JP2001052376A - 相変化光ディスク - Google Patents
相変化光ディスクInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 良好な再生信号を得ることのできる高密度相
変化光ディスクを提供することを目的とする。 【解決手段】 透明基板２１上に第１誘電体層２２と、
再生光の照射により光スポットの内部に部分的に位相ず
れが発生されて再生光の光経路が変化する二つの領域が
形成される位相調節層２３、第２誘電体層２４、記録光
の照射により結晶状態と非晶質状態とに可逆変化する相
変化記録層２５、第３誘電体層２６、反射層２７及び保
護層２９が順に積層されてなる多層膜構造をもち、情報
再生時に前記位相調節層の各領域での反射光の位相ずれ
により記録マークに対する情報再生が可能なので有効な
再生光のスポット径が小さくなる効果が得られ、これに
より隣接トラックから混入される信号が減少されて高密
度化及び再生信号の分解能の向上が図れるようになった
相変化光ディスク。
変化光ディスクを提供することを目的とする。 【解決手段】 透明基板２１上に第１誘電体層２２と、
再生光の照射により光スポットの内部に部分的に位相ず
れが発生されて再生光の光経路が変化する二つの領域が
形成される位相調節層２３、第２誘電体層２４、記録光
の照射により結晶状態と非晶質状態とに可逆変化する相
変化記録層２５、第３誘電体層２６、反射層２７及び保
護層２９が順に積層されてなる多層膜構造をもち、情報
再生時に前記位相調節層の各領域での反射光の位相ずれ
により記録マークに対する情報再生が可能なので有効な
再生光のスポット径が小さくなる効果が得られ、これに
より隣接トラックから混入される信号が減少されて高密
度化及び再生信号の分解能の向上が図れるようになった
相変化光ディスク。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はレーザ光の照射によ
り位相調節層の光学特性が変化する相変化光ディスクに
係り、特に、光ディスクの高密度化に従い記録マーク径
が減少しても再生信号の分解能が向上されて高密度の光
記録が可能な相変化光ディスクに関する。
り位相調節層の光学特性が変化する相変化光ディスクに
係り、特に、光ディスクの高密度化に従い記録マーク径
が減少しても再生信号の分解能が向上されて高密度の光
記録が可能な相変化光ディスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】相変化光ディスクは、レーザ光の照射に
より情報の記録、再生、消去を行なう光学的情報記録媒
体であって、光ヘッドの構成が割に容易であり、記録及
び消去を同時に行なう、所謂書き換え（ｏｖｅｒｗｒｉ
ｔｅ）がし易いという理由から、高密度化のための研究
が盛んになされている。
より情報の記録、再生、消去を行なう光学的情報記録媒
体であって、光ヘッドの構成が割に容易であり、記録及
び消去を同時に行なう、所謂書き換え（ｏｖｅｒｗｒｉ
ｔｅ）がし易いという理由から、高密度化のための研究
が盛んになされている。
【０００３】図１は、この種の相変化光ディスクの垂直
断面図である。これを参照すれば、従来の相変化光ディ
スクは、例えば、透明なアクリル樹脂材やポリカーボネ
ート（Ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ；ＰＣ）材質から形
成された透明基板１１上に第１誘電体層１２と、再生光
の照射によりその光特性が変化する相変化形材料から形
成された相変化記録層１３と、第２誘電体層１４及び反
射層１５が順に積層された多層膜構造となっている。
断面図である。これを参照すれば、従来の相変化光ディ
スクは、例えば、透明なアクリル樹脂材やポリカーボネ
ート（Ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ；ＰＣ）材質から形
成された透明基板１１上に第１誘電体層１２と、再生光
の照射によりその光特性が変化する相変化形材料から形
成された相変化記録層１３と、第２誘電体層１４及び反
射層１５が順に積層された多層膜構造となっている。
【０００４】このような多層膜構造において、通常、前
記第１誘電体層１２及び第２誘電体層１４の材質として
はＺｎＳ-ＳｉＯ2が用いられ、相変化記録層１３の材質
としてはＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5が用いられ、反射層１５の材
質としてはアルミニウム（Ａｌ）またはその合金が用い
られる。
記第１誘電体層１２及び第２誘電体層１４の材質として
はＺｎＳ-ＳｉＯ2が用いられ、相変化記録層１３の材質
としてはＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5が用いられ、反射層１５の材
質としてはアルミニウム（Ａｌ）またはその合金が用い
られる。
【０００５】このように多層膜構造をもつ従来の相変化
光ディスク１０では、入射されるレーザ光のパワー及び
冷却速度に応じてレーザ光が当てられたところの相変化
記録層１３が結晶状態、または非晶質状態となって光特
性が変わるという特性を利用して情報の記録、再生を行
なっていた。すなわち、記録は、レーザ光の照射により
結晶状態に初期化された相変化記録層１３を高いパワー
の記録パルスで溶融させた後に、急冷により非晶質化さ
せて記録マークを生成することにより可能になる。ま
た、光ディスクに入射されたレーザ光が相変化記録層１
３から反射されるとき、結晶状態と非晶質状態とでの光
反射率が異なるため、記録マークによる情報はその反射
率差を光検出器で検出して電気的信号として再生するこ
とになる。また、記録マークを消去する場合には、低い
パワーの消去パルスによって非晶質層の記録マークを結
晶化させることにより記録マークが消去される。
光ディスク１０では、入射されるレーザ光のパワー及び
冷却速度に応じてレーザ光が当てられたところの相変化
記録層１３が結晶状態、または非晶質状態となって光特
性が変わるという特性を利用して情報の記録、再生を行
なっていた。すなわち、記録は、レーザ光の照射により
結晶状態に初期化された相変化記録層１３を高いパワー
の記録パルスで溶融させた後に、急冷により非晶質化さ
せて記録マークを生成することにより可能になる。ま
た、光ディスクに入射されたレーザ光が相変化記録層１
３から反射されるとき、結晶状態と非晶質状態とでの光
反射率が異なるため、記録マークによる情報はその反射
率差を光検出器で検出して電気的信号として再生するこ
とになる。また、記録マークを消去する場合には、低い
パワーの消去パルスによって非晶質層の記録マークを結
晶化させることにより記録マークが消去される。
【０００６】前述のように、相変化光ディスクは、記録
密度が高くなるに従い記録マーク径が小さくなる。すな
わち、記録マーク径が小さくなると、信号再生時に隣接
マークから信号が混入されて再生信号の特性が不良にな
るだけでなく、再生信号の分解能が悪くなる。
密度が高くなるに従い記録マーク径が小さくなる。すな
わち、記録マーク径が小さくなると、信号再生時に隣接
マークから信号が混入されて再生信号の特性が不良にな
るだけでなく、再生信号の分解能が悪くなる。
【０００７】相変化光ディスクの再生信号の分解能は、
光学系のレーザ波長（λ）と対物レンズの開口数（Ｎ
Ａ）とによって決定される。すなわち、光ディスクに形
成された記録マーク（または、ピット）径が回折限界値
（＝λ／２ＮＡ）よりも小さくなると再生信号の特性が
悪くなり、光ディスクに形成された記録マーク（また
は、ピット）径が回折限界値（＝λ／２ＮＡ）よりも大
きくなると再生信号の特性が良くなる。
光学系のレーザ波長（λ）と対物レンズの開口数（Ｎ
Ａ）とによって決定される。すなわち、光ディスクに形
成された記録マーク（または、ピット）径が回折限界値
（＝λ／２ＮＡ）よりも小さくなると再生信号の特性が
悪くなり、光ディスクに形成された記録マーク（また
は、ピット）径が回折限界値（＝λ／２ＮＡ）よりも大
きくなると再生信号の特性が良くなる。
【０００８】したがって、相変化光ディスクに高密度で
情報を記録するためには、レーザ光の波長を短く、か
つ、対物レンズの開口数（ＮＡ）を増やす必要がある。
情報を記録するためには、レーザ光の波長を短く、か
つ、対物レンズの開口数（ＮＡ）を増やす必要がある。
【０００９】しかし、レーザ光の短波長化及び対物レン
ズの開口数（ＮＡ）の増加には限界があり、特に、対物
レンズの開口数（ＮＡ）を増やすためには小さい収差値
をもつレンズが必要になるが、現実的にその製造は難し
く、しかも小さい収差値をもつレンズはディスクのスキ
ュー及び振動によるフォーカスの安定性に問題がある。
ズの開口数（ＮＡ）の増加には限界があり、特に、対物
レンズの開口数（ＮＡ）を増やすためには小さい収差値
をもつレンズが必要になるが、現実的にその製造は難し
く、しかも小さい収差値をもつレンズはディスクのスキ
ュー及び振動によるフォーカスの安定性に問題がある。
【００１０】したがって、相変化光ディスクの高密度化
を図るためには、隣接マークから混入される信号を除去
して再生時に信号を良好にするための超解像再生方法が
望まれる。
を図るためには、隣接マークから混入される信号を除去
して再生時に信号を良好にするための超解像再生方法が
望まれる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明は前記事情に鑑
みてなされたものであり、その目的は、光記録媒体に対
して光情報の記録／再生を行なうとき、高密度光記録の
ために記録マーク径が減少しても隣接マークから混入さ
れる信号を除去して良好な再生信号を得ることのできる
高密度相変化光ディスクを提供することである。
みてなされたものであり、その目的は、光記録媒体に対
して光情報の記録／再生を行なうとき、高密度光記録の
ために記録マーク径が減少しても隣接マークから混入さ
れる信号を除去して良好な再生信号を得ることのできる
高密度相変化光ディスクを提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明に係る相変化光ディスクは、透明基板上に薄
膜形成された少なくとも一つの第１誘電体層と、記録光
の照射により結晶状態と非晶質状態とに可逆変化する相
変化記録層と、反射層と、前記基板と前記反射層との間
に挟まれると共に、再生光の照射により光スポットの内
部に部分的に位相ずれが発生されて再生光の光経路が変
化する二つの領域が形成される位相調節層とが具備され
たことを特徴とする。
に、本発明に係る相変化光ディスクは、透明基板上に薄
膜形成された少なくとも一つの第１誘電体層と、記録光
の照射により結晶状態と非晶質状態とに可逆変化する相
変化記録層と、反射層と、前記基板と前記反射層との間
に挟まれると共に、再生光の照射により光スポットの内
部に部分的に位相ずれが発生されて再生光の光経路が変
化する二つの領域が形成される位相調節層とが具備され
たことを特徴とする。
【００１３】本発明によれば、前記基板上に第１誘電体
層と、再生光の照射により光スポットの内部に部分的に
位相ずれが発生されて光経路が変化する二つの領域が形
成される位相調節層、第２誘電体層、記録光の照射によ
り結晶状態と非晶質状態とに可逆変化する相変化記録
層、第３誘電体層、反射層及び保護層が順に積層されて
なる。
層と、再生光の照射により光スポットの内部に部分的に
位相ずれが発生されて光経路が変化する二つの領域が形
成される位相調節層、第２誘電体層、記録光の照射によ
り結晶状態と非晶質状態とに可逆変化する相変化記録
層、第３誘電体層、反射層及び保護層が順に積層されて
なる。
【００１４】本発明によれば、前記位相調節層に形成さ
れる二つの領域のうちいずれか一方の領域では位相ずれ
が最小０°になり、他方の領域では位相ずれが最大１８
０°になることが好ましい。また、前記位相調節層の材
質としては、再生光の照射により結晶状態と非晶質状態
とに可逆変化したり、あるいは第１結晶状態と第２結晶
状態との間で変化する相変化形材料が用いられるが、好
ましくは、ＧｅＳｂＴｅ系、ＩｎＳｂＴｅ系、ＡｇＩｎ
ＳｂＴｅ系、Ａｕ及びＮｉよりなる群から選ばれたいず
れか一種の材質から形成される。
れる二つの領域のうちいずれか一方の領域では位相ずれ
が最小０°になり、他方の領域では位相ずれが最大１８
０°になることが好ましい。また、前記位相調節層の材
質としては、再生光の照射により結晶状態と非晶質状態
とに可逆変化したり、あるいは第１結晶状態と第２結晶
状態との間で変化する相変化形材料が用いられるが、好
ましくは、ＧｅＳｂＴｅ系、ＩｎＳｂＴｅ系、ＡｇＩｎ
ＳｂＴｅ系、Ａｕ及びＮｉよりなる群から選ばれたいず
れか一種の材質から形成される。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、添付した図面に基づき、本
発明の好適な実施形態について詳細に説明する。図２を
参照すれば、本発明に係る相変化光ディスク２０は、例
えば、透明なアクリル樹脂材やポリカーボネート材質か
ら形成された透明基板２１上に第１誘電体層２２と、位
相調節層２３、第２誘電体層２４、相変化記録層２５、
第３誘電体層２６、反射層２７及び保護層２９が順に積
層されてなる多層膜構造をもつ。
発明の好適な実施形態について詳細に説明する。図２を
参照すれば、本発明に係る相変化光ディスク２０は、例
えば、透明なアクリル樹脂材やポリカーボネート材質か
ら形成された透明基板２１上に第１誘電体層２２と、位
相調節層２３、第２誘電体層２４、相変化記録層２５、
第３誘電体層２６、反射層２７及び保護層２９が順に積
層されてなる多層膜構造をもつ。
【００１６】一方、本発明の他の実施形態による光ディ
スク２０'として、図２に示すような多層膜構造におい
て、前記反射層２７と前記保護層２９との間に図３に示
すように第４誘電体層２８がさらに形成されることもで
きる。
スク２０'として、図２に示すような多層膜構造におい
て、前記反射層２７と前記保護層２９との間に図３に示
すように第４誘電体層２８がさらに形成されることもで
きる。
【００１７】本発明によれば、前記のような多層膜構造
において、前記位相調節層２３は高いパワーをもつ再生
光の照射により、図４に示すような温度分布をもつ。こ
の温度分布によれば、位相調節層２３は、遷移点（Ｔｒ
ａｎｓｉｔｉｏｎ Ｐｏｉｎｔ；ＴＰ）を基準として温
度が高い領域と温度が低い領域とに分けられる。この温
度分布に応じて屈折率が変化するため、位相ずれが発生
される。
において、前記位相調節層２３は高いパワーをもつ再生
光の照射により、図４に示すような温度分布をもつ。こ
の温度分布によれば、位相調節層２３は、遷移点（Ｔｒ
ａｎｓｉｔｉｏｎ Ｐｏｉｎｔ；ＴＰ）を基準として温
度が高い領域と温度が低い領域とに分けられる。この温
度分布に応じて屈折率が変化するため、位相ずれが発生
される。
【００１８】すなわち、温度が高い領域がマスク領域
（図中、Ｍにて表示）となり、温度が低い領域がアパー
チャ領域（図中、Ａにて表示）となるが、前記マスク領
域では記録マークの周囲スペースが反射率が同じく位相
ずれが０°になって反射量が０になる。また前記アパー
チャ領域では記録マークと周囲スペースとで反射率が同
じく位相ずれが１８０°になって反射率が最大となる。
（図中、Ｍにて表示）となり、温度が低い領域がアパー
チャ領域（図中、Ａにて表示）となるが、前記マスク領
域では記録マークの周囲スペースが反射率が同じく位相
ずれが０°になって反射量が０になる。また前記アパー
チャ領域では記録マークと周囲スペースとで反射率が同
じく位相ずれが１８０°になって反射率が最大となる。
【００１９】このように、光スポットの内部に部分的に
位相ずれが発生されて再生光の光経路が変化する二つの
領域が形成されるが、二つの領域のうちいずれか一方の
領域では位相ずれが最小０°になり、他方の領域では位
相ずれが最大１８０°になる。
位相ずれが発生されて再生光の光経路が変化する二つの
領域が形成されるが、二つの領域のうちいずれか一方の
領域では位相ずれが最小０°になり、他方の領域では位
相ずれが最大１８０°になる。
【００２０】一方、前記位相調節層２３は、再生光の照
射により結晶状態と非晶質状態とに可逆変化したり、あ
るいは第１結晶状態と第２結晶状態との間で変化する相
変化形材料として、ＧｅＳｂＴｅ系、ＩｎＳｂＴｅ系、
ＡｇＩｎＳｂＴｅ系、Ａｕ及びＮｉよりなる群から選ば
れたいずれか一種の材質から形成される。
射により結晶状態と非晶質状態とに可逆変化したり、あ
るいは第１結晶状態と第２結晶状態との間で変化する相
変化形材料として、ＧｅＳｂＴｅ系、ＩｎＳｂＴｅ系、
ＡｇＩｎＳｂＴｅ系、Ａｕ及びＮｉよりなる群から選ば
れたいずれか一種の材質から形成される。
【００２１】そして、前記相変化記録層２５は記録光の
照射により結晶状態と非晶質状態とに可逆変化するもの
であって、ＧｅＳｂＴｅ系、ＩｎＳｂＴｅ系、またはＡ
ｇＩｎＳｂＴｅ系の材質から形成される。
照射により結晶状態と非晶質状態とに可逆変化するもの
であって、ＧｅＳｂＴｅ系、ＩｎＳｂＴｅ系、またはＡ
ｇＩｎＳｂＴｅ系の材質から形成される。
【００２２】また、前記第１誘電体層２２と第２誘電体
層２４及び第３誘電体層２６は相変化記録層２５の結晶
質と非晶質との間の光吸収率及び反射率を調節するため
のものであって、通常、低屈折率のものが用いられる
が、好ましくは、Ａｌ2Ｏ3、ＺｎＳ-ＳｉＯ2、Ｓｉ
3Ｎ4、ＳｉＯ2、ＭｇＦ2、ＮａＦ2、ＬｉＦ2、ＣａＦ2
またはＡｌＦ2が用いられる。
層２４及び第３誘電体層２６は相変化記録層２５の結晶
質と非晶質との間の光吸収率及び反射率を調節するため
のものであって、通常、低屈折率のものが用いられる
が、好ましくは、Ａｌ2Ｏ3、ＺｎＳ-ＳｉＯ2、Ｓｉ
3Ｎ4、ＳｉＯ2、ＭｇＦ2、ＮａＦ2、ＬｉＦ2、ＣａＦ2
またはＡｌＦ2が用いられる。
【００２３】前記反射層２７は高品質の金属材、例え
ば、Ａｌ、Ａｌ-Ｔｉ系、Ｃｕ、Ａｕまたはこれらの合
金材から形成できる。
ば、Ａｌ、Ａｌ-Ｔｉ系、Ｃｕ、Ａｕまたはこれらの合
金材から形成できる。
【００２４】前記のように多層膜構造をもつ本発明に係
る相変化光ディスクによれば、記録は、レーザ光の照射
により結晶状態に初期化された相変化記録層２５を高い
パワーの記録パルスによって溶融させた後に、急冷によ
り非晶質化させて記録マークを生成することにより可能
になる。
る相変化光ディスクによれば、記録は、レーザ光の照射
により結晶状態に初期化された相変化記録層２５を高い
パワーの記録パルスによって溶融させた後に、急冷によ
り非晶質化させて記録マークを生成することにより可能
になる。
【００２５】そして、情報再生時に、前記位相調節層２
３は、再生光の照射による温度上昇によって屈折率が変
わり、これにより再生光の光経路が変わって図４に示さ
れたように再生光のスポット（Ｌａｓｅｒ Ｓｐｏｔ；
ＬＳ）の内部に部分的に位相ずれが発生される二つの領
域、すなわち、マスク領域Ｍとアパーチャ領域Ａとが形
成され、各領域での反射光の位相ずれによって記録マー
ク（または、ピット；Ｐ）に対する情報の再生が可能に
なる。
３は、再生光の照射による温度上昇によって屈折率が変
わり、これにより再生光の光経路が変わって図４に示さ
れたように再生光のスポット（Ｌａｓｅｒ Ｓｐｏｔ；
ＬＳ）の内部に部分的に位相ずれが発生される二つの領
域、すなわち、マスク領域Ｍとアパーチャ領域Ａとが形
成され、各領域での反射光の位相ずれによって記録マー
ク（または、ピット；Ｐ）に対する情報の再生が可能に
なる。
【００２６】すなわち、前記マスク領域Ｍでの記録マー
クＰは周囲のスペースと反射率が同じく位相ずれが０°
になってマスク効果を示すことになる。したがって、前
記マスク領域Ｍでの反射光量は理想的には０になる筈で
あるが、実際には反射光量が僅かに存在することにな
る。
クＰは周囲のスペースと反射率が同じく位相ずれが０°
になってマスク効果を示すことになる。したがって、前
記マスク領域Ｍでの反射光量は理想的には０になる筈で
あるが、実際には反射光量が僅かに存在することにな
る。
【００２７】また、前記アパーチャ領域Ａでの記録マー
クＰは周囲のスペースと反射率が同じく位相ずれが１８
０°になって再生光の照射によって反射される光量が最
大になる。したがって、再生時に前記アパーチャ領域Ａ
から反射される反射光の信号を読み出すことによってそ
の領域の記録マークＰに対する情報のみを読み出して再
生が可能になる。これは、再生光のスポットの一部に当
たる領域（アパーチャ領域）のみから反射される反射光
を用いることになるので、有効な再生光のスポット径が
小さくなる効果が得られる。したがって、隣接マークま
たは隣接トラックから混入される信号が減少されてクロ
ストークの影響が減少されるので、高密度の光記録が可
能になる。
クＰは周囲のスペースと反射率が同じく位相ずれが１８
０°になって再生光の照射によって反射される光量が最
大になる。したがって、再生時に前記アパーチャ領域Ａ
から反射される反射光の信号を読み出すことによってそ
の領域の記録マークＰに対する情報のみを読み出して再
生が可能になる。これは、再生光のスポットの一部に当
たる領域（アパーチャ領域）のみから反射される反射光
を用いることになるので、有効な再生光のスポット径が
小さくなる効果が得られる。したがって、隣接マークま
たは隣接トラックから混入される信号が減少されてクロ
ストークの影響が減少されるので、高密度の光記録が可
能になる。
【００２８】
【発明の効果】以上述べたように、本発明に係る相変化
光ディスクによれば、情報の再生時に、記録マークに対
する情報再生が再生光の照射により光スポットＬＳの内
部に部分的に位相ずれが発生される位相調節層のマスク
領域Ｍとアパーチャ領域Ａ領域とでの反射光の位相ずれ
によって可能になる。したがって、有効な再生光のスポ
ット径が小さくなる効果が得られ、これにより隣接トラ
ックから混入される信号が減少されるので、クロストー
クの影響が減少され、その結果光ディスクの高密度化及
び再生信号の分解能の向上が図れる。
光ディスクによれば、情報の再生時に、記録マークに対
する情報再生が再生光の照射により光スポットＬＳの内
部に部分的に位相ずれが発生される位相調節層のマスク
領域Ｍとアパーチャ領域Ａ領域とでの反射光の位相ずれ
によって可能になる。したがって、有効な再生光のスポ
ット径が小さくなる効果が得られ、これにより隣接トラ
ックから混入される信号が減少されるので、クロストー
クの影響が減少され、その結果光ディスクの高密度化及
び再生信号の分解能の向上が図れる。
【図１】 従来の相変化光ディスクの垂直断面図であ
る。
る。
【図２】 本発明に係る相変化光ディスクの垂直断面図
である。
である。
【図３】 本発明の他の実施形態による相変化光ディス
クの垂直断面図である。
クの垂直断面図である。
【図４】 本発明に係る相変化光ディスクの作用効果を
説明するための光スポットの強度分布図及び光ディスク
での温度分布図である。
説明するための光スポットの強度分布図及び光ディスク
での温度分布図である。
２１ 基板 ２２ 第１誘電体層 ２３ 位相調節層 ２４ 第２誘電体層 ２５ 相変化記録層 ２６ 第３誘電体層 ２７ 反射層 ２８ 第４誘電体層 ２９ 保護層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 朴 彰民 大韓民国京畿道水原市八達区梅灘１洞153 −33番地 (72)発明者 金 倫基 大韓民国ソウル特別市瑞草区盤浦洞30−20 番地三湖ガーデンアパート ナ棟705号
Claims (9)
- 【請求項１】 透明基板上に薄膜形成された少なくとも
一つの第１誘電体層と、記録光の照射により結晶状態と
非晶質状態とに可逆変化する相変化記録層と、反射層
と、前記基板と前記反射層との間に挟まれると共に、再
生光の照射により光スポットの内部に部分的に位相ずれ
が発生されて再生光の光経路が変化する二つの領域が形
成される位相調節層とが具備されたことを特徴とする相
変化光ディスク。 - 【請求項２】 前記透明基板上に第１誘電体層と、記録
光の照射により光スポットの内部に部分的に位相ずれが
発生されて再生光の光経路が変化する二つの領域が形成
される位相調節層と、第２誘電体層と、再生光の照射に
より結晶状態と非晶質状態とに可逆変化する相変化記録
層と、第３誘電体層と、反射層及び保護層が順に積層さ
れてなることを特徴とする請求項１に記載の相変化光デ
ィスク。 - 【請求項３】 前記反射層と前記保護層との間に、第４
誘電体層がさらに形成されたことを特徴とする請求項２
に記載の相変化光ディスク。 - 【請求項４】 前記位相調節層は、再生光の照射により
結晶状態と非晶質状態とに可逆変化するか、あるいは第
１結晶状態と第２結晶状態との間で変化する相変化形材
料から形成されたことを特徴とする請求項１ないし３の
いずれか１項に記載の相変化光ディスク。 - 【請求項５】 前記位相調節層に形成される二つの領域
のうちいずれか一方の領域では位相ずれが最小０°にな
り、他方の領域では位相ずれが最大１８０°になること
を特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の
相変化ディスク。 - 【請求項６】 前記位相調節層は、ＧｅＳｂＴｅ系、Ｉ
ｎＳｂＴｅ系、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系、ＡｕまたはＮｉの
材質から形成されることを特徴とする請求項１ないし３
のいずれか１項に記載の相変化光ディスク。 - 【請求項７】 前記相変化記録層は、ＧｅＳｂＴｅ系、
ＩｎＳｂＴｅ系またはＡｇＩｎＳｂＴｅ系の材質から形
成されたことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか
１項に記載の相変化ディスク。 - 【請求項８】 前記第１誘電体層、第２誘電体層及び第
３誘電体層はＡｌ2Ｏ3、ＺｎＳ−ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、
ＳｉＯ2、ＭｇＦ2、ＮａＦ2、ＬｉＦ2、ＣａＦ2または
ＡｌＦ2から形成されたことを特徴とする請求項１ない
し３のいずれか１項に記載の相変化光ディスク。 - 【請求項９】 前記反射層は、Ａｌ、Ａｌ-Ｔｉ系、Ｃ
ｕ、Ａｕ及びそれらの合金よりなる群から選ばれたいず
れか一種の材質から形成されたことを特徴とする請求項
１ないし３のいずれか１項に記載の相変化光ディスク。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019990029278A KR100338756B1 (ko) | 1999-07-20 | 1999-07-20 | 상변화 광디스크 |
| KR199929278 | 1999-07-20 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001052376A true JP2001052376A (ja) | 2001-02-23 |
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ID=19602919
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000219739A Pending JP2001052376A (ja) | 1999-07-20 | 2000-07-19 | 相変化光ディスク |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6835531B1 (ja) |
| EP (1) | EP1071087A3 (ja) |
| JP (1) | JP2001052376A (ja) |
| KR (1) | KR100338756B1 (ja) |
| CN (1) | CN1168081C (ja) |
Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| WO2010106972A1 (ja) * | 2009-03-18 | 2010-09-23 | 日本電気株式会社 | 光学情報記録媒体 |
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| JP3940709B2 (ja) * | 2003-07-01 | 2007-07-04 | 株式会社東芝 | 相変化光記録媒体 |
| KR100856326B1 (ko) * | 2006-07-19 | 2008-09-03 | 삼성전기주식회사 | 레이저 리프트 오프를 이용한 유전체 박막을 갖는 박막 커패시터 내장된 인쇄회로기판 제조방법, 및 이로부터 제조된 박막 커패시터 내장된 인쇄회로기판 |
| CN101797824B (zh) * | 2009-12-30 | 2012-10-10 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 金属纳米颗粒复合材料及其制备方法 |
| CN103268768B (zh) * | 2013-04-03 | 2016-09-21 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 具有表面等离子体增强效应的一次记录光盘 |
| CN107195779A (zh) * | 2017-05-27 | 2017-09-22 | 江苏理工学院 | 一种GeSb/SiO2多层相变薄膜材料、制备方法及应用 |
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| US5255260A (en) * | 1989-07-28 | 1993-10-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical recording apparatus employing stacked recording media with spiral grooves and floating optical heads |
| JP2661293B2 (ja) * | 1989-11-15 | 1997-10-08 | 松下電器産業株式会社 | 光学的情報記録媒体 |
| JPH03275382A (ja) * | 1990-03-27 | 1991-12-06 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光記録媒体及び記録再生方法 |
| EP0458604B1 (en) * | 1990-05-22 | 1997-08-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for recording and reproducing information in cells using multiple interference |
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| WO1992015091A1 (en) * | 1991-02-15 | 1992-09-03 | Sony Corporation | Optically recording medium |
| JP3297928B2 (ja) | 1992-03-13 | 2002-07-02 | ソニー株式会社 | 再生専用光ディスク |
| JPH06251422A (ja) | 1993-03-01 | 1994-09-09 | Sony Corp | 光ディスク |
| JP3566743B2 (ja) * | 1993-12-13 | 2004-09-15 | Ｔｄｋ株式会社 | 光記録媒体 |
| WO1996000441A1 (en) * | 1994-06-23 | 1996-01-04 | Philips Electronics N.V. | Optical information carrier |
| JP3506491B2 (ja) * | 1994-06-23 | 2004-03-15 | Ｔｄｋ株式会社 | 光情報媒体 |
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| JPH097224A (ja) * | 1995-06-26 | 1997-01-10 | Hitachi Ltd | 記録用部材とこれを用いた記録方法及び記録装置 |
| JPH0917028A (ja) | 1995-06-30 | 1997-01-17 | Sony Corp | 光学的情報記録媒体及びその情報再生方法 |
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| US5949751A (en) * | 1995-09-07 | 1999-09-07 | Pioneer Electronic Corporation | Optical recording medium and a method for reproducing information recorded from same |
| JPH0991700A (ja) * | 1995-09-25 | 1997-04-04 | Sony Corp | 光学記録媒体の初期化方法とこれに用いる初期化装置 |
| JPH09128803A (ja) * | 1995-10-31 | 1997-05-16 | Sony Corp | 光ディスク |
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-
2000
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