JP2001058255A - 炭素基金属複合材料板状成形体および製造方法 - Google Patents
炭素基金属複合材料板状成形体および製造方法Info
- Publication number
- JP2001058255A JP2001058255A JP2000149848A JP2000149848A JP2001058255A JP 2001058255 A JP2001058255 A JP 2001058255A JP 2000149848 A JP2000149848 A JP 2000149848A JP 2000149848 A JP2000149848 A JP 2000149848A JP 2001058255 A JP2001058255 A JP 2001058255A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carbon
- composite material
- metal composite
- molten
- based metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Manufacture Of Alloys Or Alloy Compounds (AREA)
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
熱膨張率4×10-6/℃〜12×10-6/℃であり、面
方向の弾性率が50GPa以下の電子機器用基板として
好適な炭素基金属複合材料板状成形体を提供する。 【解決手段】 黒鉛化した粒子を含む炭素成形体また
は炭素繊維を含む炭素成形体にアルミニウム、銅、銀ま
たは該金属の合金を熔湯鍛造により含浸させることによ
り製造された炭素基金属複合材料からなることを特徴と
する炭素基金属複合材料板状成形体、および炭素成形体
を、溶融アルミニウム、溶融銅、溶融銀またはこれらの
溶融金属の合金と加圧下において接触させることによ
り、該炭素成形体に溶融金属を含浸させることからなる
炭素質金属複合材料板状成形体の製造方法である。
Description
料板状成形体およびその製造方法に関するものであり、
詳しくは、炭素成形体とアルミニウムまたは銅との複合
材料からなる高熱伝導率、低熱膨張率および低弾性率の
電子機器用基板及びその製造方法に関するものである。
の発生が増加しており、熱除去に有効な高熱伝導率で熱
膨張率の小さい材料が要求されている。半導体素子、抵
抗体、トランス、コンデンサーまたは配線からなる電子
回路から発生する熱の大部分は、回路基板または回路基
板の支持体でもあるベース基板から冷却装置に伝えられ
最終的に大気または冷却液体に放熱される。熱を大量に
発生する電子回路においては、ベース基板材料に通常熱
伝導の良いアルミニウム、銅またはそれらの合金が使用
されている。
と金属を複合して、熱膨張率を小さく調整した伝熱材料
が提案されている(例えば、特開平11−97593号
公報参照。)。
ているアルミニウム、銅またはそれらの合金は、性質上
熱伝導性は良いが熱膨張率も大きい。一方、ベース基板
上に積層されるシリコン半導体素子またはセラミックス
からなる電子回路は熱膨張率が小さく、従って、両者の
熱膨張差からそりまたは剥がれ等が生じる問題点があ
る。
率の小さなセラミックスである炭化珪素、アルミナ、窒
化珪素または窒化アルミニウムとアルミニウム、銅金属
の複合材料からなる基板が考案されているが、この複合
材料基板は、セラミックスを含むため加工が難しいとい
う難点がある。
熱膨張率の小さな金属であるタングステン、モリブデン
と銅からなる複合材料基板が考案されているが、この複
合材料基板には、重量が大きいことと加工が難しいとい
う問題点がある。更に、シリコンとアルミニウム合金に
よる基板も提案されているが未だ実用化はされていない
など、従来、提案されてきた材料は熱伝導率と熱膨張率
の両者を充足しても加工性が良い製品は実現されていな
かった。また、従来のいずれの材料も弾性率が高いため
熱膨張率の異なる材料を接合する場合、接合面に大きな
熱応力がかかり、結果としてはがれを生ずる欠点があっ
た。
は、前記の如き電子機器用基板の開発状況に鑑み、軽量
で熱伝導率が高く、シリコン素子またはセラミックスか
らなる電子回路の熱膨張率に合致し、かつ面方向の弾性
率が小さい機械加工性の良い電子機器用基板を提供する
ことにある。
前記目的を達成するために、鋭意検討を重ねたところ、
石油コークス、天然黒鉛またはピッチ系炭素繊維などの
熱伝導率の高いフィラーとコールタールピッチなどのバ
インダーの混合物を、成形、焼成し黒鉛化した炭素成形
体の空孔に溶融したアルミニウム、銅またはそれら金属
の溶融合金を熔湯鍛造により高圧で含浸することにより
得られた炭素基金属複合材料からなる板状成形体が前記
課題により解決できることを見い出し、これらの知見に
基づいて本発明の完成に到達した。
む炭素粒子または炭素繊維を含む炭素成形体にアルミニ
ウム、銅、銀または該金属の合金を熔湯鍛造により加圧
含浸させることより得られた炭素基金属複合材料からな
ることを特徴とする炭素基金属複合材料板状成形体に関
するものである。
融アルミニウム、溶融銅、溶融銀またはこれらの溶融金
属の合金と加圧下において接触させることにより、炭素
成形体に溶融金属を含浸させることからなる炭素質金属
複合材料板状成形体の製造方法であって、(1)前記炭
素成形体を不活性雰囲気下において前記溶融金属の融点
以上の温度に加熱する工程、(2)加熱された前記炭素
成形体に熔湯鍛造により前記溶融金属をプレス装置を用
いて押し子単位面積当たり200kg/cm2 以上の圧
力で加圧含浸させる工程、(3)工程(2)の加圧含浸
の終了後、前記溶融金属を冷却し凝固させる工程(4)
工程(3)にて得られた凝固体から前記炭素成形体を取
り出す工程および(5)工程(4)にて得られた金属含
浸炭素成形体を板状に成形する工程を含むことを特徴と
する炭素質金属複合材料板状成形体の製造方法に関する
ものである。
的に説明する。本発明の炭素基金属複合材料板状成形体
は、炭素質マトリックスおよび炭素質マトリックス中に
分散された金属成分とからなる炭素基金属複合材料を板
状に成形してなるものである。炭素質金属複合材料の板
状への成形方法は、特に限定されるものではなく、加圧
成形法またはドクターブレード法等を採用することがで
きるが炭素基金属複合材料から切り出す方法が好まし
い。成形の際には、所望の用途に適合するように成形体
の厚さを任意に決定すればよいが、電子機器用基板とし
ては0.1mm〜50mm、特に、0.3mm〜3mm
が好ましい。
常温での密度はアルミニウムまたはアルミニウム合金を
含浸させた場合、2.0g/ml〜2.5g/mlであ
り、また、銅、銀、銅合金または銀合金を含浸させた場
合の常温での密度が2.3g/ml〜5.0g/mlで
ある。前記炭素基金属複合材料板状成形体の熱伝導率
は、室温における厚さ方向で150W/(m・K)以上
であり、好ましくは200W/(m・K)以上である。
また、熱膨張率は、4×10-6/℃〜12×10 -6/
℃、好ましくは、5×10-6〜8×10-6に制御された
ものである。
形体としては、前記の熱伝導率と熱膨張率と共に特定の
弾性率を具有するものであり、面方向の弾性率が50G
Pa以下の範囲にあり、好ましくは3GPa〜15GP
aに制御されたものである。このような制御された性状
を具備させたことによりシリコン素子またはセラミック
スからなる電子回路とベース基板の接合をはがれのな
い、しかも熱サイクル試験に強いものにすることが可能
である。
板状成形体を構成する炭素質マトリックスとして用いる
炭素成形体は、非晶質炭素、黒鉛系炭素またはこれらの
混合物であり、特に、黒鉛系結晶を含むものが好まし
い。黒鉛系結晶はX線回折により測定され、平均面間隔
dが0.340nm以下、特に0.338nm以下のも
のが好ましい。炭素材料としては、(a)一般炭素材
料、(b)炭素粉、天然・人造黒鉛および炭素繊維の少
なくとも一種の炭素材料を含む加圧成形体等を挙げるこ
とができる。炭素成形体としては、熱処理され黒鉛化し
た炭素粒子を含有するものが好ましく、特に、最大粒子
径が長軸で0.1mm〜3mmの石油コークス、天然黒
鉛をフィラーとするものが好適である。最大粒子径が
0.1mmに満たないと成形体の熱伝導率が十分高くな
らず、一方、最大粒子系3mmを超えると基板面の面粗
度が急激に悪化し、基板としての使用が困難となるおそ
れが生ずる。また、炭素成形体中のフィラーとしての黒
鉛粒子は、体積基準で10%以上であり、ピッチ系炭素
繊維は体積基準で10%以上であるものが好ましい。
形体の製造方法について説明する。本発明の炭素基金属
複合材料板状成形体の製造方法に用いられる炭素成形体
は前記炭素材料を2800℃以上、特に3000℃以上
の温度で熱処理したものであり、黒鉛結晶が含有される
ように処理したものが好ましい。
ピッチ系の炭素繊維をフィラーとする炭素繊維・炭素複
合材料を2800℃以上、特に、3000℃以上で数時
間以上熱処理した成形体を使うことが効果的である。
熱処理され、黒鉛化した炭素粒子を含む炭素成形体を溶
融金属と加圧下において接触させることにより、該炭素
成形体に熔湯鍛造により該溶融金属を加圧含浸させ、得
られた複合材料を板状に成形することからなる炭素基金
属複合材料板状成形体の製造方法であって、少なくとも
次の工程(1)、(2)、(3)、(4)および(5)
を含む炭素基金属複合材料板状成形体の製造方法が提供
される。すなわち、(1)前記炭素成形体を不活性雰囲
気下において前記溶融金属の融点以上の温度に加熱する
工程、(2)前記溶融金属を供給し加熱された前記炭素
成形体に熔湯鍛造により該溶融金属をプレス装置を用い
て押し子単位面積当たり200kg/cm2 以上の圧力
で加圧含浸させる工程、(3)工程(2)の加圧含浸の
終了後、前記溶融金属を冷却し凝固させる工程(4)工
程(3)にて得られた凝固体から前記炭素成形体を取り
出す工程および(5)工程(4)にて得られた金属含浸
炭素成形体を板状に成形する工程を挙げることができ
る。
ックスとして適する炭素材料のいずれのものも用いるこ
とができる。具体的には好ましい炭素成形体として密度
が1.4g/cm3 〜2g/cm3 であり、気孔率が5
0%以下、好ましくは35%以下、さらに好ましくは5
%〜25%のものを使用することができる。
記工程(1)において、炭素成形体は金型内に設置さ
れ、不活性雰囲気下において予備加熱される。不活性雰
囲気としてはアルゴンガス、窒素ガス等、好ましくはア
ルゴンガスを用いることができる。また、予備加熱は金
属成分の融点または融点以上、特に100℃以上、好ま
しくは100℃〜250℃に保持することにより行なわ
れる。この工程(1)を経ることで炭素と金属との界面
での反応を抑制しながら炭素材料の気孔に金属を充分含
浸することができるように考案したものである。
点より50℃〜250℃高い温度で金属成分を溶融し、
溶融金属を金型に供給し、前記の予備加熱した炭素成形
体と接触させ、溶融金属にプレス装置を用いて押し子に
より該押し子面積当たり200kg/cm2 以上の圧力
をかけ熔湯鍛造により溶融金属を前記炭素成形体に加圧
含浸させる。工程(2)においてアルミニウムの場合に
は溶融金属の温度が融点より150℃を超えると潮解性
のある炭化アルミニウムを生成しやすくなり、実用的な
複合材料が得られない。また、圧力200kg/cm2
に達しないと効率よく金属成分の含浸が行なわれず、金
属充填率が低下するおそれがある。
よる製造方法によれば、溶融金属を金型に入れ、金型内
に置かれた炭素成形体と接触させ高い圧力を加えて凝固
させる際に炭素成形体に熔融金属を含浸させる。熔湯鍛
造に用いられる装置は、内部に空間を有する主型と押し
子(パンチ)とからなり、該主型の開口部内壁面に該押
し子が密接し、内外部方向へ移動自由とし、加圧により
内部方向へ移動可能としたものである。熔湯鍛造方式と
しては図2に示すオープン−モールド方式、すなわち直
接加圧方式および図3に示すクローズド−モールド方式
(間接加圧方式)が挙げられるが、本発明の炭素基金属
複合材料板状成形体の製造にはオープン−モールド方式
を利用することが好ましい。本発明の炭素基金属複合材
料の製造方法における金属含浸方法の特徴は、溶融金属
を短時間で凝固させるため金属組織が緻密であると共
に、従来のガス加圧方式による金属含浸方法では困難な
大型複合材料を容易に製造できる点にある。
いて溶融金属を冷却し凝固させ凝固体を得る。次に工程
(4)において工程(3)にて得られた凝固体を金型か
ら取り出し、金属部分を切削、溶解その他の方法で除き
炭素成形体を取り出し、工程(5)において板状成形体
への成形加工等の工程を経て炭素基金属複合材料板状成
形体を得ることができる。具体的には炭素基金属複合材
料は加工性が良いため、例えば、バンドソーまたはワイ
ヤーソーで切断することにより板状成形体を製造するこ
とができる。
用いられる装置の具体例を第1図〜第3図に示す。第1
図〜第3図において、1は金型、2は押し子であり、3
はプレス機を示す。金型1内に炭素成形体4を入れ、ア
ルゴンガス中で前記工程(1)による予備加熱を行な
い、その後、所定温度に加熱した溶融金属を供給し、押
し子3により金型内部の溶融金属を加圧し、所定時間同
条件にて維持する。所定時間経過後金型から金属凝固体
を金属の塊ごと取り出し金属部分を切削、溶解その他の
方法で除き金属含浸炭素基複合材料板状成形体を得るこ
とができる。
の炭素基金属複合材料板状成形体の用途としての電子機
器の熱分散体として有用な基板状成形体について説明す
る。半導体素子、抵抗体、トランス、コンデンサーまた
は配線から構成される電子回路の回路支持基板および回
路支持基板の支持体であるベース基板を包む電子機器に
おいては、電子回路から発生する熱の大部分は回路支持
基板およびベース基板から冷却装置に伝熱され最終的に
大気または冷却液体に放熱される。従来、ベース基板材
料としてアルミニウム、銅またはそれらの合金からなる
金属が使用されているが電子回路との間に熱膨張差があ
り、反りまたは剥がれの問題がある。本発明の炭素基金
属複合材料は、熱伝導率150W/(m・ K) 以上であ
り、熱膨張率4×10-6/℃〜12×10-6/℃を有す
るものであることから、熱伝導は同等で、前記問題点は
解消される。また、板状成形体の面方向の弾性率は、5
0GPa以下の範囲にあり、熱伝導率の異なる材料を接
合する場合、接合層にかかる熱応力を緩和することがで
きる。これにより剥がれ、または熱サイクルに強い接合
も可能となる。
度2g/cm3 以上のものが好ましい。具体的にはアル
ミニウムまたはアルミニウム合金含浸基板状炭素成形体
は、密度2.0g/cm3 〜2.4g/cm3 のもの
が、また、銅または銅合金含浸基板状炭素成形体は、密
度2.3g/cm3 〜5.0g/cm3 のものが好適で
ある。
た本発明の炭素基金属複合材料からなる基板状炭素成形
体を含む電子機器の具体例を示す。図中、本発明の炭素
基金属複合材料からなる基板6が接着層9を介してセラ
ミック絶縁基板7に接合される。接着層としては、合成
樹脂、ハンダ、金属ロウ材等が使用される。セラミック
絶縁基板7上に回路、回路素子および部品8が設けられ
る。回路、回路素子および部品8からは大量の熱が発散
され、基板6に伝熱され、基板6の下部に接合した冷却
装置(図は省略。)に放熱される。
体的に説明する。もっとも、本発明は実施例等により限
定されるものではない。なお、実施例および比較例によ
り作製した炭素基金属複合材料の品質・性能評価につい
て下記の測定方法を用いた。
用いてアルキメデス法により測定した。 2)曲げ強度 株式会社島津製作所製精密万能試験器AG−500を用
い、作成した強度試験片について曲げ強度を測定した。
試験片サイズ4mm×4mm×8mm、スパン間距離6
0mm、クロスヘッド降下速度0.5mm/分の条件で
測定した。 3)熱伝導率 熱伝導率は、熱拡散率と比熱および密度の積として求め
た。熱拡散率は、レーザーフラッシュ法により真空理工
(株)製TC−7000を用い25℃で測定した。ま
た、照射光としてルビーレーザー光(励起電圧2.5k
v、均一フィルターおよび滅光フィルター1枚)を使用
した。 4)熱膨張率 マックスサイエンス社製熱分析装置001、TD−50
20を用いて室温から300℃までの熱膨張率を測定し
た。 5)弾性率 強度試験の応力−歪データから計算で求めた。
材1種の合計4種類の炭素成形体を使用した。同成形体
をアルゴンガス中で760℃に予熱し、500℃に予熱
した金型に設置した。810℃で溶融した純アルミニウ
ムを金型内にいれた。熔湯鍛造により押し子の押し面当
り圧力500kg/cm2 になるようプレス機で加圧
し、その状態で30分保持した。冷却後アルミニウムの
塊ごと取出し切削加工し、炭素基金属複合材を得た。
m、縦90mm、厚さ3mmの基板に無電解ニッケルメ
ッキを施し、アルミナ基板を高温ハンダで接着し、−5
5℃、150℃で温度サイクル試験を250回実施した
が異常はなかった。
れぞれの成形体をアルゴンガス中で960℃に予熱し、
600℃に予熱した金型に設置した。960℃の溶解し
た七三黄銅を金型内にいれた。押し子の押し面当り10
00kg/cm 2 で加圧し、その状態で30分保持し、
七三黄銅を含浸・複合化した。冷却後七三黄銅の塊ごと
取出し切削加工し、炭素基金属複合材料板状成形体を得
た。熱伝導率、熱膨張率および弾性率を測定したところ
表2に示す通りで要求性状を満たすものであった。
アルミニウム/炭化珪素複合材(Al/SiC)の特性
値(カタログ値)を表1に示す。このなかで弾性率が本
発明の炭素基金属複合材料を用いた電子機器用基板と異
なる。
方法と同様の方法で溶融アルミニウムを含浸させた後、
板状成形体を得た。この板状成形体は85℃、相対湿度
85%の雰囲気24時間でクラックがはいり、実用に耐
え得ないことがわかった。これは、炭素とアルミニウム
が反応し、加水分解し易い炭化アルミニウムが生成した
ため考えられる。
の熱伝導率は、含浸前の炭素成形体より最大100W/
(m・K)上昇する。また、熱膨張率は、炭素成形体の
種類または金属種を変えることにより、4×10-6/℃
〜12×10-6/℃の範囲において任意の数値のものを
製造することができる。この熱膨張率は、同基板に搭載
されるシリコンの熱膨張率3×10-6/℃〜4×10-6
/℃、窒化アルミニウムの4.5×10-6/℃、または
アルミナの7×10-6/℃〜8×10-6/℃に近いもの
である。また、基板の弾性率が小さいため接合層および
同界面にかかる熱応力を小さくすることができる。従っ
て、本発明の基板を使用することにより基板と搭載され
る電子機器の熱膨張差から生じる熱応力が小さくなり、
剥がれ等の不具合の発生を抑制することが可能となる。
記の構成をとることにより脆性的な炭素材の性質を改善
でき、強度の優れた電子機器用基板となる。特に、機械
的な加工において、材料の割れ、欠けが生じにくくなり
加工が容易となり、また、加工精度の高いものを得るこ
とができる。
る。
る。
る。
本構成図である。
6)
素粒子または炭素繊維を含む炭素成形体にアルミニウ
ム、銅、銀または該金属の合金を熔湯鍛造により加圧含
浸させることより得られた炭素基金属複合材料からなる
ことを特徴とする炭素基金属複合材料板状成形体に関す
るものである。
Claims (9)
- 【請求項1】 黒鉛結晶を含む炭素粒子または炭素
繊維を含む炭素成形体にアルミニウム、銅、銀または該
金属の合金を熔湯鍛造により加圧含浸させることにより
製造された炭素基金属複合材料からなることを特徴とす
る炭素基金属複合材料板状成形体。 - 【請求項2】 前記炭素基金属複合材料板状成形体
の厚さが0.1mm〜50mmである請求項1に記載の
炭素基金属複合材料板状成形体。 - 【請求項3】 前記炭素基金属複合材料板状成形体
の室温における厚さ方向の熱伝導率が150W/(m・
K)以上、熱膨張率が4×10-6/℃〜12×10-6/
℃および面方向の弾性率が50GPa以下である請求項
1または2に記載の炭素基金属複合材料板状成形体。 - 【請求項4】 前記炭素成形体にアルミニウムまた
はアルミニウム合金を含浸させた前記炭素基金属複合材
料板状成形体の常温での密度が2.0g/ml〜2.5
g/mlである請求項1ないし3のいずれかの1項に記
載の炭素基金属複合材料板状成形体。 - 【請求項5】 前記炭素成形体に銅、銀、銅合金ま
たは銀合金を含浸させた前記炭素基金属複合材料板状成
形体の常温での密度が2.3g/ml〜5.0g/ml
である請求項1ないし3のいずれか1項に記載の炭素基
金属複合材料板状成形体。 - 【請求項6】 前記炭素成形体が、長径0.1mm
〜3mmの黒鉛粒子を体積分率で10%以上、または繊
維長0.1mm〜5mmのピッチ系炭素繊維または気相
成長で製造された炭素繊維を体積分率で10%以上、あ
るいは長径0.1mm〜3mmの黒鉛粒子と繊維長0.
1mm〜5mmのピッチ系炭素繊維を合わせて体積分率
で10%以上含有する板状成形体である請求項1に記載
の炭素基金属複合材料板状成形体。 - 【請求項7】 前記炭素基金属複合材料板状成形体
が、電子機器用基板である請求項1ないし6のいずれか
の1項に記載の炭素質金属複合材料板状成形体。 - 【請求項8】 請求項1の炭素基金属複合材料板状
成形体の表面が、メッキまたは溶融金属または金属箔の
金属で被覆され、あるいはその端面が金属で縁どりして
被覆された炭素基金属複合材料板状成形体にセラミック
回路、電子素子または部品が接着層を介して接続された
ことを特徴とする電子機器用部品。 - 【請求項9】 炭素成形体を、溶融アルミニウム、
溶融銅、溶融銀またはこれらの溶融金属の合金と加圧下
において接触させることにより、該炭素成形体に溶融金
属を含浸させることからなる炭素質金属複合材料板状成
形体の製造方法であって、(1)前記炭素成形体を不活
性雰囲気下において前記溶融金属の融点以上の温度に加
熱する工程、(2)加熱された前記炭素成形体に熔湯鍛
造により前記溶融金属をプレス装置を用いて押し子単位
面積当たり200kg/cm2 以上の圧力で加圧含浸さ
せる工程、(3)工程(2)の加圧含浸の終了後、前記
溶融金属を冷却し凝固させる工程(4)工程(3)にて
得られた凝固体から前記炭素成形体を取り出す工程およ
び(5)工程(4)にて得られた金属含浸炭素成形体を
板状に成形する工程を含むことを特徴とする炭素質金属
複合材料板状成形体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000149848A JP3351778B2 (ja) | 1999-06-11 | 2000-05-17 | 炭素基金属複合材料板状成形体および製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16549999 | 1999-06-11 | ||
JP11-165499 | 1999-06-11 | ||
JP2000149848A JP3351778B2 (ja) | 1999-06-11 | 2000-05-17 | 炭素基金属複合材料板状成形体および製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001058255A true JP2001058255A (ja) | 2001-03-06 |
JP3351778B2 JP3351778B2 (ja) | 2002-12-03 |
Family
ID=26490213
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000149848A Expired - Lifetime JP3351778B2 (ja) | 1999-06-11 | 2000-05-17 | 炭素基金属複合材料板状成形体および製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3351778B2 (ja) |
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1477467A1 (en) * | 2003-05-16 | 2004-11-17 | Hitachi Metals, Ltd. | Composite material having high thermal conductivity and low thermal expansion coefficient, and heat-dissipating substrate |
JP2005095944A (ja) * | 2003-09-25 | 2005-04-14 | Sentan Zairyo:Kk | 金属基板−炭素基金属複合材料構造体および該構造体の製造方法。 |
US6927421B2 (en) | 2001-10-26 | 2005-08-09 | Ngk Insulators, Ltd. | Heat sink material |
US6933531B1 (en) | 1999-12-24 | 2005-08-23 | Ngk Insulators, Ltd. | Heat sink material and method of manufacturing the heat sink material |
JP2005272945A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 低弾性率アモルファス炭素繊維強化アルミニウム複合材料の製造法 |
JP2005303114A (ja) * | 2004-04-14 | 2005-10-27 | Toyo Tanso Kk | 金属被覆炭素材料及び放熱基板 |
US7038313B2 (en) | 2003-05-06 | 2006-05-02 | Fuji Electric Device Technology Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
JP2009283764A (ja) * | 2008-05-23 | 2009-12-03 | Taiheiyo Cement Corp | 高放熱炭素材料およびそれを用いた電子部品 |
JP2009298987A (ja) * | 2008-06-17 | 2009-12-24 | Emaajii:Kk | ディスクブレーキ用のディスク素材と、その製造方法 |
JP2010098060A (ja) * | 2008-10-15 | 2010-04-30 | Mitsubishi Materials Corp | ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びヒートシンク付パワーモジュール |
JP2010098057A (ja) * | 2008-10-15 | 2010-04-30 | Mitsubishi Materials Corp | ヒートシンク付パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール及び緩衝層付パワーモジュール用基板 |
JP2010098058A (ja) * | 2008-10-15 | 2010-04-30 | Mitsubishi Materials Corp | ヒートシンク付パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール及びヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法 |
JP2010098059A (ja) * | 2008-10-15 | 2010-04-30 | Mitsubishi Materials Corp | ヒートシンク付パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール、緩衝層付パワーモジュール用基板及びヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法 |
WO2010092923A1 (ja) * | 2009-02-12 | 2010-08-19 | 電気化学工業株式会社 | アルミニウム-黒鉛複合体からなる基板、それを用いた放熱部品及びled発光部材 |
WO2010140541A1 (ja) * | 2009-06-02 | 2010-12-09 | 電気化学工業株式会社 | アルミニウム-黒鉛質複合体、それを用いた放熱部品及びled発光部材 |
US7851055B2 (en) * | 2005-03-29 | 2010-12-14 | Hitachi Metals, Ltd. | High-thermal-conductivity graphite-particles-dispersed-composite and its production method |
JP2011503872A (ja) * | 2007-11-08 | 2011-01-27 | モメンティブ パフォーマンス マテリアルズ インコーポレイテッド | 伝熱複合材、関連するデバイス及び方法 |
JP2012050987A (ja) * | 2009-03-10 | 2012-03-15 | Am Technology:Kk | 電気絶縁性を有する放熱基板 |
RU2447171C1 (ru) * | 2010-12-24 | 2012-04-10 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Волгоградский государственный технический университет (ВолгГТУ) | Матричный сплав меди для получения композиционных материалов пропиткой |
KR101153107B1 (ko) | 2005-03-23 | 2012-06-04 | 도탄카코 가부시키가이샤 | 금속기판-탄소기 금속복합재료 구조체와 상기 구조체의 제조 방법 |
TWI486486B (zh) * | 2009-01-22 | 2015-06-01 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 鋁-石墨複合物、使用它之散熱組件及led發光構件 |
JP2017155312A (ja) * | 2016-03-04 | 2017-09-07 | 株式会社 東北テクノアーチ | 炭素複合材料の製造方法および炭素複合材料 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5061018B2 (ja) * | 2008-04-09 | 2012-10-31 | 電気化学工業株式会社 | アルミニウム−黒鉛−炭化珪素質複合体及びその製造方法 |
JP5361273B2 (ja) * | 2008-07-30 | 2013-12-04 | 電気化学工業株式会社 | アルミニウム−黒鉛質複合体、それを用いた回路基板及びその製造方法 |
JP2010109081A (ja) * | 2008-10-29 | 2010-05-13 | Denki Kagaku Kogyo Kk | Led発光素子用金属基複合材料基板及びそれを用いたled発光素子 |
CN105081333B (zh) * | 2014-05-20 | 2017-08-08 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 石墨‑金属导热复合材料及其制备方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0415985A (ja) * | 1990-05-09 | 1992-01-21 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | ハイブリットic用ベース基板 |
JPH04147654A (ja) * | 1990-10-09 | 1992-05-21 | Mitsubishi Electric Corp | 電子部品塔載用基材 |
JPH1180858A (ja) * | 1997-09-03 | 1999-03-26 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 複合材料及びその製造方法 |
JP2000303155A (ja) * | 1999-04-20 | 2000-10-31 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 炭素繊維を分散したアルミニウム基複合材料 |
-
2000
- 2000-05-17 JP JP2000149848A patent/JP3351778B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0415985A (ja) * | 1990-05-09 | 1992-01-21 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | ハイブリットic用ベース基板 |
JPH04147654A (ja) * | 1990-10-09 | 1992-05-21 | Mitsubishi Electric Corp | 電子部品塔載用基材 |
JPH1180858A (ja) * | 1997-09-03 | 1999-03-26 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 複合材料及びその製造方法 |
JP2000303155A (ja) * | 1999-04-20 | 2000-10-31 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 炭素繊維を分散したアルミニウム基複合材料 |
Cited By (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6933531B1 (en) | 1999-12-24 | 2005-08-23 | Ngk Insulators, Ltd. | Heat sink material and method of manufacturing the heat sink material |
US6927421B2 (en) | 2001-10-26 | 2005-08-09 | Ngk Insulators, Ltd. | Heat sink material |
US7038313B2 (en) | 2003-05-06 | 2006-05-02 | Fuji Electric Device Technology Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
DE102004021075B4 (de) * | 2003-05-06 | 2011-05-05 | Fuji Electric Systems Co., Ltd. | Halbleiterbauelement mit anisotrop thermisch leitender Radiatorbasis und Verfahren zu seiner Herstellung |
EP2179976A1 (en) * | 2003-05-16 | 2010-04-28 | Hitachi Metals, Ltd. | Composite material having high thermal conductivity and low thermal expansion coefficient |
US7708050B2 (en) | 2003-05-16 | 2010-05-04 | Hitachi Metals, Ltd. | Composite material, having high thermal conductivity and low thermal expansion coefficient, and heat-dissipating substrate, and their production methods |
EP1477467A1 (en) * | 2003-05-16 | 2004-11-17 | Hitachi Metals, Ltd. | Composite material having high thermal conductivity and low thermal expansion coefficient, and heat-dissipating substrate |
US7282265B2 (en) | 2003-05-16 | 2007-10-16 | Hitachi Metals, Ltd. | Composite material having high thermal conductivity and low thermal expansion coefficient, and heat-dissipating substrate, and their production methods |
US7923103B2 (en) | 2003-05-16 | 2011-04-12 | Hitachi Metals, Ltd. | Composite material, having high thermal conductivity and low thermal expansion coefficient, and heat-dissipating substrate, and their production methods |
JP2005095944A (ja) * | 2003-09-25 | 2005-04-14 | Sentan Zairyo:Kk | 金属基板−炭素基金属複合材料構造体および該構造体の製造方法。 |
JP2005272945A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 低弾性率アモルファス炭素繊維強化アルミニウム複合材料の製造法 |
JP4524426B2 (ja) * | 2004-03-25 | 2010-08-18 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 低弾性率アモルファス炭素繊維強化アルミニウム複合材料の製造法 |
JP2005303114A (ja) * | 2004-04-14 | 2005-10-27 | Toyo Tanso Kk | 金属被覆炭素材料及び放熱基板 |
JP4490723B2 (ja) * | 2004-04-14 | 2010-06-30 | 東洋炭素株式会社 | 電子機器部品の放熱基板用の金属被覆炭素材料、及び、当該金属被覆炭素材料を用いた放熱基板 |
KR101153107B1 (ko) | 2005-03-23 | 2012-06-04 | 도탄카코 가부시키가이샤 | 금속기판-탄소기 금속복합재료 구조체와 상기 구조체의 제조 방법 |
US9390999B2 (en) | 2005-03-23 | 2016-07-12 | Noriaki Kawamura | Metal substrate/metal impregnated carbon composite material structure and method for manufacturing said structure |
US7851055B2 (en) * | 2005-03-29 | 2010-12-14 | Hitachi Metals, Ltd. | High-thermal-conductivity graphite-particles-dispersed-composite and its production method |
JP2011503872A (ja) * | 2007-11-08 | 2011-01-27 | モメンティブ パフォーマンス マテリアルズ インコーポレイテッド | 伝熱複合材、関連するデバイス及び方法 |
JP2009283764A (ja) * | 2008-05-23 | 2009-12-03 | Taiheiyo Cement Corp | 高放熱炭素材料およびそれを用いた電子部品 |
JP2009298987A (ja) * | 2008-06-17 | 2009-12-24 | Emaajii:Kk | ディスクブレーキ用のディスク素材と、その製造方法 |
JP2010098059A (ja) * | 2008-10-15 | 2010-04-30 | Mitsubishi Materials Corp | ヒートシンク付パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール、緩衝層付パワーモジュール用基板及びヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法 |
JP2010098058A (ja) * | 2008-10-15 | 2010-04-30 | Mitsubishi Materials Corp | ヒートシンク付パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール及びヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法 |
JP2010098057A (ja) * | 2008-10-15 | 2010-04-30 | Mitsubishi Materials Corp | ヒートシンク付パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール及び緩衝層付パワーモジュール用基板 |
JP2010098060A (ja) * | 2008-10-15 | 2010-04-30 | Mitsubishi Materials Corp | ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びヒートシンク付パワーモジュール |
TWI486486B (zh) * | 2009-01-22 | 2015-06-01 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 鋁-石墨複合物、使用它之散熱組件及led發光構件 |
EP2397455A4 (en) * | 2009-02-12 | 2016-01-06 | Denki Kagaku Kogyo Kk | SUBSTRATE WITH ALUMINUM / GRAPHITE COMPOSITE, HEAT DISTRIBUTION PART THEREFORE AND LED FLUORESCENT ELEMENT |
KR101696945B1 (ko) * | 2009-02-12 | 2017-01-16 | 덴카 주식회사 | 알루미늄-흑연 복합체로 이루어진 기판, 그것을 이용한 방열 부품 및 led 발광 부재 |
KR20110117694A (ko) * | 2009-02-12 | 2011-10-27 | 덴끼 가가꾸 고교 가부시키가이샤 | 알루미늄-흑연 복합체로 이루어진 기판, 그것을 이용한 방열 부품 및 led 발광 부재 |
JPWO2010092923A1 (ja) * | 2009-02-12 | 2012-08-16 | 電気化学工業株式会社 | アルミニウム−黒鉛複合体からなる基板、それを用いた放熱部品及びled発光部材 |
CN102317236B (zh) * | 2009-02-12 | 2014-04-09 | 电气化学工业株式会社 | 由铝-石墨复合体形成的基板、使用了该基板的散热部件及led发光构件 |
US8883564B2 (en) | 2009-02-12 | 2014-11-11 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Substrate comprising aluminum/graphite composite, heat dissipation part comprising same, and LED luminescent member |
TWI464114B (zh) * | 2009-02-12 | 2014-12-11 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 由鋁-石墨複合物所構成之基板之製法、使用基板之散熱組件及led發光構件 |
WO2010092923A1 (ja) * | 2009-02-12 | 2010-08-19 | 電気化学工業株式会社 | アルミニウム-黒鉛複合体からなる基板、それを用いた放熱部品及びled発光部材 |
JP5679557B2 (ja) * | 2009-02-12 | 2015-03-04 | 電気化学工業株式会社 | アルミニウム−黒鉛複合体からなる基板、それを用いた放熱部品及びled発光部材 |
JP2012050987A (ja) * | 2009-03-10 | 2012-03-15 | Am Technology:Kk | 電気絶縁性を有する放熱基板 |
JPWO2010140541A1 (ja) * | 2009-06-02 | 2012-11-15 | 電気化学工業株式会社 | アルミニウム−黒鉛質複合体、それを用いた放熱部品及びled発光部材 |
TWI491583B (zh) * | 2009-06-02 | 2015-07-11 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 鋁-石墨質複合物及其製造方法、使用其之散熱零件及led發光構件 |
WO2010140541A1 (ja) * | 2009-06-02 | 2010-12-09 | 電気化学工業株式会社 | アルミニウム-黒鉛質複合体、それを用いた放熱部品及びled発光部材 |
JP5646473B2 (ja) * | 2009-06-02 | 2014-12-24 | 電気化学工業株式会社 | アルミニウム−黒鉛質複合体、それを用いた放熱部品及びled発光部材 |
RU2447171C1 (ru) * | 2010-12-24 | 2012-04-10 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Волгоградский государственный технический университет (ВолгГТУ) | Матричный сплав меди для получения композиционных материалов пропиткой |
JP2017155312A (ja) * | 2016-03-04 | 2017-09-07 | 株式会社 東北テクノアーチ | 炭素複合材料の製造方法および炭素複合材料 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3351778B2 (ja) | 2002-12-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3351778B2 (ja) | 炭素基金属複合材料板状成形体および製造方法 | |
US6649265B1 (en) | Carbon-based metal composite material, method for preparation thereof and use thereof | |
JP4348565B2 (ja) | 高熱伝導・低熱膨張複合材及び放熱基板 | |
JP3974646B2 (ja) | 微細炭素繊維・金属複合材料及びその製造方法 | |
JP4344934B2 (ja) | 高熱伝導・低熱膨張複合材及び放熱基板並びにこれらの製造方法 | |
JP4360061B2 (ja) | 半導体装置用部材およびそれを用いた半導体装置 | |
JP3673436B2 (ja) | 炭素基金属複合材料およびその製造方法 | |
TWI796503B (zh) | 金屬-碳化矽質複合體、及金屬-碳化矽質複合體之製造方法 | |
JP2007123516A (ja) | ヒートスプレッダ、その製造方法及びそれを用いた半導体装置 | |
JP2020012194A (ja) | 金属−炭化珪素質複合体及びその製造方法 | |
TWI565795B (zh) | 沿厚度方向具有優越導熱性的散熱片的製造方法及所製造的散熱片 | |
JP2004104074A (ja) | 半導体装置用部材 | |
KR100710398B1 (ko) | 탄소 기반금속 복합재료 판상 성형체 및 제조방법 | |
JP5361273B2 (ja) | アルミニウム−黒鉛質複合体、それを用いた回路基板及びその製造方法 | |
JP2010042945A (ja) | アルミニウム−炭化珪素質複合体及びその製造方法 | |
JP2016180185A (ja) | アルミニウム合金−セラミックス複合体、この複合体の製造方法、及びこの複合体からなる応力緩衝材 | |
JP2010099686A (ja) | アルミニウム−炭化珪素質複合体及びその製造方法 | |
JP6263324B2 (ja) | アルミニウム合金−セラミックス複合体の製造方法 | |
JP3871472B2 (ja) | はんだ付け用Ni部材、電気部品と放熱部品の製造方法 | |
JP2010024500A (ja) | アルミニウム−炭化珪素質複合体及びその製造方法 | |
JPH11157964A (ja) | 板状複合体とそれを用いた放熱部品 | |
JP2001217364A (ja) | Al−SiC複合体 | |
JPH1161292A (ja) | 銅−炭素繊維複合体及びその製造方法 | |
JPH11157963A (ja) | 板状複合体とそれを用いた放熱部品 | |
JP2003268482A (ja) | Al−SiC系複合体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3351778 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
S303 | Written request for registration of pledge or change of pledge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316303 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D03 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
S803 | Written request for registration of cancellation of provisional registration |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316803 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D02 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D04 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080920 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080920 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090920 Year of fee payment: 7 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090920 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120920 Year of fee payment: 10 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130920 Year of fee payment: 11 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |