JP2001085233A - 半閉磁路インダクタおよびその製造法。 - Google Patents
半閉磁路インダクタおよびその製造法。Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】インダクタンス値が大きく電流容量の大きい磁
気特性に優れた小型な半閉磁路インダクタおよび、容易
に製造できる製造方法を提供する。 【解決手段】環状閉磁路磁芯の一部を切断された磁芯の
切断面を乖離させて、予め導線を捲回して形成された角
筒状コイル空芯部に、挿入したのち切断面を接合して環
状半閉磁路磁芯を形成して半閉磁路インダクタを完成さ
せる。
気特性に優れた小型な半閉磁路インダクタおよび、容易
に製造できる製造方法を提供する。 【解決手段】環状閉磁路磁芯の一部を切断された磁芯の
切断面を乖離させて、予め導線を捲回して形成された角
筒状コイル空芯部に、挿入したのち切断面を接合して環
状半閉磁路磁芯を形成して半閉磁路インダクタを完成さ
せる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、インダクタンス素
子に関するものであり、特に半閉磁路インダクタおよび
その製造方法に関するものである。
子に関するものであり、特に半閉磁路インダクタおよび
その製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、電子機器で発生するノイズを低減
するために、閉磁路インダクタが広く使用されており、
閉磁路インダクタは磁性体に、磁性合金薄帯を捲回また
は積層したものや、フェライトよりなる閉磁路環状磁芯
に、丸銅線を捲回して形成されている。
するために、閉磁路インダクタが広く使用されており、
閉磁路インダクタは磁性体に、磁性合金薄帯を捲回また
は積層したものや、フェライトよりなる閉磁路環状磁芯
に、丸銅線を捲回して形成されている。
【０００３】直流電源に使用するチョークインダクタや
コモンモードインダクタには、直流電流が重畳するため
磁気飽和が生じるので、閉磁路環状磁芯の環の一部を切
断して、部分的に開磁路とした半閉磁路環状磁芯に、ウ
レタン樹脂被膜銅線を捲回してなる半閉磁路環状インダ
クタが使用される。
コモンモードインダクタには、直流電流が重畳するため
磁気飽和が生じるので、閉磁路環状磁芯の環の一部を切
断して、部分的に開磁路とした半閉磁路環状磁芯に、ウ
レタン樹脂被膜銅線を捲回してなる半閉磁路環状インダ
クタが使用される。
【０００４】また、磁性体環状磁芯への捲き線は、環状
磁芯と交差する貯線リングに蓄線し、環状磁芯の中心軸
まわりに回転させて捲き線する巻線機や、環状コアの中
心に銅線を１ターンづつ通しながら捲き線する方式の巻
線機も上市されているが、どちらの方式も、角柱状巻芯
に巻線する場合に比較して、巻線機も複雑となり巻線の
能率も劣り、小型な閉磁路インダクタを製造するのに難
点があった。
磁芯と交差する貯線リングに蓄線し、環状磁芯の中心軸
まわりに回転させて捲き線する巻線機や、環状コアの中
心に銅線を１ターンづつ通しながら捲き線する方式の巻
線機も上市されているが、どちらの方式も、角柱状巻芯
に巻線する場合に比較して、巻線機も複雑となり巻線の
能率も劣り、小型な閉磁路インダクタを製造するのに難
点があった。
【０００５】平角線などの硬い線材を用いて閉磁路コイ
ルを製造する方法は、特開平０４ー３３０７０４に開示
されているように、予め空芯ソレノイドコイルを巻線し
ておき、該コイルの線間を隔離させながら、該コイルの
一端を閉磁路コアに絡め、該コイルを該コアに対して回
転させながら、該コアに嵌め込むことにより閉磁路コイ
ルを製造する方法がある。
ルを製造する方法は、特開平０４ー３３０７０４に開示
されているように、予め空芯ソレノイドコイルを巻線し
ておき、該コイルの線間を隔離させながら、該コイルの
一端を閉磁路コアに絡め、該コイルを該コアに対して回
転させながら、該コアに嵌め込むことにより閉磁路コイ
ルを製造する方法がある。
【０００６】この場合、空芯コイルの内径は、閉磁路コ
ア断面の外径より充分な余裕をもって形成する必要があ
り、図３の断面図に示すように、完成後コアとコイルの
間隙が広く緩みがある、外形の大きい環状コイルとなり
スペースファクタの悪い大型な閉磁路インダクタとなさ
ざるを得なかった。
ア断面の外径より充分な余裕をもって形成する必要があ
り、図３の断面図に示すように、完成後コアとコイルの
間隙が広く緩みがある、外形の大きい環状コイルとなり
スペースファクタの悪い大型な閉磁路インダクタとなさ
ざるを得なかった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】磁性合金薄帯を捲回ま
たは積層してなる閉磁路環状磁芯の環の一部を切断し
て、 局部的に開磁路とした半閉磁路環状磁芯に、導線
を捲回してなる半閉磁路環状インダクタの製造方法にお
いて、複雑な巻線機も用いずに、環状コアの中心に銅線
を１ターンづつ通しながら捲き線することなく、容易に
半閉磁路インダクタを製造できる製造方法を提供するこ
とである。また、従来のコイルの線間を隔離させなが
ら、コイルの一端を閉磁路磁芯に絡め、コイルを磁芯に
対して回転させながら、磁芯に嵌め込む方法に比較し
て、磁芯とコイルの間隙が小さく、緩みが少なく外形が
小さい、スペースファクタの良い半閉磁路インダクタを
提供することである。
たは積層してなる閉磁路環状磁芯の環の一部を切断し
て、 局部的に開磁路とした半閉磁路環状磁芯に、導線
を捲回してなる半閉磁路環状インダクタの製造方法にお
いて、複雑な巻線機も用いずに、環状コアの中心に銅線
を１ターンづつ通しながら捲き線することなく、容易に
半閉磁路インダクタを製造できる製造方法を提供するこ
とである。また、従来のコイルの線間を隔離させなが
ら、コイルの一端を閉磁路磁芯に絡め、コイルを磁芯に
対して回転させながら、磁芯に嵌め込む方法に比較し
て、磁芯とコイルの間隙が小さく、緩みが少なく外形が
小さい、スペースファクタの良い半閉磁路インダクタを
提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の発明によ
る閉磁路インダクタの製造方法は、磁性合金薄帯を捲回
または積層してなる閉磁路環状磁芯の環の一部を切断し
て、部分的に開磁路とした半閉磁路環状磁芯に、導線を
捲回してなる半閉磁路環状インダクタの製造方法におい
て、予め導線を捲回してなる角筒状コイルを形成してお
き、前記角筒状コイルを撓めながら該コイルの空芯部
に、前記半閉磁路環状磁芯の対向する切断面を乖離させ
て、前記半閉磁路環状磁芯を挿入したのち、前記乖離さ
せた接断面を接合したことを特徴とする閉磁路インダク
タの製造方法である。
る閉磁路インダクタの製造方法は、磁性合金薄帯を捲回
または積層してなる閉磁路環状磁芯の環の一部を切断し
て、部分的に開磁路とした半閉磁路環状磁芯に、導線を
捲回してなる半閉磁路環状インダクタの製造方法におい
て、予め導線を捲回してなる角筒状コイルを形成してお
き、前記角筒状コイルを撓めながら該コイルの空芯部
に、前記半閉磁路環状磁芯の対向する切断面を乖離させ
て、前記半閉磁路環状磁芯を挿入したのち、前記乖離さ
せた接断面を接合したことを特徴とする閉磁路インダク
タの製造方法である。
【０００９】半閉磁路磁芯の切断面は、前記のいずれの
場合も、環状磁芯の回転中心軸を通る放射線上になるよ
うに設けてもよいが、むしろ斜めに設けることで、角筒
状コイルへ挿入し易くすることができる。さらに前記の
切断面積は、磁気回路における開磁路部の断面積に相当
するので、斜めの角度を選んで切断面積を変えると、実
効透磁率を変えることができる。
場合も、環状磁芯の回転中心軸を通る放射線上になるよ
うに設けてもよいが、むしろ斜めに設けることで、角筒
状コイルへ挿入し易くすることができる。さらに前記の
切断面積は、磁気回路における開磁路部の断面積に相当
するので、斜めの角度を選んで切断面積を変えると、実
効透磁率を変えることができる。
【００１０】また第２の発明は、前記半閉磁路環状イン
ダクタにおいて、前記導線と前記半閉磁路環状磁芯との
間隙が、１、０ｍｍ〜１０ｍｍの範囲にあることを特徴
とする半閉磁路インダクタである。
ダクタにおいて、前記導線と前記半閉磁路環状磁芯との
間隙が、１、０ｍｍ〜１０ｍｍの範囲にあることを特徴
とする半閉磁路インダクタである。
【００１１】また第３の発明は、前記半閉磁路環状イン
ダクタにおいて、前記導線に単層あるいは複層の平角線
を用い、前記半閉磁路環状磁芯と巻線との間隙が、１、
０ｍｍ〜１０ｍｍの範囲にあることを特徴とする半閉磁
路インダクタである。平角線の厚みが厚く線材が硬い場
合は、厚みの薄い複数の平角線を多層に重ねて捲回する
と、角柱状巻芯に捲くときに角部で曲がりやすく、曲率
半径が小さく捲けるため、前記した半閉磁路環状磁芯と
巻線との間隙が小さくできるので、スペースファクタの
良い半閉磁路インダクタを形成できる。
ダクタにおいて、前記導線に単層あるいは複層の平角線
を用い、前記半閉磁路環状磁芯と巻線との間隙が、１、
０ｍｍ〜１０ｍｍの範囲にあることを特徴とする半閉磁
路インダクタである。平角線の厚みが厚く線材が硬い場
合は、厚みの薄い複数の平角線を多層に重ねて捲回する
と、角柱状巻芯に捲くときに角部で曲がりやすく、曲率
半径が小さく捲けるため、前記した半閉磁路環状磁芯と
巻線との間隙が小さくできるので、スペースファクタの
良い半閉磁路インダクタを形成できる。
【００１２】また第４の発明は、前記半閉磁路環状イン
ダクタにおいて、前記半閉磁路インダクタの内周側導線
の線間が、可撓性の樹脂で接合されていることを特徴と
する半閉磁路インダクタである。
ダクタにおいて、前記半閉磁路インダクタの内周側導線
の線間が、可撓性の樹脂で接合されていることを特徴と
する半閉磁路インダクタである。
【００１３】また第５の発明は、前記半閉磁路環状イン
ダクタにおいて、前記半閉磁路インダクタの体積が、
０、０５ｃｃ〜５０ｃｃの範囲であることを特徴とする
半閉磁路インダクタである。
ダクタにおいて、前記半閉磁路インダクタの体積が、
０、０５ｃｃ〜５０ｃｃの範囲であることを特徴とする
半閉磁路インダクタである。
【００１４】また第６の発明は、前記半閉磁路環状イン
ダクタにおいて、厚み範囲が５μｍ〜２５μｍの非晶質
ナノ結晶合金の薄板を捲回または積層してなる閉磁路環
状磁芯であることを特徴とする半閉磁路インダクタであ
る。
ダクタにおいて、厚み範囲が５μｍ〜２５μｍの非晶質
ナノ結晶合金の薄板を捲回または積層してなる閉磁路環
状磁芯であることを特徴とする半閉磁路インダクタであ
る。
【００１５】詳述すると、前記課題を解決するための本
発明による半閉磁路インダクタの製造方法は、まず、磁
性合金薄帯を捲回して所定形状の環状磁芯を形成し、ウ
レタンなどの可撓性のある樹脂を含浸させて接着硬化さ
せ、磁芯の回転中心軸を通る線上の一方にダイアモンド
カッターでスリットを入れて、図５に示すように半閉磁
路磁芯の切断面を乖離させしておく。この場合は、切断
面の一方を同一平面上で外周側に広げておく。また前記
の環状磁芯に含浸させて接着硬化させた、ウレタンなど
の可撓性のある樹脂は、角筒状コイルに挿入するときに
コイルの絶縁被覆を傷めないよう、また磁芯とコイルが
短絡しないような厚みを形成しておくことが必要であ
る。
発明による半閉磁路インダクタの製造方法は、まず、磁
性合金薄帯を捲回して所定形状の環状磁芯を形成し、ウ
レタンなどの可撓性のある樹脂を含浸させて接着硬化さ
せ、磁芯の回転中心軸を通る線上の一方にダイアモンド
カッターでスリットを入れて、図５に示すように半閉磁
路磁芯の切断面を乖離させしておく。この場合は、切断
面の一方を同一平面上で外周側に広げておく。また前記
の環状磁芯に含浸させて接着硬化させた、ウレタンなど
の可撓性のある樹脂は、角筒状コイルに挿入するときに
コイルの絶縁被覆を傷めないよう、また磁芯とコイルが
短絡しないような厚みを形成しておくことが必要であ
る。
【００１６】または、磁性合金薄帯を捲回せずに、環状
の一部が切断された状態の、いわゆるスプリングワッシ
ャ状に打ち抜いたものを複数枚用意しておき、所定の厚
みに積層し可撓性のある樹脂を含浸して接着させ、半閉
磁路磁芯を形成し切断面を乖離させておいてもよい。こ
の場合は、切断面の双方を半閉磁路磁芯の厚み方向にず
らして乖離させておく。
の一部が切断された状態の、いわゆるスプリングワッシ
ャ状に打ち抜いたものを複数枚用意しておき、所定の厚
みに積層し可撓性のある樹脂を含浸して接着させ、半閉
磁路磁芯を形成し切断面を乖離させておいてもよい。こ
の場合は、切断面の双方を半閉磁路磁芯の厚み方向にず
らして乖離させておく。
【００１７】つぎに、前記半閉磁路磁芯の断面形状より
一回り大きい断面形状の角柱状捲き芯に、導線を所定の
捲き数捲回して角筒状コイルを形成する。磁性合金薄帯
を捲回または積層してなる閉磁路環状磁芯の断面は矩形
であるので、捲き芯も断面が矩形の角柱状となる。半閉
磁路磁芯の厚み寸法に対して、角柱状捲き芯の寸法は１
ｍｍ以上大きめにすればよいが、半閉磁路磁芯の幅寸法
に対しては、環状コイルにすると外周部の線間が広がる
ので、さらに余裕を持った捲き芯の寸法にしておく。多
層巻きコイルの場合は、環状に撓めるときに撓み難くな
るので、さらに余裕をもたせる。特に環状磁芯の幅方向
において必要である。
一回り大きい断面形状の角柱状捲き芯に、導線を所定の
捲き数捲回して角筒状コイルを形成する。磁性合金薄帯
を捲回または積層してなる閉磁路環状磁芯の断面は矩形
であるので、捲き芯も断面が矩形の角柱状となる。半閉
磁路磁芯の厚み寸法に対して、角柱状捲き芯の寸法は１
ｍｍ以上大きめにすればよいが、半閉磁路磁芯の幅寸法
に対しては、環状コイルにすると外周部の線間が広がる
ので、さらに余裕を持った捲き芯の寸法にしておく。多
層巻きコイルの場合は、環状に撓めるときに撓み難くな
るので、さらに余裕をもたせる。特に環状磁芯の幅方向
において必要である。
【００１８】通常の角筒状コイルの巻線には銅の丸線を
用いるが、同じ巻数で電流容量を大きくするために平角
線を用いると、平角線の断面積は丸線の断面積に比較し
て大きいので有利である。特に、幅が狭く高さが高い断
面形状の平角線を用いると、巻数の多い、電流容量の大
きい半閉磁路インダクタが形成できる。
用いるが、同じ巻数で電流容量を大きくするために平角
線を用いると、平角線の断面積は丸線の断面積に比較し
て大きいので有利である。特に、幅が狭く高さが高い断
面形状の平角線を用いると、巻数の多い、電流容量の大
きい半閉磁路インダクタが形成できる。
【００１９】角筒状コイルは、前記角柱状捲き芯に捲線
してから抜き取り、半閉磁路インダクタの内周部に相当
する面を、可撓性の樹脂で線間接合しておく。これによ
り、角筒状コイルを環状に撓めながら、前記した半閉磁
路磁芯の乖離された切断面から挿入するとき、環状コイ
ルの内周側の線間が接合されているので、離間すること
なく、作業が容易になる。
してから抜き取り、半閉磁路インダクタの内周部に相当
する面を、可撓性の樹脂で線間接合しておく。これによ
り、角筒状コイルを環状に撓めながら、前記した半閉磁
路磁芯の乖離された切断面から挿入するとき、環状コイ
ルの内周側の線間が接合されているので、離間すること
なく、作業が容易になる。
【００２０】角筒状コイルは、線材が太く硬いときは、
単層巻きしたコイルを製品化し易いが、線材が細く柔ら
かいときは、多層巻きしたコイルで形成することができ
る。このとき、角筒状コイルを環状に撓めると外周側が
広がるので、広がり易くするため、角筒状コイルの単位
長ごとに多層巻きしたコイルを、全体的に分割巻きにし
ておくと、環状に撓めたときに外周側が、多層巻きされ
たコイルの分割された部分で広がり易くなるので好まし
い。また、半閉磁路磁芯は、環状に撓められた角筒状コ
イルの内部に滑りながら挿入されるので、磁芯とコイル
内部との余裕は、１ｍｍから１０ｍｍの範囲でもたせる
ことが、必要である。
単層巻きしたコイルを製品化し易いが、線材が細く柔ら
かいときは、多層巻きしたコイルで形成することができ
る。このとき、角筒状コイルを環状に撓めると外周側が
広がるので、広がり易くするため、角筒状コイルの単位
長ごとに多層巻きしたコイルを、全体的に分割巻きにし
ておくと、環状に撓めたときに外周側が、多層巻きされ
たコイルの分割された部分で広がり易くなるので好まし
い。また、半閉磁路磁芯は、環状に撓められた角筒状コ
イルの内部に滑りながら挿入されるので、磁芯とコイル
内部との余裕は、１ｍｍから１０ｍｍの範囲でもたせる
ことが、必要である。
【００２１】分割磁芯の接合は、耐熱性および機械的強
度のあるエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を用い、接合
面は平滑にしておき密着接合させ、間隙をなるべく小さ
くするとると実効透磁率が大きくとれる。また、直流重
畳し磁気飽和が生じる場合は、前記接合面の間隔に所定
厚みのスペーサを介して接合して、接合部を所定間隙の
開磁路にして、磁気飽和を避けることができる。
度のあるエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を用い、接合
面は平滑にしておき密着接合させ、間隙をなるべく小さ
くするとると実効透磁率が大きくとれる。また、直流重
畳し磁気飽和が生じる場合は、前記接合面の間隔に所定
厚みのスペーサを介して接合して、接合部を所定間隙の
開磁路にして、磁気飽和を避けることができる。
【００２２】さらに、磁性体にＦｅ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｂな
どを材料とする非晶質ナノ結晶合金の厚み範囲が５μｍ
〜２５μｍの薄帯を捲回または所定形状に打ち抜き後積
層して形成された環状磁芯を用いることで、図４に示す
ように飽和磁気密度が高く磁気飽和し難いトロイダルコ
イルが形成できる。非晶質ナノ結晶合金の薄帯は、５μ
ｍ以下の薄い板は製造し難いが、少なくとも２５μｍ以
下でないと、前記半閉磁路環状磁芯の柔軟性が損なわれ
て、対向する切断面を乖離させる間隔が十分にとれず、
角筒状コイルへの挿入作業が困難になる。磁気特性の上
からも、薄帯の厚みが２５μｍ以上に厚いと、高周波で
の渦電流損が無視できなくなり損失が増加する。
どを材料とする非晶質ナノ結晶合金の厚み範囲が５μｍ
〜２５μｍの薄帯を捲回または所定形状に打ち抜き後積
層して形成された環状磁芯を用いることで、図４に示す
ように飽和磁気密度が高く磁気飽和し難いトロイダルコ
イルが形成できる。非晶質ナノ結晶合金の薄帯は、５μ
ｍ以下の薄い板は製造し難いが、少なくとも２５μｍ以
下でないと、前記半閉磁路環状磁芯の柔軟性が損なわれ
て、対向する切断面を乖離させる間隔が十分にとれず、
角筒状コイルへの挿入作業が困難になる。磁気特性の上
からも、薄帯の厚みが２５μｍ以上に厚いと、高周波で
の渦電流損が無視できなくなり損失が増加する。
【００２３】また、対象とする環状磁芯が厚い場合は、
磁芯の厚さに合わせた幅の薄帯を捲回して形成し、対向
する切断面を乖離させる方向は、図５に示すように平面
図上で環状磁芯の外側に一方の切断面を広げて乖離させ
る。 逆に、対象とする環状磁芯が薄い場合は、薄帯を
所定の略スプリングワッシャ形状に打ち抜いて、積層し
て環状磁芯を形成し、対向する切断面を乖離させる方向
は、図Aに示すように平面図上で環状磁芯の厚み方向
に、両切断面を乖離させる。いずれの場合も、磁性薄帯
の厚みが充分薄い板で形成されていると、可撓性があり
前記した作業性が向上する。
磁芯の厚さに合わせた幅の薄帯を捲回して形成し、対向
する切断面を乖離させる方向は、図５に示すように平面
図上で環状磁芯の外側に一方の切断面を広げて乖離させ
る。 逆に、対象とする環状磁芯が薄い場合は、薄帯を
所定の略スプリングワッシャ形状に打ち抜いて、積層し
て環状磁芯を形成し、対向する切断面を乖離させる方向
は、図Aに示すように平面図上で環状磁芯の厚み方向
に、両切断面を乖離させる。いずれの場合も、磁性薄帯
の厚みが充分薄い板で形成されていると、可撓性があり
前記した作業性が向上する。
【００２４】半閉磁路インダクタの製造方法は、小さ過
ぎると巻線構造は困難になり、磁性体ペーストと、銀ペ
ーストが交互に印刷され一体焼成された印刷多層構造
や、磁性体グリーンシートに銀ペーストが印刷され、積
層圧着して一体焼成された積層多層構造の表面実装部品
として構成される。小型コイルとしては、前記印刷多層
構造や、積層多層構造の表面実装部品っが適すが、本発
明の半閉磁路インダクタの製造方法は、やや大型でも電
流容量が大きく捲き数も多く捲きやすいので、体積が
０、０５ｃｃ以上の半閉磁路インダクタの製造には、本
発明の製造方法が適する。
ぎると巻線構造は困難になり、磁性体ペーストと、銀ペ
ーストが交互に印刷され一体焼成された印刷多層構造
や、磁性体グリーンシートに銀ペーストが印刷され、積
層圧着して一体焼成された積層多層構造の表面実装部品
として構成される。小型コイルとしては、前記印刷多層
構造や、積層多層構造の表面実装部品っが適すが、本発
明の半閉磁路インダクタの製造方法は、やや大型でも電
流容量が大きく捲き数も多く捲きやすいので、体積が
０、０５ｃｃ以上の半閉磁路インダクタの製造には、本
発明の製造方法が適する。
【００２５】逆に、体積が５０ｃｃ以上の半閉磁路イン
ダクタの製造には、自動巻線機にかけることができ、各
種の方法が自由に採用できるので問題ないが、体積が５
０ｃｃ以下の半閉磁路インダクタの製造において、線材
が硬く巻き難い場合や巻数が多い場合は、本発明の製造
方法が優位である。
ダクタの製造には、自動巻線機にかけることができ、各
種の方法が自由に採用できるので問題ないが、体積が５
０ｃｃ以下の半閉磁路インダクタの製造において、線材
が硬く巻き難い場合や巻数が多い場合は、本発明の製造
方法が優位である。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の第１の実施の形態
例について図面を参照して説明する。
例について図面を参照して説明する。
【００２７】
【実施例１】厚さ；０．０２ｍｍ、幅；４、０ｍｍの非
晶質ナノ結晶合金の薄帯を捲回して、外径；２０、０ｍ
ｍΦ、内径；１２、０ｍｍΦ、厚み；４、０ｍｍの環状
磁芯を形成し、可撓性のあるウレタン樹脂でコートして
絶縁処理をした後、ダイシングソウで環状磁芯の一部を
切断して、図２の平面図に示すように幅０．２ｍｍのス
リットをいれ半閉磁路磁芯を形成した。
晶質ナノ結晶合金の薄帯を捲回して、外径；２０、０ｍ
ｍΦ、内径；１２、０ｍｍΦ、厚み；４、０ｍｍの環状
磁芯を形成し、可撓性のあるウレタン樹脂でコートして
絶縁処理をした後、ダイシングソウで環状磁芯の一部を
切断して、図２の平面図に示すように幅０．２ｍｍのス
リットをいれ半閉磁路磁芯を形成した。
【００２８】一方、幅；４、５ｍｍ、厚み；５、０ｍｍ
の角柱状の巻芯を巻線機にかけて、線径；０、５ｍｍΦ
のウレタン被覆した丸銅線を、単層で５０ターン巻き、
巻き芯から取り外して図７に示す角筒状の空芯コイルを
形成し、コイルの巻き線の４面の内、コイル内径の幅；
４、５ｍｍの面の一方のコイル面に、ウレタン樹脂を塗
布硬化させて、線間を接着させた。
の角柱状の巻芯を巻線機にかけて、線径；０、５ｍｍΦ
のウレタン被覆した丸銅線を、単層で５０ターン巻き、
巻き芯から取り外して図７に示す角筒状の空芯コイルを
形成し、コイルの巻き線の４面の内、コイル内径の幅；
４、５ｍｍの面の一方のコイル面に、ウレタン樹脂を塗
布硬化させて、線間を接着させた。
【００２９】つぎに、前記した半閉磁路磁芯を図５に示
すように、スリットをいれた両切断面を平面上で、それ
ぞれ内周側と外周側に乖離させたのち、前記した角筒状
コイルの、ウレタン樹脂を塗布硬化して線間を接着させ
た面を内周側にして、リング状に撓めながらコイルの端
部より、前記した半閉磁路磁芯の乖離した外周側の切断
面よりコイル空芯部に挿入し、一周させてから乖離した
両切断面にエポキシ樹脂を塗布、接合、硬化させてコイ
ル内部で半閉磁路磁芯を形成し、図１に示す半閉磁路イ
ンダクタを完成した。
すように、スリットをいれた両切断面を平面上で、それ
ぞれ内周側と外周側に乖離させたのち、前記した角筒状
コイルの、ウレタン樹脂を塗布硬化して線間を接着させ
た面を内周側にして、リング状に撓めながらコイルの端
部より、前記した半閉磁路磁芯の乖離した外周側の切断
面よりコイル空芯部に挿入し、一周させてから乖離した
両切断面にエポキシ樹脂を塗布、接合、硬化させてコイ
ル内部で半閉磁路磁芯を形成し、図１に示す半閉磁路イ
ンダクタを完成した。
【００３０】
【実施例２】前記の実施1と同様にして、２３ターンず
つ巻いたコイル２個の内部に環状磁芯を形成し、トラン
スを構成した例を図８に示す。
つ巻いたコイル２個の内部に環状磁芯を形成し、トラン
スを構成した例を図８に示す。
【００３１】
【実施例3】厚さ；０．０２ｍｍの非晶質ナノ結晶合金
の薄帯を、外径；２０、０ｍｍΦ、内径；１２、０ｍｍ
Φの環状の一部が切断された、スプリングワッシャ状の
薄板の、切断個所を同一位置に積層し、厚み；４、０ｍ
ｍの半閉磁路環状磁芯を形成し、可撓性のあるウレタン
樹脂に浸漬してから乾燥硬化させ、薄板の層間接合およ
び絶縁処理をほどこした。
の薄帯を、外径；２０、０ｍｍΦ、内径；１２、０ｍｍ
Φの環状の一部が切断された、スプリングワッシャ状の
薄板の、切断個所を同一位置に積層し、厚み；４、０ｍ
ｍの半閉磁路環状磁芯を形成し、可撓性のあるウレタン
樹脂に浸漬してから乾燥硬化させ、薄板の層間接合およ
び絶縁処理をほどこした。
【００３２】一方、幅；４、５ｍｍ、厚み；５、０ｍｍ
の角柱状の巻芯を巻線機に装着し、幅；２、０ｍｍ、厚
み；１、０ｍｍのウレタン被覆した平角線を立てて、単
層で３０ターン巻き、巻き芯から取り外して図７に示す
角筒状の空芯コイルを形成した。ついで、コイル巻き線
の４面の内、コイル内径の幅；４、５ｍｍのコイル内周
面とする予定の面に、ウレタン樹脂を塗布し乾燥硬化さ
せて、線間を接着させた。
の角柱状の巻芯を巻線機に装着し、幅；２、０ｍｍ、厚
み；１、０ｍｍのウレタン被覆した平角線を立てて、単
層で３０ターン巻き、巻き芯から取り外して図７に示す
角筒状の空芯コイルを形成した。ついで、コイル巻き線
の４面の内、コイル内径の幅；４、５ｍｍのコイル内周
面とする予定の面に、ウレタン樹脂を塗布し乾燥硬化さ
せて、線間を接着させた。
【００３３】つぎに、前記した半閉磁路磁芯を図６に示
すように、切断面を平面上でそれぞれ上側と下側に乖離
させたのち、前記した角筒状コイルの、ウレタン樹脂を
塗布硬化して線間を接着させた面を内周側にして、リン
グ状に撓めながらコイルの端部より、前記した半閉磁路
磁芯の乖離した外周側の切断面よりコイル空芯部に挿入
し、一周させてから乖離した両切断面にエポキシ樹脂を
塗布、接合、硬化させてコイル内部で半閉磁路磁芯を形
成し、半閉磁路インダクタを完成した。
すように、切断面を平面上でそれぞれ上側と下側に乖離
させたのち、前記した角筒状コイルの、ウレタン樹脂を
塗布硬化して線間を接着させた面を内周側にして、リン
グ状に撓めながらコイルの端部より、前記した半閉磁路
磁芯の乖離した外周側の切断面よりコイル空芯部に挿入
し、一周させてから乖離した両切断面にエポキシ樹脂を
塗布、接合、硬化させてコイル内部で半閉磁路磁芯を形
成し、半閉磁路インダクタを完成した。
【００３４】
【実施例４】前記の実施例３で用いた物と同一の、半閉
磁路磁芯の切断面を乖離しておき、第３の実施の形態例
で用いた物と同一の巻芯に、線径；０、２ｍｍΦのウレ
タン被覆銅線を７ターンづつ５層に重ね巻きしたコイル
を１０ブロック並べた、多層の分割巻きしたコイルを全
長；約３５ｍｍに巻き、ウレタン樹脂にコイル全体を浸
漬して乾燥硬化後、巻芯から抜き取り、前記同様に半閉
磁路磁芯の乖離した切断面よりコイル空芯部に挿入し
て、図９に示す半閉磁路インダクタを完成した。なお、
被覆銅線に自己融着線を用いて、捲線したのち溶剤に浸
して、被服材を融着させることもできる。
磁路磁芯の切断面を乖離しておき、第３の実施の形態例
で用いた物と同一の巻芯に、線径；０、２ｍｍΦのウレ
タン被覆銅線を７ターンづつ５層に重ね巻きしたコイル
を１０ブロック並べた、多層の分割巻きしたコイルを全
長；約３５ｍｍに巻き、ウレタン樹脂にコイル全体を浸
漬して乾燥硬化後、巻芯から抜き取り、前記同様に半閉
磁路磁芯の乖離した切断面よりコイル空芯部に挿入し
て、図９に示す半閉磁路インダクタを完成した。なお、
被覆銅線に自己融着線を用いて、捲線したのち溶剤に浸
して、被服材を融着させることもできる。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように本発明の方法によれ
ば、磁性合金薄帯を捲回または積層してなる閉磁路環状
磁芯の環の一部を切断して、 局部的に開磁路とした半
閉磁路環状磁芯に、導線を捲回してなる半閉磁路環状イ
ンダクタの製造方法において、複雑な巻線機も用いず
に、環状コアの中心に銅線を１ターンづつ通しながら捲
き線することなく、容易に半閉磁路インダクタを製造で
きる。また、従来のコイルの線間を隔離させながら、コ
イルの一端を閉磁路磁芯に絡め、コイルを磁芯に対して
回転させながら、磁芯に嵌め込む方法に比較して、磁芯
とコイルの間隙が小さく、緩みが少ない外形が小さくス
ペースファクタの良い半閉磁路インダクタを提供するこ
とができる。
ば、磁性合金薄帯を捲回または積層してなる閉磁路環状
磁芯の環の一部を切断して、 局部的に開磁路とした半
閉磁路環状磁芯に、導線を捲回してなる半閉磁路環状イ
ンダクタの製造方法において、複雑な巻線機も用いず
に、環状コアの中心に銅線を１ターンづつ通しながら捲
き線することなく、容易に半閉磁路インダクタを製造で
きる。また、従来のコイルの線間を隔離させながら、コ
イルの一端を閉磁路磁芯に絡め、コイルを磁芯に対して
回転させながら、磁芯に嵌め込む方法に比較して、磁芯
とコイルの間隙が小さく、緩みが少ない外形が小さくス
ペースファクタの良い半閉磁路インダクタを提供するこ
とができる。
【図１】半閉磁路インダクタの平面図を示す。
【図２】半閉磁路磁芯を示す。
【図３】従来の巻線方法の説明図を示す。
【図４】非晶質ナノ結晶合金とフェライトのＢ―Ｈ特性
の比較図を示す。
の比較図を示す。
【図５】半閉磁路磁芯の切断面を乖離させた平面図を示
す。
す。
【図６】半閉磁路磁芯の切断面を乖離させた斜視図を示
す。
す。
【図７】平角線を捲いた角筒状の空芯コイルの斜視図を
示す。
示す。
【図８】トランスを構成した平面図を示す。
【図９】多層の分割巻きしたコイルで構成した半閉磁路
インダクタの平面図を示す。
インダクタの平面図を示す。
１ 半閉磁路環状磁芯 ２ 導線 ３ 磁芯接合部 ４ 磁芯切断部 ５ 磁芯切断面 ６ 平角線 ７ 分割捲き多層コイル ８ 陵線の延長線
Claims (6)
- 【請求項１】磁性合金薄帯を捲回または積層してなる閉
磁路環状磁芯の環の一部を切断して、 局部的に開磁路
とした半閉磁路環状磁芯に、導線を捲回してなる半閉磁
路環状インダクタの製造方法において、予め導線を捲回
してなる角筒状コイルを形成しておき、該角筒状コイル
を撓めながら該コイル空芯部に、前記半閉磁路環状磁芯
の対向する切断面を乖離させて、前記半閉磁路環状磁芯
を挿入し、前記乖離された接断面を接合したことを特徴
とする半閉磁路インダクタの製造方法。 - 【請求項２】請求項１記載の半閉磁路インダクタの製造
方法において、前記コイル導線と前記半閉磁路環状磁芯
との間隙が、１、０ｍｍ〜１０ｍｍの範囲にあることを
特徴とする半閉磁路インダクタ。 - 【請求項３】請求項１および２の何れか１項に記載の半
閉磁路インダクタの製造方法において、前記導線に、単
層あるいは複層の平角線を用いたことを特徴とする半閉
磁路インダクタ。 - 【請求項４】請求項１〜３の何れか１項に記載の半閉磁
路インダクタの製造方法において、前記半閉磁路インダ
クタの内周側導線の線間が、可撓性の樹脂で接合されて
いることを特徴とする半閉磁路インダクタ。 - 【請求項５】請求項１〜４の何れか１項に記載の半閉磁
路インダクタの製造方法において、前記半閉磁路インダ
クタの体積が、０、０５ｃｃ〜５０ｃｃの範囲であるこ
とを特徴とする半閉磁路インダクタ。 - 【請求項６】請求項１〜５の何れか１項に記載の半閉磁
路インダクタ において、前記磁性合金薄帯に、厚み範
囲が５μｍ〜２５μｍの非晶質ナノ結晶合金の薄板を捲
回または積層してなる環状磁芯を用いたことを特徴とす
る半閉磁路インダクタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25691899A JP2001085233A (ja) | 1999-09-10 | 1999-09-10 | 半閉磁路インダクタおよびその製造法。 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25691899A JP2001085233A (ja) | 1999-09-10 | 1999-09-10 | 半閉磁路インダクタおよびその製造法。 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001085233A true JP2001085233A (ja) | 2001-03-30 |
Family
ID=17299196
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25691899A Pending JP2001085233A (ja) | 1999-09-10 | 1999-09-10 | 半閉磁路インダクタおよびその製造法。 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001085233A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100769029B1 (ko) * | 2004-08-06 | 2007-10-22 | 모토로라 인코포레이티드 | 다언어의 이름들의 음성 인식을 위한 방법 및 시스템 |
| WO2009044676A1 (ja) * | 2007-10-02 | 2009-04-09 | Sht Corporation Limited | コイル装置及びその製造方法 |
| WO2011015491A1 (de) * | 2009-08-06 | 2011-02-10 | Epcos Ag | Stromkompensierte drossel und verfahren zur herstellung einer stromkompensierten drossel |
| CN104269242A (zh) * | 2014-10-28 | 2015-01-07 | 田村（中国）企业管理有限公司 | 弧形立绕式电感器 |
| JP2016517181A (ja) * | 2013-04-23 | 2016-06-09 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフトＳｉｅｍｅｎｓ Ａｋｔｉｅｎｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ | 結合された個々のコイルによるｉｖａの電圧源の誘導絶縁 |
| CN105869733A (zh) * | 2016-04-01 | 2016-08-17 | 深圳市京泉华科技股份有限公司 | 导线、应用该导线的电感器及电子装置 |
| CN109448985A (zh) * | 2018-11-28 | 2019-03-08 | 吴海莽 | 一种全自动扁平线共模电感绕制设备 |
| CN111988911A (zh) * | 2019-05-06 | 2020-11-24 | 奥特斯奥地利科技与系统技术有限公司 | 包括嵌入式磁体叠置件的部件承载件 |
| WO2024023999A1 (ja) * | 2022-07-27 | 2024-02-01 | 株式会社リケン | ノイズ対策用環状磁性体及びノイズ対策用部材 |
-
1999
- 1999-09-10 JP JP25691899A patent/JP2001085233A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100769029B1 (ko) * | 2004-08-06 | 2007-10-22 | 모토로라 인코포레이티드 | 다언어의 이름들의 음성 인식을 위한 방법 및 시스템 |
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| EP2197006A1 (en) * | 2007-10-02 | 2010-06-16 | SHT Corporation Limited | Coil device and its manufacturing method |
| EP2197006A4 (en) * | 2007-10-02 | 2012-04-18 | Sht Corp Ltd | COIL UNIT AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
| US8256097B2 (en) | 2007-10-02 | 2012-09-04 | Sht Corporation Limited | Method for manufacturing a coil device |
| WO2011015491A1 (de) * | 2009-08-06 | 2011-02-10 | Epcos Ag | Stromkompensierte drossel und verfahren zur herstellung einer stromkompensierten drossel |
| US9887690B2 (en) | 2013-04-23 | 2018-02-06 | Siemens Aktiengesellschaft | Inductive isolation of voltage sources of an inductive voltage adder by individual coupled coils |
| JP2016517181A (ja) * | 2013-04-23 | 2016-06-09 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフトＳｉｅｍｅｎｓ Ａｋｔｉｅｎｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ | 結合された個々のコイルによるｉｖａの電圧源の誘導絶縁 |
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| CN105869733A (zh) * | 2016-04-01 | 2016-08-17 | 深圳市京泉华科技股份有限公司 | 导线、应用该导线的电感器及电子装置 |
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| WO2024023999A1 (ja) * | 2022-07-27 | 2024-02-01 | 株式会社リケン | ノイズ対策用環状磁性体及びノイズ対策用部材 |
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