JP2001081194A - 近紫外光領域用ポリシロキサン樹脂の製造方法 - Google Patents
近紫外光領域用ポリシロキサン樹脂の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 近紫外光領域で光吸収の少ないポリシロキサ
ン樹脂を提供する。 【解決手段】 分子内にＳｉＨ基を有するポリシロキサ
ンとケイ素原子に直接結合したビニル基を分子内に有す
るポリシロキサンを白金触媒存在下で反応させ硬化させ
る近紫外光領域用ポリシロキサン樹脂の製造方法。上記
ＳｉＨ基を有するポリシロキサンのＳｉＨ基量を前記ケ
イ素原子に直接結合したビニル基を有するポリシロキサ
ンのビニル基量に対して少なくとも１．２当量倍以上存
在させて硬化させる。
ン樹脂を提供する。 【解決手段】 分子内にＳｉＨ基を有するポリシロキサ
ンとケイ素原子に直接結合したビニル基を分子内に有す
るポリシロキサンを白金触媒存在下で反応させ硬化させ
る近紫外光領域用ポリシロキサン樹脂の製造方法。上記
ＳｉＨ基を有するポリシロキサンのＳｉＨ基量を前記ケ
イ素原子に直接結合したビニル基を有するポリシロキサ
ンのビニル基量に対して少なくとも１．２当量倍以上存
在させて硬化させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光学素子、光学基板
等に用いられる光透過性に優れた架橋構造を有する近紫
外光領域用ポリシロキサン樹脂の製造方法に関する。
等に用いられる光透過性に優れた架橋構造を有する近紫
外光領域用ポリシロキサン樹脂の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、有機光学材料は光学ガラスと比較
して軽量である、衝撃強度が優れる、加工性が良い等の
理由で一般の眼鏡レンズのみならず、オプテクスやエレ
クトロオプテクスの分野においてレンズ、光ディスク基
板、液晶ディスプレイ等に使われている。更に、近年、
従来から知られているアクリル樹脂、ポリカーボネート
樹脂に加え、耐熱性、吸水性を改善したポリオレフィン
系樹脂が開発され、光ディスク基板、レンズ等に使用さ
れている。
して軽量である、衝撃強度が優れる、加工性が良い等の
理由で一般の眼鏡レンズのみならず、オプテクスやエレ
クトロオプテクスの分野においてレンズ、光ディスク基
板、液晶ディスプレイ等に使われている。更に、近年、
従来から知られているアクリル樹脂、ポリカーボネート
樹脂に加え、耐熱性、吸水性を改善したポリオレフィン
系樹脂が開発され、光ディスク基板、レンズ等に使用さ
れている。
【０００３】これらの用途には、分子構造ないしは樹脂
構造に基づく複屈折が生じないような樹脂が望まれてい
るが、熱可塑性樹脂は、光学素子或いは光学基板として
成形する際に、成形時の樹脂の流れに起因する樹脂配向
が生じ、これより複屈折が発生することが知られてい
る。
構造に基づく複屈折が生じないような樹脂が望まれてい
るが、熱可塑性樹脂は、光学素子或いは光学基板として
成形する際に、成形時の樹脂の流れに起因する樹脂配向
が生じ、これより複屈折が発生することが知られてい
る。
【０００４】上述の欠点を解決する目的で、熱可塑性樹
脂に代えて、熱硬化性のポリシロキサン樹脂の使用が提
案されている（特開平７−２９４７０１号公報）。ポリ
シロキサン樹脂は、熱的安定性が高く、更に熱変形温度
も高いので、広い温度範囲でその特性を発揮することが
できるものである。熱硬化性樹脂は一般に低分子ないし
は低分子量の高分子を架橋させるものなので、成形時に
配向が生じた場合でも、配向緩和が速いので、複屈折が
起き難い。熱硬化性のポリシロキサン樹脂も同様に複屈
折が生じ難く、この特性は広い温度範囲で維持される。
脂に代えて、熱硬化性のポリシロキサン樹脂の使用が提
案されている（特開平７−２９４７０１号公報）。ポリ
シロキサン樹脂は、熱的安定性が高く、更に熱変形温度
も高いので、広い温度範囲でその特性を発揮することが
できるものである。熱硬化性樹脂は一般に低分子ないし
は低分子量の高分子を架橋させるものなので、成形時に
配向が生じた場合でも、配向緩和が速いので、複屈折が
起き難い。熱硬化性のポリシロキサン樹脂も同様に複屈
折が生じ難く、この特性は広い温度範囲で維持される。
【０００５】近年、光記録の分野では、高密度記録を行
なうために、記録の読み書きに使用するレーザ波長とし
て、短波長側を用いる傾向にある。その方法として、例
えば、現在使用されている６３０nmのレーザ光をＳＨＧ
素子に透過させて、３２０nm近辺の波長の光を得る方法
が知られている。このような場合、特に近紫外−紫外領
域で吸収を有さない光学材料が必要となる。
なうために、記録の読み書きに使用するレーザ波長とし
て、短波長側を用いる傾向にある。その方法として、例
えば、現在使用されている６３０nmのレーザ光をＳＨＧ
素子に透過させて、３２０nm近辺の波長の光を得る方法
が知られている。このような場合、特に近紫外−紫外領
域で吸収を有さない光学材料が必要となる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】白金存在下でビニル基
とＳｉＨ基を付加させるヒドロシリル化反応を架橋機構
として製造されたポリシロキサン樹脂において、硬化後
にビニル基が残存した場合、ビニル基が２７０〜２８０
nmに吸収を有しているため、３００〜３２０nm領域まで
その影響が現れ、分光透過率が低下してしまう。また、
近紫外光により、ポリシロキサン自身の劣化をも招いて
しまう。本発明の目的は近紫外光〜可視光領域で光吸収
の少ないポリシロキサン樹脂を提供することである。
とＳｉＨ基を付加させるヒドロシリル化反応を架橋機構
として製造されたポリシロキサン樹脂において、硬化後
にビニル基が残存した場合、ビニル基が２７０〜２８０
nmに吸収を有しているため、３００〜３２０nm領域まで
その影響が現れ、分光透過率が低下してしまう。また、
近紫外光により、ポリシロキサン自身の劣化をも招いて
しまう。本発明の目的は近紫外光〜可視光領域で光吸収
の少ないポリシロキサン樹脂を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の問題は、分子内に
ＳｉＨ基を有するポリシロキサンとケイ素原子に直接結
合したビニル基を分子内に有するポリシロキサンとを白
金触媒存在下で硬化させる近紫外光領域用ポリシロキサ
ン樹脂の製造方法において、該ＳｉＨ基を有するポリシ
ロキサンのＳｉＨ基量を該ケイ素原子に直接結合したビ
ニル基を有するポリシロキサンのビニル基量に対して少
なくとも１．２倍当量存在させて硬化させる近紫外光領
域用ポリシロキサン樹脂の製造方法によって解決され
る。
ＳｉＨ基を有するポリシロキサンとケイ素原子に直接結
合したビニル基を分子内に有するポリシロキサンとを白
金触媒存在下で硬化させる近紫外光領域用ポリシロキサ
ン樹脂の製造方法において、該ＳｉＨ基を有するポリシ
ロキサンのＳｉＨ基量を該ケイ素原子に直接結合したビ
ニル基を有するポリシロキサンのビニル基量に対して少
なくとも１．２倍当量存在させて硬化させる近紫外光領
域用ポリシロキサン樹脂の製造方法によって解決され
る。
【０００８】本発明において用いることのできる分子
内にＳｉＨ基を有するポリシロキサンとケイ素原子に
直接結合したビニル基を分子内に有するポリシロキサン
においては、その少なくとも一方はレジン状の構造をも
つものである。具体的にはのポリシロキサンがレジン
状の構造をとる場合は、それは下記平均式（２）の構造
を有するものとなる。また、のポリシロキサンがレジ
ン状の構造をとる場合は、それは、下記平均式（１）の
構造を有するものとなる。またはのポリシロキサン
は、このようなレジン状の構造を有するものである限り
４官能単位、３官能単位、２官能単位、または１官能単
位のいずれを含んでいてもかまわない。また、または
のポリシロキサンのいずれかがレジン状の構造をとら
ない場合は、それは、好適にはオイル状の構造をとるも
のが使用される。
内にＳｉＨ基を有するポリシロキサンとケイ素原子に
直接結合したビニル基を分子内に有するポリシロキサン
においては、その少なくとも一方はレジン状の構造をも
つものである。具体的にはのポリシロキサンがレジン
状の構造をとる場合は、それは下記平均式（２）の構造
を有するものとなる。また、のポリシロキサンがレジ
ン状の構造をとる場合は、それは、下記平均式（１）の
構造を有するものとなる。またはのポリシロキサン
は、このようなレジン状の構造を有するものである限り
４官能単位、３官能単位、２官能単位、または１官能単
位のいずれを含んでいてもかまわない。また、または
のポリシロキサンのいずれかがレジン状の構造をとら
ない場合は、それは、好適にはオイル状の構造をとるも
のが使用される。
【０００９】前記との組合せは、具体的には、下記
平均式（１）〜（４）から選ばれた、下記（ア）〜
（ウ）の３種の組み合わせがある。 平均式（１）：Ｒ1 n ＳｉＯ(4-n)/2 （ここに、１＜ｎ＜２であり、Ｒ1 は炭素数１以上８以
下の飽和脂肪族炭化水素基またはビニル基である。但
し、１分子中に２個以上のビニル基が存在する。） 平均式（２）：Ｒ2 n ＳｉＯ(4-n)/2 （ここに、１＜ｎ＜２であり、Ｒ2 は炭素数１以上８以
下の飽和脂肪族炭化水素基または水素原子である。但
し、１分子中に２個以上の水素原子が存在する。） 平均式（３）：Ｒ3 n ＳｉＯ(4-n)/2 （ここに、ｎ≒２であり、Ｒ3 は炭素数１以上８以下の
飽和脂肪族炭化水素基または水素原子である。但し、１
分子中に２個以上の水素原子が存在する。） 平均式（４）：Ｒ4 n ＳｉＯ(4-n)/2 （ここに、ｎ≒２であり、Ｒ4 は炭素数１以上８以下の
飽和脂肪族炭化水素基またはビニル基である。但し、１
分子中に２個以上のビニル基が存在する。）
平均式（１）〜（４）から選ばれた、下記（ア）〜
（ウ）の３種の組み合わせがある。 平均式（１）：Ｒ1 n ＳｉＯ(4-n)/2 （ここに、１＜ｎ＜２であり、Ｒ1 は炭素数１以上８以
下の飽和脂肪族炭化水素基またはビニル基である。但
し、１分子中に２個以上のビニル基が存在する。） 平均式（２）：Ｒ2 n ＳｉＯ(4-n)/2 （ここに、１＜ｎ＜２であり、Ｒ2 は炭素数１以上８以
下の飽和脂肪族炭化水素基または水素原子である。但
し、１分子中に２個以上の水素原子が存在する。） 平均式（３）：Ｒ3 n ＳｉＯ(4-n)/2 （ここに、ｎ≒２であり、Ｒ3 は炭素数１以上８以下の
飽和脂肪族炭化水素基または水素原子である。但し、１
分子中に２個以上の水素原子が存在する。） 平均式（４）：Ｒ4 n ＳｉＯ(4-n)/2 （ここに、ｎ≒２であり、Ｒ4 は炭素数１以上８以下の
飽和脂肪族炭化水素基またはビニル基である。但し、１
分子中に２個以上のビニル基が存在する。）
【００１０】（ア）平均式（１）で表されるポリシロキ
サンと平均式（２）で表されるポリシロキサンの組合わ
せ。
サンと平均式（２）で表されるポリシロキサンの組合わ
せ。
【００１１】（イ）平均式（１）で表されるポリシロキ
サンと平均式（３）で表されるポリシロキサンの組合
せ。
サンと平均式（３）で表されるポリシロキサンの組合
せ。
【００１２】（ウ）平均式（２）で表されるポリシロキ
サンと平均式（４）で表されるポリシロキサンの組合
せ。
サンと平均式（４）で表されるポリシロキサンの組合
せ。
【００１３】いずれの場合においても全ビニル基量に対
してＳｉＨ基が１．２当量倍以上となるように加え、ビ
ニル基が硬化後のポリシロキサン樹脂に残存しないよう
にすることが必須である。本発明により製造されるポリ
シロキサン樹脂においては、反応混合物中にＳｉＨ基が
過剰に存在するので、ＳｉＨ基が残存する。
してＳｉＨ基が１．２当量倍以上となるように加え、ビ
ニル基が硬化後のポリシロキサン樹脂に残存しないよう
にすることが必須である。本発明により製造されるポリ
シロキサン樹脂においては、反応混合物中にＳｉＨ基が
過剰に存在するので、ＳｉＨ基が残存する。
【００１４】一般には、残存したＳｉＨ基は水分と反応
しシラノール基となるほか、ポリシロキサンの合成時か
らポリシロキサンに残存しているシラノール基と反応し
てシロキサン結合を形成して消滅することが知られてい
る。また、図らずもこの様な反応をせずに安定に存在し
た場合でもＳｉＨ基は光吸収帯を近紫外光領域には有し
ないため、光学特性を何ら損なうことは無い。
しシラノール基となるほか、ポリシロキサンの合成時か
らポリシロキサンに残存しているシラノール基と反応し
てシロキサン結合を形成して消滅することが知られてい
る。また、図らずもこの様な反応をせずに安定に存在し
た場合でもＳｉＨ基は光吸収帯を近紫外光領域には有し
ないため、光学特性を何ら損なうことは無い。
【００１５】本発明で製造されるポリシロキサン樹脂が
前記（ア）の組合せから製造されるものである場合、硬
化後のポリシロキサン樹脂は高剛性である傾向が強い。
前記（ア）の組合せから製造されるものである場合、硬
化後のポリシロキサン樹脂は高剛性である傾向が強い。
【００１６】また、同じくポリシロキサン樹脂が前記
（イ）又は（ウ）の組合せから製造されるものである場
合、硬化後のポリシロキサン樹脂には、柔軟性が加味さ
れる傾向が強い。
（イ）又は（ウ）の組合せから製造されるものである場
合、硬化後のポリシロキサン樹脂には、柔軟性が加味さ
れる傾向が強い。
【００１７】これらの組合せは製造される近紫外光領域
用ポリシロキサン樹脂の目的用途において選択されるべ
きものであり、例えば、前記（ア）の組合せはレンズ、
プリズム等の光学素子、前記（イ）又は（ウ）の組合せ
は光ディスク等光学樹脂基板に適する傾向がある。前記
平均式（１）〜（４）において規定される炭素数１以上
８以下の飽和炭化水素基の例としては、メチル基、エチ
ル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブ
チル基等が挙げられる。
用ポリシロキサン樹脂の目的用途において選択されるべ
きものであり、例えば、前記（ア）の組合せはレンズ、
プリズム等の光学素子、前記（イ）又は（ウ）の組合せ
は光ディスク等光学樹脂基板に適する傾向がある。前記
平均式（１）〜（４）において規定される炭素数１以上
８以下の飽和炭化水素基の例としては、メチル基、エチ
ル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブ
チル基等が挙げられる。
【００１８】本発明製造方法において、硬化前の混合物
（（ｉ）分子内にＳｉＨ基を有するポリシロキサンと
（ii）ケイ素原子に直接結合したビニル基を分子内に有
するポリシロキサンとを含む混合物）は粘度が１００cP
以上３０００cP以下の範囲にあることが望まれる。この
条件を満たすものであれば、射出機のゲートを通る際に
ポリシロキサンに加えられた配向が型内において十分に
緩和されるため、硬化後に複屈折を与え難くなる。粘度
が１００cPに満たない場合は、分子量が低すぎるため、
硬化後の機械的強度が不足してしまう。
（（ｉ）分子内にＳｉＨ基を有するポリシロキサンと
（ii）ケイ素原子に直接結合したビニル基を分子内に有
するポリシロキサンとを含む混合物）は粘度が１００cP
以上３０００cP以下の範囲にあることが望まれる。この
条件を満たすものであれば、射出機のゲートを通る際に
ポリシロキサンに加えられた配向が型内において十分に
緩和されるため、硬化後に複屈折を与え難くなる。粘度
が１００cPに満たない場合は、分子量が低すぎるため、
硬化後の機械的強度が不足してしまう。
【００１９】前記（イ）の組合せにおける平均式（３）
で表されるポリシロキサンとしては両末端にＳｉＨ基を
有するジアルキルポリシロキサンが望ましい。また、そ
の使用量は、共に用いられる平均式（１）で表されるポ
リシロキサンの分子量やビニル基の量を考慮して選択さ
れる。同様に、前記（ウ）の組合せにおける平均式
（４）で表されるポリシロキサンとしては、両末端にビ
ニル基を有するジアルキルポリシロキサンが望ましい。
また、その使用量は、共に用いられる平均式（２）で表
されるポリシロキサンの分子量やＳｉＨ基の量を考慮し
て選択される。
で表されるポリシロキサンとしては両末端にＳｉＨ基を
有するジアルキルポリシロキサンが望ましい。また、そ
の使用量は、共に用いられる平均式（１）で表されるポ
リシロキサンの分子量やビニル基の量を考慮して選択さ
れる。同様に、前記（ウ）の組合せにおける平均式
（４）で表されるポリシロキサンとしては、両末端にビ
ニル基を有するジアルキルポリシロキサンが望ましい。
また、その使用量は、共に用いられる平均式（２）で表
されるポリシロキサンの分子量やＳｉＨ基の量を考慮し
て選択される。
【００２０】高濃度の官能基（ケイ素原子に結合したビ
ニル基又は水素原子）を含む場合、（ＳｉＯ）の繰り返
し長を短くすると硬化後の樹脂は硬くもろい性状を示す
傾向があるため、分子量の大きなシロキサン鎖を導入し
て柔軟性を付与するのがよい。
ニル基又は水素原子）を含む場合、（ＳｉＯ）の繰り返
し長を短くすると硬化後の樹脂は硬くもろい性状を示す
傾向があるため、分子量の大きなシロキサン鎖を導入し
て柔軟性を付与するのがよい。
【００２１】Ｒn ＳｉＯ(4-n)/2 で示されるポリシロキ
サンの製造方法は公知であり、伊藤邦雄編“シリコーン
ハンドブック”（日刊工業新聞社、１９９０年）第１２
章−第１３章、或いは和田誠編“最新シリコーン技術”
（シーエムシー社、１９８６年）第３章に記載されてい
る。
サンの製造方法は公知であり、伊藤邦雄編“シリコーン
ハンドブック”（日刊工業新聞社、１９９０年）第１２
章−第１３章、或いは和田誠編“最新シリコーン技術”
（シーエムシー社、１９８６年）第３章に記載されてい
る。
【００２２】本発明で製造される近紫外光領域用ポリシ
ロキサン樹脂の好適な例としては、平均式Ｒn ＳｉＯ
(4-n)/2 （ここに、ｎは０．５以上１．８以下であり、
Ｒは炭素数１以上８以下の炭化水素基である）で表され
るものが挙げられる。ｎの値が小さい場合はシリカゲル
に近い物性を示し、大きくなるにつれシリコーンゴムに
近い物性を示すようになる。
ロキサン樹脂の好適な例としては、平均式Ｒn ＳｉＯ
(4-n)/2 （ここに、ｎは０．５以上１．８以下であり、
Ｒは炭素数１以上８以下の炭化水素基である）で表され
るものが挙げられる。ｎの値が小さい場合はシリカゲル
に近い物性を示し、大きくなるにつれシリコーンゴムに
近い物性を示すようになる。
【００２３】本発明における樹脂の硬化方法としては、
ヒドロシリル化反応に基づく付加反応が必須である。光
学材料では、光学面を有する素子を形成することが重要
である。そのため光学面精度を有する素子型の面を素子
に転写する必要がある。成形収縮を抑制することが重要
である。そのためには、まず、硬化反応に伴う縮合生成
物が発生しないこと、硬化後の樹脂の熱収縮が小さいた
めには硬化反応が低温であることが挙げられる。ヒドロ
シリル化反応による付加反応はこれらの要請をもっとも
満足する架橋方法である。
ヒドロシリル化反応に基づく付加反応が必須である。光
学材料では、光学面を有する素子を形成することが重要
である。そのため光学面精度を有する素子型の面を素子
に転写する必要がある。成形収縮を抑制することが重要
である。そのためには、まず、硬化反応に伴う縮合生成
物が発生しないこと、硬化後の樹脂の熱収縮が小さいた
めには硬化反応が低温であることが挙げられる。ヒドロ
シリル化反応による付加反応はこれらの要請をもっとも
満足する架橋方法である。
【００２４】本発明に用いることのできるヒドロシリル
化反応触媒としては、通常のヒドロシリル化反応あるい
は付加型シリコーンゴムの硬化反応に用いられる白金系
触媒であれば特に限定されるものではない。通常、触媒
はビニル量に対して白金量換算で５〜５０ppm 加えられ
ているが、多くの白金系触媒にはオレフィン、或いはフ
ォスフィンを配位子とするものが多く、その場合添加量
は少ないほうが分光特性上は好ましい。
化反応触媒としては、通常のヒドロシリル化反応あるい
は付加型シリコーンゴムの硬化反応に用いられる白金系
触媒であれば特に限定されるものではない。通常、触媒
はビニル量に対して白金量換算で５〜５０ppm 加えられ
ているが、多くの白金系触媒にはオレフィン、或いはフ
ォスフィンを配位子とするものが多く、その場合添加量
は少ないほうが分光特性上は好ましい。
【００２５】ポリシロキサンにシリカゲルを加えること
によって樹脂強度の改善が図られることはポリシロキサ
ン樹脂では良く知られていることであり、本発明におい
ては、光学的性質を損なわない限り一般のシリコーン樹
脂同様にシリカゲルを加えることができる。本樹脂の場
合も０．１μｍ以下の平均粒径を有するシリカゲルを必
要に応じて加えることができる。その配合量としてはポ
リシロキサン樹脂１００重量部に対して０．５〜７０重
量部であるのが好ましい。シリカゲルの添加方法として
は、本発明で用いられるポリシロキサン樹脂は低粘度の
樹脂であるから直接機械的に混合する方法でもよいし、
硬化前の樹脂が有機溶媒に可溶であるためシリカゲルを
有機溶媒中に分散させて樹脂と混合する方法も可能であ
る。
によって樹脂強度の改善が図られることはポリシロキサ
ン樹脂では良く知られていることであり、本発明におい
ては、光学的性質を損なわない限り一般のシリコーン樹
脂同様にシリカゲルを加えることができる。本樹脂の場
合も０．１μｍ以下の平均粒径を有するシリカゲルを必
要に応じて加えることができる。その配合量としてはポ
リシロキサン樹脂１００重量部に対して０．５〜７０重
量部であるのが好ましい。シリカゲルの添加方法として
は、本発明で用いられるポリシロキサン樹脂は低粘度の
樹脂であるから直接機械的に混合する方法でもよいし、
硬化前の樹脂が有機溶媒に可溶であるためシリカゲルを
有機溶媒中に分散させて樹脂と混合する方法も可能であ
る。
【００２６】
【実施例】（合成例１） （ＳｉＨ含有ポリシロキサンの合成）７８ｇの１，１，
３，３−テトラメチルジシロキサン、９５ｇのヘキサメ
チルジシロキサン、４８ｇのエタノール、５９ｇの水、
３３mlの３５％濃塩酸を反応容器に入れて−１０℃に冷
却し攪拌した。これに２７０ｇのテトラエトキシシラン
を滴下して反応後、ヘキサン抽出し、抽出液を飽和塩化
アンモニウム水溶液で中性になるまで洗浄した後、硫酸
ナトリウムで乾燥した。溶媒をアスピレーターで除去
し、真空下で乾燥することにより、無色の重合体を得
た。収率８４％。
３，３−テトラメチルジシロキサン、９５ｇのヘキサメ
チルジシロキサン、４８ｇのエタノール、５９ｇの水、
３３mlの３５％濃塩酸を反応容器に入れて−１０℃に冷
却し攪拌した。これに２７０ｇのテトラエトキシシラン
を滴下して反応後、ヘキサン抽出し、抽出液を飽和塩化
アンモニウム水溶液で中性になるまで洗浄した後、硫酸
ナトリウムで乾燥した。溶媒をアスピレーターで除去
し、真空下で乾燥することにより、無色の重合体を得
た。収率８４％。
【００２７】ゲルパーミエーションクロマトグラフィ
ー、核磁気共鳴分光分析および水素基の定量から、この
重合体の平均組成式は（ＨＭｅ2 ＳｉＯ1/2)0.9(Ｍｅ3
ＳｉＯ 1/2)0.9(ＳｉＯ4/2)で表される。
ー、核磁気共鳴分光分析および水素基の定量から、この
重合体の平均組成式は（ＨＭｅ2 ＳｉＯ1/2)0.9(Ｍｅ3
ＳｉＯ 1/2)0.9(ＳｉＯ4/2)で表される。
【００２８】（合成例２） （ビニル基含有ポリシロキサンの合成）５０ｇの１，３
−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサ
ン、４４ｇのヘキサメチルジシロキサン、２２ｇのエタ
ノール、３１ｇの水、１６mlの３５％濃塩酸を反応容器
に入れて４０−５０℃で３０分攪拌した。これに１２５
ｇのテトラエトキシシランを滴下して反応後、ヘキサン
抽出し、抽出液を飽和塩化ナトリウム水溶液で中性にな
るまで洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒
をアスピレーターで除去し、真空下で乾燥することによ
り、無色の重合体を得た。収率９２％。
−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサ
ン、４４ｇのヘキサメチルジシロキサン、２２ｇのエタ
ノール、３１ｇの水、１６mlの３５％濃塩酸を反応容器
に入れて４０−５０℃で３０分攪拌した。これに１２５
ｇのテトラエトキシシランを滴下して反応後、ヘキサン
抽出し、抽出液を飽和塩化ナトリウム水溶液で中性にな
るまで洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒
をアスピレーターで除去し、真空下で乾燥することによ
り、無色の重合体を得た。収率９２％。
【００２９】ゲルパーミエーションクロマトグラフィ
ー、核磁気共鳴分光分析および水素基の定量から、この
重合体の平均組成式は（ＶｉＭｅ2 ＳｉＯ1/2)0.9(Ｍｅ
3 ＳｉＯ1/2)0.9(ＳｉＯ4/2)で表される。
ー、核磁気共鳴分光分析および水素基の定量から、この
重合体の平均組成式は（ＶｉＭｅ2 ＳｉＯ1/2)0.9(Ｍｅ
3 ＳｉＯ1/2)0.9(ＳｉＯ4/2)で表される。
【００３０】（実施例１）合成例１のＳｉＨ含有ポリシ
ロキサン５ｇ（ＳｉＨ基２３mmol）と合成例２のビニル
基含有ポリシロキサン４．５ｇ（ＳｉＶｉ基１８．６mm
ol）を混合し、これに白金触媒をポリシロキサン総重量
に対して５．４ppm 加えて光学研磨面を有する型に流し
入れ６０℃で３時間、１５０℃で５時間加熱硬化させ
た。
ロキサン５ｇ（ＳｉＨ基２３mmol）と合成例２のビニル
基含有ポリシロキサン４．５ｇ（ＳｉＶｉ基１８．６mm
ol）を混合し、これに白金触媒をポリシロキサン総重量
に対して５．４ppm 加えて光学研磨面を有する型に流し
入れ６０℃で３時間、１５０℃で５時間加熱硬化させ
た。
【００３１】得られた硬化物について、日立ＵＰＳ３１
００分光光度計で、分光透過率を測定したところ、２８
０nmで３０％、３００nmで８８％、４００−７００nmで
９２％であった。
００分光光度計で、分光透過率を測定したところ、２８
０nmで３０％、３００nmで８８％、４００−７００nmで
９２％であった。
【００３２】（実施例２）ＳｉＨ基を１６．４重量％含
有する両末端ジメチルシリル（Ｈ（ＣＨ3)2 Ｓｉ−）封
鎖ポリジメチルシロキサン１５ｇ（ＳｉＨ基８５mmol）
と合成例２のビニル基含有ポリシロキサン１６．３ｇ
（ＳｉＶｉ基６７．５mmol）を混合し、これに白金触媒
をポリシロキサン総重量に対して６ppm 加えて光学研磨
面を有する型に流し入れ６０℃で３時間、１５０℃で５
時間加熱硬化させた。
有する両末端ジメチルシリル（Ｈ（ＣＨ3)2 Ｓｉ−）封
鎖ポリジメチルシロキサン１５ｇ（ＳｉＨ基８５mmol）
と合成例２のビニル基含有ポリシロキサン１６．３ｇ
（ＳｉＶｉ基６７．５mmol）を混合し、これに白金触媒
をポリシロキサン総重量に対して６ppm 加えて光学研磨
面を有する型に流し入れ６０℃で３時間、１５０℃で５
時間加熱硬化させた。
【００３３】得られた硬化物について、日立ＵＰＳ３１
００分光光度計で分光透過率を測定したところ、２８０
nmで３０％、３００nmで８８％、４００−７００nmで９
２％であった。
００分光光度計で分光透過率を測定したところ、２８０
nmで３０％、３００nmで８８％、４００−７００nmで９
２％であった。
【００３４】（実施例３）合成例１のＳｉＨ含有ポリシ
ロキサン５ｇ（ＳｉＨ基２３mmol）とＳｉＶｉ基を９．
９重量％含有する両末端ビニルジメチルシリル封鎖ポリ
ジメチルシロキサン１０．１ｇ（ＳｉＶｉ基１８．２mm
ol）を混合し、これに白金触媒をポリシロキサン総重量
に対して５ppm 加えて光学研磨面を有する型に流し入れ
６０℃で３時間、１５０℃で５時間加熱硬化させた。
ロキサン５ｇ（ＳｉＨ基２３mmol）とＳｉＶｉ基を９．
９重量％含有する両末端ビニルジメチルシリル封鎖ポリ
ジメチルシロキサン１０．１ｇ（ＳｉＶｉ基１８．２mm
ol）を混合し、これに白金触媒をポリシロキサン総重量
に対して５ppm 加えて光学研磨面を有する型に流し入れ
６０℃で３時間、１５０℃で５時間加熱硬化させた。
【００３５】得られた硬化物について、日立ＵＰＳ３１
００分光光度計で分光透過率を測定したところ、２８０
nmで３０％、３００nmで８８％、４００−７００nmで９
２％であった。
００分光光度計で分光透過率を測定したところ、２８０
nmで３０％、３００nmで８８％、４００−７００nmで９
２％であった。
【００３６】以下に本発明の態様を示す。 （態様１）分子内にＳｉＨ基を有するポリシロキサンと
ケイ素原子に直接結合したビニル基を分子内に有するポ
リシロキサンを白金触媒存在下で反応させ硬化させる近
紫外光領域用ポリシロキサン樹脂の製造方法において、
前記ＳｉＨ基を有するポリシロキサンのＳｉＨ基量を前
記ケイ素原子に直接結合したビニル基を有するポリシロ
キサンのビニル基量に対して少なくとも１．２当量倍存
在させて反応させ硬化させる近紫外光領域用ポリシロキ
サン樹脂の製造方法。
ケイ素原子に直接結合したビニル基を分子内に有するポ
リシロキサンを白金触媒存在下で反応させ硬化させる近
紫外光領域用ポリシロキサン樹脂の製造方法において、
前記ＳｉＨ基を有するポリシロキサンのＳｉＨ基量を前
記ケイ素原子に直接結合したビニル基を有するポリシロ
キサンのビニル基量に対して少なくとも１．２当量倍存
在させて反応させ硬化させる近紫外光領域用ポリシロキ
サン樹脂の製造方法。
【００３７】（態様２）ＳｉＨ基を有するポリシロキサ
ンとケイ素原子に直接結合したビニル基を有するポリシ
ロキサンとを白金触媒存在下で１００〜１８０℃にて３
０分〜１０時間加熱硬化させる反応において、該ＳｉＨ
基を有するポリシロキサンのＳｉＨ基量を該ビニル基を
有するポリシロキサンの有するビニル基量に対して少な
くとも１．２倍当量以上存在させることを特徴とする近
紫外光領域用ポリシロキサン樹脂の製造方法。
ンとケイ素原子に直接結合したビニル基を有するポリシ
ロキサンとを白金触媒存在下で１００〜１８０℃にて３
０分〜１０時間加熱硬化させる反応において、該ＳｉＨ
基を有するポリシロキサンのＳｉＨ基量を該ビニル基を
有するポリシロキサンの有するビニル基量に対して少な
くとも１．２倍当量以上存在させることを特徴とする近
紫外光領域用ポリシロキサン樹脂の製造方法。
【００３８】
【発明の効果】本発明によれば３００〜７００nmの波長
の光領域で８０％以上の光透過率を有する硬化ポリシロ
キサン樹脂を得ることができる。
の光領域で８０％以上の光透過率を有する硬化ポリシロ
キサン樹脂を得ることができる。
Claims (1)
- 【請求項１】 分子内にＳｉＨ基を有するポリシロキサ
ンとケイ素原子に直接結合したビニル基を分子内に有す
るポリシロキサンとを白金触媒存在下で硬化させる近紫
外光領域用ポリシロキサン樹脂の製造方法において、該
ＳｉＨ基を有するポリシロキサンのＳｉＨ基量を該ケイ
素原子に直接結合したビニル基を有するポリシロキサン
のビニル基量に対して少なくとも１．２倍当量存在させ
て硬化させる近紫外光領域用ポリシロキサン樹脂の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25599199A JP4721483B2 (ja) | 1999-09-09 | 1999-09-09 | 近紫外光領域用ポリシロキサン樹脂の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25599199A JP4721483B2 (ja) | 1999-09-09 | 1999-09-09 | 近紫外光領域用ポリシロキサン樹脂の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001081194A true JP2001081194A (ja) | 2001-03-27 |
| JP4721483B2 JP4721483B2 (ja) | 2011-07-13 |
Family
ID=17286390
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25599199A Expired - Fee Related JP4721483B2 (ja) | 1999-09-09 | 1999-09-09 | 近紫外光領域用ポリシロキサン樹脂の製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4721483B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000231003A (ja) * | 1999-02-10 | 2000-08-22 | Konica Corp | 光学素子及び光学用レンズ |
| JP2000231001A (ja) * | 1999-02-10 | 2000-08-22 | Konica Corp | 光学用レンズ |
| JP2000231002A (ja) * | 1999-02-10 | 2000-08-22 | Konica Corp | 光学用レンズ |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58194762A (ja) * | 1982-05-11 | 1983-11-12 | Toray Silicone Co Ltd | 光通信ガラスフアイバ用被覆材 |
| JP2702263B2 (ja) * | 1990-08-10 | 1998-01-21 | オリンパス光学工業株式会社 | 紫外線領域用接合光学素子 |
| JP3746139B2 (ja) * | 1997-06-30 | 2006-02-15 | 信越化学工業株式会社 | 注型用シリコーンゴム反転型の製造方法 |
| JP3283816B2 (ja) * | 1998-03-09 | 2002-05-20 | ホーヤ株式会社 | 眼内レンズ |
-
1999
- 1999-09-09 JP JP25599199A patent/JP4721483B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000231003A (ja) * | 1999-02-10 | 2000-08-22 | Konica Corp | 光学素子及び光学用レンズ |
| JP2000231001A (ja) * | 1999-02-10 | 2000-08-22 | Konica Corp | 光学用レンズ |
| JP2000231002A (ja) * | 1999-02-10 | 2000-08-22 | Konica Corp | 光学用レンズ |
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|---|---|
| JP4721483B2 (ja) | 2011-07-13 |
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