前記第２の作製手段により作製された高感度欠陥画像を
   計算機内に保存する保存手段と、 前記第１の決定手段により決定された検査パラメータを
   用いて、前記第１のウエハと同様の製造工程における第
   ２のウエハの欠陥検査を行う第２の検査手段と、 前記第２の検査手段により検査された第２のウエハの電
   気的特性を測定し、電気的不良欠陥を有する電気的欠陥
   画像を作製する第３の作製手段と、 前記第２の作製手段により作製された高感度欠陥画像と
   前記第３の作製手段により作製された電気的欠陥画像を
   比較する比較手段と、 前記比較手段により、前記電気的不良欠陥の捕捉率を算
   出する第２の算出手段と、 前記比較手段により、疑似欠陥の検出率を算出する第３
   の算出手段と、 前記第２の算出手段により算出された電気的不良捕捉率
   及び前記第３の算出手段により算出された疑似欠陥の検
   出率が、任意に設定した電気的不良捕捉率及び疑似欠陥
   の検出率を満たすか否かを判断する第２の判断手段と、 前記第２の算出手段により算出された電気的不良捕捉率
   及び前記第３の算出手段により算出された疑似欠陥の検
   出率が、前記任意に設定した電気的不良捕捉率及び疑似
   欠陥の検出率を満たすと判断された場合、前記検査パラ
   メータを最適検査パラメータとして決定する第２の決定
   手段とを含むことを特徴とする半導体検査装置。
5. 【請求項５】 検査対象の製品パターン画像が記憶され
   た第１のデータベースと、 前記第１のデータベースからパターン画像を選択する第
   １の選択手段と、 検査対象の欠陥画像が記憶された第２のデータベース
   と、 前記第２のデータベースから第１の欠陥画像を選択する
   第２の選択手段と、 前記第１の選択手段により選択されたパターン画像と前
   記第２の選択手段により選択された第１の欠陥画像を合
   成して第１の欠陥検査画像を作製する第１の作製手段
   と、 暫定的に第１の暫定検査パラメータを選択する第３の選
   択手段と、 前記第３の選択手段により選択された第１の暫定検査パ
   ラメータを用いて、前記第１の作製手段により作製され
   た第１の欠陥検査画像の欠陥を検査する第１の検査手段
   と、 前記第１の検査手段により、前記第１の欠陥の検出率を
   算出する第１の算出手段と、 前記第１の算出手段により算出された第１の欠陥の検出
   率が任意に設定した欠陥の検出率を満たすか否かを判断
   する第１の判断手段と、 前記第１の判断手段により前記算出された第１の欠陥の
   検出率が前記設定した欠陥の検出率を満たすと判断され
   た場合、前記第１の暫定検査パラメータを第１の検査パ
   ラメータとして決定する第１の決定手段と 前記第２のデータベースから第２の欠陥画像を選択する
   第４の選択手段と、 前記第１の選択手段により選択されたパターン画像と前
   記第４の選択手段により選択された第２の欠陥画像を合
   成して第２の欠陥検査画像を作製する第２の作製手段
   と、 暫定的に第２の暫定検査パラメータを選択する第５の選
   択手段と、 前記第５の選択手段により選択された第２の暫定検査パ
   ラメータを用いて、前記第２の作製手段により作製され
   た第２の欠陥検査画像の欠陥を検査する第２の検査手段
   と、 前記第２の検査手段により、前記第２の欠陥の検出率を
   算出する第２の算出手段と、 前記第２の算出手段により算出された第２の欠陥の検出
   率が任意に設定した欠陥の検出率を満たすか否かを判断
   する第２の判断手段と、 前記第２の判断手段により前記算出された第２の欠陥の
   検出率が前記設定した欠陥の検出率を満たすと判断され
   た場合、前記第２の暫定検査パラメータを第２の検査パ
   ラメータとして決定する第２の決定手段と前記第１の検
   査パラメータと前記第２の検査パラメータを調整して第
   ３の検査パラメータを決定する第３の決定手段と前記第
   ３の決定手段により決定された第３の検査パラメータを
   用いて、第１のウエハの欠陥を検査して高感度欠陥画像
   を作製する第３の作製手段と、 前記第３の作製手段により作製された高感度欠陥画像を
   計算機内に保存する保存手段と、 前記第３の決定手段により決定された第３の検査パラメ
   ータを用いて、前記第１のウエハと同様の製造工程にお
   ける第２のウエハの欠陥検査を行う第３の検査手段と、 前記第３の検査手段により検査された第２のウエハの電
   気的特性を測定し、電気的不良欠陥を有する電気的欠陥
   画像を作製する第４の作製手段と、 前記第３の作製手段により作製された高感度欠陥画像と
   前記第４の作製手段により作製された電気的欠陥画像を
   比較する比較手段と、 前記比較手段により、前記電気的不良欠陥の捕捉率を算
   出する第３の算出手段と、 前記比較手段により、疑似欠陥の検出率を算出する第４
   の算出手段と、 前記第３の算出手段により算出された電気的不良捕捉率
   及び前記第４の算出手段により算出された疑似欠陥の検
   出率が、任意に設定した電気的不良捕捉率及び疑似欠陥
   の検出率を満たすか否かを判断する第３の判断手段と、 前記第３の算出手段により算出された電気的不良捕捉率
   及び前記第４の算出手段により算出された疑似欠陥の検
   出率が、前記任意に設定した電気的不良捕捉率及び疑似
   欠陥の検出率を満たすと判断された場合、前記第３の検
   査パラメータを最適検査パラメータとして決定する第４
   の決定手段とを含むことを特徴とする半導体検査装置。
6. 【請求項６】 検査対象の製品パターン画像が記憶され
   た第１のデータベースからパターン画像を選択する第１
   の選択工程と、 検査対象の欠陥画像が記憶された第２のデータベースか
   ら欠陥画像を選択する第２の選択工程と、 前記第１の選択工程により選択されたパターン画像と前
   記第２の選択工程により選択された欠陥画像を合成して
   欠陥検査画像を作製する作製工程と、 暫定的に暫定検査パラメータを選択する第３の選択工程
   と、 前記第３の選択工程により選択された暫定検査パラメー
   タを用いて、前記作製工程により作製された欠陥検査画
   像の欠陥を検査する検査工程と、 前記検査工程により、前記欠陥の検出率を算出する算出
   工程と、 前記算出工程により算出された欠陥の検出率が任意に設
   定した欠陥の検出率を満たすか否かを判断する判断工程
   と、 前記判断工程により前記算出された欠陥の検出率が前記
   設定した欠陥の検出率を満たすと判断された場合、前記
   暫定検査パラメータを最適検査パラメータとして決定す
   る決定工程とを含むことを特徴とする半導体検査方法。
7. 【請求項７】 検査対象の製品パターン画像が記憶され
   た第１のデータベースからパターン画像を選択する第１
   の選択工程と、 検査対象の欠陥画像が記憶された第２のデータベースか
   ら第１の欠陥画像を選択する第２の選択工程と、 前記第１の選択工程により選択されたパターン画像と前
   記第２の選択工程により選択された第１の欠陥画像を合
   成して第１の欠陥検査画像を作製する第１の作製工程
   と、 暫定的に第１の暫定検査パラメータを選択する第３の選
   択工程と、 前記第３の選択工程により選択された第１の暫定検査パ
   ラメータを用いて、前記第１の作製工程により作製され
   た第１の欠陥検査画像の欠陥を検査する第１の検査工程
   と、 前記第１の検査工程により、前記第１の欠陥の検出率を
   算出する第１の算出工程と、 前記第１の算出工程により算出された第１の欠陥の検出
   率が任意に設定した欠陥の検出率を満たすか否かを判断
   する第１の判断工程と、 前記第１の判断工程により前記算出された第１の欠陥の
   検出率が前記設定した欠陥の検出率を満たすと判断され
   た場合、前記第１の暫定検査パラメータを第１の検査パ
   ラメータとして決定する第１の決定工程と前記第２のデ
   ータベースから第２の欠陥画像を選択する第４の選択工
   程と、 前記第１の選択工程により選択されたパターン画像と前
   記第４の選択工程により選択された第２の欠陥画像を合
   成して第２の欠陥検査画像を作製する第２の作製工程
   と、 暫定的に第２の暫定検査パラメータを選択する第５の選
   択工程と、 前記第５の選択工程により選択された第２の暫定検査パ
   ラメータを用いて、前記第２の作製工程により作製され
   た第２の欠陥検査画像の欠陥を検査する第２の検査工程
   と、 前記第２の検査工程により、前記第２の欠陥の検出率を
   算出する第２の算出工程と、 前記第２の算出工程により算出された第２の欠陥の検出
   率が任意に設定した欠陥の検出率を満たすか否かを判断
   する第２の判断工程と、 前記第２の判断工程により前記算出された第２の欠陥の
   検出率が前記設定した欠陥の検出率を満たすと判断され
   た場合、前記第２の暫定検査パラメータを第２の検査パ
   ラメータとして決定する第２の決定工程と前記第１の検
   査パラメータと前記第２の検査パラメータを調整して最
   適検査パラメータを決定する第３の決定工程とを含むこ
   とを特徴とする半導体検査方法。
8. 【請求項８】 高感度の検査パラメータを用いて第１の
   ウエハの欠陥を検査して高感度欠陥画像を作製する第１
   の作製工程と、 前記作製工程により作製された高感度欠陥画像を計算機
   内に保存する保存工程と、 前記作製工程により作製された高感度欠陥画像を用い
   て、暫定的に暫定検査パラメータを選択する選択工程
   と、 前記選択工程により選択された暫定検査パラメータを用
   いて、前記第１の作製工程により作製された高感度欠陥
   画像の欠陥を検査して模擬欠陥画像を作製する第２の作
   製工程と、 前記高感度な検査パラメータを用いて、前記第１のウエ
   ハと同様の製造工程における第２のウエハの欠陥検査を
   行う第１の検査工程と、 前記第１の検査工程により検査された第２のウエハの電
   気的特性を測定し、電気的不良欠陥を有する電気的欠陥
   画像を作製する第３の作製工程と、 前記第２の作製工程により作製された模擬欠陥画像と前
   記第３の作製工程により作製された電気的欠陥画像を比
   較する比較工程と、 前記比較工程により、前記電気的不良欠陥の捕捉率を算
   出する第１の算出工程と、 前記比較工程により、疑似欠陥の検出率を算出する第２
   の算出工程と、 前記第１の算出工程により算出された電気的不良捕捉率
   及び前記第２の算出工程により算出された疑似欠陥の検
   出率が、任意に設定した電気的不良捕捉率及び疑似欠陥
   の検出率を満たすか否かを判断する判断工程と、 前記第１の算出工程により算出された電気的不良捕捉率
   及び前記第２の算出工程により算出された疑似欠陥の検
   出率が、前記任意に設定した電気的不良捕捉率及び疑似
   欠陥の検出率を満たすと判断された場合、前記暫定検査
   パラメータを最適検査パラメータとして決定する決定工
   程とを含むことを特徴とする半導体検査方法。
9. 【請求項９】 検査対象の製品パターン画像が記憶され
   た第１のデータベースからパターン画像を選択する第１
   の選択工程と、 検査対象の欠陥画像が記憶された第２のデータベースか
   ら欠陥画像を選択する第２の選択工程と、 前記第１の選択工程により選択されたパターン画像と前
   記第２の選択工程により選択された欠陥画像を合成して
   欠陥検査画像を作製する第１の作製工程と、 暫定的に暫定検査パラメータを選択する第３の選択工程
   と、 前記第３の選択工程により選択された暫定検査パラメー
   タを用いて、前記第１の作製工程により作製された欠陥
   検査画像の欠陥を検査する第１の検査工程と、 前記第１の検査工程により、前記欠陥の検出率を算出す
   る第１の算出工程と、 前記第１の算出工程により算出された欠陥の検出率が任
   意に設定した欠陥の検出率を満たすか否かを判断する第
   １の判断工程と、 前記第１の判断工程により前記算出された欠陥の検出率
   が前記設定した欠陥の検出率を満たすと判断された場
   合、前記暫定検査パラメータを検査パラメータとして決
   定する第１の決定工程と前記第１の決定工程により決定
   された検査パラメータを用いて、第１のウエハの欠陥を
   検査して高感度欠陥画像を作製する第２の作製工程と、 前記第２の作製工程により作製された高感度欠陥画像を
   計算機内に保存する保存工程と、 前記第１の決定工程により決定された検査パラメータを
   用いて、前記第１のウエハと同様の製造工程における第
   ２のウエハの欠陥検査を行う第２の検査工程と、 前記第２の検査工程により検査された第２のウエハの電
   気的特性を測定し、電気的不良欠陥を有する電気的欠陥
   画像を作製する第３の作製工程と、 前記第２の作製工程により作製された高感度欠陥画像と
   前記第３の作製工程により作製された電気的欠陥画像を
   比較する比較工程と、 前記比較工程により、前記電気的不良欠陥の捕捉率を算
   出する第２の算出工程と、 前記比較工程により、疑似欠陥の検出率を算出する第３
   の算出工程と、 前記第２の算出工程により算出された電気的不良捕捉率
   及び前記第３の算出工程により算出された疑似欠陥の検
   出率が、任意に設定した電気的不良捕捉率及び疑似欠陥
   の検出率を満たすか否かを判断する第２の判断工程と、 前記第２の算出工程により算出された電気的不良捕捉率
   及び前記第３の算出工程により算出された疑似欠陥の検
   出率が、前記任意に設定した電気的不良捕捉率及び疑似
   欠陥の検出率を満たすと判断された場合、前記検査パラ
   メータを最適検査パラメータとして決定する第２の決定
   工程とを含むことを特徴とする半導体検査方法。
10. 【請求項１０】 検査対象の製品パターン画像が記憶さ
    れた第１のデータベースからパターン画像を選択する第
    １の選択工程と、 検査対象の欠陥画像が記憶された第２のデータベースか
    ら第１の欠陥画像を選択する第２の選択工程と、 前記第１の選択工程により選択されたパターン画像と前
    記第２の選択工程により選択された第１の欠陥画像を合
    成して第１の欠陥検査画像を作製する第１の作製工程
    と、 暫定的に第１の暫定検査パラメータを選択する第３の選
    択工程と、 前記第３の選択工程により選択された第１の暫定検査パ
    ラメータを用いて、前記第１の作製工程により作製され
    た第１の欠陥検査画像の欠陥を検査する第１の検査工程
    と、 前記第１の検査工程により、前記第１の欠陥の検出率を
    算出する第１の算出工程と、 前記第１の算出工程により算出された第１の欠陥の検出
    率が任意に設定した欠陥の検出率を満たすか否かを判断
    する第１の判断工程と、 前記第１の判断工程により前記算出された第１の欠陥の
    検出率が前記設定した欠陥の検出率を満たすと判断され
    た場合、前記第１の暫定検査パラメータを第１の検査パ
    ラメータとして決定する第１の決定工程と前記第２のデ
    ータベースから第２の欠陥画像を選択する第４の選択工
    程と、 前記第１の選択工程により選択されたパターン画像と前
    記第４の選択工程により選択された第２の欠陥画像を合
    成して第２の欠陥検査画像を作製する第２の作製工程
    と、 暫定的に第２の暫定検査パラメータを選択する第５の選
    択工程と、 前記第５の選択工程により選択された第２の暫定検査パ
    ラメータを用いて、前記第２の作製工程により作製され
    た第２の欠陥検査画像の欠陥を検査する第２の検査工程
    と、 前記第２の検査工程により、前記第２の欠陥の検出率を
    算出する第２の算出工程と、 前記第２の算出工程により算出された第２の欠陥の検出
    率が任意に設定した欠陥の検出率を満たすか否かを判断
    する第２の判断工程と、 前記第２の判断工程により前記算出された第２の欠陥の
    検出率が前記設定した欠陥の検出率を満たすと判断され
    た場合、前記第２の暫定検査パラメータを第２の検査パ
    ラメータとして決定する第２の決定工程と前記第１の検
    査パラメータと前記第２の検査パラメータを調整して第
    ３の検査パラメータを決定する第３の決定工程と前記第
    ３の決定工程により決定された第３の検査パラメータを
    用いて、第１のウエハの欠陥を検査して高感度欠陥画像
    を作製する第３の作製工程と、 前記第３の作製工程により作製された高感度欠陥画像を
    計算機内に保存する保存工程と、 前記第３の決定工程により決定された第３の検査パラメ
    ータを用いて、前記第１のウエハと同様の製造工程にお
    ける第２のウエハの欠陥検査を行う第３の検査工程と、 前記第３の検査工程により検査された第２のウエハの電
    気的特性を測定し、電気的不良欠陥を有する電気的欠陥
    画像を作製する第４の作製工程と、 前記第３の作製工程により作製された高感度欠陥画像と
    前記第４の作製工程により作製された電気的欠陥画像を
    比較する比較工程と、 前記比較工程により、前記電気的不良欠陥の捕捉率を算
    出する第３の算出工程と、 前記比較工程により、疑似欠陥の検出率を算出する第４
    の算出工程と、 前記第３の算出工程により算出された電気的不良捕捉率
    及び前記第４の算出工程により算出された疑似欠陥の検
    出率が、任意に設定した電気的不良捕捉率及び疑似欠陥
    の検出率を満たすか否かを判断する第３の判断工程と、 前記第３の算出工程により算出された電気的不良捕捉率
    及び前記第４の算出工程により算出された疑似欠陥の検
    出率が、前記任意に設定した電気的不良捕捉率及び疑似
    欠陥の検出率を満たすと判断された場合、前記第３の検
    査パラメータを最適検査パラメータとして決定する第４
    の決定工程とを含むことを特徴とする半導体検査方法。