JP2001064764A - 真空蒸着方法 - Google Patents
真空蒸着方法Info
- Publication number
- JP2001064764A JP2001064764A JP24128499A JP24128499A JP2001064764A JP 2001064764 A JP2001064764 A JP 2001064764A JP 24128499 A JP24128499 A JP 24128499A JP 24128499 A JP24128499 A JP 24128499A JP 2001064764 A JP2001064764 A JP 2001064764A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- pattern
- vacuum
- pattern electrodes
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 精度が良く、良質な薄膜パターンを作製でき
る真空蒸着方法を提供する。 【解決手段】 真空容器２内に基板１０を固定する基板
ホルダー４と、この基板ホルダー４の基板１０側に対向
配置されたパターン電極７1、７2、７3を有する加熱源
３とを有する真空装置１を用いて、蒸着源を基板１０と
パターン電極７1、７2、７3に密着させた後、真空容器
２内を真空状態にし、加熱源３の温度を蒸着源の蒸発温
度以上にして、パターン電極７1、７2、７3に対応する
基板１０位置にパターン電極７1、７2、７3の一部又は
全部と同じ形状の薄膜パターン１１1、１１2、１１3を
形成する。
る真空蒸着方法を提供する。 【解決手段】 真空容器２内に基板１０を固定する基板
ホルダー４と、この基板ホルダー４の基板１０側に対向
配置されたパターン電極７1、７2、７3を有する加熱源
３とを有する真空装置１を用いて、蒸着源を基板１０と
パターン電極７1、７2、７3に密着させた後、真空容器
２内を真空状態にし、加熱源３の温度を蒸着源の蒸発温
度以上にして、パターン電極７1、７2、７3に対応する
基板１０位置にパターン電極７1、７2、７3の一部又は
全部と同じ形状の薄膜パターン１１1、１１2、１１3を
形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に微細な薄
膜パターンを形成する真空蒸着方法に関する。
膜パターンを形成する真空蒸着方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般的に、基板上に薄膜パターンを形成
する方法として真空蒸着方法が広く用いれている。真空
蒸着法による薄膜パターンの形成は以下のようにして行
う。真空中でＳｉＯ2や金属等の蒸着材料を基板上に蒸
着し、薄膜を形成する。この後、前記薄膜上にフォトレ
ジストを塗布し、フォトリソグラフィ法及びエッチング
法を用いて、前記基板上に薄膜パターンを得る。
する方法として真空蒸着方法が広く用いれている。真空
蒸着法による薄膜パターンの形成は以下のようにして行
う。真空中でＳｉＯ2や金属等の蒸着材料を基板上に蒸
着し、薄膜を形成する。この後、前記薄膜上にフォトレ
ジストを塗布し、フォトリソグラフィ法及びエッチング
法を用いて、前記基板上に薄膜パターンを得る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記蒸
着材料が有機物である場合やＭｇ等のイオン化傾向の低
い金属である場合には、フォトリソグラフィ法及びエッ
チング法で用られる有機溶剤や水により、溶解したり、
酸化したりしてしまうといった問題を生じていた。
着材料が有機物である場合やＭｇ等のイオン化傾向の低
い金属である場合には、フォトリソグラフィ法及びエッ
チング法で用られる有機溶剤や水により、溶解したり、
酸化したりしてしまうといった問題を生じていた。
【０００４】この問題を解消するために、フォトリソグ
ラフィ法及びエッチング法を用いないで薄膜パターンを
得るマスク蒸着法が考案された。マスク蒸着法は、基板
にレーザ加工して得られた金属マスクを密着させ、この
金属マスク側から前記基板上にＳｉＯ2や金属の蒸着材
料を蒸着することによって、有機溶剤や水を用いること
なく薄膜パターンを得る方法である。ところが、前記金
属マスクは、所定の厚さを有する金属板にレーザ加工を
行って作製されるが、レーザ加工精度は、１００μｍ程
度が限界であるので、数μｍ程度の微細なパタ−ン加工
ができない。このため、前記基板上に微細な薄膜パター
ンを形成することができなかった。そこで、本発明は、
上記のような問題点を解消するためになされたもので、
精度が良く、良質な薄膜パターンを作製できる真空蒸着
方法を提供することを目的とする。
ラフィ法及びエッチング法を用いないで薄膜パターンを
得るマスク蒸着法が考案された。マスク蒸着法は、基板
にレーザ加工して得られた金属マスクを密着させ、この
金属マスク側から前記基板上にＳｉＯ2や金属の蒸着材
料を蒸着することによって、有機溶剤や水を用いること
なく薄膜パターンを得る方法である。ところが、前記金
属マスクは、所定の厚さを有する金属板にレーザ加工を
行って作製されるが、レーザ加工精度は、１００μｍ程
度が限界であるので、数μｍ程度の微細なパタ−ン加工
ができない。このため、前記基板上に微細な薄膜パター
ンを形成することができなかった。そこで、本発明は、
上記のような問題点を解消するためになされたもので、
精度が良く、良質な薄膜パターンを作製できる真空蒸着
方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の発明は、
真空容器内に基板を固定する基板ホルダーと、この基板
ホルダーの前記基板側に間隔を離して対向配置された複
数のパターン電極を有する加熱源とを有する真空装置を
用いて、蒸着源を前記基板と前記複数のパターン電極に
密着させた後、前記真空容器内を真空状態にし、前記加
熱源の温度を前記蒸着源の蒸発温度以上にして、前記複
数のパターン電極に対応する前記基板位置に前記複数の
パターン電極の一部又は全部と同じ形状の薄膜パターン
を形成することを特徴とする真空蒸着方法を提供する。
第２の発明は、前記蒸着源は、シート状の蒸着材又は、
シート上に形成された蒸着材であることを特徴とする請
求項１記載の真空蒸着方法を提供する。第３の発明は、
真空容器内に基板を固定する基板ホルダーと、この基板
ホルダーの前記基板側に間隔を離して対向配置された複
数のパターン電極を有する加熱源と、前記複数のパター
ン電極と接続され、切り換えスイッチを有し、所望の前
記パターン電極に電流を流す電源とを有する真空装置を
用いて、蒸着源を前記基板と前記複数のパターン電極に
密着させた後、前記真空容器内を真空状態にし、前記電
源の切り換えスイッチを操作し、前記所望のパターン電
極に電流を流し、前記所望のパターン電極の温度を前記
蒸着源の蒸発温度以上にして、前記複数のパターン電極
に対応する前記基板位置に前記複数のパターン電極の一
部又は全部と同じ形状の薄膜パターンを形成することを
特徴とする真空蒸着方法を提供する。第４の発明は、前
記基板又は、前記加熱源を移動させながら、前記電源の
切り換えスイッチを操作して、その移動方向に前記複数
のパターン電極に対応する前記基板位置に前記複数のパ
ターン電極の一部又は全部の幅と同じ幅の薄膜パターン
を形成することを特徴とする請求項３記載の真空蒸着方
法を提供する。
真空容器内に基板を固定する基板ホルダーと、この基板
ホルダーの前記基板側に間隔を離して対向配置された複
数のパターン電極を有する加熱源とを有する真空装置を
用いて、蒸着源を前記基板と前記複数のパターン電極に
密着させた後、前記真空容器内を真空状態にし、前記加
熱源の温度を前記蒸着源の蒸発温度以上にして、前記複
数のパターン電極に対応する前記基板位置に前記複数の
パターン電極の一部又は全部と同じ形状の薄膜パターン
を形成することを特徴とする真空蒸着方法を提供する。
第２の発明は、前記蒸着源は、シート状の蒸着材又は、
シート上に形成された蒸着材であることを特徴とする請
求項１記載の真空蒸着方法を提供する。第３の発明は、
真空容器内に基板を固定する基板ホルダーと、この基板
ホルダーの前記基板側に間隔を離して対向配置された複
数のパターン電極を有する加熱源と、前記複数のパター
ン電極と接続され、切り換えスイッチを有し、所望の前
記パターン電極に電流を流す電源とを有する真空装置を
用いて、蒸着源を前記基板と前記複数のパターン電極に
密着させた後、前記真空容器内を真空状態にし、前記電
源の切り換えスイッチを操作し、前記所望のパターン電
極に電流を流し、前記所望のパターン電極の温度を前記
蒸着源の蒸発温度以上にして、前記複数のパターン電極
に対応する前記基板位置に前記複数のパターン電極の一
部又は全部と同じ形状の薄膜パターンを形成することを
特徴とする真空蒸着方法を提供する。第４の発明は、前
記基板又は、前記加熱源を移動させながら、前記電源の
切り換えスイッチを操作して、その移動方向に前記複数
のパターン電極に対応する前記基板位置に前記複数のパ
ターン電極の一部又は全部の幅と同じ幅の薄膜パターン
を形成することを特徴とする請求項３記載の真空蒸着方
法を提供する。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明の真空蒸着方法の実施形態
について図１及び図３を参照しながら以下に説明する。
図１は、本発明の第１実施形態を示す図である。図２
は、加熱部を拡大した斜視図である。図３は、本発明の
第２実施形態を示す図である。
について図１及び図３を参照しながら以下に説明する。
図１は、本発明の第１実施形態を示す図である。図２
は、加熱部を拡大した斜視図である。図３は、本発明の
第２実施形態を示す図である。
【０００７】まず初めに、本発明の第１実施形態に用い
られる真空蒸着装置について図１及び図２を用いて説明
する。図１に示すように、真空蒸着装置１は、真空容器
２と、この真空容器２内に配置された加熱源３と、この
加熱源３に近接して対向配置された基板ホルダー４と、
この真空容器２内を所定の真空度にする真空ポンプ５と
からなる。図２に示すように、加熱源３は、中央に突起
部を有する基台６上に形成された所定の形状にパターン
化された複数のパターン電極７1、７2、７3と、これら
のパターン電極７1、７2、７3の下に形成されたベタ形
状の共通電極８と、複数のパターン電極７1、７2、７3
から引き出された配線Ｌ1、Ｌ2、Ｌ3と共通電極８との
間に接続され、切り換えスイッチＳ1、Ｓ2、Ｓ3を有す
る電源１２とからなる。
られる真空蒸着装置について図１及び図２を用いて説明
する。図１に示すように、真空蒸着装置１は、真空容器
２と、この真空容器２内に配置された加熱源３と、この
加熱源３に近接して対向配置された基板ホルダー４と、
この真空容器２内を所定の真空度にする真空ポンプ５と
からなる。図２に示すように、加熱源３は、中央に突起
部を有する基台６上に形成された所定の形状にパターン
化された複数のパターン電極７1、７2、７3と、これら
のパターン電極７1、７2、７3の下に形成されたベタ形
状の共通電極８と、複数のパターン電極７1、７2、７3
から引き出された配線Ｌ1、Ｌ2、Ｌ3と共通電極８との
間に接続され、切り換えスイッチＳ1、Ｓ2、Ｓ3を有す
る電源１２とからなる。
【０００８】次に、本発明の第１実施形態の真空蒸着方
法について説明する。基板１０上に複数個の薄膜パター
ン１１1、１１2、１１3を同時に形成する場合には以下
のようにする。図１に示すように、基板ホルダー４に基
板１０を固定し、蒸着材シート９上に形成された蒸着材
側が基板１０と対向するようにして、蒸着材シート９を
前記基板１０に密着させた後、真空ポンプ５により、真
空容器２内を所定の真空度になるように真空引きする。
この後、電源１２の切り換えスイッチＳ1、Ｓ2、Ｓ3を
それぞれ配線Ｌ1、Ｌ2、Ｌ3に同時に接続し、加熱源３
の複数のパターン電極７1、７2、７3及び共通電極８に
電流を流して、複数のパターン電極７1、７2、７3に対
応する基板１０位置に薄膜パターン１１1、１１2、１１
3を形成する。
法について説明する。基板１０上に複数個の薄膜パター
ン１１1、１１2、１１3を同時に形成する場合には以下
のようにする。図１に示すように、基板ホルダー４に基
板１０を固定し、蒸着材シート９上に形成された蒸着材
側が基板１０と対向するようにして、蒸着材シート９を
前記基板１０に密着させた後、真空ポンプ５により、真
空容器２内を所定の真空度になるように真空引きする。
この後、電源１２の切り換えスイッチＳ1、Ｓ2、Ｓ3を
それぞれ配線Ｌ1、Ｌ2、Ｌ3に同時に接続し、加熱源３
の複数のパターン電極７1、７2、７3及び共通電極８に
電流を流して、複数のパターン電極７1、７2、７3に対
応する基板１０位置に薄膜パターン１１1、１１2、１１
3を形成する。
【０００９】また、基板１０上に複数個の薄膜パターン
１１1、１１2、１１3を１つずつ順番に形成する場合に
は、以下のようにする。前記と同様に、基板ホルダー４
に基板１０を固定し、蒸着材シート９の蒸着材側が基板
１０と対向するようにして、蒸着材シート９を前記基板
１０に密着させた後、真空ポンプ５により、真空容器２
内を所定の真空度になるように真空引きする。この後、
電源１２の切り換えスイッチＳ1を配線Ｌ1に接続し、加
熱源３の複数のパターン電極７1及び共通電極８に電流
を流して、パターン電極７1に対応する基板１０位置に
薄膜パターン１１1を形成する。これと同様のことを切
り換えスイッチＳ2、Ｓ3を順次配線Ｌ2．Ｌ3に接続し、
加熱源３のパターン電極７2、７3及び共通電極８に電流
を流して、パターン電極７2、７3に対応する基板１０位
置に順次薄膜パターン１１2、１１3を形成する。
１１1、１１2、１１3を１つずつ順番に形成する場合に
は、以下のようにする。前記と同様に、基板ホルダー４
に基板１０を固定し、蒸着材シート９の蒸着材側が基板
１０と対向するようにして、蒸着材シート９を前記基板
１０に密着させた後、真空ポンプ５により、真空容器２
内を所定の真空度になるように真空引きする。この後、
電源１２の切り換えスイッチＳ1を配線Ｌ1に接続し、加
熱源３の複数のパターン電極７1及び共通電極８に電流
を流して、パターン電極７1に対応する基板１０位置に
薄膜パターン１１1を形成する。これと同様のことを切
り換えスイッチＳ2、Ｓ3を順次配線Ｌ2．Ｌ3に接続し、
加熱源３のパターン電極７2、７3及び共通電極８に電流
を流して、パターン電極７2、７3に対応する基板１０位
置に順次薄膜パターン１１2、１１3を形成する。
【００１０】ここで、複数のパターン電極７1、７2、７
3に対応する基板１０位置に薄膜パターン１１1、１
１2、１１3が形成される理由について説明する。複数の
パターン電極７1、７2、７3のそれぞれの形状は、共通
電極８よりも小さいので、電流密度が高くなるため、こ
のパターン電極７1、７2、７3での温度上昇は、共通電
極８よりも高くなる。共通電極８の温度が蒸着材シート
９上の蒸着材の蒸発温度よりも高くなると、基板１０上
には共通電極８のベタ形状が形成されてしまうので、前
記電流は、複数のパターン電極７1、７2、７3を蒸着材
シート９の蒸着材の蒸発温度以上にし、かつ共通電極８
を蒸着材シート９の蒸着材が蒸発しない温度に制御する
必要がある。このように、電流を制御するので、複数の
パターン電極７1、７2、７3に対応する基板１０位置に
薄膜パターン１１1、１１2、１１3が形成されるのであ
る。
3に対応する基板１０位置に薄膜パターン１１1、１
１2、１１3が形成される理由について説明する。複数の
パターン電極７1、７2、７3のそれぞれの形状は、共通
電極８よりも小さいので、電流密度が高くなるため、こ
のパターン電極７1、７2、７3での温度上昇は、共通電
極８よりも高くなる。共通電極８の温度が蒸着材シート
９上の蒸着材の蒸発温度よりも高くなると、基板１０上
には共通電極８のベタ形状が形成されてしまうので、前
記電流は、複数のパターン電極７1、７2、７3を蒸着材
シート９の蒸着材の蒸発温度以上にし、かつ共通電極８
を蒸着材シート９の蒸着材が蒸発しない温度に制御する
必要がある。このように、電流を制御するので、複数の
パターン電極７1、７2、７3に対応する基板１０位置に
薄膜パターン１１1、１１2、１１3が形成されるのであ
る。
【００１１】以上のように、基板ホルダー４に基板１０
を固定し、蒸着材シート９を蒸着材側が基板１０と対向
するようにして前記基板１０に密着させた後、真空にし
て、電源１２から加熱源３の複数のパターン電極７1、
７2、７3及び共通電極８に電流を流して、複数のパター
ン電極７1、７2、７3に対応する基板１０位置に薄膜パ
ターン１１1、１１2、１１3を形成するので、複数のパ
ターン電極７1、７2、７3と一部又は全部と同じ精度の
良い薄膜パターン１１1、１１2、１１3を作製すること
ができる。
を固定し、蒸着材シート９を蒸着材側が基板１０と対向
するようにして前記基板１０に密着させた後、真空にし
て、電源１２から加熱源３の複数のパターン電極７1、
７2、７3及び共通電極８に電流を流して、複数のパター
ン電極７1、７2、７3に対応する基板１０位置に薄膜パ
ターン１１1、１１2、１１3を形成するので、複数のパ
ターン電極７1、７2、７3と一部又は全部と同じ精度の
良い薄膜パターン１１1、１１2、１１3を作製すること
ができる。
【００１２】次に、本発明の第２実施形態について図３
を用いて説明する。本発明の第１実施形態と同一構成に
は同一符号を付し、その説明を省略する。まず初めに、
本発明の第２実施形態に用いられる真空蒸着装置につい
て説明する。図３に示すように、本発明の第２実施形態
に用いれる真空蒸着装置１３は、真空蒸着装置１の代わ
りに、蒸着材シート９の送り回転ローラー１４ａと巻き
取り回転ローラー１４ｂとを互いに所定の間隔を有して
備えており、それ以外は同様であるので、重複を避ける
ために説明を省略する。なお、蒸着材シート９は、第１
蒸着材が形成された部分Ａ（以下、第１蒸着部Ａとい
う）と第２蒸着材が形成された部分Ｂ（以下、第２蒸着
部Ｂという）とからなる。
を用いて説明する。本発明の第１実施形態と同一構成に
は同一符号を付し、その説明を省略する。まず初めに、
本発明の第２実施形態に用いられる真空蒸着装置につい
て説明する。図３に示すように、本発明の第２実施形態
に用いれる真空蒸着装置１３は、真空蒸着装置１の代わ
りに、蒸着材シート９の送り回転ローラー１４ａと巻き
取り回転ローラー１４ｂとを互いに所定の間隔を有して
備えており、それ以外は同様であるので、重複を避ける
ために説明を省略する。なお、蒸着材シート９は、第１
蒸着材が形成された部分Ａ（以下、第１蒸着部Ａとい
う）と第２蒸着材が形成された部分Ｂ（以下、第２蒸着
部Ｂという）とからなる。
【００１３】本発明の第２実施形態の真空蒸着方法につ
いて説明する。蒸着材シート９の第１蒸着部Ａ及び第２
蒸着部Ｂに複数のパターン電極７1、７2、７3を同時又
は、順次加熱して、基板１０上に複数個の薄膜パターン
１１1、１１2、１１3を同時又は順番に形成する方法に
ついては本発明の第１実施形態と同様である。ここで
は、パターン電極７1による第１蒸着材の薄膜パターン
及びパターン電極７2による第２蒸着材の薄膜パターン
を基板１０に形成する場合について説明する。
いて説明する。蒸着材シート９の第１蒸着部Ａ及び第２
蒸着部Ｂに複数のパターン電極７1、７2、７3を同時又
は、順次加熱して、基板１０上に複数個の薄膜パターン
１１1、１１2、１１3を同時又は順番に形成する方法に
ついては本発明の第１実施形態と同様である。ここで
は、パターン電極７1による第１蒸着材の薄膜パターン
及びパターン電極７2による第２蒸着材の薄膜パターン
を基板１０に形成する場合について説明する。
【００１４】図３に示すように、基板ホルダー４に基板
１０を固定し、蒸着材シート９を送り回転ローラ１４ａ
側から送ると共に巻き取り回転ローラー１４ｂ側で巻き
取り、蒸着材シート９の第１蒸着部Ａを基板１０と対向
するようにして密着させた後、真空ポンプ５により、真
空容器２内を所定の真空度になるように真空引きする。
次に、電源１２の切り換えスイッチＳ1を配線Ｌ1に接続
し、パターン電極７1及び共通電極８に電流をして、こ
のパターン電極７1を第１蒸着部Ａの蒸着材の蒸発温度
以上にし、かつ共通電極８を第１蒸着部Ａの蒸発温度以
下にして、パターン電極７1に対応する基板１０位置に
薄膜パターン１１1を形成する。
１０を固定し、蒸着材シート９を送り回転ローラ１４ａ
側から送ると共に巻き取り回転ローラー１４ｂ側で巻き
取り、蒸着材シート９の第１蒸着部Ａを基板１０と対向
するようにして密着させた後、真空ポンプ５により、真
空容器２内を所定の真空度になるように真空引きする。
次に、電源１２の切り換えスイッチＳ1を配線Ｌ1に接続
し、パターン電極７1及び共通電極８に電流をして、こ
のパターン電極７1を第１蒸着部Ａの蒸着材の蒸発温度
以上にし、かつ共通電極８を第１蒸着部Ａの蒸発温度以
下にして、パターン電極７1に対応する基板１０位置に
薄膜パターン１１1を形成する。
【００１５】次に、蒸着材９を送り回転ローラー１４ａ
で送ると共に巻き取り回転ローラー１４ｂで巻き取っ
て、蒸着材シート９の第２蒸着部Ｂを基板１０と対向す
るようにして密着させる。この後、同様にして、電源１
２の切り換えスイッチＳ2を配線Ｌ2に接続し、加熱源３
のパターン電極７2及び共通電極８に電流をし、このパ
ターン電極７2を第２蒸着部Ｂの蒸着材の蒸発温度以上
にし、かつ共通電極８を第２蒸着部Ｂの蒸発温度以下に
して、パターン電極７2に対応する基板１０位置に薄膜
パターン１１2を形成する。
で送ると共に巻き取り回転ローラー１４ｂで巻き取っ
て、蒸着材シート９の第２蒸着部Ｂを基板１０と対向す
るようにして密着させる。この後、同様にして、電源１
２の切り換えスイッチＳ2を配線Ｌ2に接続し、加熱源３
のパターン電極７2及び共通電極８に電流をし、このパ
ターン電極７2を第２蒸着部Ｂの蒸着材の蒸発温度以上
にし、かつ共通電極８を第２蒸着部Ｂの蒸発温度以下に
して、パターン電極７2に対応する基板１０位置に薄膜
パターン１１2を形成する。
【００１６】このように、基板ホルダー４に基板１０を
固定し、送り回転ローラー１４ａと巻き取り回転ローラ
ー１４ｂとを用いて、蒸着材シート９を複数の蒸着材側
が基板１０と対向するようにして前記基板１０に密着さ
せた後、真空にして、電源１２の切り換えスイッチ
Ｓ1、Ｓ2、Ｓ3をそれぞれ配線Ｌ1、Ｌ2、Ｌ3に接続し、
加熱源３の複数のパターン電極７1、７2、７3及び共通
電極８に電流を流して、複数のパターン電極７1、７2、
７3に対応する基板１０位置に薄膜パターン１１1、１１
2、１１3を形成するので、精度良く加工された複数のパ
ターン電極７1、７2、７3の一部又は全部と同じ精度の
良い薄膜パターン１１1、１１2、１１3を作製すること
ができる。
固定し、送り回転ローラー１４ａと巻き取り回転ローラ
ー１４ｂとを用いて、蒸着材シート９を複数の蒸着材側
が基板１０と対向するようにして前記基板１０に密着さ
せた後、真空にして、電源１２の切り換えスイッチ
Ｓ1、Ｓ2、Ｓ3をそれぞれ配線Ｌ1、Ｌ2、Ｌ3に接続し、
加熱源３の複数のパターン電極７1、７2、７3及び共通
電極８に電流を流して、複数のパターン電極７1、７2、
７3に対応する基板１０位置に薄膜パターン１１1、１１
2、１１3を形成するので、精度良く加工された複数のパ
ターン電極７1、７2、７3の一部又は全部と同じ精度の
良い薄膜パターン１１1、１１2、１１3を作製すること
ができる。
【００１７】また、図３において、基板１０又は加熱源
３を紙面に垂直方向に移動させた状態で、電源１２の切
り換えスイッチＳ1、Ｓ2、Ｓ3をそれぞれ配線Ｌ1、
Ｌ2、Ｌ3に接続し、加熱源３の複数のパターン電極
７1、７2、７3及び共通電極８に電流を流して、複数の
パターン電極７1、７2、７3に対応する基板１０位置に
薄膜パターン１１1、１１2、１１3をその移動方向に形
成することもできる。この場合には、基板１０には、第
１蒸着部Ａと第２蒸着部Ｂの複数のパターン電極７1、
７2、７3がその移動方向に連続的に形成される。なお、
前記の各実施形態では、蒸着材は、シート上に形成され
ている場合について説明したが、シート自体が蒸着材で
あっても良い。
３を紙面に垂直方向に移動させた状態で、電源１２の切
り換えスイッチＳ1、Ｓ2、Ｓ3をそれぞれ配線Ｌ1、
Ｌ2、Ｌ3に接続し、加熱源３の複数のパターン電極
７1、７2、７3及び共通電極８に電流を流して、複数の
パターン電極７1、７2、７3に対応する基板１０位置に
薄膜パターン１１1、１１2、１１3をその移動方向に形
成することもできる。この場合には、基板１０には、第
１蒸着部Ａと第２蒸着部Ｂの複数のパターン電極７1、
７2、７3がその移動方向に連続的に形成される。なお、
前記の各実施形態では、蒸着材は、シート上に形成され
ている場合について説明したが、シート自体が蒸着材で
あっても良い。
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば、真空容器内に基板を固
定する基板ホルダーと、この基板ホルダーの前記基板側
に間隔を離して対向配置された複数のパターン電極を有
する加熱源とを有する真空装置を用いて、蒸着源を前記
基板と前記複数のパターン電極に密着させた後、前記真
空容器内を真空状態にし、前記加熱源の温度を前記蒸着
源の蒸発温度以上にして、前記複数のパターン電極に対
応する前記基板位置に前記複数のパターン電極の一部又
は全部と同じ形状の薄膜パターンを形成するので、前記
パターン電極の一部又は全部と同じ精度の良い前記蒸着
材パターンを作製することができる。真空容器内に基板
を固定する基板ホルダーと、この基板ホルダーの前記基
板側に間隔を離して対向配置された複数のパターン電極
を有する加熱源と、前記複数のパターン電極と接続さ
れ、切り換えスイッチを有し、所望の前記パターン電極
に電流を流す電源とを有する真空装置を用いて、蒸着源
を前記基板と前記複数のパターン電極に密着させた後、
前記真空容器内を真空状態にし、前記電源の切り換えス
イッチを操作し、前記所望のパターン電極に電流を流
し、前記所望のパターン電極の温度を前記蒸着源の蒸発
温度以上にして、前記複数のパターン電極に対応する前
記基板位置に前記複数のパターン電極の一部又は全部と
同じ形状の薄膜パターンを形成するので、前記パターン
電極の一部又は全部と同じ精度の良い前記蒸着材パター
ンを作製することができる。
定する基板ホルダーと、この基板ホルダーの前記基板側
に間隔を離して対向配置された複数のパターン電極を有
する加熱源とを有する真空装置を用いて、蒸着源を前記
基板と前記複数のパターン電極に密着させた後、前記真
空容器内を真空状態にし、前記加熱源の温度を前記蒸着
源の蒸発温度以上にして、前記複数のパターン電極に対
応する前記基板位置に前記複数のパターン電極の一部又
は全部と同じ形状の薄膜パターンを形成するので、前記
パターン電極の一部又は全部と同じ精度の良い前記蒸着
材パターンを作製することができる。真空容器内に基板
を固定する基板ホルダーと、この基板ホルダーの前記基
板側に間隔を離して対向配置された複数のパターン電極
を有する加熱源と、前記複数のパターン電極と接続さ
れ、切り換えスイッチを有し、所望の前記パターン電極
に電流を流す電源とを有する真空装置を用いて、蒸着源
を前記基板と前記複数のパターン電極に密着させた後、
前記真空容器内を真空状態にし、前記電源の切り換えス
イッチを操作し、前記所望のパターン電極に電流を流
し、前記所望のパターン電極の温度を前記蒸着源の蒸発
温度以上にして、前記複数のパターン電極に対応する前
記基板位置に前記複数のパターン電極の一部又は全部と
同じ形状の薄膜パターンを形成するので、前記パターン
電極の一部又は全部と同じ精度の良い前記蒸着材パター
ンを作製することができる。
【図１】本発明の第１実施形態を示す図である。
【図２】加熱部を拡大した斜視図である。
【図３】本発明の第２実施形態を示す図である。
１、１３…真空蒸着装置、２…真空容器、３…加熱源、
４…基板ホルダー、５…真空ポンプ、６…基台、７1、
７2、７3…パターン電極、８…共通電極、９…蒸着材シ
ート、１０…基板、１１1、１１2、１１3…薄膜パター
ン、１２…電源、１４ａ…送り回転ローラー、１４ｂ…
巻き取り回転ローラー
４…基板ホルダー、５…真空ポンプ、６…基台、７1、
７2、７3…パターン電極、８…共通電極、９…蒸着材シ
ート、１０…基板、１１1、１１2、１１3…薄膜パター
ン、１２…電源、１４ａ…送り回転ローラー、１４ｂ…
巻き取り回転ローラー
Claims (4)
- 【請求項１】真空容器内に基板を固定する基板ホルダー
と、この基板ホルダーの前記基板側に間隔を離して対向
配置された複数のパターン電極を有する加熱源とを有す
る真空装置を用いて、蒸着源を前記基板と前記複数のパ
ターン電極に密着させた後、前記真空容器内を真空状態
にし、前記加熱源の温度を前記蒸着源の蒸発温度以上に
して、前記複数のパターン電極に対応する前記基板位置
に前記複数のパターン電極の一部又は全部と同じ形状の
薄膜パターンを形成することを特徴とする真空蒸着方
法。 - 【請求項２】前記蒸着源は、シート状の蒸着材又は、シ
ート上に形成された蒸着材であることを特徴とする請求
項１記載の真空蒸着方法。 - 【請求項３】真空容器内に基板を固定する基板ホルダー
と、この基板ホルダーの前記基板側に間隔を離して対向
配置された複数のパターン電極を有する加熱源と、前記
複数のパターン電極と接続され、切り換えスイッチを有
し、所望の前記パターン電極に電流を流す電源とを有す
る真空装置を用いて、蒸着源を前記基板と前記複数のパ
ターン電極に密着させた後、前記真空容器内を真空状態
にし、前記電源の切り換えスイッチを操作し、前記所望
のパターン電極に電流を流し、前記所望のパターン電極
の温度を前記蒸着源の蒸発温度以上にして、前記複数の
パターン電極に対応する前記基板位置に前記複数のパタ
ーン電極の一部又は全部と同じ形状の薄膜パターンを形
成することを特徴とする真空蒸着方法。 - 【請求項４】前記基板又は、前記加熱源を移動させなが
ら、前記電源の切り換えスイッチを操作して、その移動
方向に前記複数のパターン電極に対応する前記基板位置
に前記複数のパターン電極の一部又は全部の幅と同じ幅
の薄膜パターンを形成することを特徴とする請求項３記
載の真空蒸着方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24128499A JP2001064764A (ja) | 1999-08-27 | 1999-08-27 | 真空蒸着方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24128499A JP2001064764A (ja) | 1999-08-27 | 1999-08-27 | 真空蒸着方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001064764A true JP2001064764A (ja) | 2001-03-13 |
Family
ID=17071985
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24128499A Pending JP2001064764A (ja) | 1999-08-27 | 1999-08-27 | 真空蒸着方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001064764A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002302759A (ja) * | 2001-04-05 | 2002-10-18 | Sony Corp | 薄膜パターンの形成方法および有機電界発光表示装置の製造方法 |
| WO2012121238A1 (ja) * | 2011-03-09 | 2012-09-13 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 蒸着用シート、蒸着装置、及び蒸着用シートの製造方法 |
-
1999
- 1999-08-27 JP JP24128499A patent/JP2001064764A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002302759A (ja) * | 2001-04-05 | 2002-10-18 | Sony Corp | 薄膜パターンの形成方法および有機電界発光表示装置の製造方法 |
| JP4595232B2 (ja) * | 2001-04-05 | 2010-12-08 | ソニー株式会社 | 薄膜パターンの形成方法および有機電界発光表示装置の製造方法 |
| WO2012121238A1 (ja) * | 2011-03-09 | 2012-09-13 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 蒸着用シート、蒸着装置、及び蒸着用シートの製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101220641B1 (ko) | 심리스 몰드의 제조 방법 | |
| JP2000236015A (ja) | ホットプレートおよび半導体装置の製造方法 | |
| JPH0745693A (ja) | 表面に溝を有した静電チャックおよびその製造方法 | |
| CN104822857B (zh) | 薄型电路板处理装置 | |
| JP2014201819A (ja) | 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法 | |
| JP2001064764A (ja) | 真空蒸着方法 | |
| US20040129220A1 (en) | Plasma processing method and apparatus | |
| JP4081415B2 (ja) | 電子線リソグラフィ装置 | |
| JP2004111948A (ja) | プラズマ処理方法及び装置 | |
| JP3360282B2 (ja) | 微細構造体の製造方法 | |
| JP2007177258A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH0246667B2 (ja) | Hakumakujochakusochi | |
| JP2000021727A (ja) | 半導体回路形成装置 | |
| JPS59205719A (ja) | ドライエツチング装置 | |
| JP2506389B2 (ja) | マスク基板のドライエッチング方法 | |
| JP2000114201A (ja) | 蒸着装置 | |
| JP2003523070A (ja) | 薄層構造物の製造方法及び製造装置 | |
| JPH01258423A (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
| US20060060465A1 (en) | Apparatus for forming nanoholes and method for forming nanoholes | |
| JP3548375B2 (ja) | 塗布処理方法および装置 | |
| JPS6396268A (ja) | スパツタ装置 | |
| CN104714371B (zh) | 圆筒形掩模板的刻蚀系统和圆筒形掩模板的刻蚀方法 | |
| JPH06168932A (ja) | 半導体装置のパターニング装置 | |
| US6081318A (en) | Installation for fabricating double-sided photomask | |
| JP2002332564A (ja) | 真空蒸着装置 |