JP2001045754A - 直流電源装置 - Google Patents

直流電源装置

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JP2001045754A
JP2001045754A JP11217727A JP21772799A JP2001045754A JP 2001045754 A JP2001045754 A JP 2001045754A JP 11217727 A JP11217727 A JP 11217727A JP 21772799 A JP21772799 A JP 21772799A JP 2001045754 A JP2001045754 A JP 2001045754A
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voltage
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resistor
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Hiroshi Noda
寛 野田
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Oki Electric Industry Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 トランスのリセット不足を回避し、不安定動
作や破壊を防止する。 【解決手段】 直流の入力電圧Vinが一定値より小さ
くなると、FET24及びトランジスタ26がオフし、
抵抗28が抵抗27から切り離された状態となる。これ
により、抵抗27,28及びコンデンサ29のCR時定
数が大きくなり、制御回路30から出力される制御信号
S30eによって動作するFET14のスイッチング周
期が大きくなる。このため、トランス13のリセット不
足が回避され、不安定動作や破壊が防止される。従っ
て、入力電圧Vinの定格動作時のFET14のオンデ
ューティを長めに設定しておくことが可能になり、高い
変換効率を得ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、直流の入力電圧を
スイッチング素子によって断続し、一定の直流出力電圧
を出力する直流電源装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図2は、従来のフォワード型直流電源装
置の一構成例を示す回路図である。このフォワード型直
流電源装置は、主として小出力電源として用いられ、ス
イッチング素子がオンすると直流の出力電圧を発生し、
該出力電圧の変動を検出してスイッチング素子のオンデ
ューティを制御し、一定の直流出力電圧を出力する装置
であり、直流の入力電圧Vinを入力する入力端子1を
有している。入力端子1には、例えば、フェライト磁性
体で形成された変圧器(以下「トランス」という。)2
の1次巻線2aのホット側(図中の黒丸印側)が接続さ
れている。1次巻線2aのコールド側(図中の黒丸印の
ない側)には、方形波の制御信号S9によりオン、オフ
動作して該1次巻線2aに流れる電流を断続するスイッ
チング素子(例えば、電界効果トランジスタ、以下「F
ET」という。)3のドレインが接続されている。FE
T3のソースは、グランドに接続されている。
【0003】トランス2の2次巻線2bのコールド側に
は、整流用ダイオード4のカソードが接続され、さらに
該2次巻線2bのホット側に、整流用ダイオード5のカ
ソードが接続されている。2次巻線2bのホット側及び
ダイオード5のカソードには、平滑用チョークコイル6
の一端が接続され、該チョークコイル6の他端が、コン
デンサ7を介してダイオード4,5のアノード及びグラ
ンドに接続されると共に、該チョークコイル6の他端
が、出力端子8に接続され、該出力端子8から直流の出
力電圧Voutが出力されるようになっている。出力端
子8及びFET3のゲートには、制御回路9が接続され
ている。制御回路9は、FET3をオン、オフ動作させ
るための方形波の制御信号S9を生成する回路であり、
例えば、コントロールIC(集積回路)等で構成されて
いる。制御回路9は、パルス幅制御方式により、出力電
圧Voutが一定となるようにFET3のオンデューテ
ィを制御し、一定の直流出力電圧Voutを出力端子8
から出力するようになっている。
【0004】次に、図2の直流電源装置において、例え
ば、入力電圧Vinの最低電圧を36V、定格電圧を4
8Vで使用する場合の動作を説明する。直流入力電圧V
inが入力端子1に与えられ、制御回路9が動作する
と、該制御回路9から出力される方形波の制御信号S9
によってFET3がオン、オフ動作し、このFET3の
オン、オフ動作の繰り返しによってトランス2の2次巻
線2bに方形波電圧が発生する。この方形波電圧は、ダ
イオード4,5で整流された後、チョークコイル6及び
コンデンサ7によって平滑され、出力端子8から直流の
出力電圧Voutが出力される。出力端子8に接続され
る負荷によって出力電圧Voutが変動すると、この出
力電圧Voutが制御回路9に入力され、該制御回路9
のパルス幅制御により、該出力電圧Voutが一定とな
るようにFET3のオンデューティが制御される。これ
により、一定の直流出力電圧Vout(例えば、5V)
が出力端子8から出力される。
【0005】図2のフォワード型直流電源装置では、ト
ランス2の1次巻線2aに電圧が与えられて2次巻線2
b側に電力を送り出している期間(これを「オン期間」
という。)に、該トランス2を形成するフェライト磁性
体に磁気エネルギーが蓄積され、1次巻線2aに電圧が
与えられていない期間(これを「オフ期間」という。)
に、その磁気エネルギーを放出しないとフェライト磁性
体が飽和現象を起こし、その機能を失ってトランス2と
しての働きができなくなってしまう。このオン期間中に
蓄えられた磁気エネルギーを放出し、元の状態にするこ
とを「リセット」と称している。現在のフォワード型直
流電源装置の動作周波数は、数百KHzのスイッチング
が一般化されているため、トランス2のリセット方法と
して、自由共振リセット法が採用されることが多く、こ
の動作原理を図3を参照しつつ説明する。
【0006】図3は、図2のフォワード型直流電源装置
の動作波形図である。自由共振リセット法では、図3の
実線で示すように、FET3のオン期間中に蓄えられた
磁気エネルギーが、オフ期間に、トランス2の1次巻線
2a及び2次巻線2bのコールド側がプラスとなる向き
の電圧として放出され、FET3のドレイン・ソース間
容量Cds並びにダイオード4のカソード・アノード間
容量Ckaを充電する。トランス2の2次側の容量は、
1次側に換算して移行させることができるので、この換
算後の合計容量をCsとし、該トランス2の1次側のイ
ンダクタンスをLpとすれば、FET3のドレイン電圧
Vdは、その容量CsとインダクタンスLpによる直列
共振を起こす。即ち、FET3がオンからオフになった
直後に、該FET3のドレイン電圧Vdは入力電圧Vi
nレベルに達し、そこから共振してサイン波状に増加
し、最大値(Vp+Vin)になる。その後、容量Cs
の電荷は放電してトランス巻線から入力端子1側へ流
れ、該容量Csの電圧が減少し、+Vinになって共振
が終わる。
【0007】この過程でドレイン電圧Vdが最大値(V
p+Vin)になったときに理論的なトランス2のリセ
ットは終了するが、実際の直流電源装置では、ドレイン
電圧Vdが最大値(Vp+Vin)から+Vinに戻っ
たところまで達しないと、FET3のスイッチング周期
が長い場合と短い場合が交互に発生する不安定な動作に
入る危険性が高いため、容量Csの電圧が+Vinに戻
るところまで共振させてリセットが完了したと考えるの
が安全である。トランス2の変圧比をNとすれば、ダイ
オード4のカソード・アノード間容量Ckaは1次側に
換算すると、Cka/N2 となる。よって、ダイオード
4の容量を1次側に換算し、FET3のドレイン・ソー
ス間容量Cdsと合計した容量Csは、次式(1)のよ
うになる。 Cs=Cds+Cka/N2 ・・・(1) そのため、共振周波数Fは次式(2)で与えられ、一定
である。よって、共振周期の半分であるリセット期間
も、入力電圧Vinの変動にかかわらず、一定である。 F=1/(2π√Lp・Cs) ・・・(2)
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
直流電源装置では、次のような課題があった。直流電源
装置を入力電圧Vinの低いところ(例えば、36V)
まで動作させるためにFET3のオン期間(即ち、整流
期間)をデューティ50%を超えて使用した場合、図3
の二点鎖線で示すように、転流期間よりもリセット期間
の方が長くなってしまい、容量Csの電荷が放電しきら
ないうちに、該FET3がオフからオンになってリセッ
トができなくなってしまう。こうなると、前述したよう
にFET3のスイッチング動作が不安定になり、トラン
ス2が飽和して該FET3の破壊の恐れが生じる。この
現象を回避するために、使用最低電圧(例えば、36
V)にて50%以下のデューティに設定すると、定常電
圧(例えば、48V)時におけるデューティが30%付
近になってしまい、効率が悪くなるという課題があっ
た。本発明は、前記従来技術が持っていた課題を解決
し、スイッチング動作の安定性が良く、効率の高い直流
電源装置を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明のうちの第1の発明では、直流電源装置にお
いて、一端に直流の入力電圧が印加される1次巻線及び
該1次巻線に電磁結合される2次巻線を有するトランス
と、前記1次巻線の他端に直列に接続され、方形波の制
御信号によりオン、オフ動作して該1次巻線に流れる電
流を断続するスイッチング素子と、前記2次巻線に接続
され、該2次巻線に発生する方形波電圧を整流及び平滑
化して直流の出力電圧を出力する整流平滑回路と、前記
入力電圧が一定値より小さいときには第1の電位を出力
し、該入力電圧が一定値以上のときには第2の電位を出
力する入力電位検出手段と、抵抗R、コンデンサC、及
び前記第1と第2の電位の入力によってオン、オフ動作
する第1のスイッチ手段で構成され、該第1の電位を入
力したときには該第1のスイッチ手段の動作によってC
R時定数を大きくし、該第2の電位を入力したときには
該第1のスイッチ手段の動作によって該CR時定数を小
さくするCR充放電回路と、前記CR充放電回路の出力
電位が一定電位まで上昇すると前記コンデンサCの蓄積
電荷を放電して所定周期ののこぎり波を発生するのこぎ
り波発生手段と、前記のこぎり波と前記出力電圧とを比
較して該出力電圧が一定の値になるようにパルス幅を変
化させた前記制御信号を出力して前記スイッチング素子
に与えるパルス生成手段とを、備えている。
【0010】このような構成を採用したことにより、直
流の入力電圧が印加されると、パルス生成手段で生成さ
れた制御信号によってスイッチング素子がオン、オフ動
作を繰り返し、トランスの2次巻線に方形波電圧が発生
する。この方形波電圧は、整流平滑回路によって整流及
び平滑化され、直流の出力電圧が出力される。ここで、
パルス生成手段により、出力電圧と、のこぎり波発生手
段で発生したのこぎり波とが比較され、制御信号のパル
ス幅が変化してスイッチング素子のオンデューティが変
化する。これにより、負荷が変化しても出力電圧が一定
の値になるようにパルス生成手段でパルス幅制御が行わ
れる。直流の入力電圧は常に一定とは限らず、変動す
る。この入力電圧の変動は入力電位検出手段で検出さ
れ、該入力電圧が一定値より小さくなったときには、該
入力電位検出手段から第1の電位が出力され、CR充放
電回路へ送られる。CR充放電回路では、第1の電位を
入力したときには、該CR充放電回路内の第1のスイッ
チ手段の動作によってCR時定数を大きくする。CR時
定数が大きくなると、CR充放電回路の出力電位が一定
電位まで上昇するまでの時間が長くなり、のこぎり波発
生手段から発生するのこぎり波の周期が長くなる。この
ため、パルス生成手段から出力される制御信号のパルス
周期が大きくなり、スイッチング素子のスイッチング周
期も大きくなる。
【0011】第2の発明では、第1の発明の直流電源装
置において、入力電位検出手段は、入力電位を分圧する
分圧抵抗と、前記分圧抵抗で分圧された分圧電位を入力
し、該分圧電位が一定値より小さいときには第1の低電
位を出力し、該分圧電位が一定値以上のときには第1の
高電位を出力する定電圧素子と、前記第1の低電位と前
記第1の高電位の入力によってオン、オフ動作し、該第
1の低電位を入力したときには第2の高電位を出力し、
該第1の高電位を入力したときには第2の低電位を出力
する第2のスイッチ手段とを、備えている。さらに、C
R充放電回路は、直列接続された第1の抵抗R1及びコ
ンデンサCと、直列接続された第2の抵抗R2及び第1
のスイッチ手段とを有し、該第2の抵抗R2及び該第1
のスイッチ手段が該第1の抵抗R1に並列接続された構
成になっている。このような構成を採用したことによ
り、入力電位検出手段では、分圧抵抗によって入力電位
が分圧され、この分圧電位が一定値より小さいときに
は、定電圧素子から第1の低電位が出力され、この第1
の低電位によって第2のスイッチ手段から第2の高電位
が出力される。この第2の高電位により、例えば第1の
スイッチ手段がオフ状態になって第2の抵抗が第1の抵
抗から切り離され、CR充放電回路のCR時定数が大き
くなる。
【0012】
【発明の実施の形態】図1(a),(b)は本発明の実
施形態を示す自由共振リセット法を採用したフォワード
型直流電源装置の一構成例を示す概略の回路図であり、
同図(a)は全体の回路図、及び同図(b)はその中に
含まれる制御回路30の回路図である。図1(a)に示
すフォワード型直流電源装置は、直流の入力電圧Vin
(例えば、最低電圧36V、定格電圧48V)を入力す
る入力端子11、及び一定の補助電圧Vs(例えば、1
1V)を入力する入力端子12を有している。入力端子
11には、フェライト磁性体等で形成されたトランス1
3の1次巻線13aのホット側が接続されている。1次
巻線13aのコールド側は、方形波の制御信号S30e
によりオン、オフ動作して該1次巻線13aに流れる電
流を断続するスイッチング素子(例えば、Nチャネル型
FET)14のドレインに接続され、このソースがグラ
ンドに接続されている。トランス13の2次巻線13b
のコールド側は、整流用ダイオード15のカソードに接
続され、さらに該2次巻線13bのホット側が整流用ダ
イオード16のカソードに接続され、これらのダイオー
ド15,16のアノードがグランドに接続されている。
2次巻線13bのホット側及びダイオード16のカソー
ドは、平滑用チョークコイル17の一端に接続され、こ
のチョークコイル17の他端が、平滑用コンデンサ18
を介してグランドに接続されると共に、一定の直流出力
電圧Vout(例えば、5V)を出力する出力端子19
に接続されている。
【0013】入力端子11には、抵抗値R21の分圧抵
抗21と抵抗値R22の分圧抵抗22とが直列に接続さ
れ、この分圧抵抗22がグランドに接続されている。分
圧抵抗21と22の接続点には、定電圧Vz用の定電圧
素子(例えば、定電圧ダイオード)23のカソードが接
続され、この定電圧ダイオード23のアノードが、第2
のスイッチ手段(例えば、Nチャネル型FET)24の
ゲートに接続されている。FET24のドレインには抵
抗25の一端が接続され、さらに該FET24のソース
がグランドに接続されている。これらの分圧抵抗21,
22、定電圧ダイオード23、FET24、及び抵抗2
5によって、入力電位検出手段が構成されている。この
入力電位検出手段は、入力電圧Vinが一定の電圧Va
(例えば、リセット可能な最低入力電圧36Vに1V〜
2V程度のマージンを加えた電圧)より小さいときに、
第1の電位(例えば、“H”レベル)を出力し、該入力
電圧Vinが電圧Va以上のときに、第2の電位(例え
ば、“L”レベル)を出力する機能を有している。
【0014】抵抗25の他端には、第1のスイッチ手段
(例えば、PNP型トランジスタ)26のベースが接続
されている。トランジスタ26のエミッタには、第1の
抵抗(例えば、抵抗値R27の抵抗)27の一端が接続
され、さらに該トランジスタ26のコレクタが、第2の
抵抗(例えば、抵抗値R28の抵抗)28の一端が接続
され、これらの抵抗27,28の他端が、コンデンサ2
9を介してグランドに接続されている。これらのトラン
ジスタ26、抵抗27,28、及びコンデンサ29によ
って、CR充放電回路が構成されている。このCR充放
電回路は、トランジスタ26のベースが“H”レベルの
ときに、該トランジスタ26がオフ状態となってCR時
定数が大きくなり、該トランジスタ26のベースが
“L”レベルのときに、該トランジスタ26がオン状態
となってCR時定数が小さくなる回路であり、この回路
に制御回路30が接続されている。
【0015】制御回路30は、パルス幅制御方式によっ
て出力電圧Voutが一定となるようにFET14をオ
ン、オフ動作させるための方形波の制御信号S30eを
出力する回路であり、例えば、コントロールIC等で構
成されている。この制御回路30は、入力端子12に接
続され、補助電圧Vsを入力するための端子30aと、
出力端子19に接続され、出力電圧Voutを入力する
ための端子30bと、抵抗27,28及びコンデンサ2
9に接続されたタイマコンデンサ接続用の端子30c
と、トランジスタ26のエミッタ及び抵抗27に接続さ
れ、これらに対して補助電圧Vsを与えるための端子3
0dと、トランジスタ14のゲートに接続され、これら
に制御信号S30eを出力するための端子30eと、グ
ランドに接続された端子30fとを有している。端子3
0aは、端子30dに接続されている。
【0016】図1(b)に示す制御回路30は、端子3
0cにプラス側が接続された演算増幅器(以下「オペア
ンプ」という。)31を有し、このオペアンプ31のマ
イナス側が、補助電圧Vs入力用の端子30aに接続さ
れている。オペアンプ31の出力端子は、抵抗32を介
してスイッチ手段(例えば、NPN型トランジスタ)3
3のベースに接続されている。トランジスタ33のエミ
ッタは、グランド端子30fに接続され、さらにこのト
ランジスタ33のコレクタが、端子30c及びオペアン
プ31のプラス側入力端子に接続されている。これらの
オペアンプ31、抵抗32、及びトランジスタ33によ
って、のこぎり波発生手段が構成されている。こののこ
ぎり波発生手段は、端子30c上のCR充放電回路の出
力電位が一定電位まで上昇すると、コンデンサ29の蓄
積電荷を放電して所定周期ののこぎり波S33を端子3
0c上に発生する機能を有している。
【0017】出力電圧Vout入力用の端子30bに
は、直列接続された分圧抵抗34,35が接続され、さ
らにこの抵抗35がグランド端子30fに接続されてい
る。分圧抵抗34と35の接続点には、比較回路である
コンパレータ36の一方の入力端子が接続され、このコ
ンパレータ36の他方の入力端子が、端子30cに接続
されている。コンパレータ37の出力端子は、バッファ
37を介して、制御信号S30e出力用の端子30eが
接続されている。これらの分圧抵抗34,35、コンパ
レータ36、及びバッファ37によって、パルス生成手
段が構成されている。このパルス生成手段では、パルス
幅制御により、コンパレータ36によってのこぎり波S
33と出力電圧Voutとを比較してパルス信号を生成
し、このパルス信号をバッファ37で駆動して制御信号
S30eを生成し、端子30eから出力する機能を有し
ている。
【0018】次に、本実施形態のフォワード型直流電源
装置の出力電圧変化時の動作(A)と、入力電圧変化時
の動作(B)とを説明する。 (A) 出力電圧変化時の動作 まず、入力電圧Vinが入力端子11に与えられ、補助
電圧Vsが入力端子12に与えられて制御回路30が動
作し、この制御回路30の端子30eから方形波の制御
信号S30eが出力されていると仮定する。制御信号S
30eが“H”レベルと“L”レベルに変化することに
対応し、FET14もオン、オフ動作を繰り返す。図3
の実線で示すように、FET14がオンしたとき(整流
期間)は、トランス13の2次巻線13bのコールド側
に対して該2次巻線13bのホット側がプラス電圧にな
るから、ダイオード15が導通し、2次巻線13b→チ
ョークコイル17→出力端子19に接続された負荷→グ
ランド→ダイオード15→2次巻線13bのルートで電
流が流れる。一方、FET14がオフしたとき(転流期
間)は、トランス13の2次巻線13bのホット側に対
して該2次巻線13bのコールド側がプラス電圧になる
から、ダイオード15がオフする。このとき、チョーク
コイル17にエネルギーが蓄積された状態にある場合に
は、チョークコイル17→負荷→グランド→ダイオード
16→チョークコイル17のルートで電流が流れる。こ
れらの作用によって、直流の出力電圧Voutが出力端
子19から出力される。
【0019】入力端子11に入力される入力電圧Vin
が、例えば一定電圧Va以上のときには、これが分圧抵
抗21,22で分圧され、定電圧ダイオード23がオン
状態となって該定電圧ダイオード23のアノードが
“H”レベルの電圧Vzになる。これによってFET2
4がオフし、該FET24のドレイン側が“H”レベル
となってトランジスタ26がオフする。トランジスタ2
6がオフすると、抵抗28が抵抗27から切り離された
状態となる。制御回路30の端子30dに補助電圧Vs
が与えられると、この補助電圧Vsにより、抵抗27を
介してコンデンサ29が充電されていく。コンデンサ2
9に接続された端子30c上の電位が一定電位まで上昇
すると、オペアンプ31の出力電位によってトランジス
タ33がオンし、コンデンサ29に蓄積された電荷がグ
ランド側に放電される。このような動作によって所定周
期ののこぎり波S33が端子30c上に発生する。制御
回路30の端子30bに与えられた出力電圧Vout
は、分圧抵抗34,35で分圧され、この分圧電位との
こぎり波S33とがコンパレータ36で比較され、パル
ス信号が出力される。このパルス信号は、バッファ37
で駆動され、方形波の制御信号S30eが端子30eか
ら出力される。この制御信号S30eにより、FET1
4がオン、オフ動作し、該FET14がオンのときにト
ランス13の1次巻線13aに電流が流れ、該FET1
4がオフのときにその電流が遮断される。
【0020】このようなFET14のオン、オフ動作に
よってトランス13の2次巻線13bに方形波電圧が発
生し、この方形波電圧がダイオード15,16で整流さ
れ、チョークコイル17及びコンデンサ18によって平
滑化され、直流の出力電圧Voutが出力端子19から
出力される。負荷の変動等によって出力電圧Voutが
変化した場合、これが分圧抵抗34,35で分圧され、
この分圧電位が変動する。これにより、コンパレータ3
6から出力されるパルス信号のパルス幅が変化する。こ
のようなパルス幅制御により、出力電圧Voutの変動
が抑制され、一定の出力電圧Voutが出力端子19か
ら出力されることになる。
【0021】(B) 入力電圧変化時の動作 FET14のオン期間中にトランス13に蓄えられた磁
気エネルギーが、リセットによって放出して元の状態に
することが必要である。このようなリセットに要する時
間は、上述したように、トランス13の1次側のインダ
クタンスLp、FET14のドレイン・ソース間容量C
ds、及びダイオード15のカソード・アノード間容量
Ckaによって決まるから、直流電源装置を設計した時
点でリセット可能な最低入力電圧が分かる。このため、
リセット可能な最低入力電圧に、例えば1V〜2V程度
のマージンを加えた一定電圧をVaとし、入力電圧Vi
nが一定電圧Vaを下回る領域ではFET14のスイッ
チング周波数を下げ、スイッチング周期を大きくして強
制的に転流期間を長くしてリセット不足を回避すればよ
い。なお、出力電圧Voutは、FET14のデューテ
ィには依存するが、該FET14のスイッチング周波数
には関係しない。
【0022】FET14のゲートスレッシホールド電圧
をVthとすれば、 Vin>(1+R21/R22)(Vz+Vth) ・・・(3) 但し、R21;抵抗21の抵抗値 R22;抵抗22の抵抗値 Vz;定電圧ダイオード23の電圧 となる領域では、定電圧ダイオード23がオン状態とな
ってこの出力電位が“H”レベルのVzとなり、FET
24がオンする。FET24がオンすると、トランジス
タ26のベースが“L”レベルになり、このトランジス
タ26がオンし、抵抗28が抵抗27に並列接続された
状態となる。つまり、FET14のスイッチング周期を
決める抵抗値は、抵抗27と28の並列値となる。
【0023】これに対し、(3)式で定まるVin以下
の入力電圧に対しては、定電圧ダイオード23がオフし
てこの出力電位が“L”レベルとなり、FET24がオ
フする。このため、FET24のドレイン電圧が“H”
レベルとなり、トランジスタ26がオフする。このよう
にFET24及びトランジスタ26がオフのときには、
FET14のスイッチング周波数を決める抵抗値は、抵
抗28が抵抗27から切り離された状態となるので、該
抵抗27の抵抗値R27のみとなる。FET14のスイ
ッチング周期は、コンデンサ29を充電する時間に比例
するので、該FET14のスイッチング周期が大きくな
り、転流期間が長くなる。これにより、トランス13の
リセット不足を回避することができる。
【0024】このように、本実施形態の直流電源装置で
は、次のような効果がある。本実施形態では、入力電圧
Vinが一定電圧Vaより小さくなると、FET24が
オフし、このドレイン電流によってトランジスタ26の
ベース電流を制御するようにしている。このため、入力
電圧Vinが一定電圧Vaよりも小さくなったときに、
FET14のスイッチング周期が大きくなり、トランス
14のリセット不足を回避し、不安定動作や破壊を防止
することが可能になる。従って、定格動作時のFET1
4のオンデューティを長めに設定しておくことが可能に
なり、高い効率を得ることができる。
【0025】なお、本発明は上記実施形態に限定され
ず、種々の変形が可能である。この変形例としては、例
えば、次の(a)〜(e)のようなものがある。 (a) Nチャネル型FET14は、Pチャネル型FE
Tやバイポーラトランジスタ等といった他のスイッチン
グ素子で構成してもよい。同様に、Nチャネル型FET
24及びPNP型トランジスタ26は、他のスイッチ手
段で構成してもよい。例えば、Nチャネル型FET24
をNPN型トランジスタで構成し、PNP型トランジス
タ26をPチャネル型FETで構成することにより、上
記実施形態と同様の作用、効果が得られる。 (b) CR充放電回路を構成する抵抗28を、トラン
ジスタ26のオン、オフ動作によって抵抗27に対して
接続あるいは遮断するようにしているが、このCR充放
電回路を他の回路構成に変更してもよい。例えば、トラ
ンジスタ26及び抵抗28を削除し、コンデンサ29に
他のコンデンサを並列接続し、この他のコンデンサをト
ランジスタ26に相当するスイッチ手段によって容量値
を変えることにより、CR時定数を変えるような構成に
しても、上記実施形態とほぼ同様の作用、効果が得られ
る。 (c) 定電圧ダイオード23及びFET24を用いて
入力電位検出手段を構成したが、この入力電位検出手段
を他の回路構成に変更してもよい。例えば、定電圧ダイ
オード23及びFET24に代えて、コンパレータ等を
用いて入力電圧Vinを検出するようにしてもよい。 (d) 制御回路30を構成する図1(b)ののこぎり
波発生手段及びパルス生成手段は、図示以外のパルス幅
制御方式の回路等に変更してもよい。 (e) 実施形態ではフォワード型直流電源装置につい
て説明したが、FET14がオフ状態のときに出力電圧
Voutを発生するようなフライバック型直流電源装置
についても本発明を適用できる。
【0026】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、第1及び第
2の発明によれば、入力電圧が一定値より小さくなった
ときにスイッチング素子のスイッチング周期を大きくす
るような構成にしたので、従来のようなトランスのリセ
ット不足を回避し、不安定動作や破壊を防止することが
可能となる。従って、定格動作時のスイッチング素子の
例えばオンデューティを長めに設定しておくことが可能
になり、高い変換効率を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態を示すフォワード型直流電源
装置の一構成例を示す概略の回路図である。
【図2】従来のフォワード型直流電源装置の一構成例を
示す回路図である。
【図3】図2の動作波形図である。
【符号の説明】
13 トランス 14,24 FET 15,16 整流用ダイオード 17 平滑用チョークコイル 18 平滑用コンデンサ 21,22,34,35 分圧抵抗 23 定電圧ダイオード 26,33 トランジスタ 27,28 抵抗 29 コンデンサ 30 制御回路 31 オペアンプ 36 コンパレータ Vin 入力電圧 Vout 出力電圧

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一端に直流の入力電圧が印加される1次
    巻線及び該1次巻線に電磁結合される2次巻線を有する
    変圧器と、 前記1次巻線の他端に直列に接続され、方形波の制御信
    号によりオン、オフ動作して該1次巻線に流れる電流を
    断続するスイッチング素子と、 前記2次巻線に接続され、該2次巻線に発生する方形波
    電圧を整流及び平滑化して直流の出力電圧を出力する整
    流平滑回路と、 前記入力電圧が一定値より小さいときには第1の電位を
    出力し、該入力電圧が一定値以上のときには第2の電位
    を出力する入力電位検出手段と、 抵抗R、コンデンサC、及び前記第1と第2の電位の入
    力によってオン、オフ動作する第1のスイッチ手段で構
    成され、該第1の電位を入力したときには該第1のスイ
    ッチ手段の動作によってCR時定数を大きくし、該第2
    の電位を入力したときには該第1のスイッチ手段の動作
    によって該CR時定数を小さくするCR充放電回路と、 前記CR充放電回路の出力電位が一定電位まで上昇する
    と前記コンデンサCの蓄積電荷を放電して所定周期のの
    こぎり波を発生するのこぎり波発生手段と、 前記のこぎり波と前記出力電圧とを比較して該出力電圧
    が一定の値になるようにパルス幅を変化させた前記制御
    信号を出力して前記スイッチング素子に与えるパルス生
    成手段とを、備えたことを特徴とする直流電源装置。
  2. 【請求項2】 入力電位検出手段は、 入力電位を分圧する分圧抵抗と、 前記分圧抵抗で分圧された分圧電位を入力し、該分圧電
    位が一定値より小さいときには第1の低電位を出力し、
    該分圧電位が一定値以上のときには第1の高電位を出力
    する定電圧素子と、 前記第1の低電位と前記第1の高電位の入力によってオ
    ン、オフ動作し、該第1の低電位を入力したときには第
    2の高電位を出力し、該第1の高電位を入力したときに
    は第2の低電位を出力する第2のスイッチ手段とを備
    え、 CR充放電回路は、 直列接続された第1の抵抗R1及びコンデンサCと、直
    列接続された第2の抵抗R2及び第1のスイッチ手段と
    を有し、該第2の抵抗R2及び該第1のスイッチ手段が
    該第1の抵抗R1に並列接続された構成になっているこ
    とを特徴とする請求項1記載の直流電源装置。
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