JP2001021609A - 半導体集積回路の検査方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体集積回路を構成する各素子の静止時電
源電流の電流値とこの電流値のばらつきとが大きく、さ
らにプロセスパラメータによる半導体集積回路間のばら
つきが大きな半導体集積回路であっても、半導体製造プ
ロセスで発生した不具合を確実に検出すること。 【解決手段】 被測定対象の半導体集積回路を構成する
複数素子の論理状態を順次変更設定しつつ、複数素子を
介した静止時電源電流の電流値ＩＤＤを複数回測定し、
この測定された複数の電流値から最大電流値と最小電流
値とを抽出し、最大電流値と最小電流値との差分値ΔＩ
maxが規格値ΔＩＤＤを越えた場合に半導体集積回路は
不良品であると判定する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、ＩＣテスタによ
って静止時電源電流の電流値を測定し、この測定結果を
もとに半導体集積回路がＩＣ製造工程によって発生した
不良箇所をもつか否かを判定する半導体集積回路の検査
方法に関し、特に相補型金属酸化膜半導体素子（ＣＭＯ
Ｓ）構成を有する半導体集積回路の検査方法に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】従来から、ＣＭＯＳ構成のＩＣやＬＳＩ
等の半導体集積回路の製造工程においては、製造工程に
よって生じた不良箇所が半導体集積回路に含まれている
か否かを判定し、その後の製造工程における生産性の効
率化を高めている。

【０００３】半導体集積回路に不良箇所が含まれるか否
かの判定は、一般にＩＣテスタを用いて行われる。ＩＣ
テスタによる選別方法（テスト方法）は、多種多様であ
るが、その一つとして、ＩＣの非動作時の電源電流（以
下、静止時電源電流と称す。）の電流値を測定し、この
測定した電流値をもとに半導体集積回路に不良箇所が含
まれるか否かを判定する方法がある。

【０００４】このＣＭＯＳ構成の半導体集積回路にＩＣ
テスタを接続して、半導体集積回路の電源電流を測定す
る場合では、電流を測定するテスタの電源と接地との間
に、ＰＭＯＳトランジスタ、ＮＭＯＳトランジスタがト
ーテムポール型にシリーズにつながる回路構成（以下、
ＣＭＯＳトランジスタと称す。）になるため、テスタに
よって、半導体集積回路の各入力端子を電源あるいは、
接地レベルに固定することで、ＰＭＯＳトランジスタ、
ＮＭＯＳトランジスタのどちらか一方をオフさせること
ができ、静止時電源電流の測定が可能になる。この場
合、非動作時においても、半導体集積回路の内部回路に
電源電流が流れる回路を有する場合は別として、通常、
半導体集積回路の静止時電源電流は、この回路上に構成
されるＣＭＯＳトランジスタのオフ時における電流値の
合計値となるが、その値は非常に小さく、μＡオーダー
以下の値となることが多い。

【０００５】一般に、半導体製造工程においては、その
半導体製造工程に何らかの不具合が発生すると、半導体
集積回路の内部回路に不要な電流経路が形成される。こ
の不要な電流経路を有する半導体集積回路では、ＣＭＯ
Ｓトランジスタが非動作時であっても、形成された不要
な電流経路に電源電流が流れてしまう。この不要な電流
経路に流れる電源電流は静止時電源電流に加算されるた
め、不要な電流経路が形成された場合に測定された静止
時電源電流の電流値は、不要な電流経路が形成されない
場合に測定された静止時電源電流の電流値に比べて大き
な値となる。

【０００６】この不要な電流経路は、非動作時における
静止時電源電流の電流値を増加させることになるので、
半導体集積回路の消費電力を増加させることはもちろ
ん、動作時においても半導体集積回路の正常な機能や動
作を妨げることになるため、この不要な電流経路を有す
る半導体集積回路は不良品として判定される。

【０００７】この静止時電源電流の電流値測定によって
半導体集積回路の不良品判定を行う場合、通常、半導体
集積回路の内部回路を、ある論理状態に固定した後に、
一回あるいは論理状態を変更して複数回測定し、この測
定された電流値を一つの絶対的値である規格値と比較
し、この比較結果をもとに不要な電流経路を有する不良
品の半導体集積回路であるか否かを判定していた。

【０００８】図１１は、半導体集積回路に対する従来の
静止時電源電流測定回路を示す回路図である。図１１に
おいて、ＡＳＩＣ等の被測定対象の半導体集積回路１０
１の一端は接地され、他端は電流測定器１０２に接続さ
れる。電源１０３は一端を接地し、他端を電流測定器１
０２に接続することによって、電源１０３から電流測定
器１０２を介して半導体集積回路１０１に電圧ＶＤＤを
印加し、電流を供給する。一方、半導体集積回路１０１
には、論理状態を設定するテストパターン１０５が入力
され、これによって半導体集積回路１０１内の内部回路
の接続状態を種々設定することができる。このテストパ
ターンによって設定された接続状態において、電流測定
器１０２が電流値ＩＤＤを測定し、この測定された電流
値ＩＤＤをもとに半導体集積回路１０１内に不要な電流
経路が存在するか否かを判定する。

【０００９】図１２は、半導体集積回路１０１内の内部
回路の一例と不要な電流経路を示す図である。図１２
は、ＰＭＯＳトランジスタ１１３とＮＭＯＳトランジス
タ１１４とが直列接続されたインバータ回路を示す。図
１２（ａ）は、テストパターン１０５がゲートに印加さ
れることによって、ＰＭＯＳトランジスタ１１３がオフ
状態で、ＮＭＯＳトランジスタ１１４がオン状態に設定
された場合を示し、図１２（ｂ）は、テストパターン１
０５がゲートに印加されることによって、ＰＭＯＳトラ
ンジスタ１１３がオン状態で、ＮＭＯＳトランジスタ１
１４がオフ状態に設定された場合を示す。図１２（ａ）
において、電源１０３とＰＭＯＳトランジスタ１１４の
ドレインとの間に不要な電流経路１１５が存在すると、
電源１０３と接地１０４との間に不要な電流が流れるこ
とになる。このとき、電源１０３と接地１０４との間に
流れる電流は、ＮＭＯＳトランジスタ１１４の能力に応
じた電流が流れることになる。同様に図１２（ｂ）にお
いて、接地１０４とＮＭＯＳトランジスタ１１４のドレ
インとの間に不要な電流経路１１５が存在すると、電源
１０３と接地１０４との間に不要な電流が流れることに
なる。このとき、電源１０３と接地１０４との間に流れ
る電流は、ＰＭＯＳトランジスタ１１３の能力に応じた
電流が流れることになる。

【００１０】ＣＭＯＳ構成の半導体集積回路は、クロッ
ク信号を含めた各信号の変化時、すなわち、立ち上がり
と立ち下がりに、一時的にＰＭＯＳトランジスタ、ＮＭ
ＯＳトランジスタが共にオンすることによる貫通電流と
負荷容量のチャージ、ディスチャージ電流が流れる。こ
の状態は、一時的なものであるため、これらの電流は徐
々に減少し、その後各信号が固定された状態では、これ
らの電流は流れなくなる。つまり、内部回路の論理状態
は各入力端子に入力されるテストパターンによって設定
され、その電源電流は各信号が変化した時に一時的に増
加する。通常、クロック信号の立ち上がりあるいは、立
ち下がりのどちらかのアクティブエッジが変化した時
に、内部のフリップフロップが一斉に動作することによ
って、フリップフロップに接続される信号線が一斉に変
化し始めるため、最も電流が流れる。図１３は、半導体
集積回路１０１に入力されるテストパターン１０５のう
ち、一つのクロック信号と電源電流値ＩＤＤとの関係を
示す図であり、クロックの立ち上がりで、内部のフリッ
プフロップが一斉に動作し、電源電流値ＩＤＤが一時的
に増加した場合の例を示す。この場合、１周期内で内部
回路の論理状態が固定されている時が、半導体集積回路
１０１の静止時（ｔ１）であり、通常、静止時電源電流
の測定は、上記クロック信号を含めた、入力される全て
の信号変化が完了し、一つの論理状態が設定された（ｔ
２）後の、上記半導体集積回路１０１の静止時、つまり
内部回路の論理状態が安定した時（ｔ１）に測定され
る。図１３では、時点Ｐ（１），Ｐ（２）において静止
時電源電流の電流値ＩＤＤが測定される。

【００１１】図１４は、複数回測定時における電源電流
値ＩＤＤの時間経過を示す図である。図１４において、
テストパターン１０５による論理設定がテスト周期とし
て複数回行われる。図１４では、論理設定の周期がｊ回
行われている。静止時電源電流の電流値測定は、論理設
定が行われた後の静止時（ｔ１）において行われる。な
お、図１４には、半導体集積回路１０１が不良箇所を含
むか否かを判定するための絶対的基準値である規格値Ｉ
ＤＤ１と、不良のＣＭＯＳ素子がない場合における静止
時電源電流の平均値Ｉave１と、測定誤差を含めた半導
体集積回路自体による静止時電源電流値のばらつき範囲
ΔＴＲ１とを併せて示している。

【００１２】図１４において、時点Ｐ（１），Ｐ（２）
における電流値ＩＤＤは、いずれも規格値ＩＤＤ１以下
であるので、不要な電流経路が存在しないと判定され
る。しかし、時点Ｐ（３）における電流値ＩＤＤは、規
格値ＩＤＤ１を越えているため、この論理設定における
回路には不要な電流経路が存在すると判定される。そし
て、一つの不要な電流経路を有した半導体集積回路１０
１は、不良品として判定される。

【００１３】この一連の検査処理は、まずテストパター
ン１０５によって半導体集積回路が動作し、内部の論理
状態が決定される（ｔ２）。その後、静止時（ｔ１）電
源電流の電流値ＩＤＤを測定し、この電流値ＩＤＤと規
格値ＩＤＤ１とを比較する。電流値ＩＤＤが規格値ＩＤ
Ｄ１を越えない場合には、さらに半導体集積回路１０１
にテストパターン１０５を供給して論理状態を決定し、
この決定した論理状態の後に、静止時電源電流の電流値
ＩＤＤを再度測定し、この再度測定したＩＤＤと規格値
ＩＤＤ１とを比較する。このような比較処理の繰り返し
時に、電流値ＩＤＤが規格値ＩＤＤ１を越えた場合、こ
の時点で半導体集積回路１０１内に不要な電流回路が存
在すると判断し、半導体集積回路１０１は不良品である
と判定し、その後の測定と比較処理は行わない。一方、
所定回数の測定と比較処理とを行っても、電流値ＩＤＤ
が規格値ＩＤＤ１を越えない場合には、半導体集積回路
１０１は良品と判定する。

【００１４】すなわち、この半導体集積回路の検査方法
では、全ての比較結果が、 ＩＤＤ＜ＩＤＤ１ であれば、良品として判定し、一以上の比較結果が、 ＩＤＤ≧ＩＤＤ１ であれば、不良品として判定する。

【００１５】ところで、トランジスタ１個の静止時電源
電流の電流値を「Ｉｄｄ(tr)」とし、その電流値のばら
つきを「ΔＩｄｄ(tr)」とし、半導体集積回路１０１全
体でＮ個のトランジスタがあるとすると、不要な電流経
路をもたない半導体集積回路１０１全体の静止時電源電
流の電流値ＩＤＤ(static)は、 ＩＤＤ(static)＝Ｉｄｄ(tr)・Ｎ＋ΔＩｄｄ(tr)・Ｎ で表すことができる。このとき、測定された静止時電源
電流の電流値ＩＤＤ(measue)は、測定誤差を「ΔＩｄｄ
(measure)」とすると、 ＩＤＤ(measure)＝ＩＤＤ(static)＋ΔＩｄｄ(measure) となる。

【００１６】また、不要な電流経路による電流変化分を
「ΔＩｄｄ(fault)」とすると、不要な電流経路をもっ
た半導体集積回路１０１全体の静止時電源電流の電流値
ＩＤＤ(fault)は、 ＩＤＤ(fault)＝ＩＤＤ(static)＋ΔＩｄｄ(fault) で表される。このとき、半導体集積回路１０１の測定誤
差ΔＩｄｄ(measure)と不要な電流経路による電流変化
分ΔＩｄｄ(fault)とを比較すると、半導体集積回路１
０１の規模が小さいときは、 ΔＩｄｄ(fault)≫ΔＩｄｄ(measure) であり、電流変化分ΔＩｄｄ(fault)と測定誤差ΔＩｄ
ｄ(measure)とを明確に区別することができるので、 ＩＤＤ(measure)（＝ＩＤＤ(static)＋ΔＩｄｄ(measur
e)）≪ＩＤＤ(fault)（＝ＩＤＤ(static)＋ΔＩｄｄ(fa
ult)） となる。

【００１７】ここで、図１５は、静止時電源電流の電流
値ＩＤＤのばらつき範囲の一例を示す図である。図１５
において、静止時電源電流の電流値ＩＤＤの平均値（黒
丸「●」で示す。）が小さいときは、電流値のばらつき
範囲も小さいことがわかる。たとえば、サンプルＡ，
Ｂ，Ｄの平均値は、いずれも規定値ＩＤＤ１未満で小さ
く、ばらつき範囲ΔＩａ１，ΔＩｂ１，ΔＩｄ１も小さ
い。これに対し、サンプルＣの平均値は、規定値ＩＤＤ
１を超え、ばらつき範囲ΔＩｃ１も大きい。

【００１８】したがって、静止時電源電流の電流値Ｉｄ
ｄ(tr)・Ｎが小さいときは、半導体集積回路自体のばら
つきΔＩｄｄ(tr)・Ｎの値も小さくなるため、 ＩＤＤ(static)（≒Ｉｄｄ(tr)・Ｎ）≦ＩＤＤ(measur
e)＜ＩＤＤ１≪ＩＤＤ(fault) を満足する一つの絶対的基準値である規格値ＩＤＤ１を
設定することによって、静止時電源電流の電流値ＩＤＤ
(measure)と規格値ＩＤＤ１とを比較することによっ
て、不要な電流経路の有無、すなわち不良品の半導体集
積回路であるか否かを判定することができる。

【００１９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年の
技術進歩によって益々、高速高集積かつ大規模な半導体
集積回路の製造が可能となっているのが現実であり、こ
の高速高集積かつ大規模な半導体集積回路では、半導体
集積回路を構成する各トランジスタ間の静止時電源電流
の電流値Ｉｄｄ(tr)と、この電流値のばらつきΔＩｄｄ
(tr)とが大きくなるとともに、さらに半導体製造プロセ
スのプロセスパラメータによる各半導体集積回路間のば
らつきΔＩｄｄ(IC)も大きくなり、この半導体集積回路
間のばらつきΔＩｄｄ(IC)と、不要な電流経路による電
流変化分ΔＩｄｄ(fault)とが同程度、あるいは、ばら
つきΔＩｄｄ(IC)が電流変化分ΔＩｄｄ(fault)を超え
る場合が発生し、従来の半導体集積回路の検査方法で
は、ばらつきと電流変化分との区別が困難になり、半導
体集積回路が不良品であるか否かを正確に判定すること
ができないという問題点があった。

【００２０】すなわち、不要な電流経路が存在しない半
導体集積回路における静止時電源電流ＩＤＤ(static)
（＝Ｉｄｄ(tr)・Ｎ＋ΔＩｄｄ(tr)・Ｎ）自体が、半導
体集積回路間でおおきくばらつくことから、不要な電流
経路が存在しない静止時電源電流ＩＤＤ(static)であっ
ても、他の不要な電流経路を有する他の半導体集積回路
の静止時電源電流ＩＤＤ(fault)と比較すると、 ＩＤＤ(static)≧ＩＤＤ(fault) となる場合が生じ、この場合、一つの絶対的基準値であ
る規格値ＩＤＤ１を用いても、不要な電流経路の有無を
確実に検出することができず、結果として不良品の半導
体集積回路であるか否かの判別を行うことが困難である
という問題点があった。

【００２１】この発明は上記に鑑みてなされたもので、
半導体集積回路を構成する各素子の静止時電源電流の電
流値とこの電流値のばらつきとが大きく、さらにプロセ
スパラメータによる半導体集積回路間のばらつきが大き
な半導体集積回路であっても、半導体製造プロセスで発
生した不具合を静止時電源電流の電流値を測定すること
によって確実に検出することができる半導体集積回路の
検査方法を得ることを目的とする。

【００２２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明にかかる半導体集積回路の検査方法は、被
測定対象の半導体集積回路を構成する複数素子の論理状
態を順次変更設定しつつ、前記複数素子を介した静止時
電源電流の電流値を複数回測定する測定工程と、前記測
定工程によって測定された複数の電流値から最大値と最
小値とを抽出する抽出工程と、前記最大値と前記最小値
との差分値が所定の差分値を越えた場合に前記半導体集
積回路は不良品であると判定する判定工程と、を含むこ
とを特徴とする。

【００２３】この発明によれば、測定工程によって、被
測定対象の半導体集積回路を構成する複数素子の論理状
態を順次変更設定しつつ、前記複数素子を介した静止時
電源電流の電流値を複数回測定し、抽出工程によって、
前記測定工程によって測定された複数の電流値から最大
値と最小値とを抽出し、判定工程によって、前記最大値
と前記最小値との差分値が所定の差分値を越えた場合に
前記半導体集積回路は不良品であると判定するようにし
ている。

【００２４】つぎの発明にかかる半導体集積回路の検査
方法は、被測定対象の半導体集積回路を構成する複数素
子の論理状態を変更設定しつつ、前記複数素子を介した
静止時電源電流の電流値を複数回測定する測定工程と、
前記測定工程によって測定された複数の電流値に対して
連続測定した電流値間の差分値を算出する算出工程と、
前記算出工程によって算出された差分値のうちの少なく
とも一つの差分値が所定の差分値を越えた場合に前記半
導体集積回路は不良品であると判定する判定工程と、を
含むことを特徴とする。

【００２５】この発明によれば、測定工程によって、被
測定対象の半導体集積回路を構成する複数素子の論理状
態を変更設定しつつ、前記複数素子を介した静止時電源
電流の電流値を複数回測定し、算出工程によって、前記
測定工程によって測定された複数の電流値に対して連続
測定した電流値間の差分値を算出し、判定工程によっ
て、前記算出工程によって算出された差分値のうちの少
なくとも一つの差分値が所定の差分値を越えた場合に前
記半導体集積回路は不良品であると判定するようにして
いる。

【００２６】つぎの発明にかかる半導体集積回路の検査
方法は、被測定対象の半導体集積回路を構成する複数素
子の論理状態を変更設定して前記複数素子を介した静止
時電源電流の電流値を測定する第一測定工程と、前記半
導体集積回路を構成する複数素子の論理状態を変更設定
して前記複数素子を介した静止時電源電流の電流値を測
定する第二測定工程と、前記第一測定工程によって測定
された電流値と前記第二測定工程によって測定された電
流値との間の差分値を算出する算出工程と、前記算出工
程によって算出された差分値が所定の差分値を越えた場
合に前記半導体集積回路は不良品であると判定する判定
工程と、前記判定工程によって不良品でないと判定され
た場合、前記第二測定工程によって測定された電流値を
前記第一測定工程によって測定された電流値に置き換え
前記第二測定工程、前記算出工程および前記判定工程を
所定回数繰り返す繰り返し工程と、を含むことを特徴と
する。

【００２７】この発明によれば、第一測定工程によっ
て、被測定対象の半導体集積回路を構成する複数素子の
論理状態を変更設定して前記複数素子を介した静止時電
源電流の電流値を測定し、第二測定工程によって、前記
半導体集積回路を構成する複数素子の論理状態を変更設
定して前記複数素子を介した静止時電源電流の電流値を
測定し、算出工程によって、前記第一測定工程によって
測定された電流値と前記第二測定工程によって測定され
た電流値との間の差分値を算出し、判定工程によって、
前記算出工程によって算出された差分値が所定の差分値
を越えた場合に前記半導体集積回路は不良品であると判
定し、前記判定工程によって不良品でないと判定された
場合、前記第二測定工程によって測定された電流値を前
記第一測定工程によって測定された電流値に置き換え前
記第二測定工程、前記算出工程および前記判定工程を所
定回数繰り返すようにしている。

【００２８】つぎの発明にかかる半導体集積回路の検査
方法は、被測定対象の半導体集積回路を構成する複数素
子の論理状態を順次変更設定しつつ、前記複数素子を介
した静止時電源電流の電流値を複数回測定する測定工程
と、前記測定工程によって測定された複数の電流値の標
準偏差を算出する算出工程と、前記標準偏差が所定の標
準偏差を越えた場合に前記半導体集積回路は不良品であ
ると判定する判定工程と、を含むことを特徴とする。

【００２９】この発明によれば、測定工程によって、被
測定対象の半導体集積回路を構成する複数素子の論理状
態を順次変更設定しつつ、前記複数素子を介した静止時
電源電流の電流値を複数回測定し、算出工程によって、
前記測定工程によって測定された複数の電流値の標準偏
差を算出し、判定工程によって、前記標準偏差が所定の
標準偏差を越えた場合に前記半導体集積回路は不良品で
あると判定するようにしている。

【００３０】つぎの発明にかかる半導体集積回路の検査
方法は、被測定対象の半導体集積回路を構成する複数素
子の論理状態を順次変更設定しつつ、前記複数素子を介
した静止時電源電流の電流値を複数回測定する測定工程
と、前記測定工程によって測定された複数の電流値から
最大値と最小値とを抽出する抽出工程と、前記測定工程
によって測定された複数の電流値の平均値を算出する算
出工程と、前記平均値と前記最大値との差分値あるいは
前記平均値と前記最小値との差分値のいずれか一方が所
定の差分値を越えた場合に前記半導体集積回路は不良品
であると判定する判定工程と、を含むことを特徴とす
る。

【００３１】この発明によれば、測定工程によって、被
測定対象の半導体集積回路を構成する複数素子の論理状
態を順次変更設定しつつ、前記複数素子を介した静止時
電源電流の電流値を複数回測定し、抽出工程によって、
前記測定工程によって測定された複数の電流値から最大
値と最小値とを抽出し、算出工程によって、前記測定工
程によって測定された複数の電流値の平均値を算出し、
判定工程によって、前記平均値と前記最大値との差分値
あるいは前記平均値と前記最小値との差分値のいずれか
一方が所定の差分値を越えた場合に前記半導体集積回路
は不良品であると判定するようにしている。

【００３２】つぎの発明にかかる半導体集積回路の検査
方法は、上記の発明において、前記測定工程あるいは前
記第一測定工程によって設定された初回の論理状態に再
設定し、該再設定された初回の論理状態における静止時
電源電流の電流値を再測定する再測定工程と、前記初回
の論理状態における電流値と前記再測定工程によって測
定された電流値との差分が所定値以下である場合に前記
半導体集積回路は良品であると判定する最終判定工程
と、をさらに含むことを特徴とする。

【００３３】この発明によれば、再測定工程によって、
前記測定工程あるいは前記第一測定工程によって設定さ
れた初回の論理状態に再設定し、該再設定された初回の
論理状態における静止時電源電流の電流値を再測定し、
最終判定工程によって、前記初回の論理状態における電
流値と前記再測定工程によって測定された電流値との差
分が所定値以下である場合に前記半導体集積回路は良品
であると判定するようにしている。

【００３４】

【発明の実施の形態】以下に添付図面を参照して、この
発明にかかる半導体集積回路の検査方法の好適な実施の
形態を詳細に説明する。

【００３５】実施の形態１．まず、この発明の実施の形
態１について説明する。図１は、この発明の実施の形態
１である半導体集積回路の検査方法によって検出される
静止時電源電流のタイミングチャートであり、図２は、
この発明の実施の形態１である半導体集積回路の検査方
法を実施する装置の全体構成を示す図である。図２にお
いて、ＡＳＩＣ等の被測定対象の半導体集積回路１の一
端は接地され、他端は電流測定器２に接続される。電源
３は一端を接地し、他端を電流測定器２に接続すること
によって、電源３から電流測定器２を介して半導体集積
回路１に電圧ＶＤＤを印加し、電流を供給する。

【００３６】一方、半導体集積回路１および電流測定器
２には、ＩＣ検査装置１１が接続される。ＩＣ検査装置
１１は、テストパターン生成部１２、演算部１３および
判定部１４を有する。テストパターン生成部１２は、半
導体集積回路１に接続され、論理状態を設定するテスト
パターン５を半導体集積回路１に入力する。これによっ
て、半導体集積回路１内の内部回路の接続状態を種々設
定することができる。このテストパターン５によって設
定された接続状態において、演算部１３が電流測定器２
からテストパターン５のクロックに同期して電流値ＩＤ
Ｄを測定し、この測定された電流値ＩＤＤをもとに後述
する演算処理を行い、判定部１４が、半導体集積回路１
内に、図１２に示したような不要な電流回路が存在する
か否かを判定し、結果として半導体集積回路１が不良品
であるか否かを判定する。

【００３７】図１において、半導体集積回路１の各入力
端子にテストパターン５が入力され、その一つであるク
ロック信号が立ち上がることによって、半導体集積回路
１内の内部回路における所望素子の論理状態が決定され
る。これら各信号線の変化によって、内部回路の論理状
態が変化している時（ｔ２）、半導体集積回路１は動作
状態であり、全ての信号の変化が完了し、内部回路の論
理状態が固定されている時（ｔ１）、半導体集積回路１
は非動作状態、すなわち静止時となり、この静止時にお
ける電源電流ＩＤＤの値が電流測定器２によって検出さ
れる。

【００３８】テストパターンのテスト周期は、そのクロ
ック信号によって決定され、図１では、ｊ（ｊ＝１，
２，３，…，ｉ，ｉ＋１，ｉ＋２，…，ｊ−１，ｊ）回
のテスト周期を有する。したがって、各テスト周期で
は、それぞれ異なる論理状態が設定されることになる。

【００３９】静止時電源電流の電流値ＩＤＤの測定は、
上述したように全ての信号の変化が完了し、内部回路の
論理状態が固定された静止時（ｔ１）において行われ、
図１では、ｍ（ｍ＝１，２，３，…，ｎ−１，ｎ，ｎ＋
１，…，ｍ−１，ｍ）回の測定が行われる。この測定
は、テスト周期毎に行う必要はなく、任意のテスト周期
に対する静止時電源電流の電流値ＩＤＤを測定すること
ができる。なお、静止時電源電流を時点Ｐ（１）からＰ
（ｍ）までのｍ回測定しているが、各時点における電流
値をそれぞれＩ（１）〜Ｉ（ｍ）とする。

【００４０】この実施の形態１では、ｍ回測定された電
流値Ｉ（１）〜Ｉ（ｍ）のうちの最大電流値と最小電流
値とを抽出し、この抽出した最大電流値ＩＤＤmaxと最
小電流値ＩＤＤminとの差分値ΔＩmaxの絶対値、すなわ
ち ｜ΔＩmax｜＝ＩＤＤmax−ＩＤＤmin を求め、この差分値ΔＩmaxの絶対値が所定の電流値範
囲である規格値ΔＩＤＤと比較し、 ｜ΔＩmax｜≦ΔＩＤＤ であるならば、被検査対象の半導体集積回路１は良品で
あると判定し、 ｜ΔＩmax｜＞ΔＩＤＤ であるならば、被検査対象の半導体集積回路１は不良品
であると判定する。なお、規格値ΔＩＤＤは、絶対的基
準値ではなく、予め設定された範囲の大きさを示す値で
ある。

【００４１】したがって、図１に示すタイミングチャー
トにおける最大電流値ＩＤＤmaxは、時点Ｐ（ｎ）で測
定した電流値Ｉ（ｎ）であり、最小電流値ＩＤＤmin
は、時点Ｐ（ｍ−１）で測定した電流値Ｉ（ｍ−１）で
あるので、差分値ΔＩmaxの絶対値は、 ｜ΔＩmax｜＝Ｉ（ｎ）−Ｉ（ｍ−１） となり、この値と規格値ΔＩＤＤとの大小比較が行われ
て、半導体集積回路１が不良品であるか否かが判定され
る。なお、図１では、測定誤差を含めた半導体集積回路
１自体のばらつきΔＴＲと、その平均値Ｉaveとが示さ
れている。

【００４２】ここで、図３に示すフローチャートを参照
して、半導体集積回路の検査手順について説明する。図
３において、まず、テストパターン生成部１２からクロ
ック信号を含むテストパターン５を半導体集積回路１に
入力することによって、半導体集積回路１の内部回路の
論理状態の変更設定を行う（ステップＳ１１）。その
後、一つのテスト周期内の静止時に静止時電源電流の電
流値ＩＤＤを測定する（ステップＳ１２）。その後、電
流値ＩＤＤの測定をｍ回行ったか否かを判断し（ステッ
プＳ１３）、ｍ回測定していない場合（ステップＳ１
３，ＮＯ）には、ステップＳ１１に移行して上述した論
理状態の変更処理と静止時電源電流の電流値測定とを繰
り返して行う。

【００４３】一方、電流値ＩＤＤの測定をｍ回行った
（ステップＳ１３，ＹＥＳ）場合には、ｍ回測定した電
流値ＩＤＤ（Ｉ（１）〜Ｉ（ｍ））の中から、最大電流
値Ｉmaxと最小電流値Ｉminとを抽出し（ステップＳ１
４）、この抽出した最大電流値Ｉmaxと最小電流値Ｉmin
との差分値ΔＩmaxを算出する（ステップＳ１５）。な
お、この差分値Ｉmaxは、最大電流値Ｉmaxから最小電流
値Ｉminを減算するため、常に正であることから絶対値
演算は行わない。

【００４４】その後、算出した差分値ΔＩmaxが所定の
差分値である規格値ΔＩＤＤを超えたか否かを判断し
（ステップＳ１６）、超えた場合（ステップＳ１６，Ｙ
ＥＳ）には、不要な電流経路が存在するとして、半導体
集積回路１を不良品と判定し（ステップＳ１７）、超え
ない場合（ステップＳ１６，ＮＯ）には、不要な電流経
路が存在しないとして、半導体集積回路１を良品として
判定し（ステップＳ１８）、本処理を終了する。

【００４５】図４は、このような検査手順を複数の半導
体集積回路に対して行った場合における結果内容を示す
図であり、各半導体集積回路（サンプル）Ａ〜Ｄに対す
る電流値ＩＤＤの平均値Ｉａ〜Ｉｄと、そのばらつきΔ
Ｉａ〜ΔＩｄを示している。図４において、サンプルＡ
〜Ｃは、差分値Ｉmax、すなわち、ばらつきΔＩａ〜Δ
Ｉｃが規格値ΔＩＤＤ以下であるため、良品と判定され
るが、サンプルＤは、差分値Ｉmax、すなわち、ばらつ
きΔＩｄが規格値ΔＩＤＤを超えるため、不良品と判定
される。

【００４６】この実施の形態１によれば、半導体集積回
路を構成する一つのトランジスタ等の素子の静止時電源
電流の電流値Ｉｄｄ(tr)と、この電流値Ｉｄｄ(tr)のば
らつきΔＩｄｄ(tr)とが大きい場合だけでなく、さらに
半導体製造プロセスにおけるプロセスパラメータによる
半導体集積回路間のばらつきΔＩｄｄ(IC)が大きくな
り、半導体集積回路間のばらつきΔＩｄｄ(IC)と半導体
製造プロセスによって生じた不具合に基づく電流変化分
ΔＩｄｄ(fault)が同程度、あるいは、ばらつきΔＩｄ
ｄ(IC)が電流変化分ΔＩｄｄ(fault)以上となる場合が
発生し、このばらつきと不要な電流経路による電流変化
分の判別が困難な半導体集積回路であっても、静止時電
源電流の電流値ＩＤＤをもとに半導体製造プロセス上に
おいて生じた不具合を検出することができ、結果として
半導体集積回路が不良品であるか否かを確実に判定する
ことができる。

【００４７】さらに、半導体集積回路間で静止時電源電
流の電流値ＩＤＤ(static)（＝Ｉｄｄ(tr)・Ｎ＋ΔＩｄ
ｄ(tr)・Ｎ）自体が大きくばらつく場合であっても、半
導体製造プロセス上で生じた不具合を確実に検出できる
ことから、極微構造技術を用いたサブミクロンプロセス
の大規模かつ高速高集積されたＣＭＯＳＩＣの品質を格
段に向上させることができるとともに、この不具合の判
別では、静止時電源電流の電流値測定結果を用いるよう
にしているので、テストパターンの追加作成は不要とな
り、結果としてテストプログラムあるいはテストベクタ
の簡略化が可能である。

【００４８】実施の形態２．つぎに、実施の形態２につ
いて説明する。実施の形態１では、ｍ回測定した電流値
ＩＤＤのうちの最大電流値Ｉmaxと最小電流値Ｉminとの
差分値ΔＩmaxと、予め設定された範囲をもつ規定値Δ
ＩＤＤとを比較し、この比較結果をもとに半導体集積回
路が不良品であるか否かを判定するようにしていたが、
この実施の形態２では、ｍ回測定した電流値ＩＤＤのう
ちの連続する電流値ＩＤＤ間の差分値と、予め設定され
た範囲をもつ規定値ΔＩＤＤ２とを比較し、この比較結
果をもとに半導体集積回路が不良品であるか否かを判定
するようにしている。

【００４９】図５は、この発明の実施の形態２である半
導体集積回路の検査方法によって検出される静止時電源
電流のタイミングチャートである。この実施の形態２に
よる半導体集積回路の検査は、図２に示した装置を用い
て行われる。図５において、テストパターン５によって
供給されるクロック、テスト周期の回数、およびｍ回の
測定回数および各測定時点Ｐ（１）〜Ｐ（ｍ）は、すべ
て実施の形態１と同じである。すなわち、静止時電源電
流の電流値ＩＤＤの測定結果は、実施の形態１と全く同
じである。

【００５０】実施の形態２では、この電流値ＩＤＤの測
定結果に対し、連続して測定された二つの電流値間の差
分値ΔＩの絶対値を算出する。たとえば、ｎ番目の電流
値Ｉ（ｎ）とｎ＋１番目の電流値Ｉ（ｎ＋１）との差分
値ΔＩ（ｎ）の絶対値を算出する。すなわち、 ｜ΔＩ（ｎ）｜＝Ｉ（ｎ）−Ｉ（ｎ＋１） を算出する。そして、この差分値ΔＩの絶対値と予め設
定された範囲をもつ規定値ΔＩＤＤ２とを比較し、 ｜ΔＩ｜≦ΔＩＤＤ２ であるならば、被検査対象の半導体集積回路１は良品で
あると判定し、 ｜ΔＩ｜＞ΔＩＤＤ２ であるならば、被検査対象の半導体集積回路は不良品で
あると判定する。なお、実施の形態１と同様に、規格値
ΔＩＤＤ２は、絶対的基準値ではなく、予め設定された
範囲の大きさを示す値である。

【００５１】したがって、図５に示す測定結果では、差
分値ΔＩ（ｎ−１）の絶対値が規定値ΔＩＤＤ２の値を
超えているので、この半導体集積回路は不良品であると
判定する。すなわち、差分値ΔＩの絶対値のうちの一つ
でも、規定値ΔＩＤＤ２の値を超えるものがある場合に
は、不良品として判定される。

【００５２】ここで、図６に示すフローチャートを参照
して、実施の形態２における半導体集積回路の検査手順
について説明する。図６において、まず、テストパター
ン生成部１２からクロック信号を含むテストパターン５
を半導体集積回路１に入力することによって、半導体集
積回路１の内部回路の論理状態の変更設定を行う（ステ
ップＳ２１）。その後、一つのテスト周期内の静止時に
静止時電源電流の電流値ＩＤＤを測定する（ステップＳ
２２）。その後、電流値ＩＤＤの測定をｍ回行ったか否
かを判断し（ステップＳ２３）、ｍ回測定していない場
合（ステップＳ２３，ＮＯ）には、ステップＳ２１に移
行して上述した論理状態の変更処理と静止時電源電流の
電流値測定とを繰り返して行う。

【００５３】一方、電流値ＩＤＤの測定をｍ回行った
（ステップＳ２３，ＹＥＳ）場合には、ｍ回測定した電
流値ＩＤＤ（Ｉ（１）〜Ｉ（ｍ））に対して、連続する
二つの電流値ＩＤＤ間の差分値ΔＩの絶対値を算出する
（ステップＳ２４）。この差分値ΔＩは、差分値ΔＩが
負の値をとる場合があるので必ず、絶対値を演算する。

【００５４】その後、算出した差分値ΔＩの絶対値が所
定の差分値である規格値ΔＩＤＤ２を超えたか否かを判
断し（ステップＳ２５）、超えた場合（ステップＳ２
５，ＹＥＳ）には、不要な電流経路が存在するとして、
半導体集積回路１を不良品と判定し（ステップＳ２
６）、超えない場合（ステップＳ２５，ＮＯ）には、不
要な電流経路が存在しないとして、半導体集積回路１を
良品として判定し（ステップＳ２７）、本処理を終了す
る。

【００５５】この実施の形態２によれば、半導体集積回
路を構成する一つのトランジスタ等の素子の静止時電源
電流の電流値Ｉｄｄ(tr)と、この電流値Ｉｄｄ(tr)のば
らつきΔＩｄｄ(tr)とが大きい場合だけでなく、さらに
半導体製造プロセスにおけるプロセスパラメータによる
半導体集積回路間のばらつきΔＩｄｄ(IC)が大きくな
り、半導体集積回路間のばらつきΔＩｄｄ(IC)と半導体
製造プロセスによって生じた不具合に基づく電流変化分
ΔＩｄｄ(fault)が同程度、あるいは、ばらつきΔＩｄ
ｄ(IC)が電流変化分ΔＩｄｄ(fault)以上となる場合が
発生し、このばらつきと不要な電流経路による電流変化
分の判別が困難な半導体集積回路であっても、静止時電
源電流の電流値ＩＤＤをもとに半導体製造プロセス上に
おいて生じた不具合を検出することができ、結果として
半導体集積回路が不良品であるか否かを確実に判定する
ことができる。

【００５６】さらに、半導体集積回路間で静止時電源電
流の電流値ＩＤＤ(static)（＝Ｉｄｄ(tr)・Ｎ＋ΔＩｄ
ｄ(tr)・Ｎ）自体が大きくばらつく場合であっても、半
導体製造プロセス上で生じた不具合を確実に検出できる
ことから、極微構造技術を用いたサブミクロンプロセス
の大規模かつ高速高集積されたＣＭＯＳＩＣの品質を格
段に向上させることができるとともに、この不具合の判
別では、静止時電源電流の電流値測定結果を用いるよう
にしているので、テストパターンの追加作成は不要とな
り、結果としてテストプログラムあるいはテストベクタ
の簡略化が可能である。

【００５７】実施の形態３．つぎに、実施の形態３につ
いて説明する。実施の形態２では、ｍ回測定した電流値
ＩＤＤのうちの連続する電流値ＩＤＤ間の差分値ΔＩの
絶対値と、予め設定された範囲をもつ規定値ΔＩＤＤ２
とを比較し、この比較結果をもとに半導体集積回路が不
良品であるか否かを判定するようにしていたが、この実
施の形態３では、電流値ＩＤＤの測定とともに、差分値
ΔＩの絶対値を算出し、差分値ΔＩの絶対値が規定値Δ
ＩＤＤ２を超えた時点で、被検査対象の半導体集積回路
が不良品であると判定し、その後の測定および判定処理
を行わないようにしている。

【００５８】この発明の実施の形態３である半導体集積
回路の検査方法を実施する装置は、図２に示した装置を
用いて行われ、実施の形態２と同様に、演算部１３が差
分値ΔＩの絶対値を算出し、判定部１４が差分値ΔＩの
絶対値と規定値ΔＩＤＤ２とを比較し、この比較結果を
もとに半導体集積回路が不良品であるか否かを判定す
る。

【００５９】ここで、図７に示すフローチャートを参照
して、実施の形態３における半導体集積回路の検査手順
について説明する。図７において、まず、テストパター
ン生成部１２からクロック信号を含むテストパターン５
を半導体集積回路１に入力することによって、半導体集
積回路１の内部回路の論理状態の変更設定を行う（ステ
ップＳ３１）。その後、一つのテスト周期内の静止時に
静止時電源電流の電流値ＩＤＤを測定する（ステップＳ
３２）。その後、さらに半導体集積回路１の内部回路の
論理状態の変更設定を行い（ステップＳ３３）、一つの
テスト周期内の静止時において静止時電源電流の電流値
ＩＤＤを測定する（ステップＳ３４）。

【００６０】その後、ステップＳ３２，Ｓ３４で測定し
た各電流値ＩＤＤの差分値ΔＩの絶対値を算出し（ステ
ップＳ３５）、この算出した差分値ΔＩの絶対値が所定
の差分値である規格値ΔＩＤＤ２を超えたか否かを判断
し（ステップＳ３６）、超えた場合（ステップＳ３６，
ＹＥＳ）には、不要な電流経路が存在するとして、半導
体集積回路１を不良品と判定し（ステップＳ３９）、本
処理を終了する。

【００６１】一方、差分値ΔＩの絶対値が規定値ΔＩＤ
Ｄ２の値を超えない（ステップＳ３６，ＮＯ）場合に
は、さらにｍ回の電流値測定が終了したか否かを判断し
（ステップＳ３７）、ｍ回測定していない場合（ステッ
プＳ３７，ＮＯ）には、ステップＳ３３に移行して、さ
らにつぎの論理状態に変更設定し、この論理状態におけ
る電流値ＩＤＤを測定する。そして、前回のステップＳ
３４で測定した電流値ＩＤＤと今回のステップＳ３４で
測定した電流値ＩＤＤの差分値ΔＩの絶対値を算出し、
再度、この差分値ΔＩの絶対値と規定値ΔＩＤＤ２とを
比較し、規定値ΔＩＤＤ２を超えない場合には、上述し
た処理を繰り返す。

【００６２】これに対し、ｍ回測定している場合（ステ
ップＳ３７，ＹＥＳ）には、不要な電流経路が存在しな
いとして、半導体集積回路１を良品として判定し（ステ
ップＳ３８）、本処理を終了する。

【００６３】この実施の形態３によれば、実施の形態２
と同様な作用効果を奏するとともに、電流値ＩＤＤの測
定途中において差分値ΔＩの絶対値が規定値ΔＩＤＤ２
を超えた場合に直ちに測定および判定処理を終了するこ
とができるので、検査時間を短縮することができること
になる。

【００６４】実施の形態４．つぎに、実施の形態４につ
いて説明する。実施の形態１では、ｍ回測定した電流値
ＩＤＤのうちの最大電流値Ｉmaxと最小電流値Ｉminとの
差分値ΔＩmaxと、予め設定された範囲をもつ規定値Δ
ＩＤＤとを比較し、この比較結果をもとに半導体集積回
路が不良品であるか否かを判定するようにしていたが、
この実施の形態４では、ｍ回測定した電流値ＩＤＤの標
準偏差を求め、この標準偏差が規定値を超えるか否かに
よって半導体集積回路が不良品であるか否かを判定する
ようにしている。

【００６５】この実施の形態４による半導体集積回路の
検査は、図２に示した装置を用いて行われ、テストパタ
ーン５によって供給されるクロック、テスト周期の回
数、およびｍ回の測定回数および各測定時点Ｐ（１）〜
Ｐ（ｍ）は、すべて実施の形態１と同じである。すなわ
ち、静止時電源電流の電流値ＩＤＤの測定結果は、実施
の形態１と全く同じである。

【００６６】実施の形態４では、この電流値ＩＤＤ（Ｉ
（１）〜Ｉ（ｍ））の測定結果から、電流値ＩＤＤの標
準偏差σを算出する。すなわち、 σ＝ＳＱＲＴ（１／ｍΣ（Ｉ（ｉ）−Ｉave）² ） を求める。なお、ＳＱＲＴ（ｘ）は、ｘの平方根を示
し、Ｉ（ｉ）は、ｉ番目に測定された電流値を示し、Ｉ
aveは、測定された電流値Ｉ（１）〜Ｉ（ｍ）の平均値
を示す。また、Σは、ｉ＝１〜ｍの加算を示す。この平
均値Ｉaveは、 Ｉave＝１／ｍΣＩ（ｉ） として求められる。判定部１４は、この求められた標準
偏差σと予め設定される標準偏差に対応する規定値σＬ
とを比較し、 σ≦σＬ であるならば、被検査対象の半導体集積回路１は良品で
あると判定し、 σ＞σＬ であるならば、被検査対象の半導体集積回路は不良品で
あると判定する。

【００６７】ここで、図８に示すフローチャートを参照
して、実施の形態４における半導体集積回路の検査手順
について説明する。図８において、まず、テストパター
ン生成部１２からクロック信号を含むテストパターン５
を半導体集積回路１に入力することによって、半導体集
積回路１の内部回路の論理状態の変更設定を行う（ステ
ップＳ４１）。その後、一つのテスト周期内の静止時に
静止時電源電流の電流値ＩＤＤを測定する（ステップＳ
４２）。その後、電流値ＩＤＤの測定をｍ回行ったか否
かを判断し（ステップＳ４３）、ｍ回測定していない場
合（ステップＳ４３，ＮＯ）には、ステップＳ４１に移
行して上述した論理状態の変更処理と静止時電源電流の
電流値測定とを繰り返して行う。

【００６８】一方、電流値ＩＤＤの測定をｍ回行った
（ステップＳ４３，ＹＥＳ）場合には、ｍ回測定した電
流値ＩＤＤ（Ｉ（１）〜Ｉ（ｍ））に対する標準偏差σ
を算出する（ステップＳ４４）。その後、算出した標準
偏差σが規格値σＬを超えたか否かを判断し（ステップ
Ｓ４５）、超えた場合（ステップＳ４５，ＹＥＳ）に
は、不要な電流経路が存在するとして、半導体集積回路
１を不良品と判定し（ステップＳ４６）、超えない場合
（ステップＳ４５，ＮＯ）には、不要な電流経路が存在
しないとして、半導体集積回路１を良品として判定し
（ステップＳ４７）、本処理を終了する。

【００６９】この実施の形態４によれば、半導体集積回
路を構成する一つのトランジスタ等の素子の静止時電源
電流の電流値Ｉｄｄ(tr)と、この電流値Ｉｄｄ(tr)のば
らつきΔＩｄｄ(tr)とが大きい場合だけでなく、さらに
半導体製造プロセスにおけるプロセスパラメータによる
半導体集積回路間のばらつきΔＩｄｄ(IC)が大きくな
り、半導体集積回路間のばらつきΔＩｄｄ(IC)と半導体
製造プロセスによって生じた不具合に基づく電流変化分
ΔＩｄｄ(fault)が同程度、あるいは、ばらつきΔＩｄ
ｄ(IC)が電流変化分ΔＩｄｄ(fault)以上となる場合が
発生し、このばらつきと不要な電流経路による電流変化
分の判別が困難な半導体集積回路であっても、静止時電
源電流の電流値ＩＤＤをもとに半導体製造プロセス上に
おいて生じた不具合を検出することができ、結果として
半導体集積回路が不良品であるか否かを確実に判定する
ことができる。

【００７０】さらに、半導体集積回路間で静止時電源電
流の電流値ＩＤＤ(static)（＝Ｉｄｄ(tr)・Ｎ＋ΔＩｄ
ｄ(tr)・Ｎ）自体が大きくばらつく場合であっても、半
導体製造プロセス上で生じた不具合を確実に検出できる
ことから、極微構造技術を用いたサブミクロンプロセス
の大規模かつ高速高集積されたＣＭＯＳＩＣの品質を格
段に向上させることができるとともに、この不具合の判
別では、静止時電源電流の電流値測定結果を用いるよう
にしているので、テストパターンの追加作成は不要とな
り、結果としてテストプログラムあるいはテストベクタ
の簡略化が可能である。

【００７１】実施の形態５．つぎに、実施の形態５につ
いて説明する。実施の形態１では、ｍ回測定した電流値
ＩＤＤのうちの最大電流値Ｉmaxと最小電流値Ｉminとの
差分値ΔＩmaxと、予め設定された範囲をもつ規定値Δ
ＩＤＤとを比較し、この比較結果をもとに半導体集積回
路が不良品であるか否かを判定するようにしていたが、
この実施の形態５では、ｍ回測定した電流値ＩＤＤの中
から最大電流値と最小電流値と電流値ＩＤＤの平均値と
を求め、最大電流値と平均値との第一差分値と、最大電
流値と平均値との第二差分値とをさらに求め、この第一
差分値と第二差分値とがともに予め設定された規定値以
下である場合に半導体集積回路が良品であると判定する
ようにしている。

【００７２】この実施の形態５による半導体集積回路の
検査は、図２に示した装置を用いて行われ、テストパタ
ーン５によって供給されるクロック、テスト周期の回
数、およびｍ回の測定回数および各測定時点Ｐ（１）〜
Ｐ（ｍ）は、すべて実施の形態１と同じである。すなわ
ち、静止時電源電流の電流値ＩＤＤの測定結果は、実施
の形態１と全く同じである。

【００７３】実施の形態５では、この電流値ＩＤＤ（Ｉ
（１）〜Ｉ（ｍ））の測定結果から、最大電流値Ｉmax
と最小電流値Ｉminとを抽出するとともに、各電流値Ｉ
（１）〜Ｉ（ｍ）をもとに平均値Ｉaveを算出する。図
１に示した測定結果では、最大電流値Ｉmaxは、電流値
Ｉ（ｎ）であり、最小電流値Ｉminは、電流値Ｉ（ｍ−
１）である。さらに最大電流値Ｉmaxと平均値Ｉaveとの
差分である第一差分値ΔＩＤＤmaxの絶対値を ｜ΔＩＤＤmax｜＝Ｉmax−Ｉave として求め、最小電流値Ｉminと平均値Ｉaveとの差分で
ある第二差分値ΔＩＤＤminの絶対値を ｜ΔＩＤＤmin｜＝Ｉmin−Ｉave として求める。そして、判定部１４は、この求められた
第一差分値ΔＩＤＤmaxの絶対値と規定値ＩＤＤＬおよ
び第二差分値ΔＩＤＤminの絶対値と規定値ＩＤＤＬを
比較し、｜ΔＩＤＤmax｜≦ＩＤＤＬ かつ ｜ΔＩＤ
Ｄmin｜≦ＩＤＤＬであるならば、被検査対象の半導体
集積回路１は良品であると判定し、｜ΔＩＤＤmax｜＞
ＩＤＤＬ または ｜ΔＩＤＤmin｜＞ＩＤＤＬである
ならば、被検査対象の半導体集積回路は不良品であると
判定する。なお、規定値ＩＤＤＬは、予め設定された範
囲をもつ値である。

【００７４】ここで、図９に示すフローチャートを参照
して、実施の形態５における半導体集積回路の検査手順
について説明する。図９において、まず、テストパター
ン生成部１２からクロック信号を含むテストパターン５
を半導体集積回路１に入力することによって、半導体集
積回路１の内部回路の論理状態の変更設定を行う（ステ
ップＳ５１）。その後、一つのテスト周期内の静止時に
静止時電源電流の電流値ＩＤＤを測定する（ステップＳ
５２）。その後、電流値ＩＤＤの測定をｍ回行ったか否
かを判断し（ステップＳ５３）、ｍ回測定していない場
合（ステップＳ５３，ＮＯ）には、ステップＳ５１に移
行して上述した論理状態の変更処理と静止時電源電流の
電流値測定とを繰り返して行う。

【００７５】一方、電流値ＩＤＤの測定をｍ回行った
（ステップＳ５３，ＹＥＳ）場合には、ｍ回測定した電
流値ＩＤＤ（Ｉ（１）〜Ｉ（ｍ））の中から最大電流値
Ｉmaxと最小電流値Ｉminとを抽出する（ステップ５
４）。さらに、電流値ＩＤＤの平均値Ｉaveを算出する
（ステップＳ５５）。さらに、最大電流値ＩＤＤmaxと
平均値Ｉaveとの差分である第一差分値ΔＩＤＤmaxと、
最小電流値ＩＤＤminと平均値Ｉaveとの差分である第二
差分値ΔＩＤＤminとを算出する（ステップＳ５６）。

【００７６】その後、算出した第一差分値ΔＩＤＤmax
の絶対値または第二差分値ΔＩＤＤminの絶対値が規定
値ＩＤＤＬを超えたか否かを判断し（ステップＳ５
７）、いずれかが規定値を超えた場合（ステップＳ５
７，ＹＥＳ）には、不要な電流経路が存在するとして、
半導体集積回路１を不良品と判定し（ステップＳ５
８）、いずれも超えない場合（ステップＳ５８，ＮＯ）
には、不要な電流経路が存在しないとして、半導体集積
回路１を良品として判定し（ステップＳ５９）、本処理
を終了する。

【００７７】この実施の形態５によれば、実施の形態１
と同様な作用効果を奏するとともに、複数回の電流値測
定による半導体集積回路１自体の温度上昇等によって測
定結果が時間の経過とともに傾斜（偏向）が生じるよう
な場合であっても、この傾斜による影響を軽減し、精度
の高い判定処理を行うことができる。

【００７８】実施の形態６．つぎに、実施の形態６につ
いて説明する。実施の形態１では、ｍ回測定した電流値
ＩＤＤのうちの最大電流値Ｉmaxと最小電流値Ｉminとの
差分値ΔＩmaxと、予め設定された範囲をもつ規定値Δ
ＩＤＤとを比較し、この比較結果をもとに半導体集積回
路が不良品であるか否かを判定するようにしていたが、
この実施の形態６では、電流値ＩＤＤのｍ回測定後に再
度初回の電流値ＩＤＤを再測定し、最初に測定した電流
値と再測定した電流値とが変化しない場合に実施の形態
１と同様な判定処理を行うようにしている。

【００７９】この実施の形態６による半導体集積回路の
検査は、図２に示した装置を用いて行われ、テストパタ
ーン５によって供給されるクロック、テスト周期の回
数、およびｍ回の測定回数および各測定時点Ｐ（１）〜
Ｐ（ｍ）は、すべて実施の形態１と同じである。すなわ
ち、静止時電源電流の電流値ＩＤＤの測定結果は、実施
の形態１と全く同じである。

【００８０】ここで、図１０に示すフローチャートを参
照して、実施の形態６における半導体集積回路の検査手
順について説明する。図６において、まず、テストパタ
ーン生成部１２からクロック信号を含むテストパターン
５を半導体集積回路１に入力することによって、半導体
集積回路１の内部回路の論理状態の変更設定を行う（ス
テップＳ６１）。その後、一つのテスト周期内の静止時
に静止時電源電流の電流値ＩＤＤを測定する（ステップ
Ｓ６２）。その後、電流値ＩＤＤの測定をｍ回行ったか
否かを判断し（ステップＳ６３）、ｍ回測定していない
場合（ステップＳ６３，ＮＯ）には、ステップＳ６１に
移行して上述した論理状態の変更処理と静止時電源電流
の電流値測定とを繰り返して行う。

【００８１】一方、電流値ＩＤＤの測定をｍ回行った
（ステップＳ６３，ＹＥＳ）場合、さらに初回を同じ論
理状態に設定変更し（ステップＳ６４）、この論理状態
が解除された後の静止時における電流値Ｉ（Ｒ）を再測
定する（ステップＳ６５）。その後、初回の電流値Ｉ
（１）と再測定された電流値Ｉ（Ｒ）との誤差が所定範
囲内であるか否かを判断し（ステップＳ６６）、誤差が
所定範囲内でない場合には、測定結果に信頼性がないた
め、再検査として判定し（ステップＳ７０）、本処理を
終了する。

【００８２】これに対し、誤差が所定範囲内である場合
には、測定結果が信頼できるため、実施の形態１におけ
るステップＳ１４〜Ｓ１８と同じ処理を行う。すなわ
ち、ｍ回測定した電流値ＩＤＤ（Ｉ（１）〜Ｉ（ｍ））
の中から、最大電流値Ｉmaxと最小電流値Ｉminとを抽出
し（ステップＳ６７）、この抽出した最大電流値Ｉmax
と最小電流値Ｉminとの差分値ΔＩmaxを算出する（ステ
ップＳ６８）。

【００８３】その後、算出した差分値ΔＩmaxが所定の
差分値である規格値ΔＩＤＤを超えたか否かを判断し
（ステップＳ６９）、超えた場合（ステップＳ６９，Ｙ
ＥＳ）には、不要な電流経路が存在するとして、半導体
集積回路１を不良品と判定し（ステップＳ７１）、超え
ない場合（ステップＳ６９，ＮＯ）には、不要な電流経
路が存在しないとして、半導体集積回路１を良品として
判定し（ステップＳ７２）、本処理を終了する。

【００８４】この実施の形態６によれば、実施の形態１
と同様な作用効果を奏するとともに、室温やＩＣテスタ
の異常等の検査環境の変化、あるいは半導体集積回路の
動作時におけるリーク電流等による半導体集積回路自体
の温度上昇が存在すると、半導体集積回路内の不要な電
流経路の有無にかかわらず、静止時電源電流の電流値が
変化してしまう場合があり、このような状態における誤
った判定を未然に防止することができる。

【００８５】また、この誤った判定を防止できることに
よって、正確な静止時電源電流の測定結果を得ることが
でき、サブミクロンプロセスにおける大規模ＣＭＯＳＩ
Ｃの品質向上と誤判定による歩留まり低下を防止するこ
とができる。なお、この実施の形態６では、実施の形態
１に対応させた実施の形態として説明したが、実施の形
態２〜５に対しても同様に適用することができる。

【００８６】

【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、測定工程によって、被測定対象の半導体集積回路を
構成する複数素子の論理状態を順次変更設定しつつ、前
記複数素子を介した静止時電源電流の電流値を複数回測
定し、抽出工程によって、前記測定工程によって測定さ
れた複数の電流値から最大値と最小値とを抽出し、判定
工程によって、前記最大値と前記最小値との差分値が所
定の差分値を越えた場合に前記半導体集積回路は不良品
であると判定するようにしているので、半導体集積回路
を構成する一つの素子の静止時電源電流の電流値と、こ
の電流値のばらつきとが大きい場合だけでなく、さらに
半導体製造プロセスにおけるプロセスパラメータによる
複数の半導体集積回路間のばらつきが大きくなり、複数
の半導体集積回路間のばらつきと半導体製造プロセスに
よって生じた不具合に基づく電流変化分が同程度、ある
いは、半導体集積装置間のばらつきが電流変化分以上と
なる場合が発生し、このばらつきと不要な電流経路によ
る電流変化分の判別が困難な半導体集積回路であって
も、静止時電源電流の電流値をもとに半導体製造プロセ
ス上において生じた不具合を検出することができ、結果
として半導体集積回路が不良品であるか否かを確実に判
定することができるという効果を奏する。

【００８７】また、この発明によれば、複数の半導体集
積回路間で静止時電源電流の電流値自体が大きくばらつ
く場合であっても、半導体製造プロセス上で生じた不具
合を確実に検出できることから、サブミクロンプロセス
の大規模かつ高速高集積されたＣＭＯＳＩＣ等の半導体
集積回路の品質を格段に向上させることができるととも
に、この不具合の判別では、静止時電源電流の電流値測
定結果を用いるようにしているので、テストパターンの
追加作成は不要となり、結果としてテストプログラムあ
るいはテストベクタの簡略化が促進されるという効果を
奏する。

【００８８】つぎの発明によれば、測定工程によって、
被測定対象の半導体集積回路を構成する複数素子の論理
状態を変更設定しつつ、前記複数素子を介した静止時電
源電流の電流値を複数回測定し、算出工程によって、前
記測定工程によって測定された複数の電流値に対して連
続測定した電流値間の差分値を算出し、判定工程によっ
て、前記算出工程によって算出された差分値のうちの少
なくとも一つの差分値が所定の差分値を越えた場合に前
記半導体集積回路は不良品であると判定するようにして
いるので、半導体集積回路を構成する一つの素子の静止
時電源電流の電流値と、この電流値のばらつきとが大き
い場合だけでなく、さらに半導体製造プロセスにおける
プロセスパラメータによる複数の半導体集積回路間のば
らつきが大きくなり、複数の半導体集積回路間のばらつ
きと半導体製造プロセスによって生じた不具合に基づく
電流変化分が同程度、あるいは、半導体集積装置間のば
らつきが電流変化分以上となる場合が発生し、このばら
つきと不要な電流経路による電流変化分の判別が困難な
半導体集積回路であっても、静止時電源電流の電流値を
もとに半導体製造プロセス上において生じた不具合を検
出することができ、結果として半導体集積回路が不良品
であるか否かを確実に判定することができるという効果
を奏する。

【００８９】また、この発明によれば、複数の半導体集
積回路間で静止時電源電流の電流値自体が大きくばらつ
く場合であっても、半導体製造プロセス上で生じた不具
合を確実に検出できることから、サブミクロンプロセス
の大規模かつ高速高集積されたＣＭＯＳＩＣ等の半導体
集積回路の品質を格段に向上させることができるととも
に、この不具合の判別では、静止時電源電流の電流値測
定結果を用いるようにしているので、テストパターンの
追加作成は不要となり、結果としてテストプログラムあ
るいはテストベクタの簡略化が促進されるという効果を
奏する。

【００９０】つぎの発明によれば、第一測定工程によっ
て、被測定対象の半導体集積回路を構成する複数素子の
論理状態を変更設定して前記複数素子を介した静止時電
源電流の電流値を測定し、第二測定工程によって、前記
半導体集積回路を構成する複数素子の論理状態を変更設
定して前記複数素子を介した静止時電源電流の電流値を
測定し、算出工程によって、前記第一測定工程によって
測定された電流値と前記第二測定工程によって測定され
た電流値との間の差分値を算出し、判定工程によって、
前記算出工程によって算出された差分値が所定の差分値
を越えた場合に前記半導体集積回路は不良品であると判
定し、前記判定工程によって不良品でないと判定された
場合、前記第二測定工程によって測定された電流値を前
記第一測定工程によって測定された電流値に置き換え前
記第二測定工程、前記算出工程および前記判定工程を所
定回数繰り返すようにしているので、半導体集積回路を
構成する一つの素子の静止時電源電流の電流値と、この
電流値のばらつきとが大きい場合だけでなく、さらに半
導体製造プロセスにおけるプロセスパラメータによる複
数の半導体集積回路間のばらつきが大きくなり、複数の
半導体集積回路間のばらつきと半導体製造プロセスによ
って生じた不具合に基づく電流変化分が同程度、あるい
は、半導体集積装置間のばらつきが電流変化分以上とな
る場合が発生し、このばらつきと不要な電流経路による
電流変化分の判別が困難な半導体集積回路であっても、
静止時電源電流の電流値をもとに半導体製造プロセス上
において生じた不具合を検出することができ、結果とし
て半導体集積回路が不良品であるか否かを確実に判定す
ることができるという効果を奏する。

【００９１】また、この発明によれば、複数の半導体集
積回路間で静止時電源電流の電流値自体が大きくばらつ
く場合であっても、半導体製造プロセス上で生じた不具
合を確実に検出できることから、サブミクロンプロセス
の大規模かつ高速高集積されたＣＭＯＳＩＣ等の半導体
集積回路の品質を格段に向上させることができるととも
に、この不具合の判別では、静止時電源電流の電流値測
定結果を用いるようにしているので、テストパターンの
追加作成は不要となり、結果としてテストプログラムあ
るいはテストベクタの簡略化が促進されるという効果を
奏する。

【００９２】さらに、この発明によれば、静止時電源電
流の電流値測定途中において差分値が所定の差分値を超
えた場合に直ちに測定および判定処理を終了するように
しているので、半導体集積回路の検査時間を短縮するこ
とができるという効果を奏する。

【００９３】つぎの発明によれば、測定工程によって、
被測定対象の半導体集積回路を構成する複数素子の論理
状態を順次変更設定しつつ、前記複数素子を介した静止
時電源電流の電流値を複数回測定し、算出工程によっ
て、前記測定工程によって測定された複数の電流値の標
準偏差を算出し、判定工程によって、前記標準偏差が所
定の標準偏差を越えた場合に前記半導体集積回路は不良
品であると判定するようにしているので、半導体集積回
路を構成する一つの素子の静止時電源電流の電流値と、
この電流値のばらつきとが大きい場合だけでなく、さら
に半導体製造プロセスにおけるプロセスパラメータによ
る複数の半導体集積回路間のばらつきが大きくなり、複
数の半導体集積回路間のばらつきと半導体製造プロセス
によって生じた不具合に基づく電流変化分が同程度、あ
るいは、半導体集積装置間のばらつきが電流変化分以上
となる場合が発生し、このばらつきと不要な電流経路に
よる電流変化分の判別が困難な半導体集積回路であって
も、静止時電源電流の電流値をもとに半導体製造プロセ
ス上において生じた不具合を検出することができ、結果
として半導体集積回路が不良品であるか否かを確実に判
定することができるという効果を奏する。

【００９４】また、この発明によれば、複数の半導体集
積回路間で静止時電源電流の電流値自体が大きくばらつ
く場合であっても、半導体製造プロセス上で生じた不具
合を確実に検出できることから、サブミクロンプロセス
の大規模かつ高速高集積されたＣＭＯＳＩＣ等の半導体
集積回路の品質を格段に向上させることができるととも
に、この不具合の判別では、静止時電源電流の電流値測
定結果を用いるようにしているので、テストパターンの
追加作成は不要となり、結果としてテストプログラムあ
るいはテストベクタの簡略化が促進されるという効果を
奏する。

【００９５】つぎの発明によれば、測定工程によって、
被測定対象の半導体集積回路を構成する複数素子の論理
状態を順次変更設定しつつ、前記複数素子を介した静止
時電源電流の電流値を複数回測定し、抽出工程によっ
て、前記測定工程によって測定された複数の電流値から
最大値と最小値とを抽出し、算出工程によって、前記測
定工程によって測定された複数の電流値の平均値を算出
し、判定工程によって、前記平均値と前記最大値との差
分値あるいは前記平均値と前記最小値との差分値のいず
れか一方が所定の差分値を越えた場合に前記半導体集積
回路は不良品であると判定するようにしているので、半
導体集積回路を構成する一つの素子の静止時電源電流の
電流値と、この電流値のばらつきとが大きい場合だけで
なく、さらに半導体製造プロセスにおけるプロセスパラ
メータによる複数の半導体集積回路間のばらつきが大き
くなり、複数の半導体集積回路間のばらつきと半導体製
造プロセスによって生じた不具合に基づく電流変化分が
同程度、あるいは、半導体集積装置間のばらつきが電流
変化分以上となる場合が発生し、このばらつきと不要な
電流経路による電流変化分の判別が困難な半導体集積回
路であっても、静止時電源電流の電流値をもとに半導体
製造プロセス上において生じた不具合を検出することが
でき、結果として半導体集積回路が不良品であるか否か
を確実に判定することができるという効果を奏する。

【００９６】また、この発明によれば、複数の半導体集
積回路間で静止時電源電流の電流値自体が大きくばらつ
く場合であっても、半導体製造プロセス上で生じた不具
合を確実に検出できることから、サブミクロンプロセス
の大規模かつ高速高集積されたＣＭＯＳＩＣ等の半導体
集積回路の品質を格段に向上させることができるととも
に、この不具合の判別では、静止時電源電流の電流値測
定結果を用いるようにしているので、テストパターンの
追加作成は不要となり、結果としてテストプログラムあ
るいはテストベクタの簡略化が促進されるという効果を
奏する。

【００９７】さらに、この発明によれば、複数回の電流
値測定による半導体集積回路自体の温度上昇等によって
測定結果が時間の経過とともに傾斜（偏向）するような
場合であっても、この傾斜による影響を軽減し、精度の
高い判定を行うことができるという効果を奏する。

【００９８】つぎの発明によれば、再測定工程によっ
て、前記測定工程あるいは前記第一測定工程によって設
定された初回の論理状態に再設定し、該再設定された初
回の論理状態における静止時電源電流の電流値を再測定
し、最終判定工程によって、前記初回の論理状態におけ
る電流値と前記再測定工程によって測定された電流値と
の差分が所定値以下である場合に前記半導体集積回路は
良品であると判定するようにしているので、室温やＩＣ
テスタの異常等の検査環境の変化、あるいは半導体集積
回路の動作時におけるリーク電流等による半導体集積回
路自体の温度上昇が存在すると、半導体集積回路内の不
要な電流経路の有無にかかわらず、静止時電源電流の電
流値が変化してしまう場合があり、このような状態にお
ける誤った判定を未然に防止することができるという効
果を奏する。

【００９９】また、この誤った判定を防止できることに
よって、正確な静止時電源電流の測定結果を得ることが
でき、サブミクロンプロセスにおける大規模ＣＭＯＳＩ
Ｃ等の半導体集積回路の品質向上と誤判定による歩留ま
り低下を防止することができるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明の実施の形態１である半導体集積回
路の検査方法によって検出される静止時電源電流を示す
タイミングチャートである。

【図２】 この発明の実施の形態１である半導体集積回
路の検査方法を実施する装置構成を示す図である。

【図３】 この発明の実施の形態１である半導体集積回
路の検査方法による検査処理手順を示すフローチャート
である。

【図４】 この発明の実施の形態１である半導体集積回
路の検査方法を複数の半導体集積回路に適用した場合の
結果を示す図である。

【図５】 この発明の実施の形態２である半導体集積回
路の検査方法によって検出される静止時電源電流を示す
タイミングチャートである。

【図６】 この発明の実施の形態２である半導体集積回
路の検査方法による検査処理手順を示すフローチャート
である。

【図７】 この発明の実施の形態３である半導体集積回
路の検査方法による検査処理手順を示すフローチャート
である。

【図８】 この発明の実施の形態４である半導体集積回
路の検査方法による検査処理手順を示すフローチャート
である。

【図９】 この発明の実施の形態５である半導体集積回
路の検査方法による検査処理手順を示すフローチャート
である。

【図１０】 この発明の実施の形態６である半導体集積
回路の検査方法による検査処理手順を示すフローチャー
トである。

【図１１】 半導体集積回路の検査方法を実施する装置
構成の一例を示す図である。

【図１２】 半導体集積回路の内部回路状態および不要
な電流経路の具体例を示す図である。

【図１３】 テストパターンのクロックとテスト周期と
電源電流との関係を示す図である。

【図１４】 従来の半導体集積回路の検査方法によって
検出される静止時電源電流を示すタイミングチャートで
ある。

【図１５】 従来における半導体集積回路の検査方法に
よる検査結果の一例を示す図である。

【符号の説明】

１ 半導体集積回路、２ 電流測定器、３ 電源、４
接地、５ テストパターン、１０ 電源電流、１１ Ｉ
Ｃ評価装置、１２ テストパターン生成部、１３ 演算
部、１４ 判定部、ＩＤＤ 電源電流値、ΔＩＤＤ 規
格値、ΔＩmax差分値。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2G003 AA07 AB02 AE01 AF01 AF06 AH01 2G032 AA01 AC03 AD01 AE08 AE12 AE14 AG07 4M106 AA04 BA14 CA04 CA70 DG23 DJ14 DJ20

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被測定対象の半導体集積回路を構成する
   複数素子の論理状態を順次変更設定しつつ、前記複数素
   子を介した静止時電源電流の電流値を複数回測定する測
   定工程と、 前記測定工程によって測定された複数の電流値から最大
   値と最小値とを抽出する抽出工程と、 前記最大値と前記最小値との差分値が所定の差分値を越
   えた場合に前記半導体集積回路は不良品であると判定す
   る判定工程と、 を含むことを特徴とする半導体集積回路の検査方法。
2. 【請求項２】 被測定対象の半導体集積回路を構成する
   複数素子の論理状態を変更設定しつつ、前記複数素子を
   介した静止時電源電流の電流値を複数回測定する測定工
   程と、 前記測定工程によって測定された複数の電流値に対して
   連続測定した電流値間の差分値を算出する算出工程と、 前記算出工程によって算出された差分値のうちの少なく
   とも一つの差分値が所定の差分値を越えた場合に前記半
   導体集積回路は不良品であると判定する判定工程と、 を含むことを特徴とする半導体集積回路の検査方法。
3. 【請求項３】 被測定対象の半導体集積回路を構成する
   複数素子の論理状態を変更設定して前記複数素子を介し
   た静止時電源電流の電流値を測定する第一測定工程と、 前記半導体集積回路を構成する複数素子の論理状態を変
   更設定して前記複数素子を介した静止時電源電流の電流
   値を測定する第二測定工程と、 前記第一測定工程によって測定された電流値と前記第二
   測定工程によって測定された電流値との間の差分値を算
   出する算出工程と、 前記算出工程によって算出された差分値が所定の差分値
   を越えた場合に前記半導体集積回路は不良品であると判
   定する判定工程と、 前記判定工程によって不良品でないと判定された場合、
   前記第二測定工程によって測定された電流値を前記第一
   測定工程によって測定された電流値に置き換え前記第二
   測定工程、前記算出工程および前記判定工程を所定回数
   繰り返す繰り返し工程と、 を含むことを特徴とする半導体集積回路の検査方法。
4. 【請求項４】 被測定対象の半導体集積回路を構成する
   複数素子の論理状態を順次変更設定しつつ、前記複数素
   子を介した静止時電源電流の電流値を複数回測定する測
   定工程と、 前記測定工程によって測定された複数の電流値の標準偏
   差を算出する算出工程と、 前記標準偏差が所定の標準偏差を越えた場合に前記半導
   体集積回路は不良品であると判定する判定工程と、 を含むことを特徴とする半導体集積回路の検査方法。
5. 【請求項５】 被測定対象の半導体集積回路を構成する
   複数素子の論理状態を順次変更設定しつつ、前記複数素
   子を介した静止時電源電流の電流値を複数回測定する測
   定工程と、 前記測定工程によって測定された複数の電流値から最大
   値と最小値とを抽出する抽出工程と、 前記測定工程によって測定された複数の電流値の平均値
   を算出する算出工程と、 前記平均値と前記最大値との差分値あるいは前記平均値
   と前記最小値との差分値のいずれか一方が所定の差分値
   を越えた場合に前記半導体集積回路は不良品であると判
   定する判定工程と、 を含むことを特徴とする半導体集積回路の検査方法。
6. 【請求項６】 前記測定工程あるいは前記第一測定工程
   によって設定された初回の論理状態に再設定し、該再設
   定された初回の論理状態における静止時電源電流の電流
   値を再測定する再測定工程と、 前記初回の論理状態における電流値と前記再測定工程に
   よって測定された電流値との差分が所定値以下である場
   合に前記半導体集積回路は良品であると判定する最終判
   定工程と、 をさらに含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれか
   一つに記載の半導体集積回路の検査方法。