JP2001011374A - 膜形成用組成物、膜の形成方法および低密度膜 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 機械特性、誘電率特性等に優れた膜形成用組
成物、該組成物を硬化して得られる膜を得る。 【構成】 （Ａ）下記一般式（１）で表される化合物お
よび下記一般式（２）で表される化合物を含む化合物の
加水分解物およびその部分縮合物またはいずれか一方 Ｒ¹ _nＳｉ（ＯＲ²）_4-n （１） Ｒｆ_mＳｉ(ＯＲ³)_4-m （２） （Ｒ¹ 、Ｒ²およびＲ³は、同一でも異なっていても良
く、それぞれ１価の有機基を示し、Ｒｆはフッ素原子を
含有する１価の有機基、ｎは０〜２、ｍは１〜２の整数
を表す。）ならびに（Ｂ）酸触媒を含むことを特徴とす
る膜形成用組成物。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、膜形成用組成物に
関し、さらに詳しくは、機械特性、誘電率特性等に優れ
た膜形成用組成物、該組成物を硬化して得られる膜に関
する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体素子等における層間絶縁膜
として、ＣＶＤ法等の真空プロセスで以て形成されたシ
リカ（ＳｉＯ₂ ）膜が多用されている。そして、近年、
より均一な層間絶縁膜を形成することを目的として、Ｓ
ＯＧ（Ｓｐｉｎ ｏｎ Ｇｌａｓｓ）膜と呼ばれるテト
ラアルコキシランの加水分解生成物を主成分とする塗布
型の絶縁膜も使用されるようになってきた。また半導体
素子等の高集積化に伴い、有機ＳＯＧと呼ばれるオルガ
ノポリシロキサンを主成分とする低誘電率の層間絶縁膜
が開発されている。しかしながら、半導体素子等のさら
なる高集積化に伴い、より優れた導体間の電気絶縁性が
要求されており、したがって、より低誘電率の層間絶縁
膜材料が求められるようになってきた。

【０００３】そこで、特開平６−１８１２０１号公報に
は、層間絶縁膜材料として、より低誘電率の絶縁膜形成
用塗布型組成物が開示されている。かかる塗布型組成物
は、吸水性が低く、耐クラック性に優れた半導体装置の
絶縁膜を提供することを目的としており、その構成は、
チタン、ジルコニウム、ニオブおよびタンタルから選ば
れる少なくとも１種の元素を含む有機金属化合物と、分
子内にアルコキシ基を少なくとも１個有する有機ケイ素
化合物とを縮重合させてなる、数平均分子量が５００以
上のオリゴマ−を主成分とする絶縁膜形成用塗布型組成
物である。しかしながら、従来の無機系層間絶縁膜材料
の誘電率は、３．０以上であり、高集積化には不十分で
あった。

【０００４】本発明は、誘電率特性を改善し、機械特性
等のバランスにも優れた層間絶縁膜用材料を提供するこ
とを目的とする。以下、本発明を詳細に説明する。

【０００５】本発明は、下記一般式（１）で表される化
合物（以下「化合物（１）」という）および下記一般式
（２）で表される化合物（以下「化合物（２）」とい
う）を含む化合物の加水分解物およびその部分縮合物ま
たはいずれか一方 Ｒ¹ _nＳｉ（ＯＲ²）_4-n （１） Ｒｆ_mＳｉ(ＯＲ³)_4-m （２） （Ｒ¹ 、Ｒ²およびＲ³は、同一でも異なっていても良
く、それぞれ１価の有機基を示し、Ｒｆはフッ素原子を
含有する１価の有機基、ｎは０〜２、ｍは１〜２の整数
を表す。）ならびに（Ｂ）酸触媒を含む組成物、さらに
（Ｃ）前記（Ａ）成分に相溶または分散し、沸点または
分解温度が２５０〜４５０℃である化合物を含むことを
特徴とする膜形成用組成物。該膜形成用組成物、該組成
物を基板に塗布し加熱することを特徴とする膜の製造方
法、ならびに該製造方法により得られる低密度膜を提供
するものである。

【０００６】（Ａ）成分 上記一般式（１）および一般式（２）において１価の有
機基としては、アルキル基、アリール基、アリル基、グ
リシジル基などを挙げることができる。ここで、アルキ
ル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチ
ル基などが挙げられ、好ましくは炭素数１〜５であり、
これらのアルキル基は鎖状でも、分岐していてもよく、
さらに水素原子がフッ素原子などに置換されていてもよ
い。一般式（１）においてアリール基としてはフェニル
基、ナフチル基などを挙げることができる。一般式
（１）で表される化合物の具体例としては、上記一般式
（１）におけるｎ=０の化合物としては、テトラメトキ
シシラン、テトラエトキシシラン、テトラ−ｎ−プロポ
キシシラン、テトラ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、テト
ラ−ｎ−ブトキシラン、テトラ−ｓｅｃ−ブトキシシラ
ン、テトラ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、テトラフェノ
キシシランなどを挙げることができる。上記一般式
（１）におけるn=１の化合物の具体例としては、メチル
トリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチ
ルトリ−ｎ−プロポキシシラン、メチルトリ−ｉｓｏ−
プロポキシシラン、メチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、
メチルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、メチルトリ−ｔ
ｅｒｔ−ブトキシシラン、メチルトリフェノキシシラ
ン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシ
ラン、エチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、エチルトリ
−ｉｓｏ−プロポキシシラン、エチルトリ−ｎ−ブトキ
シシラン、エチルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、エチ
ルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、エチルトリフェノ
キシシラン、ｎ−プロピルトリメトキシシラン、ｎ−プ
ロピルトリエトキシシラン、ｎ−プロピルトリ−ｎ−プ
ロポキシシラン、ｎ−プロピルトリ−ｉｓｏ−プロポキ
シシラン、ｎ−プロピルトリ−ｎ−ブトキシシラン、ｎ
−プロピルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ｎ−プロピ
ルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ｎ−プロピルトリ
フェノキシシラン、ｉ−プロピルトリメトキシシラン、
ｉ−プロピルトリエトキシシラン、ｉ−プロピルトリ−
ｎ−プロポキシシラン、ｉ−プロピルトリ−ｉｓｏ−プ
ロポキシシラン、ｉ−プロピルトリ−ｎ−ブトキシシラ
ン、ｉ−プロピルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ｉ−
プロピルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ｉ−プロピ
ルトリフェノキシシラン、ｎ−ブチルトリメトキシシラ
ン、ｎ−ブチルトリエトキシシラン、ｎ−ブチルトリ−
ｎ−プロポキシシラン、ｎ−ブチルトリ−ｉｓｏ−プロ
ポキシシラン、ｎ−ブチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、
ｎ−ブチルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ｎ−ブチル
トリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ｎ−ブチルトリフェ
ノキシシラン、ｓｅｃ−ブチルトリメトキシシラン、ｓ
ｅｃ−ブチル−ｉ−トリエトキシシラン、ｓｅｃ−ブチ
ル−トリ−ｎ−プロポキシシラン、ｓｅｃ−ブチル−ト
リ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ｓｅｃ−ブチル−トリ
−ｎ−ブトキシシラン、ｓｅｃ−ブチル−トリ−ｓｅｃ
−ブトキシシラン、ｓｅｃ−ブチル−トリ−ｔｅｒｔ−
ブトキシシラン、ｓｅｃ−ブチル−トリフェノキシシラ
ン、ｔ−ブチルトリメトキシシラン、ｔ−ブチルトリエ
トキシシラン、ｔ−ブチルトリーｎ−プロポキシシラ
ン、ｔ−ブチルトリーｉｓｏ−プロポキシシラン、ｔ−
ブチルトリーｎ−ブトキシシラン、ｔ−ブチルトリーｓ
ｅｃ−ブトキシシラン、ｔ−ブチルトリ−ｔｅｒｔ−ブ
トキシシラン、ｔ−ブチルトリフェノキシシラン、フェ
ニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラ
ン、フェニルトリ−ｎ−プロポキシシラン、フェニルト
リ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、フェニルトリ−ｎ−ブ
トキシシラン、フェニルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラ
ン、フェニルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、フェニ
ルトリフェノキシシランなどを、上記一般式（１）にお
けるn=２の化合物の具体例としては、ジメチルジメトキ
シシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチル−ジ−
ｎ−プロポキシシラン、ジメチル−ジ−ｉｓｏ−プロポ
キシシラン、ジメチル−ジ−ｎ−ブトキシシラン、ジメ
チル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジメチル−ジ−ｔ
ｅｒｔ−ブトキシシラン、ジメチルジフェノキシシラ
ン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシ
ラン、ジエチル−ジ−ｎ−プロポキシシラン、ジエチル
−ジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジエチル−ジ−ｎ−
ブトキシシラン、ジエチル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラ
ン、ジエチル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジエチ
ルジフェノキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジメトキシシ
ラン、ジ−ｎ−プロピルジエトキシシラン、ジ−ｎ−プ
ロピル−ジ−ｎ−プロポキシシラン、ジ−ｎ−プロピル
−ジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジ−ｎ−プロピル−
ジ−ｎ−ブトキシシラン、ジ−ｎ−プロピル−ジ−ｓｅ
ｃ−ブトキシシラン、ジ−ｎ−プロピル−ジ−ｔｅｒｔ
−ブトキシシラン、ジ−ｎ−プロピル−ジ−フェノキシ
シラン、ジ−ｉｓｏ−プロピルジメトキシシラン、ジ−
ｉｓｏ−プロピルジエトキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロ
ピル−ジ−ｎ−プロポキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピ
ル−ジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロ
ピル−ジ−ｎ−ブトキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピル
−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピル
−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピ
ル−ジ−フェノキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジメトキシ
シラン、ジ−ｎ−ブチルジエトキシシラン、ジ−ｎ−ブ
チル−ジ−ｎ−プロポキシシラン、ジ−ｎ−ブチル−ジ
−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジ−ｎ−ブチル−ジ−ｎ
−ブトキシシラン、ジ−ｎ−ブチル−ジ−ｓｅｃ−ブト
キシシラン、ジ−ｎ−ブチル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシ
シラン、ジ−ｎ−ブチル−ジ−フェノキシシラン、ジ−
ｓｅｃ−ブチルジメトキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチル
ジエトキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチル−ジ−ｎ−プロ
ポキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチル−ジ−ｉｓｏ−プロ
ポキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチル−ジ−ｎ−ブトキシ
シラン、ジ−ｓｅｃ−ブチル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシ
ラン、ジ−ｓｅｃ−ブチル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシ
ラン、ジ−ｓｅｃ−ブチル−ジ−フェノキシシラン、ジ
−ｔｅｒｔ−ブチルジメトキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−
ブチルジエトキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−
ｎ−プロポキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−ｉ
ｓｏ−プロポキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−
ｎ−ブトキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−ｓｅ
ｃ−ブトキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−ｔｅ
ｒｔ−ブトキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−フ
ェノキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェ
ニル−ジ−エトキシシラン、ジフェニル−ジ−ｎ−プロ
ポキシシラン、ジフェニル−ジ−ｉｓｏ−プロポキシシ
ラン、ジフェニル−ジ−ｎ−ブトキシシラン、ジフェニ
ル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジフェニル−ジ−ｔ
ｅｒｔ−ブトキシシラン、ジフェニルジフェノキシシラ
ン、ジビニルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピル
トリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシ
シラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラ
ン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ
−トリフロロプロピルトリメトキシシラン、γ−トリフ
ロロプロピルトリエトキシシランなどを挙げることがで
きる。これらは１種あるいは２種以上を同時に使用して
も良い。

【０００７】上記一般式（１）で表される化合物の中で
は、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシランなど
のテトラアルコキシシラン、メチルトリメトキシシラ
ン、メチルトリエトキシシラン、などのアルキルトリア
ルコキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチル
ジメトキシシランなどのジアルキルジアルコキシシラン
が好ましい。一般式（２）で表される化合物の具体例と
しては、パーフルオロメチルトリメトキシシラン、パー
フルオロメチルトリエトキシシラン、パーフルオロメチ
ルトリ−ｎ−プロポキシシラン、パーフルオロメチルト
リ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、パーフルオロメチルト
リ−ｎ−ブトキシシラン、パーフルオロメチルトリ−ｓ
ｅｃ−ブトキシシラン、パーフルオロメチルトリ−ｔｅ
ｒｔ−ブトキシシラン、パーフルオロメチルトリフェノ
キシシラン、パーフルオロエチルトリメトキシシラン、
パーフルオロエチルトリエトキシシラン、パーフルオロ
エチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、パーフルオロエチ
ルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、パーフルオロエチ
ルトリ−ｎ−ブトキシシラン、パーフルオロエチルトリ
−ｓｅｃ−ブトキシシラン、パーフルオロエチルトリ−
ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、パーフルオロエチルトリフ
ェノキシシラン、ｎ−パーフルオロプロピルトリメトキ
シシラン、ｎ−パーフルオロプロピルトリエトキシシラ
ン、ｎ−パーフルオロプロピルトリ−ｎ−プロポキシシ
ラン、ｎ−パーフルオロプロピルトリ−ｉｓｏ−プロポ
キシシラン、ｎ−パーフルオロプロピルトリ−ｎ−ブト
キシシラン、ｎ−パーフルオロプロピルトリ−ｓｅｃ−
ブトキシシラン、ｎ−パーフルオロプロピルトリ−ｔｅ
ｒｔ−ブトキシシラン、ｎ−パーフルオロプロピルトリ
フェノキシシラン、ｉ−パーフルオロプロピルトリメト
キシシラン、ｉ−パーフルオロプロピルトリエトキシシ
ラン、ｉ−パーフルオロプロピルトリ−ｎ−プロポキシ
シラン、ｉ−パーフルオロプロピルトリ−ｉｓｏ−プロ
ポキシシラン、ｉ−パーフルオロプロピルトリ−ｎ−ブ
トキシシラン、ｉ−パーフルオロプロピルトリ−ｓｅｃ
−ブトキシシラン、ｉ−パーフルオロプロピルトリ−ｔ
ｅｒｔ−ブトキシシラン、ｉ−パーフルオロプロピルト
リフェノキシシラン、ｎ−パーフルオロブチルトリメト
キシシラン、ｎ−パーフルオロブチルトリエトキシシラ
ン、ｎ−パーフルオロブチルトリ−ｎ−プロポキシシラ
ン、ｎ−パーフルオロブチルトリ−ｉｓｏ−プロポキシ
シラン、ｎ−パーフルオロブチルトリ−ｎ−ブトキシシ
ラン、ｎ−パーフルオロブチルトリ−ｓｅｃ−ブトキシ
シラン、ｎ−パーフルオロブチルトリ−ｔｅｒｔ−ブト
キシシラン、ｎ−パーフルオロブチルトリフェノキシシ
ラン、ｓｅｃ−パーフルオロブチルトリメトキシシラ
ン、ｓｅｃ−パーフルオロブチル−ｉ−トリエトキシシ
ラン、ｓｅｃ−パーフルオロブチル−トリ−ｎ−プロポ
キシシラン、ｓｅｃ−パーフルオロブチル−トリ−ｉｓ
ｏ−プロポキシシラン、ｓｅｃ−パーフルオロブチル−
トリ−ｎ−ブトキシシラン、ｓｅｃ−パーフルオロブチ
ル−トリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ｓｅｃ−パーフル
オロブチル−トリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ｓｅｃ
−パーフルオロブチル−トリフェノキシシラン、ｔ−パ
ーフルオロブチルトリメトキシシラン、ｔ−パーフルオ
ロブチルトリエトキシシラン、ｔ−パーフルオロブチル
トリーｎ−プロポキシシラン、ｔ−パーフルオロブチル
トリーｉｓｏ−プロポキシシラン、ｔ−パーフルオロブ
チルトリーｎ−ブトキシシラン、ｔ−パーフルオロブチ
ルトリーｓｅｃ−ブトキシシラン、ｔ−パーフルオロブ
チルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ｔ−パーフルオ
ロブチルトリフェノキシシラン、ジパーフルオロメチル
ジメトキシシラン、ジパーフルオロメチルジエトキシシ
ラン、ジパーフルオロメチル−ジ−ｎ−プロポキシシラ
ン、ジパーフルオロメチル−ジ−ｉｓｏ−プロポキシシ
ラン、ジパーフルオロメチル−ジ−ｎ−ブトキシシラ
ン、ジパーフルオロメチル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラ
ン、ジパーフルオロメチル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシ
ラン、ジパーフルオロメチルジフェノキシシラン、ジパ
ーフルオロエチルジメトキシシラン、ジパーフルオロエ
チルジエトキシシラン、ジパーフルオロエチル−ジ−ｎ
−プロポキシシラン、ジパーフルオロエチル−ジ−ｉｓ
ｏ−プロポキシシラン、ジパーフルオロエチル−ジ−ｎ
−ブトキシシラン、ジパーフルオロエチル−ジ−ｓｅｃ
−ブトキシシラン、ジパーフルオロエチル−ジ−ｔｅｒ
ｔ−ブトキシシラン、ジパーフルオロエチルジフェノキ
シシラン、ジ−ｎ−パーフルオロプロピルジメトキシシ
ラン、ジ−ｎ−パーフルオロプロピルジエトキシシラ
ン、ジ−ｎ−パーフルオロプロピル−ジ−ｎ−プロポキ
シシラン、ジ−ｎ−パーフルオロプロピル−ジ−ｉｓｏ
−プロポキシシラン、ジ−ｎ−パーフルオロプロピル−
ジ−ｎ−ブトキシシラン、ジ−ｎ−パーフルオロプロピ
ル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジ−ｎ−パーフルオ
ロプロピル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジ−ｎ−
パーフルオロプロピル−ジ−フェノキシシラン、ジ−ｉ
ｓｏ−パーフルオロプロピルジメトキシシラン、ジ−ｉ
ｓｏ−パーフルオロプロピルジエトキシシラン、ジ−ｉ
ｓｏ−パーフルオロプロピル−ジ−ｎ−プロポキシシラ
ン、ジ−ｉｓｏ−パーフルオロプロピル−ジ−ｉｓｏ−
プロポキシシラン、ジ−ｉｓｏ−パーフルオロプロピル
−ジ−ｎ−ブトキシシラン、ジ−ｉｓｏ−パーフルオロ
プロピル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジ−ｉｓｏ−
パーフルオロプロピル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラ
ン、ジ−ｉｓｏ−パーフルオロプロピル−ジ−フェノキ
シシラン、ジ−ｎ−パーフルオロブチルジメトキシシラ
ン、ジ−ｎ−パーフルオロブチルジエトキシシラン、ジ
−ｎ−パーフルオロブチル−ジ−ｎ−プロポキシシラ
ン、ジ−ｎ−パーフルオロブチル−ジ−ｉｓｏ−プロポ
キシシラン、ジ−ｎ−パーフルオロブチル−ジ−ｎ−ブ
トキシシラン、ジ−ｎ−パーフルオロブチル−ジ−ｓｅ
ｃ−ブトキシシラン、ジ−ｎ−パーフルオロブチル−ジ
−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジ−ｎ−パーフルオロブ
チル−ジ−フェノキシシラン、ジ−ｓｅｃ−パーフルオ
ロブチルジメトキシシラン、ジ−ｓｅｃ−パーフルオロ
ブチルジエトキシシラン、ジ−ｓｅｃ−パーフルオロブ
チル−ジ−ｎ−プロポキシシラン、ジ−ｓｅｃ−パーフ
ルオロブチル−ジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジ−ｓ
ｅｃ−パーフルオロブチル−ジ−ｎ−ブトキシシラン、
ジ−ｓｅｃ−パーフルオロブチル−ジ−ｓｅｃ−ブトキ
シシラン、ジ−ｓｅｃ−パーフルオロブチル−ジ−ｔｅ
ｒｔ−ブトキシシラン、ジ−ｓｅｃ−パーフルオロブチ
ル−ジ−フェノキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−パーフルオ
ロブチルジメトキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−パーフルオ
ロブチルジエトキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−パーフルオ
ロブチル−ジ−ｎ−プロポキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−
パーフルオロブチル−ジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、
ジ−ｔｅｒｔ−パーフルオロブチル−ジ−ｎ−ブトキシ
シラン、ジ−ｔｅｒｔ−パーフルオロブチル−ジ−ｓｅ
ｃ−ブトキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−パーフルオロブチ
ル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−パ
ーフルオロブチル−ジ−フェノキシシラン、などを挙げ
ることができるが、パーフルオロメチルトリメトキシシ
ラン、パーフルオロエチルトリメトキシシラン、ｎ−パ
ーフルオロプロピルトリメトキシシラン、ｉ−パーフル
オロプロピルトリメトキシシラン、ｎ−パーフルオロブ
チルトリメトキシシラン、ｓｅｃ−パーフルオロブチル
トリメトキシシラン、ｔ−パーフルオロブチルトリメト
キシシラン、パーフルオロメチルトリエトキシシラン、
ジパーフルオロメチルジメトキシシラン、ジパーフルオ
ロエチルジメトキシシラン、ジ−ｎ−パーフルオロプロ
ピルジメトキシシラン、ジ−ｉ−パーフルオロプロピル
ジメトキシシラン、ジ−ｎ−パーフルオロブチルジメト
キシシラン、ジ−ｓｅｃ−パーフルオロブチルジメトキ
シシラン、ジ−ｔ−パーフルオロブチルジメトキシシラ
ン、ジパーフルオロメチルジエトキシシラン、が好まし
い。

【０００８】本発明において、化合物（１）と化合物
（２）の使用割合は、化合物（１）と化合物（２）の総
量に対して化合物（１）が５〜９５重量％、好ましくは
４０〜９０重量％、化合物（２）が９５〜５重量％、好
ましくは１０〜６０重量％である。また、化合物（１）
および化合物（２）で表される化合物を加水分解、部分
縮合させる際に、Ｒ²Ｏ−およびＲ³Ｏ−で表される基１
モル当たり、０．３〜５．０モルの水を用いることが好
ましく、０．５〜２．０モルの水を加えることが特に好
ましい。（Ａ）成分が一般式（１）で表される化合物の
部分縮合物である場合には、ポリスチレン換算重量平均
分子量で５００〜１０００００であることが好ましい。

【０００９】（Ｂ）成分 酸触媒としては、有機酸、無機酸などを挙げることがで
きる。有機酸としては、例えば酢酸、プロピオン酸、ブ
タン酸、ペンタン酸、ヘキサン酸、ヘプタン酸、オクタ
ン酸、ノナン酸、デカン酸、シュウ酸、マレイン酸、メ
チルマロン酸、アジピン酸、セバシン酸、没食子酸、酪
酸、メリット酸、アラキドン酸、ミキミ酸、２−エチル
ヘキサン酸、オレイン酸、ステアリン酸、リノール酸、
リノレイン酸、サリチル酸、安息香酸、ｐ−アミノ安息
香酸、ｐ−トルエンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、
モノクロロ酢酸、ジクロロ酢酸、トリクロロ酢酸、トリ
フルオロ酢酸、ギ酸、マロン酸、スルホン酸、フタル
酸、フマル酸、クエン酸、酒石酸等を挙げることができ
る。無機酸としては、例えば塩酸、硝酸、硫酸、フッ
酸、リン酸等を挙げることができる。酸触媒の使用量
は、化合物（１）および化合物（２）の総量１モルに対
して通常０．０００１〜１モル、好ましくは０．００１
〜０．１モルである。

【００１０】（Ｃ）成分 本発明において前記（Ａ）成分に相溶または分散し、沸
点または分解温度が２５０〜４５０℃である化合物とし
てはポリアルキレンオキサイド構造を有する化合物、
（メタ）アクリレート系重合体、ポリエステル、
ポリカーボネート、ポリアンハイドライドなどを挙げ
ることができる。本発明において、沸点および分解温度
とは１気圧下での温度を示す。 ポリアルキレンオキサイド構造を有する化合物 ここで、ポリアルキレンオキサイド構造としてはポリエ
チレンオキサイド構造、ポリプロピレンオキサイド構
造、ポリテトラメチレンオキサイド構造、ポリブチレン
オキシド構造などが挙げられる。具体的には、ポリオキ
シエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエテチレンア
ルキルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンステロー
ルエーテル、ポリオキシエチレンラノリン誘導体、アル
キルフェノールホルマリン縮合物の酸化エチレン誘導
体、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロック
コポリマー、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレン
アルキルエーテルなどのエーテル型化合物、ポリオキシ
エチレングリセリン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレ
ンソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソル
ビトール脂肪酸エステル、ポリオキシエチレン脂肪酸ア
ルカノールアミド硫酸塩などのエーテルエステル型化合
物、ポリエチレングリコール脂肪酸エステル、エチレン
グリコール脂肪酸エステル、脂肪酸モノグリセリド、ポ
リグリセリン脂肪酸エステル、ソルビタン脂肪酸エステ
ル、プロピレングリコール脂肪酸エステル、ショ糖脂肪
酸エステルなどのエーテルエステル型化合物などを挙げ
ることができる。（Ｃ）成分としては、ポリオキシエチ
レンポリオキシプロピレンブロックコポリマーなどのポ
リオキシアルキレンブロックコポリマーが好ましい。ポ
リオキシチレンポリオキシプロピレンブロックコポリマ
ーとしては下記のようなブロック構造を有する化合物が
挙げられる。 −（Ａ）ｎ−（Ｂ）ｍ− −（Ａ）ｎ−（Ｂ）ｍ−（Ａ）l- （式中、Ａは−ＣＨ2ＣＨ2Ｏ−で表される基を、Ｂは−
ＣＨ2ＣＨ（ＣＨ3）Ｏ−で表される基を示し、ｎは１〜
９０、ｍは１０〜９９、ｌは０〜９０の数を示す）

【００１１】（メタ）アクリレート系重合体 本発明においてアクリル系重合体を構成するアクリル酸
エステルおよびメタクリル酸エステルとしては、アクリ
ル酸アルキルエステル、メタクリル酸アルキルエステ
ル、アクリル酸アルコキシアルキルエステル、メタクリ
ル酸アルキルエステル、メタクリル酸アルコキシアルキ
ルエステルなどを挙げることができる。アクリル酸アル
キルエステルとしては、アクリル酸メチル、アクリル酸
エチル、アクリル酸ｎ−プロピル、アクリル酸イソプロ
ピル、アクリル酸ｎ−ブチル、アクリル酸イソブチル、
アクリル酸ペンチル、アクリル酸ヘキシルなどの炭素数
１〜６のアルキルエステル、メタクリル酸アルキルエス
テルとしては、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチ
ル、メタクリル酸n-プロピル、メタクリル酸イソプロピ
ル、メタクリル酸n-ブチル、メタクリル酸イソブチル、
メタクリル酸ブチル、メタクリル酸ペンチル、メタクリ
ル酸ヘキシルなどの炭素数１〜６のアルキルエステル、
アクリル酸アルコキシアルキルエステルとしては、アク
リル酸メトキシメチル、アクリル酸エトキシエチル、メ
タクリル酸アルコキシアルキルエステルとしては、メタ
クリル酸メトキシメチル、メタクリル酸エトキシエチル
などを挙げることができる。これらの中でも、メタクリ
ル酸アルキルエステルを使用することが好ましく、特に
メタクリル酸エチル、メタクリル酸イソブチルなどを使
用することが好ましい。

【００１２】本発明において、アクリル系重合体は上記
モノマーにアルコキシシリル基を有するモノマーを共重
合してなることが好ましい。アルコキシシル基を有する
モノマーとしては、メタクリル酸３−（トリメトキシシ
リル）プロピル、メタクリル酸３−（トリエトキシシリ
ル）プロピル、メタクリル酸３−［トリ（メトキシエト
キシ）シリル］プロピル、メタクリル酸３−（メチルジ
メトキシシリル）プロピル、メタクリル酸３−（メチル
ジエトキシシリル）プロピルなどを挙げることができ
る。アルコキシシリル基を有するモノマーはアクリル系
重合体を構成する全モノマーに通常、０．５〜１０モル
％、好ましくは１〜７モル％の割合で含まれる。本発明
においてアクリル系重合体は、上記アクリル酸エステ
ル、メタクリル酸エステルおよびアルコキシシリル基を
有するモノマー以外のラジカル重合性モノマーを４０モ
ル％以下共重合していてもよい。ラジカル重合性モノマ
ーとしては、アクリル酸、メタクリル酸などの不飽和カ
ルボン酸、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−
ジメチルメタクリルアミドなどの不飽和アミド、アクリ
ロニトリルなどの不飽和ニトリル、メチルビニルケトン
などの不飽和ケトン、スチレン、α-メチルスチレンな
どの芳香族化合物などを挙げることができる。本発明に
おいて、アクリル系重合体のポリスチレン換算数平均分
子量は１０００〜１０００００、好ましくは１０００〜
２０，０００である。 ポリエステル ヒドロキシカルボン酸の重縮合物、ラクトンの開環重合
物、脂肪族ポリオールと脂肪族ポリカルボン酸との重縮
合物などを挙げることができる。 ポリカーボネート ポリエチレンカーボネート、ポリプロピレンカーボネー
ト、ポリトリメチレンカーボネート、ポリテトラメチレ
ンカーボネート、ポリペンタメチレンカーボネート、ポ
リヘキサメチレンカーボネートなどの炭酸とアルキレン
グリコールの重縮合物を挙げることができる。 ポリアンハイドライド ポリマロニルオキシド、ポリアジポイルオキシド、ポリ
ピメロイルオキシド、ポリスベロイルオキシド、ポリア
ゼライルオキシド、ポリセバコイルオキシドなどのジカ
ルボン酸の重縮合物などを挙げることができる。また、
（Ｂ）成分としはその他にも、ポリ（Ｎ−ビニルアセト
アミド）、ポリ（Ｎ−ビニルピロリドン）、ポリ（２−
メチル−２−オキサゾリン）、ポリ（Ｎ、Ｎ−ジメチル
アクリルアミド）などのビニルアミド系重合体、ポリス
チレン、ポリメチルスチレン、ポリα−メチルスチレン
などのスチレン系重合体なども挙げることができる。

【００１３】本発明において、（Ｃ）成分としてはア
ルキレンオキサイド構造を有する化合物またはアクリ
レート系重合体を使用することが好ましく、特にアル
キレンオキサイド構造を有する化合物を使用することが
好ましい。（Ｃ）成分の使用量は、（Ａ）成分（完全加
水分解縮合物換算）に対して通常１〜８０重量％、好ま
しくは５〜６５重量％である。（Ｃ）成分の使用割合が
１重量％以下では、誘電率を下げる効果は小さく、８０
重量％以上では機械的強度が低下する。なお、本発明に
おいて完全加水分解縮合物とは、化合物（１）および化
合物（２）の−ＯＲ²および−ＯＲ³で表される基が１０
０％加水加水分解してＯＨ基となり、完全に縮合したも
のを示す。

【００１４】（Ｄ）成分 本発明では、通常上記（Ａ）〜（Ｃ）成分を有機溶媒に
溶解して使用する。本発明で使用される有機溶媒として
は、本発明に使用する有機溶剤としては、例えばｎ−ペ
ンタン、ｉ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｉ−ヘキサン、
ｎ−ヘプタン、ｉ−ヘプタン、２，２，４−トリメチル
ペンタン、ｎ−オクタン、ｉ−オクタン、シクロヘキサ
ン、メチルシクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒；
ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、トリ
メチルベンゼン、メチルエチルベンゼン、ｎ−プロピル
ベンセン、ｉ−プロピルベンセン、ジエチルベンゼン、
ｉ−ブチルベンゼン、トリエチルベンゼン、ジ−ｉ−プ
ロピルベンセン、ｎ−アミルナフタレン、トリメチルベ
ンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒；メタノール、エタノ
ール、ｎ−プロパノール、ｉ−プロパノール、ｎ−ブタ
ノール、ｉ−ブタノール、ｓｅｃ−ブタノール、ｔ−ブ
タノール、ｎ−ペンタノール、ｉ−ペンタノール、２−
メチルブタノール、ｓｅｃ−ペンタノール、ｔ−ペンタ
ノール、３−メトキシブタノール、ｎ−ヘキサノール、
２−メチルペンタノール、ｓｅｃ−ヘキサノール、２−
エチルブタノール、ｓｅｃ−ヘプタノール、ヘプタノー
ル−３、ｎ−オクタノール、２−エチルヘキサノール、
ｓｅｃ−オクタノール、ｎ−ノニルアルコール、２，６
−ジメチルヘプタノール−４、ｎ−デカノール、ｓｅｃ
−ウンデシルアルコール、トリメチルノニルアルコー
ル、ｓｅｃ−テトラデシルアルコール、ｓｅｃ−ヘプタ
デシルアルコール、フェノール、シクロヘキサノール、
メチルシクロヘキサノール、３，３，５−トリメチルシ
クロヘキサノール、ベンジルアルコール、フェニルメチ
ルカルビノール、ジアセトンアルコール、クレゾール等
のモノアルコール系溶媒；エチレングリコール、１，２
−プロピレングリコール、１，３−ブチレングリコー
ル、ペンタンジオール−２，４、２−メチルペンタンジ
オール−２，４、ヘキサンジオール−２，５、ヘプタン
ジオール−２，４、２−エチルヘキサンジオール−１，
３、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、
トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール、
グリセリン等の多価アルコール系溶媒；アセトン、メチ
ルエチルケトン、メチル−ｎ−プロピルケトン、メチル
−ｎ−ブチルケトン、ジエチルケトン、メチル−ｉ−ブ
チルケトン、メチル−ｎ−ペンチルケトン、エチル−ｎ
−ブチルケトン、メチル−ｎ−ヘキシルケトン、ジ−ｉ
−ブチルケトン、トリメチルノナノン、シクロヘキサノ
ン、メチルシクロヘキサノン、２，４−ペンタンジオ
ン、アセトニルアセトン、ジアセトンアルコール、アセ
トフェノン、フェンチョン等のケトン系溶媒；エチルエ
ーテル、ｉ−プロピルエーテル、ｎ−ブチルエーテル、
ｎ−ヘキシルエーテル、２−エチルヘキシルエーテル、
エチレンオキシド、１，２−プロピレンオキシド、ジオ
キソラン、４−メチルジオキソラン、ジオキサン、ジメ
チルジオキサン、エチレングリコールモノメチルエーテ
ル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレン
グリコールジエチルエーテル、エチレングリコールモノ
−ｎ−ブチルエーテル、エチレングリコールモノ−ｎ−
ヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエ
ーテル、エチレングリコールモノ−２−エチルブチルエ
ーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、ジエチ
レングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコ
ールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジエチ
ルエーテル、ジエチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエ
ーテル、ジエチレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテ
ル、ジエチレングリコールモノ−ｎ−ヘキシルエーテ
ル、エトキシトリグリコール、テトラエチレングリコー
ルジ−ｎ−ブチルエーテル、プロピレングリコールモノ
メチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエー
テル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プ
ロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレン
グリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコー
ルモノエチルエーテル、トリプロピレングリコールモノ
メチルエーテル、テトラヒドロフラン、２−メチルテト
ラヒドロフラン等のエーテル系溶媒；ジエチルカーボネ
ート、酢酸メチル、酢酸エチル、γ−ブチロラクトン、
γ−バレロラクトン、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｉ−プロ
ピル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸ｉ−ブチル、酢酸ｓｅｃ−
ブチル、酢酸ｎ−ペンチル、酢酸ｓｅｃ−ペンチル、酢
酸３−メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸２−
エチルブチル、酢酸２−エチルヘキシル、酢酸ベンジ
ル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、
酢酸ｎ−ノニル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチ
ル、酢酸エチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸
エチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレ
ングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジエチレングリ
コールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコール
モノ−ｎ−ブチルエーテル、酢酸プロピレングリコール
モノメチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノエ
チルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノプロピル
エーテル、酢酸プロピレングリコールモノブチルエーテ
ル、酢酸ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、
酢酸ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジ酢
酸グリコール、酢酸メトキシトリグリコール、プロピオ
ン酸エチル、プロピオン酸ｎ−ブチル、プロピオン酸ｉ
−アミル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ−ｎ−ブチ
ル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ｎ−ブチル、乳酸ｎ
−アミル、マロン酸ジエチル、フタル酸ジメチル、フタ
ル酸ジエチル等のエステル系溶媒；Ｎ−メチルホルムア
ミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチ
ルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミ
ド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルプロピ
オンアミド、Ｎ−メチルピロリドン等の含窒素系溶媒；
硫化ジメチル、硫化ジエチル、チオフェン、テトラヒド
ロチオフェン、ジメチルスルホキシド、スルホラン、
１，３−プロパンスルトン等の含硫黄系溶媒等を挙げる
ことができる。これらは１種あるいは２種以上を混合し
て使用することができる。本発明においては、沸点が２
５０℃未満の有機溶媒を使用することが特に好ましく、
具体的にはメタノール、エタノール、イソプロパノール
等のアルコール、エチレングリコール、グリセリン等の
多価アルコール、エチレングリコールモノメチルエーテ
ル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレ
ングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコー
ルジエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピ
ルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテ
ル等のグリコールエーテル溶媒、エチレングリコールモ
ノメチルアセテート、ジエチレングリコールモノブチル
エーテルアセテート、エチレングリコールジアセテー
ト、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート等
のグリコールアセテートエーテル溶媒、Ｎ、Ｎ−ジメチ
ルアセトアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−
メチル−２−ピロリドン等のアミド系溶媒、アセトン、
メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、アセチ
ルアセトン、メチルアミルケトン等のケトン系溶媒、乳
酸エチル、メトキシメチルプロピオネート、エトキシエ
チルプロピオネート等のカルボン酸エステル系溶媒等の
１種単独または２種以上の組み合わせを挙げることがで
きる。本発明において有機溶媒の使用量は、（Ａ）成分
（完全加水分解縮合物換算）、（Ｂ）成分の総和量の
０．３〜２５倍量（重量）の範囲である。

【００１５】本発明の組成物は上記（Ａ）〜（Ｂ）成分
および必要に応じて他の成分を混合することにより製造
することができる。本発明の組成物を用いて膜を形成す
るには、まず本発明の組成物を基板に塗布し、塗膜を形
成する。ここで、本発明の組成物を塗布することができ
る基板としては半導体、ガラス、セラミックス、金属な
どが挙げられ、塗布方法としてはスピンコート、ディッ
ピング、ローラーブレードなどが挙げられる。形成する
塗膜の厚さは、層間絶縁膜の場合で通常０．２〜２０μ
ｍである。ついで、形成された塗膜を加熱するが、この
ときの加熱温度は（Ｂ）成分が有する分解温度未満の温
度である。本発明では、（Ａ）成分の硬化膜が低密度化
するように塗膜の加熱条件を選定する必要がある。この
加熱方法としては、形成した塗膜を前記（Ｃ）成分の分
解温度未満の温度で加熱して（Ａ）成分を一部硬化さ
せ、ついで前記（Ｃ）成分の分解温度以上の温度から最
終硬化温度まで加熱し、多孔性の硬化物とする方法など
が挙げられる。また、上記の（Ａ）成分の硬化速度と
（Ｃ）成分の分解速度を制御するため、必要に応じて、
段階的に加熱したり、窒素、空気、酸素、減圧などの雰
囲気を選択することができる。通常、（Ｃ）成分の分解
温度は２５０〜４５０℃であるので、塗膜は最終的には
この温度以上に加熱される工程を含む。該工程は減圧状
態もしくは不活性ガス下で行われるのが好ましい。
（Ｃ）成分を含有する本発明の組成物を本発明の方法に
よって加熱して得られた膜は、通常膜密度が０．３〜
１．２ｇ／ｃｍ³である。また膜の誘電率は、通常、
２．６〜１．２である。本発明の膜は、絶縁膜として好
適であり、特に高集積回路の層間絶縁膜に適している。

【００１６】

【実施例】以下、この発明の実施の形態を、実施例に基
づいて説明する。但し、以下の記載は、本発明の態様例
を概括的に示すものであり、特に理由なく、かかる記載
により本発明は限定されるものではない。また、実施例
および比較例中の部および％は、特記しない限り、それ
ぞれ重量部および重量％であることを示している。

【００１７】実施例１ （Ａ）トリフルオロメチルトリメトキシシシラン２６
２．５ｇ、メチルトリメトキシシラン１８２．７ｇ、プ
ロピレングリコールモノプロピルエーテル３９４．０ｇ
の混合溶液に、マレイン酸１０．０ｇを水１１６．８ｇ
に溶かした水溶液を室温で１時間かけて滴下した。混合
物の滴下終了後さらに６０℃で１時間反応させた後、減
圧下で生成メタノールを留去することによりポリシロキ
サンゾルを得た。得られた混合物を８インチシリコンウ
ェハ上にスピンコート法により塗布し、８０℃で５分
間、ついで２００℃、窒素下で５分間加熱した後、さら
に真空下で３４０℃、３６０℃、３８０℃の順でそれぞ
れ３０分間ずつ加熱し、さらに４２５℃で１時間加熱
し、無色透明の膜を形成した。さらに、得られた膜を下
記のとおり評価した。結果を表１に示す。

【００１８】（膜形成用組成物の評価） １．誘電率 得られた膜に対して蒸着法によりアルミニウム電極パタ
ーンを形成させ誘電率測定用サンプルを作成した。該サ
ンプルを周波数１００ｋＨｚの周波数で以て、横河・ヒ
ューレットパッカード（株）製ＨＰ１６４５１Ｂ電極お
よびＨＰ４２８４ＡプレシジョンＬＣＲメータを用いて
ＣＶ法により当該塗膜の誘電率を測定した。結果を表１
に示す。

【００１９】２．膜密度 ８インチSiウェハー上に、スピンコート法を用いて組成
物試料を塗布し、ホットプレート上で８０℃で５分間、
２００℃で５分間基板を乾燥し、更に４５０℃の真空オ
ーブン中で４５０℃で６０分基板を焼成した。塗膜の膜
密度をラザフォードバックスキャッタリング法を求め
た。 ３．弾性率 得られた膜をナノインデンターＸＰ（ナノインスツルメ
ンツ社製）を用いて連続剛性測定法により測定した。 ４．ＣＭＰ耐性 得られた膜を以下の条件で研磨した。 スラリー：シリカ−過酸化水素系 研磨圧力：３００ｇ／ｃｍ² 研磨時間：６０秒 評価は以下の基準にて行った。 ○：変化なし △：一部にはがれやキズがある ×：全てはがれる また、研磨速度を以下のように算出した。 研磨速度（オングストローム／分）＝（初期膜厚）−
（６０秒研磨後の膜厚）

【００２０】実施例２ （Ｂ）（Ａ）で得たポリシロキサンゾル１００ｇ、ポリ
エチレンオキシドブロック−ポリプロピレンオキシドブ
ロック−ポリエチレンオキシドブロック共重合体（三洋
化成社製ニュポールＰＥ６１）８．９ｇを添加し、得ら
れた混合物を８インチシリコンウェハ上にスピンコート
法により塗布し、８０℃で５分間、ついで２００℃、窒
素下で５分間加熱した後、さらに真空下で３４０℃、３
６０℃、３８０℃の順でそれぞれ３０分間ずつ加熱し、
さらに４２５℃で１時間加熱し、無色透明の膜を形成し
た。実施例１と同様にして評価を行った。結果を表１に
示す。

【００２１】合成例 アクリル系重合体の合成 １００mlフラスコにメタクリル酸イソブチル１８．３２
ｇ、メタクリル酸３−（トリメトキシシリル）プロピル
１．６８ｇ、アゾイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）０．
３３ｇ、２−メルカプトエタノール０．２０ｇおよび３
−メトキシメチルプロピオネート３０ｇを入れ溶解させ
た。系内を窒素ガスで置換したのち、８０℃のオイルバ
スで加熱しながら、７時間撹拌すると粘稠なポリマー溶
液が得られた。ＧＰＣでポリスチレン換算の平均分子量
を測定すると、数平均分子量が４８３０、重量平均分子
量が８９００であった。 実施例３ （Ａ）トリフルオロメチルトリメトキシシシラン１３
０．７ｇ、メチルトリメトキシシラン２９２．３ｇ、プ
ロピレングリコールモノプロピルエーテル３８７．０ｇ
の混合溶液に、マレイン酸１０．０ｇを水１１９．４ｇ
に溶かした水溶液を室温で１時間かけて滴下した。混合
物の滴下終了後さらに６０℃で１時間反応させた後、減
圧下で生成メタノールを留去することによりポリシロキ
サンゾルを得た。 （Ｂ）（Ａ）で得られたシリカゾル１００ｇに合成例で
得られたアクリル系重合体溶液２１．２ｇ（固形分含量
８．５ｇ）を加え６０℃で１時間攪拌した。得られた溶
液を８インチウェハ上にスピンコートにより塗布し、ホ
ットプレートにより８０℃で５分、２００℃で５分乾燥
したのち真空下４２５℃で１時間焼成すると透明な塗膜
が得られた。実施例１と同様にして評価を行った。結果
を表１に示す。

【００２２】

【表１】

【００２３】

【発明の効果】本発明の組成物を硬化して得られる膜
は、誘電率特性、機械強度に優れる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/312 Ｈ０１Ｌ 21/312 Ｃ 21/316 21/316 Ｇ 21/768 21/90 Ｊ Ｓ Ｆターム(参考） 4J038 AA011 CC032 CC072 CC082 CG142 CG172 CK032 CR072 DD002 DE012 DF022 DJ012 DL021 DL022 DL071 DL072 DN012 HA096 HA336 HA376 HA416 HA441 JA37 JA38 JA39 JC13 KA04 KA06 MA12 NA21 PA19 5F033 RR21 SS21 5F058 AA10 AC03 AD01 AD05 AF04 AG01 AH02 BA20 BC01 BC02 BC20 BD03 BD04 BF46 BH01 BJ02

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （Ａ）下記一般式（１）で表される化合
   物および下記一般式（２）で表される化合物を含む化合
   物の加水分解物およびその部分縮合物またはいずれか一
   方 Ｒ¹ _nＳｉ（ＯＲ²）_4-n （１） Ｒｆ_mＳｉ(ＯＲ³)_4-m （２） （Ｒ¹ 、Ｒ²およびＲ³は、同一でも異なっていても良
   く、それぞれ１価の有機基を示し、Ｒｆはフッ素原子を
   含有する１価の有機基、ｎは０〜２、ｍは１〜２の整数
   を表す。）ならびに（Ｂ）酸触媒を含むことを特徴とす
   る膜形成用組成物。
2. 【請求項２】 さらに（Ｃ）前記（Ａ）成分に相溶また
   は分散し、沸点または分解温度が２５０〜４５０℃であ
   る化合物を含むことを特徴とする請求項１記載の膜形成
   用組成物。
3. 【請求項３】 （Ｃ）成分がポリアルキレンオキシド構
   造を有する化合物、アクリル系重合体、ポリエステル、
   ポリカーボネートおよびポリアンハイドライドからなる
   群より選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする
   請求項１記載の膜形成用組成物。
4. 【請求項４】 さらに（Ｄ）有機溶媒を含むことを特徴
   とする請求項１記載の膜形成用組成物。
5. 【請求項５】 請求項１記載の組成物を基板に塗布し加
   熱することを特徴とする膜の製造方法。
6. 【請求項６】 請求項１記載の組成物を基板に塗布し、
   前記（Ｃ）成分の沸点または分解温度未満の温度で加熱
   して（Ａ）成分を一部硬化させ、ついで前記（Ｃ）成分
   の沸点または分解温度以上の温度で加熱を行い硬化する
   ことを特徴とする膜の形成方法。
7. 【請求項７】 請求項１記載の組成物を基板に塗布し、
   前記（Ｃ）成分の沸点または分解温度以上の温度で
   （Ａ）成分を硬化させることを特徴とする膜の形成方
   法。
8. 【請求項８】 請求項４〜６記載の形成方法により得ら
   れる膜密度０．３〜１．2ｇ／ｃｍ³である低密度膜。