JP2001028110A - 磁気抵抗効果ヘッドの製造方法と磁気抵抗効果ヘッド及びそれを用いた磁気ディスク装置 - Google Patents
磁気抵抗効果ヘッドの製造方法と磁気抵抗効果ヘッド及びそれを用いた磁気ディスク装置Info
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 claims abstract description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 230000035515 penetration Effects 0.000 claims description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 abstract 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 64
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 18
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
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- Hall/Mr Elements (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 リードヘッドのトラック幅加工に用いられる
部位の下層レジストをアンダーカットして中空形状のリ
フトオフパターンを形成して磁区制御膜及び電極膜を形
成すること。 【解決手段】 磁気抵抗効果ヘッドの製造方法であっ
て、下部ギャップ膜１上に磁気抵抗効果膜２を形成する
工程と、磁気抵抗効果膜上に下層レジスト５と上層レジ
スト６の２層レジストを形成する工程と、磁気抵抗効果
ヘッドのトラック幅に相当する幅Ｗを有した２層レジス
トパターンを形成する工程と、上層レジストとは材質を
異にする下層レジストにおけるトラック相当幅を溶解し
て下層レジスト中空部を形成してリフトオフパターンを
形成する工程（Ｄ）と、リフトオフパターンを用いて磁
気抵抗効果膜を所定形状に加工する工程（Ｅ）と、リフ
トオフパターンを用いて磁区制御膜と電極膜を成膜する
工程（Ｆ）と、を少なくとも備えたこと。
部位の下層レジストをアンダーカットして中空形状のリ
フトオフパターンを形成して磁区制御膜及び電極膜を形
成すること。 【解決手段】 磁気抵抗効果ヘッドの製造方法であっ
て、下部ギャップ膜１上に磁気抵抗効果膜２を形成する
工程と、磁気抵抗効果膜上に下層レジスト５と上層レジ
スト６の２層レジストを形成する工程と、磁気抵抗効果
ヘッドのトラック幅に相当する幅Ｗを有した２層レジス
トパターンを形成する工程と、上層レジストとは材質を
異にする下層レジストにおけるトラック相当幅を溶解し
て下層レジスト中空部を形成してリフトオフパターンを
形成する工程（Ｄ）と、リフトオフパターンを用いて磁
気抵抗効果膜を所定形状に加工する工程（Ｅ）と、リフ
トオフパターンを用いて磁区制御膜と電極膜を成膜する
工程（Ｆ）と、を少なくとも備えたこと。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録装置、特
に磁気ディスク装置に用いられる磁気抵抗効果ヘッド
（巨大磁気抵抗効果ヘッドを含む）に関する。
に磁気ディスク装置に用いられる磁気抵抗効果ヘッド
（巨大磁気抵抗効果ヘッドを含む）に関する。
【０００２】
【従来の技術】基板上に、少なくとも下部シールド、下
部ギャップ、磁気抵抗効果素子、電極、上部ギャップ及
び薄膜磁気ヘッドの下部磁気コアを兼用する上部シール
ドを有する磁気抵抗効果ヘッドの製造方法として、従来
は、図３に示す様に、下部ギャップ１の上に、磁気抵抗
効果膜２を成膜する工程（図３の（Ａ））、下層レジス
ト５及び上層レジスト６の２層のレジスト膜を塗布する
工程（図３の（Ｂ））、露光と現像法により、下層にア
ンダーカット部８と所定の幅の下層レジストパターン３
を有する２層のリフトオフパターン７を形成する工程
（図３の（Ｃ））、このリフトオフパターンをマスクに
磁気抵抗効果膜をイオンミリングする工程（図３の
（Ｄ））、磁区制御膜１０，１２及び電極膜１１，１３
を成膜する工程（図３の（Ｅ））、不要部３，４，１
２，１３をリフトオフすることにより、磁区制御膜１０
及び電極膜１１を形成する工程（図３の（Ｆ））、によ
るものが知られている。
部ギャップ、磁気抵抗効果素子、電極、上部ギャップ及
び薄膜磁気ヘッドの下部磁気コアを兼用する上部シール
ドを有する磁気抵抗効果ヘッドの製造方法として、従来
は、図３に示す様に、下部ギャップ１の上に、磁気抵抗
効果膜２を成膜する工程（図３の（Ａ））、下層レジス
ト５及び上層レジスト６の２層のレジスト膜を塗布する
工程（図３の（Ｂ））、露光と現像法により、下層にア
ンダーカット部８と所定の幅の下層レジストパターン３
を有する２層のリフトオフパターン７を形成する工程
（図３の（Ｃ））、このリフトオフパターンをマスクに
磁気抵抗効果膜をイオンミリングする工程（図３の
（Ｄ））、磁区制御膜１０，１２及び電極膜１１，１３
を成膜する工程（図３の（Ｅ））、不要部３，４，１
２，１３をリフトオフすることにより、磁区制御膜１０
及び電極膜１１を形成する工程（図３の（Ｆ））、によ
るものが知られている。
【０００３】また、磁気抵抗効果ヘッドの製造方法とし
て、特許第２８３３５７９号公報には、単層レジストを
用いてトラック部がブリッジ形状のリフトオフパターン
を形成し、リフトオフ法により電極層を形成することが
記載されている。
て、特許第２８３３５７９号公報には、単層レジストを
用いてトラック部がブリッジ形状のリフトオフパターン
を形成し、リフトオフ法により電極層を形成することが
記載されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術における
図３（Ｃ）のアンダーカット８の形成に関して、例え
ば、１００ｎｍ程度のアンダーカット部の高さに対し、
リフトオフの際の電極膜等の入り込みによるアンダーカ
ット部のフェンス（ばり）の発生を抑制するためには、
アンダーカット量（片側、図３（Ｃ）のＬ）を０．０５
μｍ以上とする必要がある。すなわち、アンダーカット
量Ｌが小さすぎると、電極膜の形成で例えば上層レジス
トの端部にまで電極膜の端が乗り上げることによりバリ
が発生する場合がある。
図３（Ｃ）のアンダーカット８の形成に関して、例え
ば、１００ｎｍ程度のアンダーカット部の高さに対し、
リフトオフの際の電極膜等の入り込みによるアンダーカ
ット部のフェンス（ばり）の発生を抑制するためには、
アンダーカット量（片側、図３（Ｃ）のＬ）を０．０５
μｍ以上とする必要がある。すなわち、アンダーカット
量Ｌが小さすぎると、電極膜の形成で例えば上層レジス
トの端部にまで電極膜の端が乗り上げることによりバリ
が発生する場合がある。
【０００５】また、下層レジストパターンを残す場合、
上層レジストを支持するためにも、その幅は０．１μｍ
以上が好ましい。
上層レジストを支持するためにも、その幅は０．１μｍ
以上が好ましい。
【０００６】従って、アンダーカット量の上限は、例え
ば、上層レジストパターンの幅（図３（Ｃ）のＷ）が
０．５μｍの場合は０．２μｍ以下となる。下限０．０
５μｍ〜上限０．２μｍのアンダーカット部を形成する
ための現像時間は、例えば、４〜５秒以下と短く、アン
ダーカット量のばらつきの制御が困難となってくる。
ば、上層レジストパターンの幅（図３（Ｃ）のＷ）が
０．５μｍの場合は０．２μｍ以下となる。下限０．０
５μｍ〜上限０．２μｍのアンダーカット部を形成する
ための現像時間は、例えば、４〜５秒以下と短く、アン
ダーカット量のばらつきの制御が困難となってくる。
【０００７】また、将来、高記録密度化が進むと、上層
レジストパターンの幅を小さくすると共に、アンダーカ
ット部の高さをより低くして電極膜等の入り込みをさら
に抑制する必要がある。因みに、図３（Ｃ）の上層レジ
ストの幅Ｗはトラック幅を決めるものである。リフトオ
フパターンの形成に単層レジストを用いた場合、アンダ
ーカット部の高さの変更は、材料の変更や、リフトオフ
パターンの全体の高さを変更したりする必要がある等、
一般に困難である。また、リフトオフパターン両端下部
のそりあがり等の問題がある。
レジストパターンの幅を小さくすると共に、アンダーカ
ット部の高さをより低くして電極膜等の入り込みをさら
に抑制する必要がある。因みに、図３（Ｃ）の上層レジ
ストの幅Ｗはトラック幅を決めるものである。リフトオ
フパターンの形成に単層レジストを用いた場合、アンダ
ーカット部の高さの変更は、材料の変更や、リフトオフ
パターンの全体の高さを変更したりする必要がある等、
一般に困難である。また、リフトオフパターン両端下部
のそりあがり等の問題がある。
【０００８】即ち、レジストが単層の場合に、図３
（Ｃ）のようなリフトオフパターンを形成しようとする
と、アンダーカット部８の高さを精度良い寸法にするの
が困難であり、更に、アンダーカットされた底面が、水
平面ではなくて、端に向けてそり上がるような形状とな
ってしまい正確なＷの幅を確保できない。
（Ｃ）のようなリフトオフパターンを形成しようとする
と、アンダーカット部８の高さを精度良い寸法にするの
が困難であり、更に、アンダーカットされた底面が、水
平面ではなくて、端に向けてそり上がるような形状とな
ってしまい正確なＷの幅を確保できない。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明は主として次のような構成を採用する。
に、本発明は主として次のような構成を採用する。
【００１０】基板上に、下部シールド膜、下部ギャップ
膜、磁気抵抗効果膜、磁区制御膜、電極膜、上部ギャッ
プ膜、上部シールド膜を有する磁気抵抗効果ヘッドの製
造方法であって、前記基板上に下部シールド膜と下部ギ
ャップ膜を形成する工程と、前記下部ギャップ膜上に磁
気抵抗効果膜を形成する工程と、前記磁気抵抗効果膜上
に下層レジストと上層レジストの２層レジストを形成す
る工程と、磁気抵抗効果ヘッドのトラック幅に相当する
幅を有した前記２層レジストパターンを形成する工程
と、前記上層レジストとは材質を異にする下層レジスト
における前記トラック相当幅を溶解して下層レジスト中
空部を形成してリフトオフパターンを形成する工程と、
前記リフトオフパターンを用いて前記磁気抵抗効果膜を
所定形状に加工する工程と、前記リフトオフパターンを
用いて磁区制御膜と電極膜を成膜する工程と、前記磁区
制御膜と電極膜の不要部分を前記リフトオフパターンと
ともに除去する工程と、を備えた磁気抵抗効果ヘッドの
製造方法。
膜、磁気抵抗効果膜、磁区制御膜、電極膜、上部ギャッ
プ膜、上部シールド膜を有する磁気抵抗効果ヘッドの製
造方法であって、前記基板上に下部シールド膜と下部ギ
ャップ膜を形成する工程と、前記下部ギャップ膜上に磁
気抵抗効果膜を形成する工程と、前記磁気抵抗効果膜上
に下層レジストと上層レジストの２層レジストを形成す
る工程と、磁気抵抗効果ヘッドのトラック幅に相当する
幅を有した前記２層レジストパターンを形成する工程
と、前記上層レジストとは材質を異にする下層レジスト
における前記トラック相当幅を溶解して下層レジスト中
空部を形成してリフトオフパターンを形成する工程と、
前記リフトオフパターンを用いて前記磁気抵抗効果膜を
所定形状に加工する工程と、前記リフトオフパターンを
用いて磁区制御膜と電極膜を成膜する工程と、前記磁区
制御膜と電極膜の不要部分を前記リフトオフパターンと
ともに除去する工程と、を備えた磁気抵抗効果ヘッドの
製造方法。
【００１１】また、前記磁気抵抗効果ヘッドの製造方法
において、前記下層レジスト中空部のリフトオフパター
ン工程で、前記中空部の厚さを１００ｎｍ以下とし、前
記リフトオフパターンを用いて磁区制御膜と電極膜を成
膜する工程で、磁気抵抗効果膜上面への電極膜の入り込
みを５０ｎｍ以下とする磁気抵抗効果ヘッドの製造方
法。
において、前記下層レジスト中空部のリフトオフパター
ン工程で、前記中空部の厚さを１００ｎｍ以下とし、前
記リフトオフパターンを用いて磁区制御膜と電極膜を成
膜する工程で、磁気抵抗効果膜上面への電極膜の入り込
みを５０ｎｍ以下とする磁気抵抗効果ヘッドの製造方
法。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の実施形態に係る磁気抵抗
効果ヘッドの製造方法について、図１及び図２を用いて
以下説明する。図１は、本発明の実施形態に係る磁気抵
抗効果ヘッドの電極形成時に用いられるリフトオフパタ
ーンを示し、図２は、本発明の実施形態に係る磁気抵抗
効果ヘッドの磁区制御層及び電極膜を形成する工程を示
す図である。ここで、１は下部ギャップ、２，９は磁気
抵抗効果膜、３は下層レジストパターン、４は上層レジ
ストパターン、５は下層レジスト、６は上層レジスト、
１０，１２は磁区制御膜、１１，１３は電極膜、をそれ
ぞれ表す。
効果ヘッドの製造方法について、図１及び図２を用いて
以下説明する。図１は、本発明の実施形態に係る磁気抵
抗効果ヘッドの電極形成時に用いられるリフトオフパタ
ーンを示し、図２は、本発明の実施形態に係る磁気抵抗
効果ヘッドの磁区制御層及び電極膜を形成する工程を示
す図である。ここで、１は下部ギャップ、２，９は磁気
抵抗効果膜、３は下層レジストパターン、４は上層レジ
ストパターン、５は下層レジスト、６は上層レジスト、
１０，１２は磁区制御膜、１１，１３は電極膜、をそれ
ぞれ表す。
【００１３】図１（ａ）は、前記リフトオフパターンの
トラック幅加工に用いられる部位付近の平面図、図１
（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ’線で切断した下部ギャッ
プ、磁気抵抗効果膜及びリフトオフパターンの断面図、
図１（ｃ）はＢ−Ｂ’線で切断した下部ギャップ、磁気
抵抗効果膜及びリフトオフパターンの断面図である。
トラック幅加工に用いられる部位付近の平面図、図１
（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ’線で切断した下部ギャッ
プ、磁気抵抗効果膜及びリフトオフパターンの断面図、
図１（ｃ）はＢ−Ｂ’線で切断した下部ギャップ、磁気
抵抗効果膜及びリフトオフパターンの断面図である。
【００１４】リードヘッドのトラック幅加工に用いられ
る部位のリフトオフパターンの断面は下層のアンダーカ
ット部が左右両側から貫通し、中空になっている。この
上層レジストパターン４は、図１（ａ）の領域Ｂ及び領
域Ｄ（中央部Ｃ以外の領域）に存在する下層レジストパ
ターン３によって支えられている。
る部位のリフトオフパターンの断面は下層のアンダーカ
ット部が左右両側から貫通し、中空になっている。この
上層レジストパターン４は、図１（ａ）の領域Ｂ及び領
域Ｄ（中央部Ｃ以外の領域）に存在する下層レジストパ
ターン３によって支えられている。
【００１５】図２は、本実施形態における磁気抵抗効果
ヘッドの製造方法を示す図である。まず、図示していな
いが、基板上にアルミナ等の絶縁膜（ベース膜）、下部
シールド膜を形成し、その上に、下部ギャップ１、磁気
抵抗効果膜２を順次成膜する。次に図２（Ｂ）に示す様
に、下層レジスト５、上層レジスト６を順次所定の膜厚
になる様塗布する。
ヘッドの製造方法を示す図である。まず、図示していな
いが、基板上にアルミナ等の絶縁膜（ベース膜）、下部
シールド膜を形成し、その上に、下部ギャップ１、磁気
抵抗効果膜２を順次成膜する。次に図２（Ｂ）に示す様
に、下層レジスト５、上層レジスト６を順次所定の膜厚
になる様塗布する。
【００１６】次に図２（Ｃ）に示す様に、露光、１回目
の現像により、所定の幅を有する上層レジストパターン
４及び下層レジストパターン３を形成する。次に、図２
（Ｄ）に示す様に、下層レジストパターン３の溶解を行
い、アンダーカットを左右両側から貫通させる。この時
の溶解（現像）時間は、上層レジストパターン４の幅が
０．４μｍ程度の場合、３０秒程度である。
の現像により、所定の幅を有する上層レジストパターン
４及び下層レジストパターン３を形成する。次に、図２
（Ｄ）に示す様に、下層レジストパターン３の溶解を行
い、アンダーカットを左右両側から貫通させる。この時
の溶解（現像）時間は、上層レジストパターン４の幅が
０．４μｍ程度の場合、３０秒程度である。
【００１７】次に、図２（Ｅ）に示す様に上層レジスト
パターン４を用いて磁気抵抗効果膜２のイオンミリング
を行う。次に図２（Ｆ）に示す様に、磁区制御膜１０，
１２及び電極膜１１，１３を成膜する。次に図２（Ｇ）
に示す様に、不要部４，１２，１３をリフトオフするこ
とにより、磁区制御膜１０及び電極膜１１を形成する。
パターン４を用いて磁気抵抗効果膜２のイオンミリング
を行う。次に図２（Ｆ）に示す様に、磁区制御膜１０，
１２及び電極膜１１，１３を成膜する。次に図２（Ｇ）
に示す様に、不要部４，１２，１３をリフトオフするこ
とにより、磁区制御膜１０及び電極膜１１を形成する。
【００１８】そして、前記下層レジスト中空部のリフト
オフパターン工程で、前記中空部の厚さを１００ｎｍ以
下とすることによって、前記リフトオフパターンを用い
て磁区制御膜と電極膜を成膜する工程での磁気抵抗効果
膜上面への電極膜の入り込み（リフトオフパターンの端
部からその中心部に向けての長さ寸法）を５０ｎｍ以下
として、電極膜の短絡（図２（Ｆ）で左右からの電極膜
の繋がり）を未然に防止することができる。
オフパターン工程で、前記中空部の厚さを１００ｎｍ以
下とすることによって、前記リフトオフパターンを用い
て磁区制御膜と電極膜を成膜する工程での磁気抵抗効果
膜上面への電極膜の入り込み（リフトオフパターンの端
部からその中心部に向けての長さ寸法）を５０ｎｍ以下
として、電極膜の短絡（図２（Ｆ）で左右からの電極膜
の繋がり）を未然に防止することができる。
【００１９】また、２層レジストを用いて形成した、リ
ードヘッドのトラック幅加工に用いられる部位の下層レ
ジストのアンダーカット部が中空形状のリフトオフパタ
ーン形成工程において、下層レジストの厚さを１００〜
２００ｎｍと設定することにより、前記リフトオフパタ
ーンをマスクにイオンミリング加工された磁気抵抗効果
膜上面へ電極膜を所定量入り込ませ、電極間隔を磁気抵
抗効果膜の上端幅より狭くして、実質的なトラック幅を
設定することもできる。すなわち、電極膜先端の間の間
隔で実質的なトラック幅が決まるので、下層レジストの
中空部の厚さを前述のような範囲内の適宜の値に設定す
ることでトラック幅を適宜に制御することができる。
ードヘッドのトラック幅加工に用いられる部位の下層レ
ジストのアンダーカット部が中空形状のリフトオフパタ
ーン形成工程において、下層レジストの厚さを１００〜
２００ｎｍと設定することにより、前記リフトオフパタ
ーンをマスクにイオンミリング加工された磁気抵抗効果
膜上面へ電極膜を所定量入り込ませ、電極間隔を磁気抵
抗効果膜の上端幅より狭くして、実質的なトラック幅を
設定することもできる。すなわち、電極膜先端の間の間
隔で実質的なトラック幅が決まるので、下層レジストの
中空部の厚さを前述のような範囲内の適宜の値に設定す
ることでトラック幅を適宜に制御することができる。
【００２０】以上説明したように、本発明の実施形態
は、次の示すような構成を有して、その構成に伴って次
のような機能乃至作用を奏するものを含むものである。
は、次の示すような構成を有して、その構成に伴って次
のような機能乃至作用を奏するものを含むものである。
【００２１】基板上に少なくとも下部シールド、下部ギ
ャップ、磁気抵抗効果素子、電極、上部ギャップ及び薄
膜磁気ヘッドの下部磁気コアを兼用する上部シールドを
有する磁気抵抗効果ヘッドの製造方法であって、リフト
オフパターンの形成には２層レジストを用い、アンダー
カット形成時の現像時間を例えば３０秒程度と長くし、
トラック幅加工に用いられる部位のアンダーカットを左
右両側から貫通させ下層部が中空のブリッジ形状になる
様にする。
ャップ、磁気抵抗効果素子、電極、上部ギャップ及び薄
膜磁気ヘッドの下部磁気コアを兼用する上部シールドを
有する磁気抵抗効果ヘッドの製造方法であって、リフト
オフパターンの形成には２層レジストを用い、アンダー
カット形成時の現像時間を例えば３０秒程度と長くし、
トラック幅加工に用いられる部位のアンダーカットを左
右両側から貫通させ下層部が中空のブリッジ形状になる
様にする。
【００２２】リフトオフパターンの形成に２層レジスト
を用いることにより、アンダーカットの高さは、下層レ
ジストの塗布膜厚で決定できるため、アンダーカットの
高さの変更は、塗布膜厚の変更で容易に行える。また、
リフトオフパターン両端下部のそりあがりなく形成でき
る。
を用いることにより、アンダーカットの高さは、下層レ
ジストの塗布膜厚で決定できるため、アンダーカットの
高さの変更は、塗布膜厚の変更で容易に行える。また、
リフトオフパターン両端下部のそりあがりなく形成でき
る。
【００２３】リフトオフパターンのトラック幅加工に用
いられる部位を中空とすることにより、アンダーカット
形成時の現像時間を長くすることが可能で、アンダーカ
ット形成時の時間制御性をよくすることができる。
いられる部位を中空とすることにより、アンダーカット
形成時の現像時間を長くすることが可能で、アンダーカ
ット形成時の時間制御性をよくすることができる。
【００２４】アンダーカットを両側から完全に貫通させ
てもアンダーカットの高さを所定の高さに調整したり、
磁気抵抗効果膜を所定のイオンミリング角度でイオンミ
リングすることにより、電極膜等のアンダーカット部へ
の入り込みを抑制できる。
てもアンダーカットの高さを所定の高さに調整したり、
磁気抵抗効果膜を所定のイオンミリング角度でイオンミ
リングすることにより、電極膜等のアンダーカット部へ
の入り込みを抑制できる。
【００２５】また、リフトオフパターンが中空であって
も、中空であるのは、トラック幅加工に用いられる部位
のみであり、その他の部位は下層レジストパターンが存
在し、上層レジストパターンは、下層レジストパターン
によって支持されている。但し、このトラック幅加工に
用いられる部位の上層レジストパターン長さ（図１中の
Ｌ）が、上層レジストパターン幅（図１中のＷ）に対し
て長すぎると、長さ方向の中央部が垂れ下がり、リフト
オフパターン形状不良を起こし、リフトオフ不能とな
る。
も、中空であるのは、トラック幅加工に用いられる部位
のみであり、その他の部位は下層レジストパターンが存
在し、上層レジストパターンは、下層レジストパターン
によって支持されている。但し、このトラック幅加工に
用いられる部位の上層レジストパターン長さ（図１中の
Ｌ）が、上層レジストパターン幅（図１中のＷ）に対し
て長すぎると、長さ方向の中央部が垂れ下がり、リフト
オフパターン形状不良を起こし、リフトオフ不能とな
る。
【００２６】そこで、トラック幅加工に用いられる部位
のリフトオフパターンのアスペクト比Ｌ／Ｗを１５以
下、例えば、上層レジストパターン幅Ｗが０．４μｍの
場合、長さＬは６μｍ以下とすることにより、中央部の
垂れ下がり等の形状不良をなくすことができる。
のリフトオフパターンのアスペクト比Ｌ／Ｗを１５以
下、例えば、上層レジストパターン幅Ｗが０．４μｍの
場合、長さＬは６μｍ以下とすることにより、中央部の
垂れ下がり等の形状不良をなくすことができる。
【００２７】
【発明の効果】リフトオフパターンに２層レジストを用
いることで、アンダーカットの高さの調整が容易に行
え、また、リフトオフパターン下端エッジ部のそりあが
り等の形状不良をなくすことができる。
いることで、アンダーカットの高さの調整が容易に行
え、また、リフトオフパターン下端エッジ部のそりあが
り等の形状不良をなくすことができる。
【００２８】前記リフトオフパターンのトラック幅加工
に用いられる部位を中空とすることで、制御性よくアン
ダーカット部を形成でき、０．５μｍ以下の狭トラック
幅加工に対応できる。
に用いられる部位を中空とすることで、制御性よくアン
ダーカット部を形成でき、０．５μｍ以下の狭トラック
幅加工に対応できる。
【図１】本発明の実施形態に係る磁気抵抗効果型ヘッド
の磁区制御膜及び電極膜の形成時に用いるリフトオフパ
ターンを示す図である。
の磁区制御膜及び電極膜の形成時に用いるリフトオフパ
ターンを示す図である。
【図２】本発明の実施形態に係る磁気抵抗効果ヘッドの
磁区制御層及び電極膜を形成する工程を示す図である。
磁区制御層及び電極膜を形成する工程を示す図である。
【図３】従来技術による磁気抵抗効果ヘッドの磁区制御
層及び電極膜の形成方法を示す図である。
層及び電極膜の形成方法を示す図である。
１ 下部ギャップ ２，９ 磁気抵抗効果膜 ３ 下層レジストパターン ４ 上層レジストパターン ５ 下層レジスト ６ 上層レジスト ７ リフトオフパターン ８ アンダーカット １０，１２ 磁区制御膜 １１，１３ 電極膜
フロントページの続き (72)発明者 佐々木 忍 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージシステム事業部内 (72)発明者 小室 又洋 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージシステム事業部内 Ｆターム(参考） 2G017 AA01 AD55 AD65 5D034 BA04 BB08 DA07 5E049 AC00 AC05 BA12 CB01
Claims (5)
- 【請求項１】 基板上に、下部シールド膜、下部ギャッ
プ膜、磁気抵抗効果膜、磁区制御膜、電極膜、上部ギャ
ップ膜、上部シールド膜を有する磁気抵抗効果ヘッドの
製造方法であって、 前記基板上に下部シールド膜と下部ギャップ膜を形成す
る工程と、 前記下部ギャップ膜上に磁気抵抗効果膜を形成する工程
と、 前記磁気抵抗効果膜上に下層レジストと上層レジストの
２層レジストを形成する工程と、 磁気抵抗効果ヘッドのトラック幅に相当する幅を有した
前記２層レジストパターンを形成する工程と、 前記上層レジストとは材質を異にする下層レジストにお
ける前記トラック相当幅を溶解して下層レジスト中空部
を形成してリフトオフパターンを形成する工程と、 前記リフトオフパターンを用いて前記磁気抵抗効果膜を
所定形状に加工する工程と、 前記リフトオフパターンを用いて磁区制御膜と電極膜を
成膜する工程と、 前記磁区制御膜と電極膜の不要部分を前記リフトオフパ
ターンとともに除去する工程と、を備えたことを特徴と
する磁気抵抗効果ヘッドの製造方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の磁気抵抗効果ヘッドの
製造方法において、 前記下層レジスト中空部のリフトオフパターン工程で、
前記中空部における長さＬと前記幅Ｗとの比であるＬ／
Ｗが１５以下であることを特徴とする磁気抵抗効果ヘッ
ドの製造方法。 - 【請求項３】 請求項１に記載の磁気抵抗効果ヘッドの
製造方法において、 前記下層レジスト中空部のリフトオフパターン工程で、
前記中空部の厚さを１００ｎｍ以下とし、 前記リフトオフパターンを用いて磁区制御膜と電極膜を
成膜する工程で、磁気抵抗効果膜上面への電極膜の入り
込みを５０ｎｍ以下とすることを特徴とする磁気抵抗効
果ヘッドの製造方法。 - 【請求項４】 請求項１、２又は３に記載の磁気抵抗効
果ヘッドの製造方法によって製造された磁気抵抗効果ヘ
ッド。 - 【請求項５】 請求項４に記載の磁気抵抗効果ヘッドを
用いた磁気ディスク装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11199196A JP2001028110A (ja) | 1999-07-13 | 1999-07-13 | 磁気抵抗効果ヘッドの製造方法と磁気抵抗効果ヘッド及びそれを用いた磁気ディスク装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11199196A JP2001028110A (ja) | 1999-07-13 | 1999-07-13 | 磁気抵抗効果ヘッドの製造方法と磁気抵抗効果ヘッド及びそれを用いた磁気ディスク装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001028110A true JP2001028110A (ja) | 2001-01-30 |
Family
ID=16403750
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11199196A Pending JP2001028110A (ja) | 1999-07-13 | 1999-07-13 | 磁気抵抗効果ヘッドの製造方法と磁気抵抗効果ヘッド及びそれを用いた磁気ディスク装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001028110A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6821715B2 (en) * | 2001-05-10 | 2004-11-23 | International Business Machines Corporation | Fully undercut resist systems using E-beam lithography for the fabrication of high resolution MR sensors |
| US6996894B2 (en) * | 2002-03-28 | 2006-02-14 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Methods of making magnetic heads with improved contiguous junctions |
| JP2009085953A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Magic Technologies Inc | 磁気デバイスの製造方法および磁場角度センサの製造方法 |
| KR101525703B1 (ko) * | 2013-12-18 | 2015-06-03 | 삼성전기주식회사 | 칩 전자부품 및 그 제조방법 |
| KR101532172B1 (ko) * | 2014-06-02 | 2015-06-26 | 삼성전기주식회사 | 칩 전자부품 및 그 실장기판 |
-
1999
- 1999-07-13 JP JP11199196A patent/JP2001028110A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US8715776B2 (en) | 2007-09-28 | 2014-05-06 | Headway Technologies, Inc. | Method for providing AFM exchange pinning fields in multiple directions on same substrate |
| KR101525703B1 (ko) * | 2013-12-18 | 2015-06-03 | 삼성전기주식회사 | 칩 전자부품 및 그 제조방법 |
| KR101532172B1 (ko) * | 2014-06-02 | 2015-06-26 | 삼성전기주식회사 | 칩 전자부품 및 그 실장기판 |
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|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
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