JP2001026478A - ＭｇＯ製芯材及びその製造方法並びにそのＭｇＯ製芯材を用いた有底円筒状セラミックス焼結体の製造方法 - Google Patents
ＭｇＯ製芯材及びその製造方法並びにそのＭｇＯ製芯材を用いた有底円筒状セラミックス焼結体の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 セラミックス材料との反応を抑制可能なＭｇ
Ｏ製治具及びその製造方法を提供するとともに、セラミ
ックス材料が本来持っている諸特性（機械的特性、電気
的特性等）を損なうことのない該ＭｇＯ性芯材を用いた
有底円筒状セラミックス焼結体の製造法を提供するこ
と。 【構成】 ジルコニウム源を含む粉末、成形体若しくは
焼結体とＭｇＯ製芯材を接触させた状態で熱処理を行う
ことにより、ジルコニアをＭｇＯ製芯材表面のＭｇＯ結
晶粒界に析出させる。かかるＭｇＯ製芯材を用いて有底
円筒状セラミックス成形体を焼成することで、諸特性
（機械的特性、電気的特性等）を損なうことのない優れ
た有底円筒状セラミックス焼結体を得る。
Ｏ製治具及びその製造方法を提供するとともに、セラミ
ックス材料が本来持っている諸特性（機械的特性、電気
的特性等）を損なうことのない該ＭｇＯ性芯材を用いた
有底円筒状セラミックス焼結体の製造法を提供するこ
と。 【構成】 ジルコニウム源を含む粉末、成形体若しくは
焼結体とＭｇＯ製芯材を接触させた状態で熱処理を行う
ことにより、ジルコニアをＭｇＯ製芯材表面のＭｇＯ結
晶粒界に析出させる。かかるＭｇＯ製芯材を用いて有底
円筒状セラミックス成形体を焼成することで、諸特性
（機械的特性、電気的特性等）を損なうことのない優れ
た有底円筒状セラミックス焼結体を得る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＭｇＯ製芯材及びその
製造方法並びにそれを用いた有底円筒状セラミックス焼
結体の製造方法に関する。焼成時に発生する円筒の反り
や真円度不良を低減し、寸法精度に優れた有底円筒状セ
ラミックス焼結体を量産するのに好適である。例えば、
ナトリウム硫黄電池に用いられるベータアルミナ等から
なる固体電解質管状体、また保護管や焼成容器用の耐火
材に用いられるアルミナ、ジルコニアセラミックス有底
円筒管等の製造に適用可能である。
製造方法並びにそれを用いた有底円筒状セラミックス焼
結体の製造方法に関する。焼成時に発生する円筒の反り
や真円度不良を低減し、寸法精度に優れた有底円筒状セ
ラミックス焼結体を量産するのに好適である。例えば、
ナトリウム硫黄電池に用いられるベータアルミナ等から
なる固体電解質管状体、また保護管や焼成容器用の耐火
材に用いられるアルミナ、ジルコニアセラミックス有底
円筒管等の製造に適用可能である。
【０００２】
【従来の技術】有底円筒状のセラミックス焼結体は、保
護管、焼成容器等の耐火物、あるいはナトリウム硫黄電
池に用いられる固体電解質管状体などに用いられる。上
記の用途分野で要求される大型の製品では、特に焼成時
に反りや歪みが発生しやすく、歩留まりの向上が困難で
あった。要求される真円度、反り等の円筒としての寸法
精度を出すことはかなり困難だからである。これは、焼
成収縮に伴い発生する反りや歪みが原因である。
護管、焼成容器等の耐火物、あるいはナトリウム硫黄電
池に用いられる固体電解質管状体などに用いられる。上
記の用途分野で要求される大型の製品では、特に焼成時
に反りや歪みが発生しやすく、歩留まりの向上が困難で
あった。要求される真円度、反り等の円筒としての寸法
精度を出すことはかなり困難だからである。これは、焼
成収縮に伴い発生する反りや歪みが原因である。
【０００３】寸法精度の優れた有底円筒状セラミックス
焼結体を得るために、種々の治具を用いて焼成する方法
が検討されている。例えば、開口端を下向きにしたベ−
タアルミナ有底管にＭｇＯ製治具を緩挿し、突き上げた
状態で焼成する方法が特開平１０―１６７８３９号公報
や特開平１０−２３１１７９号公報に開示されている。
焼結体を得るために、種々の治具を用いて焼成する方法
が検討されている。例えば、開口端を下向きにしたベ−
タアルミナ有底管にＭｇＯ製治具を緩挿し、突き上げた
状態で焼成する方法が特開平１０―１６７８３９号公報
や特開平１０−２３１１７９号公報に開示されている。
【０００４】しかし、ＭｇＯ製治具とベ−タアルミナと
の接触部に、ＭｇＯとベ−タアルミナとの反応によりＭ
ｇ系スピネルが生成し、ナトリウムイオン伝導特性が悪
化するという問題があった。同様に、有底円筒状アルミ
ナセラミックスの製造にＭｇＯ製治具を用いても、やは
りＭｇＯとの反応によるＭｇ系スピネルの生成が見ら
れ、その結果、耐火材としての機械的強度の低下が問題
となっていた。
の接触部に、ＭｇＯとベ−タアルミナとの反応によりＭ
ｇ系スピネルが生成し、ナトリウムイオン伝導特性が悪
化するという問題があった。同様に、有底円筒状アルミ
ナセラミックスの製造にＭｇＯ製治具を用いても、やは
りＭｇＯとの反応によるＭｇ系スピネルの生成が見ら
れ、その結果、耐火材としての機械的強度の低下が問題
となっていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の従来
の諸問題を解決するものであり、セラミックス材料との
反応を抑制可能なＭｇＯ製治具及びその製造方法を提供
するとともに、セラミックス材料が本来持っている諸特
性（機械的特性、電気的特性等）を損なうことのない該
ＭｇＯ製芯材を用いた有底円筒状セラミックス焼結体の
製造法を提供することを目的とする。例えば、寸法精度
と諸特性（機械的特性、電気的特性等）に優れた有底円
筒状ベータアルミナ質セラミックス焼結体の製造方法と
して好適である。
の諸問題を解決するものであり、セラミックス材料との
反応を抑制可能なＭｇＯ製治具及びその製造方法を提供
するとともに、セラミックス材料が本来持っている諸特
性（機械的特性、電気的特性等）を損なうことのない該
ＭｇＯ製芯材を用いた有底円筒状セラミックス焼結体の
製造法を提供することを目的とする。例えば、寸法精度
と諸特性（機械的特性、電気的特性等）に優れた有底円
筒状ベータアルミナ質セラミックス焼結体の製造方法と
して好適である。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、有底円筒状セラミックス成形体を緩挿した状態で焼
成するのに用いる円柱状のＭｇＯ製芯材であって、該有
底円筒状セラミックスの焼成収縮過程において、該Ｍｇ
Ｏ製芯材の外表面の少なくとも一部が、該有底円筒状セ
ラミックスの円筒内表面の少なくとも一部と接触した状
態で用いられるとともに、上記ＭｇＯ製芯材が、以下の
（ａ）〜（ｃ）の特性を兼備するＭｇＯ製芯材を要旨と
する。 （ａ）熱膨張係数が上記有底円筒状セラミックス焼結体
の熱膨張係数以上 （ｂ）ＭｇＯ純度が９８％以上 （ｃ）ＭｇＯ結晶粒径が３０μｍ以上
は、有底円筒状セラミックス成形体を緩挿した状態で焼
成するのに用いる円柱状のＭｇＯ製芯材であって、該有
底円筒状セラミックスの焼成収縮過程において、該Ｍｇ
Ｏ製芯材の外表面の少なくとも一部が、該有底円筒状セ
ラミックスの円筒内表面の少なくとも一部と接触した状
態で用いられるとともに、上記ＭｇＯ製芯材が、以下の
（ａ）〜（ｃ）の特性を兼備するＭｇＯ製芯材を要旨と
する。 （ａ）熱膨張係数が上記有底円筒状セラミックス焼結体
の熱膨張係数以上 （ｂ）ＭｇＯ純度が９８％以上 （ｃ）ＭｇＯ結晶粒径が３０μｍ以上
【０００７】ＭｇＯ製芯材をかかる構成にすることで、
形状精度に優れ、且つ、そのセラミックスが本来持って
いる特性を損なわない有底円筒状セラミックス焼結体を
簡便に得ることができる。上記ＭｇＯ製芯材として
（ａ）〜（ｃ）の特性を必要とした理由を以下に分説す
る。
形状精度に優れ、且つ、そのセラミックスが本来持って
いる特性を損なわない有底円筒状セラミックス焼結体を
簡便に得ることができる。上記ＭｇＯ製芯材として
（ａ）〜（ｃ）の特性を必要とした理由を以下に分説す
る。
【０００８】（ａ）ＭｇＯ製芯材の熱膨張係数が、有底
円筒状セラミックス焼結体の熱膨張係数以上であるこ
と。ＭｇＯ製芯材の熱膨張係数が有底円筒状セラミック
ス焼結体の熱膨張係数より小さい場合、焼結終了後の降
温過程で該有底円筒状セラミックス焼結体の収縮が大き
くなってＭｇＯ製治具を噛み込んでしまい、取り出し不
可能もしくはセラミックスの割れ等の問題が生じるため
である。
円筒状セラミックス焼結体の熱膨張係数以上であるこ
と。ＭｇＯ製芯材の熱膨張係数が有底円筒状セラミック
ス焼結体の熱膨張係数より小さい場合、焼結終了後の降
温過程で該有底円筒状セラミックス焼結体の収縮が大き
くなってＭｇＯ製治具を噛み込んでしまい、取り出し不
可能もしくはセラミックスの割れ等の問題が生じるため
である。
【０００９】ＭｇＯ製芯材と有底円筒状セラミックス焼
結体の熱膨張係数の関係をかかる構成に規定すれば、焼
成収縮によって発生する成形体の円筒内壁面による芯材
への把持が、冷却過程において容易に開放できるように
なり、焼結体の芯材へのかみ込みを効果的に防止でき
る。これは、熱膨張係数がより大きい芯材の方が、冷却
過程で焼結体よりもより多く収縮する性質を利用したも
のである。
結体の熱膨張係数の関係をかかる構成に規定すれば、焼
成収縮によって発生する成形体の円筒内壁面による芯材
への把持が、冷却過程において容易に開放できるように
なり、焼結体の芯材へのかみ込みを効果的に防止でき
る。これは、熱膨張係数がより大きい芯材の方が、冷却
過程で焼結体よりもより多く収縮する性質を利用したも
のである。
【００１０】尚、芯材と焼結体の熱膨張係数の差として
は、１．０×１０−６／℃以上であることが望ましい。
焼結体の形状精度の向上と芯材へのかみ込み防止をより
効果的に図ることができる。
は、１．０×１０−６／℃以上であることが望ましい。
焼結体の形状精度の向上と芯材へのかみ込み防止をより
効果的に図ることができる。
【００１１】ＭｇＯ製芯材の純度が９８％より小さい場
合、不純物として含まれるＳｉ、Ａｌ、Ｃａ等の影響に
よって、焼成時にＭｇ成分等とセラミックス中の成分と
が反応して所望の組成と相違した化合物が生ずること
で、本来得られるはずの特性（機械的特性、電気的特
性、熱的特性等）が大幅に劣化する問題が生じるからで
ある。
合、不純物として含まれるＳｉ、Ａｌ、Ｃａ等の影響に
よって、焼成時にＭｇ成分等とセラミックス中の成分と
が反応して所望の組成と相違した化合物が生ずること
で、本来得られるはずの特性（機械的特性、電気的特
性、熱的特性等）が大幅に劣化する問題が生じるからで
ある。
【００１２】例えば、該有底円筒状セラミックスがベー
タアルミナ質セラミックスである場合、ベータアルミナ
中のＡｌ成分と芯材中のＭｇ成分が反応し、ベータアル
ミナ質セラミックス表面にＭｇ系スピネルを生成し、そ
れがナトリウムイオン導電性を劣化させる問題が生じ
る。また該有底円筒状セラミックスがアルミナの場合、
同様の反応が生じ、有底円筒状アルミナセラミックス焼
結体の表面にＭｇ系スピネルを生じ、機械的強度の劣化
を招く。
タアルミナ質セラミックスである場合、ベータアルミナ
中のＡｌ成分と芯材中のＭｇ成分が反応し、ベータアル
ミナ質セラミックス表面にＭｇ系スピネルを生成し、そ
れがナトリウムイオン導電性を劣化させる問題が生じ
る。また該有底円筒状セラミックスがアルミナの場合、
同様の反応が生じ、有底円筒状アルミナセラミックス焼
結体の表面にＭｇ系スピネルを生じ、機械的強度の劣化
を招く。
【００１３】（ｃ）ＭｇＯ製芯材のＭｇＯ結晶粒径が３
０μｍ以上であること。ＭｇＯ製治具のＭｇＯ結晶粒径
が３０μｍより小さい場合、有底円筒状セラミックスと
の接触面での反応が活性になり、前述したように諸特性
の劣化の原因となる。これは、ＭｇＯ製芯材中のＭｇ等
成分の有底円筒状セラミックスの接触面への移動が、Ｍ
ｇＯ結晶粒界を通して起こるものであり、ＭｇＯ結晶粒
径が小さい程このＭｇＯ結晶粒界の面積が大きくなるた
めと推察される。
０μｍ以上であること。ＭｇＯ製治具のＭｇＯ結晶粒径
が３０μｍより小さい場合、有底円筒状セラミックスと
の接触面での反応が活性になり、前述したように諸特性
の劣化の原因となる。これは、ＭｇＯ製芯材中のＭｇ等
成分の有底円筒状セラミックスの接触面への移動が、Ｍ
ｇＯ結晶粒界を通して起こるものであり、ＭｇＯ結晶粒
径が小さい程このＭｇＯ結晶粒界の面積が大きくなるた
めと推察される。
【００１４】以上の（ａ）〜（ｃ）の３つの構成を兼備
することで、寸法精度と機械的特性や電気的特性等の焼
結体特性とを両立した有底円筒状セラミックス焼結体が
製造可能なＭｇＯ製芯材が得られる。
することで、寸法精度と機械的特性や電気的特性等の焼
結体特性とを両立した有底円筒状セラミックス焼結体が
製造可能なＭｇＯ製芯材が得られる。
【００１５】本発明にいう「有底円筒状」とは、その断
面形状が真円、楕円、規則的な変形を伴う変形円または
不規則的な変形を伴う変形円等からなる一切の円筒状を
含んだ形状をもいう。
面形状が真円、楕円、規則的な変形を伴う変形円または
不規則的な変形を伴う変形円等からなる一切の円筒状を
含んだ形状をもいう。
【００１６】請求項２に記載の発明は、ＭｇＯ製芯材の
外表面におけるＭｇＯ結晶粒界の少なくとも一部にジル
コニア粒子が存在するＭｇＯ製芯材を要旨とし、請求項
１に記載のＭｇＯ製芯材のより好ましい構成を例示した
ものである。
外表面におけるＭｇＯ結晶粒界の少なくとも一部にジル
コニア粒子が存在するＭｇＯ製芯材を要旨とし、請求項
１に記載のＭｇＯ製芯材のより好ましい構成を例示した
ものである。
【００１７】Ｍｇ成分等のＭｇＯ製芯材から有底円筒状
セラミックスの接触面への拡散経路と考えられるＭｇＯ
結晶粒界の少なくとも一部にジルコニア粒子を存在させ
ることにより、Ｍｇ成分等の有底円筒状セラミックスの
接触面への拡散が抑制され、反応が抑制できる。そのた
め、諸特性（機械的特性、電気的特性、熱的特性等）劣
化のない良好な有底円筒状セラミックスが製造できる。
セラミックスの接触面への拡散経路と考えられるＭｇＯ
結晶粒界の少なくとも一部にジルコニア粒子を存在させ
ることにより、Ｍｇ成分等の有底円筒状セラミックスの
接触面への拡散が抑制され、反応が抑制できる。そのた
め、諸特性（機械的特性、電気的特性、熱的特性等）劣
化のない良好な有底円筒状セラミックスが製造できる。
【００１８】ＭｇＯ結晶粒界に存在するジルコニア粒子
がＭｇ成分等の拡散防止にどのように作用するかの詳細
は不明であるが、以下の２つの理由によるものと推察さ
れる。．ジルコニア粒子そのものがＭｇ成分等の拡散
防止層として機能する。．ジルコニア粒子がＭｇＯ製
芯材から微妙に突出することで、ＭｇＯ製芯材と有底円
筒状セラミックスの円筒内表面との面接触を回避するた
めのマイクロバンプとして機能する。
がＭｇ成分等の拡散防止にどのように作用するかの詳細
は不明であるが、以下の２つの理由によるものと推察さ
れる。．ジルコニア粒子そのものがＭｇ成分等の拡散
防止層として機能する。．ジルコニア粒子がＭｇＯ製
芯材から微妙に突出することで、ＭｇＯ製芯材と有底円
筒状セラミックスの円筒内表面との面接触を回避するた
めのマイクロバンプとして機能する。
【００１９】請求項３に記載の発明は、焼成後のＭｇＯ
製芯材を、大気雰囲気中にて１６５０℃以上の温度で１
時間以上保持して熱処理するＭｇＯ製芯材の製造方法を
要旨とする。かかる熱処理を行うことにより、ＭｇＯ製
治具の結晶を成長させ、結晶粒径を３０μｍ以上とする
ことができる。
製芯材を、大気雰囲気中にて１６５０℃以上の温度で１
時間以上保持して熱処理するＭｇＯ製芯材の製造方法を
要旨とする。かかる熱処理を行うことにより、ＭｇＯ製
治具の結晶を成長させ、結晶粒径を３０μｍ以上とする
ことができる。
【００２０】熱処理条件を大気雰囲気にて温度１６５０
℃以上−保持時間１時間以上とした理由は、以下のよう
である。温度が１６５０℃より小さいと十分に結晶の粒
成長が進まないため３０μｍに達せず、ＭｇＯ製治具の
結晶粒界面積が大きくなる。その結果、有底円筒状セラ
ミックスとＭｇＯ結晶粒界との接触面積も大きくなり、
Ｍｇ成分等の拡散、反応が促進され、焼結体の諸特性
（機械的特性、電気的特性、熱的特性等）が劣化するか
らである。
℃以上−保持時間１時間以上とした理由は、以下のよう
である。温度が１６５０℃より小さいと十分に結晶の粒
成長が進まないため３０μｍに達せず、ＭｇＯ製治具の
結晶粒界面積が大きくなる。その結果、有底円筒状セラ
ミックスとＭｇＯ結晶粒界との接触面積も大きくなり、
Ｍｇ成分等の拡散、反応が促進され、焼結体の諸特性
（機械的特性、電気的特性、熱的特性等）が劣化するか
らである。
【００２１】また、保持時間が１時間より少ないと、十
分にＭｇＯ製芯材の結晶粒成長が進まないため３０μｍ
に達せず、その結果、ＭｇＯ製治具の結晶粒界面積が大
きくなり、上記と同様の理由により、焼結体の諸特性
（機械的特性、電気的特性、熱的特性等）が劣化するか
らである。
分にＭｇＯ製芯材の結晶粒成長が進まないため３０μｍ
に達せず、その結果、ＭｇＯ製治具の結晶粒界面積が大
きくなり、上記と同様の理由により、焼結体の諸特性
（機械的特性、電気的特性、熱的特性等）が劣化するか
らである。
【００２２】請求項４に記載の発明は、ジルコニウム源
を含むセラミック粉末、成形体、焼結体若しくは液体か
ら選ばれる少なくとも一種に、焼成後のＭｇＯ製芯材の
少なくとも一部を接触させて、大気雰囲気中にて１４０
０℃以上の温度で１時間以上保持して熱処理するＭｇＯ
製芯材の製造方法を要旨とし、請求項３に記載のＭｇＯ
製芯材の製造方法のより好ましい構成を例示したもので
ある。
を含むセラミック粉末、成形体、焼結体若しくは液体か
ら選ばれる少なくとも一種に、焼成後のＭｇＯ製芯材の
少なくとも一部を接触させて、大気雰囲気中にて１４０
０℃以上の温度で１時間以上保持して熱処理するＭｇＯ
製芯材の製造方法を要旨とし、請求項３に記載のＭｇＯ
製芯材の製造方法のより好ましい構成を例示したもので
ある。
【００２３】ＭｇＯ製芯材の表面に、大気雰囲気中での
熱処理によりジルコニアとなるジルコニウム源を含んだ
粉末、成形体、焼結体若しくは液体と接触させて大気雰
囲気にて温度１４００℃以上−保持時間１時間以上の条
件で熱処理を行うこと、その接触面のＭｇＯ結晶粒界の
少なくとも一部にジルコニアを析出することができる。
熱処理によりジルコニアとなるジルコニウム源を含んだ
粉末、成形体、焼結体若しくは液体と接触させて大気雰
囲気にて温度１４００℃以上−保持時間１時間以上の条
件で熱処理を行うこと、その接触面のＭｇＯ結晶粒界の
少なくとも一部にジルコニアを析出することができる。
【００２４】ジルコニウム源を含んだ粉末、成形体若し
くは焼結体とＭｇＯ製芯材との接触、熱処理方法は図１
〜図３に例示したような方法が可能である。すなわち、
ＭｇＯ製芯材をジルコニウム源を含んだ粉末に埋めて熱
処理する方法（図１）、ＭｇＯ製芯材にジルコニウム源
を含んだ有底円筒状セラミックス成形体を被せて熱処理
する方法（図２）、ＭｇＯ製芯材にジルコニウム源を含
んだ有底円筒状セラミックス焼結体を被せて熱処理する
方法（図３）であるが、本発明はこれらの方法に限るも
のではない。また、ジルコニウム源を含んだ液体の場
合、ＭｇＯ製芯材に塗布、熱処理することで対応でき
る。
くは焼結体とＭｇＯ製芯材との接触、熱処理方法は図１
〜図３に例示したような方法が可能である。すなわち、
ＭｇＯ製芯材をジルコニウム源を含んだ粉末に埋めて熱
処理する方法（図１）、ＭｇＯ製芯材にジルコニウム源
を含んだ有底円筒状セラミックス成形体を被せて熱処理
する方法（図２）、ＭｇＯ製芯材にジルコニウム源を含
んだ有底円筒状セラミックス焼結体を被せて熱処理する
方法（図３）であるが、本発明はこれらの方法に限るも
のではない。また、ジルコニウム源を含んだ液体の場
合、ＭｇＯ製芯材に塗布、熱処理することで対応でき
る。
【００２５】ジルコニウム源を含む材料としては、ジル
コニア（粉末、成形体、焼結体）、硝酸ジルコニウム
（粉末、成形体）、アルミナ−ジルコニア混合粉末、ア
ルミナ−ジルコニア混合成形体、ベ−タアルミナ−ジル
コニア混合成形体、アルミナ分散型ジルコニア複合焼結
体材料、ジルコニア分散型ベ−タアルミナ質焼結体、ナ
フテン酸ジルコニウム（液体）等を用いることが可能で
あるが、これらに限るものではない。
コニア（粉末、成形体、焼結体）、硝酸ジルコニウム
（粉末、成形体）、アルミナ−ジルコニア混合粉末、ア
ルミナ−ジルコニア混合成形体、ベ−タアルミナ−ジル
コニア混合成形体、アルミナ分散型ジルコニア複合焼結
体材料、ジルコニア分散型ベ−タアルミナ質焼結体、ナ
フテン酸ジルコニウム（液体）等を用いることが可能で
あるが、これらに限るものではない。
【００２６】かかる方法を用いて、ＭｇＯ製芯材と有底
円筒状セラミックスとのＭｇ成分等の拡散経路であるＭ
ｇＯ結晶粒界の少なくとも一部にジルコニアを存在させ
ることにより、Ｍｇ成分等の有底円筒状セラミックスへ
の拡散が抑制され、諸特性を劣化させる反応生成物の生
成が抑制できる。そのため、諸特性（機械的特性、電気
的特性、熱的特性等）劣化の少ない、優れた諸特性（機
械的特性、電気的特性、熱的特性等）を持つ有底円筒状
セラミックスが製造できる。
円筒状セラミックスとのＭｇ成分等の拡散経路であるＭ
ｇＯ結晶粒界の少なくとも一部にジルコニアを存在させ
ることにより、Ｍｇ成分等の有底円筒状セラミックスへ
の拡散が抑制され、諸特性を劣化させる反応生成物の生
成が抑制できる。そのため、諸特性（機械的特性、電気
的特性、熱的特性等）劣化の少ない、優れた諸特性（機
械的特性、電気的特性、熱的特性等）を持つ有底円筒状
セラミックスが製造できる。
【００２７】熱処理条件を大気雰囲気にて温度１４００
℃以上−保持時間１時間以上とした理由は、以下のよう
である。温度が１４００℃より小さくまた保持時間が１
時間より少ないと、十分にＭｇＯ製芯材表面のＭｇＯ結
晶粒界にジルコニアが析出しない。そのため、このＭｇ
Ｏ製芯材を用いて有底円筒状セラミックスを焼成した場
合、ＭｇＯ製芯材から拡散したＭｇ成分等と有底円筒状
セラミックスとの反応により、該有底円筒状セラミック
スの内表面（ＭｇＯ製芯材との接触面）に反応性斑が生
成し、該有底円筒状セラミックスの諸特性が劣化するか
らである。
℃以上−保持時間１時間以上とした理由は、以下のよう
である。温度が１４００℃より小さくまた保持時間が１
時間より少ないと、十分にＭｇＯ製芯材表面のＭｇＯ結
晶粒界にジルコニアが析出しない。そのため、このＭｇ
Ｏ製芯材を用いて有底円筒状セラミックスを焼成した場
合、ＭｇＯ製芯材から拡散したＭｇ成分等と有底円筒状
セラミックスとの反応により、該有底円筒状セラミック
スの内表面（ＭｇＯ製芯材との接触面）に反応性斑が生
成し、該有底円筒状セラミックスの諸特性が劣化するか
らである。
【００２８】請求項５に記載の発明は、有底円筒状セラ
ミックス成形体を円柱状のＭｇＯ製芯材に緩挿した状態
で焼成する有底円筒状セラミックス焼結体の製造方法に
おいて、該ＭｇＯ製芯材として請求項１又は請求項２に
記載のＭｇＯ製芯材を用いる有底円筒状セラミックス焼
結体の製造方法を要旨とする。
ミックス成形体を円柱状のＭｇＯ製芯材に緩挿した状態
で焼成する有底円筒状セラミックス焼結体の製造方法に
おいて、該ＭｇＯ製芯材として請求項１又は請求項２に
記載のＭｇＯ製芯材を用いる有底円筒状セラミックス焼
結体の製造方法を要旨とする。
【００２９】請求項１又は請求項２に示したＭｇＯ製芯
材を用い、該ＭｇＯ製芯材に有底円筒状セラミックスを
緩挿した状態で焼成することにより、焼成時に芯材と有
底円筒状セラミックスが実質的に密着し、ソリや変形の
殆ど発生しない寸法精度の優れた有底円筒状セラミック
ス焼結体が得られる。また同時に、ＭｇＯ製治具と有底
円筒状セラミックスとの接触面での反応が抑制できるた
め、諸特性（機械的特性、電気的特性、熱的特性等）劣
化の少ない有底円筒状セラミックス焼結体が得られる。
材を用い、該ＭｇＯ製芯材に有底円筒状セラミックスを
緩挿した状態で焼成することにより、焼成時に芯材と有
底円筒状セラミックスが実質的に密着し、ソリや変形の
殆ど発生しない寸法精度の優れた有底円筒状セラミック
ス焼結体が得られる。また同時に、ＭｇＯ製治具と有底
円筒状セラミックスとの接触面での反応が抑制できるた
め、諸特性（機械的特性、電気的特性、熱的特性等）劣
化の少ない有底円筒状セラミックス焼結体が得られる。
【００３０】請求項６に記載の有底円筒状セラミックス
焼結体の製造方法は、有底円筒状セラミックス焼結体が
ベータアルミナ質セラミックスであることを要旨とし、
請求項５に記載の有底円筒状セラミックス焼結体の製造
方法の、より好ましい構成を例示したものである。ベー
タアルミナ質セラミックスからなる有底円筒状セラミッ
クス焼結体は、ナトリウム硫黄電池の固体電解質等に用
いられるもので、比較的大型の製品でありながら、要求
される寸法精度は厳しい。同時に、機械的強度、電気的
特性（ナトリウムイオン導電性）の優れた性能が要求さ
れている。これら要求項目を満たす製造方法として本発
明は有効である。
焼結体の製造方法は、有底円筒状セラミックス焼結体が
ベータアルミナ質セラミックスであることを要旨とし、
請求項５に記載の有底円筒状セラミックス焼結体の製造
方法の、より好ましい構成を例示したものである。ベー
タアルミナ質セラミックスからなる有底円筒状セラミッ
クス焼結体は、ナトリウム硫黄電池の固体電解質等に用
いられるもので、比較的大型の製品でありながら、要求
される寸法精度は厳しい。同時に、機械的強度、電気的
特性（ナトリウムイオン導電性）の優れた性能が要求さ
れている。これら要求項目を満たす製造方法として本発
明は有効である。
【００３１】円柱状のＭｇＯ製芯材を用いることによ
り、寸法精度の優れた焼結体を得ることが可能であると
ともに、Ｍｇ成分等とベータアルミナ質セラミックスと
の反応が抑制されて、機械的、電気的特性に優れたナト
リウムイオン導電性固体電解質を得ることができる。
り、寸法精度の優れた焼結体を得ることが可能であると
ともに、Ｍｇ成分等とベータアルミナ質セラミックスと
の反応が抑制されて、機械的、電気的特性に優れたナト
リウムイオン導電性固体電解質を得ることができる。
【００３２】
【実施例】以下に、実施例によって本発明を詳しく説明
するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものでは
ない。有底円筒状セラミックスとしては、ベータアルミ
ナ質セラミックスを用いる。
するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものでは
ない。有底円筒状セラミックスとしては、ベータアルミ
ナ質セラミックスを用いる。
【００３３】（１）有底円筒状ベータアルミナ質セラミ
ックス成形体の製作 原料粉末には、純度９９．９％のα−アルミナ粉末、試
薬１級品の炭酸ナトリウムおよび炭酸リチウムを用い
る。これらの原料粉末を、酸化アルミニウム、酸化ナト
リウムおよび酸化リチウムに換算したときの重量部で、
それぞれ９０．４％、８．８５％および０．７５％とな
るように混合する。
ックス成形体の製作 原料粉末には、純度９９．９％のα−アルミナ粉末、試
薬１級品の炭酸ナトリウムおよび炭酸リチウムを用い
る。これらの原料粉末を、酸化アルミニウム、酸化ナト
リウムおよび酸化リチウムに換算したときの重量部で、
それぞれ９０．４％、８．８５％および０．７５％とな
るように混合する。
【００３４】この混合物を１２５０℃で１０時間仮焼し
た後、振動ミルで粉砕しベータアルミナ質の原料粉末を
得る。得られた原料粉末をバインダーと共に水溶媒で所
定量混合してスラリとし、スプレードライ法にて造粒粉
末を調製する。
た後、振動ミルで粉砕しベータアルミナ質の原料粉末を
得る。得られた原料粉末をバインダーと共に水溶媒で所
定量混合してスラリとし、スプレードライ法にて造粒粉
末を調製する。
【００３５】この造粒粉末をＣＩＰ（冷間静水圧プレス
法）により所定寸法の有底円筒状に成形し、円筒内長さ
４９０ｍｍ×円筒内径４８ｍｍ×肉厚２．０ｍｍの有底
円筒状の成形体を得る。尚、本成形体は、芯材を用いず
に焼成した場合における長さ方向の割りかけ値Ｗが１．
２２５、径方向の割りかけ値が１．２００になるように
調整されている。
法）により所定寸法の有底円筒状に成形し、円筒内長さ
４９０ｍｍ×円筒内径４８ｍｍ×肉厚２．０ｍｍの有底
円筒状の成形体を得る。尚、本成形体は、芯材を用いず
に焼成した場合における長さ方向の割りかけ値Ｗが１．
２２５、径方向の割りかけ値が１．２００になるように
調整されている。
【００３６】（２）ＭｇＯ製芯材の純度と結晶粒径の影
響調査 ＭｇＯ製芯材は、純度９８．５％と９７％の２種を用い
る。このＭｇＯ製芯材の平均結晶粒径は焼結後は約２０
μｍである。これを、表１に示すような、未処理を含め
た４種類の熱処理条件で熱処理を行ったＭｇＯ製芯材を
用意する。これら純度２種×熱処理条件４種の計８種の
ＭｇＯ製芯材を用いてベータアルミナ質有底円筒状セラ
ミックスの焼成を行う。
響調査 ＭｇＯ製芯材は、純度９８．５％と９７％の２種を用い
る。このＭｇＯ製芯材の平均結晶粒径は焼結後は約２０
μｍである。これを、表１に示すような、未処理を含め
た４種類の熱処理条件で熱処理を行ったＭｇＯ製芯材を
用意する。これら純度２種×熱処理条件４種の計８種の
ＭｇＯ製芯材を用いてベータアルミナ質有底円筒状セラ
ミックスの焼成を行う。
【００３７】各ＭｇＯ製芯材の熱処理後のＭｇＯ結晶粒
子径の測定は以下のように行う。熱処理後の各ＭｇＯ製
芯材の一部を切り取り、鏡面研磨した後、１５００℃−
３０分大気中で熱エッチングを行い粒界が確認できるよ
うに処理を行う。その試料をＳＥＭにて５００倍で写真
撮影し、その写真を用いインタセプト法（直径法）を用
い平均粒子径を算出した。直径法は各結晶粒子の同一方
向の最大長さ（ｌｄn）を測定し、平均を求める方法で
ある。算出された各ＭｇＯ製芯材の平均粒子径を表１に
示す。また、熱処理を施さない純度９８．５％のＭｇＯ
製芯材（試料番号１）のＳＥＭ組織写真（熱エッチング
品）を図４に、純度９８．５％のＭｇＯ製芯材を熱処理
条件１６５０℃−５時間で熱処理したＭｇＯ製芯材（試
料番号３）のＳＥＭ組織写真を図５に示す。
子径の測定は以下のように行う。熱処理後の各ＭｇＯ製
芯材の一部を切り取り、鏡面研磨した後、１５００℃−
３０分大気中で熱エッチングを行い粒界が確認できるよ
うに処理を行う。その試料をＳＥＭにて５００倍で写真
撮影し、その写真を用いインタセプト法（直径法）を用
い平均粒子径を算出した。直径法は各結晶粒子の同一方
向の最大長さ（ｌｄn）を測定し、平均を求める方法で
ある。算出された各ＭｇＯ製芯材の平均粒子径を表１に
示す。また、熱処理を施さない純度９８．５％のＭｇＯ
製芯材（試料番号１）のＳＥＭ組織写真（熱エッチング
品）を図４に、純度９８．５％のＭｇＯ製芯材を熱処理
条件１６５０℃−５時間で熱処理したＭｇＯ製芯材（試
料番号３）のＳＥＭ組織写真を図５に示す。
【００３８】ＭｇＯ製芯材の熱膨張係数は、純度９８．
５％ものが１３．５×１０−６／℃（２０〜１０００
℃）、純度９７％のものが１３．１×１０−６／℃（２
０〜１０００℃）であり、熱処理による差は見られな
い。
５％ものが１３．５×１０−６／℃（２０〜１０００
℃）、純度９７％のものが１３．１×１０−６／℃（２
０〜１０００℃）であり、熱処理による差は見られな
い。
【００３９】芯材の形状は、外径４１ｍｍ×長さ４４５
ｍｍの有底円筒状ベータアルミナ質セラミックスとの緩
挿部を持ち、更に垂直に保持する保持台を有している。
ｍｍの有底円筒状ベータアルミナ質セラミックスとの緩
挿部を持ち、更に垂直に保持する保持台を有している。
【００４０】有底円筒状セラミックス成形体の芯材への
セット状態を図６に示す。すなわち、ＭｇＯ製芯材
（１）に有底円筒状ベータアルミナ質セラミックス成形
体（７）を緩挿して配置する。さらに、焼成ケース（図
示せず）を台座（６）に被せて、焼成ケース内への成形
体のセットを完了する。
セット状態を図６に示す。すなわち、ＭｇＯ製芯材
（１）に有底円筒状ベータアルミナ質セラミックス成形
体（７）を緩挿して配置する。さらに、焼成ケース（図
示せず）を台座（６）に被せて、焼成ケース内への成形
体のセットを完了する。
【００４１】焼成条件は、最高温度で１６００℃×３０
分保持とし、各条件ごとに５０本ずつ焼成を行う。有底
円筒状セラミックス焼結体のＭｇＯ製芯材へのセット状
態を図７に示す。得られたベータアルミナ質焼結体の熱
膨張係数は、７．８×１０− ６／℃である。芯材と焼結
体の熱膨張係数は、ＪＩＳ Ｒ １６１８に準じて、２
０〜１０００℃の範囲について測定した。また比較例と
して、ＭｇＯ製芯材を用いずに焼成し、同様の評価を行
った。
分保持とし、各条件ごとに５０本ずつ焼成を行う。有底
円筒状セラミックス焼結体のＭｇＯ製芯材へのセット状
態を図７に示す。得られたベータアルミナ質焼結体の熱
膨張係数は、７．８×１０− ６／℃である。芯材と焼結
体の熱膨張係数は、ＪＩＳ Ｒ １６１８に準じて、２
０〜１０００℃の範囲について測定した。また比較例と
して、ＭｇＯ製芯材を用いずに焼成し、同様の評価を行
った。
【００４２】焼成後、焼結体の反り、真円度、ナトリウ
ムイオン伝導の比抵抗値（ナトリウムイオン伝導性の逆
数）の評価を行った。その結果を表１に示す。
ムイオン伝導の比抵抗値（ナトリウムイオン伝導性の逆
数）の評価を行った。その結果を表１に示す。
【００４３】（３）ＭｇＯ製芯材の結晶粒界に存在する
ジルコニアの影響 図２に示す構成（ジルコニウム源：有底円筒状成形体）
で、表２に示す熱処理条件を用いＭｇＯ製芯材の熱処理
を行う。熱処理を行うＭｇＯ製芯材は、純度９８．５％
で１６５０℃−５ｈの熱処理を行ったもの（粒径約３０
μｍ）を用いる。またジルコニウム源としてはアルミナ
９０ｗｔ％、ジルコニア１０ｗｔ％の混合成形体を用い
る。
ジルコニアの影響 図２に示す構成（ジルコニウム源：有底円筒状成形体）
で、表２に示す熱処理条件を用いＭｇＯ製芯材の熱処理
を行う。熱処理を行うＭｇＯ製芯材は、純度９８．５％
で１６５０℃−５ｈの熱処理を行ったもの（粒径約３０
μｍ）を用いる。またジルコニウム源としてはアルミナ
９０ｗｔ％、ジルコニア１０ｗｔ％の混合成形体を用い
る。
【００４４】ＭｇＯ製芯材とジルコニウム源を含んだ成
形体との熱処理は表２に示す条件で行う。ＭｇＯ結晶粒
界へのジルコニアの析出の有無は、芯材の一部を切り出
し、ＳＥＭにて観察を行う。
形体との熱処理は表２に示す条件で行う。ＭｇＯ結晶粒
界へのジルコニアの析出の有無は、芯材の一部を切り出
し、ＳＥＭにて観察を行う。
【００４５】熱処理を行ったＭｇＯ製芯材を用いて焼成
した有底円筒状ベータアルミナ質セラミックス焼結体の
反り、真円度、ナトリウムイオン導電性の評価結果を表
２に示す。尚、焼成条件は（２）と同様である。また、
図８に１５５０℃−１時間処理してＭｇＯ結晶粒界にジ
ルコニアを析出させたＭｇＯ製芯材（試料番号１３）の
ＳＥＭ組織写真を示す。
した有底円筒状ベータアルミナ質セラミックス焼結体の
反り、真円度、ナトリウムイオン導電性の評価結果を表
２に示す。尚、焼成条件は（２）と同様である。また、
図８に１５５０℃−１時間処理してＭｇＯ結晶粒界にジ
ルコニアを析出させたＭｇＯ製芯材（試料番号１３）の
ＳＥＭ組織写真を示す。
【００４６】（４）焼結体の反りの測定 得られた焼結体の反りは、以下のように測定する。すな
わち、図９に示すように、焼結体８を基準となる水平板
９上（以下、基準面という）に置いて接地させたとき、
該基準面から円筒表面までの距離が最も遠い部位の距離
ｄを測定し、ｄの焼結体の円筒長さＬに対する割合（単
位；％）を反り基準値として算出する。反りの評価は、
反り基準値が０．２％以下のものを合格とし、５０本中
の合格率を「反り評価合格率」とする。
わち、図９に示すように、焼結体８を基準となる水平板
９上（以下、基準面という）に置いて接地させたとき、
該基準面から円筒表面までの距離が最も遠い部位の距離
ｄを測定し、ｄの焼結体の円筒長さＬに対する割合（単
位；％）を反り基準値として算出する。反りの評価は、
反り基準値が０．２％以下のものを合格とし、５０本中
の合格率を「反り評価合格率」とする。
【００４７】（５）焼結体の真円度検査 焼結体の真円度は、以下のように測定する。すなわち、
得られた焼結体の開口端部の外径の最大値Ｒと最小値ｒ
をそれぞれ測定し、以下の数式１によって真円度ＴＲを
求める。真円度の評価は、各条件ごとに焼成を行った５
０本の焼結体のうち、真円度が１％以下のものを合格と
し、焼成５０本中の合格率を「真円度評価合格率」とし
て記す。
得られた焼結体の開口端部の外径の最大値Ｒと最小値ｒ
をそれぞれ測定し、以下の数式１によって真円度ＴＲを
求める。真円度の評価は、各条件ごとに焼成を行った５
０本の焼結体のうち、真円度が１％以下のものを合格と
し、焼成５０本中の合格率を「真円度評価合格率」とし
て記す。
【００４８】（６）ナトリウムイオン伝導性は、有底円
筒形状のままＮａ−Ｎａセルで４端子法で３５０℃にお
けるナトリウムイオン伝導の比抵抗値（伝導度の逆数）
を測定する。測定は各条件につき３本づつ行い、その平
均値を表１及び表２に記す。
筒形状のままＮａ−Ｎａセルで４端子法で３５０℃にお
けるナトリウムイオン伝導の比抵抗値（伝導度の逆数）
を測定する。測定は各条件につき３本づつ行い、その平
均値を表１及び表２に記す。
【００４９】
【数１】ＴＲ＝（Ｒ−ｒ）／ｒ
【００５０】
【表１】
【００５１】
【表２】
【００５２】表１の結果を見ると、ＭｇＯ製芯材の純度
が９８．５％以上で、熱処理条件が１６５０℃以上、保
持時間５時間以上のものが、ナトリウムイオン伝導の比
抵抗値が３．５Ω-cm以下となり、優れたナトリウムイ
オン伝導特性を有していることがわかる。一方、純度９
７％芯材では、熱処理によるナトリウムイオン伝導特性
の改善は見られなかった。
が９８．５％以上で、熱処理条件が１６５０℃以上、保
持時間５時間以上のものが、ナトリウムイオン伝導の比
抵抗値が３．５Ω-cm以下となり、優れたナトリウムイ
オン伝導特性を有していることがわかる。一方、純度９
７％芯材では、熱処理によるナトリウムイオン伝導特性
の改善は見られなかった。
【００５３】また、ＭｇＯ製芯材を用いない焼成法で
は、ナトリウムイオン伝導特性は極めて優れているが、
焼成収縮時に発生する反り不良や、変形不良が多発して
いることがわかる。
は、ナトリウムイオン伝導特性は極めて優れているが、
焼成収縮時に発生する反り不良や、変形不良が多発して
いることがわかる。
【００５４】表２の結果より、１４００℃以上、保持時
間１時間以上の条件で、ジルコニウム源を含む成形体と
ＭｇＯ製芯材を接触させた状態で熱処理を行うことによ
り、ジルコニアをＭｇＯ製芯材表面のＭｇＯ結晶粒界に
析出させることができることがわかる。そして、ＭｇＯ
製芯材を用いて有底円筒状ベータアルミナ質セラミック
スを焼成しても、ＭｇＯ製芯材を用いない場合と同等
の、非常に優れたナトリウムイオン伝導特性が得られる
ことがわかる。
間１時間以上の条件で、ジルコニウム源を含む成形体と
ＭｇＯ製芯材を接触させた状態で熱処理を行うことによ
り、ジルコニアをＭｇＯ製芯材表面のＭｇＯ結晶粒界に
析出させることができることがわかる。そして、ＭｇＯ
製芯材を用いて有底円筒状ベータアルミナ質セラミック
スを焼成しても、ＭｇＯ製芯材を用いない場合と同等
の、非常に優れたナトリウムイオン伝導特性が得られる
ことがわかる。
【００５５】
【発明の効果】本発明のＭｇＯ製芯材及びその製造方法
並びにそのＭｇＯ製芯材を用いた有底円筒状セラミック
ス焼結体の製造方法によれば、寸法精度が非常に優れ、
且つ、諸特性（機械的、電気的特性）が優れた有底円筒
状セラミックス焼結体を歩留まり良く量産することが可
能となる。
並びにそのＭｇＯ製芯材を用いた有底円筒状セラミック
ス焼結体の製造方法によれば、寸法精度が非常に優れ、
且つ、諸特性（機械的、電気的特性）が優れた有底円筒
状セラミックス焼結体を歩留まり良く量産することが可
能となる。
【図１】ＭｇＯ製芯材の結晶粒界にジルコニアを付着さ
せるための熱処理工程の説明図。
せるための熱処理工程の説明図。
【図２】ＭｇＯ製芯材の結晶粒界にジルコニアを付着さ
せるための熱処理工程の説明図。
せるための熱処理工程の説明図。
【図３】ＭｇＯ製芯材の結晶粒界にジルコニアを付着さ
せるための熱処理工程の説明図。
せるための熱処理工程の説明図。
【図４】熱処理を施さない純度９８．５％のＭｇＯ製芯
材（試料番号１）のＳＥＭ組織写真（熱エッチング
品）。
材（試料番号１）のＳＥＭ組織写真（熱エッチング
品）。
【図５】純度９８．５％のＭｇＯ製芯材を熱処理条件１
６５０℃−５時間で熱処理したＭｇＯ製芯材（試料番号
３）のＳＥＭ組織写真。
６５０℃−５時間で熱処理したＭｇＯ製芯材（試料番号
３）のＳＥＭ組織写真。
【図６】有底円筒状セラミックス成形体のＭｇＯ製芯材
へのセット状態を示す説明図。
へのセット状態を示す説明図。
【図７】有底円筒状セラミックス焼結体のＭｇＯ製芯材
へのセット状態を示す説明図。
へのセット状態を示す説明図。
【図８】１５５０℃−１時間処理してＭｇＯ結晶粒界に
ジルコニアを析出させたＭｇＯ製芯材（試料番号１３）
のＳＥＭ組織写真。
ジルコニアを析出させたＭｇＯ製芯材（試料番号１３）
のＳＥＭ組織写真。
【図９】有底円筒状セラミックス焼結体の反りの測定方
法を示す説明図。
法を示す説明図。
１ ＭｇＯ製芯材 ２ ジルコニウム源を含む粉末 ３ ジルコニウム源を含む成形体 ４ ジルコニウム源を含む焼結体 ５ 耐火材 ６ 台座（芯材保持部） ７ 有底円筒状セラミックス成形体 ８ 有底円筒状セラミックス焼結体 ９ 水平板
Claims (6)
- 【請求項１】 有底円筒状セラミックス成形体を緩挿し
た状態で焼成するのに用いる円柱状のＭｇＯ製芯材であ
って、 該有底円筒状セラミックスの焼成収縮過程において、該
ＭｇＯ製芯材の外表面の少なくとも一部が、該有底円筒
状セラミックスの円筒内表面の少なくとも一部と接触し
た状態で用いられるとともに、 上記ＭｇＯ製芯材が、以下の（ａ）〜（ｃ）の特性を兼
備することを特徴とするＭｇＯ製芯材。 （ａ）熱膨張係数が上記有底円筒状セラミックス焼結体
の熱膨張係数以上 （ｂ）ＭｇＯ純度が９８％以上 （ｃ）ＭｇＯ結晶粒径が３０μｍ以上 - 【請求項２】 前記ＭｇＯ製芯材の外表面におけるＭｇ
Ｏ結晶粒界の少なくとも一部にジルコニア粒子が存在す
ることを特徴とする請求項１に記載のＭｇＯ製芯材。 - 【請求項３】 焼成後のＭｇＯ製芯材を、大気雰囲気中
にて１６５０℃以上の温度で１時間以上保持して熱処理
することを特徴とするＭｇＯ製芯材の製造方法。 - 【請求項４】 ジルコニウム源を含むセラミック粉末、
成形体、焼結体若しくは液体から選ばれる少なくとも一
種に、ＭｇＯ製芯材の少なくとも一部を接触させて、大
気雰囲気中にて１４００℃以上の温度で１時間以上保持
して熱処理することを特徴とする請求項３に記載のＭｇ
Ｏ製芯材の製造方法。 - 【請求項５】 有底円筒状セラミックス成形体を円柱状
のＭｇＯ製芯材に緩挿した状態で焼成する有底円筒状セ
ラミックス焼結体の製造方法において、該ＭｇＯ製芯材
として請求項１又は請求項２に記載のＭｇＯ製芯材を用
いることを特徴とする有底円筒状セラミックス焼結体の
製造方法。 - 【請求項６】 前記有底円筒状セラミックスが、ベータ
アルミナ質セラミックスであることを特徴とする請求項
５に記載の有底円筒状セラミックス焼結体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11201456A JP2001026478A (ja) | 1999-07-15 | 1999-07-15 | ＭｇＯ製芯材及びその製造方法並びにそのＭｇＯ製芯材を用いた有底円筒状セラミックス焼結体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11201456A JP2001026478A (ja) | 1999-07-15 | 1999-07-15 | ＭｇＯ製芯材及びその製造方法並びにそのＭｇＯ製芯材を用いた有底円筒状セラミックス焼結体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001026478A true JP2001026478A (ja) | 2001-01-30 |
Family
ID=16441404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11201456A Pending JP2001026478A (ja) | 1999-07-15 | 1999-07-15 | ＭｇＯ製芯材及びその製造方法並びにそのＭｇＯ製芯材を用いた有底円筒状セラミックス焼結体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001026478A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001035527A (ja) * | 1999-07-22 | 2001-02-09 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 絶縁リング及びその製造方法 |
-
1999
- 1999-07-15 JP JP11201456A patent/JP2001026478A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001035527A (ja) * | 1999-07-22 | 2001-02-09 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 絶縁リング及びその製造方法 |
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