JP2001007099A - 半導体基板の製造方法及び半導体基板 - Google Patents
半導体基板の製造方法及び半導体基板Info
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- JP2001007099A JP2001007099A JP11175236A JP17523699A JP2001007099A JP 2001007099 A JP2001007099 A JP 2001007099A JP 11175236 A JP11175236 A JP 11175236A JP 17523699 A JP17523699 A JP 17523699A JP 2001007099 A JP2001007099 A JP 2001007099A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＬＯＣＯＳ構造の半導体基板において、製造
工程に発生する基板の反りを抑制する。 【解決手段】 シリコンウェハ１の第１の面側において
は、パッド酸化膜４及び窒化膜５を順次積層し、エッチ
ングされた窒化膜５間をフィールド酸化させてフィール
ド酸化膜６を形成し、シリコンウェハの第２の面側に
は、酸化膜２とポリシリコン膜３とパッド酸化膜４と窒
化膜５とを順次積層する。
工程に発生する基板の反りを抑制する。 【解決手段】 シリコンウェハ１の第１の面側において
は、パッド酸化膜４及び窒化膜５を順次積層し、エッチ
ングされた窒化膜５間をフィールド酸化させてフィール
ド酸化膜６を形成し、シリコンウェハの第２の面側に
は、酸化膜２とポリシリコン膜３とパッド酸化膜４と窒
化膜５とを順次積層する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板の製造
方法及び半導体基板に関し、特にＬＯＣＯＳ（LOCal Ox
idation of Silicon）構造を有する半導体基板の製造方
法及び半導体基板に関する。
方法及び半導体基板に関し、特にＬＯＣＯＳ（LOCal Ox
idation of Silicon）構造を有する半導体基板の製造方
法及び半導体基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体基板上に形成される素子間の相互
の悪影響を防ぐために、素子間を厚めの酸化膜、すなわ
ちフィールド酸化膜で分離する構造としたＬＯＣＯＳ
（LOCalOxidation of Silicon）構造の半導体基板が知
られている。
の悪影響を防ぐために、素子間を厚めの酸化膜、すなわ
ちフィールド酸化膜で分離する構造としたＬＯＣＯＳ
（LOCalOxidation of Silicon）構造の半導体基板が知
られている。
【０００３】このＬＯＣＯＳ構造の半導体基板の主要な
製造工程を図３に示す。従来の製造工程においては、ま
ず、図３（ａ）に示すようにシリコンウェハ２１の外表
面全体にパッド酸化膜２２が形成される。続いて、図３
（ｂ）に示すように、パッド酸化膜２２上に窒化膜２３
が形成される。続いて、図３（ｃ）に示すように、フォ
トエッチングの手法により、主面側の窒化膜２３が所定
のパターンに基づいてエッチングされる。続いて、図３
（ｄ）に示すように、このシリコンウェハ２１を主体と
する半導体基板２５に熱処理が施され、主面側でエッチ
ングされた窒化膜２３の間の露出領域がフィールド酸化
され、これにより一定の厚みを有するフィールド酸化膜
２４が形成される。このフィールド酸化膜２４は、半導
体基板２５上に形成された各素子を分離する機能を有し
ている。
製造工程を図３に示す。従来の製造工程においては、ま
ず、図３（ａ）に示すようにシリコンウェハ２１の外表
面全体にパッド酸化膜２２が形成される。続いて、図３
（ｂ）に示すように、パッド酸化膜２２上に窒化膜２３
が形成される。続いて、図３（ｃ）に示すように、フォ
トエッチングの手法により、主面側の窒化膜２３が所定
のパターンに基づいてエッチングされる。続いて、図３
（ｄ）に示すように、このシリコンウェハ２１を主体と
する半導体基板２５に熱処理が施され、主面側でエッチ
ングされた窒化膜２３の間の露出領域がフィールド酸化
され、これにより一定の厚みを有するフィールド酸化膜
２４が形成される。このフィールド酸化膜２４は、半導
体基板２５上に形成された各素子を分離する機能を有し
ている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述のような半導体基
板２５の製造工程において、主面側の窒化膜２３にエッ
チング処理を施すと、主面側の窒化膜２３が寸断された
状態となり、背面側の窒化膜２３と主面側の窒化膜２３
との応力に差が生じ、基板が凸状に反ってしまうという
問題があった。さらに、フィールド酸化膜２４の形成工
程においては、主面側のみに厚いフィールド酸化膜２４
が形成されるため、上述の反りがさらに助長されてい
た。このような半導体基板２５の反りは、例えばフォト
工程の精度に悪影響を与える等、種々の問題を発生させ
る。
板２５の製造工程において、主面側の窒化膜２３にエッ
チング処理を施すと、主面側の窒化膜２３が寸断された
状態となり、背面側の窒化膜２３と主面側の窒化膜２３
との応力に差が生じ、基板が凸状に反ってしまうという
問題があった。さらに、フィールド酸化膜２４の形成工
程においては、主面側のみに厚いフィールド酸化膜２４
が形成されるため、上述の反りがさらに助長されてい
た。このような半導体基板２５の反りは、例えばフォト
工程の精度に悪影響を与える等、種々の問題を発生させ
る。
【０００５】本発明は、上述のような課題に鑑みてなさ
れたものであり、基板の主面及び背面の応力の均衡を保
つことにより半導体基板の反りを抑制する半導体基板の
製造方法及び半導体基板を提供することを目的とする。
れたものであり、基板の主面及び背面の応力の均衡を保
つことにより半導体基板の反りを抑制する半導体基板の
製造方法及び半導体基板を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明の第１の実施の形態に係る半導体基板の製
造方法は、第１及び第２の面を有するシリコンウェハの
第１及び第２の面に酸化膜を形成する工程と、上記第１
及び第２の面側の酸化膜上にポリシリコン膜を形成する
工程と、上記第１の面側のポリシリコン膜を剥離する工
程と、上記第１の面側の酸化膜を剥離する工程と、上記
第１の面側のシリコンウェハ及び上記第２の面側のポリ
シリコン膜上にパッド酸化膜を形成する工程と、上記第
１及び第２の面側のパッド酸化膜上に窒化膜を形成する
工程と、上記第１の面側の窒化膜を所定のパターンに基
づいてエッチングする工程と、上記エッチングされた窒
化膜間にフィールド酸化膜を形成する工程とを有する。
めに、本発明の第１の実施の形態に係る半導体基板の製
造方法は、第１及び第２の面を有するシリコンウェハの
第１及び第２の面に酸化膜を形成する工程と、上記第１
及び第２の面側の酸化膜上にポリシリコン膜を形成する
工程と、上記第１の面側のポリシリコン膜を剥離する工
程と、上記第１の面側の酸化膜を剥離する工程と、上記
第１の面側のシリコンウェハ及び上記第２の面側のポリ
シリコン膜上にパッド酸化膜を形成する工程と、上記第
１及び第２の面側のパッド酸化膜上に窒化膜を形成する
工程と、上記第１の面側の窒化膜を所定のパターンに基
づいてエッチングする工程と、上記エッチングされた窒
化膜間にフィールド酸化膜を形成する工程とを有する。
【０００７】また、本発明の第１の実施の形態に係る半
導体基板は、上述の製造方法によって製造されたもので
あり、第１及び第２の面を有するシリコンウェハを備え
る半導体基板であって、上記シリコンウェハの第１の面
側には、酸化膜及び窒化膜が順次積層されているととも
に、該窒化膜は所定のパターンに基づいてエッチングさ
れ、このエッチングされた窒化膜間にフィールド酸化膜
が形成されており、上記シリコンウェハの第２の面側に
は、酸化膜と、ポリシリコン膜と、パッド酸化膜と、窒
化膜とが順次積層されている。
導体基板は、上述の製造方法によって製造されたもので
あり、第１及び第２の面を有するシリコンウェハを備え
る半導体基板であって、上記シリコンウェハの第１の面
側には、酸化膜及び窒化膜が順次積層されているととも
に、該窒化膜は所定のパターンに基づいてエッチングさ
れ、このエッチングされた窒化膜間にフィールド酸化膜
が形成されており、上記シリコンウェハの第２の面側に
は、酸化膜と、ポリシリコン膜と、パッド酸化膜と、窒
化膜とが順次積層されている。
【０００８】このように、第２の面側において酸化膜と
パッド酸化膜との間にポリシリコン膜を挟み込むような
構成とすることにより、第１の面と第２の面に関して、
窒化膜とフィールド酸化膜の応力の均衡が保たれ、半導
体基板の反りが抑制される。
パッド酸化膜との間にポリシリコン膜を挟み込むような
構成とすることにより、第１の面と第２の面に関して、
窒化膜とフィールド酸化膜の応力の均衡が保たれ、半導
体基板の反りが抑制される。
【０００９】また、本発明の第２の実施の形態に係る半
導体基板の製造方法は、第１及び第２の面を有するシリ
コンウェハの第１及び第２の面にパッド酸化膜を形成す
る工程と、上記第１及び第２の面側のパッド酸化膜上に
窒化膜を形成する工程と、上記第１の面の窒化膜を所定
のパターンに基づいてエッチングする工程と、上記エッ
チングされた窒化膜上にレジストを塗布する工程と、上
記第２の面側の窒化膜を剥離する工程と、上記第１の面
側に塗布されたレジストを剥離する工程と、上記エッチ
ングされた窒化膜間にフィールド酸化膜を形成する工程
とを有する。
導体基板の製造方法は、第１及び第２の面を有するシリ
コンウェハの第１及び第２の面にパッド酸化膜を形成す
る工程と、上記第１及び第２の面側のパッド酸化膜上に
窒化膜を形成する工程と、上記第１の面の窒化膜を所定
のパターンに基づいてエッチングする工程と、上記エッ
チングされた窒化膜上にレジストを塗布する工程と、上
記第２の面側の窒化膜を剥離する工程と、上記第１の面
側に塗布されたレジストを剥離する工程と、上記エッチ
ングされた窒化膜間にフィールド酸化膜を形成する工程
とを有する。
【００１０】また、本発明の第２の実施の形態に係る半
導体基板は、上述の製造方法によって製造されたもので
あり、第１及び第２の面を有するシリコンウェハを備え
る半導体基板であって、上記シリコンウェハの第１の面
側には、酸化膜及び窒化膜が順次積層されているととも
に、該窒化膜は所定のパターンに基づいてエッチングさ
れ、このエッチングされた窒化膜間にフィールド酸化膜
が形成されており、上記シリコンウェハの第２の面側に
は、酸化膜領域が露出している。
導体基板は、上述の製造方法によって製造されたもので
あり、第１及び第２の面を有するシリコンウェハを備え
る半導体基板であって、上記シリコンウェハの第１の面
側には、酸化膜及び窒化膜が順次積層されているととも
に、該窒化膜は所定のパターンに基づいてエッチングさ
れ、このエッチングされた窒化膜間にフィールド酸化膜
が形成されており、上記シリコンウェハの第２の面側に
は、酸化膜領域が露出している。
【００１１】このように、第２の面側の窒化膜を製造工
程において剥離した状態でフィールド酸化の処理を行う
ことにより、第１の面と第２の面における応力の均衡が
保たれ、半導体基板の反りが抑制される。
程において剥離した状態でフィールド酸化の処理を行う
ことにより、第１の面と第２の面における応力の均衡が
保たれ、半導体基板の反りが抑制される。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る半導体基板の
製造方法及び半導体基板について、図面を参照して詳細
に説明する。
製造方法及び半導体基板について、図面を参照して詳細
に説明する。
【００１３】本発明の第１の実施の形態として示す半導
体基板の製造工程を図１に示す。第１の実施の形態にお
いては、まず、図１（ａ）に示すように、前工程におい
てシリコンウェハ１の外表面全体に形成された酸化膜２
上に、例えばＬＰＣＶＤ法等によりポリシリコン膜３を
形成する。
体基板の製造工程を図１に示す。第１の実施の形態にお
いては、まず、図１（ａ）に示すように、前工程におい
てシリコンウェハ１の外表面全体に形成された酸化膜２
上に、例えばＬＰＣＶＤ法等によりポリシリコン膜３を
形成する。
【００１４】続いて、図１（ｂ）に示すように、主面側
のポリシリコン３を剥離する。これにより、主面側に酸
化膜２が露出する。
のポリシリコン３を剥離する。これにより、主面側に酸
化膜２が露出する。
【００１５】続いて、図１（ｃ）に示すように、主面側
に露出した酸化膜２を剥離し、主面側にシリコンウェハ
１を露出させる。
に露出した酸化膜２を剥離し、主面側にシリコンウェハ
１を露出させる。
【００１６】続いて、図１（ｄ）に示すように、主面側
に露出するシリコンウェハ１及び背面側のポリシリコン
膜３の上にパッド酸化膜４を形成する。
に露出するシリコンウェハ１及び背面側のポリシリコン
膜３の上にパッド酸化膜４を形成する。
【００１７】続いて、図１（ｅ）に示すように、主面及
び背面側のパッド酸化膜４上に窒化膜５を形成する。
び背面側のパッド酸化膜４上に窒化膜５を形成する。
【００１８】続いて、図１（ｆ）に示すように、主面側
の窒化膜５を所定のパターンに基づいてエッチングす
る。これにより、エッチングされた窒化膜５の間にパッ
ド酸化膜４が露出する。
の窒化膜５を所定のパターンに基づいてエッチングす
る。これにより、エッチングされた窒化膜５の間にパッ
ド酸化膜４が露出する。
【００１９】続いて、図１（ｇ）に示すように、この基
板に熱処理を施し、主面側のエッチングされた窒化膜５
の間に露出する領域をフィールド酸化させてフィールド
酸化膜６を形成し、これにより半導体基板７を形成す
る。ここで、フィールド酸化膜６は、パッド酸化膜４を
残したまま酸化して形成されるか、あるいはパッド酸化
膜４を除去して基板表面を露出した状態で形成する。
板に熱処理を施し、主面側のエッチングされた窒化膜５
の間に露出する領域をフィールド酸化させてフィールド
酸化膜６を形成し、これにより半導体基板７を形成す
る。ここで、フィールド酸化膜６は、パッド酸化膜４を
残したまま酸化して形成されるか、あるいはパッド酸化
膜４を除去して基板表面を露出した状態で形成する。
【００２０】このようにして形成された半導体基板７
は、シリコンウェハ１を基体とし、このシリコンウェハ
１の主面側においては、酸化膜４及び窒化膜５が順次積
層されているとともに、窒化膜５が所定のパターンに基
づいてエッチングされ、このエッチングされた窒化膜５
の間にフィールド酸化膜６を構成している。また、この
半導体基板７の背面側は、シリコンウェハ１上に酸化膜
２と、ポリシリコン膜３と、パッド酸化膜４と、窒化膜
５とが順次積層された構造を有している。
は、シリコンウェハ１を基体とし、このシリコンウェハ
１の主面側においては、酸化膜４及び窒化膜５が順次積
層されているとともに、窒化膜５が所定のパターンに基
づいてエッチングされ、このエッチングされた窒化膜５
の間にフィールド酸化膜６を構成している。また、この
半導体基板７の背面側は、シリコンウェハ１上に酸化膜
２と、ポリシリコン膜３と、パッド酸化膜４と、窒化膜
５とが順次積層された構造を有している。
【００２１】この半導体基板７においては、ポリシリコ
ン膜３が窒化膜５の応力を緩衝するため、主面側と背面
側の応力が均衡を保っている。したがって、基板に反り
を発生させるような力が加わらず、すなわち、反りのな
い半導体基板７を実現することができる。
ン膜３が窒化膜５の応力を緩衝するため、主面側と背面
側の応力が均衡を保っている。したがって、基板に反り
を発生させるような力が加わらず、すなわち、反りのな
い半導体基板７を実現することができる。
【００２２】次に、本発明の第２の実施の形態として示
す半導体基板の製造工程を図２を用いて説明する。第２
の実施の形態においては、まず、図２（ａ）に示すよう
に、前工程によりシリコンウェハ１１の第１及び第２の
面上に形成されたパッド酸化膜１２の上に窒化膜１３を
形成する。
す半導体基板の製造工程を図２を用いて説明する。第２
の実施の形態においては、まず、図２（ａ）に示すよう
に、前工程によりシリコンウェハ１１の第１及び第２の
面上に形成されたパッド酸化膜１２の上に窒化膜１３を
形成する。
【００２３】続いて、図２（ｂ）に示すように、主面側
の窒化膜１３を所定のパターンに基づいてエッチングす
る。
の窒化膜１３を所定のパターンに基づいてエッチングす
る。
【００２４】続いて、図２（ｃ）に示すように、上述の
ようにしてエッチングされた主面側の窒化膜１３上にレ
ジスト１４を塗布するとともに、背面側の窒化膜１３を
剥離する。
ようにしてエッチングされた主面側の窒化膜１３上にレ
ジスト１４を塗布するとともに、背面側の窒化膜１３を
剥離する。
【００２５】続いて、図２（ｄ）に示すように、主面側
のレジスト１４を剥離する。これにより、主面側の窒化
膜１３の間にパッド酸化膜１２が露出する。
のレジスト１４を剥離する。これにより、主面側の窒化
膜１３の間にパッド酸化膜１２が露出する。
【００２６】続いて、図２（ｅ）に示すように、この基
板に熱処理を施し、主面側のエッチングされた窒化膜１
３の間の領域をフィールド酸化させてフィールド酸化膜
１５を形成し、これにより半導体基板１６を形成する。
板に熱処理を施し、主面側のエッチングされた窒化膜１
３の間の領域をフィールド酸化させてフィールド酸化膜
１５を形成し、これにより半導体基板１６を形成する。
【００２７】このようにして形成された半導体基板１６
は、シリコンウェハ１１を基体とし、このシリコンウェ
ハ１１の主面側においては、酸化膜１２及び窒化膜１３
が順次積層されているとともに、窒化膜１３が所定のパ
ターンに基づいてエッチングされ、このエッチングされ
た窒化膜１３の間に露出する領域がフィールド酸化され
てフィールド酸化膜１５が形成されている。また、この
半導体基板１６の背面側は、フィールド酸化された酸化
膜領域が露出している。
は、シリコンウェハ１１を基体とし、このシリコンウェ
ハ１１の主面側においては、酸化膜１２及び窒化膜１３
が順次積層されているとともに、窒化膜１３が所定のパ
ターンに基づいてエッチングされ、このエッチングされ
た窒化膜１３の間に露出する領域がフィールド酸化され
てフィールド酸化膜１５が形成されている。また、この
半導体基板１６の背面側は、フィールド酸化された酸化
膜領域が露出している。
【００２８】このように、製造工程の途中で背面側の窒
化膜１３を除去することにより、背面側の窒化膜による
応力がなくなるため、主面側と背面側の応力の均衡が保
たれ、したがって反りのない半導体基板１６を提供する
ことができる。
化膜１３を除去することにより、背面側の窒化膜による
応力がなくなるため、主面側と背面側の応力の均衡が保
たれ、したがって反りのない半導体基板１６を提供する
ことができる。
【００２９】
【発明の効果】上述のように本発明に係る半導体基板の
製造方法及び半導体基板では、第１及び第２の面を有す
るシリコンウェハの第１及び第２の面に酸化膜を形成
し、上記第１及び第２の面側の酸化膜上にポリシリコン
膜を形成し、上記第１の面側のポリシリコン膜及び酸化
膜を剥離し、上記第１の面側のシリコンウェハ及び上記
第２の面側のポリシリコン膜上にパッド酸化膜を形成
し、上記第１及び第２の面側のパッド酸化膜上に窒化膜
を形成し、上記第１の面側の窒化膜を所定のパターンに
基づいてエッチングし、上記エッチングされた窒化膜間
をフィールド酸化させてフィールド酸化膜を形成するた
め、ポリシリコンが第１及び第２の面に関して窒化膜と
の応力の均衡を保ち、したがって反りのない半導体基板
が実現できる。
製造方法及び半導体基板では、第１及び第２の面を有す
るシリコンウェハの第１及び第２の面に酸化膜を形成
し、上記第１及び第２の面側の酸化膜上にポリシリコン
膜を形成し、上記第１の面側のポリシリコン膜及び酸化
膜を剥離し、上記第１の面側のシリコンウェハ及び上記
第２の面側のポリシリコン膜上にパッド酸化膜を形成
し、上記第１及び第２の面側のパッド酸化膜上に窒化膜
を形成し、上記第１の面側の窒化膜を所定のパターンに
基づいてエッチングし、上記エッチングされた窒化膜間
をフィールド酸化させてフィールド酸化膜を形成するた
め、ポリシリコンが第１及び第２の面に関して窒化膜と
の応力の均衡を保ち、したがって反りのない半導体基板
が実現できる。
【００３０】さらに、本発明に係る半導体基板の製造方
法及び半導体基板では、第１及び第２の面を有するシリ
コンウェハの第１及び第２の面にパッド酸化膜を形成
し、上記第１及び第２の面側のパッド酸化膜上に窒化膜
を形成し、上記第１の面の窒化膜を所定のパターンに基
づいてエッチングし、上記エッチングされた窒化膜上に
レジストを塗布し、上記第２の面側の窒化膜を剥離し、
上記第１の面側に塗布されたレジストを剥離し、上記エ
ッチングされた窒化膜間をフィールド酸化させてフィー
ルド酸化膜を形成するので、第２の面側に窒化膜が残留
せず、したがって、第１の面側と第２の面側の応力の均
衡が保たれ、反りのない半導体基板を実現することがで
きる。
法及び半導体基板では、第１及び第２の面を有するシリ
コンウェハの第１及び第２の面にパッド酸化膜を形成
し、上記第１及び第２の面側のパッド酸化膜上に窒化膜
を形成し、上記第１の面の窒化膜を所定のパターンに基
づいてエッチングし、上記エッチングされた窒化膜上に
レジストを塗布し、上記第２の面側の窒化膜を剥離し、
上記第１の面側に塗布されたレジストを剥離し、上記エ
ッチングされた窒化膜間をフィールド酸化させてフィー
ルド酸化膜を形成するので、第２の面側に窒化膜が残留
せず、したがって、第１の面側と第２の面側の応力の均
衡が保たれ、反りのない半導体基板を実現することがで
きる。
【図１】本発明の第１の実施の形態である半導体基板の
製造工程を示す図である。
製造工程を示す図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態である半導体基板の
製造工程を示す図である。
製造工程を示す図である。
【図３】従来のＬＯＣＯＳ構造の半導体基板の製造工程
を示す図である。
を示す図である。
１ シリコンウェハ ２ 酸化膜 ３ ポリシリコン ４ パッド酸化膜 ５ 窒化膜 ６ フィールド酸化膜 ７ 半導体基板
Claims (4)
- 【請求項１】 第１及び第２の面を有するシリコンウェ
ハの第１及び第２の面に酸化膜を形成する工程と、 上記第１及び第２の面側の酸化膜上にポリシリコン膜を
形成する工程と、 上記第１の面側のポリシリコン膜を剥離する工程と、 上記第１の面側の酸化膜を剥離する工程と、 上記第１の面側のシリコンウェハ及び上記第２の面側の
ポリシリコン膜上にパッド酸化膜を形成する工程と、 上記第１及び第２のパッド酸化膜上に窒化膜を形成する
工程と、 上記第１の面側の窒化膜を所定のパターンに基づいてエ
ッチングする工程と、 上記エッチングされた窒化膜間にフィールド酸化膜を形
成する工程とを有する半導体基板の製造方法。 - 【請求項２】 第１及び第２の面を有するシリコンウェ
ハを備える半導体基板であって、 上記シリコンウェハの第１の面側には、酸化膜及び窒化
膜が順次積層されているとともに、該窒化膜は所定のパ
ターンに基づいてエッチングされ、このエッチングされ
た窒化膜間にフィールド酸化膜が形成されており、 上記シリコンウェハの第２の面側には、酸化膜と、ポリ
シリコン膜と、パッド酸化膜と、窒化膜とが順次積層さ
れていることを特徴とする半導体基板。 - 【請求項３】 第１及び第２の面を有するシリコンウェ
ハの第１及び第２の面にパッド酸化膜を形成する工程
と、 上記第１及び第２の面側のパッド酸化膜上に窒化膜を形
成する工程と、 上記第１の面の窒化膜を所定のパターンに基づいてエッ
チングする工程と、 上記エッチングされた窒化膜上にレジストを塗布する工
程と、 上記第２の面側の窒化膜を剥離する工程と、 上記第１の面側に塗布されたレジストを剥離する工程
と、 上記エッチングされた窒化膜間にフィールド酸化膜を形
成する工程とを有する半導体基板の製造方法。 - 【請求項４】 第１及び第２の面を有するシリコンウェ
ハを備える半導体基板であって、 上記シリコンウェハの第１の面側には、酸化膜及び窒化
膜が順次積層されているとともに、該窒化膜は所定のパ
ターンに基づいてエッチングされ、このエッチングされ
た窒化膜間にフィールド酸化膜が形成されており、 上記シリコンウェハの第２の面側には、酸化膜が露出し
ていることを特徴とする半導体基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11175236A JP2001007099A (ja) | 1999-06-22 | 1999-06-22 | 半導体基板の製造方法及び半導体基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11175236A JP2001007099A (ja) | 1999-06-22 | 1999-06-22 | 半導体基板の製造方法及び半導体基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001007099A true JP2001007099A (ja) | 2001-01-12 |
Family
ID=15992651
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11175236A Pending JP2001007099A (ja) | 1999-06-22 | 1999-06-22 | 半導体基板の製造方法及び半導体基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001007099A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015026683A (ja) * | 2013-07-25 | 2015-02-05 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| CN117198862A (zh) * | 2023-11-03 | 2023-12-08 | 粤芯半导体技术股份有限公司 | 改善分立器件翘曲度的方法 |
-
1999
- 1999-06-22 JP JP11175236A patent/JP2001007099A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015026683A (ja) * | 2013-07-25 | 2015-02-05 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| DE102014208307B4 (de) * | 2013-07-25 | 2018-11-08 | Mitsubishi Electric Corporation | Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung |
| CN117198862A (zh) * | 2023-11-03 | 2023-12-08 | 粤芯半导体技术股份有限公司 | 改善分立器件翘曲度的方法 |
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