JP2001007657A - 高周波電力増幅装置および無線通信機 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高リニアリティの達成，スイッチング特性の
改善，消費電力の低減。 【解決手段】 高周波電力増幅装置は、従属接続された
複数個の増幅段をもつ増幅系（Ｑ１〜Ｑ３；Ｑ４〜Ｑ
６）を備える。高周波電力増幅装置の出力を制御するた
め、増幅系には、制御端子Ｔapc を介してパワー制御信
号Ｖapc が供給される。増幅系の各増幅段はその段の前
の増幅段のゲインより小さいゲインをもっている。各増
幅段にはパワー制御信号から生成される利得制御信号が
供給される。制御端子と基準電位との間に直列接続され
た分割抵抗器（Ｒ１，Ｒ３，Ｒ４）が接続され、パワー
制御信号の電圧を分割して複数個の異なる利得制御信号
が発生される。各増幅段には利得制御信号の１つが供給
され、その利得制御信号の電圧は前段に供給される利得
制御信号の電圧より小さい絶対値をもっている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は多バンド通信方式や
多モード通信方式用の高周波電力増幅装置およびその高
周波電力増幅装置を組み込んだ無線通信機に係わり、た
とえば、デュアルバンド通信方式のように複数の増幅系
を有する高周波電力増幅装置（高周波電力増幅器モジュ
ール：ＰＡモジュール）およびその高周波電力増幅装置
を組み込んだ移動体通信機等の無線通信機に適用して有
効な技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】自動車電話，携帯電話等の移動体通信機
の送信部には高周波電力増幅器が使用されている。通信
方式の異なる携帯電話（例えばセルラー電話機）間での
通話を可能とする方式としてデュアルバンド通信方式が
知られている。デュアルバンド方式については、たとえ
ば、日立評論社発行「日立評論」、第80巻、第11号（19
98年）、Ｐ47〜Ｐ52に記載されている。同文献には、搬
送周波数帯が８８０〜９１５ＭＨｚのＧＳＭ（Global S
ystem for Mobile Communications ）と、搬送周波数帯
が１７１０〜１７８５ＭＨｚのＤＣＳ−1800（Digital
Cellular System 1800）によるデュアルバンド方式およ
びデュアルバンド用高周波電力増幅器（ＲＦモジュー
ル：ＰＡモジュール）について記載されている。なお、
同文献には、複合機としてトリプルモード方式について
も記載されている。また、特開平１１−１８６９２１号
（1999年７月９日公開）には、ＰＣＮ（Personal Commu
nications Network ：ＤＣＳ−1800），ＰＣＳ（Person
al Communications Servis：ＤＣＳ−1900）およびＧＳ
Ｍなどの携帯電話システムに利用できる多バンド移動体
通信装置が開示されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】デュアルバンド用高周
波電力増幅モジュールは、二つ以上のトランジスタ（増
幅器）を順次従属接続して構成した増幅系（高周波電力
増幅系）を２系統有する構造になっている。

【０００４】従来、一般の高周波電力増幅装置（ＲＦパ
ワーアンプモジュール）は、それぞれのステージ（段）
のトランジスタに独立に制御電圧を供給するため、パワ
ー制御信号Ｖapc の電圧を抵抗分割することにより所望
のゲートバイアスを供給している。

【０００５】この構成は各ステージのトランジスタのゲ
ートバイアスを独立に設定できるという長所はあるもの
の、電流もそれぞれのゲートに流れるため、増幅系を二
つ有するデュアル以上のＲＦパワーアンプに使用すると
きには、このままではパワー制御電流Ｉapc が消費電流
仕様を満たすことができ難くなる。

【０００６】その対策として、制御電圧供給回路の抵抗
値を大きくすると、抵抗とＭＯＳトランジスタのゲート
−ドレイン間寄生容量によるＣＲ時定数が大きくなるた
め、トランジスタのスイッチング速度に対する要求を満
たすことができ難くなる。

【０００７】ここで、本発明のよりよい理解のため、先
ず図８を参照して本発明者により案出され、検討された
高周波電力増幅装置について述べる。図８に示された構
造は、従って、本発明者の知る限りにおいて、公に知ら
れた技術ではない。

【０００８】図８は、本発明に先立って検討されたデュ
アルバンド用高周波電力増幅装置を示す等価回路図であ
り、各増幅系はＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconduc
torField-Effect-Transistor ：電界効果トランジス
タ）を３段〔初段（１段），２段，最終段（３段）〕に
組み込んだ構成になっている。

【０００９】図８に示すように、二つの増幅系は、入力
端子Ｐin１と出力端子Ｐout １との間に初段トランジス
タ回路Ｑ１’，２段トランジスタ回路Ｑ２’，最終段ト
ランジスタ回路Ｑ３’を従属接続した増幅系ａと、入力
端子Ｐin２と出力端子Ｐout２との間に初段トランジス
タ回路Ｑ４’，２段トランジスタ回路Ｑ５’，最終段ト
ランジスタ回路Ｑ６’を従属接続した増幅系ｂとからな
っている。

【００１０】増幅系ａでは、各トランジスタ回路Ｑ
１’，Ｑ２’，Ｑ３’のゲート端子はそれぞれ分圧抵抗
Ｒ２２〜Ｒ２７を介して切替用トランジスタＱ７’のド
レイン端子に接続されるとともに、負荷抵抗Ｒ２８を介
して制御電圧Ｖapc が供給される制御端子Ｔapc に接続
されている。また、切替用トランジスタＱ７’のゲート
端子はゲートインピーダンス整合用の抵抗Ｒ２１を介し
て切替電圧Ｖctl が供給される切替端子Ｔc １に接続さ
れ、ソース端子はグランド（ＧＮＤ）に接続されてい
る。

【００１１】増幅系ｂでは、各トランジスタ回路Ｑ
４’，Ｑ５’，Ｑ６’のゲート端子はそれぞれ分圧抵抗
Ｒ３２〜Ｒ３７を介して切替用トランジスタＱ８’のド
レイン端子に接続されるとともに、負荷抵抗Ｒ３８を介
して電力増幅装置の制御端子Ｔapc に接続されている。
また、切替用トランジスタＱ８’のゲート電極はゲート
インピーダンス整合用の抵抗Ｒ３１を介して切替電圧／
Ｖctl が供給される切替端子Ｔc ２に接続され、ソース
端子はＧＮＤに接地されている。また、トランジスタ回
路Ｑ１’〜Ｑ６’のドレイン端子は電源端子Ｖddに接続
されている。

【００１２】抵抗の抵抗値の一例としては、Ｒ２８およ
びＲ３８は１．８ｋΩであり、Ｒ２２，Ｒ２４，Ｒ２
６，Ｒ３２，Ｒ３４およびＲ３６は２．３ｋΩであり、
Ｒ２３，Ｒ２５，Ｒ２７，Ｒ３３，Ｒ３５およびＲ３７
は３００Ωである。

【００１３】このような高周波電力増幅装置では、切替
端子Ｔc １および切替端子Ｔc ２に印加される信号Ｖct
l および／Ｖctl によって切替用トランジスタＱ７’お
よび切替用トランジスタＱ８’を交互に動作させて増幅
系ａまたは増幅系ｂを選択使用して相互に帯域（バン
ド）が異なる周波数の高周波信号の電力増幅を行う。

【００１４】すなわち、入力端子Ｐin１から出力端子Ｐ
out １に至る増幅系ａを動作させる場合には、切替端子
Ｔc １を「低」、切替端子Ｔc ２を「高」に設定する。
この設定によって増幅系ａのＲ２１〜Ｒ２８の各抵抗部
分を電流が流れるとともに、増幅系ｂのＲ３８にも電流
が流れる。

【００１５】この際、増幅系ｂの切替用トランジスタＱ
８’が動作するため、切替用トランジスタＱ８’のドレ
イン側のノードＡの電位は０Ｖに近い電位となる。ま
た、同様に増幅系ｂが動作する際は増幅系ｂのＲ３１〜
Ｒ３８の各抵抗部分を電流が流れるとともに、増幅系ａ
のＲ２８にも電流が流れる。このとき、切替用トランジ
スタＱ７’のドレイン側のノードＢの電位は０Ｖに近い
電位となる。従って、消費電流を抑えるためには、Ｒ２
８およびＲ３８を高い抵抗値、例えば、２ｋΩ以上に設
定しなければならない。

【００１６】しかし、Ｒ２８の抵抗値を高くすると、増
幅系ａの動作時ノードＢの電位が低くなってしまい、各
バイアスを適正値（例えば各増幅段を動作状態にするた
め必要なバイアス値）に設定することができなくなる。
また、各バイアスを適正値に設定すべく分圧抵抗のＲ２
２，Ｒ２４，Ｒ２６の抵抗値を高い値にすると、今度は
各段に対するスイッチング速度の要求を満たすことがで
きなくなる。さらに、図８に示す回路構成では、切替端
子としてＴc １とＴc ２の二つが必要になり、使い勝手
が悪い。

【００１７】本発明の目的は、各増幅系のトランジスタ
のバイアス設定の適正化を図ることにより高リニアリテ
ィが達成できる複数の増幅系を有する高周波電力増幅装
置を提供することにある。本発明の他の目的は、スイッ
チング特性の良好な複数の増幅系を有する高周波電力増
幅装置を提供することにある。本発明の他の目的は、切
替端子を一つとした使い勝手の良好な複数の増幅系を有
する高周波電力増幅装置を提供することにある。本発明
の他の目的は、消費電力の低減が達成できる複数の増幅
系を有する高周波電力増幅装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、性能が良好でかつ消費電力の低減
が達成できる多バンド通信方式または多モード通信方式
の無線通信機を提供することにある。本発明の前記なら
びにそのほかの目的と新規な特徴は、本明細書の記述お
よび添付図面からあきらかになるであろう。

【００１８】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。 （１）従属接続された複数個の増幅段をもつ増幅系を備
える高周波電力増幅装置において、高周波電力増幅装置
の出力を制御するため、増幅系には、制御端子を介して
パワー制御信号が供給される。本発明の一側面によれ
ば、増幅系の各増幅段は、通常、同一製造プロセスで形
成されると、その段の前の増幅段のゲインより小さいゲ
インをもっていることに鑑み、制御端子と基準電位との
間に直列接続された分割抵抗器（Ｒ１，Ｒ３，Ｒ４）が
接続され、パワー制御信号の電圧を分割して複数個の異
なる利得制御信号が発生される。各増幅段には、そのよ
うにして発生された利得制御信号の１つが供給され、そ
の利得制御信号の電圧は、前段に供給される利得制御信
号の電圧より小さい絶対値をもっている。

【００１９】（２）本発明の他の側面によれば、高周波
電力増幅装置は、少なくとも初段および最終段を含む複
数個の増幅段（Ｑ１〜Ｑ３；Ｑ４〜Ｑ６）と、パワー制
御信号（Ｖapc ）を受ける制御端子（Ｔapc ）と、前記
制御端子と基準電位との間に接続され、前記パワー制御
信号の電圧を分割して複数個の異なる利得制御信号を発
生する、複数個の直列接続された分割抵抗器（Ｒ１，Ｒ
３，Ｒ４；Ｒ６，Ｒ１０，Ｒ１２）とを有し、前記複数
個の増幅段のそれぞれは、その段への入力信号を受ける
第１の端子と、その段の出力信号を送出する第２の端子
と、その段のための基準電位を受けるための第３の端子
とを備え、前記初段の第１の端子は、高周波電力増幅装
置への高周波入力信号を受け、前記最終段の第２の端子
は、高周波電力増幅装置の高周波出力信号を送出し、最
終段を除く前記増幅段のそれぞれの第２の端子は次段の
第１の端子に電気的に接続され、初段を除く前記増幅段
のそれぞれは、その段の前の増幅段のゲインより小さい
ゲインを持つことを特徴とし、前記複数個の増幅段のそ
れぞれの第１の端子には、前記複数個の利得制御信号の
１つが供給され、その利得制御信号の電圧は、前段の第
１の端子に供給される利得制御信号の電圧より小さい絶
対値をもっていることを特徴とする。

【００２０】（３）本発明の他の側面によれば、高周波
電力増幅装置は、少なくとも初段および最終段を含む複
数個の増幅段をもっている第１の増幅系（Ｑ１〜Ｑ３）
と、少なくとも初段および最終段を含む複数個の増幅段
をもっている第２の増幅系（Ｑ４〜Ｑ６）と、パワー制
御信号（Ｖapc ）を受ける制御端子（Ｔapc ）と、前記
制御端子と基準電位との間に接続され、前記パワー制御
信号の電圧を分割して複数個の異なる第１の利得制御信
号を発生する、第１列の直列接続された分割抵抗器（Ｒ
１，Ｒ３，Ｒ４）と、前記制御端子と基準電位との間に
接続され、前記パワー制御信号の電圧を分割して複数個
の異なる第２の利得制御信号を発生する、第２列の直列
接続された分割抵抗器（Ｒ６，Ｒ１０，Ｒ１２）と、増
幅系選択信号（Ｖctl ）に応答して、前記第１および第
２の増幅系のうちのいずれか一方を動作状態にし他方を
不動作状態にするため、前記パワー制御信号が前記第１
列および第２列の直列接続された抵抗器のいずれか一方
へ供給され他方の直列接続された抵抗器へはその供給が
ブロックされるように、前記第１列および第２列の直列
接続された抵抗器に接続されている、選択回路（１０，
Ｑ７，Ｑ８）とを有し、前記複数個の増幅段（Ｑ１〜Ｑ
３）のそれぞれは、その段への入力信号とその段のため
のバイアス信号とを受ける第１の端子と、その段の出力
信号を送出する第２の端子と、その段のための基準電位
を受けるための第３の端子とを備え、前記初段の第１の
端子は、高周波電力増幅装置への第１の高周波入力端子
（Ｐin１）を受け、前記最終段の第２の端子は、高周波
電力増幅装置の第１の高周波出力信号（Ｐout １）を送
出し、最終段を除く前記増幅段のそれぞれの第２の端子
は次段の第１の端子に電気的に接続され、初段を除く前
記増幅段のそれぞれは、その段の前の増幅段のゲインよ
り小さいゲインを持つことを特徴とし、前記複数個の増
幅段（Ｑ４〜Ｑ６）のそれぞれは、その段への入力信号
とその段のためのバイアス信号とを受ける第１の端子
と、その段の出力信号を送出する第２の端子と、その段
のための基準電位を受けるための第３の端子とを備え、
前記初段の第１の端子は、高周波電力増幅装置への第２
の高周波入力信号（Ｐin２）を受け、前記最終段の第２
の端子は、高周波電力増幅装置の第２の高周波出力信号
（Ｐout ２）を送出し、最終段を除く前記増幅段のそれ
ぞれの第２の端子は次段の第１の端子に電気的に接続さ
れ、初段を除く前記増幅段のそれぞれは、その段の前の
増幅段のゲインより小さいゲインを持つことを特徴と
し、前記第１の増幅系の複数個の増幅段（Ｑ１〜Ｑ３）
のそれぞれの第１の端子には、前記複数個の第１の利得
制御信号の１つが前記バイアス信号として供給され、そ
の第１の利得制御信号の電圧は、前段の第１の端子に供
給される第１の利得制御信号の電圧より小さい絶対値を
もっていることを特徴とし、前記第２の増幅系の複数個
の増幅段（Ｑ４〜Ｑ６）のそれぞれの第１の端子には、
前記複数個の第２の利得制御信号の１つが前記バイアス
信号として供給され、その第２の利得制御信号の電圧
は、前段の第１の端子に供給される第２の利得制御信号
の電圧より小さい絶対値をもっていることを特徴とす
る。

【００２１】（４）無線通信機は、前記（１）乃至
（３）のうちのいずれかの構成による高周波電力増幅装
置が組み込まれている。

【００２２】前記（１）の手段によれば、（ａ）増幅系
の各増幅段はその段の前の増幅段のゲインより小さいゲ
インをもつとともに、各増幅段に供給される利得制御信
号は、パワー制御信号の電圧を分割抵抗器（Ｒ１，Ｒ
３，Ｒ４）で分割することによって形成するため、各増
幅段に供給される利得制御信号の電圧は、前段に供給さ
れる利得制御信号の電圧より小さい絶対値となり、増幅
特性のリニアリティの改善がなされるとともに消費電流
を下げることができ低消費電力化が図れる。 （ｂ）また、消費電流を下げた分だけ、制御端子と各ト
ランジスタ間に設ける抵抗の抵抗値を小さくできるた
め、スイッチング特性が良好になる。前記（２）または
前記（３）の手段においても前記（１）の手段と同様の
効果が得られる。

【００２３】前記（４）の手段による無線通信機は、ス
イッチング性能が良くまたリニアリティが良好で消費電
流を低減できる高周波電力増幅装置が内蔵されているこ
とから、性能が良好でかつ消費電力の低減が達成できる
多バンド通信方式または多モード通信方式の無線通信機
を提供することができる。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。なお、発明の実施の形態を
説明するための全図において、同一機能を有するものは
同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。

【００２５】（実施形態１）本実施形態１では増幅系を
二つ有するデュアルバンド通信方式の移動体通信機およ
びその移動体通信機に組み込まれる高周波電力増幅装置
に本発明を適用した例について説明する。

【００２６】図１乃至図４は本発明の一実施形態（実施
形態１）によるデュアルバンド用高周波電力増幅装置
（ＲＦパワーアンプモジュールあるいはＰＡモジュー
ル）に係わる図である。

【００２７】本実施形態１のデュアルバンドＰＡモジュ
ール１は、図２の斜視図に示すように、偏平な直方体構
造になっている。すなわち、デュアルバンドＰＡモジュ
ール１は、板状の配線基板２と、この配線基板２の一面
（主面）を覆うようにその上に設けられたキャップ３を
もつ偏平直方体構造のパッケージ４を含む。

【００２８】より詳しく述べると、デュアルバンドＰＡ
モジュール１は、例えば多層構造の配線基板２の一面上
にトランジスタ等の能動部品やチップ抵抗やチップコン
デンサ等の受動部品を搭載するとともに、複数のトラン
ジスタを従属接続させて多段の増幅系を２つ構成した構
成になっている。

【００２９】本実施形態１では高周波電力増幅装置は第
１増幅系および第２増幅系を含む。また、各高周波電力
増幅系はトランジスタを３個従属接続した３段構成〔初
段（１段），２段，最終段（３段）〕になっている。前
記各トランジスタとしては、特に限定はされないが絶縁
ゲート電界効果トランジスタ、例えば、ＭＯＳＦＥＴが
使用されている。

【００３０】また、配線基板２の一面は電磁シールド効
果の役割を果たす金属製のキャップ３で被われている。
このキャップ３は配線基板２のＧＮＤにも電気的に接続
される。

【００３１】前記パッケージ４からは電気的に独立した
外部電極端子（電極端子）が突出している。すなわち、
この例では、図２のＰＡモジュール１の底面を示す図４
に示すように、配線基板２の下面（底面）の周縁に表面
実装用の外部電極端子が設けられている。

【００３２】前記外部電極端子は、図３に示すように、
パッケージ４の一縁に沿って左から右に向かって、第１
増幅系の入力端子（Ｐin１）、第１増幅系と第２増幅系
の切替選択を行う切替端子Ｔct、基準電位端子（例えば
グランド端子：ＧＮＤ）、電源電位端子（例えば電源端
子：Ｖdd）、第１増幅系の出力端子Ｐout １が設けら
れ、パッケージ４の対向に沿って左から右に向かって、
第２増幅系の入力端子（Ｐin２）、制御端子（Ｔapc
）、ＧＮＤ、第２増幅系の出力端子（Ｐout ２）が設
けられている。これら外部電極端子は配線基板２の側面
から底面に亘って設けられている。

【００３３】また、本実施形態１のデュアルバンドＰＡ
モジュール１は半田等を用いた表面実装構造になってい
るが、この実装において配線基板２の底面で各接続領域
のための半田の厚さを均一にするように、図３に示すよ
うに、ＧＮＤ導体は選択的に設けられるレジスト膜５に
よって覆われている。これにより、デュアルバンドＰＡ
モジュール１の実装時の信頼性を図ることができる。

【００３４】図１は本実施形態１のデュアルバンドＰＡ
モジュール１の等価回路図である。本実施形態１では高
周波電力増幅装置の高周波電力増幅系ｅおよびｆはいず
れも３個の従属接続された３個の増幅段をもっている。

【００３５】第１増幅系ｅでは、初段トランジスタ回路
（第１増幅段）Ｑ１，２段トランジスタ回路（第２増幅
段）Ｑ２，最終段トランジスタ回路（最終増幅段）Ｑ３
が順次従属接続されている。各増幅段はその段への入力
信号を受ける第１の端子と、その段の出力を送出する第
２の端子と、その段のための基準電位を受ける第３の端
子とを備える。初段の第１の端子は高周波電力増幅装置
への第１の入力信号を受ける第１の入力端子Ｐin１とし
て作用する。最終段の第２の端子は高周波電力増幅装置
からの増幅された出力信号を送出する第１の出力端子Ｐ
out １として作用する。第１増幅系ｅの動作を制御する
ための切替用トランジスタＱ７が設けられている。

【００３６】第２増幅系ｆでは、初段トランジスタ回路
（第１増幅段）Ｑ４，２段トランジスタ回路（第２増幅
段）Ｑ５，最終段トランジスタ回路（最終増幅段）Ｑ６
が順次従属接続されている。各増幅段は、第１増幅系ｅ
と同様に、第１〜第３の端子を備え、従って、初段の第
１の端子は高周波電力増幅装置への第２の入力信号を受
ける第２の入力端子Ｐin２として作用し、最終段の第２
の端子は高周波電力増幅装置からの増幅された第２の出
力信号を送出する第２の出力端子Ｐout ２として作用す
る。第２増幅系ｆの動作を制御するための切替用トラン
ジスタＱ８が設けられている。

【００３７】切替端子Ｔctに印加される増幅系選択信号
Ｖctl によって第１増幅系ｅと第２増幅系ｆのいずれか
が選択されて動作状態となり、他方の増幅系は非動作状
態にされる。切替用トランジスタＱ７，Ｑ８と切替端子
Ｔctとの間にインバータ１０が設けられている。

【００３８】インバータ１０は、ＭＯＳＦＥＴからなる
トランジスタＱ９を有している。トランジスタＱ９の制
御電極はゲートバイアス抵抗Ｒ７を介して切替端子Ｔct
に接続されている。また、第１増幅系ｅの切替用トラン
ジスタＱ７の制御電極はトランジスタＱ９の制御電極に
接続され、抵抗Ｒ７によってゲートバイアスが決定され
るようになっている。

【００３９】トランジスタＱ９の出力用の電極は第２増
幅系ｆの切替用トランジスタＱ８の制御電極に接続され
ている。また、切替用トランジスタＱ８の制御電極は抵
抗Ｒ８を介して電源電位端子（電源端子：Ｖdd）に接続
され、所定のゲートバイアスが印加されるようになって
いる。トランジスタＱ７，Ｑ８およびインバータ１０は
増幅系選択回路を構成している。

【００４０】第１増幅系ｅおよび第２増幅系ｆの各トラ
ンジスタ回路（増幅段）の利得は制御端子Ｔapc に印加
されるパワー制御信号Ｖapc によって制御されるが、後
述するように、それぞれ最適の利得制御電圧が印加され
るように電圧分割抵抗が配置されている。すなわち、制
御端子Ｔapc に連なる配線のノードＤで配線は２本に分
岐され、一方は第１増幅系ｅへの給電となり、他方は第
２増幅系ｆへの給電となる。

【００４１】第１増幅系ｅに対しては、ノードＤは抵抗
Ｒ１を介して最終段トランジスタ回路（最終増幅段）Ｑ
３の制御端子（第１の端子）に接続されている。また、
最終段トランジスタ回路Ｑ３と抵抗Ｒ１との間のノード
Ｅは抵抗Ｒ３を介して２段トランジスタ回路（第２増幅
段）Ｑ２の制御端子（第１の端子）に接続されている。
また、２段トランジスタ回路Ｑ２と抵抗Ｒ３との間のノ
ードＦは抵抗Ｒ４を介して初段トランジスタ回路（第１
増幅段）Ｑ１の制御端子（第１の端子）に接続されてい
る。初段トランジスタ回路Ｑ１と抵抗Ｒ４との間のノー
ドＧは抵抗Ｒ５を介して基準電位（例えば接地電位ＧＮ
Ｄ）に接続され、その結果初段トランジスタ回路Ｑ１，
第２段トランジスタ回路Ｑ２，最終段トランジスタ回路
Ｑ３のゲートバイアス、すなわち利得制御信号Ｖｇ１，
Ｖｇ２，Ｖｇ３を決定している。

【００４２】第２増幅系ｆに対しては、第１増幅系ｅと
同様に、ノードＤは抵抗Ｒ６を介して最終段トランジス
タ回路Ｑ６の制御端子に接続されている。また、最終段
トランジスタ回路Ｑ６と抵抗Ｒ６との間のノードＫは抵
抗Ｒ１０を介して２段トランジスタ回路Ｑ５の制御端子
に接続されている。また、２段トランジスタ回路Ｑ５と
抵抗Ｒ１０との間のノードＬは抵抗Ｒ１２を介して初段
トランジスタ回路Ｑ４の制御端子に接続されている。初
段トランジスタ回路Ｑ４と抵抗Ｒ１２との間のノードＭ
は抵抗Ｒ１１を介して基準電位（例えばＧＮＤ）に接続
され、その結果初段トランジスタ回路Ｑ４，第２段トラ
ンジスタ回路Ｑ５，最終段トランジスタ回路Ｑ６のゲー
トバイアス、すなわち利得制御信号Ｖｇ４，Ｖｇ５，Ｖ
ｇ６を決定している。また、切替用トランジスタＱ７，
切替用トランジスタＱ８およびトランジスタＱ９の他の
電極は基準電位ＧＮＤにそれぞれ接続されている。

【００４３】分割抵抗の抵抗値は、一例を挙げるなら
ば、Ｒ１＝Ｒ６＝１．２ｋΩ、Ｒ２＝Ｒ９＝２００Ω、
Ｒ７＝Ｒ８＝１０ｋΩ、Ｒ３＝Ｒ１０＝３００Ω、Ｒ４
＝Ｒ１２＝３００Ω、Ｒ５＝Ｒ１１＝２ｋΩである。な
お、電源電位（Ｖdd）は例えば３．５Ｖである。

【００４４】上述の回路は、図４に示すように、配線基
板２に各電子部品（前記トランジスタや抵抗）を実装す
ることによって形成されている。図４において、配線基
板２の主面には配線１１が所定のパターンに形成されて
いる。また、ワイヤ接続用パッド１４も配線１１によっ
て形成されている。そして、各トランジスタの電極１２
とワイヤ接続用パッド１４は導電性のワイヤ１３で電気
的に接続されている。このようなデュアルバンドＰＡモ
ジュール１は、高周波電力増幅系が２系統あり、切り換
えによって各系統の高周波電力増幅系が動作する。

【００４５】本実施形態１では、第１増幅系ｅをＧＳＭ
（搬送周波数９００ＭＨｚ）における高周波入力信号の
電力増幅に、第２増幅系ｆをＰＣＮ（搬送周波数１．７
５ＧＨｚ）における高周波入力信号の電力増幅に用いる
ことができる。

【００４６】本実施形態１のデュアルバンドＰＡモジュ
ール１は、無線通信機として、たとえば移動体通信機に
組み込まれる。図６はデュアルバンドＰＡモジュール１
を組み込んだ移動通信機（携帯電話機）の無線部のブロ
ック図である。

【００４７】デュアルバンド携帯電話機は、図６に示す
ように、マイクやスピーカに接続されかつベースバンド
ＩＣを有するベースバンド部４０と、前記ベースバンド
部４０に接続されかつアナログ・デジタルコンバータや
デジタル・アナログコンバータを有するコンバータ４１
と、コンバータ４１に接続される信号処理部４２と、ア
ンテナ４３と、アンテナ４３の送受信動作間の切り換え
を行うスイッチ４４と、信号処理部４２とスイッチ４４
との間に組み込まれるデュアルバンドＰＡモジュール１
と、信号処理部４２とスイッチ４４との間に２系統とし
て組み込まれる２組の低雑音アンプ（ＬＮＡ）４５，４
６と、信号処理部４２に接続されるＲＦＶＣＯ４７と、
ＲＦＶＣＯ４７および信号処理部４２に接続されるＲＦ
ＰＬＬおよびＩＦＰＬＬを有するデュアルシンセサイザ
４８とを具備している。

【００４８】信号処理部４２は、送信系として変調器５
０と、これに接続されるＰＬＬ（Phase-Locked Loop ）
５１を有し、変調器５０はコンバータ４１に接続され、
ＰＬＬ５１はデュアルバンドＰＡモジュール１に接続さ
れている。

【００４９】また、信号処理部４２には受信系として二
つの周波数帯域に対して用意された低雑音アンプ（ＬＮ
Ａ）４５，４６にそれぞれ接続される二つのＲＦミキサ
５２，５３と、ＲＦミキサ５２，５３に接続されるＡＧ
Ｃ（Auto Gain Control ）を有するＩＦミキサ５４と、
ＩＦミキサ５４に接続される復調器５５を有している。
復調器５５はコンバータ４１に接続されている。

【００５０】また、デュアルシンセサイザ４８は信号処
理部４２内に設けられたＩＦＶＣＯ５６を介してＩＦミ
キサ５４，変調器５０，復調器５５に接続されている。
また、ＲＦＶＣＯ４７はＰＬＬ５１，ＲＦミキサ５２，
５３に接続されている。

【００５１】このようなシステム構成のデュアルバンド
携帯電話機においては、使用するシステム（周波数）に
対応したＬＮＡ，ＲＦミキサ，ＲＦＶＣＯおよびＰＡモ
ジュールを選択し、他方をスリープ（否使用）モードに
する。その切替えについては、各システムの混雑の度合
いにより自動で選択するか、または手動で任意に選択す
る。

【００５２】この切替信号Ｖctl は、例えば、ＣＰＵ６
０を介して供給される。一方、パワー制御信号Ｖapc
は、例えば、従来知られている構成の自動パワー制御器
（Automatic Power Controller）６２から供給される。
自動パワー制御器６２は、ＰＡモジュール１の出力導体
に結合されたカプラー６４ａ，６４ｂのいずれか一方か
らＰＡモジュール１の出力を表す検出信号を受け、さら
にＣＰＵ６０から所定のパワー出力に相当する基準信号
Ｖref を受け、カプラーの検出信号と基準信号とを比較
し、その比較結果に従って、パワー制御信号Ｖapc が決
定される。このように決定されたパワー制御信号Ｖapc
がＰＡモジュール１の制御端子Ｔapc に供給される。本
実施形態１によるデュアルバンド携帯電話機によればデ
ュアルバンドの通信が可能になる。

【００５３】本実施形態１は以下の効果の１つまたはそ
れ以上を享受できる。 （１）各増幅系（第１増幅系ｅ，第２増幅系ｆ）を動作
させる切替用トランジスタＱ７，Ｑ８はインバータ１０
のトランジスタＱ９の制御電極に印加される切替端子Ｔ
ctからの切替信号Ｖctl によって増幅系の選択が行われ
る構成になっている。この結果、切替端子が一つになり
使い勝手がよくなる。

【００５４】（２）増幅系（第１増幅系ｅ，第２増幅系
ｆ）の各トランジスタ回路Ｑ１〜Ｑ６にはそれに見合っ
たゲートバイアス利得制御電圧が印加されることから、
バイアスコントロールが良くなり、増幅系の増幅特性の
リニアリティの改善が達成できるとともに制御電流（Ｉ
apc ）を下げることができ低消費電力化が図れる。換言
するならば、各段のトランジスタに対するバイアスが適
正値（高リニアリティ）となるように抵抗（たとえば、
Ｒ１，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５）を設定することにより、Ｉap
c の通路を１本にし、Ｉapc を低減することができる。
言い換えれば、Ｉapc を低減した分だけ抵抗（たとえ
ば、Ｒ１，Ｒ３、Ｒ４，Ｒ５）を低く設定でき、スイッ
チング特性は満足したものになる。

【００５５】（３）また、消費電流を下げた分だけ、制
御端子Ｔapc と各トランジスタ回路Ｑ１〜Ｑ６間に設け
る抵抗の抵抗値を小さくできるため、スイッチング特性
が良好になる。

【００５６】図５は、本実施形態１における電力増幅装
置の出力Ｐout と、増幅系のスイッチングタイムとの相
関を示すグラフである。同グラフに示すように、仕様を
満足するスイッチングタイムを２μＳとした場合、出力
Ｐout が３５ｄＢｍまでの間に亘ってスイッチングタイ
ムは２μＳ以下となり、スイッチングタイムを満足する
ことが分かる。

【００５７】（４）本実施形態１による無線通信機は、
スイッチング性能が良くまたリニアリティが良好で消費
電流を低減できる高周波電力増幅装置が内蔵されている
ことから、性能が良好でかつ消費電力の低減が達成でき
る多バンド通信方式が達成できる。

【００５８】（実施形態２）図７は本発明の他の実施形
態（実施形態２）であるデュアルバンド用高周波電力増
幅装置の等価回路図である。本実施形態２では実施形態
１における第１増幅系ｅの切替用トランジスタＱ７とノ
ードＥとの間に設ける抵抗Ｒ２、および第２増幅系ｆの
切替用トランジスタＱ８とノードＫとの間に設ける抵抗
Ｒ９を、それぞれコイルＬ１，Ｌ２に置き換えたもので
ある。

【００５９】コイルは周波数が高くなるほどインピーダ
ンスが高くなるため、切替用トランジスタＱ７とノード
Ｅとの間に抵抗Ｒ２の換わりにコイルＬ１を配置し、切
替用トランジスタＱ８とノードＫとの間に抵抗Ｒ９の換
わりにコイルＬ２を配置することにより、切替用トラン
ジスタＱ７または切替用トランジスタＱ８の出力用の電
極であるドレイン電極に対し、ノードＥまたはノードＫ
を直流的にショートし、高周波に対して高インピーダン
スとすることが可能になる。このコイルの使用は、仕様
としては周波数にもよるが、たとえば２０ｎＨ以上のコ
イルが使用可能である。

【００６０】例えば、第１の入力端子Ｐin１から第１の
出力端子Ｐout １に至る第１増幅系ｅをＧＳＭ（９００
ＭＨｚ）で使用し、第２の入力端子Ｐin２から第２の出
力端子Ｐout ２に至る第２増幅系ｆをＰＣＮ（１．７５
ＧＨｚ）で使用する場合、抵抗Ｒ２，Ｒ９を組み込んだ
ものでは、抵抗Ｒ２，Ｒ９はあまり大きな抵抗値にでき
ないため、ＰＣＮ動作時には、高周波信号が抵抗Ｒ９を
通って漏れてしまい、効率が落ちてしまうが、本実施形
態２の場合のように抵抗Ｒ２，Ｒ９の換わりにコイルＬ
１，Ｌ２を使うことによって高周波の漏れを抑止できる
ため効率の劣化を防ぐことができる。

【００６１】次に図９〜図１１を参照して、本発明の実
施形態をさらに説明する。図９は図１の回路構成をより
詳細に示している。参照符号Ｌ１〜Ｌ２０は整合回路で
ある。図１０は、制御端子Ｔapc に供給されるパワー制
御信号Ｖapc の変化に対する各増幅段に印加される利得
制御信号Ｖｇ１，Ｖｇ２，Ｖｇ３の変化を示す図であ
る。図１１はパワー制御信号Ｖapc の変化に対する増幅
系（高周波電力増幅装置）のパワー出力の変化を示す図
である。

【００６２】図９において、各増幅段におけるトランジ
スタのゲート長に対するゲート幅は、後段になる程大き
くなり、そのために後段程利得が小さい傾向にある。各
増幅系ｅまたは増幅系ｆにおいて、各増幅段に対してお
よそ等しいバイアス電圧すなわち利得制御電圧（信号）
を与えると、増幅系ｅまたは増幅系ｆの、パワー制御信
号Ｖapc に対するパワー出力の立ち上がりは図１１の曲
線Ｘに示されるように急峻になる。このことは、パワー
制御信号Ｖapc を変化させて高周波電力増幅装置のパワ
ー出力を正確に調整するためには不都合である。

【００６３】図７および図９に示された本発明の実施形
態による構成および図８に示された本発明者により案出
検討された構成においては、図１０に示されるように、
各増幅系の増幅段に対して与えられるバイアス電圧（利
得制御電圧）は、前段程低くしている。

【００６４】この結果、図１１の曲線Ｐ１に示されるよ
うに、パワー制御信号Ｖapc に対するパワー出力の立ち
上がりが緩やかになり、高周波電力増幅装置のパワー出
力の制御性が改善される。

【００６５】なお、図１１においては、増幅系ｅの出力
Ｐ１の特性が示されているが、増幅系ｆの出力Ｐ２の特
性についても、図１０に示されるように各増幅段に対し
て与えられるバイアス電圧（利得制御電圧）は、前段程
低くすることにより、同図の曲線Ｐ１に示されるのと同
様になる。

【００６６】以上本発明者によってなされた発明を実施
形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形
態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

【００６７】以上前記実施形態では多バンド通信方式の
無線通信機およびその無線通信機に組み込まれる高周波
電力増幅装置に本発明を適用した例について説明した
が、本発明は多モード通信方式の無線通信機およびその
無線通信機に組み込まれる高周波電力増幅装置にも同様
に適用でき同様の効果を有することができる。また、バ
ンドおよびモードが異なる複数の増幅系を有する技術に
も同様に適用でき同様の効果を有する。本発明は複数の
増幅系を有する高周波電力増幅装置に係わる技術には適
用できる。

【００６８】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。 （１）高周波電力増幅装置において、各増幅系を動作さ
せる切替用トランジスタは増幅系選択回路のトランジス
タの制御電極に印加される切替端子からの信号によって
増幅系の選択が行われる構成になっていることから、増
幅系が２系統である場合には切替端子は一つになり、使
い勝手がよくなる。 （２）高周波電力増幅装置においては、増幅系の各トラ
ンジスタはそれに見合ったゲートバイアスが印加される
ことから、増幅系の増幅特性のリニアリティの改善が達
成できるとともに消費電流を下げることができ低消費電
力化が図れる。 （３）また、消費電流を下げた分だけ、パワー制御信号
が供給される制御端子と各トランジスタ間に設ける抵抗
の抵抗値を小さくできるため、スイッチング特性が良好
になる。 （４）前記高周波電力増幅装置を組み込んだ無線通信機
は、性能が良好でかつ消費電力の低減が達成できる多バ
ンド通信方式の無線通信機を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態（実施形態１）によるデュ
アルバンド用高周波電力増幅装置の等価回路図である。

【図２】実施形態１のデュアルバンド用高周波電力増幅
装置の外観を示す斜視図である。

【図３】実施形態１のデュアルバンド用高周波電力増幅
装置の底面図である。

【図４】実施形態１のデュアルバンド用高周波電力増幅
装置における配線基板上の電子部品のレイアウトの概略
を示す図である。

【図５】増幅系のスイッチングタイムと出力との相関を
示すグラフである。

【図６】実施形態１のデュアルバンド高周波電力増幅装
置を組み込んだ移動体通信機のシステム構成を示すブロ
ック図である。

【図７】本発明の他の実施形態（実施形態２）によるデ
ュアルバンド用高周波電力増幅装置の等価回路図であ
る。

【図８】本発明に先立って本発明者により案出され検討
されたデュアルバンド用高周波電力増幅装置を示す等価
回路図である。

【図９】実施形態１の回路構成をより詳しく示す回路図
である。

【図１０】図９に示された高周波電力増幅装置の動作を
説明するのに有用な図である。

【図１１】図９に示された高周波電力増幅装置の出力特
性を示す図である。

【符号の説明】

１…デュアルバンドＰＡモジュール、２…配線基板、３
…キャップ、４…パッケージ、５…レジスト膜、１０…
増幅系選択回路、４０…ベースバンド部、４１…コンバ
ータ、４２…信号処理部、４３…アンテナ、４４…スイ
ッチ、４５，４６…低雑音アンプ（ＬＮＡ）、４７…Ｒ
ＦＶＣＯ、４８…デュアルシンセサイザ、５０…変調
器、５１…ＰＬＬ、５２，５３…ＲＦミキサ、５４…Ｉ
Ｆミキサ、５５…復調器、５６…ＩＦＶＣＯ、６０…Ｃ
ＰＵ、６２…ＡＰＣ（自動パワー制御器）、６４ａ，６
４ｂ…カプラー、Ｌ１，Ｌ２…コイル、Ｑ１〜Ｑ９…ト
ランジスタ回路、Ｒ１〜Ｒ１２…抵抗。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０４Ｂ 1/04 Ｈ０４Ｂ 1/04 Ｒ 1/40 1/40 (72)発明者 安達 徹朗 群馬県高崎市西横手町１番地１ 日立東部 セミコンダクタ株式会社内 (72)発明者 布川 康弘 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体グループ内 (72)発明者 杉田 浩二 群馬県高崎市西横手町１番地１ 日立東部 セミコンダクタ株式会社内 (72)発明者 石原 伸彦 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体グループ内

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくとも初段および最終段を含む複数
   個の増幅段（Ｑ１〜Ｑ３；Ｑ４〜Ｑ６）と、 パワー制御信号（Ｖapc ）を受ける制御端子（Ｔapc ）
   と、 前記制御端子と基準電位との間に接続され、前記パワー
   制御信号の電圧を分割して複数個の異なる利得制御信号
   を発生する、複数個の直列接続された分割抵抗器（Ｒ
   １，Ｒ３，Ｒ４；Ｒ６，Ｒ１０，Ｒ１２）とを有し、 前記複数個の増幅段のそれぞれは、その段への入力信号
   を受ける第１の端子と、その段の出力信号を送出する第
   ２の端子と、その段のための基準電位を受けるための第
   ３の端子とを備え、 前記初段の第１の端子は、高周波電力増幅装置への高周
   波入力信号を受け、前記最終段の第２の端子は、高周波
   電力増幅装置の高周波出力信号を送出し、 最終段を除く前記増幅段のそれぞれの第２の端子は次段
   の第１の端子に電気的に接続され、初段を除く前記増幅
   段のそれぞれは、その段の前の増幅段のゲインより小さ
   いゲインを持つことを特徴とし、 前記複数個の増幅段のそれぞれの第１の端子には、前記
   複数個の利得制御信号の１つが供給され、その利得制御
   信号の電圧は、前段の第１の端子に供給される利得制御
   信号の電圧より小さい絶対値をもっていることを特徴と
   する高周波電力増幅装置。
2. 【請求項２】 少なくとも初段および最終段を含む複数
   個の増幅段をもっている第１の増幅系（Ｑ１〜Ｑ３）
   と、 少なくとも初段および最終段を含む複数個の増幅段をも
   っている第２の増幅系（Ｑ４〜Ｑ６）と、 パワー制御信号（Ｖapc ）を受ける制御端子（Ｔapc ）
   と、 前記制御端子と基準電位との間に接続され、前記パワー
   制御信号の電圧を分割して複数個の異なる第１の利得制
   御信号を発生する、第１列の直列接続された分割抵抗器
   （Ｒ１，Ｒ３，Ｒ４）と、 前記制御端子と基準電位との間に接続され、前記パワー
   制御信号の電圧を分割して複数個の異なる第２の利得制
   御信号を発生する、第２列の直列接続された分割抵抗器
   （Ｒ６，Ｒ１０，Ｒ１２）と、 増幅系選択信号（Ｖctl ）に応答して、前記第１および
   第２の増幅系のうちのいずれか一方を動作状態にし他方
   を不動作状態にするため、前記パワー制御信号が前記第
   １列および第２列の直列接続された抵抗器のいずれか一
   方へ供給され他方の直列接続された抵抗器へはその供給
   がブロックされるように、前記第１列および第２列の直
   列接続された抵抗器に接続されている、選択回路（１
   ０，Ｑ７，Ｑ８）とを有し、 前記複数個の増幅段（Ｑ１〜Ｑ３）のそれぞれは、その
   段への入力信号とその段のためのバイアス信号とを受け
   る第１の端子と、その段の出力信号を送出する第２の端
   子と、その段のための基準電位を受けるための第３の端
   子とを備え、 前記初段の第１の端子は、高周波電力増幅装置への第１
   の高周波入力端子（Ｐin１）を受け、前記最終段の第２
   の端子は、高周波電力増幅装置の第１の高周波出力信号
   （Ｐout １）を送出し、 最終段を除く前記増幅段のそれぞれの第２の端子は次段
   の第１の端子に電気的に接続され、 初段を除く前記増幅段のそれぞれは、その段の前の増幅
   段のゲインより小さいゲインを持つことを特徴とし、 前記複数個の増幅段（Ｑ４〜Ｑ６）のそれぞれは、その
   段への入力信号とその段のためのバイアス信号とを受け
   る第１の端子と、その段の出力信号を送出する第２の端
   子と、その段のための基準電位を受けるための第３の端
   子とを備え、 前記初段の第１の端子は、高周波電力増幅装置への第２
   の高周波入力信号（Ｐin２）を受け、前記最終段の第２
   の端子は、高周波電力増幅装置の第２の高周波出力信号
   （Ｐout ２）を送出し、 最終段を除く前記増幅段のそれぞれの第２の端子は次段
   の第１の端子に電気的に接続され、 初段を除く前記増幅段のそれぞれは、その段の前の増幅
   段のゲインより小さいゲインを持つことを特徴とし、 前記第１の増幅系の複数個の増幅段（Ｑ１〜Ｑ３）のそ
   れぞれの第１の端子には、前記複数個の第１の利得制御
   信号の１つが前記バイアス信号として供給され、その第
   １の利得制御信号の電圧は、前段の第１の端子に供給さ
   れる第１の利得制御信号の電圧より小さい絶対値をもっ
   ていることを特徴とし、 前記第２の増幅系の複数個の増幅段（Ｑ４〜Ｑ６）のそ
   れぞれの第１の端子には、前記複数個の第２の利得制御
   信号の１つが前記バイアス信号として供給され、その第
   ２の利得制御信号の電圧は、前段の第１の端子に供給さ
   れる第２の利得制御信号の電圧より小さい絶対値をもっ
   ていることを特徴とする高周波電力増幅装置。
3. 【請求項３】 請求項２において、前記選択回路は、前
   記基準電位に接続されたソースと前記選択信号を受ける
   ゲートとドレインとを備える第１の絶縁ゲート電界効果
   トランジスタ（Ｑ７）と、前記第１列の直列接続された
   抵抗器のうち一端が前記制御端子（Ｔapc ）に接続され
   た抵抗器（Ｒ１）の他端に前記第１のトランジスタのド
   レインが接続された第１のインピーダンス素子（Ｒ２，
   Ｌ１）と、 前記基準電位に接続されたソースと前記選択信号を受け
   るゲートとドレインとを備える第２の絶縁ゲート電界効
   果トランジスタ（Ｑ８）と、前記第２列の直列接続され
   た抵抗器のうち一端が前記制御端子（Ｔapc ）に接続さ
   れた抵抗器（Ｒ６）の他端に前記第２のトランジスタの
   ドレインが接続された第２のインピーダンス素子（Ｒ
   ９，Ｌ２）とを有することを特徴とする高周波電力増幅
   装置。
4. 【請求項４】 請求項３において、前記選択回路の第１
   および第２のインピーダンス素子のそれぞれは、抵抗器
   （Ｒ２，Ｒ９）であることを特徴とする高周波電力増幅
   装置。
5. 【請求項５】 請求項３において、前記選択回路の第１
   および第２のインピーダンス素子のそれぞれは、インダ
   クタ（Ｌ１，Ｌ２）であることを特徴とする高周波電力
   増幅装置。
6. 【請求項６】 従属接続された複数個の増幅段（Ｑ１〜
   Ｑ３，Ｑ４〜Ｑ６）をそれぞれ備える第１の増幅系（Ｑ
   １〜Ｑ３）および第２の増幅系（Ｑ４〜Ｑ６）を有する
   高周波電力増幅装置であって、 各増幅系に設けられ、その一方を選択的に動作状態にす
   る働きをする切替用トランジスタ（Ｑ７，Ｑ８）と、 切替信号（Ｖctl ）に対応して前記切替用トランジスタ
   を制御する増幅系選択回路（１０）と、 パワー制御信号（Ｖapc ）を受ける制御端子（Ｔapc ）
   と、 前記制御端子と基準電位との間に接続され、前記パワー
   制御信号の電圧を分割して複数個の異なる第１の利得制
   御信号を発生する、第１列の直列接続された分割抵抗器
   （Ｒ１，Ｒ３，Ｒ４）と、 前記制御端子と基準電位との間に接続され、前記パワー
   制御信号の電圧を分割して複数個の異なる第２の利得制
   御信号を発生する、第２列の直列接続された分割抵抗器
   （Ｒ６，Ｒ１０，Ｒ１２）とを有し、 初段を除く前記増幅段（Ｑ１〜Ｑ３，Ｑ４〜Ｑ６）のそ
   れぞれは、その段の前の増幅段のゲインより小さいゲイ
   ンをもっていることを特徴とし、 前記第１の増幅系の複数個の増幅段（Ｑ１〜Ｑ３）のそ
   れぞれの第１の端子には、前記複数個の第１の利得制御
   信号の１つが前記バイアス信号として供給され、その第
   １の利得制御信号の電圧は、前段の第１の端子に供給さ
   れる第１の利得制御信号の電圧より小さい絶対値をもっ
   ていることを特徴とし、 前記第２の増幅系の複数個の増幅段（Ｑ４〜Ｑ６）のそ
   れぞれの第１の端子には、前記複数個の第２の利得制御
   信号の１つが前記バイアス信号として供給され、その第
   ２の利得制御信号の電圧は、前段の第１の端子に供給さ
   れる第２の利得制御信号の電圧より小さい絶対値をもっ
   ていることを特徴とする高周波電力増幅装置。
7. 【請求項７】 請求項２に記載の高周波電力増幅装置を
   有する無線通信機。
8. 【請求項８】 請求項６に記載の高周波電力増幅装置を
   有する無線通信機。