JP5430186B2 - 電源装置及び制御回路 - Google Patents
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Description
図7において、700は商用交流源、701はフィルタ回路、702は整流回路、703は一次電解コンデンサである。商用交流700より入力された交流電圧はフィルタ回路701を通り整流回路702と平滑コンデンサ703によって直流電圧に変換される。
704はトランス、Npはトランス704の一次巻線、705は起動抵抗、Nbはトランス704の一次側に周回された補助巻線、706はスイッチング素子、710はスイッチング素子706のゲート−ソース間に設けられた抵抗、709はゲート抵抗である。
トランス704の一次巻線Npと、スイッチング素子706は直列に接続されている。コンデンサ703の正端子とスイッチング素子706のゲート端子間には起動抵抗705が接続されている。
一方で補助巻線Nbの電圧は、抵抗711、コンデンサ712からなる時定数回路にも供給されており、コンデンサ712の両端電圧がトランジスタ713のベースエミッタ間に印加されるよう接続している。
コンデンサ712の電圧が上昇してトランジスタ713がオンすると、抵抗709を介して電流が流れスイッチング素子706のゲート電圧が低下し、スイッチング素子706はターンオフする。
巻線Nbには巻線Npの電圧が反映されるため、ドレイン端子電圧がコンデンサ703の両端電圧より低くなったときには巻線Nbにはスイッチング素子706のゲート端子電圧がソース端子よりも高くなるように電圧が印加される。この電圧がスイッチング素子706のゲート閾電圧を超えると、スイッチング素子706が再びオンし、以降は前述したような一連の動作を繰り返す。
電流検出抵抗720の検出値が下がるとトランジスタ718のベース電流も小さくなってしまうため、トランジスタ718はゲート電圧を低下させるための電流を流すことができなくなり、さらにターンオフ時間が長くなってしまうという問題があった。
すなわち、図8に示すように、トランジスタを2段接続したダーリントン構成とする。そして、初段のトランジスタ815のHfe1と二段目のトランジスタ817のHfe2との乗算による増幅率でトランジスタ815のベース電流を増幅した電流をスイッチング素子804のゲートから流出させる。このためトランジスタ1個の場合よりもゲートから流出するゲート電流を多くすることができ、高速なターンオフを可能にしている。
Ic2=Hfe1×Hfe2×(Vr−Vbe)/R
となり、検出電圧に依存する。ここでRは抵抗814の抵抗値、Vrは抵抗806の両端電圧である。Vrはスイッチング素子804のドレイン電流Idと抵抗806の抵抗値をかけたものとなる。Vbeはトランジスタ815のベースエミッタ電圧である。電流検出抵抗806の電流が減少するとトランジスタ815のベース電流が減少し、トランジスタ817のコレクタ電流も減少してしまう。このためにスイッチング素子804のゲート容量が大きいときは特許文献1の手法では、やはりターンオフ時間が長くなるという課題があった。
(2)電源のトランスを駆動するためのスイッチング素子の動作を制御する制御回路において、前記スイッチング素子と直列に接続された電流検出抵抗素子と、前記トランスの補助巻線に接続され、抵抗素子とコンデンサと、前記コンデンサの電圧に応じてオンするトランジスタとを有する時定数回路により前記スイッチング素子のオン時間を制限するオン時間制限回路と、前記電流検出抵抗素子と接続されており、前記電流検出抵抗素子で検出した値が所定値を超えた場合に前記スイッチング素子をオフし、前記スイッチング素子をオフする動作を保持する自己保持回路を有する電流制限回路と、を備え、前記自己保持回路は、第一のトランジスタと第二のトラジスタとを有し、前記電流検出抵抗素子と前記第一のトランジスタのベース端子とが接続され、前記第一のトランジスタのコレクタ端子と前記第二のトランジスタのベース端子とが接続され、前記第二のトランジスタのコレクタ端子と前記第一のトランジスタのベース端子とが接続されており、前記第一のトランジスタのコレクタ端子および前記第二のトランジスタのベース端子と、前記時定数回路の前記トランジスタとに接続されるダイオードを更に有することを特徴とする制御回路。
(3)一次巻線と二次巻線と補助巻線を備えたトランスと、前記トランスの一次巻線に流れる電流を制御するスイッチング素子と、前記スイッチング素子と直列に接続された電流検出抵抗素子と、前記トランスの補助巻線に接続され、抵抗素子とコンデンサと、前記コンデンサの電圧に応じてオンする第一のトランジスタとを有する時定数回路により前記スイッチング素子のオン時間を制限するオン時間制限回路と、前記時定数回路の前記コンデンサと、前記時定数回路の前記第一のトランジスタのベース端子と前記電流検出抵抗素子とが接続されており、前記時定数回路の前記第一のトランジスタと接続される第二のトランジスタを有し、前記第二のトランジスタのベース端子と前記第一のトランジスタのコレクタ端子とが接続され、前記第二のトランジスタのコレクタ端子と前記第一のトランジスタのベース端子とが接続されており、前記第一のトランジスタと前記第二のトランジスタとによって前記スイッチング素子をオフする動作を保持する自己保持回路と、を備えることを特徴とする電源装置。
(4)電源のトランスを駆動するためのスイッチング素子の動作を制御する制御回路において、前記スイッチング素子と直列に接続された電流検出抵抗素子と、前記トランスの補助巻線に接続され、抵抗素子とコンデンサと、前記コンデンサの電圧に応じてオンする第一のトランジスタとを有する時定数回路により前記スイッチング素子のオン時間を制限するオン時間制限回路と、前記時定数回路の前記コンデンサと、前記時定数回路の前記第一のトランジスタのベース端子と前記電流検出抵抗素子とが接続されており、前記時定数回路の前記第一のトランジスタと接続される第二のトランジスタを有し、前記第二のトランジスタのベース端子と前記第一のトランジスタのコレクタ端子とが接続され、前記第二のトランジスタのコレクタ端子と前記第一のトランジスタのベース端子とが接続されており、前記第一のトランジスタと前記第二のトランジスタとによって前記スイッチング素子をオフする動作を保持する自己保持回路と、を備えることを特徴とする制御回路。
図1は、本実施例の自励発振方式のスイッチング電源装置の回路図である。図1において、100は商用交流電源、101はフィルタ回路、102はダイオードブリッジ、103は電解コンデンサ、104はスイッチングトランスである。Npはトランスの一次巻線、Nsはトランスの二次巻線、Nbはトランスのバイアス巻線(帰還巻線)を示す。又、105は起動抵抗、106はスイッチング素子(FET)、107、109、110は抵抗、108はコンデンサである。
111、115、117、120、123、124は抵抗、113、118はNPNトランジスタ、119はPNPトランジスタであり、トランジスタ118とトランジスタ119により自己保持回路を構成している。自己保持回路の詳細については後述する、112、126はコンデンサ、114,116はダイオードである。
電解コンデンサ103の両端に現れたDC電圧は起動抵抗105、ゲート抵抗109、抵抗110により分圧される。抵抗110に現れた電圧はスイッチング素子106のゲート−ソース間にも印加される。この電圧がスイッチング素子106のゲート閾値を超えるとスイッチング素子106がターンオンする。
巻線Nsにはダイオード121のアノード側に接続された端子の電圧が低く、Ns巻線の反対側の端子電圧は高くなるような電圧が発生する。従ってダイオード121は逆バイアスされて電流はリーク電流程度しか流れない。
巻線Nbにはダイオード116のカソード側が接続されている端子電圧が高くなり、抵抗107、コンデンサ108を通じて抵抗109、抵抗110へと電流を流す。
従ってスイッチング素子106のゲート−ソース電圧はさらに上昇し、スイッチング素子106のオン抵抗が低下する。スイッチング素子106がオンするとトランス104に流れる電流は時間とともに増加し、電流検出素子である電流検出抵抗120の電圧も上昇する。電流検出抵抗120の電圧が上昇してトランジスタ118にベース電流が流れ始める。つまり、電流検出素子で検出した電流が所定値を超えた場合にトランジスタ118にベース電流が流れる。
トランジスタ118の電流増幅率をHfe1とするとトランジスタ118はベースに流れた電流のHfe1倍の電流をコレクタに流そうとする。トランジスタ118のコレクタ電流により、トランジスタ119のベースにベース電流が流れる。トランジスタ119の電流増幅率をHfe2とするトランジスタ119もまたベース電流のHfe2倍のコレクタ電流を流す。従ってトランジスタ119のエミッタからコレクタに電流が流れトランジスタ118のベース電流が上昇し、トランジスタ118のコレクタ電流がさらに上昇する。このようになるとスイッチング素子106のドレイン電流が減少して電流検出抵抗120の電圧が低下してもトランジスタ118のベース電流がトランジスタ119により供給されるためトランジスタ118のベース電流は減少しない。従ってトランジスタ118、119はドレイン電流に影響されること無くオンし続ける。この状態が、電流制限動作状態を自己保持する状態である。スイッチング素子106のゲート電圧は、トランジスタ118、119により放電されてトランジスタ118、119のベースエミッタ飽和電圧となるまで低下しようとする。
FET106のドレイン電流Idは、FETの増幅率gm、FETのゲート電圧をVg、FETのゲート閾電圧をVgsとすると
Id=gm(Vg−Vgs) ・・・(1)
のように表すことができる。
(1)式を微分すると
となる。
Qg=Cg×Vg ・・・(3)
であり、ここでゲート電荷Qgはトランジスタ817のコレクタ電流Ic817により放電されるため
Qg=−∫Ic817 dt ・・・(4)
(4)式を微分して(3)式を代入すると
となる。
Ic817=Hfe1×Hfe2×(Id×R806−Vbe)/R814・・・(6)
となる。ここでR814は抵抗814の抵抗値、R806は抵抗806の抵抗値、Vbeはトランジスタ815のベースエミッタ電圧である。
Qg=−∫Ia dt ・・・(8)
Ia=Vg/Rg ・・・(9)
Qg=Cg×Vg ・・・(10)
Id=gm(Vg−Vgs) ・・・(11)
以上より
となる。
スイッチング素子106のドレイン電流変化率はIdにも依存するもののId=0となっても変化率は0にならないためスイッチング素子106のドレイン電流は減少し続ける。
図3において、301はスイッチング素子106のドレイン電圧波形、302は電解コンデンサ103の電圧、303はドレイン電流Id波形、304は電流検出抵抗120とトランジスタ118により予め定められた電流制限値、305はゲート電圧波形である。306はスイッチング素子106のゲート閾値電圧、307はトランジスタ118のベース電圧、308はトランジスタ118がオンするときのベースエミッタ電圧である。309,311はスイッチング素子106のオン期間、310はスイッチング素子106のオフ期間である。
511、515、517、520は抵抗、513、518はNPNトランジスタ、519はPNPトランジスタ、512はコンデンサ、514、516はダイオードである。521は二次整流ダイオード、522は電解コンデンサである。
なお、前記自己保持回路はサイリスタ素子によって構成しても良い。
ここでは実施例3に係る説明のみとして、実施例1と重複する説明は行わない。図6において、600は商用交流電源、601はフィルタ回路、602はダイオードブリッジ、603は一次電解コンデンサ、604はスイッチングトランスである。Npはトランス604の一次巻線、Nsはトランス604の二次巻線、Nbはトランス604のバイアス巻線(補助巻線)を示す。又、605は起動抵抗、606はスイッチング素子、607、609、610は抵抗、608はコンデンサである。611、615、620は抵抗、613はNPNトランジスタ、617はPNPトランジスタ、612はコンデンサ、614,616はダイオードである。621は二次整流ダイオード、622は電解コンデンサである。トランジスタ613と617により自己保持回路を構成している。
なお、前記自己保持回路はサイリスタ素子によって構成しても良い。
102 ダイオードブリッジ
103 電解コンデンサ
104 スイッチングトランス
106 スイッチング素子
107 抵抗
111 時定数回路の抵抗
112 時定数回路のコンデンサ
113 トランジスタ
118 電流検出トランジスタ
119 118と組み合わせて自己保持回路を構成するトランジスタ
120 電流検出抵抗
121 二次整流ダイオード
122 二次平滑コンデンサ
Claims (4)
- 一次巻線と二次巻線と補助巻線を備えたトランスと、
前記トランスの一次巻線に流れる電流を制御するスイッチング素子と、
前記スイッチング素子と直列に接続された電流検出抵抗素子と、
前記トランスの補助巻線に接続され、抵抗素子とコンデンサと、前記コンデンサの電圧に応じてオンするトランジスタとを有する時定数回路により前記スイッチング素子のオン時間を制限するオン時間制限回路と、
前記電流検出抵抗素子と接続されており、前記電流検出抵抗素子で検出した値が所定値を超えた場合に前記スイッチング素子をオフし、前記スイッチング素子をオフする動作を保持する自己保持回路を有する電流制限回路と、を備え、
前記自己保持回路は、第一のトランジスタと第二のトラジスタとを有し、前記電流検出抵抗素子と前記第一のトランジスタのベース端子とが接続され、前記第一のトランジスタのコレクタ端子と前記第二のトランジスタのベース端子とが接続され、前記第二のトランジスタのコレクタ端子と前記第一のトランジスタのベース端子とが接続されており、
前記第一のトランジスタのコレクタ端子および前記第二のトランジスタのベース端子と、前記時定数回路の前記トランジスタとに接続されるダイオードを更に有することを特徴とする電源装置。 - 電源のトランスを駆動するためのスイッチング素子の動作を制御する制御回路において、
前記スイッチング素子と直列に接続された電流検出抵抗素子と、
前記トランスの補助巻線に接続され、抵抗素子とコンデンサと、前記コンデンサの電圧に応じてオンするトランジスタとを有する時定数回路により前記スイッチング素子のオン時間を制限するオン時間制限回路と、
前記電流検出抵抗素子と接続されており、前記電流検出抵抗素子で検出した値が所定値を超えた場合に前記スイッチング素子をオフし、前記スイッチング素子をオフする動作を保持する自己保持回路を有する電流制限回路と、を備え、
前記自己保持回路は、第一のトランジスタと第二のトラジスタとを有し、前記電流検出抵抗素子と前記第一のトランジスタのベース端子とが接続され、前記第一のトランジスタのコレクタ端子と前記第二のトランジスタのベース端子とが接続され、前記第二のトランジスタのコレクタ端子と前記第一のトランジスタのベース端子とが接続されており、
前記第一のトランジスタのコレクタ端子および前記第二のトランジスタのベース端子と、前記時定数回路の前記トランジスタとに接続されるダイオードを更に有することを特徴とする制御回路。 - 一次巻線と二次巻線と補助巻線を備えたトランスと、
前記トランスの一次巻線に流れる電流を制御するスイッチング素子と、
前記スイッチング素子と直列に接続された電流検出抵抗素子と、
前記トランスの補助巻線に接続され、抵抗素子とコンデンサと、前記コンデンサの電圧に応じてオンする第一のトランジスタとを有する時定数回路により前記スイッチング素子のオン時間を制限するオン時間制限回路と、
前記時定数回路の前記コンデンサと、前記時定数回路の前記第一のトランジスタのベース端子と前記電流検出抵抗素子とが接続されており、
前記時定数回路の前記第一のトランジスタと接続される第二のトランジスタを有し、前記第二のトランジスタのベース端子と前記第一のトランジスタのコレクタ端子とが接続され、前記第二のトランジスタのコレクタ端子と前記第一のトランジスタのベース端子とが接続されており、前記第一のトランジスタと前記第二のトランジスタとによって前記スイッチング素子をオフする動作を保持する自己保持回路と、
を備えることを特徴とする電源装置。 - 電源のトランスを駆動するためのスイッチング素子の動作を制御する制御回路において、
前記スイッチング素子と直列に接続された電流検出抵抗素子と、
前記トランスの補助巻線に接続され、抵抗素子とコンデンサと、前記コンデンサの電圧に応じてオンする第一のトランジスタとを有する時定数回路により前記スイッチング素子のオン時間を制限するオン時間制限回路と、
前記時定数回路の前記コンデンサと、前記時定数回路の前記第一のトランジスタのベース端子と前記電流検出抵抗素子とが接続されており、
前記時定数回路の前記第一のトランジスタと接続される第二のトランジスタを有し、前記第二のトランジスタのベース端子と前記第一のトランジスタのコレクタ端子とが接続され、前記第二のトランジスタのコレクタ端子と前記第一のトランジスタのベース端子とが接続されており、前記第一のトランジスタと前記第二のトランジスタとによって前記スイッチング素子をオフする動作を保持する自己保持回路と、
を備えることを特徴とする制御回路。
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