KR0153835B1 - 매끄러운 환상고리 굴절율 프로파일을 갖는 분산이동광섬유의 제조방법 - Google Patents

매끄러운 환상고리 굴절율 프로파일을 갖는 분산이동광섬유의 제조방법

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Abstract

1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
분산이동광섬유에서 특히, 코아 주위에 코아보다 굴절율이 낮은 환사고리형 굴절율을 갖는 형태이며, 제조공법상에는 석영관 내부에 화학가스를 공급하여 외부열원에 의해 가열, 증착하는 엠씨브이디(MCVD)방법에 의한 코아의 굴절율을 매끄럽게 하여 광섬유 상태에서의 기하구조를 균일하게 하는 방법에 관한 것이다.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
환상고리형 프로파일을 갖는 분산이동광섬유의 모재는 그 코아의 굴절율 형태가 원뿔형태인데, 상기 코아중심에서 최대 굴절율을 갖기위해 상기 코아중심으로 갈수록 GeO2의 양이 많아져야 한다. 이때, 상기 GeO2의 양을 증가시키는 과정에서 증착패스간의 굴절율이 떨어지고, 상기 코아중심의 굴절율이 떨어지는 센터 딥(center dip)현상이 나타나는 문제점과, 종래의 단일모드 광섬유에 비해 코아경이 작아서 모재를 광섬유로 인출했을 때 광섬유 모재길이별로 광특성의 편차가 많이 발생하는 문제점을 해결한다.
3. 발명의 해결방법의 요지
모재증착시 증착온도와 증착유랭을 조절하여 리플이 없는 굴절율을 만들고, 모재제조시 고온에 의해 코아중심에서 증발되는 GeO2가 차지했던 부분에 소정양의 SF6과 CF4를 사용하여 상기 GeO2가 차지했던 부분을 식각하여 센터딥을 줄이는 방법과, 모재의 외경을 크게하여 코아경을 균일하게하는 방법을 제공한다.
4. 발명의 중요한 용도
매끄러운 환상고리 굴절율 프로파일을 갖는 분산이동광섬유의 제조방법.

Description

매끄러운 환상고리 굴절율 프로파일을 갖는 분산이동광섬유의 제조방법.
제1도는 일반적인 엠씨이브이디 방법에 의한 제조공정을 보여주는 개략도.
제2도는 종래의 환상고리형 프로파일.
제3도는 종래 환상고리형 프로파일의 제조공정을 나타내는 파라미터.
제4도는 본 발명의 환상고리형 프로파일.
제5도는 본 발명의 환상고리형 프로파일의 제조공정을 나타내는 파라미터.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
2 : 예비석영관 4 : 원료가스 공급계
6 : 증기운반 시스템 8 : 버너
10 : 증착층
본 발명은 분산이동광섬유에서 특히, 코아 주위에 코아보다 굴절율이 낮은 환상고리형 굴절율을 갖는 형태이며, 제조공법상에는 석영관내부에 화학가스를 공급하여 외부열원에 의해 가열, 증착하는 엠씨브이디(MCVD)방법에 의한 코아의 굴절율을 매끄럽게 하여 광섬유 상태에서의 기하구조를 균일하게 하는 방법에 관한 것이다.
최근 초고속 정보통신망용으로 석영계 광섬유에서 1.55마이크로미터를 사용하는 분산이동광섬유는 그 종류와 특성이 다양하다. 상기 분산이동광섬유의 종류와 특성은 참고서적(Academic Press, Inc.에서 출판한 OPTICAL FIBER TELECOMUNIC
ATION Ⅱ의 29페이지부터 36페이지까지)에 상세히 설명되어 있으므로 설명은 생략하기로 한다. 상기 분산이동광섬유의 종류중에 특히, 환상고리형 굴절율을 갖는 분산이동광섬유는 마이크로밴딩(Micro bending)손실 특성이 우수한 것으로 알려져 있으며, 또한 상기 환상고리형 굴절율을 갖는 구조는 1983년 Bhagavatula씨 등에 의해 제안 되었으며, 상기 환상고리형 굴절율을 갖는 구조의 코아주위에 상기 코아를 보호하는 환상고리형태의 낮은 굴절율을 갖는 층이 있다는 것은 이미 1983년과 1984년에 각각 미국 특허출원된 US4,412,722와 US4,516,826에 밝혀져 있다. 그리고, 상기 환상고리형 굴절율을 갖는 구조의 광섬유는 주로 오브이디(OVD:Outer Vapor DepositionMethod)방법과, 엠씨브이디(MCVD:Modified Chemical Vapour Deposition)방법에 의해 제조되는데 상기 오브이디 방법은 이미 미국출원된 US4,715,679와 한국출원된 KR26410과 KR49509에서와 같이 환상고리의 프로파일을 계단식으로 만들기는 어려우나 상기 계단식 형태와 비슷한 삼각형 형태로는 비교적 쉽게 만들 수 있고, 또한 기공성상태로 모재 외경을 어느정도까지 크게 만들 수 있는 장점이 있다. 그리고, 상기 엠씨이브이디 방법은 이미 미국출원된 US4,737,179와, US4,755,022와 US4,822,399에서와 같이 내부증착을 하기 때문에 균일한 유량제어로 비교적 원하는 형태의 프로파일을 쉽게 만들 수 있으나, 모재의 외경을 크게할 수는 없다.
상술한 바와 같이 상기 환상고리 굴절율을 갖는 분산이동광섬유의 제조공법중 MCVD공법으로 제조하는 종래의 기술을 하기에 설명한다.
제1도는 일반적인 엠씨브이디 방법에 의한 제조공정을 보여주는 개략도이다.
제2도는 종래의 환상고리형 프로파일이다.
제3도는 종래 환상고리형 프로파일의 제조공정을 나타내는 파라미터로서,
제3a도는 종래 환상고리형 프로파일을 제조하는데 각 패스간 가열하는 온도를 나타내고, 제3b도는 종래 환상고리형 프로파일을 제조하는데 각 패스간 공급하는 SiCl4의 유량을 나타내며, 제3c도는 종래 환상고리형 프로파일을 제조하는데 각 패스간 공급하는 GeCl4의 유량을 나타내며, 제3d도는 종래 환상고리형 프로파일을 제조하는데 각 패스간 공급하는 POCl3의 유량을 나타내며, 제3e도는 종래 환상고리형 프로파일을 제조하는데 각 패스간 공급하는 O2의 유량을 나타내며, 제3f도는 종래 환상고리형 프로파일을 제조하는데 각 패스간 공급하는 CF4(SF6)의 유량을 나타낸다.
상기 첨부되는 종래의 도면 제1도의 시스템을 참조하여 제2,3도의 도면을 통해 설명하면 제1도에서와 같이 버너(8)을 통해 일정온도로 상기 석영관을 가열하는 동안 원료가스를 공급하기 위한 원료가스공급계(4)를 통해 일정량의 원료가스를 공급하여 상기 환상고리 굴절율을 갖는 분산이 동광섬유를 제조한다. 이때, 상기 제조방법을 좀 더 자세히 설명하면, 제3a도에서 석영관의 표면온도가 1890도가 되도록 일정시간 가열하여 석영관의 내부를 균일하게 한 후 증착클래드층으로서 제3b도 내지 제3f도와 같이 SiCl45400mg/m, GeCl4450mg/m, POCl340mg/m 및 CF412cc/m를 공급하면서 석영관 외부에서 산소, 수소버너로 가열하여 1890도로 일정하게 가열하여 증착한다. 그런후, 환상고리부는 제3b도 내지 제3f도와 같이 SiCl43000mg/m, GeCl41300mg/m, POCl335mg/m, 및 O22000cc/m로 공급하며 증착온도는 제3a도에서와 같이 1905도를 일정하게 유지시켜 증착한다. 그런 후, 다시 상기 증착클래드층을 형성하기 위해 제3b도 내지 제3f도와 같이 SiCl44000mg/m, GeCl4450mg/m, POCl325mg/m, 및 CF49cc/m를 공급하고 제3a도와 같이 1915도로 일정하게 온도를 유지시켜 상기 증착클래드층을 형성한다. 그리고, 코어부는 증착온도를 제3a도와 같이 1910도로 일정하게 유지하여 제3b도 내지 제3f도에서와 같이 SiCl41100mg/m, O2200mg/m를 일정하게 공급하고, GeCl4는 60-250mg/m으로 증가시켜 증착시킨다. 그런후, 제3a도에서와 같이 2300-2320도의 온도로 상기 증착 완성된 광섬유를 응축하여 밀봉직전에 CF430~40cc/m을 석영관에 공급하며, 제3a도에서와 같이 2220-2250도에서 에칭한후 2340-2360도로 가열하여 밀봉한다.
상기와 같은 방법에 의해 제조한 종래의 환상고리형 프로파일을 갖는 분산이동광섬유의 모재는 그 코아의 굴절율 형태가 원뿔형태인데. 상기 코아중심에서 최대 굴절율을 갖기위해 상기 코아중심으로 갈수록 GeO2의 양이 많아져야 한다. 이때, 제2도에서와 같이 상기 GeO2의 양을 증가시키는 과정에서 증착패스간의 굴절율이 떨어지고, 상기 코아중심의 굴절율이 떨어지는 센터 딥(center dip)현상이 나타나는 문제점이 발생하였다.
또다른 문제점으로서, 종래의 단일모드 광섬유에 비해 코아경이 작아서 모재를 광섬유로 인출했을 때 광섬유 모재길이별로 광특성의 편차가 많이 발생하는 문제점이 발생하였다.
따라서, 본 발명의 목적은 모재증착시 증착온도와 증착유량을 조절하여 리플이 없는 굴절율을 만들고, 모재제조시 고온에 의해 코아중심에서 증발되는 GeO2가 차지했던 부분에 소정양의 SF6과 CF4를 사용하여 상기 GeO2가 차지했던 부분을 식각하여 센터딥을 줄이는 방법을 제공함에 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 모재의 외경을 크게하여 코아경을 균일하게 하는 방법을 제공한다.
상술한 바와 같이 본 발명은 석영관 외부에 산소와 수소버너로 1875도에서 1903도까지의 온도로 가열하고 원료인 SiCl45200mg/m, GeCl4430mg/m, POCl330mg/m, CF49cc/m를 공급하여 증착클래드를 증착하는 제1증착과정과, 상기 증착클래드부를 증착한 후 온도를 1900도로 일정하게 유지하고 원료인 SiCl43300mg/m, GeCl41150mg/m, POCl320mg/m, O21500mg/m로 공급하여 환상고리부를 증착하는 제2증착과정과, 상기 환상고리부를 증착한 후 온도를 1890도에서 1897도로 증가시키고 원료인 SiCl43800mg/m, GeCl4, POCl310mg/m CF47cc/m를 공급시켜 증착클래드부를 다시 증착하는 제3증착과정과, 상기 증착클래드부를 증착한 후 온도를 1920도에서 1890도로 9패스로 나누어 낮추어 가열할시 원료중 SiCl4유량을 9패스로 감소시켜 380mg/m에서 260mg/m으로 공급하고, GeCl4유량을 9패스로 증가시켜 20mg/m에서 195mg/m으로 공급하며 POCl3과 O2의 유량은 10mg/m, O21500cc/m를 일정하게 공급시켜 코어부를 증착하는 제4증착과정과, 상기 코어부를 증착한 후 온도를 2300-2360도로 상기 증착 완성된 광섬유을 응축하여 밀봉직전에 CF430-40cc/m을 석영관에 공급하며, 2220-2250도에서 에칭한후 2350-2370도로 가열하면서 Cl2100cc/m를 석영관에 공급하며 밀봉하는 밀봉과정으로 이루어짐을 특징으로 한다.
이하 본 발명에 적용되는 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
제4도는 본 발명의 환상고리형 프로파일이다.
제5도는 본 발명의 환상고리형 프로파일의 제조공정을 나타내는 파라미터로서,
제5a도는 매끄러운 환상고리 굴절율 프로파일을 갖기위해 각 패스간 가열하는 온도를 나타내고, 제5b도는 매끄러운 환상고리 굴절율 프로파일을 갖기위해 각 패스간 공급하는 SiCl4의 유량을 나타내며, 제5도는 매끄러운 환상고리 굴절율 프로파일을 갖기위해 각 패스간 공급한 GeCl4의 유량을 나타내며, 제5d도는 매끄러운 환상고리 굴절율 프로파일을 갖기위해 각 패스간 공급하는 POCl3의 유량을 나타내며, 제5e도는 매끄러운 환상고리 굴절율 프로파일을 갖기위해 각 패스간 공급하는 O2의 유량을 나타내며, 제5f도는 매끄러운 환상고리 굴절율 프로파일을 갖기 위해 각 패스간 공급하는 CF4(SF6)의 유량을 나타내며, 제5g도는 매끄러운 환상고리 굴정율 프로파일을 갖기위해 각 패스간 공급하는 Cl2의 유량을 나타낸다.
이하 본 발명에 적용되는 제1도의 개략도를 참조하여 제4도와 제5도의 도면을 상세히 설명한다.
제1도에서와 같이 버너(8)을 통해 일정온도로 상기 석영관을 가열하는 동안 원료가스를 공급하기 위한 원료가스공급계(4)를 통해 일정량의 원료가스를 공급하여 상기 환상고리 굴절율을 갖는 분산이동광섬유를 제조한다. 이때, 상기 제조방법을 좀 더 자세히 설명하면, 석영관의 표면온도가 제5a도에서와 같이 1875도가 되도록 일정시간 가열하여 석영관의 내부를 균일하게 한 후 증착클래드층으로서 제5b도 내지 제5g도에서와 같이 SiCl45200mg/m, GeCl4430mg/m, POCl330mg/m, CF49cc/m 공급하면서 석영관 외부에서 산소, 수소버너로 가열하여 1875도에서 9패스로 하여 3.5도씩 증가되도록 가열하여 증착한다. 그런후, 환상고리부는 제5b도 내지 제5g도에서와 같이 SiCl43300mg/m, GeCl41150mg/m, POCl320mg/m, O21500cc/m로 공급하며 증착온도는 제5a도에서와 같이 1900도를 일정하게 유지시켜 증착한다. 그런후, 다시 상기 증착클래드층을 형성하기 위해 제5b도 내지 제5g도에서와 같이 SiCl43800mg/m, GeCl4430mg/m, POCl310mg/m, CF47cc/m를 공급하고 제5모도에서와 같이 1890도에서 1897도로 온도를 증가시켜 상기 증착클래드층을 형성한다. 그리고, 코어부는 제5a도에서와 같이 증착온도를 1920도에서 1890도로 9패스로 나누어 낮추어 가열할시 원료중 제5b도에서와 같이 SiCl4유량을 9패스로 감소시켜 380mg/m에서 260mg/m으로 공급하고, 제5c도에서와 같이 GeCl4유량을 9패스로 증가시켜 20mg/m에서 195mg/m으로 공급하며 제5c도에서와 같이 O2의 유량은 1500cc/m를 일정하게 공급시켜 증착시킨다. 이때, 상기 온도에 따른 원료의 유량은 하기에 나타난 표1과 같다.
그런후, 제5a도에서와 같이 2300-2360도의 온도로 상기 증착 완성된 광섬유를 응축하여 밀봉직전에 제5f도에서와 같이 CF30-40cc/m을 석영관에 공급하며, 제5a도에서와 같이 2220-2250도에서 에칭한후 2350-2370도로 가열하면서 제5g도에서와 같이 Cl100cc/m를 석영관에 공급하며 밀봉한다.
본 발명의 또다른 실시예로서, 상기 코어부의 온도조건은 증착온도를 1905도에서 1890도로 9패스로 나누어 낮추어 가열할시 원료중 SiCl유량을 9패스로 감소시켜 300mg/m에서 260mg/m으로 공급하고, GeCl유량을 9패스로 증가시켜 20mg/m에서 195mg/m으로 공급하며 O의 유량은 1500cc/m를 일정하게 공급시켜 증착시킨다. 이때, 상기 온도에 따른 원료의 유량은 하기에 나타난 표2와 같다.
본 발명의 또다른 실시예로서, 상기 코어부의 온도조건은 증착온도를 1905도에서 1890도로 9패스로 나누어 낮추어 가열할시 원료중 SiCl유량을 9패스로 감소시켜 300mg/m에서 260mg/m으로 공급하고, GeCl유량을 9패스로 증가시켜 30mg/m에서 195mg/m으로 공급하며 O의 유량은 1500cc/m를 일정하게 공급시켜 증착시킨다. 이때, 상기 온도에 따른 원료의 유량은 하기에 나타난 표3과 같다.
상술한 바와 같이 본 발명은 모재증착시 증착온도와 증착유량을 조절하여 리플이 없는 굴절율을 만들고, 모재제조시 고온에 의해 코아중심에서 증발되는 GeO가 차지했던 부분에 소정양의 SF과 CF를 사용하여 상기 GeO가 차지했던 부분을 식각하여 센터딥을 줄이는 방법과 오버클래드 방법을 사용한 모재의 외경을 크게하여 코아경을 균일하게하는 방법을 제공함으로서, 광섬유의 손실이 크게 향상 되었으며, 영분산 파장 역시 매우 안정된 특성을 가질수 있는 잇점이 있다.

Claims (6)

  1. 매끄러운 환상고리 굴절율 프로파일을 갖는 분산이동광섬유의 제조방법에 있어서, 석영관 외부에 산소와 수소버너로 1875도에서 1903도까지의 온도로 가열하고 원료인 SiCl45200mg/m, GeCl4430mg/m, POCl330mg/m, CF49cc/m를 공급하여 증착클래드를 증착하는 제1증착과정과, 상기 증착클래드부를 증착한 후 온도를 1900도로 일정하게 유지하고 원료인 SiCl43300mg/m, GeCl41150mg/m, POCl320mg/m, O21500mg/m로 공급하여 환상고리부를 증착하는 제2증착과정과, 상기 환상고리부를 증착한 후 온도를 1890도에서 1897도로 증가시키고 원료인 SiCl43800mg/m, GeCl4, POCl310mg/m CF47cc/m를 공급시켜 증착클래드부를 다시 증착하는 제3증착과정과, 상기 증착클래드부를 증착한 후 온도를 1920도에서 1890도로 9패스로 나누어 낮추어 가열할시 원료중 SiCl4유량을 9패스로 감소시켜 380mg/m에서 260mg/m으로 공급하고, GeCl4유량을 9패스로 증가시켜 20mg/m에서 195mg/m으로 공급하며 POCl3과 O2의 유량은 10mg/m, O21500cc/m를 일정하게 공급시켜 코어부를 증착하는 제4증착과정과, 상기 코어부를 증착한 후 온도를 2300-2360도로 상기 증착 완성된 광섬유을 응축하여 밀봉직전에 CF430-40cc/m을 석영관에 공급하며, 2220-2250도에서 에칭한후 2350-2370도로 가열하면서 Cl2100cc/m를 석영관에 공급하며 밀봉하는 밀봉과정으로 이루어짐을 특징으로 하는 매끄러운 환상고리 굴절율 프로파일을 갖는 분산이동광섬유의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 코아부 증착 과정은, 온도를 1920도, 1916도, 1913도, 1906도, 1901도, 1879도, 1894도, 1890도의 9패스로 감소시키고, 원료인 SiCl4를 380mg/m, 365mg/m, 350mg/m, 335mg/m, 320mg/m. 305mg/m, 290mg/m, 275mg/m. 260mg/m, 52mg/m, 82mg/m, 109mg/m, 134mg/m, 156mg/m, 175mg/m, 191mg/m, 195mg/m으로 증가시킴을 특징으로 하는 매끄러운 환상고리 굴절율 프로파일을 갖는 분산이동광섬유의 제조방법.
  3. 매끄러운 환상고리 굴절율 프로파일을 갖는 분산이동광섬유의 제조방법에 있어서, 석영관 외부에 산소와 수소버너로 1875도에서 1903도까지의 온도로 가열하고 원료인 SiCl45200mg/m, GeCl4430mg/m, POCl330mg/m, CF49cc/m를 공급하여 증착클래드를 증착하는 제1증착과정과, 상기 증착클래드부를 증착한 후 온도를 1900도로 일정하게 유지하고 원료인 SiCl43300mg/m, GeCl41150mg/m, POCl320mg/m, O21500mg/m로 공급하여 환상고리부를 증착하는 제2증착과정과, 상기 환상고리부를 증착한 후 온도를 1890도에서 1897도로 증가시키고 원료인 SiCl43800mg/m, GeCl4, POCl310mg/m CF47cc/m를 공급시켜 증착클래드부를 다시 증착하는 제3증착과정과, 상기 증착클래드부를 증착한 후 온도를 1905도에서 1890도로 9패스로 나누어 낮추어 가열할시 원료중 SiCl4유량을 9패스로 감소시켜 300mg/m에서 260mg/m으로 공급하고, GeCl4유량을 9패스로 증가시켜 20mg/m에서 195mg/m으로 공급하며 O2의 유량은 1500cc/m 200mg/m를 일정하게 공급시켜 코어부를 증착하는 제4증착과정과, 상기 코어부를 증착한 후 온도를 2300-2360도로 상기 증착 완성된 광섬유을 응축하여 밀봉직전에 CF430-40cc/m을 석영관에 공급하며, 2220-2250도에서 에칭한후 2350-2370도로 가열하면서 Cl2100cc/m를 석영관에 공급하며 밀봉하는 밀봉과정으로 이루어짐을 특징으로 하는 매끄러운 환상고리 굴절율 프로파일을 갖는 분산이동광섬유의 제조방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 코아부 증착 과정은, 온도를 1905도, 1903도, 1900도, 1898도, 1895도, 1893도, 18907도, 1890도, 1890도의 9패스로 감소시키고, 원료인 SiCl4를 300mg/m, 295mg/m, 290mg/m, 285mg/m, 280mg/m. 280mg/m, 275mg/m, 270mg/m. 265mg/m, 260mg/m으로 9패스로 상기 온도에 맞추어 감소시키고, GeCl4를 20mg/m, 42mg/m, 67mg/m, 92mg/m, 116mg/m, 138mg/m, 160mg/m, 182mg/m, 195mg/m으로 증가시킴을 특징으로 하는 매끄러운 환상고리 굴절율 프로파일을 갖는 분산이동광섬유의 제조방법.
  5. 매끄러운 환상고리 굴절율 프로파일을 갖는 분산이동광섬유의 제조방법에 있어서, 석영관 외부에 산소와 수소버너로 1875도에서 1903도까지의 온도로 가열하고 원료인 SiCl45200mg/m, GeCl4430mg/m, POCl330mg/m, CF49cc/m를 공급하여 증착클래드를 증착하는 제1증착과정과, 상기 증착클래드부를 증착한 후 온도를 1900도로 일정하게 유지하고 원료인 SiCl43300mg/m, GeCl41150mg/m, POCl320mg/m, O21500mg/m로 공급하여 환상고리부를 증착하는 제2증착과정과, 상기 환상고리부를 증착한 후 온도를 1890도에서 1897도로 증가시키고 원료인 SiCl43800mg/m, GeCl4, POCl310mg/m CF47cc/m를 공급시켜 증착클래드부를 다시 증착하는 제3증착과정과, 상기 증착클래드부를 증착한 후 온도를 1905도에서 1890도로 9패스로 나누어 낮추어 가열할시 원료중 SiCl4유량을 9패스로 감소시켜 300mg/m에서 260mg/m으로 공급하고, GeCl4유량을 9패스로 증가시켜 30mg/m에서 195mg/m으로 공급하며 O2의 유량은 1500cc/m를 일정하게 공급시켜 코어부를 증착하는 제4증착과정과, 상기 코어부를 증착한 후 온도를 2300-2360도로 상기 증착 완성된 광섬유을 응축하여 밀봉직전에 CF430-40cc/m을 석영관에 공급하며, 2220-2250도에서 에칭한후 2350-2370도로 가열하면서 Cl2100cc/m 밀봉하는 밀봉과정으로 이루어짐을 특징으로 하는 매끄러운 환상고리 굴절율 프로파일을 갖는 분산이동광섬유의 제조방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 코아부 증착 과정은, 온도를 1905도, 1903도, 1900도, 1898도, 1895도, 1893도, 18907도, 1890도, 1890도의 9패스로 감소시키고, 원료인 SiCl4를 300mg/m, 295mg/m, 290mg/m, 285mg/m, 280mg/m. 275mg/m, 270mg/m, 265mg/m, 260mg/m으로 9패스로 상기 온도에 맞추어 감소시키고, GeCl4를 30mg/m, 55mg/m, 78mg/m, 101mg/m, 123mg/m, 144mg/m, 165mg/m, 184mg/m, 195mg/m으로 증가시킴을 특징으로 하는 매끄러운 환상고리 굴절율 프로파일을 갖는 분산이동광섬유의 제조방법.
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