JPS60122774A - 炭化けい素質焼結体の接合方法 - Google Patents

炭化けい素質焼結体の接合方法

Info

Publication number
JPS60122774A
JPS60122774A JP22832683A JP22832683A JPS60122774A JP S60122774 A JPS60122774 A JP S60122774A JP 22832683 A JP22832683 A JP 22832683A JP 22832683 A JP22832683 A JP 22832683A JP S60122774 A JPS60122774 A JP S60122774A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
silicon carbide
silicon
powder
sintered body
carbon
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP22832683A
Other languages
English (en)
Inventor
幹雄 酒井
仲 克
敬造 尾谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nissan Motor Co Ltd
Original Assignee
Nissan Motor Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nissan Motor Co Ltd filed Critical Nissan Motor Co Ltd
Priority to JP22832683A priority Critical patent/JPS60122774A/ja
Publication of JPS60122774A publication Critical patent/JPS60122774A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Ceramic Products (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (IL業上の利用分野) この発明は、炭化けい素質焼結体同士を接合するのに適
用される炭化けい素質焼結体の接合方法に関するもので
ある。
(従来技術) 炭化けい素質焼結体は、近年脚光をあびているファイン
セラミックスの代表的なものの一つであり、各分野への
適用が試みられ、一部実用化されている。この場合、所
定の形状に一体物として製作できれば問題ないが、形状
によっては必ずしも一体物として製作できないことがあ
り、この場合には分割して製作したものを接合して所定
の形状にする手段をとることが考えられる。
ところで、従来の炭化けい素質焼結体同士の接合方法と
しては、例えば第1図に示すような装置を用いて行うこ
とがあった。すなわち、第1図に示す装置において、1
は密閉可能な容器、2は黒鉛るつぼ、3は支持部材4を
介して黒鉛るつぼ2上に設置された支持台、5は支持部
材6および7を用いて前記支持台3−ヒに設置した半割
炭化けい素質焼結体、8は前記半割炭化けい素質焼結体
5の上に反対向きで載せた他方の半割炭化けい素質焼結
体、2は黒鉛るつぼ2内に入れた溶融けい素、10は溶
融けい素2を前記半割炭化けい素質焼結体5,8の接合
部に供給する#jll維状溶融状溶融供給体、11は容
器1内に設置したヒータである。
このような構成の装置を用いて炭化けい素質焼結体5.
8同士の接合を行うに際しては、あらかじめ半割炭化け
い素質焼結体5,8の一方あるいは両方の接合部表面に
炭化けい素粉末とカーボンの混合粉末を塗布しておき、
一方の半割炭化けい素質焼結体5の上に別の半割炭化け
い素質焼結体8を載せた状態にして接合部を密着させ、
容器1内を真空あるいは不活性雰囲気としてヒータ11
の加熱により溶融した状態にある溶融けい素2を繊維状
溶融けい素供給体10により前記接合部に供給し、前記
接合部に介在させた炭素と前記供給したけい素とを反応
・焼結させ、両度化けい素質焼結体同士を強固に接合す
る方法である。
この方法では、反応に必要とするけい素を外部から供給
しているが、外部からではなく、炭化けい素粉末と炭素
粉末のなかにけい素を粉末として混合し、真空または不
活性雰囲気中でけい素粉末を溶融させて供給する方法も
ある(例えば、学振124−7−26−81 ;高温セ
ラミック材ネ′l第124委員会提出資料)。
しかしながら、このような従来の炭化けい素質焼結体同
士の接合方法にあっては、グラファイトなどの繊維状溶
融けい素供給体を経路として溶融けい素を炭化けい素質
焼結体同士の接合界面に供給して炭素と反応させたり、
あるいはけい素を粉末として接合部に介在させた状1ル
にして加熱することにより溶融けい素と炭素とを反応さ
せたりする方法であったため、接合しようとする炭化け
い素質焼結体同士の接合界面が奥深い位置にあるような
場合には、繊維状の溶融けい素供給体では溶融けい素の
供給が困難なことがあり、また、接合面が広い場合には
このような広い接合面に均一に溶融けい素を供給するの
が困難なことがあり、均一でかつ強固な接合面を得るこ
とがむつかしいという問題を有し、けい素を粉末として
供給する場合には接合面の全体にけい素を均一に介在さ
せるのが困難であったり、強度のばらつきを生じたりす
ることがあるという問題があった。
(発明の目的) この発明は、上記のような従来の問題点に着目してなさ
れたもので、接合しようとする炭化けい素質焼結体の接
合面の形状や広さなどにほとんど影響されることなく、
また著しく簡単な工程によって、炭化けい素質焼結体同
士の接合をばらつきのない高い強度で行うことができる
接合方法を提供することを目的としている。
(発明の構成) この発明は、炭化けい素質焼結体同士を接合させるに際
し、少なくとも一方の炭化けい素質焼結体に、その少な
くとも接合部にけい素を含有するものを用い、両焼結体
の接合部に、炭化けい素粉末と、炭素粉末または炭素源
物質とを介在させた状態で加熱して前記けい素を前記接
合部に供給し、前記炭素と反応させて両焼結体を接合す
ることを特徴としている・ この発明において、前記炭化けい素質焼結体は必ずしも
炭化けい素のみからなるものに限定されず、他のセラミ
ックスや金属等を適量添加したり、繊維を複合させたり
したものを用いることができる。そして、接合しようと
する両方の炭化けい素質焼結体は必ずしも同一のもので
なくとも良い。この炭化けい素質焼結体は、例えば、炭
化けい素粉末と炭素粉末または炭素源物質(例えば加熱
により炭化する物質)との混合物よりなる粉末成形体に
、焼結の際に溶融けい素を含浸させて前記炭素とけい素
とを反応させるいわゆる反応焼結法によって製造した反
応焼結炭化けい素質焼結体や、炭化けい素粉末をバイン
ダと混合した混合粉末を成形したのち焼結する常圧焼結
炭化けい素質焼結体あるいは加圧焼結炭化けい素質焼結
体などであってもよい。
そして、炭化けい素質焼結体同士を接合させるに際し、
少なくとも一方の炭化けい素質焼結体に、その少なくと
も接合部にけい素を含イ1するものを用いる。このよう
なけい素を含有する炭化けい素質焼結体を製造するに際
しては、炭化けい素粉末と、炭素粉末または炭素源物?
J1(例えばフェノール樹脂)とを混合したのち圧粉成
形し、次いで焼結時に過剰の溶融けい素を圧粉体中に含
浸させて、前記炭素と溶融けい素とを反応させて焼結さ
せると共に、けい素を残留させた状態としておく。
この場合、けい素の含有量は、接合する部分において8
〜20重量%とすることがより望ましい。すなわち、け
い素の含有量が少なすぎると、接合の際の加熱時に接合
部に供給される溶融けい素の量が少なくなり、炭素との
反応量が少なくなって十分な接合強度が得られなくなる
ためである。また、反対にけい素の含有量が多すぎると
、接合後においても接合部にけい素が残留して、接合部
の強度が低下するためである。
このようにしてず!Iたけい素含右の炭化けい′−+:
、質焼結体を少なくとも一方の焼結体として用い、二つ
(ただし、便宜的に二つとするが、一方の焼結体に2以
上の焼結体を接合する場合など、全体としては接合部が
1個所に限らず、接合部が複数個所にわたる場合もこの
発明に含まれることは当然である)の焼結体の接合部に
、炭化けい素粉束と、炭素粉末または炭素源物質とを介
在させる。
この場合、炭素源物質は、接合時の加熱によって炭素を
生成する物質、例えばフェノール樹脂などが用いられる
。そして、炭化けい素粉束と、炭素粉末または炭素源物
質との割合は、炭化けい素粉束が30〜80重量%、炭
素粉末または炭素源物質(この場合は生成される炭素量
に換算した量)あるいは炭素粉末と炭素源物質との混合
物の合計が20〜70重量%の範囲となるようにするこ
とがより望ましい。この理由は、炭素量が多すぎると、
接合後において接合部に炭素が残留して接合部の強度を
低下させたり、接合部で剥離を生じやすくなったりする
ためであり、炭素量が少なすぎると溶融けい素との反応
;11が少なくなって炭化けい素粉束に対する反応焼結
による接合が弱くなり、接合部の強度が低下したり、接
合層が生成されなかったりするためである。
このように、両焼結体の接合部に、炭化けい素粉束と、
炭素粉末または炭素源物質とを介在させた状態としたの
ち、少なくとも接合部を加熱することにより前記焼結体
中のけい素を溶融し、溶融状態となったけい素を前記接
合部に供給することにより前記接合部の炭素(炭素源物
質は上記加熱によって炭化されて炭素となっている)と
前記けい素とが反応して、炭化けい素粒子の表面に新た
に炭化けい素の結晶として析出し、これが成長してこれ
らの結晶粒同士が結合することにより接合界面での接合
が進行し、両焼結体の接合がなされる。このようにして
接合された後の接合部分では、前記けい′*酸が適切で
あれば、接合後にけい素が多く残留することはなく、高
い接合強度が得られる。
(実施例1) 炭化けい素粉束(GC#2000;不二見研磨材工業■
製)80g重量部、炭素粉末(ヒタゾルGP−Zoo;
日立粉末冶金■製)20g重量部、フェノール樹脂(P
R−50404(炭素収率27%);住友ベークライト
婦製)15g重量部をそれぞれ秤量し、エタノールを用
いて6時間ボールミル混合した後、得られたスラリーを
乾燥・解砕し、篩を用いて105〜210ILmの団粒
に形成した。
次に、得られた団粒をゴム型内に入れ、第2図に示すよ
うに、団粒15をゴム型16内に入れた状態で金型17
に取り付け、止め具18により固定して冷間静水圧装置
にセットし、圧力1.5ton f /c+w2で圧粉
成形した。次いで、圧粉成形体に対して粗加工を施した
後、第3図に示す密閉容器21内に設置した。第3図に
おいて、22は黒鉛製るつぼ、23は支持部材24を介
してるつぼ22内に設けた多孔板、24は一端が閉塞し
た管状体を半分に割った形状を有する圧粉成形体、25
はヒータ、26は溶融けい素である。そして、密閉容器
21内を減圧し、真空(約10−2mmHg)中におい
て1550°Cで1時間保持し、溶融けい素26を圧粉
成形体24中に含浸させると共に前記炭素と反応させて
炭化けい素の反応焼結体を得た。ここで得られた炭化け
い素質焼結体を研磨および電解エツチングして、その組
織を500倍に拡大して調べたところ、第5図に示す組
織が得られた。そして、この炭化けい素質焼結体中には
8.5重量%のけい素が含有されていた。なお、第5図
において白く見える部分が反応しないで焼結体中に残留
したけい素である。
次に、このようにして得られた半割形状の炭化けい素質
焼結体の接合すべき面を#400のダイヤモンド砥石で
研磨加工し、その研磨面に炭化けい素粉束(GC#20
00)80g重鷲部、炭素粉末(ヒタゾルGP−100
)log重量部。
フェノール樹脂(PR−50404,炭素収率27%)
60g重量部からなる粉末ペーストを塗布し、炭化けい
素質焼結体同士を密着させた状態で第4図に示す密閉容
器31内にセットした。第4図において、32は黒鉛製
るつぼ、33は支持部材、34はヒータ、35.36は
半割形状の反応焼結体である。
次に、容器31内を減圧したのち前記炭化けい素質焼結
体35.36を真空中(10−1〜10−2m+sHg
)で加熱してフェノール樹脂を炭化させ、続いて同じく
真空中(10−2mmHg)において1550℃で2時
間保持することにより、炭化けい素質焼結体中に含まれ
ているけい素を溶融状態にして接合すべき界面に浸透さ
せた。この浸透によって、接合界面に存在する炭素は前
記溶融けい素と反応し、炭化けい素粒子の表面に新たに
炭化けい素の結晶を析出させ、これらの結晶が成長し、
成長した結晶粒同士が結合することにより界面での接合
が進行する。このようにして接合処理した界面の組織を
電解エツチングなしで調べたところ、第6図に示すよう
に、接合界面の両側100〜200Ii、の範囲は残留
けい素が少ないことが確認できた。
次に、このように形成した焼結体の接合部分の強度を4
点曲げ法により測定した結果、第1表に示すとおりであ
った。
第1表 接合部の強度(kgf / m+a2)第1表
に示すように、接合部における強度は母材である反応焼
結炭化けい素の強度と大きな差は認められなかった。
(実施例2) 実施例1の場合と同じようにして半割形状で且つ残留け
い素を含有する炭化けい素質焼結体を製作したのち、こ
の炭化けい素質焼結体の接合すべき面に、炭化けい素粉
束(GC#2000)25〜85g重量部、炭素粉末(
ヒタゾルGP−100)10g重量部、フェノール樹脂
(PR−50404)241−18.5g重量部の範囲
で第2表に示す組合わせで秤量して各々粉末ペーストを
製作したのち、各粉末ペーストを炭化けい素質焼結体の
接合面に塗布し、実施例1と同様に第4図に示す密閉容
器31内で接合処理を行った。
次いで、各焼結体の接合状態を調べると共に、4点曲げ
法により接合部の強度を測定したところ。
同じく第2表に示す結果となった。
第2表に示すように、炭素存在量に対して炭化けい素粉
束部が少なすぎるNo、 lの場合には接合部が剥離し
てしまい、反対に炭化けい素粉束量が多すぎるN098
の場合には接合層が生成されず、したがって、炭化けい
素置は30〜80重量%、炭素量は20〜70重量%の
範囲とするのがより望ましいことがわかった。
(実施例3) 炭化けい素粉末(ccasoo;不二見研磨材工業輛製
)85g重量部、炭素粉末(ヒタゾルGP−100;日
立粉末冶金■製)15g重量部、フェノール樹脂(PR
−50404;住友ベークライHJI製)15g重量部
をそれぞれ打早し、エタノールを用いて6時間ボールミ
ル混合した後、得られたスラリーを乾燥串解砕し、篩を
用いて105〜210 #Lmの団粒に形成した。
次に、得られた団粒をゴム型内に入れ、第2図に示すよ
うに団粒15をゴム型16内に入れた状態で金型17に
取り付け、止め具18により固定して冷間静水圧装置に
セットし、圧力500kgf 7cm”で圧粉成形した
0次いで、圧粉成形体に対して粗加工を施した後、第3
図に示す密閉容器21内に設置した。続いて、密閉容器
21内を減圧し、真空(約lO−210−211I中に
おいて1550℃で1時間保持し、溶融けい素26を圧
粉成形体24中に含浸させると共に前記炭素と反応させ
て炭化けい素の反応焼結体を得た。ここで得られた炭化
けい素質焼結体中のMLllけい素の含有率は14.6
重量%であった。
これとは別に、炭化けい素粉末(ベータランダム・ウル
トラファイン;イビデン銖製)100g重量部に、無定
形はう素(アモルファス;■セラック製)0.7部屯ら
1部、フェノール樹脂(PR−50404;住友ベーク
ライト■製)2.5g重量部を混合し、アセトンを用い
て25時間ボールミル混合した後、得られたスラリーを
乾燥・解砕し、篩を用いて105〜210 p、mの団
粒を形成した0次に、得られた団粒をゴム型内に入れ、
前記と同様にして冷間静水圧装置を用いて圧力1 、5
 ton f 7cm2で圧粉成形し、粗加工を施した
後、アルゴン雰囲気中にて2100℃で30分間保持し
て炭化けい素の常圧焼結体を得た。この焼結体はMII
lけい素の含有率が0である。
このようにして得られた炭化けい素の反応焼結体および
常圧焼結体の各々接合すべき面を#400のダイヤモン
ド砥石で研磨加工し、次いで前記接合面に炭化けい素粉
末(GC#8000)50g重量部、炭素粉末(ヒタゾ
ルGP−100)5g重量部、フェノール樹脂(PR−
50404)70g重量部からなる粉末ペース)9塗4
1し、炭化けい素質焼結体同士を密着させた。
続いて、密着した炭化けい素質焼結体を真空(10−1
−10−2履mHg)中で加熱してフェノール樹脂を炭
化させた後、真空(io−2m腸Hg)中1550℃に
て2時間保持し1反応焼結体中に含まれている遊離けい
素を接合すべき界面に浸透させ、界面に存在する炭素と
反応させて、炭化けい素を生成させることにより両焼結
体を接合し次に、このようにして得られた炭化けい素質
焼結体の接合部の強度を4点曲げ法によりA11l定し
た結果、母材強度(反応焼結体、 32 、9kgf 
/層重2.常圧焼結体51kgf/關2)に対し、接合
部の強度は25 、 Okgf /ara2であった。
(発り1の効果) 以上説明してきたように、この発明では、炭化けい素質
焼結体同士を接合させるに際し、少なくとも一方の炭化
けい素質焼結体に、その少なくとも接合部にけい素を含
イ丁するものを用い1両焼結体の接合部に、炭化けい素
粉末と、炭素粉末または炭素源物質とを介在させた状態
で加熱して前記けい素を前記接合部に供給し、前記炭素
と反応させて両焼結体を接合するようにしたから、従来
のように炭化けい素質焼結体同士の接合部に繊l!L物
質等を用いて外部から溶融けい素を含浸させたり、ある
いは接合面にけい素粉末を介在させたりする必要がなく
、たとえ複雑な形状の接合面であっても容易に接合する
ことが+il能であるだけでなく、広い接合面であって
も均一に接合反応をうことができるため、強度にすぐれ
ると共に強のばらつきも小さい接合部を得ることが可能
でり、複雑形状品を適宜形状に分割して形成したち接合
して所定形状の炭化けい素質焼結体製品得ることができ
るようになり、すぐれた特性を・する炭化けい素質焼結
体の用途の拡大に寄与すことができるという著大なる効
果を有して・る。
【図面の簡単な説明】 第1図は従来の炭化けい素質焼結体の接合力1を示す断
面説ri1図、第2rf4はこの発明の実施例。 おいて冷間静水圧装置により圧粉成形体を得る・領を示
す断面説明図、第3図はこの発明の実施1において反応
焼結を行う要領を示す断面説IJI図、第4図は窒化け
い素質焼結体同士を接合する要1を示す断面説明図、第
5図および第6図はそれれ反応焼結炭化けい素質焼結体
の組織を示す顕1鏡組織写真および接合部分の組織を示
す顕微鏡j織写真である。 1 吏 ら 第1図 わ 駈 費 る 人 髪 阿 ビ 次 第2図 1δ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)炭化けい素質焼結体同士を接合させるに際し、少
    なくとも一方の炭化けい素質焼結体に、その少なくとも
    接合部にけい素を含有するものを用い1両焼結体の接合
    部に、炭化けい素粉束と、炭素粉末または炭素源物質と
    を介在させた状態で加熱して前記けい素を前記接合部に
    供給し、前記炭素と反応させて両焼結体を接合すること
    を特徴とする炭化けい素質焼結体の接合方法。
JP22832683A 1983-12-05 1983-12-05 炭化けい素質焼結体の接合方法 Pending JPS60122774A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22832683A JPS60122774A (ja) 1983-12-05 1983-12-05 炭化けい素質焼結体の接合方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22832683A JPS60122774A (ja) 1983-12-05 1983-12-05 炭化けい素質焼結体の接合方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS60122774A true JPS60122774A (ja) 1985-07-01

Family

ID=16874692

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP22832683A Pending JPS60122774A (ja) 1983-12-05 1983-12-05 炭化けい素質焼結体の接合方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS60122774A (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0357491A2 (en) * 1988-08-30 1990-03-07 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Method for the preparation of an integrally conjoined sintered body of silicon carbide
JP2005022905A (ja) * 2003-06-30 2005-01-27 Toshiba Corp 炭化ケイ素基接合部品とその製造方法
JP2008274101A (ja) * 2007-04-27 2008-11-13 Tokai Univ 炭化ケイ素セラミックス用の接着剤組成物および炭化ケイ素セラミックスの接着方法
JP2009126724A (ja) * 2007-11-20 2009-06-11 Bridgestone Corp 炭化ケイ素接合構造用部材及び炭化ケイ素接合構造用部材の接合方法
US8337648B2 (en) * 2001-12-03 2012-12-25 F.M. Technologies, Inc. Ceramic joining
US8568650B2 (en) 2002-06-18 2013-10-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Silicon carbide matrix composite material, process for producing the same and process for producing part of silicon carbide matrix composite material
JP2015124137A (ja) * 2013-12-27 2015-07-06 株式会社日本セラテック 炭化珪素接合体及びその製造方法
CN108218462A (zh) * 2016-12-22 2018-06-29 中国科学院上海硅酸盐研究所 树脂基浆料以及SiC陶瓷反应连接方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0357491A2 (en) * 1988-08-30 1990-03-07 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Method for the preparation of an integrally conjoined sintered body of silicon carbide
US8337648B2 (en) * 2001-12-03 2012-12-25 F.M. Technologies, Inc. Ceramic joining
US8568650B2 (en) 2002-06-18 2013-10-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Silicon carbide matrix composite material, process for producing the same and process for producing part of silicon carbide matrix composite material
JP2005022905A (ja) * 2003-06-30 2005-01-27 Toshiba Corp 炭化ケイ素基接合部品とその製造方法
JP2008274101A (ja) * 2007-04-27 2008-11-13 Tokai Univ 炭化ケイ素セラミックス用の接着剤組成物および炭化ケイ素セラミックスの接着方法
JP2009126724A (ja) * 2007-11-20 2009-06-11 Bridgestone Corp 炭化ケイ素接合構造用部材及び炭化ケイ素接合構造用部材の接合方法
JP2015124137A (ja) * 2013-12-27 2015-07-06 株式会社日本セラテック 炭化珪素接合体及びその製造方法
CN108218462A (zh) * 2016-12-22 2018-06-29 中国科学院上海硅酸盐研究所 树脂基浆料以及SiC陶瓷反应连接方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4275862B2 (ja) ダイヤモンド複合体の製法
CN101544851B (zh) 一种金属结合剂空心球形超硬复合材料及其制造方法
JPS6313952B2 (ja)
US4242106A (en) Composite of polycrystalline diamond and/or cubic boron nitride body/silicon carbide substrate
JPS6344712B2 (ja)
US4167399A (en) Process for preparing a polycrystalline diamond body
JP5759152B2 (ja) アルミニウム−ダイヤモンド系複合体及びその製造方法
WO2010007974A1 (ja) アルミニウム-ダイヤモンド系複合体の製造方法
CA1232121A (en) Process for the production of molded bodies from silicon-infiltrated, reaction-bonded silicon carbide
US20060157884A1 (en) Method for producing a composite material
JPWO2010007922A1 (ja) アルミニウム−ダイヤモンド系複合体及びその製造方法
JP2004525050A (ja) 熱伝導性材料
JP2002080280A (ja) 高熱伝導性複合材料及びその製造方法
EP0012966B1 (en) Integral composite of polycristalline diamond and/or cubic boron nitride body phase and substrate phase and process for making it
JPS636516B2 (ja)
EP1019338B1 (en) A method for producing abrasive grains and the abrasive grains produced by this method
JP5755895B2 (ja) アルミニウム−ダイヤモンド系複合体及びその製造方法
Zhang et al. Improvement of thermal stability of diamond by adding Ti powder during sintering of diamond/borosilicate glass composites
JPS60122774A (ja) 炭化けい素質焼結体の接合方法
US4793859A (en) Infiltration of mo-containing material with silicon
CN104496511A (zh) 一种陶瓷坯件在线反应连接方法
WO2003033434A1 (fr) Procede d'elaboration de carbure de silicium fritte, et carbure de silicium fritte resultant
CA1105948A (en) Polycrystalline diamond body
JP2010235417A (ja) 多孔体、金属−セラミックス複合材料、及びそれらの製造方法
CN111251201A (zh) 一种碳材料结合剂复合磨具及其制备方法