JP2003270470A - 接続損失を減少させた分散補償ファイバ、およびそれを製造する方法 - Google Patents
接続損失を減少させた分散補償ファイバ、およびそれを製造する方法Info
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- JP2003270470A JP2003270470A JP2002063044A JP2002063044A JP2003270470A JP 2003270470 A JP2003270470 A JP 2003270470A JP 2002063044 A JP2002063044 A JP 2002063044A JP 2002063044 A JP2002063044 A JP 2002063044A JP 2003270470 A JP2003270470 A JP 2003270470A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 接続損失を減少させた分散補償ファイバ、お
よびそれを製造する方法を提供すること。 【解決手段】 コアとクラッドとを有する分散補償ファ
イバが記載されている。クラッドは、コア周囲の第１の
クラッド領域と、第１のクラッド層周囲の第２のクラッ
ド領域と、第２のクラッド層周囲の第３のクラッド領域
とを有する。コアおよび第１、第２、第３のクラッド領
域は、ドープされて分散補償ファイバの屈折率分布特性
を生み出す。クラッドの一部にリンをドープすることに
より、接続損失が減少する。
よびそれを製造する方法を提供すること。 【解決手段】 コアとクラッドとを有する分散補償ファ
イバが記載されている。クラッドは、コア周囲の第１の
クラッド領域と、第１のクラッド層周囲の第２のクラッ
ド領域と、第２のクラッド層周囲の第３のクラッド領域
とを有する。コアおよび第１、第２、第３のクラッド領
域は、ドープされて分散補償ファイバの屈折率分布特性
を生み出す。クラッドの一部にリンをドープすることに
より、接続損失が減少する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は全般に光ファイバの
改良に関し、より詳細には、接続損失を減少させた分散
補償ファイバ、およびそれを製造する方法の有利な態様
に関する。
改良に関し、より詳細には、接続損失を減少させた分散
補償ファイバ、およびそれを製造する方法の有利な態様
に関する。
【０００２】
【従来の技術】新しい種類の光ファイバが最近開発さ
れ、スロープの急な負の分散特性を有する分散補償ファ
イバ（ＤＣＦ）として知られている。ＤＣＦの１つの使
用方法は、標準のシングル・モード・ファイバ（ＳＳＭ
Ｆ）から製造された既存の光ファイバ・リンクの分散特
性を最適化して、異なる波長で動作するようにすること
である。この技法は、２０００年６月１９日に提出さ
れ、本出願の譲受人に譲渡された米国特許出願第０９／
５９６４５４号に開示されており、この図面および開示
をそのまま参照により本明細書に組み入れる。
れ、スロープの急な負の分散特性を有する分散補償ファ
イバ（ＤＣＦ）として知られている。ＤＣＦの１つの使
用方法は、標準のシングル・モード・ファイバ（ＳＳＭ
Ｆ）から製造された既存の光ファイバ・リンクの分散特
性を最適化して、異なる波長で動作するようにすること
である。この技法は、２０００年６月１９日に提出さ
れ、本出願の譲受人に譲渡された米国特許出願第０９／
５９６４５４号に開示されており、この図面および開示
をそのまま参照により本明細書に組み入れる。
【０００３】ＤＣＦの重要なパラメータは、ＤＣＦがＳ
ＳＭＦに接続される際に生じる過度の損失である。高い
負の分散を得るために、ＤＣＦは、ＳＳＭＦの１５５０
ｎｍで約１０．５μｍのモードフィールド直径に比べ
て、１５５０ｎｍで約５．０μｍのモードフィールド直
径を有する、高い屈折率を持つ小さなコアを使用する。
コア直径が異なることにより、融着接続技法を使用して
ＤＣＦをＳＳＭＦに接続するとき、かなりの信号損失が
生じる。ＤＣＦのコアを拡散させる接続パラメータを選
択し、それによってＤＣＦコアのモードフィールド直径
を外側に向かってテーパ状とし、収束効果をもたらすこ
とにより、信号損失の量を減らすことができる。しか
し、収束効果を生み出すために必要とされる熱の量およ
び持続期間により、ＤＣＦコア周囲のクラッド内で望ま
しくないフッ素ドーパントの拡散が生じる。このフッ素
拡散は、モードフィールド拡大技法を使用して得られる
接続損失減少の量を制限する。
ＳＭＦに接続される際に生じる過度の損失である。高い
負の分散を得るために、ＤＣＦは、ＳＳＭＦの１５５０
ｎｍで約１０．５μｍのモードフィールド直径に比べ
て、１５５０ｎｍで約５．０μｍのモードフィールド直
径を有する、高い屈折率を持つ小さなコアを使用する。
コア直径が異なることにより、融着接続技法を使用して
ＤＣＦをＳＳＭＦに接続するとき、かなりの信号損失が
生じる。ＤＣＦのコアを拡散させる接続パラメータを選
択し、それによってＤＣＦコアのモードフィールド直径
を外側に向かってテーパ状とし、収束効果をもたらすこ
とにより、信号損失の量を減らすことができる。しか
し、収束効果を生み出すために必要とされる熱の量およ
び持続期間により、ＤＣＦコア周囲のクラッド内で望ま
しくないフッ素ドーパントの拡散が生じる。このフッ素
拡散は、モードフィールド拡大技法を使用して得られる
接続損失減少の量を制限する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従って、接続損失を現
在の制限以下に減少させる、ＤＣＦをＳＳＭＦに接続す
るための改良された技法が必要である。
在の制限以下に減少させる、ＤＣＦをＳＳＭＦに接続す
るための改良された技法が必要である。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記およびその他の問題
は本発明により解決され、本発明の一態様は、コアとク
ラッドとを有する分散補償ファイバを提供する。クラッ
ドは、コア周囲の第１のクラッド領域と、第１のクラッ
ド層周囲の第２のクラッド領域と、第２のクラッド層周
囲の第３のクラッド領域とを有する。コアおよび第１、
第２、第３のクラッド領域は、ドープされて分散補償フ
ァイバの屈折率分布特性を生み出す。さらに、クラッド
の一部にリンをドープすることにより、接続損失が減少
する。
は本発明により解決され、本発明の一態様は、コアとク
ラッドとを有する分散補償ファイバを提供する。クラッ
ドは、コア周囲の第１のクラッド領域と、第１のクラッ
ド層周囲の第２のクラッド領域と、第２のクラッド層周
囲の第３のクラッド領域とを有する。コアおよび第１、
第２、第３のクラッド領域は、ドープされて分散補償フ
ァイバの屈折率分布特性を生み出す。さらに、クラッド
の一部にリンをドープすることにより、接続損失が減少
する。
【０００６】本発明の更なる特徴および利点は、以下の
詳細な説明および添付図面を参照することにより明らか
になろう。
詳細な説明および添付図面を参照することにより明らか
になろう。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の第１の態様は、溶着スプ
ライサを使用して分散補償ファイバ（ＤＣＦ）を接続す
る際に、接続損失を減少させる技法を提供する。本明細
書中に記載された技法は、ＤＣＦをそれ自身に接続する
際、または１本のＤＣＦと１本のＳＳＭＦの間にブリッ
ジ・ファイバを接続する、いわゆるブリッジ接続技法を
使用して、シングルモード標準ファイバ（ＳＳＭＦ）等
の他の種類のファイバに接続する際に、接続損失を減少
させるのに適している。このようなブリッジ接続技法の
１つが、２０００年９月２１日付で提出され、本出願の
譲受人が所有する米国特許出願第０９／６６７０３１号
に記載されており、その図面および開示をすべて本明細
書中にそのまま組み入れる。本発明の一実施形態では、
ＤＣＦクラッドをリンでドープしてコア領域近傍のガラ
スを軟化させることにより、接続損失減少が達成される
ので、接続後の応力効果が減少する。本明細書中に記載
された技法はＤＣＦ設計以外のファイバ設計にも適用可
能であることを理解されよう。
ライサを使用して分散補償ファイバ（ＤＣＦ）を接続す
る際に、接続損失を減少させる技法を提供する。本明細
書中に記載された技法は、ＤＣＦをそれ自身に接続する
際、または１本のＤＣＦと１本のＳＳＭＦの間にブリッ
ジ・ファイバを接続する、いわゆるブリッジ接続技法を
使用して、シングルモード標準ファイバ（ＳＳＭＦ）等
の他の種類のファイバに接続する際に、接続損失を減少
させるのに適している。このようなブリッジ接続技法の
１つが、２０００年９月２１日付で提出され、本出願の
譲受人が所有する米国特許出願第０９／６６７０３１号
に記載されており、その図面および開示をすべて本明細
書中にそのまま組み入れる。本発明の一実施形態では、
ＤＣＦクラッドをリンでドープしてコア領域近傍のガラ
スを軟化させることにより、接続損失減少が達成される
ので、接続後の応力効果が減少する。本明細書中に記載
された技法はＤＣＦ設計以外のファイバ設計にも適用可
能であることを理解されよう。
【０００８】一般に、ＤＣＦはその屈折率（ＲＩ）分布
のために接続することが難しい。図１は典型的なＤＣＦ
１０の例の横断面図であり、図２は図１に示すＤＣＦ１
０に対応する屈折率分布２０を示す図である。図１に示
すように、ＤＣＦはコア１２を含み、このコア１２の周
囲を第１、第２、第３のクラッド領域１４、１６、１８
を含むクラッドが囲んでいる。図２に示すように、ＲＩ
分布は、ＤＣＦコア１２に対応する中央スパイク２２
と、第１のクラッド領域１４に対応するスパイク２２の
両側の溝２４と、第２のクラッド領域１６に対応する各
溝２４の両側の突条２６と、第３のクラッド領域１８に
対応する各突条２６の両側の平坦部２８とを含む。
のために接続することが難しい。図１は典型的なＤＣＦ
１０の例の横断面図であり、図２は図１に示すＤＣＦ１
０に対応する屈折率分布２０を示す図である。図１に示
すように、ＤＣＦはコア１２を含み、このコア１２の周
囲を第１、第２、第３のクラッド領域１４、１６、１８
を含むクラッドが囲んでいる。図２に示すように、ＲＩ
分布は、ＤＣＦコア１２に対応する中央スパイク２２
と、第１のクラッド領域１４に対応するスパイク２２の
両側の溝２４と、第２のクラッド領域１６に対応する各
溝２４の両側の突条２６と、第３のクラッド領域１８に
対応する各突条２６の両側の平坦部２８とを含む。
【０００９】ＤＣＦは典型的に、二酸化珪素（Ｓｉ
Ｏ２）ベースのガラスから製造される。コア１２および
クラッド領域１４、１６、１８を適切なドーパントでド
ープすることにより、所望のＲＩ分布が達成される。１
つのＤＣＦ設計では、コア１２がゲルマニウム（Ｇｅ）
でドープされ、第１のクラッド領域がフッ素（Ｆ）でド
ープされ、第２のクラッド領域がゲルマニウムとフッ素
（Ｇ／Ｆ）でドープされる。
Ｏ２）ベースのガラスから製造される。コア１２および
クラッド領域１４、１６、１８を適切なドーパントでド
ープすることにより、所望のＲＩ分布が達成される。１
つのＤＣＦ設計では、コア１２がゲルマニウム（Ｇｅ）
でドープされ、第１のクラッド領域がフッ素（Ｆ）でド
ープされ、第２のクラッド領域がゲルマニウムとフッ素
（Ｇ／Ｆ）でドープされる。
【００１０】スパイク２２の両側に十分な深さの溝２４
を得るために、第１のクラッド領域１４は比較的高濃度
のフッ素ドーパントでドープされる。フッ素は、溶着接
続中に達する典型的な温度よりもはるかに低い温度で拡
散し始めるので、典型的な溶着接続動作中に、かなりの
量のフッ素拡散が生じる。非常に短い溶着時間を使用し
ない限り、この拡散により比較的高い接続損失が生じ
る。
を得るために、第１のクラッド領域１４は比較的高濃度
のフッ素ドーパントでドープされる。フッ素は、溶着接
続中に達する典型的な温度よりもはるかに低い温度で拡
散し始めるので、典型的な溶着接続動作中に、かなりの
量のフッ素拡散が生じる。非常に短い溶着時間を使用し
ない限り、この拡散により比較的高い接続損失が生じ
る。
【００１１】しかし、より長い溶着時間を使用すること
が望ましい場合がある。１つのＤＣＦ設計では、ＳＳＭ
Ｆの典型的なスポットサイズが１０μｍであるのに対し
て、スポットサイズが約５μｍである。スポットサイズ
が異なることにより、ＤＣＦをＳＳＭＦに接続するプロ
セスが複雑になる。スポットサイズの差を補償するため
に使用される１つの技法は、より長い溶着時間を使用す
ることである。より長い溶着時間により、ＤＣＦでモー
ドフィールド拡大が生じる。溶着時間の長さを制御する
ことにより、モードフィールドの不一致の問題を克服す
るために、モードフィールド拡大の量を制御することが
できる。しかし、より長い溶着時間が前記のモードフィ
ールド拡大に必要であるため、ＤＣＦクラッド内に、望
ましくないフッ素ドーパントの拡散が生じ得る。
が望ましい場合がある。１つのＤＣＦ設計では、ＳＳＭ
Ｆの典型的なスポットサイズが１０μｍであるのに対し
て、スポットサイズが約５μｍである。スポットサイズ
が異なることにより、ＤＣＦをＳＳＭＦに接続するプロ
セスが複雑になる。スポットサイズの差を補償するため
に使用される１つの技法は、より長い溶着時間を使用す
ることである。より長い溶着時間により、ＤＣＦでモー
ドフィールド拡大が生じる。溶着時間の長さを制御する
ことにより、モードフィールドの不一致の問題を克服す
るために、モードフィールド拡大の量を制御することが
できる。しかし、より長い溶着時間が前記のモードフィ
ールド拡大に必要であるため、ＤＣＦクラッド内に、望
ましくないフッ素ドーパントの拡散が生じ得る。
【００１２】米国特許出願第０９／６６７０３１号に記
載された、この問題に対する１つの解決方法は、ＤＣＦ
とＳＳＭＦとの間にブリッジ・ファイバ（ＢＦ）を導入
することである。このＢＦはＤＣＦと同一のスポットサ
イズを有するが、ＤＣＦほどにはフッ素ドープされな
い。従って、モードフィールド拡大なしに、ＢＦをＤＣ
Ｆに接続することができる。短い溶着時間を使用するこ
とができるので、フッ素拡散の問題が避けられる。ＢＦ
をＳＳＭＦに接続する際には、より長い溶着時間を使用
して、ＢＦとＳＳＭＦとの間の接続点で、ＢＦ内に所望
のモードフィールド拡大を引き起こす。ＢＦ導入の結
果、ＤＣＦとＳＳＭＦとの間の全体の接続損失が減少す
る。
載された、この問題に対する１つの解決方法は、ＤＣＦ
とＳＳＭＦとの間にブリッジ・ファイバ（ＢＦ）を導入
することである。このＢＦはＤＣＦと同一のスポットサ
イズを有するが、ＤＣＦほどにはフッ素ドープされな
い。従って、モードフィールド拡大なしに、ＢＦをＤＣ
Ｆに接続することができる。短い溶着時間を使用するこ
とができるので、フッ素拡散の問題が避けられる。ＢＦ
をＳＳＭＦに接続する際には、より長い溶着時間を使用
して、ＢＦとＳＳＭＦとの間の接続点で、ＢＦ内に所望
のモードフィールド拡大を引き起こす。ＢＦ導入の結
果、ＤＣＦとＳＳＭＦとの間の全体の接続損失が減少す
る。
【００１３】しかし、同一のスポットサイズを有するＢ
ＦとＤＣＦであっても、これらのファイバを共に接続し
た際にかなりの接続損失値が見られる。これらの接続損
失の１つの説明として、接続プロセスの応力効果があ
る。本発明によれば、クラッド領域１４、１６、１８の
１つまたは複数にリン（Ｐ）を導入することにより、こ
の損失を大幅に減少させることができる。リンの導入に
よりガラスが軟化するため、応力効果が減少する。
ＦとＤＣＦであっても、これらのファイバを共に接続し
た際にかなりの接続損失値が見られる。これらの接続損
失の１つの説明として、接続プロセスの応力効果があ
る。本発明によれば、クラッド領域１４、１６、１８の
１つまたは複数にリン（Ｐ）を導入することにより、こ
の損失を大幅に減少させることができる。リンの導入に
よりガラスが軟化するため、応力効果が減少する。
【００１４】図３から７は、本発明によるＤＣＦにリン
を十分に導入する方法の、異なる模範的な組合せを説明
する図である。リンのドーピングは伝播損失に影響を与
えるため、接続特性の改良と伝播損失との間に兼ね合い
が生じることに注目すべきである。コア・ドーパントが
石英管内に蒸着して、仕上がりファイバ内に引き込まれ
るプリフォームを画定する、内付け化学気相蒸着（ＭＣ
ＶＤ）技法を使用して、リンをＤＣＦ内に導入すること
ができる。関連する層が蒸着するＭＣＶＤプロセス中
に、プリフォーム管を介してＰＯＣ１３の流れをパージ
することにより、リンが導入される。１％濃度のＰ２０
５（重量）を使用することにより十分な結果が得られる
が、本発明はこの特定のリン濃度、またはリンをＤＣＦ
に導入するために使用される特定の技法に限定されるも
のではない。
を十分に導入する方法の、異なる模範的な組合せを説明
する図である。リンのドーピングは伝播損失に影響を与
えるため、接続特性の改良と伝播損失との間に兼ね合い
が生じることに注目すべきである。コア・ドーパントが
石英管内に蒸着して、仕上がりファイバ内に引き込まれ
るプリフォームを画定する、内付け化学気相蒸着（ＭＣ
ＶＤ）技法を使用して、リンをＤＣＦ内に導入すること
ができる。関連する層が蒸着するＭＣＶＤプロセス中
に、プリフォーム管を介してＰＯＣ１３の流れをパージ
することにより、リンが導入される。１％濃度のＰ２０
５（重量）を使用することにより十分な結果が得られる
が、本発明はこの特定のリン濃度、またはリンをＤＣＦ
に導入するために使用される特定の技法に限定されるも
のではない。
【００１５】図３は図２に示すＲＩ分布の中央断面図で
ある。説明のため、ＲＩ分布を変倍してある。ＲＩ分布
の各配置はＤＣＦの領域に対応していることが、前述の
説明から思い起こされよう。中央スパイク２２はＤＣＦ
コア１２に対応し、スパイク２２の両側の溝２４は第１
のクラッド領域１４に対応し、各溝２４の両側の突条２
６は第２のクラッド領域１６に対応し、各突条２６の両
側の平坦部２８は第３のクラッド領域１８に対応する。
また、前述の通り、図示したＤＣＦ設計のコア１２（ス
パイク２２）がゲルマニウムでドープされ、第１のクラ
ッド領域１４（溝２４）がフッ素でドープされ、第２の
クラッド領域１６（突条２６）がゲルマニウムとフッ素
でドープされる。
ある。説明のため、ＲＩ分布を変倍してある。ＲＩ分布
の各配置はＤＣＦの領域に対応していることが、前述の
説明から思い起こされよう。中央スパイク２２はＤＣＦ
コア１２に対応し、スパイク２２の両側の溝２４は第１
のクラッド領域１４に対応し、各溝２４の両側の突条２
６は第２のクラッド領域１６に対応し、各突条２６の両
側の平坦部２８は第３のクラッド領域１８に対応する。
また、前述の通り、図示したＤＣＦ設計のコア１２（ス
パイク２２）がゲルマニウムでドープされ、第１のクラ
ッド領域１４（溝２４）がフッ素でドープされ、第２の
クラッド領域１６（突条２６）がゲルマニウムとフッ素
でドープされる。
【００１６】図４に示す本発明の一実施形態では、リン
（平坦部２８にク損失ハッチで示す）が第３のクラッド
領域１８に導入される。本発明の更なる態様によれば、
第３のクラッド領域１８にリンをドープする際には常
に、リンにより引き起こされる屈折率の増加を相殺する
ために、フッ素でもドープされる。
（平坦部２８にク損失ハッチで示す）が第３のクラッド
領域１８に導入される。本発明の更なる態様によれば、
第３のクラッド領域１８にリンをドープする際には常
に、リンにより引き起こされる屈折率の増加を相殺する
ために、フッ素でもドープされる。
【００１７】図５に示す本発明の第２の実施形態では、
リンが、第２、第３のクラッド領域１６、１８に重なる
ＤＣＦの領域内に導入される（突条２６と平坦部２８に
ク損失ハッチで示す）。従って、第２のクラッド領域１
６の外側部分がゲルマニウム、フッ素、およびリンでド
ープされ、第３のクラッド領域１８がフッ素およびリン
でドープされる。第３のクラッド領域１８のリンによる
ドーピングは、第３のクラッド領域１８全体に広がって
いても、第３のクラッド領域１８の内側部分に限定され
ていてもよい。
リンが、第２、第３のクラッド領域１６、１８に重なる
ＤＣＦの領域内に導入される（突条２６と平坦部２８に
ク損失ハッチで示す）。従って、第２のクラッド領域１
６の外側部分がゲルマニウム、フッ素、およびリンでド
ープされ、第３のクラッド領域１８がフッ素およびリン
でドープされる。第３のクラッド領域１８のリンによる
ドーピングは、第３のクラッド領域１８全体に広がって
いても、第３のクラッド領域１８の内側部分に限定され
ていてもよい。
【００１８】図６に示す本発明の第３の実施形態では、
リンが、突条２６に対応する第２のクラッド領域１６全
体に導入され、第３のクラッド領域１８内に延びている
（ク損失ハッチで示す）。従って、今度は第２のクラッ
ド領域全体がリン、フッ素、およびゲルマニウムでドー
プされ、第３のクラッド領域１８がリンおよびフッ素で
ドープされる。やはり第３のクラッド領域１８のリンに
よるドーピングは、第３のクラッド領域１８全体に広が
っていても、第３のクラッド領域１８の内側部分に限定
されていてもよい。
リンが、突条２６に対応する第２のクラッド領域１６全
体に導入され、第３のクラッド領域１８内に延びている
（ク損失ハッチで示す）。従って、今度は第２のクラッ
ド領域全体がリン、フッ素、およびゲルマニウムでドー
プされ、第３のクラッド領域１８がリンおよびフッ素で
ドープされる。やはり第３のクラッド領域１８のリンに
よるドーピングは、第３のクラッド領域１８全体に広が
っていても、第３のクラッド領域１８の内側部分に限定
されていてもよい。
【００１９】図７および図８は、Ｌｕｃｅｎｔ Ｔｅｃ
ｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ｄｅｎｍａｒｋ Ａ／Ｓで製造さ
れたｘ３ＤＣＦ設計についての１５５０ｎｍでの接続損
失を比較する、表３０および４０を示している。図７の
表３０は、クラッド内にリンのない、ｘ３ＤＣＦの接続
損失・データを示し、図８の表４０は、図４に示した前
述の技法による、クラッドにリンが添加された同一のｘ
３ＤＣＦ設計の接続損失・データを示している。２つの
ＤＣＦを有効に比較するために、同一のＢＦを両方の試
験について使用した。つまり、２つのＤＣＦのうちの一
方を１本のＢＦに接続して、接続損失についての試験を
行った。その後、第１のＤＣＦをＢＦから切り離した。
次いで、第２のＤＣＦを同一のＢＦに接続して、接続損
失についての試験を行った。修正による伝播損失の増加
分は０．０１ｄＢ／ｋｍ未満であった。図７および図８
に示すように、リンをクラッドに添加することにより、
接続損失が大幅に減少する。
ｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ｄｅｎｍａｒｋ Ａ／Ｓで製造さ
れたｘ３ＤＣＦ設計についての１５５０ｎｍでの接続損
失を比較する、表３０および４０を示している。図７の
表３０は、クラッド内にリンのない、ｘ３ＤＣＦの接続
損失・データを示し、図８の表４０は、図４に示した前
述の技法による、クラッドにリンが添加された同一のｘ
３ＤＣＦ設計の接続損失・データを示している。２つの
ＤＣＦを有効に比較するために、同一のＢＦを両方の試
験について使用した。つまり、２つのＤＣＦのうちの一
方を１本のＢＦに接続して、接続損失についての試験を
行った。その後、第１のＤＣＦをＢＦから切り離した。
次いで、第２のＤＣＦを同一のＢＦに接続して、接続損
失についての試験を行った。修正による伝播損失の増加
分は０．０１ｄＢ／ｋｍ未満であった。図７および図８
に示すように、リンをクラッドに添加することにより、
接続損失が大幅に減少する。
【００２０】図９は本発明の更なる態様による、ＤＣＦ
を製造する方法５０のフローチャートである。本発明の
実施形態では、内付け化学気相蒸着（ＭＣＶＤ）技法を
使用してＤＣＦが製造される。外付け気相蒸着法（ＯＶ
Ｄ）および気相軸付け法（ＶＡＤ）を含むがこれに限定
されない、他の適切な技法を使用することもできる。Ｍ
ＣＶＤ技法によれば、コア材料およびクラッド材料が、
シリカ・ガラス、石英、またはその他の適切な材料から
製造された管の内面上に煤の層として蒸着する。次い
で、コア材料およびクラッド材料は加熱されて光ファイ
バ内に引き込まれ、管が仕上がりファイバ内の外側クラ
ッド領域を形成する。この説明のため、本明細書中で
は、第１、第２、第３のクラッド領域は各々、内側、中
間、外側クラッド領域または層として言及される。
を製造する方法５０のフローチャートである。本発明の
実施形態では、内付け化学気相蒸着（ＭＣＶＤ）技法を
使用してＤＣＦが製造される。外付け気相蒸着法（ＯＶ
Ｄ）および気相軸付け法（ＶＡＤ）を含むがこれに限定
されない、他の適切な技法を使用することもできる。Ｍ
ＣＶＤ技法によれば、コア材料およびクラッド材料が、
シリカ・ガラス、石英、またはその他の適切な材料から
製造された管の内面上に煤の層として蒸着する。次い
で、コア材料およびクラッド材料は加熱されて光ファイ
バ内に引き込まれ、管が仕上がりファイバ内の外側クラ
ッド領域を形成する。この説明のため、本明細書中で
は、第１、第２、第３のクラッド領域は各々、内側、中
間、外側クラッド領域または層として言及される。
【００２１】図９に示すように、ステップ５２では、外
側クラッド材料から製造された管の内面上に、中間クラ
ッド材料が煤の層として蒸着する。ステップ５４では、
中間クラッド材料の上に、内側クラッド材料が煤の層と
して蒸着する。ステップ５６では、内側クラッド材料の
上に、コア材料が煤の層として蒸着する。コア材料およ
びクラッド材料はドープされて、ＤＣＦの屈折率分布特
性を生み出す。前記したように、クラッドの一部にリン
をドープする。ステップ５８では、コア材料とクラッド
材料は加熱されて光ファイバ内に引き込まれる。
側クラッド材料から製造された管の内面上に、中間クラ
ッド材料が煤の層として蒸着する。ステップ５４では、
中間クラッド材料の上に、内側クラッド材料が煤の層と
して蒸着する。ステップ５６では、内側クラッド材料の
上に、コア材料が煤の層として蒸着する。コア材料およ
びクラッド材料はドープされて、ＤＣＦの屈折率分布特
性を生み出す。前記したように、クラッドの一部にリン
をドープする。ステップ５８では、コア材料とクラッド
材料は加熱されて光ファイバ内に引き込まれる。
【００２２】前述の記載には、当業者が本発明を実施す
ることを可能にする詳細が含まれているが、この記載は
例示的な性質のものであって、多くの修正および変形形
態が、これらの教示の利益を受ける当業者には明らかで
あることを理解すべきである。従って、本明細書中の発
明は、以下に添付する特許請求の範囲のみによって定義
されるものであり、この特許請求の範囲は、従来の技術
によって許可される限り広く解釈されるものである。
ることを可能にする詳細が含まれているが、この記載は
例示的な性質のものであって、多くの修正および変形形
態が、これらの教示の利益を受ける当業者には明らかで
あることを理解すべきである。従って、本明細書中の発
明は、以下に添付する特許請求の範囲のみによって定義
されるものであり、この特許請求の範囲は、従来の技術
によって許可される限り広く解釈されるものである。
【図１】１本のＤＣＦを示す横断面図である。
【図２】図１に示す１本のＤＣＦの屈折率分布を示す図
である。
である。
【図３】説明のために変倍した、図２に示す屈折率分布
の中央断面図である。
の中央断面図である。
【図４】本発明の第１の態様による、接続損失を減少さ
せた光ファイバを説明する屈折率分布を示す図である。
せた光ファイバを説明する屈折率分布を示す図である。
【図５】本発明の第２の態様による、接続損失を減少さ
せた光ファイバを説明する屈折率分布を示す図である。
せた光ファイバを説明する屈折率分布を示す図である。
【図６】本発明の第３の態様による、接続損失を減少さ
せた光ファイバを説明する屈折率分布を示す図である。
せた光ファイバを説明する屈折率分布を示す図である。
【図７】クラッド内にリンのない、１本のＤＣＦの接続
損失・データを示す表である。
損失・データを示す表である。
【図８】図４に示す発明の態様に従って製造された、１
本のＤＣＦの接続損失・データを示す表である。
本のＤＣＦの接続損失・データを示す表である。
【図９】本発明の更なる態様による方法のフローチャー
トである。
トである。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１４年９月２４日（２００２．９．２
４）
４）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正内容】
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 ラーズ グルナー−ニールセン
デンマーク国 デーケー−2700 ブロンシ
ョイ，アヴェンディンゲン 22エー
(72)発明者 スティグ ニッセン クヌドセン
デンマーク国 デーケー−2200 コペンハ
ーゲン エヌ．，ヤグトヴェイ 120，448
(72)発明者 トルベン エリク ヴェング
デンマーク国 2605 ブレンドビィ，ソル
ケー 33 セカンド フロア
Ｆターム(参考） 2H050 AB05X AB08Y AB10Y AC03
AC36 AD01
Claims (10)
- 【請求項１】 コア（１２）と、 コア周囲の第１のクラッド領域（１４）と、第１のクラ
ッド層周囲の第２のクラッド領域（１６）と、第２のク
ラッド層周囲の第３のクラッド領域（１８）とを含むク
ラッドとを備え、 コアおよび第１、第２、第３のクラッド領域にドープし
て分散補償ファイバの屈折率分布特性を生み出す、分散
補償ファイバ（１０）であって、 クラッドの一部にリンをドープすることにより、接続損
失が減少することを特徴とする分散補償ファイバ。 - 【請求項２】 第３のクラッド領域（１８）にリンをド
ープし、または第２および第３のクラッド領域に重なる
クラッドの一部にリンをドープする、請求項１に記載の
分散補償ファイバ。 - 【請求項３】 第３のクラッド領域（１８）は、リンの
ドーピングにより引き起こされる屈折率の増加を相殺す
るために、フッ素でもドープされる、請求項２に記載の
分散補償ファイバ。 - 【請求項４】 第２のクラッド領域を含み、第３のクラ
ッド領域内に延びるクラッドの一部にリンをドープす
る、請求項１に記載の分散補償ファイバ。 - 【請求項５】 コア（１２）にゲルマニウムをドープ
し、第１のクラッド領域にフッ素をドープし、第２のク
ラッド領域にゲルマニウムおよびフッ素をドープする、
請求項１に記載の分散補償ファイバ。 - 【請求項６】 （ａ）外側クラッド材料から製造された
管の内面上に、中間クラッド材料の層を蒸着させるステ
ップと、 （ｂ）中間クラッド材料の層の上に、内側クラッド材料
の層を蒸着させるステップと、 （ｃ）内側クラッド材料の層の上に、コア材料の層を蒸
着させるステップと、 （ｄ）コア材料とクラッド材料を光ファイバ内に引き込
むステップとを含み、 コア材料およびクラッド材料にドープして分散補償ファ
イバの屈折率分布特性を生み出す、分散補償ファイバを
製造する方法であって、クラッドの一部にリンをドープ
することにより、接続損失が減少することを特徴とする
方法。 - 【請求項７】 外側クラッド材料にリンをドープし、中
間クラッド層の第２クラッド領域を含み、外側クラッド
材料内に延びるクラッドの一部にリンをドープする、請
求項６に記載の分散補償ファイバを製造する方法。 - 【請求項８】 外側クラッド材料は、リンのドーピング
により引き起こされる屈折率の増加を相殺するために、
フッ素でもドープされる、請求項７に記載の分散補償フ
ァイバを製造する方法。 - 【請求項９】 中間および外側クラッド領域に重なるク
ラッド材料の一部にリンをドープする、請求項６に記載
の分散補償ファイバを製造する方法。 - 【請求項１０】 コア材料にゲルマニウムをドープし、
内側クラッド層にフッ素をドープし、中間クラッド層に
ゲルマニウムおよびフッ素をドープする、請求項６に記
載の分散補償ファイバを製造する方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002063044A JP2003270470A (ja) | 2002-03-08 | 2002-03-08 | 接続損失を減少させた分散補償ファイバ、およびそれを製造する方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002063044A JP2003270470A (ja) | 2002-03-08 | 2002-03-08 | 接続損失を減少させた分散補償ファイバ、およびそれを製造する方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003270470A true JP2003270470A (ja) | 2003-09-25 |
Family
ID=29196513
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002063044A Ceased JP2003270470A (ja) | 2002-03-08 | 2002-03-08 | 接続損失を減少させた分散補償ファイバ、およびそれを製造する方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003270470A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005309026A (ja) * | 2004-04-21 | 2005-11-04 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光ファイバ及びこの光ファイバを用いた光信号処理装置 |
Citations (7)
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| JPH04362603A (ja) * | 1991-06-10 | 1992-12-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 低損失光ファイバ |
| JPH09127354A (ja) * | 1995-08-31 | 1997-05-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 分散補償ファイバ |
| JPH09175829A (ja) * | 1995-11-07 | 1997-07-08 | Samsung Electron Co Ltd | 分散移動光ファイバの製造方法 |
| JP2001066439A (ja) * | 1999-07-22 | 2001-03-16 | Samsung Electronics Co Ltd | 分散制御光ファイバ及びその大口径母材の製造方法 |
| JP2001264569A (ja) * | 2000-03-14 | 2001-09-26 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 分散補償光ファイバおよび光伝送システム |
-
2002
- 2002-03-08 JP JP2002063044A patent/JP2003270470A/ja not_active Ceased
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