JP2001026870A - スパッタリング方法とその装置 - Google Patents
スパッタリング方法とその装置Info
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- JP2001026870A JP2001026870A JP19968099A JP19968099A JP2001026870A JP 2001026870 A JP2001026870 A JP 2001026870A JP 19968099 A JP19968099 A JP 19968099A JP 19968099 A JP19968099 A JP 19968099A JP 2001026870 A JP2001026870 A JP 2001026870A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 マグネトロン放電用磁気回路が設けられた矩
形平板ターゲットを有するロータリ式スパッタリング装
置において、基板の表面に均一な膜厚の薄膜が形成でき
るスパッタリング方法とその装置を提供する。 【解決手段】 一定の曲率を持った軌道上を移動する基
板と、前記基板の回転半径方向［ａ−ｂ線］に２つ以上
のマグネトロン放電用磁気回路５ａ，５ｂを搭載した矩
形平板ターゲット１との間に電圧を印加して矩形平板タ
ーゲット１からターゲット原子をはじき出して成膜する
に際し、基板の回転半径方向［ａ−ｂ線］に配置された
複数のマグネトロン放電用磁気回路５ａ，５ｂの磁界７
ａ，７ｂを制御してターゲット１のスパッタされる領域
を調節して基板に形成される薄膜の膜厚の内・外周差を
補正しながら成膜する。
形平板ターゲットを有するロータリ式スパッタリング装
置において、基板の表面に均一な膜厚の薄膜が形成でき
るスパッタリング方法とその装置を提供する。 【解決手段】 一定の曲率を持った軌道上を移動する基
板と、前記基板の回転半径方向［ａ−ｂ線］に２つ以上
のマグネトロン放電用磁気回路５ａ，５ｂを搭載した矩
形平板ターゲット１との間に電圧を印加して矩形平板タ
ーゲット１からターゲット原子をはじき出して成膜する
に際し、基板の回転半径方向［ａ−ｂ線］に配置された
複数のマグネトロン放電用磁気回路５ａ，５ｂの磁界７
ａ，７ｂを制御してターゲット１のスパッタされる領域
を調節して基板に形成される薄膜の膜厚の内・外周差を
補正しながら成膜する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一定の曲率を持っ
た軌道上を移動する基板と前記基板の対向面に配置され
たマグネトロン放電用磁気回路を搭載した矩形平板ター
ゲットとの間に電圧を印加して、前記矩形平板ターゲッ
トからターゲット原子をはじき出して前記基板の表面に
薄膜を形成するスパッタリング方法とその装置に関する
ものである。
た軌道上を移動する基板と前記基板の対向面に配置され
たマグネトロン放電用磁気回路を搭載した矩形平板ター
ゲットとの間に電圧を印加して、前記矩形平板ターゲッ
トからターゲット原子をはじき出して前記基板の表面に
薄膜を形成するスパッタリング方法とその装置に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】スパッタリング法は、真空蒸着法に比べ
高融点材料や化合物の薄膜が容易に形成できる薄膜形成
技術と言うことで、現在広く半導体や電子部品等の工業
分野で普及している。スパッタリング装置としては、例
えば、円周上に矩形平板ターゲットを配置し、その対面
に一定の曲率を持った軌道上を回転、通過する基板を配
置して成膜を行う装置（以下、「ロータリ式スパッタリ
ング装置」と称す。）が挙げられる。
高融点材料や化合物の薄膜が容易に形成できる薄膜形成
技術と言うことで、現在広く半導体や電子部品等の工業
分野で普及している。スパッタリング装置としては、例
えば、円周上に矩形平板ターゲットを配置し、その対面
に一定の曲率を持った軌道上を回転、通過する基板を配
置して成膜を行う装置（以下、「ロータリ式スパッタリ
ング装置」と称す。）が挙げられる。
【０００３】図５〜図１２は、従来のロータリ式スパッ
タリング装置を示す。図５は、基板２と矩形平板ターゲ
ット１との位置関係を示す模式図である。矢印Ａ方向に
回転するターンテーブル３には、複数の基板２が載置さ
れ、前記基板２の対向面には、矩形平板ターゲット１が
配置されている。ここでは矩形平板ターゲット１が一枚
配置された例を示したが、複数配置されていてもよい。
タリング装置を示す。図５は、基板２と矩形平板ターゲ
ット１との位置関係を示す模式図である。矢印Ａ方向に
回転するターンテーブル３には、複数の基板２が載置さ
れ、前記基板２の対向面には、矩形平板ターゲット１が
配置されている。ここでは矩形平板ターゲット１が一枚
配置された例を示したが、複数配置されていてもよい。
【０００４】ターンテーブル３の回転により送られた基
板２が矩形平板ターゲット１と向かい合う位置に配置さ
れると、基板２と矩形平板ターゲット１との間に電圧が
印加されて矩形平板ターゲット１からターゲット原子が
はじき出され、基板２の表面に薄膜が形成される。矩形
平板ターゲット１のａ−ｂ線はロータリ式スパッタリン
グ装置の基板２の回転半径方向を示し、ａが内周側を示
し、ｂが外周側を示している。
板２が矩形平板ターゲット１と向かい合う位置に配置さ
れると、基板２と矩形平板ターゲット１との間に電圧が
印加されて矩形平板ターゲット１からターゲット原子が
はじき出され、基板２の表面に薄膜が形成される。矩形
平板ターゲット１のａ−ｂ線はロータリ式スパッタリン
グ装置の基板２の回転半径方向を示し、ａが内周側を示
し、ｂが外周側を示している。
【０００５】図６は基板の回転半径方向［ａ−ｂ線］に
沿う矩形平板ターゲット１の構成を示し、図７はｃ−ｄ
線に沿う断面図を示す。矩形平板ターゲット１は、イン
ジウム等のハンダ材によりバッキングプレート４に装着
され装置本体に設置される。矩形平板ターゲット１の裏
面には、バッキングプレート４を介してマグネトロン放
電用磁気回路５ｅが矩形平板ターゲット１の表面に閉じ
た磁力線６を形成するとともに、少なくとも磁力線６の
一部が矩形平板ターゲット１の表面で平行になるように
配置される。
沿う矩形平板ターゲット１の構成を示し、図７はｃ−ｄ
線に沿う断面図を示す。矩形平板ターゲット１は、イン
ジウム等のハンダ材によりバッキングプレート４に装着
され装置本体に設置される。矩形平板ターゲット１の裏
面には、バッキングプレート４を介してマグネトロン放
電用磁気回路５ｅが矩形平板ターゲット１の表面に閉じ
た磁力線６を形成するとともに、少なくとも磁力線６の
一部が矩形平板ターゲット１の表面で平行になるように
配置される。
【０００６】その結果、図８に示すように、矩形平板タ
ーゲット１の表面には、トロイダル型の閉じたトンネル
状の磁力線６が発生し、磁界７ｅが形成される。なお、
この図８にはバッキングプレート４の裏面のマグネトロ
ン放電用磁気回路５ｅは図示していない。上記のように
構成されたロータリ式スパッタリング装置での薄膜形成
は、通常は真空槽の内部で行われる。
ーゲット１の表面には、トロイダル型の閉じたトンネル
状の磁力線６が発生し、磁界７ｅが形成される。なお、
この図８にはバッキングプレート４の裏面のマグネトロ
ン放電用磁気回路５ｅは図示していない。上記のように
構成されたロータリ式スパッタリング装置での薄膜形成
は、通常は真空槽の内部で行われる。
【０００７】詳しくは、真空槽内を真空ポンプにより高
真空（〜10-5〔Pa〕程度）まで排気し、次いでＡｒ等の
放電ガスを導入して内部の圧力を10-1〜100〔Pa〕程度
に保ち、矩形平板ターゲット１と基板２との間に直流あ
るいは交流電源により負の電圧を印加して、マグネトロ
ン放電用磁気回路５ｅのトロイダル型トンネル状磁界７
ｅの周辺でマグネトロン放電を発生させることにより、
ターゲット１の矢印Ｂで示す領域がスパッタされる。
真空（〜10-5〔Pa〕程度）まで排気し、次いでＡｒ等の
放電ガスを導入して内部の圧力を10-1〜100〔Pa〕程度
に保ち、矩形平板ターゲット１と基板２との間に直流あ
るいは交流電源により負の電圧を印加して、マグネトロ
ン放電用磁気回路５ｅのトロイダル型トンネル状磁界７
ｅの周辺でマグネトロン放電を発生させることにより、
ターゲット１の矢印Ｂで示す領域がスパッタされる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ようなロータリ式スパッタリング装置では、基板２が円
周上を回転しながらスパッタリングされるため、図９に
示すように、基板２の回転半径方向の内周側では膜厚が
厚くなり、外周側では膜厚が薄くなってその膜厚に極端
な差が生じるという問題がある。
ようなロータリ式スパッタリング装置では、基板２が円
周上を回転しながらスパッタリングされるため、図９に
示すように、基板２の回転半径方向の内周側では膜厚が
厚くなり、外周側では膜厚が薄くなってその膜厚に極端
な差が生じるという問題がある。
【０００９】このような問題を解決するものとして、例
えば、図１０に示すように、矩形平板ターゲット１と基
板２との間に開口部９が形成された補正板８を設けて、
この開口部９の形状を調整することにより基板２の回転
半径方向における膜厚の内・外周差を補正する方法が提
案されている。しかしながらこの方法では、補正板８に
もスパッタされた物質が付着してダストが発生したり、
事後の調整が困難であるという問題がある。
えば、図１０に示すように、矩形平板ターゲット１と基
板２との間に開口部９が形成された補正板８を設けて、
この開口部９の形状を調整することにより基板２の回転
半径方向における膜厚の内・外周差を補正する方法が提
案されている。しかしながらこの方法では、補正板８に
もスパッタされた物質が付着してダストが発生したり、
事後の調整が困難であるという問題がある。
【００１０】また、図１１に示すように、矩形平板ター
ゲット１の裏面に、基板２の内周側の磁界を外周側の磁
界よりも弱くするよう磁界を調節したマグネトロン放電
用磁気回路５ｆを配置したものも提案されている。この
方法によると、上記のような膜厚の内・外周差は解消さ
れるものの、図１２に示すように、矩形平板ターゲット
１の中心から離れるにつれて膜厚が薄くなる傾向が生じ
るため、膜厚を均一にすることは困難である。
ゲット１の裏面に、基板２の内周側の磁界を外周側の磁
界よりも弱くするよう磁界を調節したマグネトロン放電
用磁気回路５ｆを配置したものも提案されている。この
方法によると、上記のような膜厚の内・外周差は解消さ
れるものの、図１２に示すように、矩形平板ターゲット
１の中心から離れるにつれて膜厚が薄くなる傾向が生じ
るため、膜厚を均一にすることは困難である。
【００１１】本発明は前記問題点を解決し、マグネトロ
ン放電用磁気回路が設けられた矩形平板ターゲットを有
するロータリ式スパッタリング装置において、基板の表
面に均一な膜厚の薄膜が形成できるスパッタリング方法
とその装置を提供することを目的とする。
ン放電用磁気回路が設けられた矩形平板ターゲットを有
するロータリ式スパッタリング装置において、基板の表
面に均一な膜厚の薄膜が形成できるスパッタリング方法
とその装置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明のスパッタリング
装置は、矩形平板ターゲットの裏面に配置されたマグネ
トロン放電用磁気回路の磁界を特殊な構成にしたことを
特徴とする。この本発明によると、矩形平板ターゲット
の裏面に配置されたマグネトロン放電用磁気回路の磁界
が制御できるため、基板の表面に膜厚の均一性の良い薄
膜を形成できる。
装置は、矩形平板ターゲットの裏面に配置されたマグネ
トロン放電用磁気回路の磁界を特殊な構成にしたことを
特徴とする。この本発明によると、矩形平板ターゲット
の裏面に配置されたマグネトロン放電用磁気回路の磁界
が制御できるため、基板の表面に膜厚の均一性の良い薄
膜を形成できる。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１記載のスパッタ
リング装置は、一定の曲率を持った軌道上を移動する基
板と前記基板の対向面に配置されたマグネトロン放電用
磁気回路を搭載した矩形平板ターゲットとの間に電圧を
印加して、前記矩形平板ターゲットからターゲット原子
をはじき出して前記基板の表面に薄膜を形成するスパッ
タリング装置であって、前記矩形平板ターゲットには、
前記基板の回転半径方向に沿って複数のマグネトロン放
電用磁気回路を設けて基板の回転半径方向の内周側と外
周側との膜厚差を調整するような合成磁界を形成するよ
う構成したことを特徴とする。
リング装置は、一定の曲率を持った軌道上を移動する基
板と前記基板の対向面に配置されたマグネトロン放電用
磁気回路を搭載した矩形平板ターゲットとの間に電圧を
印加して、前記矩形平板ターゲットからターゲット原子
をはじき出して前記基板の表面に薄膜を形成するスパッ
タリング装置であって、前記矩形平板ターゲットには、
前記基板の回転半径方向に沿って複数のマグネトロン放
電用磁気回路を設けて基板の回転半径方向の内周側と外
周側との膜厚差を調整するような合成磁界を形成するよ
う構成したことを特徴とする。
【００１４】本発明の請求項２記載のスパッタリング装
置は、請求項１において、矩形平板ターゲットに設けら
れた基板の回転半径方向に沿う複数のマグネトロン放電
用磁気回路の磁界をそれぞれ個別に調節可能としたこと
を特徴とする。本発明の請求項３記載のスパッタリング
方法は、一定の曲率を持った軌道上を移動する基板と、
前記基板の回転半径方向に２つ以上のマグネトロン放電
用磁気回路を搭載した矩形平板ターゲットとの間に電圧
を印加して前記矩形平板ターゲットからターゲット原子
をはじき出して成膜するに際し、基板の回転半径方向に
配置された複数のマグネトロン放電用磁気回路の磁界を
制御してターゲットのスパッタされる領域を調節して基
板に形成される薄膜の膜厚の内・外周差を補正しながら
成膜することを特徴とする。
置は、請求項１において、矩形平板ターゲットに設けら
れた基板の回転半径方向に沿う複数のマグネトロン放電
用磁気回路の磁界をそれぞれ個別に調節可能としたこと
を特徴とする。本発明の請求項３記載のスパッタリング
方法は、一定の曲率を持った軌道上を移動する基板と、
前記基板の回転半径方向に２つ以上のマグネトロン放電
用磁気回路を搭載した矩形平板ターゲットとの間に電圧
を印加して前記矩形平板ターゲットからターゲット原子
をはじき出して成膜するに際し、基板の回転半径方向に
配置された複数のマグネトロン放電用磁気回路の磁界を
制御してターゲットのスパッタされる領域を調節して基
板に形成される薄膜の膜厚の内・外周差を補正しながら
成膜することを特徴とする。
【００１５】以下、本発明のロータリ式スパッタリング
装置を用いたスパッタリング方法を各実施の形態に基づ
いて説明する。なお、上記従来例を示す図５〜図１２と
同様をなすものについては、同一の符号を付けて説明す
る。 （実施の形態１）図１と図２は、本発明の（実施の形態
１）を示す。
装置を用いたスパッタリング方法を各実施の形態に基づ
いて説明する。なお、上記従来例を示す図５〜図１２と
同様をなすものについては、同一の符号を付けて説明す
る。 （実施の形態１）図１と図２は、本発明の（実施の形態
１）を示す。
【００１６】図１はロータリ式スパッタリング装置に使
用される矩形平板ターゲット１を示し、基板２に形成さ
れる薄膜の膜厚を均一にするために矩形平板ターゲット
１に設けられた磁気回路の構成を上記従来例とは異なる
構成とした。詳しくは、図１に示すように、矩形平板タ
ーゲット１の裏面にロータリ式スパッタリング装置の基
板２の回転半径方向［ａ−ｂ線］に沿って２つのマグネ
トロン放電用磁気回路５ａ，５ｂを形成する。ａ−ｂ線
のａ側は基板２の回転半径方向の内周側を示し、ｂ側が
外周側を示す。
用される矩形平板ターゲット１を示し、基板２に形成さ
れる薄膜の膜厚を均一にするために矩形平板ターゲット
１に設けられた磁気回路の構成を上記従来例とは異なる
構成とした。詳しくは、図１に示すように、矩形平板タ
ーゲット１の裏面にロータリ式スパッタリング装置の基
板２の回転半径方向［ａ−ｂ線］に沿って２つのマグネ
トロン放電用磁気回路５ａ，５ｂを形成する。ａ−ｂ線
のａ側は基板２の回転半径方向の内周側を示し、ｂ側が
外周側を示す。
【００１７】２つのマグネトロン放電用磁気回路５ａ，
５ｂにより、それぞれトロイダル型の閉じたトンネル状
の磁界７ａ，７ｂが形成され、基板２の回転半径方向の
内周側と外周側とで合成磁界を形成するよう構成されて
いる。このような合成磁界を形成すると、ロータリ式ス
パッタリング装置を用いて基板２に薄膜を形成する際
に、矩形平板ターゲット１のスパッタされる領域を調整
できる。
５ｂにより、それぞれトロイダル型の閉じたトンネル状
の磁界７ａ，７ｂが形成され、基板２の回転半径方向の
内周側と外周側とで合成磁界を形成するよう構成されて
いる。このような合成磁界を形成すると、ロータリ式ス
パッタリング装置を用いて基板２に薄膜を形成する際
に、矩形平板ターゲット１のスパッタされる領域を調整
できる。
【００１８】図２は、基板２に形成された薄膜の膜厚分
布を示す。実線ａはこの（実施の形態１）におけるロー
タリ式スパッタリング装置で形成された薄膜の膜厚分布
であり、実線ｂは従来のロータリ式スパッタリング装置
で形成された薄膜の膜厚分布である。この（実施の形態
１）では、上述のように基板の回転半径方向の内周側と
外周側との膜厚差を調整するような合成磁界が形成され
ているため、実線ａで示すように、特に矩形平板ターゲ
ット１の中心からの距離が短い地点で膜厚が均一とな
り、従来よりも膜厚の均一性が改善される。
布を示す。実線ａはこの（実施の形態１）におけるロー
タリ式スパッタリング装置で形成された薄膜の膜厚分布
であり、実線ｂは従来のロータリ式スパッタリング装置
で形成された薄膜の膜厚分布である。この（実施の形態
１）では、上述のように基板の回転半径方向の内周側と
外周側との膜厚差を調整するような合成磁界が形成され
ているため、実線ａで示すように、特に矩形平板ターゲ
ット１の中心からの距離が短い地点で膜厚が均一とな
り、従来よりも膜厚の均一性が改善される。
【００１９】（実施の形態２）図３と図４は、本発明の
（実施の形態２）を示す。この（実施の形態２）では、
マグネトロン放電用磁気回路の一部を可動にした点で異
なるが、それ以外の基本的な構成は上記（実施の形態
１）と同様である。詳しくは、図３に示すように、基板
２の半径方向に沿って設けられた２つのマグネトロン放
電用磁気回路５ｃ，５ｄを構成する磁石１０ａ〜１０ｄ
の両端を、バッキングプレート４に穿設されたスリット
１１にボルトナット１２などを挿入してスリット１１に
沿ってスライド自在に構成している。
（実施の形態２）を示す。この（実施の形態２）では、
マグネトロン放電用磁気回路の一部を可動にした点で異
なるが、それ以外の基本的な構成は上記（実施の形態
１）と同様である。詳しくは、図３に示すように、基板
２の半径方向に沿って設けられた２つのマグネトロン放
電用磁気回路５ｃ，５ｄを構成する磁石１０ａ〜１０ｄ
の両端を、バッキングプレート４に穿設されたスリット
１１にボルトナット１２などを挿入してスリット１１に
沿ってスライド自在に構成している。
【００２０】このように磁石１０ａ〜１０ｄを可動磁石
とすると、磁界７ｃ，７ｄがそれぞれ個別に調節可能と
なるため、矩形平板ターゲット１のスパッタされる領域
を調節して基板２に形成される薄膜の膜厚の内・外周差
を補正しながら成膜できる。また、放電時間によって膜
厚分布が変化した場合も、磁界の調整が容易であるため
簡便に対応できる。
とすると、磁界７ｃ，７ｄがそれぞれ個別に調節可能と
なるため、矩形平板ターゲット１のスパッタされる領域
を調節して基板２に形成される薄膜の膜厚の内・外周差
を補正しながら成膜できる。また、放電時間によって膜
厚分布が変化した場合も、磁界の調整が容易であるため
簡便に対応できる。
【００２１】図４は、基板２に形成された薄膜の膜厚分
布を示す。実線ｃはこの（実施の形態２）におけるロー
タリ式スパッタリング装置で形成された薄膜の膜厚分布
であり、上記（実施の形態１）における薄膜の膜厚分布
よりもさらに膜厚の均一性が向上している。なお、上記
説明では、マグネトロン放電用磁気回路５ｃ，５ｄを構
成する磁石のうち磁石１０ａ〜１０ｄを可動磁石とした
が、本発明はこれに限定されるものではなく、マグネト
ロン放電用磁気回路５ｃ，５ｄを構成する磁石の全部あ
るいは一部を可動磁石とすることができる。
布を示す。実線ｃはこの（実施の形態２）におけるロー
タリ式スパッタリング装置で形成された薄膜の膜厚分布
であり、上記（実施の形態１）における薄膜の膜厚分布
よりもさらに膜厚の均一性が向上している。なお、上記
説明では、マグネトロン放電用磁気回路５ｃ，５ｄを構
成する磁石のうち磁石１０ａ〜１０ｄを可動磁石とした
が、本発明はこれに限定されるものではなく、マグネト
ロン放電用磁気回路５ｃ，５ｄを構成する磁石の全部あ
るいは一部を可動磁石とすることができる。
【００２２】なお、上記各実施の形態では、２つのマグ
ネトロン放電用磁気回路を設けたが、本発明はこれに限
定されるものではなく３つ以上設けても良い。
ネトロン放電用磁気回路を設けたが、本発明はこれに限
定されるものではなく３つ以上設けても良い。
【００２３】
【発明の効果】以上のように本発明のスパッタリング装
置によると、矩形平板ターゲットに、基板の回転半径方
向に沿って複数のマグネトロン放電用磁気回路を設けて
基板の回転半径方向の内周側と外周側との膜厚差を調整
するような合成磁界を形成するよう構成することで、基
板の回転半径方向の膜厚の均一性を向上できる。
置によると、矩形平板ターゲットに、基板の回転半径方
向に沿って複数のマグネトロン放電用磁気回路を設けて
基板の回転半径方向の内周側と外周側との膜厚差を調整
するような合成磁界を形成するよう構成することで、基
板の回転半径方向の膜厚の均一性を向上できる。
【００２４】また、矩形平板ターゲットに設けられた基
板の回転半径方向に沿う複数のマグネトロン放電用磁気
回路の磁界をそれぞれ個別に調節可能とすることで、よ
り一層均一性の良い薄膜が得られるとともに、放電時間
によって膜厚分布が変化した場合も磁気回路の調整によ
り簡便に対応できる。
板の回転半径方向に沿う複数のマグネトロン放電用磁気
回路の磁界をそれぞれ個別に調節可能とすることで、よ
り一層均一性の良い薄膜が得られるとともに、放電時間
によって膜厚分布が変化した場合も磁気回路の調整によ
り簡便に対応できる。
【図１】本発明の（実施の形態１）におけるマグネトロ
ン放電用磁気回路の構成を示す図
ン放電用磁気回路の構成を示す図
【図２】本発明の（実施の形態１）における膜厚分布を
示す図
示す図
【図３】本発明の（実施の形態２）におけるマグネトロ
ン放電用磁気回路の構成を示す図
ン放電用磁気回路の構成を示す図
【図４】本発明の（実施の形態２）における膜厚分布を
示す図
示す図
【図５】従来のロータリ式スパッタリング装置の構成を
示す図
示す図
【図６】従来のマグネトロン放電用磁気回路の構成を示
す図
す図
【図７】図６のｃ−ｄ線に沿う断面図
【図８】従来のターゲットの構成を示す図
【図９】従来の膜厚分布を示す図
【図１０】従来の補正板を用いたロータリ式スパッタリ
ング装置の構成を示す模式図
ング装置の構成を示す模式図
【図１１】従来の別の矩形平板ターゲットの構成を示す
図
図
【図１２】従来の別の構成の矩形平板ターゲットを用い
た膜厚分布を示す図
た膜厚分布を示す図
１ 矩形平板ターゲット ２ 基板 ５ａ〜５ｄ マグネトロン放電用磁気回路 ７ａ〜７ｄ 磁界
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 新郷 健太郎 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 宗岡 淳 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 4K029 DC43 DC44
Claims (3)
- 【請求項１】一定の曲率を持った軌道上を移動する基板
と前記基板の対向面に配置されたマグネトロン放電用磁
気回路を搭載した矩形平板ターゲットとの間に電圧を印
加して、前記矩形平板ターゲットからターゲット原子を
はじき出して前記基板の表面に薄膜を形成するスパッタ
リング装置であって、 前記矩形平板ターゲットには、前記基板の回転半径方向
に沿って複数のマグネトロン放電用磁気回路を設けて基
板の回転半径方向の内周側と外周側との膜厚差を調整す
るような合成磁界を形成するよう構成したスパッタリン
グ装置。 - 【請求項２】矩形平板ターゲットに設けられた基板の回
転半径方向に沿う複数のマグネトロン放電用磁気回路の
磁界をそれぞれ個別に調節可能とした請求項１記載のス
パッタリング装置。 - 【請求項３】一定の曲率を持った軌道上を移動する基板
と、前記基板の回転半径方向に２つ以上のマグネトロン
放電用磁気回路を搭載した矩形平板ターゲットとの間に
電圧を印加して前記矩形平板ターゲットからターゲット
原子をはじき出して成膜するに際し、 基板の回転半径方向に配置された複数のマグネトロン放
電用磁気回路の磁界を制御してターゲットのスパッタさ
れる領域を調節して基板に形成される薄膜の膜厚の内・
外周差を補正しながら成膜するスパッタリング方法。
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| JP19968099A JP3880249B2 (ja) | 1999-07-14 | 1999-07-14 | スパッタリング方法 |
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| JP2001026870A true JP2001026870A (ja) | 2001-01-30 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7799179B2 (en) | 2002-02-19 | 2010-09-21 | Singulus Technologies Ag | Sputtering cathode and device and method for coating a substrate with several layers |
-
1999
- 1999-07-14 JP JP19968099A patent/JP3880249B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US7799179B2 (en) | 2002-02-19 | 2010-09-21 | Singulus Technologies Ag | Sputtering cathode and device and method for coating a substrate with several layers |
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