JP2001053307A - 光電変換装置用基板とその製造方法、およびこれを用いた光電変換装置 - Google Patents

光電変換装置用基板とその製造方法、およびこれを用いた光電変換装置

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 光電変換層での光閉じこめに効果があり、工
業的に量産できる光電変換装置用基板、その製造方法お
よびこれを用いた光電変換装置を提供する。 【解決手段】 アルカリ成分を含有するガラス板５５上
に、酸化錫を主成分とする第１の下地膜５１と、第２の
下地膜５２と、酸化錫を主成分とする導電膜５３とをこ
の順に形成して基板５０とする。第１の下地膜は、６０
０℃以上のガラス上において、塩素を含む被膜形成原料
の熱分解酸化反応により成膜する。第１の下地膜には、
後処理を施すことなく孔が形成される。この孔の上方に
おいて導電膜表面の凹凸は大きくなり、光電変換ユニッ
ト５７へと入射する光を散乱させる。光電変換ユニット
上にさらに裏面電極５９を形成して光電変換装置とす
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光電変換装置用基
板およびその製造方法に関し、さらに、この基板を用い
た光電変換装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜光電変換装置では、ガラス表面に酸
化錫やＩＴＯなどの透明導電膜を形成した透明導電体が
基板として用いられる。透明導電膜としては酸化錫を主
成分とする膜が多用されている。薄膜シリコンを光電変
換材料とした薄膜光電変換装置は、その製造に要するエ
ネルギーコストが小さいことなどから注目されている。
【０００３】一般に、薄膜シリコン系光電変換装置は、
ガラス板表面に、下地膜、透明導電膜、薄膜シリコン、
金属膜を順次形成した構成を有する。透明導電膜として
は、ＣＶＤ法など原料の熱分解酸化反応を伴う方法で形
成された酸化錫膜が多用されている。下地膜は、ガラス
板に含まれるナトリウムなどのアルカリ成分が透明導電
膜中に拡散し、透明導電膜の電気特性を低下させる（抵
抗が高くなる）ことを防止するために設けられる。下地
膜としては、酸化珪素膜などの透明薄膜が用いられる。
【０００４】薄膜光電変換装置の透明導電膜には、透過
率が高いこと（光電変換層により多くの光を入れる）、
抵抗が低いこと（発生した電流を取り出す際のロスを少
なくする）が求められる。また、透明導電膜の表面に適
当な凹凸を付与すると、光電変換層での光閉じ込めに効
果があることが知られている。そこで、薄膜光電変換装
置用基板には、透過率が高く、表面凹凸を反映するヘイ
ズ率もある程度高いことが望まれる。
【０００５】透明導電膜の表面に凹凸を付与する手段の
一つに、下地膜表面を凹凸にする方法が挙げられる。表
面に凹凸を有する酸化珪素膜の製造方法として、例え
ば、特開昭６０−１７５４６５号公報には、珪弗化水素
酸の酸化珪素飽和水溶液にホウ酸を添加した処理液を用
いる方法が開示されている。また、特開昭６２−４４５
７３号公報には、珪素原子を含む気体状分子と酸化性ガ
スとを用いる方法が開示されている。これらの方法は、
いずれも、反応系において生成した酸化珪素粒子を酸化
珪素被膜に含有させるものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の方法は、光電変換層での光閉じこめに効果がある光
電変換装置用基板を工業的に量産できるものではなかっ
た。凹凸表面を有する酸化珪素膜は、反応系中で生成さ
れた酸化珪素粒子を酸化珪素被膜に含有させるものであ
るため、成膜反応と粒子の生成反応とを同時に制御する
必要があり、連続して安定した製造を行うことが難し
い。
【０００７】そこで、本発明は、光電変換層での光閉じ
こめに効果があり、工業的に量産できる光電変換装置用
基板およびその製造方法を提供することを目的とする。
また、本発明は、この基板を用いて光電変換装置の光電
変換特性を改善することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の光電変換装置用基板は、アルカリ成分を含
有するガラス板上に、酸化錫、酸化チタン、酸化インジ
ウムおよび酸化亜鉛から選ばれる少なくとも１種を主成
分とする第１の下地膜と、第２の下地膜と、導電膜とを
この順に形成した光電変換装置用基板であって、前記第
１の下地膜に孔が形成されていることを特徴とする。
【０００９】上記構成とすることにより、薄膜光電変換
装置に好適で工業的に量産できる基板を提供することが
できる。
【００１０】上記光電変換装置用基板は、第１の下地膜
に、孔が１平方ミクロンあたり２個以上存在することが
好ましい。また、上記光電変換装置用基板では、第１の
下地膜の膜厚が、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であるこ
とが好ましい。さらに、上記光電変換装置用基板では、
ガラス板がフロート製法により得られたフロートガラス
であって、前記フロートガラスのトップ面に、第１の下
地膜、第２の下地膜、および導電膜が形成されているこ
とが好ましい。ここで、トップ面とは、フロート製法
中、フロートバスにおいて、錫浴に接して成形される面
（ボトム面）と反対側の面である。
【００１１】また、上記目的を達成するために、本発明
の光電変換装置用基板の製造方法は、アルカリ成分を含
有するガラス板上またはガラス板製造工程におけるガラ
スリボン上に、第１の下地膜と、第２の下地膜と、導電
膜とをこの順に形成する光電変換装置用基板の製造方法
であって、前記第１の下地膜を、６００℃以上の前記ガ
ラス板上または前記ガラスリボン上における塩素を含む
被膜形成原料の熱分解酸化反応により成膜して、前記第
１の下地膜を、孔を含む状態で形成することを特徴とす
る。
【００１２】上記製造方法では、ガラス中のナトリウム
と原料中の塩素とが反応して第１の下地膜中に生成した
塩化ナトリウムが、膜中から消失して第１の下地膜に孔
が形成されると推察される。こうして、薄膜型光電変換
装置に好適な基板を工業的に量産することができる。
【００１３】本発明は、上記基板を用いた光電変換装置
も提供する。この光電変換装置は、上記光電変換装置用
基板の導電膜上に、少なくとも１つの光電変換ユニット
および裏面電極がこの順に積層されていることを特徴と
する。この光電変換装置は、ガラス板側を光線入射側と
して使用される。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の光電変化素子用基
板およびその製造方法の好ましい実施形態について説明
する。
【００１５】図１は、本発明の光電変換装置用基板の一
形態の断面図である。本発明の光電変換装置用基板で
は、ガラス板５上に、第１の下地膜１、第２の下地膜
２、導電膜３がこの順に形成されている。第１の下地膜
１には、この膜を貫通する孔７が形成されている。孔７
には第２の下地膜２が入り込み、その結果、第２の下地
膜２の表面には凹凸が形成されている。さらに、第２の
下地膜２の凹凸上において、導電膜３の表面にも凹凸８
が現れる。これは、第２の下地膜２の表面の凹凸が、導
電膜が形成されるときの成長核として作用するためであ
る。好ましくは酸化錫を主成分とし、結晶性を有する導
電膜３の表面には、その他の領域においても凹凸が存在
するが、孔７上方の領域において相対的に大きな表面凹
凸８が形成され、この凹凸８が光電変換層での光閉じ込
め効果の増大に寄与している。
【００１６】また、第２の下地膜２が形成されているた
めに、孔７においても、導電膜３はガラス板５と接して
いない。第２の下地膜２は、貫通孔を覆うように形成さ
れ、ガラス板の表面全面において、ガラス板５から導電
膜３へのアルカリ成分の拡散を抑制する。
【００１７】第１の下地膜１は、酸化錫、酸化チタン、
酸化インジウムまたは酸化亜鉛を主成分とすることが好
ましく、フッ素、塩素その他の微量成分が含まれていて
も構わない。また、他の金属元素が微量成分として含ま
れていてもよく、例えば珪素が含まれた酸化錫からなる
膜であってもよい。また、導電膜３は、酸化錫を主成分
としていることが好ましく、導電性の向上のために、フ
ッ素などが添加された酸化錫膜が特に好適である。添加
する元素の量は特に制限されないが、フッ素であれば
０．０５〜１重量％が適当である。
【００１８】また、第２の下地膜２は、特に限定されな
いが、酸化珪素および酸化アルミニから選ばれるいずれ
か一方または両方を主成分として含むことが好ましく、
特に、酸化珪素膜であることが好ましい。下地膜の別の
好ましい例としては、例えばＳｉＯＣのような上記金属
の酸炭化物や酸窒化物を主成分とする膜が挙げられる。
【００１９】上記各膜の好ましい膜厚を以下に例示す
る。 第１の下地膜 ： １０ｎｍ以上 １００ｎｍ以下 第２の下地膜 ： １０ｎｍ以上 １００ｎｍ以下 導電膜 ：５００ｎｍ以上１２００ｎｍ以下
【００２０】第１の下地膜に存在する孔の平均密度は、
導電膜の表面凹凸を大きくするために、２個／μｍ2以
上であることが好ましい。しかし、孔の平均密度が高く
なると、孔の径が小さくなる傾向が生じる。孔の径が小
さくなると、導電膜の表面凹凸の大きさも制限される。
このため、孔の平均密度は８個／μｍ2以下、特に６個
／μｍ2以下が好ましい。また、孔は、第１の下地膜を
貫通していること（貫通孔であること）が好ましい。な
お、孔の密度および状態は、走査型電子顕微鏡で観察す
れば、容易に確認できる。
【００２１】透明導電膜の表面の凹凸の大小は、光電変
換装置用基板のヘイズ率で示すことができる。凹凸が大
きいほどヘイズ率は高くなる。ヘイズ率は、プラスチッ
クの光学特性試験法（ＪＩＳ Ｋ７１０５−１９８１）
に記載されている曇価測定法により計測される。
【００２２】なお、ガラス板としては、ソーダライムガ
ラス板などのアルカリ成分を含有するガラス板を用いれ
ばよい。
【００２３】本発明の光電変換装置用基板の製造方法の
好ましい実施形態としては、フロートガラス製造工程に
おいて、ガラスリボンが有する熱を利用することによ
り、上記各膜をガラスリボンのトップ面に順次堆積する
方法を挙げることができる。ガラスリボンが有する熱を
利用する膜形成法としては、原料液を霧化してガラスリ
ボン表面に供給するスプレー法や原料を気化させてガラ
スリボン表面に供給するＣＶＤ法を利用できる。第１の
下地膜を成膜する場合には、塩素含有原料を用いること
が好ましい。
【００２４】フロート法におけるガラスリボン表面にＣ
ＶＤ法により薄膜を形成するための装置の一形態を図２
に示す。図２に示したように、この装置では溶融窯１１
から錫フロート槽１２内に流れ出し、錫浴１５で帯状に
成形されて移動するガラスリボン１０の直上に所定個数
のコータ１６（図示した形態では３つのコータ１６ａ、
１６ｂ、１６ｃ）が配置されている。コータの数や配置
は、形成する被膜の種類や厚さに応じて適宜選択され
る。これらのコータから、あらかじめ調整、気化された
原料が供給され、ガラスリボン１０表面（トップ面）に
連続的に被膜が形成される。また、コータで異なる原料
を供給することにより、第１の下地膜、第２の下地膜、
導電膜を連続的に積層することができる。ガラスリボン
１０の温度は、コータ１６の直前で所定温度となるよう
に、錫フロート槽１２内に配置されたヒーターおよびク
ーラー（図示省略）により制御される。
【００２５】ここで、ガラスリボンの所定温度として
は、６００℃以上７５０℃以下が好ましく、特に６３０
℃以上７５０℃以下が好ましい。ガラスリボン１０の温
度は放射温度計で計測できる。このようにして被膜が形
成されたガラスリボン１０はロール１７によって引き上
げられ、徐冷炉１３で冷却される。
【００２６】ＣＶＤ法により酸化錫を主成分とする薄膜
を形成する場合、錫原料としては、モノブチル錫トリク
ロライド、四塩化錫、ジメチル錫ジクロライド、ジブチ
ル錫ジクロライド、ジオクチル錫ジクロライド、テトラ
メチル錫などが挙げられる。第１の下地膜を成膜する際
には、錫化合物中に塩素を含むモノブチル錫トリクロラ
イド、ジメチル錫ジクロライドなどの有機錫塩化物が好
適に用いられる。また、酸化原料としては、酸素、水蒸
気、乾燥空気などが挙げられる。また、導電膜にフッ素
を添加する場合のフッ素原料としては、フッ化水素、ト
リフルオロ酢酸、ブロモトリフルオロメタン、クロロジ
フルオロメタンなどが挙げられる。
【００２７】なお、第１の下地膜として、酸化チタン、
酸化インジウム、酸化亜鉛などを主成分とする膜を形成
する場合には、金属塩化物（例えば四塩化チタン、二塩
化亜鉛）などの塩素含有原料を用い、上記と同様、ＣＶ
Ｄ法により成膜すればよい。
【００２８】ＣＶＤ法により酸化珪素を主成分とする薄
膜を形成する場合、珪素原料としては、モノシラン、ジ
シラン、トリシラン、モノクロロシラン、1,2-ジメチル
シラン、1,1,2-トリメチルジシラン、1,1,2,2-テトラメ
チルジシラン、テトラメチルオルソシリケート、テトラ
エチルオルソシリケートなどが挙げられる。酸化原料と
しては、酸素、水蒸気、乾燥空気、二酸化炭素、一酸化
炭素、二酸化窒素、オゾンなどが挙げられる。また、モ
ノシランなど反応性の極めて高い原料を使用する場合に
は、エチレン、アセチレン、トルエンなどの不飽和炭化
水素ガスを添加して反応性を制御してもよい。
【００２９】酸化珪素と同様、第２の下地膜として好適
な酸化アルミニウムを主成分とする膜をＣＶＤ法により
成膜する場合のアルミニウム原料としては、トリメチル
アルミニウム、アルミニウムトリイソポプロポキサイ
ド、塩化ジエチルアルミニウム、アルミニウムアセチル
アセトネート、塩化アルミニウムなどが挙げられる。ま
た、この場合の酸化原料としては、酸素、水蒸気、乾燥
空気などが挙げられる。
【００３０】本発明の基板を用いた薄膜光電変換装置
（薄膜シリコン系光電変換装置）の一形態の断面を図４
に示す。
【００３１】この薄膜シリコン系光電変換装置では、ガ
ラス板５５上に第１、第２の下地膜５１，５２および導
電膜５３がこの順に形成された光電変換装置用基板５０
上に、光電変換ユニット５７が形成され、さらに裏面電
極５９が形成されている。
【００３２】光電変換ユニットは図示したように単層と
してもよいが、複数層としてもよい。光電変換ユニット
としては、非晶質シリコン系薄膜や結晶質シリコン系薄
膜を光電変換層としたユニット（以下、各ユニットを
「非晶質シリコン系薄膜光電変換ユニット」、「結晶質
シリコン系薄膜光電変換ユニット」のように光電変換層
の種類を引用して表記する）が挙げられる。
【００３３】非晶質シリコン系薄膜光電変換ユニット
は、ｐｉｎ型の順にプラズマＣＶＤ法により各半導体層
を堆積して形成される。具体的には、例えば、導電型決
定不純物原子であるボロンが０．０１原子％以上ドープ
されたｐ型微結晶シリコン系層、光電変換層となる真性
非晶質シリコン層、および導電型決定不純物原子である
リンが０．０１％以上ドープされたｎ型微結晶シリコン
系層をこの順に堆積すればよい。しかし、これら各層は
上記に限定されず、例えばｐ型微結晶シリコン系層にお
いて不純物原子をアルミニウムなどとしてもよく、ｐ型
層として、非晶質シリコン系層を用いてもよい。ｐ型層
として、非晶質または微結晶のシリコンカーバイド、シ
リコンゲルマニウムなどの合金材料を用いてもよい。
【００３４】なお、導電型（ｐ型、ｎ型）微結晶シリコ
ン系層の膜厚は、３ｎｍ以上１００ｎｍ以下が好まし
く、５ｎｍ以上５０ｎｍ以下がさらに好ましい。
【００３５】真性非晶質シリコン層は、プラズマＣＶＤ
法によって下地温度を４５０℃以下として形成すること
が好ましい。この層は、導電型決定不純物原子の密度が
１×１０18ｃｍ-3以下である実質的に真性半導体である
薄膜として形成される。真性非晶質シリコン層の膜厚は
０．０５μｍ以上０．５μｍ以下が好ましい。ただし、
非晶質シリコン系薄膜光電変換ユニットでは、真性非晶
質シリコン層に代えて、合金材料である非晶質シリコン
カーバイド層（例えば１０原子％以下の炭素を含有する
非晶質シリコンからなる非晶質シリコンカーバイド層）
や非晶質シリコンゲルマニウム層（例えば３０原子％以
下のゲルマニウムを含有する非晶質シリコンからなる非
晶質シリコンゲルマニウム層）などを形成してもよい。
【００３６】結晶質シリコン系薄膜光電変換ユニット
も、非晶質シリコン系薄膜光電変換ユニットと同様の手
順でｐｉｎ型各半導体層をこの順にプラズマＣＶＤ法に
より堆積して形成されうる。
【００３７】裏面電極としては、Ａｌ，Ａｇ，Ａｕ，Ｃ
ｕ，ＰｔおよびＣｒから選ばれる少なくとも１つの材料
からなる少なくとも１層の金属層をスパッタリング法ま
たは蒸着法により形成することが好ましい。また、光電
変換ユニットと金属電極との間に、ＩＴＯ、ＳｎＯ2、
ＺｎＯなどの導電性酸化物からなる層を形成しても構わ
ない。
【００３８】なお、本明細書では、部分的に非晶質を含
んでいても体積結晶化分率５０％以上であれば「結晶
質」に相当するものとする。また、「シリコン系」の材
料には、非晶質または結晶質のシリコンに加え、非晶質
シリコンゲルマニウムなどシリコンを５０原子％以上含
む半導体材料も該当するものとする。
【００３９】
【実施例】以下、実施例により本発明をさらに詳細に説
明するが、本発明は、以下の実施例により限定されるも
のではない。
【００４０】以下の実施例、比較例では、上記で説明し
たように複数のコータを用い、ＣＶＤ法により、ガラス
リボン表面に薄膜を積層した。成膜の際には、錫フロー
ト槽空間に９８体積％の窒素と２体積％の水素からなる
混合ガスを供給し、槽外よりもやや高圧となるように維
持した。錫フロート槽内に、溶融窯で溶融されたソーダ
ライムガラス生地を流し込み、成形して厚み４ｍｍのガ
ラスリボンとした。トップ面に所定の薄膜を積層したガ
ラスリボンは徐冷炉で徐冷された後、洗浄、乾燥、切断
した。以下、具体的な成膜方法について説明する。
【００４１】（実施例１）最上流側に位置するコータ直
前のガラスリボン表面温度を７５０℃とし、このコータ
から、ジメチル錫ジクロライド（ＤＭＴ）、酸素、ヘリ
ウム、窒素からなる混合ガスを供給した。続けて、下流
側のコータから、モノシラン、エチレン、酸素、窒素か
らなる混合ガスを供給した。引き続き、さらに下流側の
コータから、ジメチル錫ジクロライド、酸素、水蒸気、
窒素、フッ化水素からなる混合ガスを供給した。このよ
うにして、ガラスリボンのトップ面に膜厚が約３０ｎｍ
の酸化錫膜、膜厚が約３０ｎｍの酸化珪素膜、膜厚が約
７００ｎｍのフッ素含有酸化錫膜がこの順に積層された
供試体を得た。また、最上流側のコータのみに原料ガス
を供給し、ガラスリボンのトップ面に膜厚が約３０ｎｍ
の酸化錫膜が形成された供試体を得た。
【００４２】（実施例２）最上流側に位置するコータ直
前のガラスリボン表面温度を７００℃とした点を除いて
は実施例１と同様にして供試体を得た。
【００４３】（実施例３）最上流側に位置するコータ直
前のガラスリボン表面温度を６５０℃とした点を除いて
は実施例１と同様にして供試体を得た。
【００４４】（実施例４）最上流側に位置するコータ直
前のガラスリボン表面温度を６５０℃とし、このコータ
から、モノブチル錫トリクロライド（ＭＢＴＣ）、酸
素、ヘリウム、窒素からなる混合ガスを供給した。続け
て、下流側のコータから、モノシラン、エチレン、酸
素、窒素からなる混合ガスを供給した。引き続き、さら
に下流側のコータから、モノブチル錫トリクロライド、
酸素、水蒸気、窒素、トリフルオロ酢酸からなる混合ガ
スを供給した。このようにして、ガラスリボンのトップ
面に膜厚が約３０ｎｍの酸化錫膜、膜厚が約３０ｎｍの
酸化珪素膜、膜厚が約７００ｎｍのフッ素含有酸化錫膜
がこの順に積層された供試体を得た。また、最上流側の
コータのみに原料ガスを供給し、ガラスリボンのトップ
面に膜厚が約３０ｎｍの酸化錫膜が形成された供試体を
得た。
【００４５】（実施例５）１００ｍｍ×１００ｍｍで厚
さ１．１ｍｍのソーダライムガラス板を洗浄、乾燥し
た。このガラス板を６００℃に加熱し、そのトップ面に
モノブチル錫トリクロライド、酸素、窒素からなる混合
ガスを供給した。次いで、モノシラン、酸素、窒素から
なる混合ガスを供給した。さらに、モノブチル錫トリク
ロライド、酸素、水蒸気、窒素、トリフルオロ酢酸から
なる混合ガスを供給した。このようにして、ガラス板の
トップ面に、膜厚が約３０ｎｍの酸化錫膜、膜厚が約３
０ｎｍの酸化珪素膜、膜厚が約７００ｎｍのフッ素含有
酸化錫膜がこの順に積層された供試体を得た。また、膜
厚が約３０ｎｍの酸化錫膜のみを形成した供試体を得
た。
【００４６】（実施例６）最上流側に位置するコータ直
前のガラスリボン表面温度を７００℃とし、このコータ
から、ジメチル錫ジクロライド（ＤＭＴ）、酸素、ヘリ
ウム、窒素、水蒸気からなる混合ガスを供給した。続け
て、下流側のコータから、モノシラン、エチレン、酸
素、窒素からなる混合ガスを供給した。ここでは、膜中
に炭素が導入されるようにエチレン含有率を増加させ
た。引き続き、さらに下流側のコータから、モノブチル
錫トリクロライド、酸素、水蒸気、窒素、ヘリウム、ト
リフルオロ酢酸からなる混合ガスを供給した。このよう
にして、ガラスリボンのトップ面に膜厚が約４５ｎｍの
酸化錫膜、膜厚が約１５ｎｍの酸炭化珪素（ＳｉＯＣ）
膜、膜厚が約７００ｎｍのフッ素含有酸化錫膜がこの順
に積層された供試体を得た。また、最上流側のコータの
みに原料ガスを供給し、ガラスリボンのトップ面に膜厚
が約４５ｎｍの酸化錫膜が形成された供試体を得た。
【００４７】（実施例７）最上流側に位置するコータ直
前のガラスリボン表面温度を６８０℃とし、このコータ
から、モノブチル錫トリクロライド（ＭＢＴＣ）、酸
素、ヘリウム、窒素、水蒸気からなる混合ガスを供給し
た。続けて、下流側のコータから、テトラエトキシシラ
ン、酸素、窒素、モノブチル錫トリクロライドからなる
混合ガスを供給した。引き続き、さらに下流側のコータ
から、ジメチル錫ジクロライド、酸素、水蒸気、窒素、
トリフルオロ酢酸からなる混合ガスを供給した。このよ
うにして、ガラスリボンのトップ面に膜厚が約４５ｎｍ
の酸化錫膜、膜厚が約１５ｎｍの珪素−錫酸化膜（Ｓｉ
ＳｎＯ）膜、膜厚が約７００ｎｍのフッ素含有酸化錫膜
がこの順に積層された供試体を得た。また、最上流側の
コータのみに原料ガスを供給し、ガラスリボンのトップ
面に膜厚が約４５ｎｍの酸化錫膜が形成された供試体を
得た。
【００４８】（比較例１）最上流側に位置するコータ直
前のガラスリボン表面温度を７５０℃とし、実施例１で
モノシランを含むガスを供給したコータから、モノシラ
ン、エチレン、酸素および窒素からなる混合ガスを供給
した。さらに、実施例１でジメチル錫ジクロライドを含
むガスを供給したコータから、ジメチル錫ジクロライ
ド、酸素、水蒸気、窒素、フッ化水素からなる混合ガス
を供給した。このようにして、ガラスリボンのトップ面
に膜厚が約３０ｎｍの酸化珪素膜、膜厚が約７００ｎｍ
のフッ素含有酸化錫膜がこの順に積層された供試体を得
た。また、第１のコータのみに原料ガスを供給し、ガラ
スリボンのトップ面に膜厚が約３０ｎｍの酸化珪素膜が
形成された供試体を得た。
【００４９】（比較例２）最上流側に位置するコータ直
前のガラスリボン表面温度を６５０℃とした点を除いて
は比較例１と同じようにして供試体を得た。
【００５０】（比較例３）ガラス板の加熱温度を５００
℃とした点を除いては、実施例５と同様にして供試体を
得た。
【００５１】以上の実施例および比較例から得られた供
試体のうち、ガラスリボン表面に酸化錫膜または酸化珪
素膜のみが形成された供試体を走査型電子顕微鏡で観察
し、１平方ミクロンあたりの孔の数（孔密度）、および
孔の平均径を計測した。また、下地膜（酸化錫膜、酸化
珪素膜）上にフッ素含有酸化錫膜が形成された供試体の
ヘイズ率を曇価測定法（ＪＩＳ Ｋ７１０５−１９８
１）により計測した。なお、ヘイズ率は、ガラス板側か
らの入射光について測定した。ガラス板に接する（第１
の）下地膜の種類および成膜条件とともに、結果を表１
に示す。
【００５２】 （表１） ――――――――――――――――――――――――――――――――――― 孔 ヘイズ率 ガラスに接する下地膜 密度 平均径 膜種類 成膜温度 錫原料 （個/μｍ2) (μｍ) （％） （℃） ――――――――――――――――――――――――――――――――――― 実施例１ ２ ０．２ ９．５ 酸化錫 ７５０ ＤＭＴ 実施例２ ４ ０．２ １１．２ 酸化錫 ７００ ＤＭＴ 実施例３ ５ ０．１ ９．８ 酸化錫 ６５０ ＤＭＴ 実施例４ ６ ０．１ １０．３ 酸化錫 ６５０ ＭＢＴＣ 実施例５ 10 ０．０５ ７．５ 酸化錫 ６００ ＭＢＴＣ 実施例６ ５ ０．１ １０．２ 酸化錫 ７００ ＤＭＴ 実施例７ ６ ０．１ １０．１ 酸化錫 ６８０ ＭＢＴＣ ――――――――――――――――――――――――――――――――――― 比較例１ ０ − ６．５ 酸化珪素 ７５０ − 比較例２ ０ − ５．５ 酸化珪素 ６５０ − 比較例３ ０ − ６．５ 酸化錫 ５００ ＭＢＴＣ ―――――――――――――――――――――――――――――――――――
【００５３】表１に示したように、本実施例では、酸化
錫膜の孔の数が１平方ミクロンあたり２〜６個、平均孔
径が０．１〜０．２μｍ程度であれば、ヘイズ率が特に
大きくなった。
【００５４】なお、上記実施例と同様の条件で、ガラス
リボン上に、酸化錫膜、酸化珪素膜、フッ素含有酸化錫
膜を順次積層して得た供試体の断面の透過型電子顕微鏡
写真を図３として示す。図３では、最下層の酸化錫膜の
一部が消失して形成された孔の上方において、最上層の
フッ素含有酸化錫膜の表面凹凸が大きくなっている。ま
た、この相対的に大きな表面凹凸には、下地膜の孔の端
部付近を起点として成長した結晶粒が寄与していること
が確認できる。さらに、孔には、中間層の酸化珪素膜が
充填されており、フッ素含有酸化錫膜が直接ガラス板に
接していないことも確認できる。
【００５５】（実施例８）実施例２の導電膜付きガラス
板の導電膜上に、非晶質シリコン光電変換ユニットから
なる薄膜光電変換装置をプラズマＣＶＤ法により形成し
た。非晶質シリコン光電変換ユニットに含まれるｐｉｎ
接合において、用いたｐ型非晶質シリコンカーバイド層
の厚さは１５ｎｍ、ｎ型非晶質シリコン層の厚さは３０
ｎｍとした。また、真性非晶質シリコン層（ｉ型）はＲ
ＦプラズマＣＶＤ法により形成した。成膜条件として
は、シランの反応ガス、約４０Ｐａの反応室内圧力、１
５ｍＷ／ｃｍ2のＲＦパワー密度、および１５０℃の成
膜温度を用いた。この成膜条件と同じ条件でガラス基板
上に直接３００ｎｍの厚さまで堆積された真性非晶質シ
リコン膜の暗導電率は５×１０-10Ｓ／ｃｍであった。
なお、真性非晶質シリコン層の膜厚は３００ｎｍとし
た。最後に、非晶質シリコン光電変換ユニット上に、裏
面電極として厚さ８０ｎｍのＩＴＯ膜と厚さ３００ｎｍ
のＡｇ膜とをこの順にスパッタリング法により堆積し
た。
【００５６】こうして作製した薄膜光電変換装置（光電
変換面積１ｃｍ2）に入射光としてＡＭ１．５の光を１
００ｍＷ／ｃｍ2の光量で照射したときの出力特性を測
定した。その結果、開放端電圧が０．８９Ｖ、短絡電流
密度が１６．２ｍＷ／ｃｍ2、曲線因子が７０．６％、
そして変換効率が１０．２％であった。さらに４８℃に
おいてＡＭ１．５の光を１００ｍＷ／ｃｍ2の光量で照
射して光劣化試験を行ったところ、５５０時間の照射後
に変換効率が８．４％まで劣化した。
【００５７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
従来よりもヘイズ率が高い光電変換装置用基板を得るこ
とができる。この基板は、後処理を施すことなく成膜し
た状態のままで、導電膜の表面に、光電変換装置の光閉
じこめ効果に寄与する凹凸が形成されたものとなる。こ
の光電変換装置用基板は、工業的量産に適している。
【００５８】近年では、特に非晶質シリコン系薄膜光電
変換装置に見られるように、光の照射により光電変換層
内に欠陥準位が形成されて光電変換特性が劣化するた
め、光電変換層の膜厚を薄くする傾向にある。このた
め、光の吸収の低下を補うためにより高い光閉じこめ効
果が求められている。このような事情からも、上記基板
を利用した本発明の光電変換装置は、従来よりも光電変
換特性を改善するものとして有用である。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の光電変換装置用基板の一形態の断面
図である。
【図２】 本発明の光電変換装置用基板を製造するため
に用いる装置の構成を示す図である。
【図３】 本発明の光電変換装置用基板の一例の断面を
撮影した透過型電子顕微鏡写真である。
【図４】 本発明の光電変換装置の一形態の断面図であ
る。
【符号の説明】
１，５１ 第１の下地膜 ２，５２ 第２の下地膜 ３，５３ 導電膜 ５，５５ ガラス板 ７ 孔 ８ 表面凹凸 １０ ガラスリボン １１ 溶融窯 １２ 錫フロート槽 １３ 徐冷炉 １５ 錫浴 １６ コータ １７ ロール ５０ 光電変換装置用基板 ５５ ガラス板 ５７ 光電変換ユニット ５９ 裏面電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤沢 章 大阪府大阪市中央区道修町３丁目５番11号 日本板硝子株式会社内 (72)発明者 乗松 穂高 大阪府大阪市中央区道修町３丁目５番11号 日本板硝子株式会社内 Ｆターム(参考） 5F051 AA04 AA05 AA16 BA14 CA15 CB12 DA04 FA02 FA03 FA04 FA06 GA03 GA16

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 アルカリ成分を含有するガラス板上に、
    酸化錫、酸化チタン、酸化インジウムおよび酸化亜鉛か
    ら選ばれる少なくとも１種を主成分とする第１の下地膜
    と、第２の下地膜と、導電膜とをこの順に形成した光電
    変換装置用基板であって、前記第１の下地膜に孔が形成
    されていることを特徴とする光電変換装置用基板。
  2. 【請求項２】 第１の下地膜に、孔が１平方ミクロンあ
    たり２個以上存在する請求項１に記載の光電変換装置用
    基板。
  3. 【請求項３】 第１の下地膜の膜厚が、１０ｎｍ以上１
    ００ｎｍ以下である請求項１または２に記載の光電変換
    装置用基板。
  4. 【請求項４】 ガラス板がフロート製法により得られた
    フロートガラスであって、前記フロートガラスのトップ
    面に、第１の下地膜、第２の下地膜、および導電膜を形
    成した請求項１〜３のいずれかに記載の光電変換装置用
    基板。
  5. 【請求項５】 アルカリ成分を含有するガラス板上また
    はガラス板製造工程におけるガラスリボン上に、第１の
    下地膜と、第２の下地膜と、導電膜とをこの順に形成す
    る光電変換装置用基板の製造方法であって、前記第１の
    下地膜を、６００℃以上の前記ガラス板上または前記ガ
    ラスリボン上における塩素を含む被膜形成原料の熱分解
    酸化反応により成膜して、前記第１の下地膜を、孔を含
    む状態で形成することを特徴とする光電変換装置用基板
    の製造方法。
  6. 【請求項６】 請求項１〜４のいずれかに記載の光電変
    換装置用基板を含み、導電膜上に、少なくとも１つの光
    電変換ユニットおよび裏面電極がこの順に積層されてい
    ることを特徴とする光電変換装置。
  7. 【請求項７】 請求項５に記載の製造方法により得た光
    電変換装置用基板を含み、導電膜上に、少なくとも１つ
    の光電変換ユニットおよび裏面電極がこの順に積層され
    ていることを特徴とする光電変換装置。
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EP00111430A EP1056136B1 (en) 1999-05-28 2000-05-26 Conductive substrate for a photoelectric conversion device and its manufacturing method
DE60010178T DE60010178T2 (de) 1999-05-28 2000-05-26 Leitendes Substrat für eine photoelektrische Umwandlungs-Vorrichtung und Verfahren zu dessen Herstellung
US09/579,757 US6504139B1 (en) 1999-05-28 2000-05-26 Substrate for photoelectric conversion device, method of manufacturing the same, and photoelectric conversion device using the same

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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004102677A1 (ja) * 2003-05-13 2004-11-25 Asahi Glass Company, Limited 太陽電池用透明導電性基板およびその製造方法
US7320827B2 (en) 2002-03-26 2008-01-22 Nippon Sheet Glass Company, Limited Glass substrate and method of manufacturing the same
US7955889B1 (en) 2006-07-11 2011-06-07 The Trustees Of Princeton University Organic photosensitive cells grown on rough electrode with nano-scale morphology control
WO2011121922A1 (ja) * 2010-03-31 2011-10-06 日本板硝子株式会社 透明導電膜付きガラス板およびその製造方法
JP2012509214A (ja) * 2008-11-19 2012-04-19 ピーピージー・インダストリーズ・オハイオ・インコーポレイテッド トップコートの機能を向上させるアンダーコーティング層
JP7160232B1 (ja) * 2020-11-30 2022-10-25 Ａｇｃ株式会社 透明電極基板及び太陽電池
CN116395981A (zh) * 2021-05-07 2023-07-07 Ａｇｃ株式会社 带有透明导电膜的玻璃基板及其制造方法

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4430194B2 (ja) * 1999-05-31 2010-03-10 日本板硝子株式会社 透明積層体およびこれを用いたガラス物品
JP2003060216A (ja) * 2001-08-10 2003-02-28 Nippon Sheet Glass Co Ltd 光電変換装置用基板
JP2003060217A (ja) * 2001-08-10 2003-02-28 Nippon Sheet Glass Co Ltd 導電膜付きガラス板
WO2003036657A1 (fr) 2001-10-19 2003-05-01 Asahi Glass Company, Limited Substrat a couche d'oxyde conductrice transparente, son procede de production et element de conversion photoelectrique
EP1480276A1 (en) * 2002-01-31 2004-11-24 Nippon Sheet Glass Co.,Ltd. Substrate for photoelectric conversion device
US7431992B2 (en) 2004-08-09 2008-10-07 Ppg Industries Ohio, Inc. Coated substrates that include an undercoating
GB0518383D0 (en) * 2005-09-09 2005-10-19 Pilkington Plc Deposition process
US8076571B2 (en) 2006-11-02 2011-12-13 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
EP2104145A1 (fr) 2008-03-18 2009-09-23 AGC Flat Glass Europe SA Substrat de type verrier revêtu de couches minces et procédé de fabrication
US7998586B2 (en) 2008-11-19 2011-08-16 Ppg Industries Ohio, Inc. Undercoating layers providing improved topcoat functionality
US8133599B2 (en) 2008-11-19 2012-03-13 Ppg Industries Ohio, Inc Undercoating layers providing improved photoactive topcoat functionality
US8418418B2 (en) 2009-04-29 2013-04-16 3Form, Inc. Architectural panels with organic photovoltaic interlayers and methods of forming the same
DE102009026197B4 (de) 2009-07-17 2013-05-02 Saint-Gobain Sekurit Deutschland Gmbh & Co. Kg Optisch transparente Glasscheibe und deren Verwendung
EP2354107A1 (de) 2010-02-10 2011-08-10 Saint-Gobain Glass France Verfahren zur Herstellung einer strukturierten TCO-Schutzschicht
CN101863626A (zh) * 2010-06-03 2010-10-20 江西赛维Best太阳能高科技有限公司 新型复合型透明导电玻璃及其制备方法
US8734903B2 (en) 2011-09-19 2014-05-27 Pilkington Group Limited Process for forming a silica coating on a glass substrate

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4532537A (en) 1982-09-27 1985-07-30 Rca Corporation Photodetector with enhanced light absorption
JPS60175465A (ja) 1984-02-21 1985-09-09 Nippon Sheet Glass Co Ltd 太陽電池基板
US4689438A (en) 1984-10-17 1987-08-25 Sanyo Electric Co., Ltd. Photovoltaic device
JPS6244573A (ja) 1985-08-20 1987-02-26 Nippon Sheet Glass Co Ltd 二酸化珪素含有被膜の製造方法
DE3630393C2 (de) 1985-09-10 1994-06-23 Sharp Kk Widerstandsthermometer
US4808462A (en) * 1987-05-22 1989-02-28 Glasstech Solar, Inc. Solar cell substrate
US4880664A (en) * 1987-08-31 1989-11-14 Solarex Corporation Method of depositing textured tin oxide
EP0436741B1 (en) * 1989-08-01 1996-06-26 Asahi Glass Company Ltd. DC sputtering method and target for producing films based on silicon dioxide
SK281638B6 (sk) 1991-12-26 2001-06-11 Elf Atochem North America, Inc. Sklenený výrobok

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7320827B2 (en) 2002-03-26 2008-01-22 Nippon Sheet Glass Company, Limited Glass substrate and method of manufacturing the same
WO2004102677A1 (ja) * 2003-05-13 2004-11-25 Asahi Glass Company, Limited 太陽電池用透明導電性基板およびその製造方法
JPWO2004102677A1 (ja) * 2003-05-13 2006-07-13 旭硝子株式会社 太陽電池用透明導電性基板およびその製造方法
JP2011181975A (ja) * 2003-05-13 2011-09-15 Asahi Glass Co Ltd 太陽電池用透明導電性基板の製造方法
JP5068946B2 (ja) * 2003-05-13 2012-11-07 旭硝子株式会社 太陽電池用透明導電性基板およびその製造方法
US7955889B1 (en) 2006-07-11 2011-06-07 The Trustees Of Princeton University Organic photosensitive cells grown on rough electrode with nano-scale morphology control
JP2012509214A (ja) * 2008-11-19 2012-04-19 ピーピージー・インダストリーズ・オハイオ・インコーポレイテッド トップコートの機能を向上させるアンダーコーティング層
WO2011121922A1 (ja) * 2010-03-31 2011-10-06 日本板硝子株式会社 透明導電膜付きガラス板およびその製造方法
JP7160232B1 (ja) * 2020-11-30 2022-10-25 Ａｇｃ株式会社 透明電極基板及び太陽電池
CN116395981A (zh) * 2021-05-07 2023-07-07 Ａｇｃ株式会社 带有透明导电膜的玻璃基板及其制造方法
CN116395981B (zh) * 2021-05-07 2024-03-22 Ａｇｃ株式会社 带有透明导电膜的玻璃基板及其制造方法

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Publication number Publication date
EP1056136A1 (en) 2000-11-29
US6504139B1 (en) 2003-01-07
EP1056136B1 (en) 2004-04-28
JP3227449B2 (ja) 2001-11-12
DE60010178T2 (de) 2004-08-26
DE60010178D1 (de) 2004-06-03

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