JP2001060735A

JP2001060735A - 光半導体素子収納用パッケージ

Info

Publication number: JP2001060735A
Application number: JP11233173A
Authority: JP
Inventors: Takahiro Kihara; 隆裕木原
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1999-08-19
Filing date: 1999-08-19
Publication date: 2001-03-06
Anticipated expiration: 2019-08-19
Also published as: JP3457916B2

Abstract

(57)【要約】【課題】光半導体素子と光ファイバの整合位置が基体の
長辺方向の反りによる影響を受けず、リード端子に接続
するボンディングワイヤを短線化して高周波信号の伝送
特性を改善すること。【解決手段】上面に光半導体素子４が載置される載置部
１ａを有する略長方形の基体１と、基体１に載置部１ａ
を囲繞するように接合された略長方形の枠体２とを具備
し、基体１の両短辺にネジ止め部１５を設けるととも
に、枠体２の一方の長辺側側部に光ファイバ固定部材８
を、他方の長辺側側部にリード端子部材７を配設した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザやフ
ォトダイオード等の光半導体素子を収納する光半導体素
子収納用パッケージであって、他の回路基板等への固定
時および固定後の光軸のズレを解消し、また電気的特性
を向上させたものに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の光半導体素子収納用パッケージ
（以下、光パッケージという）Ｐを図４，図５に示す。
半導体レーザやフォトダイオード等の光半導体素子を収
納するための光パッケージＰは、基本的に平板状の基体
２１と、基体２１上に接着固定され箱状の側壁を構成す
る枠体２２とから成る。そして、基体２１は銅（Ｃｕ）
−タングステン（Ｗ）合金等から成り、上面の中央領域
に光半導体素子２４が載置される光半導体素子２４の載
置部２１ａを有する。また、枠体２２は鉄（Ｆｅ）−ニ
ッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金（コバール）等
から成り、載置部２１ａを囲繞するよう基体２１上に銀
ロウ等の金属ロウ材を介して接着され、側部に光ファイ
バ３２を固定するための円筒状の光ファイバ固定部材２
８と、さらに外部の駆動回路等に接続されるリード端子
３６がロウ付けされメタライズ配線層２９を有するアル
ミナセラミックス等からなるリード端子部材（フィード
スルー型の絶縁端子）２７とが設けられる。枠体２２の
上部には、光半導体素子２４を気密封止する金属製の蓋
体（図示せず）が設置される。

【０００３】そして、基体２１の載置部２１ａに光半導
体素子２４を接着固定するとともに、光半導体素子２４
の入出力電極等の各電極をボンディングワイヤ３０を介
してリード端子３６が接続されているメタライズ配線層
２９に接続し、次に枠体２２の上部に蓋体を接着させ、
基体２１と枠体２２と蓋体とからなる容器内部に光半導
体素子２４を収納する。最後に枠体２２の光ファイバ固
定部材２８に光ファイバ３２の端部をレーザ光線照射に
よって溶着接合させ、光ファイバ３２を枠体２２に固定
することによって光半導体装置となる。尚、３５は、基
体２１の四隅部に設けられ外部の回路基板等上に光パッ
ケージＰをネジ止め等により固定するための貫通孔３５
ａを形成したフランジ部、２６は、光半導体素子２４の
下部に設置され光半導体素子２４を冷却し安定的な駆動
を行わせるためのペルチェ素子である。

【０００４】かかる光半導体装置は、外部の駆動回路か
ら供給される電気信号によって光半導体素子２４を駆動
し、例えばレーザ光を発振させ、この光を光ファイバ３
２を通して外部に伝送することにより高速光通信等に使
用される。また光半導体装置には、図５に示すように、
長方形状の基体２１の短辺側両端から長辺に沿う方向に
突出するフランジ部（ネジ止め部）３５およびネジ孔等
用の貫通孔３５ａが形成されてあり、このネジ止め部３
５を外部の回路基板，光システム用部材等にネジ止めす
ることにより固定される。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
光パッケージＰにおいて、基体２１を構成するＣｕ−Ｗ
合金の熱膨張係数が７. ０×１０^-6／℃（室温〜８００
℃）であり、枠体２２を構成するＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金
の熱膨張係数１０×１０^-6／℃（室温〜８００℃）と相
違することから、基体２１上に枠体２２を銀ロウ等のロ
ウ材を介して接着すると、両者の熱膨張係数の差に起因
する熱応力によって、基体２１に最大高低差が１０〜２
０μｍ程度の反りが発生していた。そのため、この光パ
ッケージＰに光半導体素子２４を収容し光半導体装置と
成した後、基体２１のネジ止め部を外部部材に強固にネ
ジ止めした場合、基体２１の反りが矯正され、その結果
基体２１の中央部の高さが変わるとともにそこに載置さ
れた光半導体素子２４の高さが変わり、光半導体素子２
４と光ファイバ３２との位置整合が崩れ、光半導体素子
２４から発振された光を光ファイバ３２を通じて外部に
伝送することが困難になるという問題点があった。

【０００６】そこで、本出願人は基体の中央領域の厚み
をＸ、両端の厚みをＴとした時、０. ３≦Ｔ≦１．０
（ｍｍ），Ｘ≧２Ｔを満足する光パッケージを提案した
（従来例１：特開平６−３１４７４７号公報参照）。し
かしながら、従来例１の光パッケージでは光半導体装置
の更なる薄型化を行うことは困難である。類似した発明
が特許第２７８１３０３号公報に提案されているが、同
様の問題点を有している。

【０００７】上記問題点を解消するために本出願人は、
Ｃｕ−Ｗ合金からなる基体の両端領域に枠体から突出す
るように接合され、ヤング率が２００００ｋｇｆ／ｍｍ
²以下で降伏応力が５０ｋｇｆ／ｍｍ²以下の金属材料
からなるネジ止め部材を有する光パッケージを提案した
（従来例２：特開平１１−７４６１９号公報参照）。こ
の光パッケージでは、ネジ止めの応力によって光半導体
素子の固定高さが変わることがなく、光半導体素子と光
ファイバとの位置整合が保持され、光半導体素子からの
光を外部に良好に伝送することができ、しかも薄型の光
半導体装置とできる。

【０００８】しかしながら、従来例２の光パッケージに
よれば、ネジ止め部材を長方形の枠体の短辺側から突出
するように基体の両端に設けていたため、基体の占有面
積が大きくなり、光半導体装置の小型化を阻害するとい
う問題点があった。また、基体とネジ止め部を銀ロウ等
で接着する工程が必要となり、組立工程が複雑になると
いう問題もあり、組立工程が増えると歩留が低下すると
いう問題がさらに発生する。また、ネジ止め部の位置精
度も劣化し易く、基体とネジ止め部が別個であるため、
構造が複雑となり光パッケージが高価になるという欠点
を有していた。類似の発明が特開平６−８２６５９号公
報に提案されているが、同様の問題点を有する。

【０００９】また、枠体に固定された金属から成る第１
の底板と、第１の底板の枠体と反対側の表面に固定され
第１の底板よりもヤング率が大きい第２の底板とを備え
た光半導体気密封止容器（従来例３：特開平１１−７４
９３４号公報参照）、および、枠体に固定された金属か
ら成る第１の底板と、第１の底板の枠体と反対側の表面
に固定され第１の底板よりもヤング率が小さい金属から
成る第２の底板とを備えた光半導体気密封止容器（従来
例４：特開平１１−７４９３５号公報参照）が公知であ
るが、これらの従来例３，４では、上記問題点に加え、
銀ロウ付けの面積が大きいため第１の底板と第２の底板
との間の銀ロウ付け接合部にボイドが発生し、信頼性を
大きく低下させる要因となっていた。

【００１０】上記従来例１〜４の何れにおいても、ネジ
止め部材は、光半導体素子と光ファイバを結ぶ線に平行
な線上に配列され、かつ基体の短辺側の両端に設けてあ
る。また、従来の光パッケージでは下側に凸の反りが生
じ易く、その場合基体の中央部の載置部とネジ止め部は
基体部において最も離れた位置にあり、載置部は最も低
い位置に有りネジ止め部は最も高い位置に有るため、こ
の２ヶ所は最も高さが異なる。よって、光半導体素子と
光ファイバの整合位置について、ネジ止め固定時に基体
の反りが戻り光半導体素子と光ファイバの高さや角度が
変わってしまい、光半導体素子が発振したレーザ光を外
部に伝送することが困難になるという問題が発生する。

【００１１】そして、上記のような基体の反りによる光
軸のずれを解消するものとして、ステム（基体）に設け
る取付孔を、レーザダイオードチップと光ファイバとを
結ぶ結合線と略直交する線上であって、結合線の両側部
にそれぞれ配設することにより、前記結合線での反りを
小さくするものが提案されている（従来例５：特開昭５
９−１０２８７号公報参照）。しかしながら、この従来
例５および従来例１〜４には、基体の反りによる光学的
な結合の劣化を改善するための技術については開示して
いるが、光パッケージにおける高周波信号等の電気的特
性の向上については一切記載されていない。

【００１２】従って、本発明は上記事情に鑑みて完成さ
れたものであり、その目的は、ネジ止めの応力によって
基板の反りが戻り、基体に固定された光半導体素子の高
さおよび角度が変化するのを防止し、光半導体素子と光
ファイバとの位置整合が保持されて、光半導体素子と光
ファイバとの光学的結合を良好に維持するとともに、高
周波信号等の電気的特性を向上させることを目的とす
る。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明の光半導体素子収
納用パッケージは、上面に光半導体素子が載置される載
置部を有する略長方形の基体と、該基体に前記載置部を
囲繞するように接合された略長方形の枠体とを具備し、
前記基体の両短辺にネジ止め部を設けるとともに、前記
枠体の一方の長辺側側部に前記光半導体素子と光学的に
結合される光ファイバを固定する光ファイバ固定部材
を、他方の長辺側側部に前記光半導体素子に駆動信号を
入力するリード端子部材をそれぞれ配設したことを特徴
とする。

【００１４】本発明は、上記構成により、基体の両短辺
にネジ止め部を設けかつ枠体の長辺側側部に光ファイバ
固定部材を設置することで、ネジ止め部と光半導体素子
との高低差による反りがあったとしても、両ネジ止め部
を結ぶ直線に対して光半導体素子と光ファイバとを結ぶ
直線が略直交するため、光半導体素子と光ファイバの整
合位置は前記反りによる影響を受け難いものとなる。さ
らに、光ファイバ固定部材が枠体の長辺側側部に設置さ
れるので、光ファイバ端部と光半導体素子との間隔が狭
まり、光軸調整が容易であるとともに光軸がずれ難い構
成となる。

【００１５】また、枠体の他の長辺側側部にリード端子
部材を設けることで、リード端子と光ファイバ固定部材
との間隔が広がり、リード端子部材および光ファイバ固
定部材の固定時に各々接触し難くなり、またリード端子
と光半導体素子と接続するボンディングワイヤ等の結線
がし易くなり作業性が向上する。また、光半導体素子を
リード端子により近づけて設置することができるので、
ボンディングワイヤが短線化されてボンディングワイヤ
のインダクタンス，レジスタンスが小さくなり、高周波
信号の伝送特性が改善される。

【００１６】本発明において、好ましくは、前記リード
端子部材を高周波信号入力用とし、さらに前記枠体の短
辺側側部に電源入力用の第二のリード端子部材を配設し
たことを特徴とする。これにより、高周波信号入力用の
リード端子部材におけるリード端子の間隔が大きくな
り、リード端子間およびメタライズ配線層間の容量結合
や誘導等の電磁的干渉が小さくなり、高周波信号の損失
が小さくなる。また、高周波信号入力用のリード端子部
材（フィードスルー端子）を、高周波信号入力用として
損失の小さい構造とすることができ、その結果高周波信
号の伝送特性がさらに改善される。

【００１７】

【発明の実施の形態】本発明の光パッケージについて以
下に説明する。図１は本発明の光パッケージの一実施形
態を示す平面図、図２は図１のＡ−Ａ線における光パッ
ケージの断面図、図３は本発明の光パッケージの他の実
施形態を示す平面図である。

【００１８】これらの図において、１は上面に光半導体
素子４が載置される載置部１ａを有する略長方形の基体
（基板）、２は載置部１ａを囲繞するように基体１に接
合され、基体１の長辺側側部に光半導体素子４と結合さ
れる光ファイバ１２を固定する光ファイバ固定部材８お
よび他の長辺側側部に光半導体素子４に駆動信号を入力
するリード端子１６を設けた枠体である。

【００１９】また、４は半導体レーザ，フォトダイオー
ド，ＬＥＤ（light emission diode）等の光半導体素
子、５は光半導体素子４の冷却用のペルチェ素子、６は
Ｃｕ−Ｗ合金や窒化アルミニウム質焼結体等の良熱伝導
性材料からなる基板、７はセラミックスから成りリード
端子１６およびリード端子１６と光半導体素子４との接
続用のメタライズ配線層９を設けたリード端子部材（フ
ィードスルー型絶縁端子）、８は円筒状の光ファイバ固
定部材、１０はメタライズ配線層９と光半導体素子４の
入出力電極，ペルチェ素子の電極，各種電子部品の電極
とを接続するボンディングワイヤである。さらに、１３
は光ファイバ１２の端部を挿入固定する貫通孔が形成さ
れたフランジ部材、１４はガラス等の透明材料から成る
集光レンズ等の窓部材、１５は基体１の各短辺の中央部
に外側に突出するように設けられたネジ止め部、１５ａ
はネジ止め部１５に形成されたネジ穴等の固定部であ
る。

【００２０】本発明において、基体１は、その上面の中
央領域に光半導体素子４を載置するための載置部１a を
有し、載置部１ａには光半導体素子４，温度センサ等の
各種電子部品がペルチェ素子５および基板６を介して接
着固定される。基体１はＣｕ−Ｗ合金等から成るのが良
く、Ｃｕ−Ｗ合金は熱放散性が良好であり、他の部材に
使用されるＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やセラミックスと熱膨
張係数が近似するという点で好適である。このＣｕ−Ｗ
合金は、平均粒径約１０μｍのタングステン粉末を１０
００ｋｇｆ／ｃｍ²程度の圧力で加圧成形するととも
に、還元雰囲気中で約２３００℃の温度で焼成して多孔
質のタングステン焼結体を得、次に１１００℃の温度で
加熱溶融させたＣｕをタングステン焼結体の多孔部分に
毛管現象を利用して含浸させることにより作製される。

【００２１】また、基体１の上面には載置部１a を囲繞
するように箱状の枠体２が銀ロウ等の金属ロウ材を介し
て接合されており、枠体２の長辺側側部にはリード端子
部材７、他の長辺側側部には光ファイバ固定部材８が側
壁を貫通して、金属ロウ材等により接合され配設されて
いる。そして、枠体２は内部に光半導体素子４を収容す
る空間を形成するとともに、リード端子部材７及び光フ
ァイバ固定部材８を支持する機能を有する。この枠体２
は、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金（コバール）等から成り、Ｆ
ｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金のインゴットに公知の引き抜き加工
法により角パイプを作製し、その角パイプを切断して切
削加工法やプレス加工法等の金属加工を施すことによっ
て所定の枠状に形成する。また、枠体２はセラミックス
等の絶縁体でも構わない。基体１の長辺側に対応する枠
体２の側壁に取着されたリード端子部材７は、熱伝導性
および電気絶縁性に優れるアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）セラ
ミックス等の電気絶縁材料から成るのが良く、その上面
には枠体２の内側から外側に導出されリード端子１６に
接続されるメタライズ配線層９が設けられる。

【００２２】リード端子部材７は、光パッケージ内部に
収納される光半導体素子４，ペルチェ素子５および各種
電子部品と、外部の駆動回路等とを接続する機能を有す
る。このリード端子部材７は、例えばアルミナセラミッ
クスから成る場合、アルミナ，酸化珪素（ＳｉＯ₂），
酸化カルシウム（ＣａＯ），酸化マグネシウム（Ｍｇ
Ｏ）等の原料粉末に樹脂バインダや溶剤等を添加混合し
て泥漿状となし、これを公知のドクターブレード法等に
よりシート状とすることによって複数枚のセラミックス
グリーンシートを作製し、その後セラミックスグリーン
シートに打ち抜き加工を施してこれらを積層し、１５５
０℃程度の高温で焼成して作製される。

【００２３】リード端子部材７に形成されるメタライズ
配線層９は、その一端側が、光半導体素子４の電極，ペ
ルチェ素子５の電極および各種電子部品（図示せず）等
の電極にボンディングワイヤ１０を介して接続され、ま
た他端側は、リード端子１６と銀ロウ等の金属ロウ材を
介して接続される。このリード端子１６を外部の駆動回
路等に接続することにより、光半導体素子４やペルチェ
素子５および各種電子部品が外部と接続される。そし
て、メタライズ配線層９はＷ，Ｍｏ，Ｍｎ等の高融点金
属の粉末を含有する金属ペーストを焼成して成り、例え
ばＷ粉末やＭｎ粉末等の金属粉末に有機樹脂バインダや
溶剤を添加混合して得た金属ペーストを、リード端子部
材７用のセラミックスグリーンシートに公知のスクリー
ン印刷法等により所定パターンに印刷塗布しておき焼成
することで、リード端子部材７の所定位置に被着形成さ
れる。

【００２４】また、前記リード端子１６は、Ｆｅ−Ｎｉ
−Ｃｏ合金，Ｆｅ−Ｎｉ合金等の金属から成り、光半導
体素子４を外部の駆動回路等に電気的に接続する作用を
なす。リード端子１６は、例えばＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金
から成る板材に打ち抜き加工，エッチング加工等を施す
ことにより所定形状に形成される。

【００２５】さらに、基体１の長辺側に対応する枠体２
の側壁には、光ファイバ１２を固定する円筒状の光ファ
イバ固定部材８が、枠体２の内外を貫通するように取着
される。この光ファイバ固定部材８の光パッケージの外
側端部には、光ファイバ１２の端部を貫通孔に挿入固定
したフランジ部材１３を接着剤や溶接等により接合する
ことにより、光半導体素子４と光ファイバ１２の光軸を
合致させた状態で光学的に結合させて固定する（図
２）。このように、光ファイバ１２を設置固定すること
によって、光半導体素子４で発振したレーザ光を外部に
伝送する、または外部からの光を光半導体素子４で受光
することが可能になる。また、光ファイバ固定部材８は
Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成る円筒部材であ
り、その光パッケージの内側端部に、サファイア，ガラ
ス等の透光性材料からなる集光レンズ等としての窓部材
１４が取着されてあり、窓部材１４を通して光半導体素
子４と光ファイバ１２間で光が伝達される。

【００２６】また本発明では、略長方形の基体１の各短
辺の好ましくは中央部に、基体１と一体となったネジ止
め部１５が外側に突出するように設けられている。ネジ
止め部１５は、光半導体装置を外部の回路基板等の外部
部材に固定するものであり、その一部には切り欠き，貫
通孔，ネジ穴等の固定部１５ａが設けられ、固定部１５
ａにネジを挿通してネジ止め部１５を外部部材にネジ止
めして、光半導体装置を外部部材に固定する。このネジ
止め部１５は、基体１の各短辺に複数個ずつ設けても構
わない。

【００２７】本発明において、図１に示すように、ネジ
止め部１５を光半導体素子４と光ファイバ１２を結ぶ直
線（光軸）Ｓ１に直交する直線Ｓ２上に配置することが
好ましい。これにより、ネジ止め固定時の応力は直線Ｓ
２の方向に働き、基体１の長辺方向に反りが発生しネジ
止め固定時にその反りが戻るという変形が起こっても、
ネジ止め固定時に直線Ｓ１方向で新たに反り等の変形が
生じ難くくなり、光半導体素子４の高さおよび光ファイ
バ１２の高さの変化が殆どなくなる。

【００２８】また本発明において、図６のように、基体
１の長辺方向での光ファイバ固定部材８の中心軸Ｏｆ即
ち光軸が存在する範囲は、基体１の長辺の長さをＬｎ、
長辺の中心点Ｏｎを中心とする幅をＬ１とした場合、Ｌ
１≦０．４ＬｎなるＬ１の範囲内とすることが好まし
い。つまり、図７（ａ）に示すように、ネジ止め前に基
体１が長辺方向で下に凸に反っていたのが、ネジ止め後
には反りが戻り平坦化されるが、（ｂ）に示すように、
一般にネジ止め前の基体１の４隅部４０，４１，４２，
４３の高さが異なった状態、即ち基体１全体が捩じれて
反った状態となっており、そのため長辺方向の反りを殆
ど解消しても全体的な捩じれは残っており、また４隅部
４０〜４３での変形量もばらばらである。従ってネジ止
めによる変形量の少ない長辺中央部に光ファイバ固定部
材８を設置することが良く、Ｌ１＞０．４Ｌｎでは、ネ
ジ止めによる変形量が短辺方向でも大きくなり、光軸が
傾き、光半導体素子との位置整合がずれ易くなる。

【００２９】本発明の他の実施形態として、図３に示す
ように、枠体２の光ファイバ固定部材８と対向する他方
の長辺側側部に高周波信号入力用のリード端子部材７
を、短辺側側部に電源入力用のリード端子部材７ａ，７
ｂをそれぞれ設けることが好ましく、この場合高周波信
号入力用のリード端子部材７のリード端子１６の間隔が
大きくなり、リード端子１６間およびメタライズ配線層
９間の容量結合や電磁誘導等の電磁的干渉が小さくな
り、高周波信号の損失が小さくなる。

【００３０】また、高周波信号入力用のリード端子１６
を設けるリード端子部材７を、高周波信号入力用として
損失の小さい構造とすることができ、その結果高周波信
号の伝送特性が改善される。例えば、リード端子部材７
の複数のリード端子１６のうち、両端のリード端子１６
を接地電極用とし、中央部のリード端子１６を信号電極
用として用いることで、接地電位が確実に取れ、高周波
信号の伝送特性が向上する。さらに、両端のリード端子
１６に接続されるメタライズ配線層９の面積を、中央部
のリード端子１６に接続されるメタライズ配線層９より
も大きくすることにより、接地電位の保持がより確実に
なる。このような構成は、図１，図５のような、高周波
信号入力用のリード端子と電源入力用のリード端子を同
じリード端子部材に接合するタイプでは、電源入力用の
リード端子を端部に配置するため、採用することが困難
であった。

【００３１】また、光半導体素子４を、高周波信号入力
用のリード端子１６を設けたリード端子部材７に近接さ
せて設け、ボンディングワイヤ１０を短線化することも
可能であり、これによりボンディングワイヤ１０のイン
ダクタンス，レジスタンスを小さくして、高周波信号の
損失をより小さくすることができる。

【００３２】また図３の構成において、高周波信号入力
用のリード端子部材７の本体を、白磁器の一種であり、
主成分としてアルミナ（含有率９２重量％以上），その
他マグネシア（ＭｇＯ），カルシア（ＣａＯ），シリカ
（ＳｉＯ₂）等を含むセラミック材料とするのが良く、
この場合１０ＧＨｚ程度の高周波に対する誘電体損失を
表すｔａｎδが１２．０以下と小さくなり、損失が小さ
くなる。さらに、電源入力用のリード端子部材７ａ，７
ｂの本体を、黒磁器の一種であり、主成分としてアルミ
ナ（含有率９０重量％以上），その他マグネシア（Ｍｇ
Ｏ），カルシア（ＣａＯ），シリカ（ＳｉＯ₂），着色
材（Ｃｒ等の着色性元素）等を含むセラミック材料とす
るのが良く、この場合外部および内部の光を吸収する材
質とすることで、光パッケージ内部に紫外線照射によっ
て情報が消去されるＥＰＲＯＭ（Erasable Programmabl
e Read Only Memory）、その他光によって劣化し易いも
のを組み込む場合に、光による影響を防ぐことができ
る。

【００３３】さらに、本発明の他の実施形態として、ネ
ジ止め部１５を基体１よりも薄くしたり、ネジ止め部１
５の基体１側の根元に短辺方向に溝を切っておけば、ネ
ジ止め時の応力を緩和することができる。また、ネジ止
め部１５をヤング率の低い材料で別個に作製し基体１に
ロウ付け等により接合しても良く、その場合もネジ止め
時の応力を緩和できる。ネジ止め部１５の固定部１５ａ
にネジを切ってネジ穴を設ける場合は、ネジ止め部１５
を薄くするよりも溝を切っておく方が好ましく、その場
合ネジ山を十分に作ることで光パッケージを強固に固定
でき、また枠体２と基体１をロウ付けする際にロウ材の
広がりが抑制され、ネジ山がロウ材で埋められることは
ない。

【００３４】かくして、本発明は、光半導体素子と光フ
ァイバの整合位置が基体の長辺方向の反りによる影響を
受け難いものとなり、光ファイバ固定部材が枠体の長辺
側側部に設置されるので、光ファイバ端部と光半導体素
子との間隔が狭まり、光軸調整が容易であるとともに光
軸がずれ難い構成となる。また、リード端子部材と光フ
ァイバ固定部材との間隔が広がり、リード端子部材およ
び光ファイバ固定部材が固定時に各々接触し難くなり、
またリード端子と光半導体素子と接続するボンディング
ワイヤ等の結線がし易くなり作業性が向上する。さら
に、光半導体素子をリード端子により近づけて設置する
ことができるので、ボンディングワイヤが短線化されて
ボンディングワイヤのインダクタンス，レジスタンスが
小さくなり、高周波信号の伝送特性が改善される。

【００３５】尚、本発明は上記実施形態に限定されず、
本発明の要旨を逸脱しない範囲内であれば種々の変更を
行っても何等差し支えない。

【００３６】

【発明の効果】本発明は、基体の両短辺にネジ止め部を
設けるとともに、枠体の一方の長辺側側部に光ファイバ
固定部材を、他方の長辺側側部にリード端子部材をそれ
ぞれ配設したことにより、光半導体素子と光ファイバの
整合位置が基体の長辺方向の反りによる影響を受け難い
ものとなり、光ファイバ端部と光半導体素子との間隔が
狭まり、光軸調整が容易であるとともに光軸がずれ難い
構成となる。また、リード端子部材と光ファイバ固定部
材が固定時に各々接触し難くなり、またリード端子と光
半導体素子と接続するボンディングワイヤ等の結線がし
易くなり作業性が向上する。さらに、光半導体素子をリ
ード端子に近づけて設置することができるので、ボンデ
ィングワイヤが短線化されてボンディングワイヤのイン
ダクタンス，レジスタンスが小さくなり、高周波信号の
伝送特性が改善される。

【００３７】また本発明において、前記リード端子部材
を高周波信号入力用とし、さらに枠体の短辺側側部に電
源入力用の第二のリード端子部材を配設したことによ
り、高周波信号入力用のリード端子の間隔が大きくな
り、リード端子間およびメタライズ配線層間の容量結合
や電磁誘導等の電磁的干渉が小さくなり、高周波信号の
損失が小さくなる。また、高周波信号入力用のリード端
子を設けるリード端子部材を、高周波信号入力用として
損失の小さい構造とすることができ、その結果高周波信
号の伝送特性が改善される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光パッケージの平面図である。

【図２】図１のＡ−Ａ線における断面図である。

【図３】本発明の他の実施形態を示し、光パッケージの
平面図である。

【図４】従来の光パッケージの蓋体を除いたものの斜視
図である。

【図５】図４の光パッケージの平面図である。

【図６】本発明の光パッケージの基体，枠体，光ファイ
バ固定部材の平面図である。

【図７】（ａ）はネジ止めによる基体の長辺方向の変形
を説明する基体長辺の側面図、（ｂ）は基体の捩じれを
説明する基体の斜め側面図である。

【符号の説明】

１：基体２：枠体３：蓋体４：光半導体素子５：ペルチェ素子７：リード端子部材７ａ，７ｂ：第二のリード端子部材８：光ファイバ固定部材９：メタライズ配線層１０：ボンディングワイヤ１２：光ファイバ１５：ネジ止め部１６：リード端子

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】上面に光半導体素子が載置される載置部を
有する略長方形の基体と、該基体に前記載置部を囲繞す
るように接合された略長方形の枠体とを具備し、前記基
体の両短辺にネジ止め部を設けるとともに、前記枠体の
一方の長辺側側部に前記光半導体素子と光学的に結合さ
れる光ファイバを固定する光ファイバ固定部材を、他方
の長辺側側部に前記光半導体素子に駆動信号を入力する
リード端子部材をそれぞれ配設したことを特徴とする光
半導体素子収納用パッケージ。
【請求項２】前記リード端子部材を高周波信号入力用と
し、さらに前記枠体の短辺側側部に電源入力用の第二の
リード端子部材を配設したことを特徴とする請求項１記
載の光半導体素子収納用パッケージ。