JP2001066439A - 分散制御光ファイバ及びその大口径母材の製造方法 - Google Patents

分散制御光ファイバ及びその大口径母材の製造方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 分散制御光ファイバ及び大口径母材の製造方
法を提供する。 【解決手段】 分散制御光ファイバ３００は、Ｓｉ
Ｏ2、ＧｅＯ2、Ｐ2Ｏ5の３成分系から組成されたコア３
１０と、ＳｉＯ2、ＧｅＯ2、Ｐ2Ｏ5及びフロンの４成分
系から組成されたクラッド３２０とを含めてなる。ま
た、分散制御光ファイバの大口径母材の製造方法は、蒸
着チューブの内周面にＳｉＯ2、ＧｅＯ2、Ｐ2Ｏ5及びフ
ロンを蒸着させてクラッド層を形成するクラッド蒸着過
程と、クラッド蒸着過程を通じて蒸着されたクラッド層
の内周面にＳｉＯ2、ＧｅＯ2、Ｐ2Ｏ5を蒸着させてコア
層を形成するコア蒸着過程とを含めてなることを特徴と
する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ファイバ及び大
口径母材の製造方法に関し、特に、分散制御光ファイバ
及びその大口径母材の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】超高速、低損失、大容量の伝送特性のた
めに新規の情報伝送媒質として脚光を浴びている光ファ
イバは、伝送モードによって単一モード光ファイバ(Sin
gle Mode Fiber)と多重モード光ファイバ(Multi Mode F
iber)とに分けられる。また、前記単一モード光ファイ
バは、分散特性によって一般の単一モード光ファイバと
分散制御光ファイバ(Dispersion Control Fiber)とに分
けられる。
【０００３】前記分散制御光ファイバには、零分散波長
帯域を損失の最も低い１.５μm波長帯域に移動させた分
散遷移光ファイバ(Dispersion Shifted Fiber)と、１.
３〜１.６μmに該当する広い波長帯域で略均一な分散値
を有するよう調節した分散平坦化光ファイバ(Dispersio
n Flattened Fiber)及び１.５〜１.６μmで低い分散値
を有する低分散遷移光ファイバ(Non-zero Dispersion S
hifted Fiber)などがある。前記分散遷移光ファイバは
米国特許番号第５,７２１,８００号に、前記分散平坦化
光ファイバは米国特許番号第５,６７５,６９０号に各々
開示してある。
【０００４】前記光ファイバは、二重るつぼ(Double Cr
ucible)製法のように別途の母材(Preform)を形成するこ
となく原材料から直接光ファイバを線引する方法を通じ
て製造することもあるが、大部分の光ファイバは、別途
の母材を生成した後、前記母材を加熱炉内で軟化点以上
に加熱させて光ファイバを線引する方法を使用して製造
する。
【０００５】一方、前記母材から線引された光ファイバ
の長さは母材径(Preform Diameter)によって左右され
る。即ち、母材径の増加に伴い、さらに多くの光ファイ
バが線引される。従って、光ファイバの生産性の向上の
ために大口径母材(Large SizePreform)を製造するため
の工夫がなされつつある。一般に、母材の大口径化は、
蒸着及び凝縮によって生成された１次母材の直径及びオ
ーバークラッディング用のチューブの直径を延ばすこと
によって行われる。
【０００６】図１は、一般の光ファイバの製造過程を概
略的に示す図である。図１に示すように、一般の光ファ
イバの製造過程は、母材製造(Preform Manufacture)１
０、線引(Drawing)２０、被覆コーティング(Sheath Coa
ting)３０、及びワインディング(Winding)４０の過程か
らなり、通常、前記線引２０及び被覆コーティング３０
の過程は光ファイバ線引機(Fiber Drawing Apparatus)
内で連続して行われる。
【０００７】前記母材製造過程１０は、光ファイバを線
引するための基本母材を形成する過程である。前記母材
を形成する方法には、ＶＡＤ(Vapor-phase Axial Depos
ition)、ＯＣＶＤ(Outer Chemical Vapor-phase Deposi
tion)、ＰＣＶＤ(Plasma Chemical Vapor-phase Deposi
tion)及びＭＣＶＤ(Modified Chemical Vapor-phaseDep
osition)方法などがあり、特に、ＭＣＶＤ方法が広く用
いられている。
【０００８】前記ＭＣＶＤ方法による母材製造過程を簡
略に説明すれば、一定速度に回転するよう設置された蒸
着チューブ内にＳｉＣｌ4、ＧｅＣｌ4などの原料ガスを
注入し、左右に移動可能なバーナーを用いて前記蒸着チ
ューブの外周面を加熱する。これにより、前記蒸着チュ
ーブの内壁には原料ガス酸化物の微粒子が蒸着されなが
らバーナーの高い熱によって焼結(Sintering)され、凝
縮(Collapse)及びクローズ(Close)過程を経てコア及び
クラッド層の形成された１次母材が製造される。次い
で、前記１次母材にオーバークラッディング(Over Clad
ding)を行うことによって最終母材を形成する。
【０００９】前記コア及びクラッドの屈折率の差は、蒸
着チューブ内に供給される原料ガスの構成成分を調節す
ることからなり、このようなＭＣＶＤ方法による母材製
造過程は米国特許番号第４,３８９,２３０号及び第５,
３９７，３７２号などに詳細に開示してある。
【００１０】前記線引過程２０及び被覆コーティング過
程３０は、前記母材製造過程１０によって製造された母
材から光ファイバを線引する過程であって、前述の如
く、加熱炉及びコーティング器を備えた光ファイバ線引
機内で連続して行われる。即ち、前記母材を加熱炉内に
入れた後、軟化点温度(Softening point temperature)
以上に加熱すると、前記加熱炉下端の線引孔を通じて所
定の直径に縮小軟化した光ファイバが線引される。次い
で、前記光ファイバはコーティング器で外周面に被覆層
が形成された後、冷却器で冷却される。
【００１１】前記ワインディング過程４０は、線引過程
及び被覆コーティング過程を終えた光ファイバをキャプ
スタン(Capstan)によって一定な引っ張り力を加えなが
ら最終的にスプール(Spool)に巻き取る過程である。図
２は一般の単一モード光ファイバの断面図であり、図３
は従来の分散制御光ファイバの断面図であって、これら
の光ファイバはＳｉＯ2を主成分とする石英系光ファイ
バである。
【００１２】図２及び図３に示すように、一般の単一モ
ード光ファイバ及び従来の分散制御光ファイバは、各々
コア１１０，２１０、クラッド１２０，２２０、及び被
覆層１３０，２３０から構成される。前記コア１１０，
２１０はＳｉＯ2を主成分とし、屈折率を向上させる添
加剤(Dopant)ＧｅＯ2が添加される。前記クラッド１２
０，２２０は主成分のＳｉＯ2の以外に、屈折率を調節
するか、蒸着温度を下げる添加剤ＧｅＯ2、Ｐ2Ｏ5及び
フロンが添加される。図２及び図３には、説明の便宜
上、クラッド１２０，２２０領域を単一層で表したが、
オーバークラッディングなどからなされた多層のクラッ
ドも含む。
【００１３】図２の一般の単一モード光ファイバのコア
径ａ１は８〜１２μm、比屈折率差Δは０.３５であり、
図２の分散制御光ファイバのコア径ａ２は５〜８μm、
比屈折率差は０.７〜０.１５である。即ち、分散制御光
ファイバは、一般の単一モード光ファイバに比べて、コ
ア２１０の直径は相対的に小さいが、コア２１０の屈折
率は高い。前記比屈折率差Δは、コアの最大屈折率をｎ
１、クラッドの最小屈折率をｎ２とする時、(ｎ１2−ｎ
２2)／(２ｎ１2)×１００で算出される。
【００１４】前記被覆層１３０，２３０はコア１１０，
２１０とクラッド１２０，２２０の機械的、化学的損傷
を防止するために形成された内部保護層である。前記被
覆層１３０，２３０は主に紫外線硬化型或いは熱硬化型
の樹脂のようなプラスチック材質からなる。下記の表１
は、一般の単一モード光ファイバ及び従来の分散制御光
ファイバの光特性変化を示すものであって、母材径の増
加及び線引温度の増加による光特性変化と蒸着チューブ
の変形有無を示している。ＳはＳｉＯ2を、ＧはＧｅＯ2
を、ＰはＰ2Ｏ5を、Ｆはフロンを各々表す。
【００１５】
【表１】
【００１６】表１の従来例１と従来例２から判るよう
に、一般の単一モード光ファイバでは、母材を５０mmか
ら６６mmに大口径化することに伴って線引温度を増加さ
せて光ファイバを線引しても、大口径化する前の光ファ
イバと比較して零分散波長(Zero Dispersion Wavelengt
h)、モードフィールド径(Mode Field Diameter)及び分
散傾き(Dispersion Slope)などの光特性変化がほぼな
い。
【００１７】一方、従来例３と従来例４から判るよう
に、分散制御光ファイバでは、母材を５０mmから６６mm
に大口径化して光ファイバを線引すると、大口径化する
前の光ファイバに比べて、零分散波長、モードフィール
ド径、及び分散傾きなどの光特性が著しく変化する。こ
れは、分散制御光ファイバのコアとクラッドの組成成分
の違い、及び一般の単一モード光ファイバに比べて相対
的に小さいコア径に起因する。
【００１８】即ち、分散制御光ファイバはＳｉＯ2、Ｇ
ｅＯ2、Ｐ2Ｏ5、及びフロンから構成されたクラッドと
は違って、コアがＳｉＯ2、ＧｅＯ2だけからなっている
他に、一般の単一モード光ファイバに比べてコア径も小
さい。従って、母材径を大口径化した後、線引温度を高
くすると、クラッドとコア間の温度分布の不均衡による
応力(stress)発生及びクラッドとコア間の粘度差によっ
てコア領域の屈折率の分布が変わることになる。
【００１９】このようなコア領域の屈折率分布変化は、
表１の従来例３と従来例４に示すように、分散制御光フ
ァイバの光特性変化につながる。例えば、大口径化する
前の分散制御光ファイバに比べて、零分散波長は２０〜
４０nm、モードフィールド径は０.２〜０.５μm、分散
傾きは０.００４〜０.００９ps/nm2・kmの値に光特性変
化量が増加した。
【００２０】言い換えれば、従来の分散制御光ファイバ
の母材を同一の組成成分を維持したまま大口径化する
時、これから生成された分散制御光ファイバの零分散波
長、モードフィールド径及び分散傾きなどの光特性が線
引温度に従って変化し、その変化量も漸次増加するとい
う問題があった。
【００２１】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、線引温度を増加させても光特性変化が少なく、蒸着
チューブの収縮変形のない分散制御光ファイバ及びその
大口径母材の製造方法を提供することにある。
【００２２】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明は、分散制御光ファイバ及びその大口
径母材の製造方法を提供する。本発明の分散制御光ファ
イバは、ＳｉＯ2、ＧｅＯ2、Ｐ2Ｏ5の３成分系から組成
されたコアと、ＳｉＯ2、ＧｅＯ2、Ｐ2Ｏ5及びフロンの
４成分系から組成されたクラッドと、を含めてなる。ま
た、前記分散制御光ファイバの大口径母材の製造方法
は、蒸着チューブの内周面にＳｉＯ2、ＧｅＯ2、Ｐ2Ｏ5
及びフロンを蒸着させてクラッド層を形成するクラッド
蒸着過程と、前記クラッド蒸着過程を通じて蒸着された
クラッド層の内周面にＳｉＯ2、ＧｅＯ2、Ｐ2Ｏ5を蒸着
させてコア層を形成するコア蒸着過程と、を含めてなる
ことを特徴とする。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、本発明に従う好適な一実施
形態を添付図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、図
面中、同一の構成要素及び部分には、可能な限り同一の
符号及び番号を共通使用するものとする。そして、以下
の説明では、具体的な特定事項が示しているが、これに
限られることなく本発明を実施できることは、当技術分
野で通常の知識を有する者には自明である。また、関連
する周知技術については適宜説明を省略するものとす
る。
【００２４】本発明は、分散制御光ファイバを構成して
いるコアとクラッド間の組成違いを減らすことによっ
て、大口径化した母材から分散制御光ファイバを線引す
るために線引温度を増加させても光特性の変化の少ない
分散制御光ファイバ及びその大口径母材の製造方法を提
供する。
【００２５】図４は、本発明の第１実施形態による分散
制御光ファイバの断面図であり、図５は、本発明の第２
実施形態による分散制御光ファイバの断面図であり、図
６は本発明の第３実施形態による分散制御光ファイバの
断面図であって、各々のコアとクラッドには構成成分が
表示されている。ＳはＳｉＯ2、ＧはＧｅＯ2、ＰはＰ 2
Ｏ5、Ｆはフロンを表示する。
【００２６】図４に示すように、本発明の第１実施形態
による分散制御光ファイバ３００は、ＳｉＯ2、Ｇｅ
Ｏ2、及びＰ2Ｏ5からなるコア３１０と、ＳｉＯ2、Ｇｅ
Ｏ2、Ｐ 2Ｏ5、及びフロンからなるクラッド３２０とを
含めてなり、前記クラッド３２０の外周面にはコーティ
ングされた被覆層３３０が形成される。前記ＳｉＯ2は
コア３１０及びクラッド３２０の主成分であり、前記Ｇ
ｅＯ2はコア３１０及びクラッド３２０の屈折率分布の
調節のために添加される。前記Ｐ 2Ｏ5はコア３１０及び
クラッド３２０の蒸着温度を下げる以外に、コア３１０
とクラッド３２０間の粘度差を縮める役割を果たす。ま
た、前記フロンはクラッド３２０の屈折率を下げる役割
を果たす。
【００２７】前記コア３１０に添加されるＰ2Ｏ5はコア
組成成分の総重量の１０％を越えないように添加する。
前記コア３１０に添加されるＰ2Ｏ5は、コア３１０とク
ラッド３２０間の組成成分の違いから起因する粘度差を
縮めてコア３１０とクラッド３２０間の粘度差によって
光ファイバの線引時に発生する温度分布の不均衡現象を
最小化する。仮に、前記コア３１０に添加されるＰ2Ｏ5
量がコア組成成分の総重量の１０％を超えると、コア３
１０部分の吸収損失増加及び粘度減少による幾何構造の
変形を招く恐れがある。
【００２８】前記コア３１０及びクラッド３２０の比屈
折率差が一般の単一モード光ファイバの比屈折率差の
０.３５より大きくなるよう前記ＧｅＯ2、Ｐ2Ｏ5、フロ
ンの添加量を調節する。前記コア３１０内でＰ2Ｏ5の占
める組成比はコア中心から外側に行くほど増加するか、
又は減少するよう調節することができ、コア中心からの
位置に拘わらず一定にすることもできる。
【００２９】図５に示すように、本発明の第２実施形態
による分散制御光ファイバ４００は、ＳｉＯ2、Ｇｅ
Ｏ2、Ｐ2Ｏ5、及びフロンから構成されたコア４１０
と、前記コア４１０と同様に、ＳｉＯ2、ＧｅＯ2、Ｐ2
Ｏ5、及びフロンから構成されたクラッド４２０とを含
めてなり、前記クラッド４２０の外周面にはコーティン
グされた被覆層４３０が形成される。即ち、本発明の第
２実施形態による分散制御光ファイバ４００は、前記第
１実施形態とは違って、コアにフロンをさらに添加す
る。
【００３０】前記コア４１０に添加されるＰ2Ｏ5はコア
構成成分の総重量の１０％を越えないように添加する。
前記コア４１０に添加されるＰ2Ｏ5は、コア４１０とク
ラッド４２０間の構成成分の違いから発生する粘度差を
縮めることによって、コア４１０とクラッド４２０間の
粘度差によって光ファイバの線引時に発生する温度分布
の不均衡現象を最小化する。仮に、前記コア４１０に添
加されるＰ2Ｏ5の量がコア構成成分の総重量の１０％を
超えると、コア部分の吸収損失増加及び粘度減少による
幾何構造の変形を招く恐れがある。
【００３１】前記ＳｉＯ2はコア４１０及びクラッド４
２０の主成分であり、前記ＧｅＯ2はコア４１０及びク
ラッド４２０の屈折率分布の調節のために添加される。
前記Ｐ 2Ｏ5はコア４１０及びクラッド４２０の蒸着温度
を下げる以外に、コア４１０とクラッド４２０間の粘度
差を縮める。また、前記フロンは、クラッド４２０の屈
折率を低くする以外に、前記Ｐ2Ｏ5と同様にコア４１０
とクラッド４２０間の粘度差を縮める役割を果たす。
【００３２】図６に示すように、本発明の第３実施形態
による分散制御光ファイバ５００はＳｉＯ2、ＧｅＯ2、
Ｐ2Ｏ5から構成されたコア５１０と、ＳｉＯ2、Ｇｅ
Ｏ2、Ｐ 2Ｏ5、フロンより構成された１次クラッド５３
０と、ＳｉＯ2だけで構成された２次クラッド５２０と
を含めてなり、前記２次クラッド５２０の外周面にはコ
ーティングされた被覆層５４０が形成される。
【００３３】前記コア５１０に添加されるＰ2Ｏ5は、第
１実施形態及び第２実施形態と同様に、コア構成成分の
総重量の１０％を越えないように添加する。前記コア５
１０に添加されるＰ2Ｏ5は、コア５１０とクラッド５３
０間の構成成分の違いから発生する粘度差を縮めること
によって、コア５１０とクラッド５３０間の粘度差によ
る線引時の温度分布の不均衡現象を最小化する。
【００３４】前記ＳｉＯ2はコア５１０、１次クラッド
５３０及び２次クラッド５２０の主成分であり、前記Ｇ
ｅＯ2はコア５１０及び１次クラッド５３０の屈折率分
布の調節のために添加される。前記Ｐ2Ｏ5はコア５１０
及び１次クラッド５３０の蒸着温度を下げる以外に、コ
ア５１０と１次クラッド５３０間の粘度差を縮める役割
を果たし、前記フロンは１次クラッド５３０の屈折率を
低くする以外に、前記Ｐ2Ｏ5と同様に、コア５１０と１
次クラッド５３０間の粘度差を縮める。
【００３５】図７は、本発明の望ましい実施形態による
分散制御光ファイバの大口径母材の製造方法を示す流れ
図であって、ＭＣＶＤ方法による光ファイバ母材製造方
法を示している。本発明の実施形態による分散制御光フ
ァイバの大口径母材の製造過程は、クラッド蒸着過程５
０、コア蒸着過程６０、凝縮及びクローズ過程７０から
なる。
【００３６】前記クラッド蒸着過程５０は回転自在に設
けられた蒸着チューブ内にＳｉＯ2、ＧｅＯ2、Ｐ2Ｏ5を
供給しながらバーナーを用いて加熱し、前記蒸着チュー
ブの内周面にＳｉＯ2、ＧｅＯ2、及びＰ2Ｏ5の３成分系
からなるクラッド層を蒸着させる過程である。本発明の
他の実施形態によるクラッド蒸着過程は、前記蒸着チュ
ーブの内周面にＳｉＯ2、ＧｅＯ2、Ｐ2Ｏ5及びフロンの
４成分系からなるクラッド層を蒸着させる。
【００３７】前記コア蒸着過程６０は、蒸着チューブに
蒸着されたクラッド層の内周面にＳｉＯ2、ＧｅＯ2、Ｐ
2Ｏ5、及びフロンの４成分系からなるコア層を蒸着させ
る過程である。この時、前記Ｐ2Ｏ5の添加量がクラッド
層を構成する４成分系の全体重量の１０％を越えないよ
う調節する。これは、前記Ｐ2Ｏ5の重量比が全体重量の
１０％を超える場合、コア層の幾何構造の変形を招く恐
れがあるためである。
【００３８】前記凝縮及びクロージング過程７０では、
蒸着チューブの軸方向に沿ってバーナーを移動させなが
ら加熱し、コア層の中心に残存する中孔部分を埋め込む
と同時にガラス化する。一方、本発明の実施形態では、
ＭＣＶＤ方法による分散制御光ファイバの大口径母材製
造過程を提供しているが、このＭＣＶＤ方法の他に、Ｖ
ＡＤ、ＯＣＶＤ及びＰＣＶＤ方法によっても本発明の一
実施形態例或いは他の実施形態による分散制御光ファイ
バの大口径母材を製造できる。
【００３９】下記の表２は本発明の実施形態による大口
径母材から線引された分散制御光ファイバの光特性変化
を示すものであって、母材径の増加及び線引温度の変化
による光特性変化と蒸着チューブの変形有無を示してい
る。また、本発明の実施形態による二つの比較例の光特
性変化も示しており、前記二つの比較例は本発明の実施
形態とは違って、コア及びクラッドにＰ2Ｏ5を添加しな
かった。
【００４０】
【表２】 実施形態１は、図４に示すように、母材のコア組成をＳ
ｉＯ2、ＧｅＯ2、Ｐ2Ｏ5とし、クラッド組成をＳｉ
Ｏ2、ＧｅＯ2、Ｐ2Ｏ5及びフロンとして分散制御光ファ
イバ用の大口径母材を製造した後、前記大口径母材から
光ファイバを線引して零分散波長、モードフィールド径
及び分散傾きのような光特性の変化と蒸着チューブの収
縮変形程度を観察した例である。
【００４１】前記実施形態１と、コア組成をＳｉＯ2、
ＧｅＯ2だけにした大口径母材から分散制御光ファイバ
を線引した従来例４とを比較すれば、光特性変化が著し
く減少したことが判る。即ち、零分散波長の変化量は２
０〜４０nmから０〜２nmに、モードフィールド径の変化
量は０.２〜０.５μmから０〜０.２μmに、分散傾きの
変化量は０.００４〜０.００９ps/nm2・kmから０〜０.０
０１ps/nm2・kmに各々減少しており、従って、本発明の
実施形態１は従来に比べて母材の大口径化による光特性
の変化量が少ないことが判る。
【００４２】実施形態２は、図５に示すように、母材の
コア組成をＳｉＯ2、ＧｅＯ2、Ｐ2Ｏ5及びフロンにし、
クラッド組成をＳｉＯ2、ＧｅＯ2、Ｐ2Ｏ5及びフロンに
して分散制御光ファイバ用の大口径母材を製造した後、
前記大口径母材から光ファイバを線引して実施形態１と
同様に零分散波長、モードフィールド径及び分散傾きな
どの光特性の変化と蒸着チューブの収縮変形程度を観察
した例である。
【００４３】前記実施形態２と、コア組成がＳｉＯ2、
ＧｅＯ2だけからなる大口径母材から分散制御光ファイ
バを線引した従来例４とを比較すれば、実施形態１と同
様に、変化量が著しく減少したことが判る。即ち、零分
散波長変化量は２０〜４０nmから１〜３nmに、モードフ
ィールド径の変化量は０.２〜０.５μmから０〜０.２μ
mに、分散傾きの変化量は０.００４〜０.００９ps/nm2・
kmから０〜０.００１ps/nm2・kmに各々減少しており、従
って、本発明の実施形態２は従来に比べて母材の大口径
化による光特性の変化量が少ないことが判る。
【００４４】図８及び図９は、各々、従来及び本発明の
分散制御光ファイバの大口径母材の製造方法による、光
ファイバ線引温度の変化による零分散波長変化量を示し
たグラフである。図８の従来の分散制御光ファイバ母材
は５０mmから６６mmに大口径化する時、線引温度による
零分散波長の変化が大きいが、図９の本発明の実施形態
例による分散制御光ファイバ母材は５０mmから６６mmに
大口径化しても線引温度による零分散波長の変化が小さ
い。
【００４５】
【発明の効果】以上から述べてきたように、本発明の実
施形態による分散制御光ファイバ及びその大口径母材の
製造方法は、大口径母材から分散制御光ファイバを線引
するために線引温度を増加させても光特性変化量を最小
限に抑えられるため、均一な光特性が確保できる。ま
た、本発明の実施形態による分散制御光ファイバ及びそ
の大口径母材の製造方法は、コア蒸着温度を下げること
ができるため、蒸着チューブの収縮変形を防止でき、焼
結温度を低くする以外に、凝縮に所要される工程時間も
縮められる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 一般の光ファイバの製造過程を示す概略図で
ある。
【図２】 一般の単一モード光ファイバの断面図であ
る。
【図３】 従来の分散制御光ファイバの断面図である。
【図４】 本発明の第１実施形態による分散制御光ファ
イバの断面図である。
【図５】 本発明の第２実施形態による分散制御光ファ
イバの断面図である。
【図６】 本発明の第３実施形態による分散制御光ファ
イバの断面図である。
【図７】 本発明の望ましい実施形態による分散制御光
ファイバの大口径母材の製造方法を示す流れ図である。
【図８】 従来及び本発明の分散制御光ファイバの大口
径母材の製造方法による光ファイバ線引温度による零分
散波長変化量を比較したグラフである。
【図９】 従来及び本発明の分散制御光ファイバの大口
径母材の製造方法による光ファイバ線引温度による零分
散波長変化量を比較したグラフである。
【符号の説明】 ３００ 分散制御光ファイバ ３１０ コア ３２０ クラッド ３３０ 被覆層

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 分散制御光ファイバにおいて、 ＳｉＯ2、ＧｅＯ2、Ｐ2Ｏ5の３成分系から組成されたコ
    アと、 ＳｉＯ2、ＧｅＯ2、Ｐ2Ｏ5及びフロンの４成分系から組
    成されたクラッドと、を含めてなることを特徴とする分
    散制御光ファイバ。
  2. 【請求項２】 前記コアのＰ2Ｏ5はコア組成全体重量の
    １０％を越えないことを特徴とする請求項１記載の分散
    制御光ファイバ。
  3. 【請求項３】 前記コア及びクラッドの比屈折率差は
    ０.３５以上であることを特徴とする請求項１記載の分
    散制御光ファイバ。
  4. 【請求項４】 前記コア内でＰ2Ｏ5の占める組成比はコ
    ア中心から外側に行くほど増加するか、減少することを
    特徴とする請求項１記載の分散制御光ファイバ。
  5. 【請求項５】 前記コア内でＰ2Ｏ5の占める組成比はコ
    ア中心から外側に行っても常に一定であることを特徴と
    する請求項１記載の分散制御光ファイバ。
  6. 【請求項６】 分散制御光ファイバにおいて、 ＳｉＯ2、ＧｅＯ2、Ｐ2Ｏ5及びフロンの４成分系から組
    成されたコアと、 ＳｉＯ2、ＧｅＯ2、Ｐ2Ｏ5及びフロンの４成分系から組
    成されたクラッドと、を含めてなることを特徴とする分
    散制御光ファイバ。
  7. 【請求項７】 前記コアのＰ2Ｏ5はコア組成全体重量の
    １０％を越えないことを特徴とする請求項６記載の分散
    制御光ファイバ。
  8. 【請求項８】 前記コア及びクラッドの比屈折率差は
    ０.３５以上であることを特徴とする請求項６記載の分
    散制御光ファイバ。
  9. 【請求項９】 前記コア内でＰ2Ｏ5の占める組成比はコ
    ア中心から外側に行くほど増加するか、減少することを
    特徴とする請求項６記載の分散制御光ファイバ。
  10. 【請求項１０】 分散制御光ファイバにおいて、 ＳｉＯ2、ＧｅＯ2、Ｐ2Ｏ5及びフロンの４成分系から組
    成されたコアと、 前記コアの外周面にＳｉＯ2、ＧｅＯ2、Ｐ2Ｏ5及びフロ
    ンの４成分系から組成された１次クラッドと、 前記１次クラッドの外周面にＳｉＯ2だけからなる２次
    クラッドと、を含めてなることを特徴とする分散制御光
    ファイバ。
  11. 【請求項１１】 前記コアのＰ2Ｏ5はコア組成全体重量
    の１０％を越えないことを特徴とする請求項１０記載の
    分散制御光ファイバ。
  12. 【請求項１２】 ＭＣＶＤ法によって分散制御光ファイ
    バの大口径母材を製造する方法において、 蒸着チューブの内周面にＳｉＯ2、ＧｅＯ2、Ｐ2Ｏ5及び
    フロンを蒸着させてクラッド層を形成するクラッド蒸着
    過程と、 前記クラッド蒸着過程を通じて蒸着されたクラッド層の
    内周面にＳｉＯ2、ＧｅＯ2、Ｐ2Ｏ5を蒸着させてコア層
    を形成するコア蒸着過程と、を含めてなることを特徴と
    する分散制御光ファイバの大口径母材の製造方法。
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