JPS6244573A - 二酸化珪素含有被膜の製造方法 - Google Patents
二酸化珪素含有被膜の製造方法Info
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- JPS6244573A JPS6244573A JP60182779A JP18277985A JPS6244573A JP S6244573 A JPS6244573 A JP S6244573A JP 60182779 A JP60182779 A JP 60182779A JP 18277985 A JP18277985 A JP 18277985A JP S6244573 A JPS6244573 A JP S6244573A
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
- C03C17/23—Oxides
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
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- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は二酸化珪素含有被膜の製造方法に関し、特につ
や消し処理、反射防止処理、太陽電池基板の表面処理な
どに使用することのできる表面に凹凸形状を持った二酸
化珪素被膜をガラス板等の任意の基板上に作成する方法
に関する。
や消し処理、反射防止処理、太陽電池基板の表面処理な
どに使用することのできる表面に凹凸形状を持った二酸
化珪素被膜をガラス板等の任意の基板上に作成する方法
に関する。
近年シランガスをグロー放電分解することなどにより作
製される非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）を用いた太陽電池
が低コストで製造可能な光電変換装置の一つとして注目
を浴びている。しかし、かかるａ−Ｓｉ太＠電池におい
ては、その光電変換効率が他の結晶半導体（結晶ｓｉ
、 ＧａＡＳなど）に比べ極めて低いことが問題となり
、これを解決するため作製方法や電池の構造に対し種々
の対策が考案されている。特に電池の表面における光反
射損失を低減し煙路電流を増大させることは重要であり
、このため太陽電池を凹凸構造にして入射光を電池内で
多重反射屈折させることにより長波長光に対する収集効
率を向上させることが考えられている。
製される非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）を用いた太陽電池
が低コストで製造可能な光電変換装置の一つとして注目
を浴びている。しかし、かかるａ−Ｓｉ太＠電池におい
ては、その光電変換効率が他の結晶半導体（結晶ｓｉ
、 ＧａＡＳなど）に比べ極めて低いことが問題となり
、これを解決するため作製方法や電池の構造に対し種々
の対策が考案されている。特に電池の表面における光反
射損失を低減し煙路電流を増大させることは重要であり
、このため太陽電池を凹凸構造にして入射光を電池内で
多重反射屈折させることにより長波長光に対する収集効
率を向上させることが考えられている。
しかしながら、凹凸の度合いが大き過ぎるとピンホール
等の欠陥が発生したり膜厚が不均一になりやすく、かえ
って太陽電池の特性（特に開放電圧・良品率）が低下す
る。従って高度に制御された凹凸の度合が必要とされて
いた。
等の欠陥が発生したり膜厚が不均一になりやすく、かえ
って太陽電池の特性（特に開放電圧・良品率）が低下す
る。従って高度に制御された凹凸の度合が必要とされて
いた。
また、このように高度に制御された凹凸形状を有した酸
化珪素被膜付きソーダライムガラス基板をａ−３ｉ太＠
電池用ガラス基板として使用した場合、電池としてのエ
ネルギー変換効率の向上に大きな寄与があることがいわ
れている。（例えば第３２回応用物理学関係連合講演会
講演予稿集ｐ、グ３タ λｑｐ−Ｕ−１）。
化珪素被膜付きソーダライムガラス基板をａ−３ｉ太＠
電池用ガラス基板として使用した場合、電池としてのエ
ネルギー変換効率の向上に大きな寄与があることがいわ
れている。（例えば第３２回応用物理学関係連合講演会
講演予稿集ｐ、グ３タ λｑｐ−Ｕ−１）。
又一般に、加熱した基材表面に珪素原子を含む気体状分
子および酸化性ガスを吹きつけて、基材表面に二酸化珪
素を含む被膜を形成する方法（以下ＣＶＤ法と略称する
。）が知られている。（例えば５ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅ
Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、ｏｃｔ、 （／ｑｔ／））〔
発明が解決しようとする問題点〕 上記従来の二酸化珪素含有被膜の製造方法は平滑な被膜
作成を目的としたものであり、太陽電池基板としてこの
二酸化珪素含有被膜を設けた基板を用いても前述のエネ
ルギー変換効率の向上はみこめない。
子および酸化性ガスを吹きつけて、基材表面に二酸化珪
素を含む被膜を形成する方法（以下ＣＶＤ法と略称する
。）が知られている。（例えば５ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅ
Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、ｏｃｔ、 （／ｑｔ／））〔
発明が解決しようとする問題点〕 上記従来の二酸化珪素含有被膜の製造方法は平滑な被膜
作成を目的としたものであり、太陽電池基板としてこの
二酸化珪素含有被膜を設けた基板を用いても前述のエネ
ルギー変換効率の向上はみこめない。
本発明は、前記エネルギー変換効率の向上がみこめるよ
うな表面凹凸形状を有する二酸化珪素含有被膜を任意の
基板上に形成できる方法を提供することをその目的とす
る。
うな表面凹凸形状を有する二酸化珪素含有被膜を任意の
基板上に形成できる方法を提供することをその目的とす
る。
本発明は上記問題点を解決するために、加熱した基材表
面に珪素原子を含む気体状分子と酸化性ガスおよび両ガ
スを分離する分離型ノズルより吹きつけて基材表面に二
酸化珪素を含む被膜を析出させる二酸化珪素含有被膜の
製造方法において、珪素原子を含む気体状分子のガスの
濃度、酸化性ガスの濃度および各ガスの流量を制御して
該気体状分子と酸化性ガスとをノズルと基材表面との間
で部分的に反応させながら前記析出を行なって、析出被
膜中に該部分的反応により生じた二酸化珪素粒子を混入
させて該被膜を凹凸形状のあるものとしている。
面に珪素原子を含む気体状分子と酸化性ガスおよび両ガ
スを分離する分離型ノズルより吹きつけて基材表面に二
酸化珪素を含む被膜を析出させる二酸化珪素含有被膜の
製造方法において、珪素原子を含む気体状分子のガスの
濃度、酸化性ガスの濃度および各ガスの流量を制御して
該気体状分子と酸化性ガスとをノズルと基材表面との間
で部分的に反応させながら前記析出を行なって、析出被
膜中に該部分的反応により生じた二酸化珪素粒子を混入
させて該被膜を凹凸形状のあるものとしている。
本発明は、基材表面における被膜形成（析出）反応と基
材とノズル間の空間での二酸化珪素粒子の生成反応とが
並行して進行し、該二酸化珪素粒子が析出被膜中に混入
するように原料ガスの濃度および流量を調整することに
より達成される。
材とノズル間の空間での二酸化珪素粒子の生成反応とが
並行して進行し、該二酸化珪素粒子が析出被膜中に混入
するように原料ガスの濃度および流量を調整することに
より達成される。
前記従来のＣＶＤ法においては、珪素原子を含む気体状
分子と酸化性ガスとの反応が主として基材表面でおこる
ように、また珪素原子を含む気体状分子と酸化性ガスが
ノズル出口まぎわで反応をおこしてノズル出口をつめて
しまうことがないようにするために珪素原子を含む気体
状分子、酸化性ガスおよび分離用不活性ガスをそれぞれ
別々に導きそれぞれ別々の円またはスリット状吹出口か
ら別々に吹きつける分離型ノズルが用いられるのが通常
であり、本発明においてもこの様な分離型ノズルおよび
分離用不活性ガスを用いている。
分子と酸化性ガスとの反応が主として基材表面でおこる
ように、また珪素原子を含む気体状分子と酸化性ガスが
ノズル出口まぎわで反応をおこしてノズル出口をつめて
しまうことがないようにするために珪素原子を含む気体
状分子、酸化性ガスおよび分離用不活性ガスをそれぞれ
別々に導きそれぞれ別々の円またはスリット状吹出口か
ら別々に吹きつける分離型ノズルが用いられるのが通常
であり、本発明においてもこの様な分離型ノズルおよび
分離用不活性ガスを用いている。
本発明の気相析出条件は、例えば上記分離型ノズル、不
活性ガスで希釈されたＳｉＨ４ガス中のＳｉＨ４ガス濃
度Ｘに対する不活性ガスで希釈された０２ガス中のＯ２
ガス濃度Ｙの比Ｙ／Ｘが１０−’１０の同原料ガスおよ
び分離用不活性ガスを用い、不活性ガスで希釈されたＳ
ｉＨ４ガス流ＭＡに対する不活性ガスで希釈された０２
ガスの流量Ｂの比Ｂ／Ａが０．６−ｊでありかつ不活性
ガスで希釈されたＳｉＨ４ガスの流ａｈと不活性ガスで
希釈された０２ガス流景Ｂとの和（Ａ＋Ｂ）に対する分
離用不活性ガス流量Ｃの比Ｃ／（Ａ＋Ｂ）が０．／〜ｉ
、ｓであるように各ガスの流量を調整することで達成さ
れる。
活性ガスで希釈されたＳｉＨ４ガス中のＳｉＨ４ガス濃
度Ｘに対する不活性ガスで希釈された０２ガス中のＯ２
ガス濃度Ｙの比Ｙ／Ｘが１０−’１０の同原料ガスおよ
び分離用不活性ガスを用い、不活性ガスで希釈されたＳ
ｉＨ４ガス流ＭＡに対する不活性ガスで希釈された０２
ガスの流量Ｂの比Ｂ／Ａが０．６−ｊでありかつ不活性
ガスで希釈されたＳｉＨ４ガスの流ａｈと不活性ガスで
希釈された０２ガス流景Ｂとの和（Ａ＋Ｂ）に対する分
離用不活性ガス流量Ｃの比Ｃ／（Ａ＋Ｂ）が０．／〜ｉ
、ｓであるように各ガスの流量を調整することで達成さ
れる。
上記各種ガスおよび各流量として、ＳｉＨ４が２．５−
４．（７Ｖ０１％のＮ２希釈ＳｉＨ４ガス、分離用Ｎ２
ガス。
４．（７Ｖ０１％のＮ２希釈ＳｉＨ４ガス、分離用Ｎ２
ガス。
ｏ２が２Ｏ−４０ＶＯＩ％のＮ２希釈０２ガスをそれぞ
れ八ざ〜＋２． ｊ ｌ／ｍｉｎ 、 ＯＪ 〜ｊ ｌ
／ｍｉｎ 、２．０〜コ、ｊＡ’／ｍ１ｎ（各室温）
の各流全流すことが例示できる。
れ八ざ〜＋２． ｊ ｌ／ｍｉｎ 、 ＯＪ 〜ｊ ｌ
／ｍｉｎ 、２．０〜コ、ｊＡ’／ｍ１ｎ（各室温）
の各流全流すことが例示できる。
上記条件中で、分離用不活性ガスの流量Ｃは非常に重要
であり、分離用不活性ガス流量が少ないとノズルの閉塞
がおこりやすく連続的に安定した被膜生成が望めない。
であり、分離用不活性ガス流量が少ないとノズルの閉塞
がおこりやすく連続的に安定した被膜生成が望めない。
又分離用不活性ガス流量が多いとノズルと基板の間で生
じた二酸化珪素粒子が被膜中に混入されず凹凸を有する
被膜が得られない。
じた二酸化珪素粒子が被膜中に混入されず凹凸を有する
被膜が得られない。
これ以外であってもかまわない。又シランガスにＰＨ３
又はＴｉ（ＯＣ２Ｈ５）４を混入させておくことで５ｉ
０２とｐ２ｏ５又は５ｉ０２とＴｉＯ２の混合被膜を作
成することができる。
又はＴｉ（ＯＣ２Ｈ５）４を混入させておくことで５ｉ
０２とｐ２ｏ５又は５ｉ０２とＴｉＯ２の混合被膜を作
成することができる。
又上記方法で作成した被膜上にさらに他の被膜作成方法
により被膜を作成することも可能であり、この方法は太
陽電池基板のように非常に高い形状精度の要求される被
膜作成の際表面形状をこまかく制御するのに有用である
。
により被膜を作成することも可能であり、この方法は太
陽電池基板のように非常に高い形状精度の要求される被
膜作成の際表面形状をこまかく制御するのに有用である
。
ノズルと基材表面との間で形成される二酸化珪素粒子は
直径２０−！；００ｎｍのものが好まれる。ここで直径
！； ００ｎｍより大きな粒子又は直径−〇ｎｍより小
さな粒子では被膜中に含まれＧでくいため適当な凹凸度
を持った被膜が得られにくい。
直径２０−！；００ｎｍのものが好まれる。ここで直径
！； ００ｎｍより大きな粒子又は直径−〇ｎｍより小
さな粒子では被膜中に含まれＧでくいため適当な凹凸度
を持った被膜が得られにくい。
第１図に示すよりな二酸化珪素含有被膜製造装置を作成
した。
した。
二酸化珪素含有被膜製造装置／は、主として基板の加熱
炉２．コーティング炉３．徐冷炉ゲ、搬送用ベルトｓか
らなり、搬送用ベルトｓ装置かれた基板６が順次加熱炉
内→コーティング炉内→徐冷炉内へ移動できるようにな
っている。
炉２．コーティング炉３．徐冷炉ゲ、搬送用ベルトｓか
らなり、搬送用ベルトｓ装置かれた基板６が順次加熱炉
内→コーティング炉内→徐冷炉内へ移動できるようにな
っている。
コーティング炉３内には、排気用チャンハーフが、又排
気用チャンバー７内には、分離型ノズルざが設けられて
いる。分離型ノズルｇにはＳｉＨ４ガス用流路り７分離
ガス用流路１０，０２ガス用流路／／が設けられており
、分離型ノズル♂のスリット状出口／２ 、 ／３ 、
／ｌＩからそれぞれ独立に原料ガスおよび分離ガスを
層流として吹き出せるようになっている。
気用チャンバー７内には、分離型ノズルざが設けられて
いる。分離型ノズルｇにはＳｉＨ４ガス用流路り７分離
ガス用流路１０，０２ガス用流路／／が設けられており
、分離型ノズル♂のスリット状出口／２ 、 ／３ 、
／ｌＩからそれぞれ独立に原料ガスおよび分離ガスを
層流として吹き出せるようになっている。
上記二酸化珪素含有被膜製造装置ｌを用いてガラス基板
％上に二酸化珪素被膜を以下の手順で作成した。
％上に二酸化珪素被膜を以下の手順で作成した。
大きさが１００ｍｍ角厚さ／膓のソーダライムガラスを
十分に洗浄、乾燥し試料ガラス基板６とした。
十分に洗浄、乾燥し試料ガラス基板６とした。
このガラス基板乙をＪ （７Ｃｍ／ｍｉｎの速度で移動
している搬送用ベルトｓ上に乗せ加熱炉内でよ２０°Ｃ
に加熱した。
している搬送用ベルトｓ上に乗せ加熱炉内でよ２０°Ｃ
に加熱した。
ガラス基板６がコーティング類３に搬入される前ＫＳｉ
Ｈ４を＊、（＋ｖｏ１％含有するＮ２希釈ＳｉＨ４ガス
。
Ｈ４を＊、（＋ｖｏ１％含有するＮ２希釈ＳｉＨ４ガス
。
分離用Ｎ２ガス、０２を４Ｚ Ｊ ｖｏ１％含有するＮ
２希釈０２ガスをそれぞれ２．３ ｌ／ｍｉｎ 、 ／
、 Ｏｌ ／ｍｉｎ 、ｊ、 ＩＩ ｌ／ｍ１ｎ（室
温）の流量でＳｉＨルガス用ガス流路９１分離ガス用流
路１０，０２ガス用ガス流路／ｌを通してスリット状出
口／２ 、 ／３ 、 ／ｌより吹き出させた。
２希釈０２ガスをそれぞれ２．３ ｌ／ｍｉｎ 、 ／
、 Ｏｌ ／ｍｉｎ 、ｊ、 ＩＩ ｌ／ｍ１ｎ（室
温）の流量でＳｉＨルガス用ガス流路９１分離ガス用流
路１０，０２ガス用ガス流路／ｌを通してスリット状出
口／２ 、 ／３ 、 ／ｌより吹き出させた。
ガスの流出をはじめると共に排気用チャンバー７内を排
気流Ｊｌ ｒ ｒ ｌ！ ／ｍｉｎで排気した。
気流Ｊｌ ｒ ｒ ｌ！ ／ｍｉｎで排気した。
コーティング類３に搬入されたガラス基板６上には、二
酸化珪素被膜１５が形成された。
酸化珪素被膜１５が形成された。
本実施例において、分離型ノズルｊとガラス基＆ｔとの
間隔は約２ｃｍであったが分離型ノズルよしていた。
間隔は約２ｃｍであったが分離型ノズルよしていた。
コーティング類３を通過したガラス基板乙は徐冷炉ダ内
へ搬入され室温まで徐冷された。
へ搬入され室温まで徐冷された。
ガラス基板６上に作成された二酸化珪素被膜ｌｊの厚み
は約２００ ｎｍであり、該被膜には半径約！；００ｎ
ｒｎ、高さ約３ｏ ｏ ｎｍ の半球状の凸部が形成さ
れていることが電子顕微鏡観察よりあきらかになった。
は約２００ ｎｍであり、該被膜には半径約！；００ｎ
ｒｎ、高さ約３ｏ ｏ ｎｍ の半球状の凸部が形成さ
れていることが電子顕微鏡観察よりあきらかになった。
第２図に該二酸化珪素被膜上に形成された凸部の粒子の
形状を示す電子顕微鏡写真を示す。
形状を示す電子顕微鏡写真を示す。
被膜に含まれる凸部の形状および単位面積あたりの数は
その総合効果として、光を基板に垂直に入射した場合の
入射光の散乱度合（ヘイズ率）として表わすことができ
る。ここで得られた試料のヘイズ率を航空機用メタクリ
ル樹脂板の曇価測定法（ＪＩＳ、に−６７／１Ｉ（ｔり
７７））により測定したところ約５％であった。表面に
凹凸のない５ｉ０２膜をコートした試料のヘイズ率０．
２％とくらべると大きな値であり、太陽電池基板として
適していることがわかる。
その総合効果として、光を基板に垂直に入射した場合の
入射光の散乱度合（ヘイズ率）として表わすことができ
る。ここで得られた試料のヘイズ率を航空機用メタクリ
ル樹脂板の曇価測定法（ＪＩＳ、に−６７／１Ｉ（ｔり
７７））により測定したところ約５％であった。表面に
凹凸のない５ｉ０２膜をコートした試料のヘイズ率０．
２％とくらべると大きな値であり、太陽電池基板として
適していることがわかる。
原料ガスの組成をＳｉＨ４を０．９ ｖｏ１％含有する
Ｎ２希釈ＳｉＨ４ガス、０２を２４ ｖｏ１％含有する
Ｎ２希釈０２ガスとし、５ｉ）（４系ガス、分離用Ｎ２
ガス、０２系ガス流量を２．２ ／／ｍｉｎ 、 ／
Ｏｌ／ｍｉｎ 、 ２．’ｌ ｌ／ｍｉｎ （室温）と
した以外は、実施例と同様にガラス基板上に二酸化珪素
被膜を作成した。
Ｎ２希釈ＳｉＨ４ガス、０２を２４ ｖｏ１％含有する
Ｎ２希釈０２ガスとし、５ｉ）（４系ガス、分離用Ｎ２
ガス、０２系ガス流量を２．２ ／／ｍｉｎ 、 ／
Ｏｌ／ｍｉｎ 、 ２．’ｌ ｌ／ｍｉｎ （室温）と
した以外は、実施例と同様にガラス基板上に二酸化珪素
被膜を作成した。
本例においてはノズルとガラス板との間で二酸化珪素粒
子が生成しないため表面が平滑な二酸化珪素被膜が作成
された。二酸化珪素被膜の膜厚は約ｔｏｎｍであった。
子が生成しないため表面が平滑な二酸化珪素被膜が作成
された。二酸化珪素被膜の膜厚は約ｔｏｎｍであった。
本発明によれば、これまで表面が平滑な二酸化珪素含有
被膜を形成する装置として一般に用いられてきたＣＶＤ
法による被膜形成装置を用いて表面凹凸形状を有する二
酸化珪素被膜を作成できる。
被膜を形成する装置として一般に用いられてきたＣＶＤ
法による被膜形成装置を用いて表面凹凸形状を有する二
酸化珪素被膜を作成できる。
また、実施例からも明らがなとおり、本発明によれば連
続的に基板上に表面凹凸形状を有する被膜を作成するこ
とが可能であり、さらに、透明電極を形成するＣＶＤ法
の装置と連続させることにより、基板の表面凹凸化処理
および透明導電膜作成を連続して行なうことができる。
続的に基板上に表面凹凸形状を有する被膜を作成するこ
とが可能であり、さらに、透明電極を形成するＣＶＤ法
の装置と連続させることにより、基板の表面凹凸化処理
および透明導電膜作成を連続して行なうことができる。
上記表面凹凸化処理と透明導電膜作成がほぼｌっの工程
により達成されることは、太陽電池基板の作成方法とし
て非常に大きな利点となる。
により達成されることは、太陽電池基板の作成方法とし
て非常に大きな利点となる。
第１図は本発明の実施例に使用した二酸化珪素含有被膜
製造装置の概略を示す断面図、第２図は本実施例で作成
した二酸化珪素被膜上の凸部粒子の形状を示す電子顕微
鏡写真である。 第１図 ：；ン 箋 ２ 区（ ？ ；５、いｚ！Ｌ′ 手 続 補 正 書 昭和６０年９月ケ日
製造装置の概略を示す断面図、第２図は本実施例で作成
した二酸化珪素被膜上の凸部粒子の形状を示す電子顕微
鏡写真である。 第１図 ：；ン 箋 ２ 区（ ？ ；５、いｚ！Ｌ′ 手 続 補 正 書 昭和６０年９月ケ日
Claims (3)
- （１）加熱した基材表面に珪素原子を含む気体状分子と
酸化性ガスおよび両ガスを分離する分離用ガスとを分離
型ノズルより吹きつけて基材表面に二酸化珪素を含む被
膜を析出させる二酸化珪素含有被膜の製造方法において
、珪素原子を含む気体状分子のガスの濃度、酸化性ガス
の濃度および各ガスの流量を制御して該気体状分子と酸
化性ガスとをノズルと基材表面との間で部分的に反応さ
せながら前記析出を行なって、析出被膜中に該部分的反
応により生じた二酸化珪素粒子を混入させて該被膜を凹
凸形状のあるものとすることを特徴とする二酸化珪素含
有被膜の製造方法。 - （２）該二酸化珪素粒子の直径が２０〜５００ｎｍであ
る特許請求の範囲第１項記載の二酸化珪素含有被膜の製
造方法。 - （３）珪素原子を含む気体状分子と酸化性ガスと分離用
ガスとを下記条件式（ｉ）を満たす状態で下記条件式（
ｉｉ）を満たす各流量吹きつける特許請求の範囲第１項
又は第２項記載の二酸化珪素含有被膜の製造方法。 （ｉ）不活性ガスで希釈されたＳｉＨ＿４ガス中のＳｉ
Ｈ＿４ガス濃度Ｘに対する不活性ガスで希釈されたＯ＿
２ガス中のＯ＿２ガス濃度Ｙの比Ｙ／Ｘが１０〜４０ （ｉｉ）不活性ガスで希釈されたＳｉＨ＿４ガス流量Ａ
に対する不活性ガスで希釈されたＯ＿２ガスの流量Ｂの
比Ｂ／Ａが０．５〜２でありかつ不活性ガスで希釈され
たＳｉＨ＿４ガスの流量Ａと不活性ガスで希釈されたＯ
＿２ガス流量Ｂとの和Ａ＋Ｂに対する分離用不活性ガス
流量Ｃの比Ｃ／（Ａ＋Ｂ）が０．１〜１．５
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60182779A JPS6244573A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 二酸化珪素含有被膜の製造方法 |
| DE8686401846T DE3677096D1 (de) | 1985-08-20 | 1986-08-20 | Verfahren zum niederschlagen einer siliziumdioxydbeschichtung mit einer unregelmaessigen oberflaeche auf einem glassubstrat. |
| ES8601229A ES2001248A6 (es) | 1985-08-20 | 1986-08-20 | Capa de silice de superficie irregular depositada capa de silice de superficie irregular despositadasobre un sustrato, en particular de vidrio y produ sobre un substrato, en particular de vidrio y producto de obtencion. cto de obtencion. |
| AT86401846T ATE60315T1 (de) | 1985-08-20 | 1986-08-20 | Verfahren zum niederschlagen einer siliziumdioxydbeschichtung mit einer unregelmaessigen oberflaeche auf einem glassubstrat. |
| EP86401846A EP0213045B1 (fr) | 1985-08-20 | 1986-08-20 | Procédé pour le dépôt d'une couche de silice à surface irrégulière sur un substrat en verre |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60182779A JPS6244573A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 二酸化珪素含有被膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6244573A true JPS6244573A (ja) | 1987-02-26 |
Family
ID=16124269
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60182779A Pending JPS6244573A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 二酸化珪素含有被膜の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0213045B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6244573A (ja) |
| AT (1) | ATE60315T1 (ja) |
| DE (1) | DE3677096D1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6504139B1 (en) | 1999-05-28 | 2003-01-07 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Substrate for photoelectric conversion device, method of manufacturing the same, and photoelectric conversion device using the same |
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| WO2003064345A1 (fr) * | 2002-01-31 | 2003-08-07 | Nippon Sheet Glass Company, Limited | Procede de production de plaque de verre a film mince et plaque de verre |
Families Citing this family (4)
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|---|---|---|---|---|
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| GB8914047D0 (en) * | 1989-06-19 | 1989-08-09 | Glaverbel | Method of and apparatus for pyrolytically forming an oxide coating on a hot glass substrate |
| FR2679898B1 (fr) * | 1991-07-31 | 1993-11-05 | Air Liquide | Procede de formation d'une couche de silice sur une surface d'un objet en verre. |
| FR2689118B1 (fr) * | 1992-03-26 | 1997-11-14 | Air Liquide | Procede de formation d'un depot de silice sur une surface d'un objet en verre. |
Family Cites Families (2)
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1986
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- 1986-08-20 EP EP86401846A patent/EP0213045B1/fr not_active Expired - Lifetime
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|---|---|---|---|---|
| US6504139B1 (en) | 1999-05-28 | 2003-01-07 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Substrate for photoelectric conversion device, method of manufacturing the same, and photoelectric conversion device using the same |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0213045B1 (fr) | 1991-01-23 |
| ATE60315T1 (de) | 1991-02-15 |
| EP0213045A3 (en) | 1987-05-20 |
| EP0213045A2 (fr) | 1987-03-04 |
| DE3677096D1 (de) | 1991-02-28 |
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