JP2001049489A - めっき装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 めっき液噴射管から噴射されて形成されるめ
っき液の噴流を滑らかに基板のめっき面に送るととも
に、めっき面の電解を均一にして、均一なめっき膜が形
成できるようにしためっき装置を提供する。 【解決手段】 めっき液１０を保持する円筒状のめっき
槽１２と、該めっき槽１２の底部中央に接続されて上方
に向けためっき液の噴流を形成するめっき液噴射管１８
と、基板Ｗを着脱自在に保持して該基板下面のめっき面
がめっき液１０の噴流と接触するように水平に配置する
基板保持部１４と、めっき槽１２内のめっき液１０中に
配置された陽極板１６とを備え、めっき槽１２の内部に
は、めっき液噴射管１８の上端からめっき液の噴流の流
線に沿ってラッパ状に拡径して上方に延びる整流ガイド
３２が配置されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板のめっき装置
に係り、特に半導体基板に形成された配線用溝等に銅
（Ｃｕ）等の金属を充填するのに使用されるめっき装置
に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体ウエハ等の基板の表面に形
成された配線用の微細な溝や穴等を埋めるのに、銅めっ
き等の金属めっき装置を用いて、Ａｌ系よりも電気比抵
抗の小さい銅等の金属めっきで前記溝や穴を埋めて埋込
配線等を形成することが行われている。

【０００３】図１０は、この種のめっき装置の内のフェ
イスダウン方式を採用した噴流めっき装置の従来の一般
的な構成を示すもので、このめっき装置は、上方に開口
し内部にめっき液１０を保持する円筒状のめっき槽１２
と、半導体ウエハ等の基板Ｗを着脱自在に下向きに保持
して該基板Ｗを前記めっき槽１２の上端開口部を塞ぐ位
置に配置する基板保持部１４とを有している。前記めっ
き槽１２の内部にはめっき液１０中に浸漬されて陽極電
極となる平板状の陽極板１６が水平に配置され、前記基
板Ｗが陰極電極となるようになっている。この陽極板１
６の中央には、めっき液の噴流を通過させる中央口１６
ａが設けられている。

【０００４】前記めっき槽１２の底部中央には、上方に
向けためっき液の噴流を形成するめっき液噴射管１８が
接続され、めっき槽１２の上部外側には、めっき液受け
２０が配置されている。前記めっき液噴射管１８は、め
っき液貯留槽２２から延び内部にポンプ２４とフィルタ
２６を設置しためっき液供給管２８に接続され、前記め
っき液受け２０から延びるめっき液戻り管３０に前記め
っき液貯留槽２２が接続されている。

【０００５】これにより、めっき槽１２の上部に基板Ｗ
を基板保持部１４で下向きに保持して配置し、陽極板１
６（陽極電極）と基板Ｗ（陰極電極）の間に所定の電圧
を印加しつつ、めっき液貯留槽２２内のめっき液１０を
ポンプ２４によりめっき槽１２の底部から上方に噴出さ
せて、基板Ｗの下面（めっき面）に垂直にめっき液の噴
流を当てることで、陽極板１６と基板Ｗの間にめっき電
流を流して、基板Ｗの下面にめっき膜を形成するように
している。この時、めっき槽１２をオーバーフローした
めっき液１０は、めっき液受け２０で回収されてめっき
液貯留槽２２内に流入する。

【０００６】また、図１１に示すように、陽極板１６と
して、多孔質材料で構成されたものや、網目を有するも
のを使用して、この陽極板１６の内部をめっき液１０の
噴流が通過するようにすることも広く行われている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ここで、図１０に示す
ように、陽極板の中央に中央口を設けて、陽極板の中央
よりめっき液の噴流が上昇する中央重点噴流を得ること
で、中央部の液面が高くなるようにしためっき液の流れ
を形成して、基板入槽時のエア除去を早期に行うことが
できる。しかし、この場合、中央口の存在によって陽極
板と基板の間の電流分布が均一でなくなって、めっき膜
の均一性を得ることが難しく、電流分布を均一にするた
めには、陽電極と基板との距離を長くする必要があって
装置が大型化してしまう。

【０００８】一方、図１１に示すように、噴流が陽極板
に設けられた複数の孔または網目を通ってめっき面に流
れていくようにした場合に、陽極板として溶解性電極を
用いると、陽極板表面に付着したブラックフィルムの剥
離片等がめっき液と共にめっき面に運搬されてめっき品
質を低下させてしまう。

【０００９】更に、従来の噴流めっき装置にあっては、
めっき液の噴流はめっき槽内に充たされためっき液中を
通過していくため、多くの乱れを伴った流れとなって、
流速を損なうとともに、めっき面上の滑らかな流れを形
成しにくいという問題があった。

【００１０】本発明は上述の事情に鑑みて為されたたも
ので、めっき液噴射管から噴射されて形成されるめっき
液の噴流を滑らかに基板のめっき面に送ることで、均一
かつ良質なめっき膜が形成できるようにしためっき装置
を提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、めっき液を保持する円筒状のめっき槽と、該めっき
槽の底部中央に接続されて上方に向けためっき液の噴流
を形成するめっき液噴射管と、基板を着脱自在に保持し
て該基板下面のめっき面がめっき液の噴流と接触するよ
うに水平に配置する基板保持部と、前記めっき槽内のめ
っき液中に配置された陽極板とを備え、前記めっき槽の
内部には、前記めっき液噴射管の上端から前記めっき液
の噴流の流線に沿ってラッパ状に拡径して上方に延びる
整流ガイドが配置されていることを特徴とするめっき装
置である。

【００１２】これにより、めっき液噴射管から噴射され
てめっき槽内に満たされためっき液中に形成されるめっ
き液の噴流は、整流ガイドに沿って徐々に流路面積を拡
大しながら上昇して基板下面のめっき面に達すること
で、基板下面の中央を除くめっき面に沿った滑らかでよ
り一定の流速のめっき液の流れが形成されて、めっき膜
厚の均一性及びめっきの品質が向上する。

【００１３】請求項２に記載の発明は、前記陽極板には
中央口が設けられ、この中央口の内部に前記めっき液噴
射管又は前記めっき液の噴流が貫通し、前記整流ガイド
は多孔板で構成されていることを特徴とする請求項１記
載のめっき装置である。これにより、めっき液の噴流が
陽極板によって乱されたり、めっき電流の流れが整流ガ
イドによって阻止されてしまうことが防止される。

【００１４】請求項３に記載の発明は、めっき液を保持
する円筒状のめっき槽と、該めっき槽の底部中央に接続
されて上方に向けためっき液の噴流を形成するめっき液
噴射管と、基板を着脱自在に保持して該基板下面のめっ
き面がめっき液の噴流と接触するように水平に配置する
基板保持部と、前記めっき槽内のめっき液中に水平に配
置された平板状の陽極板とを備え、前記陽極板には前記
めっき液の噴流を形成するための中央口が設けられ、こ
の中央口の内部または周縁部に該陽極板と電気的に接続
された補助陽極が設けられていることを特徴とするめっ
き装置である。

【００１５】これにより、陽極板に設けられた中央口の
内部または周縁部に設けた補助陽極で、この中央口付近
の電流密度を局部的に上げることで、陽極板と基板との
距離を大きくすることなく、基板下面のめっき面の全面
に亘って電流密度をより一定にして、めっき膜厚が均一
化する。

【００１６】請求項４に記載の発明は、前記補助陽極
は、球状の不溶解性電極で構成されて、前記陽極板の中
央口のほぼ中央部に配置されていることを特徴とする請
求項３記載のめっき装置である。これにより、小さな補
助陽極の溶解による形状変化に伴う電流密度の変化が防
止される。

【００１７】請求項５に記載の発明は、前記補助陽極
は、前記陽極板と別体のリング状またはパイプ状に形成
されて該陽極板の中央口の周縁部に固着されていること
を特徴とする請求項３記載のめっき装置である。これに
より、陽極板の中央口による基板中央部の電流密度の低
下を防止するとともに、めっき液の噴流中に補助陽極を
配置する必要をなくして、めっき液の噴流の乱れを少な
くし、しかも噴流による流速の確保や基板入槽時の液切
りを効果的に行うことができる。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態のめっ
き装置を図面を参照して説明する。図１乃至図５は、本
発明の第１の実施の形態のめっき装置を示すもので、こ
のめっき装置は、上方に開口し内部にめっき液１０を保
持する円筒状のめっき槽１２と、基板Ｗを着脱自在に下
向きで保持する基板保持部１４とを有しており、前記め
っき槽１２の内部にめっき液１０中に浸積されて陽極電
極となる平板状の陽極板１６がめっき槽１２の底面に接
触して水平に配置されている。

【００１９】前記めっき槽１２の底部中央には、上方に
向けためっき液の噴流を形成するめっき液噴射管１８が
接続され、めっき槽１２の上部外側には、めっき液受け
２０が配置されている。前記めっき液噴射管１８は、め
っき液貯留槽２２から延び内部にポンプ２４とフィルタ
２６を設置しためっき液供給管２８に接続され、前記め
っき液受け２０から延びるめっき液戻り管３０に前記め
っき液貯留槽２２が接続されている。

【００２０】これにより、ポンプ２４の駆動に伴って、
めっき液１０がめっき液供給管２８を通ってめっき液噴
射管１８から上方に噴射されてめっき槽１２内のめっき
液１０中にめっき液の噴流が形成され、めっき槽１２を
オーバーフローしためっき液１０は、めっき液受け２０
で回収されてめっき液貯留槽２２内に流入するようにな
っている。

【００２１】前記陽極板１６には中央口１６ａが設けら
れ、この中央口１６ａ内に前記めっき液噴射管１８の上
端部が嵌着されている。更に、めっき液噴射管１８の上
端には、内部に多数の孔３２ａを有する絶縁材の多孔板
で構成された整流ガイド３２が連結されている。この整
流ガイド３２は、めっき液噴射管１８から滑らかにつな
がり、前記めっき液の噴流の流線に沿ってラッパ状に拡
径して上方に延びて、その上端が基板Ｗの下部で基板Ｗ
の下面（めっき面）に漸近する形状に、つまり、めっき
液噴射管１８の中心線上に基板Ｗを原点にしてｚ軸、基
板Ｗの下面に沿ってｘ軸を取るとき、ｚｘ＝Ｃ（Ｃは定
数）となるような形状に形成されている。

【００２２】これにより、めっき液噴射管１８から噴射
されてめっき槽１２内に満たされためっき液１０中に形
成されるめっき液の噴流は、整流ガイド３２に沿って徐
々に流路面積を拡大しながら上昇して基板Ｗ下面のめっ
き面に達することで、基板Ｗのめっき面に沿った滑らか
でより一定の流速のめっき液の流れが形成される。しか
も、めっき液の噴流が陽極板１６によって乱されたり、
めっき電流の流れが整流ガイド３２によって阻止されて
しまうことがない。

【００２３】ここで、前記陽極板１６の中央口１６ａの
直径は、陽極板１６から基板Ｗの下面までの距離の１／
３以下にすることが望ましい。このため、陽極板１６の
中央口１６ａはできるだけ小さくするように、めっき液
噴射管１８の口径と管壁の厚さを決定する。この実施の
形態では、陽極板１６は溶解性陽極板を用い、銅めっき
の場合には含リン銅を用いている。

【００２４】前記基板保持部１４は、内部にモータ３４
と押え板昇降機構３６とを収納し上端に回転軸昇降機構
３８を備えた駆動部４０から下方に延びる回転軸４２の
下端に連結され、この駆動部４０は、水平方向に延びる
支持アーム４４の自由端部に連結されている。これによ
り、基板保持部１４で保持された基板Ｗは、モータ３４
の駆動に伴って回転（自転）するようになっている。

【００２５】前記基板保持部１４は、図３乃至図５に示
すように、内部に収容する基板Ｗの直径よりやや大きい
径の円筒状の基板保持ケース５０と、この基板保持ケー
ス５０の内部に配置され基板Ｗの直径とほぼ同じ径の円
板状の基板押え板５２とから主に構成されている。前記
基板保持ケース５０は、絶縁材で構成されており、この
下面には基板Ｗの直径より若干小さい径の下部開口５０
ａが形成され、上部は閉じられている。更に、側面のや
や上方のめっき液１０の浸入を防止した位置には、例え
ばロボットアーム５４を介して基板Ｗを出入れするため
のスリット状の基板取出し開口５０ｂが形成されてい
る。前記基板押え板５２も絶縁材で構成され、前記回転
軸４２の内部を挿通して延び前記押え板昇降機構３６の
駆動に伴って上下動する基板押え軸５６の下端に連結さ
れている。

【００２６】前記押え板昇降機構３６は、例えば下方向
にはばね力で、上方向にはエアで駆動するエアシリンダ
で基板押え軸５６を昇降させるようになっており、エア
配管は、モータ３４の上部でロータリジョイントにより
外部に接続されている。なお、基板取出し開口５０ｂに
めっき液の浸入を防止するカバーを設けるようにしても
良い。

【００２７】前記基板保持ケース５０の下部開口５０ａ
の周囲には、シール部材５８が斜め上方に突出して配置
され、このシール部材５８の外側に、基板Ｗに給電する
ための複数またはリング状のカソード電極ピン６０が斜
め上方に突出して配置されている。これにより、基板保
持部１４で基板Ｗを保持した時に、基板Ｗとカソード電
極ピン６０が接触し、同時に基板Ｗの下面周縁部にシー
ル部材５８の端部が密着してめっき液１０の浸入が防止
されて、カソード電極ピン６０にめっき層が析出しない
ようになっている。

【００２８】更に、基板保持ケース５０には、前記下端
開口５０ａに連通して水平方向に延びる通気孔５０ｃが
設けられている。これにより、基板Ｗを基板保持部１４
で保持し回転させながらめっき液１０に接触させる際
に、基板Ｗとめっき液１０との間に溜まった気泡を通気
孔５０ｃから除去するようになっている。

【００２９】なお、基板Ｗの下面（めっき面）の電位を
均一にするためには、基板Ｗの下面の周縁部のほぼ全域
に亘ってカソード電極ピン６０が接触するように該カソ
ード電極ピン６０を密に並べた形状とするか、または基
板Ｗと線接触するようにカソード電極ピン６０をリング
状の板体で形成し、内周部を基板Ｗ側に折り曲げて弾性
を持たせた構造とすることが望ましい。

【００３０】このように構成されためっき装置の使用例
を、半導体基板の配線回路形成のためのＣｕ又はその合
金のめっきを行なう場合について説明する。被処理対象
の基板Ｗには、図６（ａ）に示すように、半導体回路素
子が形成された半導体基材７０の上に導電層７２及びＳ
ｉＯ_２からなる絶縁層７４を堆積させた後、リソグラフ
ィ・エッチング技術によりコンタクトホール７６と配線
用の溝７８が形成され、その上にＴｉＮ等からなるバリ
ア層８０が形成されている。

【００３１】このような基板Ｗをロボットアーム５４で
吸着保持して搬送し、回転軸昇降機構３８を介して上昇
させておいた基板保持部１４の基板保持ケース５０の内
部に基板取出し開口５０ｂから搬入して、カソード電極
ピン６０及びシール部材５８に当接させた状態で載置す
る。この時、基板押え板５２を上昇させておき、基板Ｗ
を載置した後に下降させて基板Ｗを挟持して保持する。
次に、ポンプ２４を駆動させ、めっき液１０をめっき液
供給管２８を通ってめっき液噴射管１８から上方に噴射
させてめっき槽１２内のめっき液１０中にめっき液の噴
流を形成し、めっき槽１２をオーバーフローしためっき
液１０をめっき液受け２０で回収するようにしておく。

【００３２】この状態で、陽極板１６（陽極電極）と基
板Ｗ（陰極電極）の間に所定の電圧を印加し、モータ３
４を駆動させて、基板Ｗを回転させながら、回転軸昇降
機構３８を介して基板保持部１４を下降させ、基板Ｗの
下面のめっき面をめっき槽１２内のめっき液１０に接触
させることで、陽極板１６と基板Ｗの間にめっき電流を
流して、基板Ｗの下面にめっき膜を形成する。

【００３３】これにより、めっき液噴射管１８から噴射
されてめっき槽１２内に満たされためっき液１０中に形
成されるめっき液の噴流は、整流ガイド３２に沿って徐
々に流路面積を拡大しながら上昇して基板Ｗ下面のめっ
き面に達することで、基板Ｗ下面の中央を除くめっき面
に沿った滑らかでより一定の流速のめっき液の流れが形
成されて、めっき膜厚の均一性及びめっきの品質が向上
する。

【００３４】この時、基板保持部１４を、例えば５０〜
３００ｒｐｍ程度で回転させながら、中央部の盛り上が
っためっき液１０の液面に基板Ｗが接触するまで降下さ
せ、液面中央が基板Ｗに接触した状態から更にゆっくり
と基板保持部１４を降下させる。この時の降下速度は、
３０ｍｍ／秒以下が望ましい。これにより、基板Ｗの下
部にめっき液１０が充填され、基板Ｗと基板保持ケース
５０の下部との空間から空気が排出される。この空気の
排出は、通気孔５０ｃにより、効率的に行われる。

【００３５】ここで、めっき槽の下方からめっき液を噴
流させる噴流めっきでは、基板表面を下にして、基板は
めっき槽の上端より上に位置させて、噴流によって盛り
上がっためっき液面にめっき面を接触させる方法が一般
的である。しかし、この実施の形態にあっては、シール
部材５８によってめっき面以外をめっき液に接触させな
い基板保持部１４を用いているため、基板保持部１４と
該基板保持部１４に保持された基板Ｗを、めっき液１０
中に浸漬してめっきを行うことができる。これにより、
基板Ｗのめっき面と陽極板１６との距離を自由に調整で
き、しかも、基板Ｗを基板保持部１４に保持させたまま
めっき槽１２の外部に移動し、基板Ｗ及び基板保持部１
４を水洗浄することも可能となる。

【００３６】また、めっき槽１２の内部のめっき液流れ
や陽極板１６とめっき面との間の電流分布などは円周方
向に必ずしも一様にはならないが、基板Ｗをめっき槽１
２内で回転させることで、めっきの均一性を向上させる
ことができる。この回転数は、例えば１０〜３００ｒｐ
ｍの低速回転で良い。

【００３７】更に、このように基板Ｗを回転させること
で、基板Ｗのめっき面とめっき液１０の相対速度を増加
させ、基板Ｗのめっき面近傍の濃度拡散層を薄くして、
めっきが供給律速になることを防止し、これにより、め
っき面の全面に亘る均一なめっき膜を形成し、更に電流
密度を大きくし高速めっきが可能になる。

【００３８】以上のめっき工程により、図６（ｂ）に示
すように、半導体基板Ｗのコンタクトホール７６および
溝７８にＣｕが充填される。その後、化学的機械的研磨
（ＣＭＰ）により、絶縁層７４上に堆積したＣｕ層を除
去し、コンタクトホール７６および配線用の溝７８に充
填されたＣｕ層８２の表面と絶縁層７４の表面とを同一
平面にする。これにより、図６（ｃ）に示すようにＣｕ
層８２からなる配線が形成される。

【００３９】そして、前述のようにしてめっき処理が終
了した後、回転軸昇降機構３８を介して基板保持部１４
を基板Ｗがめっき液１０に接触しない位置まで上昇さ
せ、例えば５００ｒｐｍ以上の回転（望ましくは１００
０ｒｐｍ以上の回転）で基板Ｗを回転させて水切りを行
った後、押え板５２を上昇させ、基板保持ケース５０の
内部にロボットアーム５４を挿入し、このロボットアー
ム５４で基板Ｗを吸着保持して基板保持ケース５０から
取出して次工程に搬送する。

【００４０】図７及び図８は、本発明の第２の実施の形
態のめっき装置を示すもので、これは、めっき槽１２の
下部の陽極板１６の外周のほぼ下方位置に、めっき液１
０をめっき槽１２の外部に排出する複数の流出孔８４を
設け、この流出孔８４から延び内部に開閉弁８６とフィ
ルタ８８を設置しためっき液流出配管９０をめっき液貯
留槽２２に接続し、更に、陽極板１６の中央口１６ａの
ほぼ中央部に、球状の不溶性陽極からなる補助陽極９２
を前記陽極板１６と電気的に接続して配置したものであ
る。その他の構成は、前記第１の実施の形態と同様であ
る。

【００４１】この実施の形態によれば、例えば陽極板１
６として含リン銅を用いて銅めっきを行うと、陽極板１
６の表面にブラックフィルムが形成され該ブラックフィ
ルムが陽極板１６の表面から剥離して、微少な剥離片と
してめっき液１０内に混入するが、このブラックフィル
ムの剥離片を陽極板１６の近傍のめっき液１０と共にめ
っき槽１２の外部に排出することで、ブラックフィルム
の剥離片がめっき表面に付着してめっき品質を低下させ
ることが防止される。

【００４２】また、陽極板１６に設けられた中央口１６
ａのほぼ中央部に補助陽極９２を配置し該補助陽極９２
を陽極板１６と電気的に接続することで、この中央口１
６ａ付近の電流密度を補助陽極９２で局部的に上げるこ
とができる。これにより、陽極板１６と基板Ｗとの距離
を大きくすることなく、基板Ｗ下面のめっき面の全面に
亘って電流密度をより一定にして、めっき膜厚をより均
一化することができる。ここに、補助陽極９２から基板
Ｗまでの距離は、めっき膜が均一に形成されるように、
例えば、球形の補助陽極９２の場合には、平板状の陽極
板１６から基板Ｗまでの距離と同じか若干近くなるよう
に選択される。

【００４３】更に、補助陽極９２を、不溶解性電極で構
成することにより、小さな補助陽極９２の溶解による形
状変化に伴う電流密度の変化を防止することができる。
また、陽極板１６は、一般的には溶解性電極で構成され
るが、不溶解性電極で構成するようにしても良い。

【００４４】なお、図９（ａ）に示すように、陽極板１
６の中央口１６ａの周縁部の上面に、陽極板１６と別体
で構成されたリング状の補助陽極９４を設けたり、また
図９（ｂ）に示すように、陽極板１６の中央口１６ａの
内周面にリング状の補助陽極９６を設けるようにしても
良い。

【００４５】この場合、陽極板１６の中央口１６ａによ
る基板中央部の電流密度の低下を防止するとともに、め
っき液の噴流中に補助陽極を配置する必要をなくして、
めっき液の噴流の乱れを少なく、しかも噴流による流速
の確保や基板入槽時の液切りを効果的に行うことができ
る。

【００４６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
めっき膜厚の均一性とめっき品質を向上させて、歩留り
を向上させることができる。また、陽極を平行平板とし
ても、極間距離を小さくすることが可能となり、面内膜
厚均一性を向上させるとともに、槽寸法を小さくするこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態のめっき装置の縦断
正面図である。

【図２】図１の平面図である。

【図３】基板保持部を示す縦断正面図である。

【図４】図３の一部を拡大して示す拡大断面図である。

【図５】図４の一部を拡大して示す拡大断面図である。

【図６】本発明のめっき装置によってめっきを行う工程
の一例を示す断面図である。

【図７】本発明の第２の実施の形態のめっき装置の縦断
正面図である。

【図８】図７の陽極板と補助陽極の配置状態を示し、
（ａ）は斜視図、（ｂ）は断面図である。

【図９】陽極板と補助陽極の配置状態のそれぞれ異なる
他の例を示す断面図である。

【図１０】従来の噴射めっき装置の縦断正面図である。

【図１１】従来の他の噴射めっき装置の縦断正面図であ
る。

【符号の説明】

１０ めっき液 １２ めっき槽 １４ 基板保持部 １６ 陽極板 １６ａ 中央口 １８ めっき液噴射管 ２２ めっき液貯留槽 ２４ ポンプ ２８ めっき液供給管 ３２ 整流ガイド ３２ａ 孔 ３４ モータ ３６ 押え板昇降機構 ３８ 回転軸昇降機構 ４０ 駆動部 ４２ 回転軸 ５０ 基板保持ケース ５０ａ 下部開口 ５０ｂ 基板取出し開口 ５０ｃ 通気孔 ５２ 押え板 ５６ 基板押え軸 ５８ シール部材 ６０ カソード電極ピン ８４ 流出孔 ９０ めっき液流出配管 ９２，９４，９６ 補助陽極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/288 Ｈ０１Ｌ 21/288 Ｅ (72)発明者 千代 敏 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内 (72)発明者 富岡 賢哉 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内 (72)発明者 津田 勝巳 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内 (72)発明者 粂川 正行 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内 Ｆターム(参考） 4K024 AA09 AB01 AB06 BA11 BB12 CB06 CB07 CB08 CB09 CB13 CB15 CB21 GA16 4M104 BB04 BB30 CC01 DD52 FF18 HH20

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 めっき液を保持する円筒状のめっき槽
   と、 該めっき槽の底部中央に接続されて上方に向けためっき
   液の噴流を形成するめっき液噴射管と、 基板を着脱自在に保持して該基板下面のめっき面がめっ
   き液の噴流と接触するように水平に配置する基板保持部
   と、 前記めっき槽内のめっき液中に配置された陽極板とを備
   え、 前記めっき槽の内部には、前記めっき液噴射管の上端か
   ら前記めっき液の噴流の流線に沿ってラッパ状に拡径し
   て上方に延びる整流ガイドが配置されていることを特徴
   とするめっき装置。
2. 【請求項２】 前記陽極板には中央孔が設けられ、この
   中央孔の内部に前記めっき液噴射管又は前記めっき液の
   噴流が貫通し、前記整流ガイドは多孔板で構成されてい
   ることを特徴とする請求項１記載のめっき装置。
3. 【請求項３】 めっき液を保持する円筒状のめっき槽
   と、 該めっき槽の底部中央に接続されて上方に向けためっき
   液の噴流を形成するめっき液噴射管と、 基板を着脱自在に保持して該基板下面のめっき面がめっ
   き液の噴流と接触するように水平に配置する基板保持部
   と、 前記めっき槽内のめっき液中に水平に配置された平板状
   の陽極板とを備え、 前記陽極板には前記めっき液の噴流を形成するための中
   央口が設けられ、この中央口の内部または周縁部に該陽
   極板と電気的に接続された補助陽極が設けられているこ
   とを特徴とするめっき装置。
4. 【請求項４】 前記補助陽極は、球状の不溶解性陽極で
   構成されて、前記陽極板の中央口のほぼ中央部に配置さ
   れていることを特徴とする請求項３記載のめっき装置。
5. 【請求項５】 前記補助陽極は、前記陽極板と別体のリ
   ング状またはパイプ状に形成されて該陽極板の中央口の
   周縁部に固着されていることを特徴とする請求項３記載
   のめっき装置。