KR100710398B1 - 탄소 기반금속 복합재료 판상 성형체 및 제조방법 - Google Patents

탄소 기반금속 복합재료 판상 성형체 및 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명에서는 열 전도율 150W/(mㆍK)이상 열 팽창률 4×10-6/℃∼12×10-6/℃ 이며 양방향의 탄성률이 50GPa 이하의 전자 기기용 기판으로서 적합한 탄소 기반금속 복합재료 판상 성형체를 제공한다.
본 발명은 흑연화된 탄소 입자를 포함하는 탄소 성형체 또는 탄소 섬유를 포함하는 탄소 성형체에 알루미늄, 구리, 은(銀) 및 상기 금속의 합금을 용탕단조(熔湯鍛造)에 의해 함침하여 제조되어 탄소 기반금속 복합재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄소 기반금속 복합재료 판상 성형체, 및 탄소 성형체를 용융 알루미늄, 용융 구리, 용융 은 또는 이것들의 용융 금속의 합금과 가압 하에 있어 접촉되는 것에 의해 상기 탄소 성형체에 용융 금속을 함침하는 것에 의해 탄소질 금속 복합재료 판상 성형체의 제조방법에 있어서,
(1) 상기 탄소 성형체를 불활성 분위기 하에 있어서 상기 용융 금속의 융점 이상의 온도로 가열하는 공정,
(2) 가열된 상기 탄소 성형체에 용탕단조에 의해 상기 용융 금속을 프레스(press) 장치를 사용하여 누름자 단위 면적당 200kg/cm2 이상의 압력으로 가압 함침하는 공정,
(3) 공정(2)의 가압 함침의 종료 후, 상기 용융 금속을 냉각하여 응고하는 공정,
(4) 공정(3)에서 얻어진 응고체로부터 상기 탄소 성형체를 집어내는 공정, 및
(5) 공정(4)에서 얻어진 금속 함침 탄소 성형체를 판상에 성형하는 공정
을 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소질 금속 복합재료 판상 성형체의 제조방법을 제공한다.
흑연화, 열 전도율, 열 팽창률, 탄성률, 탄소 입자, 탄소 성형체.

Description

탄소 기반금속 복합재료 판상 성형체 및 제조방법 {CARBON-BASED METAL COMPOSITE BOARD-SHAPED MATERIAL AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME}
도 1은 본 발명의 제조장치의 기본구조를 나타내는 개략도.
도 2는 본 발명의 제조장치의 다른 구조를 나타내는 개략도.
도 3은 본 발명의 제조장치의 다른 구조를 나타내는 개략도.
도 4는 탄소 기반금속 복합재료 기판을 사용하는 전자 기기의 기본 구성도.
본 발명은 탄소 기반금속 복합재료 판상 성형체 및 그 제조방법에 관한 것으로 구체적으로는 탄소 성형체와 알루미늄 또는 구리와의 복합재료로 이루어지는 고열 전도율, 저열 팽창률 및 저 탄성률의 전자 기기용 기판 및 그 제조방법에 관한 것이다.
전자 장치의 고 기능화, 대용량화에 따르는 열 발생의 증가로 열 제거에 유효한 고열 전도율에 열 팽창률이 작은 재료가 요구된다. 반도체 소자, 저항체, 트랜스(transformer), 콘덴서 또는 배선으로 이루어지는 전자 회로로부터 발생하는 열의 대부분은 회로기판 또는 회로기판의 지지체인 베이스(base)기판으로부터 냉각 장치에 전해져 최종적으로 대기 또는 냉각 액체로 방열된다. 열을 대량으로 발생하는 전자 회로에 있어서는 베이스 기판재료에 통상 열전도가 양호한 알루미늄, 구리 또는 그것들의 합금이 사용된다.
또한, 최근에 탄소섬유 또는 세라믹스와 금속을 복합하여 열 팽창률이 적게 조절된 전열재료가 제안되었다 (예를 들어, 일본국 특허 공개공보 11-97593호 참조).
그러나, 베이스 기판재료에 사용되는 알루미늄, 구리 또는 그들의 합금은 성질상 열 전도성은 양호하나 열 팽창률이 크다. 한편, 베이스 기판 상에서 적층되는 실리콘 반도체 소자 또는 세라믹스로 이루어지는 전자 회로는 열 팽창률이 작어 상호 열팽창 차로인한 구부짐이나 또는 벗겨지는 등의 문제점이 있다.
상기 문제점을 해결하는 재료로 열 팽창률이 적은 세라믹스인 탄화규소, 알루미늄, 질화 규소 또는 질화 알루미늄과 알루미늄, 동 금속의 복합재료로 이루어지는 기판이 고안되었으나, 이 복합 재료기판은 세라믹스를 포함하고 있어서 가공이 어려운 난점이 있다.
또한, 상기 문제점을 해결하는 재료로는 열 팽창률이 적은 금속 텅스텐, 몰리브덴과 구리로 이루어지는 복합 재료기판이 고안되었지만 이 복합 재료기판들은 중량이 무겁고 가공이 어렵다는 문제점이 있다. 더욱, 실리콘과 알루미늄 합금에 의한 기판또한 제안되었지만 아직 실용화되지 않는 등, 종래 제안된 재료는 열 전도율과 열 팽창률의 양자를 충족하나 가공성이 양호한 제품이 실현되지 못했다. 또한, 종래의 양쪽의 재료또한 탄성률이 높기 때문에 열 팽창률이 다른 재료를 접 합하는 경우 접합면에 큰 열응력이 부가되어 결과적으로 벗겨짐이 발생하는 결점이 있다.
따라서, 본 발명의 과제는 상기와 같은 전자 기기용 기판의 개발 상황에 비추어 경량으로 열 전도율이 높은 실리콘소자 또는 세라믹스로 이루어지는 전자 회로로써 열 팽창률에 합치되고 또한 양방향의 탄성률이 작고 기계 가공성이 좋은 전자 기기용 기판을 제공하는 것이다.
따라서, 본 발명자 등은 상기 목적을 달성하기 위해서 예의(銳意) 검토를 반복하여 석유 코크스(coke), 천연흑연 또는 피치계 탄소섬유 등의 열 전도율이 높은 필러(filler)와 콜타르 피치 등의 바인더 혼합물을 성형, 태워서 흑연화된 탄소 성형체의 빈 구멍에 용융된 알루미늄, 구리 및 그들 금속의 용융 합금을 용탕단조에 의해 고압으로 함침 하여 얻어지는 탄소 기반금속 복합재료로 이루어지는 판상 성형체가 상기 과제에 의해 해결할 수 있는 것을 보여주었으며 이들의 지견(知見)에 근거하여 본 발명의 완성에 도달한다.
즉, 본 발명의 제1은,
흑연화한 탄소입자 또는 탄소섬유를 포함하는 탄소성 형체에 알루미늄, 구리, 은 또는 상기 금속의 합금을 용탕단조에 의해 가압 함침시키는 것에 의해 얻어진 탄소 기반금속 복합재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄소 기반금속 복합재료 판상 성형체
에 관하는 것이다.
또한, 본 발명의 제2는,
탄소 성형체를 용융 알루미늄, 용융 구리, 용융 은 또는 이것들의 용융 금속의 합금과 가압 하에 있어 접촉하는 것에 의해 탄소 성형체에 용융 금속을 함침하여 이루어지는 탄소질 금속 복합재료 판상 성형체의 제조방법이고,
(1) 상기 탄소 성형체를 불활성 분위기 하에 있어 상기 용융 금속의 융점 이상의 온도로 가열하는 공정,
(2) 가열된 상기 탄소 성형체에 용탕단조에 의해 상기 용융 금속을 프레스 장치를 사용하여 누름자 단위 면적당 200kg/cm2 이상의 압력으로 가압 함침하는 공정,
(3) 공정(2)의 가압 함침의 종료후, 상기 용융 금속을 냉각하여 응고하는 공정,
(4) 공정(3)에서 얻어진 응고체로부터 상기 탄소 성형체를 집어내는 공정, 및
(5) 공정(4)에서 얻어진 금속 함침 탄소 성형체를 판상에 성형하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소질 금속 복합재료 판상 성형체의 제조방법에 관하는 것이다.
이하, 본 발명에 관하여 더욱 구체적으로 설명한다.
본 발명의 탄소 기반금속 복합재료 판상 성형체는 탄소질 매트릭스 및 탄소 질 매트릭스 중에 분산된 금속 성분 등으로 이루어지는 탄소 기반금속 복합재료를 판상에서 성형되는 것이다. 탄소질 금속 복합재료 판상에서의 성형방법은 특히, 한정되는 것이 아니라 가압 성형법 또는 닥터 블레이드(blade)법 등을 채용할 수가 있지만 탄소 기반금속 복합재료로부터 절단하여 꺼내는 방법이 바람직하다. 성형할 때에는 원하는 용도에 적합하도록 성형체의 두께를 임의로 결정하여도 양호하지만 전자 기기용 기판에서는 0.1mm∼50mm 특히, 0.3mm∼3㎜가 바람직하다.
본 발명의 탄소 기반금속 복합재료 판상 성형체의 상온에서의 밀도는 알루미늄 또는 알루미늄 합금을 함침하는 경우 2.0g/ml∼2.5g/ml이며 또한, 구리, 은, 동 합금 또는 은 합금을 함침하는 경우의 상온에서의 밀도가 2.3g/ml∼5.0g/ml 이다. 상기 탄소 기반금속 복합재료 판상 성형체의 열 전도율은 실온에 있어서 두께 방향에 150W/(mㆍK) 이상이며, 바람직하게는 200W/(mㆍK)이상이다. 또한, 열 팽창률은 4×10-6/℃∼12×10-6/℃이고, 바람직하게는 5×10-6∼8×10-6으로 제어하는 것이다.
또한, 본 발명의 탄소 기반금속 복합재료 판상 성형체에서는 상기의 열 전도율과 열 팽창률과 같이 특정한 탄성률을 갖추는 것으로 양방향의 탄성률이 50GPa 이하의 범위로하고 바람직하게는 3GPa∼15GPa에 제어하는 것이다. 이러한 제어되는 성장을 구비하여 실리콘 소자 또는 세라믹스로 이루어지는 전자 회로와 베이스 기판 접합이 벗겨짐이 없고 또한, 열 사이클 시험에 강하다.
전기의 특성을 갖는 탄소 기반금속 복합재료의 판상 성형체를 구성하는 탄소질 매트릭스로 사용되는 탄소 성형체는 비정질 탄소, 흑연계 탄소 또는 이들의 혼 합물 더욱이, 흑연계 결정을 포함하는 것이 바람직하다. 흑연계 결정은 X선 회절에 의해 측정되고 평균면 간격 d가 0.340nm이하 특히 0.338 nm이하의 것이 바람직하다. 탄소 재료로서는 (a) 일반 탄소재료, (b) 탄소가루, 천연 인조흑연 및 탄소섬유의 적어도 한종의 탄소재료를 포함하는 가압 성형체 등을 들 수 있다. 탄소 성형체로서는 열처리되어 흑연화된 탄소입자를 함유하는 것이 바람직하며 특히, 최대 입자 직경이 긴축으로 0.1mm∼3mm의 석유 코크스, 천연 흑연을 필러로 하는 것이 적합하다. 최대 입자 직경이 O.1mm에 도달되지 않으면 성형체의 열 전도율이 충분하게 높아지지 않으며 한편, 최대 입자계 3 mm을 넘으면 기판면의 면조도가 급격히 악화되어 기판으로서의 사용이 곤란하게되는 경우가 발생된다. 또한, 탄소 성형체 내의 필러로서의 흑연입자는 체적기준에 10% 이상, 피치계 탄소섬유는 체적기준에 10% 이상인 것이 바람직하다.
다음은, 본 발명의 탄소 기반금속 복합재료 판상 성형체의 제조방법에 관하여 설명한다. 본 발명의 탄소 기반금속 복합재료 판상 성형체의 제조방법에 사용되는 탄소 성형체는 상기 탄소재료를 2800℃이상 특히, 3000℃ 이상의 온도로 열처리한 것으로 흑연 결정이 함유되도록 처리한 것이 바람직하다.
또한, 탄소 성형체로서, 석유 코크스, 피치계의 탄소섬유를 필러로 되는 탄소섬유 탄소 복합재료를 2800℃이상 특히, 3000℃ 이상으로 수시간 이상 열처리한 성형체를 쓰는 것이 효과적이다.
본 발명에 의하면, 2800℃ 이상의 온도로 열처리하여 흑연화한 탄소 입자를 포함하는 탄소 성형체를 용융 금속과 가압 하에서 접촉되는 것에 의해 상기 탄소 성형체에서 용탕단조에 의해 상기 용융 금속을 가압 함침하여 얻어지는 복합재료를 판상에서 성형하는 탄소 기반금속 복합재료 판상 성형체의 제조방법이며 적어도 다음 공정 (1), (2), (3), (4) 및 (5)을 포함하는 탄소 기반금속 복합재료 판상 성형체의 제조방법이 제공된다.
즉,
(1) 상기 탄소 성형체를 불활성 분위기 하에 있어 상기 용융 금속의 융점 이상의 온도로 가열하는 공정,
(2) 상기 용융 금속을 공급하여 가열된 상기 탄소 성형체에서 용탕단조에 의해 상기 용융 금속을 프레스장치를 사용하여 누름자 단위 면적당 200Kg/cm2 이상의 압력으로 가압 함침하는 공정,
(3) 공정(2)의 가압 함침의 종료 후 상기 용융 금속을 냉각하여 응고하는 공정,
(4) 공정(3)으로써 얻어진 응고체로부터 상기 탄소성형체를 꺼내는 공정, 및
(5) 공정(4)으로써 얻어진 금속 함침 탄소 함침 성형체을 판상에 성형하는 공정을 들 수 있다.
탄소 성형체는 전기의 탄소질 매트릭스에 알맞은 탄소재료의 어느 쪽에도 쓸 수 있다. 구체적으로는, 바람직한 탄소 성형체 밀도는 1.4g/cm3∼2g/cm3이며 기공율이 50%이하, 바람직하게는 35%이하, 더욱 바람직하게는 5%∼25%의 것을 사용하는 것이다.
다음에 각 공정에 관하여 구체적으로 설명한다.
상기 공정(1)에 있어서 탄소 성형체는 금형 내에 설치되어 불활성 분위기 하에 있어서 예비 가열된다. 불활성 분위기로서는 아르곤 질소 가스등, 바람직한것은 아르곤 가스를 사용하는 것이다. 또한, 예비 가열은 금속성분의 융점 또는 융점 이상 특히, 100℃이상, 바람직하게는 100℃∼250℃로 유지하는 것이다. 이 공정(1)을 거치는 것으로 탄소와 금속과의 계면(界面)에서의 반응을 억제하면서 탄소재료의 기공에 금속을 충분하게 함침 할 수가 있도록 고안된 것이다.
다음에, 공정(2)에 있어서 금속성분의 융점보다 50℃∼250℃ 높은 온도로 금속성분을 용융하여 용융 금속을 금형에 공급하며 상기 예비 가열한 탄소 성형체와 접촉시켜 용융 금속에 프레스 장치를 사용하여 누름자에 의해 각 압축 면적당 200kg/cm2 이상의 압력을 가하여 용탕단조에 의해 용융 금속을 상기 탄소 성형체에 가압 함침한다. 공정(2)에 있어서 알루미늄의 경우에는 용융금속의 온도가 융점 150℃를 넘으면 조해성(潮解性)이 있는 탄화 알루미늄을 생성하기 쉽게 되어 실용적인 복합재료가 얻어지지 않는다. 또한, 압력이 200 kg/cm2에 도달되지 않으면 효율적으로 금속성분의 함침이 실행되지 않아 금속 충전율이 저하되는 우려가 있다.
본 발명의 탄소 기반금속 복합재료의 용탕단조에 의한 제조방법에 있어서 용융 금속을 금형에 넣고 금형 내에 놓여진 탄소 성형체와 접촉시켜 높은 압력을 가하여 응고할 때에 탄소 성형체에 용융 금속을 함침한다. 용탕단조에 쓰이는 장치는 내부에 공간을 갖는 주형과 누름자(펀치)로 이루어져 각 주형의 개구부 내벽면 에 각 압축이 밀접하여 내 외부 방향으로 이동이 자유롭고 가압에 의해 내부 방향으로 이동 가능하게 한 것이다. 용탕단조 방식으로서는 도2에 도시한 오픈-몰드(open-mold)방식 즉, 직접 가압방식 및 도3에 도시한 크로스-몰드(closed-mold)방식(간접 가압방식)을 들 수 있지만, 본 발명의 탄소 기반금속 복합재료 판상 성형체의 제조에는 오픈-몰드방식을 이용하는 것이 바람직하다. 본 발명의 탄소 기반금속 복합재료의 제조방법에 있어서의 금속 함침방법의 특징은 용융 금속을 단시간에 응고시키기 위해서 금속조직이 치밀하게 되는 동시에, 종래의 가스 가압방식에 의한 금속 함침방식으로서는 곤란한 대형 복합재료를 용이하게 제조할 수 있는 점에 있다.
상기 공정(2)의 종료 후, 공정(3)에 있어서 용융 금속을 냉각하여 응고된 응고 체를 얻는다.
다음에, 공정(4)에 있어서 공정(3)에서 얻어진 응고체를 금형으로부터 취득하고 금속부분을 절삭 용해 그 밖의 방법에서 제외된 탄소 성형체를 얻고, 공정(5)에 있어서 판상 성형체에서 성형 가공등의 공정을 통하여 탄소 기반금속 복합재료 판상 성형체를 얻을 수 있다. 구체적으로는 탄소 기반금속 복합재료는 가공성이 양호함으로 예를 들어, 밴드 소우(band sow) 또는 와이어 소우(wire sow)로 절단하는 것에 의해 판상 성형체를 제조할 수가 있다.
본 발명의 탄소 기반금속 복합재료의 제조방법에 사용되는 장치의 구체 예를 도1∼도3에 도시한다.
도1∼도3에 있어서, (1)는 금형, (2)은 압축하는 것이며, (3)는 프레스 기( 機)를 도시한다. 금형(1) 내에 탄소 성형체(4)를 넣어 아르곤 가스 속에서 상기공정(1)에 의한 예비 가열을 행하고 그 후, 소정 온도로 가열된 용융 금속을 공급하여 압축하는 것 (3)에 의해 금형 내부의 용융 금속을 가압하여 소정 시간 동조건으로써 유지한다. 소정 시간 경과 후 금형으로부터 금속 응고체를 금속의 덩어리로 취득하여 금속 부분을 절삭, 용해 그 밖의 방법으로 제거 금속 함침 탄소 기반금속 복합재료 판상 성형체를 얻을 수 있다.
(전자 기기용 기판상 성형체)
다음에, 본 발명의 탄소 기반금속 복합재료 판상 성형체의 용도로 전자 기기의 열 분산체로 유용한 기판상 성형체에 관해여 설명한다.
반도체 소자, 저항체, 트랜스, 콘덴서 또는 배선으로부터 구성되는 전자 회로의 회로 지지기판 및 회로 지지기판의 지지체인 베이스 기판을 둘러싸는 전자기기에 있어서는 전자 회로로부터 발생하는 열의 대부분은 회로 지지기판 및 베이스 기판에서 냉각장치에 전열되어 최종적으로 대기 또는 냉각 액체로 방열한다. 종래, 베이스 기판 재료로서 알루미늄, 구리 또는 그것들의 합금으로 이루어지는 금속이 사용되었지만 전자 회로와의 사이에 열팽창 차가 있고 역으로 벗겨지는 문제가 있다. 본 발명의 탄소 기반금속 복합재료는 열 전도율 150W/(mㆍK) 이상 이고 열 팽창률 4×10-6/℃∼12×10-6/℃를 갖는 것으로부터 열전도는 동등하게되어 상기 문제점이 해소된다. 또한, 판상 성형체의 양방향의 탄성율는 50GPa 이하의 범위에 있어 열 전도율이 다른 재료를 접합하는 경우 접합층에 부여되는 열응력을 완화 할 수가 있다. 이것에 의해 벗겨짐을 막고 또한 열 사이클에 강한 접합도 가능하다.
본 발명의 전자 기기용 판상 탄소 성형체는 밀도 2g/cm3이상의 것이 바람직하다. 구체적으로는 알루미늄 또는 알루미늄 합금 함침 기판상 탄소 성형체는 밀도 2.0g/cm3∼2.4g/cm3의 것과 혹은, 구리 또는 동 합금 함침 기판상 탄소 성형체 밀도가 2.3g/cm3∼5.0g/cm3의 것이 적합하다.
도4에 전자 회로의 열 분산체로 사용된 본 발명의 탄소 기반금속 복합재료로부터 이루어지는 기판상 탄소 성형체를 포함하는 전자 기기의 구체 예를 도시한다.
도 중, 본 발명의 탄소 기반금속 복합재료로부터 이루어지는 기판(6)이 접착층(9)을 통하여 세라믹 절연기판(7)에 접합된다. 접착층으로서는 합성 수지, 가용성 합금(soft solder), 금속 로우(solder)재 등이 사용된다. 세라믹 절연기판(7) 상에 회로, 회로소자 및 부품(8)이 설치된다. 회로, 회로소자 및 부품(8)으로부터는 대량의 열이 발산되어 기판(6)에 전열 되어 기판(6)의 하부에 접합된 냉각장치(도는 생략)로 방열한다.
이하, 실시예 및 비교 예에 의해, 본 발명을 구체적으로 설명한다. 더욱더, 본 발명은 실시예 등에 의해 한정되는 것은 아니다.
또, 실시예 및 비교 예에 의해 제작한 탄소 기반금속 복합재료의 품질ㆍ성능 평가에 관하여 다음의 측정방법을 사용한다.
1)밀도
주식회사 시마 즈(島津)제작소제 전자 분석 천평 AEL-200을 사용하여 아르키 메데스(archimedes)법에 의해 측정했다.
2)구부러지는 강도
주식회사 시마 즈 제작소제 정밀 만능시험기 AG-500를 사용하여 작성한 강도시험 편에 관해서 구부러지는 강도를 측정했다. 시험편 사이즈 4mm×4mm×8 mm, 스팬(span)간 거리 60mm, 크로스 헤드 강하속도 0.5mm/분의 조건으로 측정했다.
3) 열 전도율
열 전도율은 열 확산율과 비열 및 밀도의 적(積)으로 구했다. 열 확산율은 레이저 플래시 법에 의해 진공이공(주) 제 TC-7000을 사용하여 25℃로 측정했다. 또한, 조사 광으로서 루비 레이저광(여기, 전압 2.5 Kv, 균일 필터 및 감광 필터 1장)을 사용했다.
4)열 팽창률
맥스 사이언스(Max Science)사 제열 분석장치 001, TD - 5020를 사용하여 실온으로부터 300℃까지의 열 팽창률을 측정했다.
5) 탄성률
강도 시험의 응력
Figure 112000011811859-pat00001
왜(歪) 데이터로부터 계산하여 구했다.
실시예 1
인조 흑연재 A, B 및 C의 3종, 탄소섬유ㆍ탄소 복합재 1종의 합계 4종류의 탄소 성형체를 사용했다. 동성형체를 아르곤 가스 속에서 760℃로 예열하여 500℃에 예열한 금형에 설치했다. 810℃로 용융한 순 알루미늄을 금형 내에 넣었다. 용탕단조에 의해 누름자의 누름 면에 대한 압력 500Kg/cm2가 되도록 프레스기로 가압하여 그 상태로 30분 유지했다. 냉각 후 알루미늄의 덩어리를 꺼내어 절삭 가공하여 탄소 기반금속 복합재를 얻었다.
[표 1]
Figure 112000011811859-pat00002
또한, 상기 흑연재 A에서부터 시작된 옆 33mm, 세로 90㎜, 두께 3mm의 기판에 무전해 니켈 도금을 설비하고 알루미늄 기판을 고온 가용성 합금으로 접착하여 -55℃, 150℃로 온도 사이클 시험을 250회 실시했지만 이상은 없었다.
실시예 2
인조 흑연재(전극용) 2종의 탄소 성형체를 사용했다. 각각의 성형체를 아르곤 가스 속에서 960℃로 예열하여 600℃에 예열한 금형에 설치했다. 960℃의 용해한 칠삼황동을 금형 내에 넣었다. 누름자의 누름 면에 대해 1000Kg/cm2로 가압하여 그 상태로 30분 유지하고 칠삼황동을 함침 복합화 했다. 냉각 후 칠삼황동의 덩어리들을 꺼내어 절삭 가공하여 탄소 기반금속 복합재료 판상 성형체를 얻었다.
열 전도율, 열 팽창률 및 탄성률을 측정한 것이 표2에 나타난 것으로 요구 성장을 만족한 것이다.
[표 2]
Figure 112000011811859-pat00003
비교예 1
현재 전자 기기용 기판에 사용되고 있는 시판품의 예로서 알루미늄/탄화규소 복합재(Al/SiC)의 특성치(카탈로그(catalog) 치)를 표1에 도시한다. 이 중에서 탄성률이 본 발명의 탄소 기반금속 복합재료를 사용한 전자 기기용 기판과 다르다.
비교예 2
흑연화 처리하지 않고 있는 탄소 성형체를 용의하여 실시예1의 방법과 같은 방법으로 용융 알루미늄을 함침한 후 판상 성형체를 얻었다. 이 판상 성형체는 85℃, 상대습도 85%의 분위기 24시간으로 크랙(crack)이 들어가 실용에 견디어 내지 못함을 알았다. 이것은 탄소와 알루미늄이 반응할 때 가수 분해되기 쉬운 탄화 알루미늄이 생성했기 때문이라고 생각된다.
본 발명의 탄소 기반금속 복합재료 판상 성형체의 열 전도율은 함침 전의 탄소 성형체 보다 최대 100W/(mㆍK)상승한다. 또한, 열 팽창률은 탄소 성형체의 종류 또는 금속 종을 바꾸는 것에 의해 4×10-6/℃∼12×1O-6/℃의 범위에 있어서 임의의 수치의 것을 제조할 수가 있다. 이 열 팽창률은 같은 기판에 탑재되는 실리콘의 열 팽창률 3×10-6/℃∼4×10-6/℃, 질화 알루미늄의 4.5×10-5/℃, 또는 알루미늄의 7×10-6/℃∼8×10-6/℃에 가까운 것이다. 또한, 기판의 탄성률이 작기 때문에 접합층 및 같은 경계면에 미치는 열응력을 작게 할 수가 있다. 따라서, 본 발명의 기판을 사용하는 것이 기판과 탑재되는 전자 기기의 열 팽창 차로부터 생기는 열 응력이 작게 되어 벗겨지는 등의 불량 발생을 억제가 가능하다.
또한, 탄소 기반금속 복합재료 판상 성형체가 전기의 구성을 갖고 있으므로 취성적(脆性的)인 탄소재의 성질을 개선할 수 있고 강도가 뛰어난 전자 기기용 기판이 된다. 특히, 기계적인 가공에 있어서 재료의 갈라짐, 이지러짐이 발생되지 않고 가공이 용이하며 또한, 가공 정밀도가 높은 것을 얻을 수 있다.

Claims (9)

  1. 흑연화(黑鉛化)된 탄소 입자 또는 탄소 섬유를 포함하는 탄소 성형체(成形體)로서 평균 면 간격 d가 0.340nm 이하인 흑연계 결정을 함유하는 탄소 성형체에 알루미늄 또는 알루미늄 합금을 용탕단조(熔湯鍛造)에 의해 가압 함침(含浸)시킴으로써 제조된 탄소 기반 금속 복합재료로 이루어지고, 상기 탄소 기반 금속 복합재료 판상 성형체의 상온에서의 밀도가 2.0 g/㎖∼2.5 g/㎖이고, 두께 방향의 열 전도율이 실온에서 150 W/(mㆍK) 이상이고, 열 팽창률이 4×10-6/℃∼12×10-6/℃이며, 면(面) 방향의 탄성률이 3 GPa ~ 50 ㎬인 것을 특징으로 하는 탄소 기반 금속 복합재료 판상 성형체.
  2. 흑연화(黑鉛化)된 탄소 입자 또는 탄소 섬유를 포함하는 탄소 성형체(成形體)로서 평균 면 간격 d가 0.340nm 이하인 흑연계 결정을 함유하는 탄소 성형체에 구리, 은, 구리 합금, 또는 은 합금을 용탕단조(熔湯鍛造)에 의해 가압 함침(含浸)시킴으로써 제조된 탄소 기반 금속 복합재료로 이루어지고, 상기 탄소 기반 금속 복합재료 판상 성형체의 상온에서의 밀도가 2.3 g/㎖∼5.0 g/㎖이고, 두께 방향의 열 전도율이 실온에서 150 W/(mㆍK) 이상이고, 열 팽창률이 4×10-6/℃∼12×10-6/℃이며, 면(面) 방향의 탄성률이 3 GPa ~ 50 ㎬인 것을 특징으로 하는 탄소 기반 금속 복합재료 판상 성형체.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 탄소 기반 금속 복합재료 판상 성형체의 두께가 O.1 ㎜∼50 ㎜인 것을 특징으로 하는 탄소 기반 금속 복합재료 판상 성형체.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 탄소 성형체가
    장직경(長徑)이 O.1 ㎜∼3 ㎜인 흑연 입자를 부피 분률로 10%이상 함유하거나, 또는 섬유 길이가 0.1 ㎜∼5 ㎜인 피치(pitch) 계열 탄소섬유를 부피 분률로 10% 이상 함유하거나, 또는 장직경이 O.1 ㎜∼3 ㎜인 흑연 입자와 섬유 길이가 0.1 ㎜∼5 ㎜인 피치 계열 탄소섬유를 상기 각각의 부피 분률 합계로 10% 이상 함유하는 판상 성형체인
    것을 특징으로 하는 탄소 기반 금속 복합재료 판상 성형체.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 탄소 기반 금속 복합재료 판상 성형체가 전자 기기용 기판인 것을 특징으로 하는 탄소 기반 금속 복합재료 판상 성형체.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 탄소 성형체 밀도는 1.4g/cm3∼2g/cm3이며 기공율이 5% ~ 50%인 것을 특징으로 하는 탄소 기반 금속 복합재료 판상 성형체.
  7. 표면이 도금, 또는 용융 금속 또는 금속박(金屬箔)의 금속으로 피복되거나, 또는 단면이 금속 테두리로 피복된 제1항 또는 제2항 기재의 탄소 기반 금속 복합재료 판상 성형체에, 세라믹 회로, 전자소자 또는 부품이 접착층을 통하여 접속된 것을 특징으로 하는 전자 기기용 부품.
  8. 흑연화된 탄소 입자 또는 탄소 섬유를 함유하는 탄소 성형체로서 평균 면 간격 d가 0.340nm 이하인 흑연계 결정을 함유하는 탄소 성형체를 용융 알루미늄, 용융 구리, 용융 은 또는 이들 용융 금속의 합금과 가압 하에서 접촉시켜, 상기 탄소 성형체에 용융 금속을 함침시키는 단계를 포함하는 탄소질 금속 복합재료 판상 성형체의 제조방법에 있어서,
    (1) 상기 탄소 성형체를 불활성 분위기 하에서 상기 용융 금속의 융점 이상100℃ ~ 250℃의 온도로 가열하는 공정,
    (2) 용탕단조(熔湯鍛造)에 의해 프레스 장치를 사용하여, 가열된 상기 탄소 성형체에 상기 용융 금속을 압자 단위 면적당 200 ㎏/㎠ 이상의 압력으로 가압 함침시키는 공정,
    (3) 상기 공정(2)의 가압 함침을 종료한 다음, 상기 용융 금속을 냉각하여 응고시키는 공정,
    (4) 상기 공정(3)에서 얻어진 응고체로부터 상기 탄소 성형체를 인출하는 공정, 및
    (5) 상기 공정(4)에 의해 얻어진 금속 함침 탄소 성형체를 판상으로 성형하는 공정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소질 금속 복합재료 판상 성형체의 제조방법.
  9. 삭제
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101498130B1 (ko) * 2013-07-19 2015-03-04 엠케이전자 주식회사 두께 방향으로 우수한 열전도 특성을 갖는 기판을 구비한 발광소자의 제조방법
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4203283B2 (ja) * 2001-09-19 2008-12-24 日本碍子株式会社 複合材料
KR101221060B1 (ko) * 2010-12-30 2013-01-10 어드밴스드 머티리얼 테크놀로지스 코., 엘티디 탄소성형체 또는 탄소소성체와 알루미늄의 계면에 탄화규소가 형성된 탄소기반 알루미늄 복합재료 및 그 제조방법
KR101444354B1 (ko) * 2013-01-21 2014-09-24 주식회사 티앤머티리얼스 가압함침용 금형

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03295879A (ja) * 1990-04-10 1991-12-26 Tokai Carbon Co Ltd カーボン材の金属含浸方法
JPH09175877A (ja) * 1995-10-27 1997-07-08 Toyo Tanso Kk 銅含浸黒鉛材

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03295879A (ja) * 1990-04-10 1991-12-26 Tokai Carbon Co Ltd カーボン材の金属含浸方法
JPH09175877A (ja) * 1995-10-27 1997-07-08 Toyo Tanso Kk 銅含浸黒鉛材

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
03295879 *
09175877 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101498130B1 (ko) * 2013-07-19 2015-03-04 엠케이전자 주식회사 두께 방향으로 우수한 열전도 특성을 갖는 기판을 구비한 발광소자의 제조방법
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