JP2003086644A

JP2003086644A - 構造化されていないウエーハを検査するための装置及び方法

Info

Publication number: JP2003086644A
Application number: JP2002238234A
Authority: JP
Inventors: Joachim Wienecke; ヴィーンエッケヨアヒム; Kuno Backhaus; バックハウスクノ
Original assignee: Leica Microsystems Jena GmbH; Leica Microsystems CMS GmbH
Current assignee: Leica Microsystems CMS GmbH; KLA Tencor MIE Jena GmbH
Priority date: 2001-08-22
Filing date: 2002-08-19
Publication date: 2003-03-20
Also published as: US7084965B2; DE10141051A1; US20030038932A1

Abstract

(57)【要約】【課題】ウエーハにおいて出来るだけ全ての欠陥を迅
速に発見し、欠陥として判定し得る装置及び方法を創作
する。【解決手段】基準ウエーハ（Ｒ）を調査するための第
１光学検査装置（２）が含まれ、この装置が、画像デー
タ処理の方式で作動し、基準ウエーハの欠陥を検出する
ために用いられること、散乱光測定装置（３）が含ま
れ、この装置が、基準ウエーハに基づき、欠陥検出のた
めの少なくとも１つの閾値を確定することにより較正さ
れていて、検査すべきウエーハ（Ｗ）で閾値が超過され
ている箇所を記録するための手段（６）を有すること、
第２光学検査装置（４）が含まれ、この装置が、閾値超
過が確認された箇所においてだけ、検査すべきウエーハ
を調査するために設けられていて、分類装置を有し、こ
の装置が画像データ処理の方式で閾値超過を分類するこ
と。また、対応的な方法が提供される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、好ましくは構造化
されていないウエーハを検査するための装置、並びに、
ウエーハを検査するための方法に関する。本発明は、特
にエピタキシャル欠陥の検出に適している。

【０００２】

【従来の技術】ウエーハの製造においては、ウエーハか
ら製造すべき構成部品の機能を後になって多大に損なわ
せる又はこれらの構成部品を使用不可能にしてしまう欠
陥がウエーハの表面上に発生し得る。このことに関連
し、中でもウエーハの結晶構造内の欠陥、特にエピタキ
シャル層内の欠陥が不都合であるとされている（所謂、
エピタキシャル欠陥である）。

【０００３】エピタキシャル欠陥は、例えばシリコン層
内で結晶成長の障害の結果として発生する。その原因
は、多くの場合、エピタキシャル層の製造時の結晶成長
が速すぎることにあり、エピタキシャル層は、例えば、
ほぼ１１５０℃の温度でトリクロロシランを使用するＣ
ＶＤ法により堆積される。また、汚染もエピタキシャル
欠陥の原因となり得る。

【０００４】製造すべき構成部品に対する影響のため
に、前記の欠陥の発生を回避すること、又は、このこと
が多くの場合には十分な信頼性をもって成されないので
ウエーハに存在する欠陥の正確な数と位置を知ることに
関心が集まっている。この際、通常、８インチの直径を
有するウエーハでは最大でほぼ３つの欠陥が容認され、
それらの大きさは数十μｍに至るまでの領域内に位置す
る。

【０００５】エピタキシャル欠陥を検出するためには、
エレクトロケミカル・ソサエティー・プロシーディング
（Electrochemical Society Proceeding、97/22巻、438
頁以降）で発表された論文「エピタキシャル・シリコン
・ウエーハ上の欠陥の識別（Discrimination of defect
s on epitaxial silison wafers）」において、様々な
方法と装置が開示されている。

【０００６】例えば、構造化されていないウエーハを、
光学検査装置、例えば顕微鏡を用いて調査することが知
られている。そのために、実質的には、検査すべきウエ
ーハの全表面が、構成部品の製造のために利用されない
極めて幅の狭い縁領域を除き、スキャンされる。

【０００７】この際に獲得される画像データは、周知の
画像データ処理を用い、欠陥の有無に関して調査され
る。しかし、これらの処理方式には、発生し得る欠陥の
空間的な延びが極めて小さいので、極めて多くの時間が
かかる。その結果、１枚の８インチウエーハの画像デー
タを解析するためには数時間が必要とされてしまう。従
って、原則的に構造化されていないウエーハが欠陥の有
無に関して十分な精度で検査されるが、この方法は、ウ
エーハをチェックするための莫大な時間要求に基づき、
大規模生産に適するものではない。

【０００８】それゆえ、そこでは所謂散乱光測定装置が
使用され、これらの散乱光測定装置を用いてウエーハに
おける局部的な散乱光強度が確認される。このための時
間要求はより少なくて済むが、例えば上記の刊行物に記
載される実際の調査は、この種の装置或いは方法を用い
ても全てのエピタキシャル欠陥が発見されるわけではな
いことを示している。この調査では最善の場合で全ての
エピタキシャル欠陥の９６％が認識されている。この
際、散乱光法では、エピタキシャル欠陥と、非エピタキ
シャル欠陥と、ノイズ信号、即ち見かけ上の欠陥とが区
別され得ないということも考慮されなくてはならない。

【０００９】このことは次のことを意味する。即ち、散
乱光調査では結局のところ欠陥の存在ではなく閾値の超
過だけが確認され、この閾値超過が何に由来するのかと
いう情報が提供されることはないということである。従
って、欠陥の分類は不可能である。更に、これらの調査
は、散乱光法を用い、実際に存在するよりも少なくとも
遥かに多くの欠陥が提示され、また他方では欠陥が見落
とされるということを示している。

【００１０】それにより上記の刊行物では、ウエーハを
先ず散乱光測定装置を用いて調査し、閾値超過の箇所を
記録し、これらの箇所を引き続いて光学検査装置で詳細
に調査することが提案されている。この際、最後に述べ
た段階では同時に欠陥の分類も行われ得る。閾値超過の
箇所に対して後検査を制限することにより、全ウエーハ
の調査にとって長くかかりすぎる微視的調査が、原則的
にはウエーハの大規模生産に適する検査法に組み込まれ
る。この際、閾値超過を伴う１つの箇所における後検査
のための時間は、ほぼ１秒の大きさである。従って、全
方法の精度と効率は、散乱光測定装置において確認され
た閾値超過の数に依存する。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】この点より、本発明の
基礎を成す課題は、好ましくは構造化されていないウエ
ーハにおいて出来るだけ全ての欠陥を迅速に発見し、こ
れらを欠陥として判定し得る装置及び方法を創作するこ
とである。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明に従い、次のもの
を含む、ウエーハを検査するための装置が提案される：
先ず、基準ウエーハを調査するための第１光学検査装置
であり、この第１光学検査装置は、画像データ処理の方
式で作動し、それにより基準ウエーハにおける欠陥が検
出される。次に、散乱光測定装置であり、この散乱光測
定装置は、基準ウエーハを用い、検査すべきウエーハに
おける欠陥を検出するための少なくとも１つの閾値を確
定することにより較正されていて、検査すべきウエーハ
のための閾値超過の箇所を記録するための手段を有す
る。更に、第２光学検査装置であり、この第２光学検査
装置は、閾値超過が確認される箇所においてだけ、検査
すべきウエーハを調査するためのものであり、分類装置
も備えていて、この分類装置は、画像データ処理の方式
で閾値超過が分類され得るように構成されている。散乱
光測定装置と第２光学検査装置は好ましくは生産ライン
内で相前後して位置するステーションとして配設されて
いて、それに対して第１光学検査装置は生産ライン外に
配設されている。

【００１３】本発明による装置は、次のステップを有す
る、構造化されていないウエーハを検査するための方法
を可能にする：先ず、基準ウエーハのオフライン・調査
であり、この際、画像データ処理の方式で基準ウエーハ
の欠陥が検出される。次に、散乱光測定装置の較正であ
り、この較正は、基準ウエーハを用い、欠陥を検出する
ための少なくとも１つの閾値を確定することにより行わ
れる。次に、散乱光測定装置を用いた検査すべきウエー
ハのインライン・調査と閾値超過の箇所の記録である。
更に、閾値超過が確認される箇所における、検査すべき
ウエーハのインライン・調査であり、この際、欠陥を分
類するために画像データ処理の方式が使用される。

【００１４】前記の装置も方法も、構造化されていない
ウエーハにおけるエピタキシャル欠陥の検出に特に適し
ている。

【００１５】本発明は、基準ウエーハを使って認められ
た欠陥に基づいて散乱光測定装置を較正することによ
り、散乱光測定時に得られる結果の最適化を可能にす
る。基準ウエーハを使用し、欠陥信号を生成するための
閾値が散乱光測定装置において次のように最適化され
る。即ち、一方では、閾値超過を引き起こす全ての欠陥
が認識され、他方では、ノイズ信号、即ち見かけ上の欠
陥の数が少なく維持されるようにである。従って、後に
続く第２光学検査装置において検査すべき箇所の数が少
なく保たれ、それにより、全体として迅速な欠陥検知と
信頼性のある欠陥判定が可能となる。

【００１６】分類装置を用いることにより、認められた
欠陥が様々な原因に割り当てられ得る。特に、結晶構造
の欠陥或いはエピタキシャル欠陥を確実に決定し、それ
らの位置と、場合によってはそれらのタイプをも、夫々
のウエーハに割り当てられているリスト内に出力するこ
とが可能であり、このリストは、ウエーハのための品質
証明書として用いられる。

【００１７】生産ラインでは装置が散乱光測定装置と第
２光学検査装置だけなので、ウエーハの大きな処理量が
実現される。各ウエーハはこれらの両方の調査ステップ
を通過する。各ウエーハはこのようにして迅速に鑑定さ
れ、各ウエーハには個別の証明書が設けられ得る。

【００１８】それに対し、第１光学検査装置は「オフラ
イン」即ち実際の生産ライン外で使用される。それによ
り第１光学検査装置は、複数の異なる生産ラインと接続
しても使用され得る。

【００１９】結晶欠陥或いはエピタキシャル欠陥の位置
決定を特に高い精度で行うためには、１つの閾値或いは
複数の閾値が散乱光測定装置において次のように設定さ
れる。即ち、基準ウエーハに存在する各欠陥が閾値超過
を導くようにである。その結果として極めて高い確実性
が得られるので、実際にウエーハに存在する各結晶欠陥
或いは各エピタキシャル欠陥も発見される。

【００２０】本発明による装置の有利な構成では、散乱
光測定装置と光学検査装置が空間的に互いに離れて配設
されている。このことは、複数のウエーハの平行調査を
可能にし、それにより、検査すべきウエーハの特に大き
な処理量が実現可能である。好ましくは、散乱光測定装
置を用いた調査、及び／又は、確認された閾値超過を有
する箇所の調査が自動で実施される、このことは同様に
大きな処理量レートに寄与する。

【００２１】この意味では、散乱光測定装置を用いたイ
ンライン・調査、及び、第２光学検査装置における閾値
超過を伴う箇所のインライン・調査を、生産ラインの作
業サイクルと同期させることは更に有利である。このこ
とは、品質監視と証明段階が組み込まれた連続的な製造
プロセスを可能にする。

【００２２】有利には、検査すべき各ウエーハのための
閾値超過の箇所が自動でリスト内に記録される。その
後、このリストは、後に続く第２光学検査装置に引き渡
される。リストという概念はここでは広く理解されるべ
きである。この概念は特に全ての種類のデータセットを
含み、これらのデータセットは、確認された閾値超過と
ウエーハにおいてそれに付属する箇所との間の割り当て
を表している。

【００２３】このリストに基づき、該当する箇所が第２
光学検査装置において処理対象とされて更に詳細に調査
される。そのために第２光学検査装置の分類装置は、好
ましくは、確認された夫々の類がリスト内に記録されて
いる箇所に割り当てられ、夫々の箇所に割り当てられた
ものとして記録されるように構成されている。これらの
類は例えば欠陥タイプに対応されていて、それにより、
様々な結晶欠陥或いはエピタキシャル欠陥が互いに区別
される。それに加え、他の欠陥タイプ、及び、ノイズ信
号、即ち見かけ上の欠陥のために追加的な類が設けられ
得る。

【００２４】分類のためには、画像データ処理において
慣用の方式が使用され、これらの慣用の方式は、例えば
ファジー・ロジック又はニューロン・ネットワークに基
づいている。この際、画像データ処理のための入力値と
して、局部的な明るさの値が主に用いられる。これらの
値が互いに関連付けられると、例えば、確認された欠陥
の明るさの差異及び色の差異、空間的な延び、更にはそ
の形状に基づき、夫々の欠陥タイプに関する情報が導き
出される。この際、対応する特徴の組み合わせが類を定
義するために使用され得る。

【００２５】閾値超過の夫々の箇所に対し、確認された
類を割り当てることにより、ウエーハに存在する欠陥に
関する詳細情報が獲得される。この正確な知識を用い、
以前は失格と見なされるべきであったウエーハを少なく
とも部分的に電子構成部品の製造のために更に使用する
ことも考慮可能である。

【００２６】散乱光測定装置の較正を改善するために、
欠陥のタイプが基準ウエーハにおいて考慮されると有利
である。それにより、有利には基準ウエーハのオフライ
ン・調査時には既に欠陥の分類が行われる。好ましくは
オフライン・調査及びインライン・調査時に同じ基準で
或いは同じ評価アルゴリズムで分類が行われる。

【００２７】

【発明の実施の形態】次に、図面に示されている実施形
態に基づき、本発明を更に詳細に説明する。図１の図面
には、構造化されていないウエーハを検査するための装
置が描かれている。

【００２８】図１には装置１が図示されていて、この装
置１を用い、エピタキシャル・シリコン層内の結晶欠
陥、即ち所謂エピタキシャル欠陥がシリコン基板上で確
認され得る。この関連で、図１には、連続式又は準連続
式の例えばバッチ処理によるウエーハ製造における互い
に依存しない２つの生産ラインＰ及びＰ’が例として示
されている。

【００２９】また、この実施形態では、ウエーハＷの検
査のために注目される領域だけが、この領域に設けられ
たインライン・調査のための装置と共に示されている。

【００３０】装置１は、その最小機器構成において、
「オフライン」即ち生産ラインＰ或いはＰ’外に配設さ
れている第１光学検査装置２と、「インライン」即ち生
産ラインＰ及び／又はＰ’内に配設されている散乱光測
定装置３と、生産ラインＰ及び／又はＰ’内においてウ
エーハの搬送方向で散乱光測定装置３の後に設けられて
いる第２光学検査装置４とを含む。

【００３１】検査すべきウエーハＷが散乱光測定装置３
及び第２光学検査装置４を夫々通過している間、第１光
学検査装置２は基準ウエーハＲを調査するために用いら
れる。原則的にこれらの基準ウエーハＲは、生産物から
任意に取り出された検査すべきウエーハＷであり得る。

【００３２】このように選び出された基準ウエーハＲは
第１光学検査装置２において欠陥に関して完全に調査さ
れる。この調査は、調査すべき箇所が多いことに基づ
き、画像データ処理の方式を使用しながら通常は自動で
行われる。評価或いは分類は例えば予め設定されている
基準に基づいて行われ得るが、この調査が個々の欠陥の
「マニュアル」の評価を不可能にしてしまうことはな
い。

【００３３】描かれている実施形態において第１光学検
査装置２は自動画像認識を伴う顕微鏡である。画像認識
のためには例えばビデオカメラが使用され、このビデオ
カメラを用い、顕微鏡及び適切な送り装置と共に作用
し、基準ウエーハＲにおいて注目すべき全領域が、期待
される欠陥の領域内の解像度、即ち１μｍから数十μｍ
に至るまでの大きさで継続的にスキャンされる。

【００３４】スキャンプロセス中に得られる画像データ
は、リアルタイム、即ち出来るだけ大きなシステム速度
で処理される。このことは、夫々の極めて小さい部分の
様子だけを写し出すウエーハの各画像がビデオカメラの
サイクルで分類装置５において欠陥に関して分析される
ことを意味する。そのために分類装置５には様々なタイ
プの欠陥が保存されていて、これらの欠陥は、個々の特
徴により定義されているが、好ましくは特徴の組み合わ
せにより定義されている。

【００３５】欠陥タイプは例えば固定式でプリプログラ
ミングされ得て、この際、欠陥の明るさ情報及び色情
報、並びに大きさと形状が基準として考慮される。ま
た、ファジー・ロジック又はニューロン・ネットワーク
を基礎にした類定義も可能である。特にニューロン・ネ
ットワークを介することにより、周知の欠陥を使った分
類装置５の教育が極めて良好に可能である。

【００３６】基準ウエーハＲを完全に調査するために
は、８インチの直径の場合、上述の寸法を有する欠陥を
分類するためにリアルタイム・画像処理が行われるにも
係らず、数時間が必要であるので、第１光学検査装置２
は基準ウエーハＲを分析するためだけに使用される。し
かし、それにより、基準ウエーハＲに関し、更なる処理
のために注目されるウエーハの全ての面に渡って極めて
正確な欠陥の記述が得られることになる。

【００３７】基準ウエーハＲは散乱光測定装置３の較正
のために用いられる。この種の装置は一般的に周知であ
るので、所謂当業者のために更に詳細な説明はここでは
必要ないだろう。この種の装置は、検査すべきウエーハ
Ｗから到来する光における明るさの強さを認識して分析
するという原理に基礎を置いている。この際、装置タイ
プに応じ、異なるパラメータが設定され得る。従って、
欠陥のない領域のために期待される値からの偏倚が確認
され得る。

【００３８】この実施形態では、各閾値超過に対し、ウ
エーハＷにおいて今調査された箇所が記録され、そのた
めに適切な手段６が設けられている。閾値の設定は基準
ウエーハＲを使って行われ、この際、特に、基準ウエー
ハ６において認められた欠陥が調査される。基準ウエー
ハＲを使い、出来るだけ危険な欠陥だけが閾値超過を導
くように閾値が設定されるが、この際、他方では、基準
ウエーハＲに存在する各欠陥が閾値超過を導くことが保
証される。中でも結晶構造欠陥或いはエピタキシャル欠
陥がウエーハの有用性に強く影響を及ぼすので、この実
施形態では閾値の設定が先ずはこの種の欠陥の検出に向
けられている。しかしながら原則的には、基準ウエーハ
Ｒに関連する的を絞った閾値設定を介し、散乱光測定装
置３を他の欠陥タイプに対して最善の状態にすることも
可能である。

【００３９】このケースでは各結晶構造欠陥或いは各エ
ピタキシャル欠陥のために閾値超過が望まれているの
で、インライン・検査の際には散乱光測定装置３におい
て差し当たり他の欠陥又はノイズ信号に基づく閾値超過
も容認される。これらは、その後、後置されている第２
光学検査装置４で更に詳細に調査される。

【００４０】散乱光測定装置３とは空間的に離れて配設
されている第２光学検査装置４は、検査すべきウエーハ
Ｗのインライン・調査のために、散乱光測定装置３を用
いて閾値超過が確認された箇所だけに用いられる。対応
的な位置情報は第２光学検査装置４にリストの形式で伝
達される。

【００４１】このリスト、例えばデータセットに基づ
き、前記の箇所がウエーハにおいて的を絞って処理対象
とされて更に詳細に調査される。そのために第２光学検
査装置４はここでは再び顕微鏡として形成されていて、
この顕微鏡は、自動画像認識装置、例えば他のビデオカ
メラと共に作用する。それに加え、第２光学検査装置４
は、認識された画像データを欠陥タイプに関して画像デ
ータ処理の方式で分析するため、また、それにより確認
された閾値超過を分類するために、電子計算記憶装置の
形式の分類装置７を含む。

【００４２】この際、処理方式は、第１光学検査装置２
の分類装置５において基準ウエーハＲにおける欠陥を分
類する場合の処理方式に対応するが、この際、リアルタ
イム処理が優先されるのではなく、散乱光測定装置３の
リスト内に記録されている閾値超過の出来るだけ確実な
分類が優先される。確認された夫々の類は、リスト内に
挙げられている箇所に割り当てられ、夫々の箇所に割り
当てられたものとして記録される。それから結果として
得られる最終的な欠陥リストは、その後、検査されたウ
エーハＷを証明するために用いられ、この証明は、ウエ
ーハＷに存在する結晶構造欠陥或いはエピタキシャル欠
陥の数と位置を提示する。それに加え、最終的な欠陥リ
ストには追加的に欠陥タイプが記録され得る。即ち、例
えば異なる種類の結晶構造欠陥或いはエピタキシャル欠
陥の区別が行われ得る。

【００４３】前述の装置を用いることにより、連続的な
生産ライン或いは連続的な製造において個々の夫々のウ
エーハのための欠陥リストを完全自動式で生成すること
が可能である。この際、複数の生産ラインＰ及びＰ’も
並行して稼動され得る。このことは図１に例として示さ
れている。この場合、散乱光測定装置３及び第２光学検
査装置４は、図１では符号３’と４’で示されているよ
うに、多重に設けられている。それに対し、第１光学検
査装置２は原則的に１つだけが必要とされる。生産ライ
ンＰ或いはＰ’における全検査プロセスは自動化されて
進行し、生産ラインの作業サイクルと同期されている。

【００４４】前述の装置及びそれに付属する方法は、構
造化されていないウエーハにおける全ての欠陥を迅速に
見つけ出し且つそれらを欠陥として判定することを可能
にする。

【図面の簡単な説明】

【図１】構造化されていないウエーハを検査するための
装置を示す図である。

【符号の説明】

１装置２光学検査装置３、３’ 散乱光測定装置４、４’ 光学検査装置５分類装置６手段７分類装置Ｐ、Ｐ’ 生産ラインＲ基準ウエーハＷウエーハ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者ヨアヒムヴィーンエッケドイツ連邦共和国デー・07747 イェーナリーゼロッテ・ヘルマン・シュトラーセ 14ベー (72)発明者クノバックハウスドイツ連邦共和国デー・07751 ツェルニッツインデアザルシュゲ１Ｆターム(参考） 4M106 AA01 BA04 CA41 DB21

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ウエーハを検査するための装置（１）、特
に、構造化されていないウエーハにおけるエピタキシャ
ル欠陥を検出するための装置（１）において、 − 当該装置（１）が、基準ウエーハ（Ｒ）を調査する
ための第１光学検査装置（２）を含み、この第１光学検
査装置（２）が、画像データ処理の方式で作動し、基準
ウエーハ（Ｒ）における欠陥を検出するために用いられ
ること、 − 当該装置（１）が散乱光測定装置（３）を含み、こ
の散乱光測定装置（３）が、基準ウエーハ（Ｒ）に基づ
き、欠陥検出のために用いられる少なくとも１つの閾値
を確定することにより較正されていて、更に、検査すべ
きウエーハ（Ｗ）において閾値が超過されている箇所を
記録するための手段（６）を有すること、及び、 − 当該装置（１）が第２光学検査装置（４）を含み、
この第２光学検査装置（４）が、閾値超過が確認された
箇所においてだけ、検査すべきウエーハ（Ｗ）を調査す
るために設けられていて、更に、分類装置を有し、この
分類装置が画像データ処理の方式で閾値超過を分類する
ことを特徴とする装置。
【請求項２】散乱光測定装置（３）と第２光学検査装置
（４）が生産ライン（Ｐ）内で相前後して位置するステ
ーションとして配設されていて、それに対して第１光学
検査装置（２）が生産ライン（Ｐ）外に配設されている
ことを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項３】１つの閾値或いは複数の閾値が、基準ウエ
ーハ（Ｒ）に存在する各欠陥が閾値超過を導くように選
択されていることを特徴とする、請求項１又は２に記載
の装置。
【請求項４】散乱光測定装置（３）におけるインライン
・調査、及び、第２光学検査装置（４）における閾値超
過を伴う箇所のインライン・調査が、生産ライン（Ｐ）
の作業サイクルと同期されていることを特徴とする、請
求項１〜３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項５】ウエーハを検査するための方法、特に、構
造化されていないウエーハにおけるエピタキシャル欠陥
を検出するための方法において、次のステップを有する
ことを特徴とする方法： − 基準ウエーハ（Ｒ）のオフライン・調査であり、こ
こでは画像データ処理の方式で基準ウエーハ（Ｒ）にお
ける欠陥が検出される、 − 基準ウエーハ（Ｒ）に基づく、欠陥を検出するため
の少なくとも１つの閾値を確定することによる散乱光測
定装置の較正、 − 散乱光測定装置を用いた検査すべきウエーハ（Ｗ）
のインライン・調査、及び、閾値超過の箇所の記録、 − 画像データ処理の方式を用いた、閾値超過が確認さ
れる箇所における検査すべきウエーハ（Ｗ）のインライ
ン・調査であり、ここでは欠陥が分類される。