JP2001085451A - 半導体装置の組立装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の組立装置及び半導体装置の製造方法

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JP2001085451A
JP2001085451A JP25883699A JP25883699A JP2001085451A JP 2001085451 A JP2001085451 A JP 2001085451A JP 25883699 A JP25883699 A JP 25883699A JP 25883699 A JP25883699 A JP 25883699A JP 2001085451 A JP2001085451 A JP 2001085451A
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Japan
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semiconductor chip
wafer
chip
wafer holder
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JP25883699A
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Hiroshi Watanabe
宏 渡辺
Takahiro Furuhashi
隆宏 古橋
Shigeo Ono
樹生 小野
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Hitachi Ltd
Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc
Original Assignee
Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd
Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 種々の実装方式に対応可能とし、且つウェハ
の大径化に対処するために装置の小型化を可能にする。 【解決手段】 半導体チップがウェハ時の状態で固定さ
れているウェハリングをチップ供給位置にてウェハホル
ダに保持し、このウェハホルダをY方向に移動させ、チ
ップ供給位置まで移動したウェハホルダに固定された半
導体チップを突き上げる突き上げユニットと、突き上げ
られた半導体チップを吸着するコレットとをX方向に多
点移動させる。更に、前記コレットに吸着した半導体チ
ップをマウントステージに移送する。更に、前記マウン
トステージに移送した半導体チップをボンディングヘッ
ドによってフレームの上面にボンディングする。或い
は、前記マウントステージをボンディング位置に移動さ
せ、該マウントステージと荷重ヘッドとによって、半導
体チップをフレームの下面にボンディングする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の組立
てに関し、特に、大径ウェハを用いて製造した半導体チ
ップのダイボンディングに適用して有効な技術に関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】半導体装置では、単結晶シリコン等のウ
ェハに複数のパターンを一括して形成し、夫々のパター
ン毎に切断して、個々の半導体チップに分離している。
【0003】分離された半導体チップは、実装方式によ
って例えばリードフレーム、テープ基板等(以下、単に
フレームともいう)に固定するダイボンディング及びワ
イヤボンディング、更に樹脂封止等が行なわれ半導体装
置となる。近年、半導体装置は、各種の用途に用いられ
ており、こうした用途の拡がりに応じて夫々適した実装
方式が選択されることから、同種の半導体チップに種々
の実装方式が用いられ、このためダイボンディングにも
種々の方式が採用されている。
【0004】半導体装置の実装方式としては、リードフ
レームのタブに半導体チップの裏面(回路形成面の反対
面)を接着し、半導体チップのボンディングパッドとリ
ードフレームのリードとをボンディングワイヤによって
接続する従来から広く用いられてきた方式(以下、ノー
マルボンディングという)の他に、主に封止体の小型化
を目的として半導体チップの回路形成面にリードを接着
するLOC(Lead OnChip)、或いは半導体チップをテ
ープ等のインターポーザに固定するCSP(Chip Size
Package)があり、CSPではインターポーザに半導体
チップの回路形成面を固定する場合と裏面を固定する場
合とがある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】また、CSPでは、イ
ンターポーザとしてテープを用いる場合には、テープが
リードフレームと比較して薄く、リードフレームとは厚
さの異なるインターポーザに半導体チップを接着しなけ
ればならない。更に、半導体チップの位置合わせについ
て、他の方式例えばLOCの場合には50μm程度の位
置合わせ精度でよいが、CSPの場合には、より高い精
度が必要となり、10μm〜20μm程度の精度が求め
られている。
【0006】このような相違から、これらのダイボンデ
ィングでは、類似したプロセスにもかかわらず、実装方
式によって装置構成が異なり夫々に固有の装置が必要と
なっている。このため、それらに対応した装置を個々に
開発しているため、開発費が装置のコストを上昇させて
いる。更に、商品のサイクルが短くなり、急な製品変更
を行なう場合には、ダイボンダの変更が必要なため、設
備の変更に時間を要すこととなり、加えて、変更した装
置が余剰設備となってしまう。
【0007】また近年、1枚のウェハにより多くのパタ
ーンを一括形成して、半導体チップを効率よく製造する
ために、ウェハの大径化が進められている。しかし、ウ
ェハの大径化によって、様々な問題が生じる。例えばダ
イボンディングでは、半導体チップが切断された後もウ
ェハリング及びシートによってウェハ状に一体化された
状態でウェハテーブルに搬送され、ウェハテーブルをX
方向及びY方向に移動させて所定の半導体チップをボン
ディングヘッドの位置に合わせ、半導体チップをボンデ
ィングヘッドに吸着させている。このため、ウェハの大
径化によってウェハテーブルも大型化し、その移動範囲
も大きくなり、装置が大型化する傾向にあり、スペース
効率が悪くなる。
【0008】本発明の課題は、種々の実装方式に対応可
能な半導体装置の組立装置を提供することにある。本発
明の他の課題は、ウェハの大径化に対処するために装置
の小型化を可能にする技術を提供することにある。本発
明の前記ならびにその他の課題と新規な特徴は、本明細
書の記述及び添付図面によって明らかになるであろう。
【0009】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。半導体チップをフレームにボンデ
ィングする半導体装置の製造に関し、半導体チップがウ
ェハ時の状態で固定されているウェハリングをチップ供
給位置にてウェハホルダに保持し、このウェハホルダを
Y方向に移動させ、チップ供給位置まで移動したウェハ
ホルダに固定された半導体チップを突き上げる突き上げ
ユニットと、突き上げられた半導体チップを吸着するコ
レットとをX方向に多点移動させる。
【0010】更に、前記コレットに吸着した半導体チッ
プをマウントステージに移送する。更に、前記マウント
ステージに移送した半導体チップをボンディングヘッド
によってフレームの上面にボンディングする。
【0011】或いは、コレットに吸着した半導体チップ
をマウントステージに移送し、このマウントステージを
ボンディング位置に移動させ、該マウントステージと荷
重ヘッドとによって、半導体チップをフレームの下面に
ボンディングする
【0012】
【作用】上述した手段によれば、フレキシブルラインが
構築可能であり、1台の装置で様々なプロセスに対応す
ることができ、更に、ウエハ径が大型になっても装置の
小型化が実現できる。
【0013】以下、本発明の実施の形態を説明する。な
お、実施の形態を説明するための全図において、同一機
能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明
は省略する。
【0014】
【発明の実施の形態】図1に示すのは、本発明の一実施
の形態である半導体装置の組立装置を示す平面図であ
り、図2に示すのは、本発明の一実施の形態である半導
体装置の組立装置を示す正面図である。なお、以下の説
明では、ボンディング時の半導体チップの移送方向をX
方向(装置の短辺方向)、リードフレーム等の搬送方向
をY方向(装置の長辺方向)、垂直方向をZ方向とし、
Z方向を軸とした角移動をθとする。
【0015】本実施の形態の組立装置は、大別して、半
導体チップを供給するダイ供給系のシステムと、リード
フレーム等のフレームを供給するフレーム供給系のシス
テムと、前記フレームに半導体チップをボンディングす
るマウント系のシステムとからなっている。
【0016】ウェハ供給系としては、半導体チップがウ
ェハ時の状態でシートに粘着されているウェハリング1
を収容したウェハカセット2と、ウェハカセット2のZ
方向の位置を調整するウェハカセットリフタ3と、ウェ
ハカセット2からウェハリング1を取り出すウェハリン
グハンドラ4と、取り出したウェハリング1を修正する
ウェハ修正ユニット5と、ウェハリング1をチップ供給
位置にて保持するウェハホルダ6と、このウェハホルダ
6をY方向に移動させるYテーブル7とによって構成さ
れている。
【0017】ダイ供給系として、チップ供給位置まで移
動したウェハホルダ6の半導体チップの画像認識を行な
うウェハ光学系であるカメラ8と、半導体チップを吸着
するコレットを備えY方向に移動する移送ヘッド9と、
半導体チップを突き上げて移送ヘッド9のコレットに吸
着させるニードルを備えた突き上げユニット10とによ
って構成されている。カメラ8と移送ヘッド9のコレッ
トと突き上げユニット10はX方向に多点移動する。
【0018】フレーム供給系としては、CSPに用いら
れるテープ等主に短冊仕様のフレームを供給するマガジ
ンローダ11或いはリードフレームを供給するフレーム
ローダ12と、フレームローダ12のZ方向の位置を調
整するフレームリフタ13と、フレームを搬送するロー
ダ側フレームフィーダ14a及びマウント側のフレーム
フィーダ14bと、ダイボンディングの終了したフレー
ムを収容するアンローダ部15とによって構成されてい
る。
【0019】フレームフィーダ14a,14bとして
は、ローラで送りこむ機構を採用し、少なくとも2系統
の送りシーケンスを設定し、操作パラメータの変更によ
って送りシーケンスを選択することによって、ノーマル
ボンディング、LOC或いはCSPに対応する。
【0020】また、リードフレーム、テープ或いは基板
等フレームとして種々の厚さのものを処理する必要があ
るために、ボンディング位置にてフレームを固定する機
構として、従来はシリンダを用いていたが、本実施の形
態では図3に正面を図4に平面を夫々示すような独立し
た上下動機構を設ける。この上下動機構としては、偏心
カム16をステッピングモータ17によって駆動しフレ
ーム支持材18を上下動させる。フレーム支持材18の
高さ設定は数値入力によってステッピングモータ17を
制御し任意に調整することができる。
【0021】他に、供給するフレームをプリベークチャ
ンバ19a内のプリベークラック19bに載置し、プリ
ベーク上下動ユニット19cによって移動させながらテ
ープヒータによって加熱するプリベーク19が設けられ
ている。更に、リードフレームに接着剤を塗布するポッ
ティングユニット20が設けられており、ポッティング
ユニット20は、ポッティング位置を確認するフレーム
光学系と、ペーストを塗布するポッティングヘッド20
aと、このポッティングヘッド20aを移動させるXY
テーブル20bと、ペーストを供給するディスペンサと
によって構成されている。
【0022】マウント系として、チップ認識を行なうダ
イ光学系のカメラ21と、移送ヘッド9によって半導体
チップが移送されるマウントステージ22と、マウント
ステージ22をX方向,Y方向に移動させるXYテーブ
ル23と、マウントステージ22をθ方向に移動させる
θテーブル24と、マウントトヘッド25及びこのマウ
ントヘッド25をX方向,Y方向に移動させるXYテー
ブル26とによって構成され、マウントヘッド25とし
ては実装方式によってボンディングヘッド或いは荷重ヘ
ッドを適宜換装する。
【0023】本実施の形態の装置によるダイボンディン
グについて、先ず、図5に概略を示すノーマルボンディ
ングの例を説明する。
【0024】先ず、半導体チップがウェハ時の状態でシ
ートに粘着されているウェハリングを、ウェハリングハ
ンドラによって、ウェハカセットからウェハホルダにセ
ットする。ウェハホルダはY方向にチップ供給位置まで
移動し、ウェハ光学系のカメラaによる画像からチップ
認識を行ない、このデータに基づいて、ダイボンディン
グヘッドのコレットがX方向にウェハホルダがY方向に
移動して、位置合わせを行なう。
【0025】半導体チップは、図6中の(a)に示すよ
うに、移送ヘッド9のコレット9aと連動して、突き上
げユニット10のドーム10aの隙間から突出するニー
ドル10bによって突き上げられた半導体チップをコレ
ット9aに吸着させて、図6中の(b)に示すように、
マウントステージ22に移送し、ダイ光学系のカメラ2
1による画像からチップ認識を行ない、このデータに基
づいて、マウントステージ22を移動させてX,Y,θ
の修正を行なう。
【0026】半導体チップの移送に合わせて、リードフ
レームを、フレームローダ12によってフレームフィー
ダ14a,14bにセットする。セットされたリードフ
レームはフレームフィーダ14a,14bによってボン
ディング位置まで搬送される。この搬送の途中で、リー
ドフレームに熱可塑性の接着剤が形成されている場合に
は、プリベーク19によって加熱する。或いは、この搬
送の途中でリードフレームに接着剤を塗布する場合に
は、ポッティング塗布を行なってもよい。
【0027】搬送されたリードフレームは、フレーム認
識光学系のカメラによる画像からリードフレーム認識を
行ない、このデータに基づいて、図6中の(c)に示す
ように、半導体チップをボンディングヘッド25のコレ
ットに吸着させてボンディング位置まで移動させ、半導
体チップをリードフレームの上面に接着してダイボンデ
ィングする。ボンディングの終了したリードフレームは
搬送されてアンローダ部15に収容される。なお、ポッ
ティングを行なう場合には、ポッティングヘッドをマウ
ントヘッドと同期させ、1ピッチづつフレームを送りタ
ブ上にペーストを高速でディスペンスする。
【0028】また、前述の如く半導体チップをウェハホ
ルダ6からマウントステージ22に移送し、マウントス
テージ22からボンディング位置に移送するため、ウェ
ハホルダ6をフレームフィーダ14bよりも低くして、
ウェハホルダ6を部分的にフレームフィーダ14bの下
部に収容し、X方向の装置寸法を縮小させることが可能
である。
【0029】次に、図7に概略を示すLOCのダイボン
ディングの例を説明する。先ず、半導体チップをマウン
トステージ22に移送し、ダイ光学系のカメラによる画
像からチップ認識を行ない、このデータに基づいて、マ
ウントステージ22を移動させてX,Y,θの修正を行
ない、半導体チップの移送に合わせてリードフレームを
ボンディング位置まで移動させ、リードフレーム認識を
行なうまでは、前述したノーマルボンディングの場合と
変わりはない。LOCの場合には、半導体チップを載せ
たマウントステージ22をボンディング位置のリードフ
レーム下に移動させて、リードフレームと半導体チップ
とを重ね合わせた状態で、リードフレーム上に下降させ
た荷重ヘッドとマウントステージ22とによって、半導
体チップをテープの下面に接着してダイボンディングす
る。ボンディングの終了したテープはアンローダ部15
に搬送される。
【0030】次に、図8に概略を示すCSPのダイボン
ディングの例を説明する。先ず、半導体チップをマウン
トステージ22に移送し、ダイ光学系のカメラによる画
像からチップ認識を行ない、このデータに基づいて、マ
ウントステージ22を移動させてX,Y,θの修正を行
なうまでは、前述したノーマルボンディング或いはLO
Cの場合と変わりはない。CSPの場合には、これまで
の例とは異なり、インターポーザとして用いられるテー
プが、例えば370μm程度とリードフレームと比較し
て薄くなっている。半導体チップの搬送に合わせて、マ
ガジンローダ11に納められたテープをフレームフィー
ダ14aにセットし、フレームフィーダ14a,14b
によってボンディング位置まで搬送される。この搬送の
途中で、リードフレームに熱可塑性の接着剤が形成され
ている場合には、プリベークによって加熱する。
【0031】半導体チップの移送に合わせてテープをボ
ンディング位置まで移動させ、カメラによる画像認識を
行なうが、半導体チップの位置合わせについて、他の方
式例えばLOCの場合には50μm程度の位置合わせ精
度でよいが、CSPの場合には、より高い精度が必要と
なり、10μm〜20μm程度の精度が求められてい
る。このためCSPの場合には、前述した粗位置決めの
後に半導体チップを載せたマウントステージ22をボン
ディング位置のテープ下に移動させて、テープと半導体
チップとを重ね合わせた状態で、カメラによる画像から
テープと半導体チップとの認識を行ない、このデータに
基づいてマウントステージ22を移動させて精密位置補
正を行なう。こうした精密位置決めを行なってから、テ
ープ上に下降させた荷重ヘッドとマウントステージ22
とによって、半導体チップをテープの下面に接着してダ
イボンディングする。ボンディングの終了したテープは
搬送されアンローダ部15に収容される。
【0032】移送ヘッドのコレットに半導体チップを吸
着させる際に、ウェハホルダーを、例えば180度θ回
転させることによって、ウェハホルダーのY方向移動量
を半分にすることができ、例えば90度θ回転させるこ
とによって、ウェハホルダーのY方向移動量及び移送ヘ
ッドのX方向移動量を夫々半分にすることができる。
【0033】このような回転によって半導体チップの向
きが変わるが、コレットを逆方向に回転させてマウント
ステージ上での半導体チップの向きを修正することが可
能である。
【0034】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明
は、前記実施の形態に限定されるものではなく、その要
旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは
勿論である。例えば、半導体装置の製造以外にも、他分
野の産業機械にも応用可能である。
【0035】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。 (1)本発明によれば、同一機構を使用し、プロセスに
より送りシーケンスを選択することで、簡単に品種切り
替えが可能となるという効果がある。 (2)本発明によれば、異種プロセスをマウントできる
システム構成を取り入れてあるため、簡易的かつフレキ
シブルに生産変更が可能となるという効果がある。 (3)本発明によれば、上記効果(1)(2)により、
フレキシブルラインが構築可能であり、1台の装置で様
々なプロセスに対応することができるという効果があ
る。 (4)本発明によれば、上記効果(3)により、大幅な
改造、段取り変更、ライン構成の見直し等が不要となる
ためコストを削減することができるという効果がある。
【0036】(5)本発明によれば、ウェハホルダを、
Y軸テーブル1軸で移動し、X軸方向の移動は周辺ユニ
ットが担う構造となっており、X軸テーブルが不要なの
でウエハ径が大型になっても装置の小型化が実現でき、
スペース効率の面で有利となるという効果がある。 (6)本発明によれば、上記効果(5)により、ウエハ
X軸がないため、ステージの移動機構はメカ部の低重心
化、軽量化が実現可能であり、ユニット及び架台の機械
系固有振動数低減が期待できるという効果がある。 (7)本発明によれば、移送ヘッドのコレットのピック
アップ点とステージ中心までの移動距離が従来方式と比
較し平均的に短くなるためマウント時間の短縮につなが
りUPH向上が期待できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態である半導体装置組立装
置の構成を示す平面図である。
【図2】本発明の一実施の形態である半導体装置組立装
置の構成を示す正面図である。
【図3】本発明の一実施の形態である半導体装置組立装
置の上下動機構を示す部分正面図である。
【図4】本発明の一実施の形態である半導体装置組立装
置の上下動機構を示す部分平面図である。
【図5】本発明の一実施の形態である半導体装置製造の
例を示す動作フロー図である。
【図6】本発明の一実施の形態であるダイボンディング
を説明する図である。
【図7】本発明の一実施の形態である半導体装置製造の
例を示す動作フロー図である。
【図8】本発明の一実施の形態である半導体装置製造の
例を示す動作フロー図である。
【符号の説明】
1…ウェハリング、2…ウェハカセット、3…ウェハカ
セットリフタ、4…ウェハリングハンドラ、5…ウェハ
修正ユニット、6…ウェハホルダ、7…Yテーブル、8
…カメラ、9…移送ヘッド、9a…コレット、10…突
き上げユニット、10a…ドーム、10b…ニードル、
11…マガジンローダ、12…フレームローダ、13…
フレームリフタ、14a,14b…フレームフィーダ、
15…アンローダ部、16…偏心カム、17…ステッピ
ングモータ、18…フレーム支持材、19…プリベー
ク、19a…プリベークチャンバ、19b…プリベーク
ラック、19c…プリベーク上下動ユニット、20…ポ
ッティングユニット、20a…ポッティングヘッド、2
0b…XYテーブル、21…カメラ、22…マウントス
テージ、23…XYテーブル、24…θテーブル、25
…マウントヘッド、26…XYテーブル。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 古橋 隆宏 東京都青梅市藤橋3丁目3番地2 日立東 京エレクトロニクス株式会社内 (72)発明者 小野 樹生 東京都青梅市藤橋3丁目3番地2 日立東 京エレクトロニクス株式会社内 Fターム(参考) 5F047 AA11 AA17 CA01 FA02 FA08

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体チップを供給するダイ供給系のシ
    ステムを有する半導体装置の組立装置において、半導体
    チップがウェハ時の状態で固定されているウェハリング
    をチップ供給位置にて保持するウェハホルダと、このウ
    ェハホルダをY方向に移動させるYテーブルとを有し、
    チップ供給位置まで移動したウェハホルダに固定された
    半導体チップを突き上げる突き上げユニットと、突き上
    げられた半導体チップを吸着するコレットとがX方向に
    多点移動することを特徴とする半導体装置の組立装置。
  2. 【請求項2】 半導体チップを供給するダイ供給系のシ
    ステムを有する半導体装置の組立装置において、半導体
    チップがウェハ時の状態で固定されているウェハリング
    をチップ供給位置にて保持するウェハホルダと、このウ
    ェハホルダをY方向に移動させるYテーブルとを有し、
    チップ供給位置まで移動したウェハホルダに固定された
    半導体チップを突き上げる突き上げユニットと、突き上
    げられた半導体チップを吸着するコレットとがX方向に
    多点移動し、コレットに吸着された半導体チップがマウ
    ントステージに移送されることを特徴とする半導体装置
    の組立装置。
  3. 【請求項3】 半導体チップを供給するダイ供給系のシ
    ステムを有する半導体装置の組立装置において、半導体
    チップがウェハ時の状態で固定されているウェハリング
    をチップ供給位置にて保持するウェハホルダと、このウ
    ェハホルダをY方向に移動させるYテーブルとを有し、
    チップ供給位置まで移動したウェハホルダに固定された
    半導体チップを突き上げる突き上げユニットと、突き上
    げられた半導体チップを吸着するコレットとがX方向に
    多点移動し、コレットに吸着された半導体チップはマウ
    ントステージに移送され、マウントステージに移送され
    た半導体チップがボンディングヘッドによってフレーム
    の上面にボンディングされることを特徴とする半導体装
    置の組立装置。
  4. 【請求項4】 半導体チップを供給するダイ供給系のシ
    ステムを有する半導体装置の組立装置において、半導体
    チップがウェハ時の状態で固定されているウェハリング
    をチップ供給位置にて保持するウェハホルダと、このウ
    ェハホルダをY方向に移動させるYテーブルとを有し、
    チップ供給位置まで移動したウェハホルダに固定された
    半導体チップを突き上げる突き上げユニットと、突き上
    げられた半導体チップを吸着するコレットとがX方向に
    多点移動し、コレットに吸着された半導体チップはマウ
    ントステージに移送され、ボンディング位置に移動した
    マウントステージと荷重ヘッドとによって、半導体チッ
    プがフレームの下面にボンディングされることを特徴と
    する半導体装置の組立装置。
  5. 【請求項5】 前記フレームを搬送するフレームフィー
    ダに複数系統の送りシーケンスが設定されていることを
    特徴とする請求項1乃至請求項4の何れか一項に記載の
    半導体装置組立方法。
  6. 【請求項6】 半導体チップをフレームにボンディング
    する半導体装置の製造方法において、半導体チップがウ
    ェハ時の状態で固定されているウェハリングをチップ供
    給位置にてウェハホルダに保持し、このウェハホルダを
    Y方向に移動させ、チップ供給位置まで移動したウェハ
    ホルダに固定された半導体チップを突き上げる突き上げ
    ユニットと、突き上げられた半導体チップを吸着するコ
    レットとをX方向に多点移動させることを特徴とする半
    導体装置の製造方法。
  7. 【請求項7】 半導体チップをフレームにボンディング
    する半導体装置の製造方法において、半導体チップがウ
    ェハ時の状態で固定されているウェハリングをチップ供
    給位置にてウェハホルダに保持し、このウェハホルダを
    Y方向に移動させ、チップ供給位置まで移動したウェハ
    ホルダに固定された半導体チップを突き上げる突き上げ
    ユニットと、突き上げられた半導体チップを吸着するコ
    レットとをX方向に多点移動させ、コレットに吸着した
    半導体チップをマウントステージに移送することを特徴
    とする半導体装置の製造方法。
  8. 【請求項8】 半導体チップをフレームにボンディング
    する半導体装置の製造方法において、半導体チップがウ
    ェハ時の状態で固定されているウェハリングをチップ供
    給位置にてウェハホルダに保持し、このウェハホルダを
    Y方向に移動させ、チップ供給位置まで移動したウェハ
    ホルダに固定された半導体チップを突き上げる突き上げ
    ユニットと、突き上げられた半導体チップを吸着するコ
    レットとをX方向に多点移動させ、コレットに吸着した
    半導体チップをマウントステージに移送し、マウントス
    テージに移送した半導体チップをボンディングヘッドに
    よってフレームの上面にボンディングすることを特徴と
    する半導体装置の製造方法。
  9. 【請求項9】 半導体チップをフレームにボンディング
    する半導体装置の製造方法において、半導体チップがウ
    ェハ時の状態で固定されているウェハリングをチップ供
    給位置にてウェハホルダに保持し、このウェハホルダを
    Y方向に移動させ、チップ供給位置まで移動したウェハ
    ホルダに固定された半導体チップを突き上げる突き上げ
    ユニットと、突き上げられた半導体チップを吸着するコ
    レットとをX方向に多点移動させ、コレットに吸着した
    半導体チップをマウントステージに移送し、このマウン
    トステージをボンディング位置に移動させ、該マウント
    ステージと荷重ヘッドとによって、半導体チップをフレ
    ームの下面にボンディングすることを特徴とする半導体
    装置の製造方法。
  10. 【請求項10】 前記フレームを搬送するフレームフィ
    ーダに複数系統の送りシーケンスが設定されていること
    を特徴とする請求項6乃至請求項9の何れか一項に記載
    の半導体装置の製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103267050A (zh) * 2013-04-28 2013-08-28 苏州工业园区高登威科技有限公司 单晶硅自动粘接机

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