JP3137849B2 - 分散シフト光ファイバ用母材の製法 - Google Patents
分散シフト光ファイバ用母材の製法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、長距離大容量光通信
に好適な１．５５μｍ帯用分散シフト光ファイバ用の光
ファイバ母材を製造する方法に関する。
に好適な１．５５μｍ帯用分散シフト光ファイバ用の光
ファイバ母材を製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の１．５５μｍ帯用分散シ
フト光ファイバとしては、図７に示すような屈折率分布
を有するデュアルシェイプ構造のものが知られている。
このものは、中心部の高屈折率の中心コア１と、この中
心コア１の周囲に設けられ、中心コア１より低屈折率の
屈折率分布が階段状となった階段コア２と、この階段コ
ア２の周囲に設けられ、階段コア２よりも低屈折率のク
ラッド３とからなるものである。そして、中心コア１お
よび階段コア２はゲルマニア（ＧｅＯ2）ドープ石英ガ
ラスからなり、クラッド３は石英ガラスからなり、中心
コア１の比屈折率差（Δ１）が０．７５〜０．８５％、
階段コア２の比屈折率差（Δ２）が０．１０〜０．２０
％となっており、階段コア２の半径（ｒ2 ）と中心コア
１の半径（ｒ1 ）との比（ｒ2 ／ｒ1 ）は２．５〜４と
なっている。
フト光ファイバとしては、図７に示すような屈折率分布
を有するデュアルシェイプ構造のものが知られている。
このものは、中心部の高屈折率の中心コア１と、この中
心コア１の周囲に設けられ、中心コア１より低屈折率の
屈折率分布が階段状となった階段コア２と、この階段コ
ア２の周囲に設けられ、階段コア２よりも低屈折率のク
ラッド３とからなるものである。そして、中心コア１お
よび階段コア２はゲルマニア（ＧｅＯ2）ドープ石英ガ
ラスからなり、クラッド３は石英ガラスからなり、中心
コア１の比屈折率差（Δ１）が０．７５〜０．８５％、
階段コア２の比屈折率差（Δ２）が０．１０〜０．２０
％となっており、階段コア２の半径（ｒ2 ）と中心コア
１の半径（ｒ1 ）との比（ｒ2 ／ｒ1 ）は２．５〜４と
なっている。
【０００３】このような分散シフト光ファイバを製造す
るには、中心コア１に対応する中心コア部、階段コア２
に対応する階段コア部、クラッド３に対応するクラッド
部を有し、同様の屈折率分布を持つ光ファイバ母材を製
造し、この光ファイバ母材を通常の溶融紡糸することで
行われる。
るには、中心コア１に対応する中心コア部、階段コア２
に対応する階段コア部、クラッド３に対応するクラッド
部を有し、同様の屈折率分布を持つ光ファイバ母材を製
造し、この光ファイバ母材を通常の溶融紡糸することで
行われる。
【０００４】そして、この光ファイバ母材をＶＡＤ法に
よって製造するには、図８に示すように最下方に配置さ
れ、出発基材４に対して傾斜して配されたスート形成用
バーナ（以下、単にバーナと記す）Ａで中心コア部とな
るスート５を出発基材４の先端に生成、堆積させながら
出発基材４の側方に配置されたバーナＢで階段コア部と
なるスート６を生成、堆積させる。
よって製造するには、図８に示すように最下方に配置さ
れ、出発基材４に対して傾斜して配されたスート形成用
バーナ（以下、単にバーナと記す）Ａで中心コア部とな
るスート５を出発基材４の先端に生成、堆積させながら
出発基材４の側方に配置されたバーナＢで階段コア部と
なるスート６を生成、堆積させる。
【０００５】さらに、バーナＢの上方に配置された２基
のバーナＣおよびバーナＤでクラッド部となるスート７
を生成堆積する。バーナＡおよびバーナＢには、ガラス
原料ガスのＳｉＣｌ4 ，ＧｅＣｌ4 と燃料のＨ2 と酸化
剤のＯ2 がそれぞれ所定量供給され、バーナＣおよびバ
ーナＤには、それぞれＳｉＣｌ4 ，Ｈ2 ，Ｏ2 が供給さ
れ、上述の屈折率分布が得られるようにされる。また、
このスートの形成時のスート表面の最高温度は、スート
の割れが生じにくい、７００〜８００℃の範囲に調節さ
れる。
のバーナＣおよびバーナＤでクラッド部となるスート７
を生成堆積する。バーナＡおよびバーナＢには、ガラス
原料ガスのＳｉＣｌ4 ，ＧｅＣｌ4 と燃料のＨ2 と酸化
剤のＯ2 がそれぞれ所定量供給され、バーナＣおよびバ
ーナＤには、それぞれＳｉＣｌ4 ，Ｈ2 ，Ｏ2 が供給さ
れ、上述の屈折率分布が得られるようにされる。また、
このスートの形成時のスート表面の最高温度は、スート
の割れが生じにくい、７００〜８００℃の範囲に調節さ
れる。
【０００６】かくしてスートプリフォームが得られたな
らば、常法にしたがって、これに脱水処理を施し、つい
で焼結して透明ガラス化して光ファイバ母材とする。
らば、常法にしたがって、これに脱水処理を施し、つい
で焼結して透明ガラス化して光ファイバ母材とする。
【０００７】このような光ファイバ母材の製造にあって
は、その屈折率分布が複雑であり、かつ屈折率分布に制
約があるため、通常の１．３μｍ帯用シングルモード光
ファイバ用母材の製造に比べて製造歩留りが悪い欠点が
あった。すなわち、上述の屈折率分布の制約として階段
コア部となる部分が平坦でかつ水平であるか、あるいは
平坦でかつ外方に向かって屈折率が徐々に低下するよう
にせねばならないためである。
は、その屈折率分布が複雑であり、かつ屈折率分布に制
約があるため、通常の１．３μｍ帯用シングルモード光
ファイバ用母材の製造に比べて製造歩留りが悪い欠点が
あった。すなわち、上述の屈折率分布の制約として階段
コア部となる部分が平坦でかつ水平であるか、あるいは
平坦でかつ外方に向かって屈折率が徐々に低下するよう
にせねばならないためである。
【０００８】また、従来の製法では、上述のようにバー
ナＢを１本使用して階段コア部となるスートを合成して
いるため、階段コア部の半径（Ｒ2 ）と中心コア部の外
径（Ｒ1 ）との比（Ｒ2 ／Ｒ1 ）を３〜５と大きくした
場合には階段コア部の屈折率分布が平坦にならず、不整
となる欠点がある。また、製造時においてスートの割れ
が発生することもあった。
ナＢを１本使用して階段コア部となるスートを合成して
いるため、階段コア部の半径（Ｒ2 ）と中心コア部の外
径（Ｒ1 ）との比（Ｒ2 ／Ｒ1 ）を３〜５と大きくした
場合には階段コア部の屈折率分布が平坦にならず、不整
となる欠点がある。また、製造時においてスートの割れ
が発生することもあった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】よって、この発明にお
ける課題は、上記比（Ｒ2 ／Ｒ1 ）を従前の２〜３の場
合は勿論のこと、３〜５程度にまで大きくした光ファイ
バ母材を製造する場合においても、階段コア部の屈折率
分布が平坦となり、かつスートの割れが生じないように
することである。
ける課題は、上記比（Ｒ2 ／Ｒ1 ）を従前の２〜３の場
合は勿論のこと、３〜５程度にまで大きくした光ファイ
バ母材を製造する場合においても、階段コア部の屈折率
分布が平坦となり、かつスートの割れが生じないように
することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】かかる課題は、階段コア
部となるスートを複数本のバーナを用いて形成するとと
もにこのスートの表面の最高温度を６００℃以上７００
℃未満の範囲とすることで解決される。また、階段コア
部を形成する各バーナによるスートの厚みをいずれのバ
ーナについても５０ｍｍ以下とすることが好ましい。
部となるスートを複数本のバーナを用いて形成するとと
もにこのスートの表面の最高温度を６００℃以上７００
℃未満の範囲とすることで解決される。また、階段コア
部を形成する各バーナによるスートの厚みをいずれのバ
ーナについても５０ｍｍ以下とすることが好ましい。
【００１１】
【作用】スート表面の温度はゲルマニアのドープ量に大
きな影響を与えるため、スート表面における温度差が大
きくなるとゲルマニアのドープ量の変動が大きくなる。
スートの表面の最高温度を６００℃以上７００℃未満
と、通常のクラッドとなるスートの表面温度よりも約１
００℃低くするため、スート表面の温度のバラツキが小
さくなる。また、２本以上のバーナで階段コア部のスー
トを合成すると、１本当りのバーナで合成するスートの
厚さを薄くすることができ、それぞれのバーナで合成さ
れたスートの表面温度の差を小さくすることができる。
きな影響を与えるため、スート表面における温度差が大
きくなるとゲルマニアのドープ量の変動が大きくなる。
スートの表面の最高温度を６００℃以上７００℃未満
と、通常のクラッドとなるスートの表面温度よりも約１
００℃低くするため、スート表面の温度のバラツキが小
さくなる。また、２本以上のバーナで階段コア部のスー
トを合成すると、１本当りのバーナで合成するスートの
厚さを薄くすることができ、それぞれのバーナで合成さ
れたスートの表面温度の差を小さくすることができる。
【００１２】このため、比（Ｒ2 ／Ｒ1 ）を大きくして
も、スートの表面の温度のバラツキが小さくなるので、
ゲルマニアのドープ量の変動が微かとなって屈折率分布
が不整となることがない。
も、スートの表面の温度のバラツキが小さくなるので、
ゲルマニアのドープ量の変動が微かとなって屈折率分布
が不整となることがない。
【００１３】以下、この発明を詳しく説明する。この発
明の製法は、屈折率を高めるドーパントとしてゲルマニ
アを用い、ＶＡＤ法によって光ファイバ母材を製造する
ものである。図１は、この発明の製法の一例を示すもの
で、図中符号１１は、中心コア部となるスートを形成す
る第１バーナであり、この第１バーナ１１は、出発棒状
基材１２に対して傾斜して設けられている。第１バーナ
の上方には、階段コア部の内側部分となるスートを形成
する第２バーナ１３が設けられ、この第２バーナ１３の
上には階段コア部の外側部分となるスートを形成する第
３バーナ１４が設けられている。
明の製法は、屈折率を高めるドーパントとしてゲルマニ
アを用い、ＶＡＤ法によって光ファイバ母材を製造する
ものである。図１は、この発明の製法の一例を示すもの
で、図中符号１１は、中心コア部となるスートを形成す
る第１バーナであり、この第１バーナ１１は、出発棒状
基材１２に対して傾斜して設けられている。第１バーナ
の上方には、階段コア部の内側部分となるスートを形成
する第２バーナ１３が設けられ、この第２バーナ１３の
上には階段コア部の外側部分となるスートを形成する第
３バーナ１４が設けられている。
【００１４】また、第３バーナ１４の上方にはクラッド
部となるスートを合成する２本の第４バーナ１５および
第５バーナ１６がそれぞれ設けられている。第２バーナ
１３ないし第５バーナ１６は、いずれも出発棒状基材１
２の側方からほぼ水平に火炎が出発棒状基材１２に当た
るように配されている。
部となるスートを合成する２本の第４バーナ１５および
第５バーナ１６がそれぞれ設けられている。第２バーナ
１３ないし第５バーナ１６は、いずれも出発棒状基材１
２の側方からほぼ水平に火炎が出発棒状基材１２に当た
るように配されている。
【００１５】第１バーナ１１には、燃料のＨ2 ガス、酸
化剤のＯ2 ガス、ガラス原料ガスのＳｉＣｌ4 およびＧ
ｅＣｌ4 が供給され屈折率の高い中心コア部となるスー
ト２１が形成される。第２バーナ１３および第３バーナ
１４には、Ｈ2 ガス、Ｏ2 ガス、ＳｉＣｌ4およびＧｅ
Ｃｌ4 が供給されるが、ＧｅＣｌ4 の添加比率は第１バ
ーナ１１のそれに比べて小さくされる。また、第３バー
ナ１４へのＧｅＣｌ4 の添加比率は、第２バーナ１３へ
の添加比率よりもやや少なめにされる。その理由は、こ
の比率が逆になると第２バーナ１３で形成されるスート
２２と第３バーナ１４で形成されるスート２３との境界
において屈折率の突出部が生じ、安定した屈折率分布が
得られないからである。そして、第２バーナ１３により
屈折率が中心コア部となるスート２１よりも低い階段コ
ア部の内側部分となるスート２２が形成され、第３バー
ナ１４により、階段コア部の外側部分となるスート２３
が形成される。
化剤のＯ2 ガス、ガラス原料ガスのＳｉＣｌ4 およびＧ
ｅＣｌ4 が供給され屈折率の高い中心コア部となるスー
ト２１が形成される。第２バーナ１３および第３バーナ
１４には、Ｈ2 ガス、Ｏ2 ガス、ＳｉＣｌ4およびＧｅ
Ｃｌ4 が供給されるが、ＧｅＣｌ4 の添加比率は第１バ
ーナ１１のそれに比べて小さくされる。また、第３バー
ナ１４へのＧｅＣｌ4 の添加比率は、第２バーナ１３へ
の添加比率よりもやや少なめにされる。その理由は、こ
の比率が逆になると第２バーナ１３で形成されるスート
２２と第３バーナ１４で形成されるスート２３との境界
において屈折率の突出部が生じ、安定した屈折率分布が
得られないからである。そして、第２バーナ１３により
屈折率が中心コア部となるスート２１よりも低い階段コ
ア部の内側部分となるスート２２が形成され、第３バー
ナ１４により、階段コア部の外側部分となるスート２３
が形成される。
【００１６】このように、第２、第３バーナ１３，１４
により、階段コア部となるスートが二分され、それぞれ
のバーナが階段コア部となるスートの約半分のスートを
堆積するようになる。また、この第２バーナ１３および
第３バーナ１４によって形成される各スート２２，２３
の表面の最高温度が６００℃以上７００℃未満、好まし
くは６５０℃以上７００℃未満となるように制御され
る。この温度制御は、各バーナ１３，１４に供給される
燃料のＨ2 ガスの供給量を調整することにより容易に行
える。
により、階段コア部となるスートが二分され、それぞれ
のバーナが階段コア部となるスートの約半分のスートを
堆積するようになる。また、この第２バーナ１３および
第３バーナ１４によって形成される各スート２２，２３
の表面の最高温度が６００℃以上７００℃未満、好まし
くは６５０℃以上７００℃未満となるように制御され
る。この温度制御は、各バーナ１３，１４に供給される
燃料のＨ2 ガスの供給量を調整することにより容易に行
える。
【００１７】第４バーナ１５および第５バーナ１６に
は、それぞれＨ2 ガス、Ｏ2 ガスおよびＳｉＣｌ4 が供
給され、低屈折率のクラッド部となるスート２４が形成
される。この際のスートの表面の最高温度は７００〜８
００℃の範囲とされ、スートの割れが発生しない温度範
囲とされる。これらバーナ群によるスートプリフォーム
の合成が終了すれば、常法により脱水処理、透明ガラス
化を行い、目的とする光ファイバ母材が得られる。
は、それぞれＨ2 ガス、Ｏ2 ガスおよびＳｉＣｌ4 が供
給され、低屈折率のクラッド部となるスート２４が形成
される。この際のスートの表面の最高温度は７００〜８
００℃の範囲とされ、スートの割れが発生しない温度範
囲とされる。これらバーナ群によるスートプリフォーム
の合成が終了すれば、常法により脱水処理、透明ガラス
化を行い、目的とする光ファイバ母材が得られる。
【００１８】このような光ファイバ母材の製法によれ
ば、階段コア部となるスート２２，２３の表面最高温度
を６００℃以上７００℃未満と低くしているので、スー
ト表面の温度のバラツキが減少し、ゲルマニアドープ量
の変動が小さくなる。また、これらスート２２，２３を
第２バーナ１３および第３バーナ１４の２本のバーナで
合成しているので、生成されるスートの表面の温度のバ
ラツキが小さくなり、したがってドープされるゲルマニ
アの量の変動が微かなものとなり、階段コア部の屈折率
分布が平坦となる。かくして、上記比（Ｒ2 ／Ｒ1 ）を
３〜５と大きくし、製造許容範囲を拡げても、バーナ１
本当たりのスート形成部分は、さほど拡大しないため、
上記比（Ｒ2 ／Ｒ1 ）を大きくすることによるスートの
割れの発生を防止することができる。
ば、階段コア部となるスート２２，２３の表面最高温度
を６００℃以上７００℃未満と低くしているので、スー
ト表面の温度のバラツキが減少し、ゲルマニアドープ量
の変動が小さくなる。また、これらスート２２，２３を
第２バーナ１３および第３バーナ１４の２本のバーナで
合成しているので、生成されるスートの表面の温度のバ
ラツキが小さくなり、したがってドープされるゲルマニ
アの量の変動が微かなものとなり、階段コア部の屈折率
分布が平坦となる。かくして、上記比（Ｒ2 ／Ｒ1 ）を
３〜５と大きくし、製造許容範囲を拡げても、バーナ１
本当たりのスート形成部分は、さほど拡大しないため、
上記比（Ｒ2 ／Ｒ1 ）を大きくすることによるスートの
割れの発生を防止することができる。
【００１９】また、本発明にあっては、大型の光ファイ
バ母材を作製する場合等には、階段コア部となるスート
の量が多くなり、スート径が大きくなるが、この場合に
は、階段コア部となるスートを合成するバーナの本数を
３本以上とすることができる。なお、本発明にあって
は、階段コア部となるスートの表面最高温度を６００℃
以上７００℃未満と低く設定してもスートの割れは発生
せず、この理由はスートにゲルマニアがドープされてい
ることの影響によるものと考えられる。
バ母材を作製する場合等には、階段コア部となるスート
の量が多くなり、スート径が大きくなるが、この場合に
は、階段コア部となるスートを合成するバーナの本数を
３本以上とすることができる。なお、本発明にあって
は、階段コア部となるスートの表面最高温度を６００℃
以上７００℃未満と低く設定してもスートの割れは発生
せず、この理由はスートにゲルマニアがドープされてい
ることの影響によるものと考えられる。
【００２０】以下、具体例を示す。 （実施例１）図１に示すように５本のバーナを用いてス
ートを形成し、得られたスートを脱水処理したのち透明
ガラス化し、外径６２ｍｍの光ファイバ母材を得た。各
バーナへのＳｉＣｌ4 ，ＧｅＣｌ4 の供給量および各バ
ーナで形成されるスートの厚み（ｍｍ）は以下の通りと
した。ただし、供給量の単位はＳＣＣＭである。 バーナ 形成スート部位 ＳｉＣｌ4 ＧｅＣｌ4 スート厚み 第１バーナ 中心コア部 ７０ ８ １０(半径) 第２バーナ 階段コア部 １４０ ４．５ ４０ 第３バーナ 階段コア部 １７５ ４．５ ４０ 第４バーナ クラッド部 ７００ ０ ３０ 第５バーナ クラッド部 ８５０ ０ ３０ また、階段コア部となるスートの表面最高温度は第２、
第３バーナへのＨ2 ガス供給量を調節して６７０〜６８
０℃とした。得られた光ファイバ母材の屈折率分布は、
図２に示すように階段コア部において屈折率分布の不整
はほとんど認められなかった。また、比（Ｒ2 ／Ｒ1 ）
は約４．０であった。
ートを形成し、得られたスートを脱水処理したのち透明
ガラス化し、外径６２ｍｍの光ファイバ母材を得た。各
バーナへのＳｉＣｌ4 ，ＧｅＣｌ4 の供給量および各バ
ーナで形成されるスートの厚み（ｍｍ）は以下の通りと
した。ただし、供給量の単位はＳＣＣＭである。 バーナ 形成スート部位 ＳｉＣｌ4 ＧｅＣｌ4 スート厚み 第１バーナ 中心コア部 ７０ ８ １０(半径) 第２バーナ 階段コア部 １４０ ４．５ ４０ 第３バーナ 階段コア部 １７５ ４．５ ４０ 第４バーナ クラッド部 ７００ ０ ３０ 第５バーナ クラッド部 ８５０ ０ ３０ また、階段コア部となるスートの表面最高温度は第２、
第３バーナへのＨ2 ガス供給量を調節して６７０〜６８
０℃とした。得られた光ファイバ母材の屈折率分布は、
図２に示すように階段コア部において屈折率分布の不整
はほとんど認められなかった。また、比（Ｒ2 ／Ｒ1 ）
は約４．０であった。
【００２１】（実施例２）実施例１において、第２バー
ナおよび第３バーナで形成される階段コア部となるスー
トの表面最高温度を６１０〜６２０℃とした以外は同様
にして光ファイバを作成した。得られた光ファイバ母材
の屈折率分布は、図２に示した実施例１のものと同様で
あり、比（Ｒ2 ／Ｒ1 ）は約４．０であった。
ナおよび第３バーナで形成される階段コア部となるスー
トの表面最高温度を６１０〜６２０℃とした以外は同様
にして光ファイバを作成した。得られた光ファイバ母材
の屈折率分布は、図２に示した実施例１のものと同様で
あり、比（Ｒ2 ／Ｒ1 ）は約４．０であった。
【００２２】（実施例３）実施例１において、第２バー
ナおよび第３バーナによって形成される各スートの厚み
をそれぞれ５０ｍｍとした以外は同様にして光ファイバ
を作成した。得られた光ファイバ母材の屈折率分布は、
図２に示した実施例１のものと同様であり、比（Ｒ2 ／
Ｒ1 ）は約５．０であった。
ナおよび第３バーナによって形成される各スートの厚み
をそれぞれ５０ｍｍとした以外は同様にして光ファイバ
を作成した。得られた光ファイバ母材の屈折率分布は、
図２に示した実施例１のものと同様であり、比（Ｒ2 ／
Ｒ1 ）は約５．０であった。
【００２３】（従来例１）図８に示す従来製法の４本の
バーナを用いて、同様に径６０ｍｍの光ファイバ母材を
得た。各バーナへのＳｉＣｌ4 ，ＧｅＣｌ4 の供給量お
よび各バーナで形成されるスートの厚み（ｍｍ）は以下
の通りである。 バーナ 形成スート部位 ＳｉＣｌ4 ＧｅＣｌ4 スート厚み バーナＡ 中心コア部 ７０ ７ １０(半径) バーナＢ 階段コア部 ２８０ ７ ７０ バーナＣ クラッド部 ７００ ０ ３０ バーナＤ クラッド部 ８５０ ０ ３０ また、階段コア部となるスートの表面最高温度はバーナ
ＢへのＨ2 ガスの供給量を調整７２０〜７３０℃とし
た。得られた光ファイバ母材の屈折率分布は、図３に示
すように階段コア部において大きく変化して不整であっ
た。また、比（Ｒ2 ／Ｒ1 ）は約３．５であった。
バーナを用いて、同様に径６０ｍｍの光ファイバ母材を
得た。各バーナへのＳｉＣｌ4 ，ＧｅＣｌ4 の供給量お
よび各バーナで形成されるスートの厚み（ｍｍ）は以下
の通りである。 バーナ 形成スート部位 ＳｉＣｌ4 ＧｅＣｌ4 スート厚み バーナＡ 中心コア部 ７０ ７ １０(半径) バーナＢ 階段コア部 ２８０ ７ ７０ バーナＣ クラッド部 ７００ ０ ３０ バーナＤ クラッド部 ８５０ ０ ３０ また、階段コア部となるスートの表面最高温度はバーナ
ＢへのＨ2 ガスの供給量を調整７２０〜７３０℃とし
た。得られた光ファイバ母材の屈折率分布は、図３に示
すように階段コア部において大きく変化して不整であっ
た。また、比（Ｒ2 ／Ｒ1 ）は約３．５であった。
【００２４】（比較例１）図１に示すように５本のバー
ナを使用し、径６２ｍｍの光ファイバ母材を得た。各バ
ーナへのＳｉＣｌ4 ，ＧｅＣｌ4 の供給量および各バー
ナで形成されるスートの厚み（ｍｍ）は以下の通りであ
る。 バーナ 形成スート部位 ＳｉＣｌ4 ＧｅＣｌ4 スート厚み 第１バーナ 中心コア部 ７０ ８ １０(半径) 第２バーナ 階段コア部 １４０ ４．５ ４０ 第３バーナ 階段コア部 １７５ ４．５ ４０ 第４バーナ クラッド部 ７００ ０ ３０ 第５バーナ クラッド部 ８５０ ０ ３０ 第２、第３バーナによるスートの表面最高温度は７２０
〜７３０℃とした。得られた光ファイバ母材の屈折率分
布は、図４に示すように不整であり、比（Ｒ2 ／Ｒ1 ）
は約４．０であった。階段コア部となるスートを２本の
バーナで形成しても、そのスートの表面最高温度が７０
０℃以上となると、温度のバラツキが大きくなり、ゲル
マニアのドープ量の変動が大きくなって屈折率分布が乱
れることになる。
ナを使用し、径６２ｍｍの光ファイバ母材を得た。各バ
ーナへのＳｉＣｌ4 ，ＧｅＣｌ4 の供給量および各バー
ナで形成されるスートの厚み（ｍｍ）は以下の通りであ
る。 バーナ 形成スート部位 ＳｉＣｌ4 ＧｅＣｌ4 スート厚み 第１バーナ 中心コア部 ７０ ８ １０(半径) 第２バーナ 階段コア部 １４０ ４．５ ４０ 第３バーナ 階段コア部 １７５ ４．５ ４０ 第４バーナ クラッド部 ７００ ０ ３０ 第５バーナ クラッド部 ８５０ ０ ３０ 第２、第３バーナによるスートの表面最高温度は７２０
〜７３０℃とした。得られた光ファイバ母材の屈折率分
布は、図４に示すように不整であり、比（Ｒ2 ／Ｒ1 ）
は約４．０であった。階段コア部となるスートを２本の
バーナで形成しても、そのスートの表面最高温度が７０
０℃以上となると、温度のバラツキが大きくなり、ゲル
マニアのドープ量の変動が大きくなって屈折率分布が乱
れることになる。
【００２５】（比較例２）比較例１と同様に５本のバー
ナを用いて、スートプリフォームを製造した。各バーナ
へのＳｉＣｌ4 ，ＧｅＣｌ4 の供給量および各バーナで
形成されるスートの厚み（ｍｍ）は以下の通りとした。 バーナ 形成スート部位 ＳｉＣｌ4 ＧｅＣｌ4 スート厚み 第１バーナ 中心コア部 ７０ ８ １０(半径) 第２バーナ 階段コア部 １４０ ４．５ ４０ 第３バーナ 階段コア部 １７５ ４．５ ４０ 第４バーナ クラッド部 ７００ ０ ３０ 第５バーナ クラッド部 ８５０ ０ ３０ 第２、第３バーナによるスートの表面最高温度は５７０
〜５８０℃に調整したところ、スートの堆積中にスート
プリフォームが割れてしまった。スートの表面温度が低
すぎて、第４バーナによるスートとのスートの嵩密度の
差が大きく変動して、割れが生じたものである。
ナを用いて、スートプリフォームを製造した。各バーナ
へのＳｉＣｌ4 ，ＧｅＣｌ4 の供給量および各バーナで
形成されるスートの厚み（ｍｍ）は以下の通りとした。 バーナ 形成スート部位 ＳｉＣｌ4 ＧｅＣｌ4 スート厚み 第１バーナ 中心コア部 ７０ ８ １０(半径) 第２バーナ 階段コア部 １４０ ４．５ ４０ 第３バーナ 階段コア部 １７５ ４．５ ４０ 第４バーナ クラッド部 ７００ ０ ３０ 第５バーナ クラッド部 ８５０ ０ ３０ 第２、第３バーナによるスートの表面最高温度は５７０
〜５８０℃に調整したところ、スートの堆積中にスート
プリフォームが割れてしまった。スートの表面温度が低
すぎて、第４バーナによるスートとのスートの嵩密度の
差が大きく変動して、割れが生じたものである。
【００２６】（比較例３）実施例１において、第２バー
ナおよび第３バーナで形成されるスートの厚みをそれぞ
れ６０ｍｍとする以外は同様にして光ファイバ母材を作
成した。得られた光ファイバ母材の屈折率分布は、図４
に示した比較例１のものと同様の不整なものであった。
ナおよび第３バーナで形成されるスートの厚みをそれぞ
れ６０ｍｍとする以外は同様にして光ファイバ母材を作
成した。得られた光ファイバ母材の屈折率分布は、図４
に示した比較例１のものと同様の不整なものであった。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、この発明の分散シ
フト光ファイバ用母材の製法によれば、階段コア部とな
るスートを２本以上のバーナによって形成するように
し、かつこのスートの表面最高温度を６００℃以上７０
０℃未満と低目にしているため、スートの温度のバラツ
キが小さくなり、ゲルマニアのドープ量が均一となり、
階段コア部の屈折率分布の不整が著しく小さなものとな
る。また、階段コア部となるスートを２本以上のバーナ
で形成するので、階段コア部の半径（Ｒ2 ）と中心コア
部の半径（Ｒ1 ）との比（Ｒ2 ／Ｒ1 ）を５程度にま
で、無理なく拡げることができ、製造許容範囲が広くな
り歩留りが向上する。
フト光ファイバ用母材の製法によれば、階段コア部とな
るスートを２本以上のバーナによって形成するように
し、かつこのスートの表面最高温度を６００℃以上７０
０℃未満と低目にしているため、スートの温度のバラツ
キが小さくなり、ゲルマニアのドープ量が均一となり、
階段コア部の屈折率分布の不整が著しく小さなものとな
る。また、階段コア部となるスートを２本以上のバーナ
で形成するので、階段コア部の半径（Ｒ2 ）と中心コア
部の半径（Ｒ1 ）との比（Ｒ2 ／Ｒ1 ）を５程度にま
で、無理なく拡げることができ、製造許容範囲が広くな
り歩留りが向上する。
【００２８】また、１本のバーナで大きなスートを堆積
させる必要がないので、スートの温度差、嵩密度差に起
因するスートの割れを防止できる。さらに、バーナに供
給するＧｅＣｌ4 の供給比率をそれぞれ変化させること
ができるので、階段コア部の屈折率を外方に向けて徐々
に小さくなるように調節することもできる。
させる必要がないので、スートの温度差、嵩密度差に起
因するスートの割れを防止できる。さらに、バーナに供
給するＧｅＣｌ4 の供給比率をそれぞれ変化させること
ができるので、階段コア部の屈折率を外方に向けて徐々
に小さくなるように調節することもできる。
【図１】 この発明の製法の一例を示す構成図である。
【図２】 実施例で得られた光ファイバ母材の屈折率分
布を示す図である。
布を示す図である。
【図３】 従来例で得られた光ファイバ母材の屈折率分
布を示す図である。
布を示す図である。
【図４】 比較例で得られた光ファイバ母材の屈折率分
布を示す図である。
布を示す図である。
【図５】 １．５５μｍ帯用分散シフト光ファイバの屈
折率分布を示す図である。
折率分布を示す図である。
【図６】 従来の１．５５μｍ帯用分散シフト光ファイ
バ用母材の製法を示す構成図である。
バ用母材の製法を示す構成図である。
１３…第２バーナ、１４…第３バーナ、２２…階段コア
部となるスートの内側部分、２３…階段コア部となるス
ートの外側部分
部となるスートの内側部分、２３…階段コア部となるス
ートの外側部分
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−316428（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−316429（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−3033（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−27343（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−242432（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−7641（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−307138（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C03B 37/00 - 37/16 C03B 8/04
Claims (2)
- 【請求項１】 中心に位置する高屈折率の中心コア部
と、この中心コア部の周囲に位置し、中心コア部よりも
低屈折率の階段コア部と、この階段コア部の周囲に位置
し、階段コア部よりも低屈折率のクラッド部を有する分
散シフト光ファイバ用母材を、屈折率を高めるドーパン
トとしてゲルマニア（ＧｅＯ2 ）を用いてＶＡＤ法によ
り製造する際に、 上記階段コア部となるスートを複数本のスート形成用バ
ーナを用いて形成するとともに、このスートの表面最高
温度を６００℃以上７００℃未満にすることを特徴とす
る分散シフト光ファイバ用母材の製法。 - 【請求項２】 階段コア部を形成する各スート形成用バ
ーナによるスートの厚みがいずれも５０ｍｍ以下である
ことを特徴とする請求項１記載の分散シフト光ファイバ
用母材の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06299985A JP3137849B2 (ja) | 1994-12-02 | 1994-12-02 | 分散シフト光ファイバ用母材の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06299985A JP3137849B2 (ja) | 1994-12-02 | 1994-12-02 | 分散シフト光ファイバ用母材の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08157230A JPH08157230A (ja) | 1996-06-18 |
| JP3137849B2 true JP3137849B2 (ja) | 2001-02-26 |
Family
ID=17879361
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06299985A Expired - Fee Related JP3137849B2 (ja) | 1994-12-02 | 1994-12-02 | 分散シフト光ファイバ用母材の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3137849B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5000333B2 (ja) * | 2007-03-08 | 2012-08-15 | 株式会社フジクラ | 光ファイバ用石英ガラス多孔質体の製造方法 |
| CN111468473A (zh) * | 2020-03-27 | 2020-07-31 | 通鼎互联信息股份有限公司 | 一种vad喷灯清洁装置及其清洁方法 |
-
1994
- 1994-12-02 JP JP06299985A patent/JP3137849B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08157230A (ja) | 1996-06-18 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |